中华人民共和国北京知识产权法院行 政 判 决 书（2016）京73行初3649号原告：应用材料公司，住所地美利坚合众国加利福尼亚州圣塔克拉拉市鲍尔斯大道**。法定代表人：邝锦安，公司副总裁兼助理秘书。（未到庭）委托诉讼代理人：王玉双，北京市立康律师事务所律师。（到庭）委托诉讼代理人：刘亚斌，北京市立康律师事务所实习律师。（未到庭）被告:中华人民共和国国家知识产权局，住所，住所地中华人民共和国北京市海淀区蓟门桥西土城路**div>法定代表人:申长雨，局长。(未到庭)委托诉讼代理人:葛永奇，中华人民共和国国家知识产权局审查员。（到庭）委托诉讼代理人:杨秀花，中华人民共和国国家知识产权局审查员。（未到庭）案由：发明专利申请驳回复审行政纠纷。被诉决定：原中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）作出的第106164号复审请求审查决定（见附件）。被诉决定作出时间：2016年2月24日。本院受理时间：2016年7月18日。开庭审理时间：2019年5月16日。被诉决定系原专利复审委员会针对原告就申请号为201210592683.5的发明专利申请（简称本申请）所提复审请求而作出。被告在该决定中认为权利要求1-7相对于对比文件1和本领域常规技术选择的结合不具备《中华人民共和国专利法》（简称《专利法》）第二十二条第三款规定的创造性，据此，维持2014年12月10日对本申请所作的驳回决定。原告诉称:第一，关于本申请权利要求1与对比文件1的区别特征，除被诉决定认定的“本申请制品由氧化钇和氧化锆结合形成，而对比文件1的制品表面的耐腐蚀膜是由氧化钇和氧化锆形成，且本申请限定了陶瓷的平均颗粒尺寸变化范围、弯曲强度和断裂韧度变化范围”外，还存在“对比文件1为构件表面形成氧化钇和氧化锆的耐腐蚀膜，本申请权利要求1所保护的是由氧化钇和氧化锆结合形成的整体固体烧结陶瓷体”的区别特征。第二，本申请权利要求1和对比文件1相比，解决的技术问题是“克服涂层在等离子体刻蚀期间变薄（侵蚀）和在等离子体处理期间由于残余应力而导致脱离的缺点”，并非被诉决定认定的“如何更好地避免腐蚀”。第三，本申请权利要求1所保护的是由氧化钇和氧化锆结合形成的整体固体烧结陶瓷体，其通过选择固体陶瓷体的材料成分比来获得期望的制品的机械性能。对比文件1仅公开了在构件表面上形成氧化钇和氧化锆的耐腐蚀膜，以对比文件1的耐腐蚀膜组成整个设备部件并非是本领域技术人员容易想到的。第四，本申请权利要求1与对比文件的区别特征（2）“限定了陶瓷的平均颗粒尺寸变化范围、弯曲强度和断裂韧度变化范围”，该限定和参数数值不是本领域的公知常识。第五，本申请克服长期存在的技术偏见，通过调整氧化钇和氧化锆的摩尔浓度，改变固体陶瓷体的平均颗粒尺寸，在降低设备部件的腐蚀速率的条件下保持其可接受的机械性能，获得了预料不到的技术效果。因此，权利要求1具备创造性，基于相同的理由，权利要求4亦具备创造性。在此基础上，权利要求2-3、5-7具备创造性。综上，请求法院依法判决撤销被诉决定，判令被告重新作出审查决定。被告辩称：被诉决定认定事实清楚、适用法律正确、审理程序合法、审查结论正确，原告的诉讼理由不能成立，请求法院驳回原告的诉讼请求。本院经审理查明：一、本申请（一）申请人：原告。（二）发明创造名称：降低暴露于含卤素等离子体表面的腐蚀速率的装置和方法。（三）申请号：201210592683.5。（四）申请日：2007年7月4日。（五）优先权日：2007年4年27日。（六）公开日：2013年5月15日。（七）被诉决定针对的是原告于2015年12月31日修改的权利要求：1.一种烧结的含固溶体陶瓷制品，所述陶瓷制品对于在半导体处理中使用的含卤素等离子体耐腐蚀，其中所述制品是由氧化钇和氧化锆结合形成的整体固体烧结陶瓷体，其中氧化钇的摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到70％摩尔比，以及氧化锆的摩尔浓度变化范围从10％摩尔比到30％摩尔比，其中所述固体烧结陶瓷体的平均颗粒尺寸变化范围从2μm到8μm，其中，所述陶瓷制品的弯曲强度变化范围从120MPa到140MPa，以及其中，所述陶瓷制品的断裂韧度变化范围从1.1MPa??m1/2到1.3MPa??m1/2。2.根据权利要求1所述的烧结的含固溶体陶瓷制品，其中，所述陶瓷由摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到80％摩尔比的氧化钇、以及摩尔浓度变化范围从10％摩尔比到20％摩尔比的氧化锆形成。3.根据权利要求1或2所述的烧结的含固溶体陶瓷制品，其中，所述制品选自包括盖、盖衬里、喷嘴、气体分配板、喷头、静电卡盘部件、荫罩、衬底夹持框架、处理套件和腔室衬里构成的组。4.一种减少与含卤素等离子体接触的半导体处理设备的等离子体腐蚀，同时改善所述设备的机械性能的方法，包括：制备摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到70％摩尔比的氧化钇以及摩尔浓度变化范围从10％摩尔比到30％摩尔比的氧化锆的混合物；将所述混合物压缩成粒状形式；以及利用选自由无压烧结、热压烧结或者热等静压烧结组成的组的方法对所述粒状形式进行烧结，以致所述陶瓷制品的弯曲强度变化范围从120MPa到140MPa，以及所述陶瓷制品的断裂韧度变化范围从1.1MPa??m1/2到1.3MPa??m1/2。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述固体烧结的含固溶体处理设备由摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到80％摩尔比的氧化钇、以及摩尔浓度变化范围从10％摩尔比到20％摩尔比的氧化锆形成。6.根据权利要求4或5的方法，其中，暴露于含卤素等离子体的所述半导体处理设备的表面的所述等离子体腐蚀速率小于0.2μm/hr。7.根据权利要求6所述的方法，其中，暴露于含卤素等离子体的所述半导体处理设备的表面的所述等离子体腐蚀速率变化范围从0.1μm/hr到0.2μm/hr。8.一种烧结的含固溶体陶瓷半导体处理设备，其中，所述陶瓷耐含卤素等离子体的腐蚀，其中所述陶瓷半导体处理设备由摩尔浓度98.4％摩尔比的氧化锆以及摩尔浓度1.6％摩尔比的氧化钇形成。9.根据权利要求8所述的半导体处理设备，其中，所述设备选自包括盖、盖衬里、喷嘴、气体分配板、喷头、静电卡盘部件、荫罩、衬底夹持框架、处理套件和腔室衬里构成的组。10.根据权利要求8所述的半导体处理设备，其中，所述烧结的含固溶体陶瓷的平均颗粒尺寸变化范围从0.5μm到8.0μm。11.根据权利要求8所述的半导体处理设备，其中，所述烧结的含固溶体陶瓷的弯曲强度变化范围从1100MPa到1300MPa。12.根据权利要求8所述的半导体处理设备，其中，所述烧结的含固溶体陶瓷的断裂韧度变化范围从10MPa??m1/2到12MPa??m1/2。13.一种减少与含卤素等离子体接触的半导体处理设备的等离子体腐蚀，同时改善所述设备的机械性能的方法，包括：制备摩尔浓度98.4％摩尔比的氧化锆以及摩尔浓度1.6％摩尔比的氧化钇的混合物；将所述混合物压缩成粒状形式；以及利用选自由无压烧结、热压烧结或热等静压烧结组成的组的方法对所述粒状形式进行烧结，以提供陶瓷颗粒尺寸变化范围从2μm到8μm。14.根据权利要求13所述的方法，其中，暴露于含卤素等离子体的所述半导体处理设备的表面的所述等离子体腐蚀速率小于0.4μm/hr。15.根据权利要求14所述的方法，其中，暴露于含卤素等离子体的所述半导体处理设备的表面的所述等离子体腐蚀速率变化范围从0.1μm/hr到0.4μm/hr。二、对比文件对比文件1系申请号为01303504.3、公开日为2001年11月28日的欧洲专利公告文本及其中文译文。对比文件1公开了一种耐卤素气体等离子腐蚀的构件，具体公开了如下内容（参见证据1）：所述构件包括主体，所述主体具有形成在所述主体表面上的耐腐蚀膜(参见摘要)。耐腐蚀膜优选含钇化合物，特别地，氧化钇、含氧化钇的固溶体、含氧化钇的复合氧化物和三氟化钇(参见说明书第0031段)。在形成喷涂膜后，通过热处理所述膜(以及如果需要的话，热处理构件的主体)而对所述膜进一步烧结，从而消除或减少喷涂膜中的孔(参见说明书第0045段)。用纯度99.7%的氧化铝制备每个具有50x50x2mm大小的主体，并且将其表面进行喷砂以便将所有主体的表面调整在Ra=1.6±0.1μm。在用丙酮对每个主体进行超声清洁之后，将表1-6中示出的稀土氧化物进行等离子体喷涂成为耐腐蚀膜。与单独由氧化铝制成的样品相比，用这个或这些稀土氧化物的耐腐蚀膜形成的样品展示出了对抗卤素气体远远更高的耐腐蚀强度。(参见说明书第92、95段）耐腐蚀膜由Y2O3为90mol%，ZrO2为10mol%组成(参见说明书表1-6）。主体的材料并不特别受限制。然而，优选的是材料不包含任何可能在等离子体容器中处理时造成不利影响的元素。从此观点来看，材料优选是铝、氮化铝、氧化铝和氧化钇的化合物或固溶体、氧化锆、或者为氧化锆和氧化钇的化合物或固溶体（参见说明书第0035段）。（样品1-2的样品的生产）用具有15mol%CaO的稳定的多孔氧化锆来制备一个主体。更具体地说，将具有15mol%CaO的稳定的多孔氧化锆粉末与水和一种粘合剂进行捏合，并且通过具有50mm直径的冲模挤出捏合的混合物。将模制的本体进行干燥和烧制以便获得烧结本体，将烧结本体切成30mmx200mmx10mm的棒状主体。主体的孔隙率和杨氏模量分别为30%和60Gpa，并且本体的中心线平均表面粗糙度Ra和Wa为Ra=1.8μm且Wa=1.3μm。（参见说明书第0060段）三、其他事实本案庭审过程中，原告应用材料公司明确主张仅坚持本申请权利要求1-7具备创造性，且在权利要求1、4不具备创造性的前提下，不再坚持权利要求2-3、5-7的创造性。另查，根据中央机构改革部署，原专利复审委员会的相关职责由国家知识产权局统一行使。上述事实有本申请公开文本、对比文件1及当事人陈述等证据在案佐证。本院认为：本案双方当事人在诉讼期间争议的焦点问题是本申请权利要求1-7是否具备《专利法》第二十二条第三款规定的创造性。《专利法》第二十二条第三款规定：“创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。”第一，关于权利要求1是否具备《专利法》第二十二条第三款规定的创造性问题。1、关于权利要求1与对比文件1的区别技术特征的认定。被诉决定认定本申请权利要求1相对于对比文件1的区别特征为：（1）本申请制品由氧化钇和氧化锆结合形成，而对比文件1的制品表面的耐腐蚀膜是由氧化钇和氧化锆形成；（2）本申请限定了陶瓷的平均颗粒尺寸变化范围、弯曲强度和断裂韧度变化范围。原告对此表示认可，但主张还存在区别特征（3），即对比文件1为构件表面形成氧化钇和氧化锆的耐腐蚀膜，本申请权利要求1所保护的是由氧化钇和氧化锆结合形成的整体固体烧结陶瓷体。对此本院认为，原告主张的区别特征（3）强调对比文件1的制品表面的耐腐蚀膜是由氧化钇和氧化锆形成，而本申请是由氧化钇和氧化锆结合形成的整体固体烧结陶瓷体，原告主张的该项区别与区别特征（1）表达的内容一致，故被诉决定关于本申请权利要求1与对比文件1的区别特征认定正确。原告提出的被诉决定对本申请权利要求1与对比文件1关于区别特征认定有误的主张，缺乏依据，本院不予支持。2、关于权利要求1解决的技术问题的认定。被诉决定认定上述区别特征实际解决的技术问题为：如何更好地避免腐蚀，同时又能够不降低设备的机械性能。原告主张实际解决的技术问题为克服涂层在等离子体刻蚀期间变薄（侵蚀）和在等离子体处理期间由于残余应力而导致脱离的缺点，同时又能够不降低设备的机械性能。对此本院认为，“如何更好地避免腐蚀”与“提高涂层的抗脱离性”是目的与手段之间的关系，克服涂层脱离的目的在于获得更好的耐腐蚀的技术效果，故被诉决定对区别特征实际解决的技术问题认定正确。原告提出的被诉决定关于实际解决的技术问题认定有误的主张，缺乏依据，本院不予支持。3.关于权利要求1是否具备创造性。关于区别特征（1），对比文件1的制品表面的耐腐蚀膜是由氧化钇和氧化锆形成，其主体材料不受特别限制，但给出了优选材料为铝、氮化铝、氧化锆和氧化钇的化合物或固溶体等选择。当主体材料选择氧化锆和氧化钇的化合物或固溶体时，对比文件1的制品整体即由氧化钇和氧化锆构成。故对比文件1给出了以氧化钇和氧化锆形成耐腐蚀膜的组成来形成整个设备部件的启示。关于区别特征（2），对比文件1实施例1-1中的基板材料为金属铝，其本身具有较好的机械性能；实施例1-2的主体材料为氧化锆，因此其将具有15mol%CaO的稳定的多孔氧化锆粉末与水和一种粘合剂捏合，并进行干燥、烧制和切割，获得主体孔隙率和杨氏模量分别为30%和60Gpa烧结主体。本申请制品是由氧化钇和氧化锆结合形成的整体固体烧结陶瓷体，不同氧化钇含量会影响氧化锆陶瓷材料的相组成及力学性能，而陶瓷晶粒尺寸与弯曲强度相关，所以限定一些重要参数使陶瓷体具有较好的机械性能是必须的步骤，本领域技术人员容易想到根据实际应用场合的要求将氧化钇和氧化锆的摩尔浓度、陶瓷体的平均颗粒尺寸调整到适当的值，并满足适当的弯曲强度和断裂韧度要求。故本领域技术人员根据其常规实验手段能力容易作出的有限选择，得到本申请权利要求1的技术方案不需要付出创造性劳动。被告直接根据本领域技术人员所应当具备的能力作出判断亦无不当。对于原告应用材料公司关于本申请克服了技术偏见，并取得了预料不到的技术效果具有创造性的主张，参照《专利审查指南》第二部分第四章5.2节规定，技术偏见，是指在某段时间内、某个技术领域中，技术人员对某个技术问题普遍存在的、偏离客观事实的认识，它引导人们不去考虑其他方面的可能性，阻碍人们对该技术领域的研究和开发。所以，欲证明技术偏见的存在，需证明本领域技术人员对于某一技术问题存在普遍的偏见。本案中，对比文件1给出了主体材料为氧化锆和氧化钇的化合物或固溶体的明确选择，原告应用材料公司提交的证据不足以证明本领域技术人员对将该耐腐蚀膜制成整体陶瓷体存在普遍偏见，本申请说明书中亦未记载因耐腐蚀膜制成整体陶瓷体可带来预料不到的技术效果。综上，原告应用材料公司的相关主张均不能成立，本院不予支持。本申请权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，故不具备《专利法》第二十二条第三款规定的创造性。第二，关于权利要求4是否具备《专利法》第二十二条第三款规定的创造性问题。关于本申请权利要求4相对于对比文件1的区别特征，对比文件1公开了一种用于半导体生产设备的耐含卤素气体等离子腐蚀的陶瓷构件，其中公开了由90mol%的Y2O3和10mol%的ZrO2进行等离子体喷涂成为耐腐蚀膜，与单独有氧化铝制成的样品相比，用前述耐腐蚀膜形成的样品展示出了对抗卤素气体更高的耐腐蚀强度，因此对比文件1公开了减少卤素等离子的腐蚀的方法，故被诉决定关于本申请权利要求4相对于对比文件1区别特征为“本申请的方法还具有改善机械性能的效果，以及限定陶瓷制品原料混合物压缩成粒状形式及烧结方式，且限定了陶瓷的弯曲强度和断裂韧度的变化范围”的认定正确。基于上述对权利要求1创造性的评述，对比文件1给出了以氧化钇和氧化锆形成耐腐蚀膜的组成来形成整个设备部件的启示，本领域技术人员容易想到根据实际应用场合的要求将陶瓷体的平均颗粒尺寸调整到适当的值，并满足适当的弯曲强度和断裂韧度要求。除此之外，权利要求4中的“压缩成粒状”“利用选自由无压烧结、热压烧结或者热等静压烧结组成的组的方法对所述粒状形式进行烧结”等方式是本领域的常规选择，并未带来预料不到的技术效果。故权利要求4相对于对比文件1和本领域常规技术选择的结合不具备创造性，不符合《专利法》第二十二条第三款的规定。被诉决定对此认定正确，原告应用材料公司的相关主张缺乏事实及法律依据，本院不予支持。鉴于原告应用材料公司在庭审中明确表示在本申请权利要求1、4不具备创造性的前提下，不再坚持权利要求2-3、5-7的创造性，本院对此不再评述。本申请从属权利要求2-3、5-7在权利要求1、4不具备创造性的基础上，也不具备创造性。综上所述，被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，原告应用材料公司的诉讼主张缺乏依据，本院不予支持。本院依据《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，判决如下：驳回原告应用材料公司的诉讼请求。案件受理费人民币一百元，由原告应用材料公司负担（已交纳）。如不服本判决，原告应用材料公司可在本判决书送达之日起三十日内，被告中华人民共和国国家知识产权局可在本判决书送达之日起十五日内，向本院提交上诉状及副本，并交纳上诉案件受理费人民币一百元，上诉于中华人民共和国最高人民法院。审 判 长  张晓津人民陪审员  陶 轩人民陪审员  张秋翔二〇一九年六月二十七日法官 助理  杜文婷技术调查官宋丹青书记员张秋影附件：中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会复审请求审查决定（第106164号）一、案由本复审请求涉及申请号为201210592683.5，名称为“降低暴露于含卤素等离子体表面的腐蚀速率的装置和方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为应用材料公司，本申请为申请号为200710122759.7的发明专利申请的分案申请，分案申请递交日为2012年12月31日，申请日为2007年7月4日，优先权日为2007年4月27日，公开日为2013年5月15日。经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2014年12月10日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-7不符合专利法第22条第3款的规定，分案申请不符合专利法实施细则第43条第1款的规定。驳回决定所依据的文本为：申请人于2014年11月10日提交的权利要求第1-17项，分案申请递交日2012年12月31日提交的说明书第1-106段、说明书附图1A-5B、摘要及摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书如下：“1.一种烧结的含固溶体陶瓷制品，所述陶瓷制品对于在半导体处理中使用的含卤素等离子体耐腐蚀，其中所述制品是由氧化钇和氧化锆结合形成的整体固体烧结陶瓷体，其中氧化钇的摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到70％摩尔比，以及氧化锆的摩尔浓度变化范围从10％摩尔比到30％摩尔比，其中所述固体烧结陶瓷体的平均颗粒尺寸变化范围从2μm到8μm，其中，所述陶瓷制品的弯曲强度变化范围从120MPa到140MPa，以及其中，所述陶瓷制品的断裂韧度变化范围从1.1MPa??m1/2到1.3MPa??m1/2。2.根据权利要求1所述的烧结的含固溶体陶瓷制品，其中，所述陶瓷由摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到80％摩尔比的氧化钇、以及摩尔浓度变化范围从10％摩尔比到20％摩尔比的氧化锆形成。3.根据权利要求1或2所述的烧结的含固溶体陶瓷制品，其中，所述制品选自包括盖、盖衬里、喷嘴、气体分配板、喷头、静电卡盘部件、荫罩、衬底夹持框架、处理套件和腔室衬里构成的组。4.一种减少与含卤素等离子体接触的半导体处理设备的等离子体腐蚀，同时改善所述设备的机械性能的方法，包括：制备摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到70％摩尔比的氧化钇以及摩尔浓度变化范围从10％摩尔比到30％摩尔比的氧化锆的混合物；将所述混合物压缩成粒状形式；以及利用选自由无压烧结、热压烧结或者热等静压烧结组成的组的方法对所述粒状形式进行烧结，以致所述陶瓷制品的弯曲强度变化范围从120MPa到140MPa，以及所述陶瓷制品的断裂韧度变化范围从1.1MPa??m1/2到1.3MPa??m1/2。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述固体烧结的含固溶体处理设备由摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到80％摩尔比的氧化钇、以及摩尔浓度变化范围从10％摩尔比到20％摩尔比的氧化锆形成。6.根据权利要求4或5的方法，其中，暴露于含卤素等离子体的所述半导体处理设备的表面的所述等离子体腐蚀速率小于0.2μm/hr。7.根据权利要求6所述的方法，其中，暴露于含卤素等离子体的所述半导体处理设备的表面的所述等离子体腐蚀速率变化范围从0.1μm/hr到0.2μm/hr。8.一种烧结的含固溶体陶瓷半导体处理设备，其中，所述陶瓷耐含卤素等离子体的腐蚀，其中所述陶瓷半导体处理设备由摩尔浓度变化范围从96％摩尔比到94％摩尔比的氧化锆、以及摩尔浓度变化范围从4％摩尔比到6％摩尔比的氧化钇形成。9.根据权利要求8所述的半导体处理设备，其中，所述设备选自包括盖、盖衬里、喷嘴、气体分配板、喷头、静电卡盘部件、荫罩、衬底夹持框架、处理套件和腔室衬里构成的组。10.根据权利要求8所述的半导体处理设备，其中，所述烧结的含固溶体陶瓷的平均颗粒尺寸变化范围从0.5μm到8.0μm。11.根据权利要求8所述的半导体处理设备，其中，所述烧结的含固溶体陶瓷的弯曲强度变化范围从1100MPa到1300MPa。12.根据权利要求8所述的半导体处理设备，其中，所述烧结的含固溶体陶瓷的断裂韧度变化范围从10MPa??m1/2到12MPa??m1/2。13.一种减少与含卤素等离子体接触的半导体处理设备的等离子体腐蚀，同时改善所述设备的机械性能的方法，包括：制备摩尔浓度变化范围从96％摩尔比到94％摩尔比的氧化锆以及摩尔浓度变化范围从4％摩尔比到6％摩尔比的氧化钇的混合物；将所述混合物压缩成粒状形式；以及利用选自由无压烧结、热压烧结或热等静压烧结组成的组的方法对所述粒状形式进行烧结，以提供陶瓷颗粒尺寸变化范围从2μm到8μm。14.根据权利要求13所述的方法，其中，暴露于含卤素等离子体的所述半导体处理设备的表面的所述等离子体腐蚀速率小于0.4μm/hr。15.根据权利要求14所述的方法，其中，暴露于含卤素等离子体的所述半导体处理设备的表面的所述等离子体腐蚀速率变化范围从0.1μm/hr到0.4μm/hr。16.一种烧结的含固溶体陶瓷半导体处理设备，其中，所述陶瓷耐含卤素等离子体的腐蚀，其中所述陶瓷半导体处理设备由摩尔浓度变化范围从96％摩尔比到94％摩尔比的氧化钇、以及摩尔浓度变化范围从4％摩尔比到6％摩尔比的氧化锆形成。17.一种减少与含卤素等离子体接触的半导体处理设备的等离子体腐蚀，同时改善所述设备的机械性能的方法，包括：制备摩尔浓度变化范围从96％摩尔比到94％摩尔比的氧化钇以及摩尔浓度变化范围从4％摩尔比到6％摩尔比的氧化锆的混合物；将所述混合物压缩成粒状形式；以及利用选自由无压烧结、热压烧结或热等静压烧结组成的组的方法对所述粒状形式进行烧结，以提供陶瓷颗粒尺寸变化范围从2μm到8μm。”驳回决定认为：权利要求1相对于对比文件1（EP1158072A2，公开日为2001年11月28日）与本领域常规技术选择的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性，从属权利要求2的附加技术特征被对比文件1公开，从属权利要求3的附加技术特征是常规技术选择，因此权利要求2、3同样不具备专利法第22条第3款规定的创造性；权利要求4相对于对比文件1与本领域技术常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性，从属权利要求5的附加技术特征被对比文件1公开，从属权利要求6、7的附加技术特征是本领域的技术常识，因此权利要求5-7同样不具备专利法第22条第3款规定的创造性；权利要求8、13、16、17修改的内容不能由原申请文件公开的内容直接地、毫无疑义地确定，超出了原申请记载的范围，因此分案申请不符合专利法实施细则第43条第1款的规定。申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2015年3月25日向专利复审委员会提出了复审请求，未修改申请文件。复审请求人认为：①对比文件1针对的是涂层制品，而本申请是针对一种固体烧结制品，对比文件1讨论了涂层的耐腐蚀性，而不是涂层的机械性能；②本领域的技术人员不能容易地获得本申请权利要求要求保护的烧结陶瓷体的弯曲强度和断裂韧度范围；③从原申请的权利要求36、43以及表4中列出的内容中能够直接地、毫无疑义地确定出权利要求8、13、16、17限定的陶瓷组成。经形式审查合格，专利复审委员会于2015年4月17日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。原审查部门在前置审查意见书中认为坚持原驳回决定。随后，专利复审委员会成立合议组对本案进行审理。合议组于2015年10月23日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1相对于对比文件1与本领域常规技术选择的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性，从属权利要求2-3的附加技术特征或被对比文件1公开，或是本领域的常规技术选择，因此权利要求2、3同样不具备专利法第22条第3款规定的创造性；权利要求4相对于对比文件1与本领域技术常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性，从属权利要求5的附加技术特征被对比文件1公开，从属权利要求6、7的附加技术特征是本领域的技术常识，因此权利要求5-7同样不具备专利法第22条第3款规定的创造性；权利要求8、13限定的内容“摩尔浓度变化范围从96％摩尔比到94％摩尔比的氧化锆、以及摩尔浓度变化范围从4％摩尔比到6％摩尔比的氧化钇”以及权利要求16、17限定的内容“摩尔浓度变化范围从96％摩尔比到94％摩尔比的氧化钇、以及摩尔浓度变化范围从4％摩尔比到6％摩尔比的氧化锆”在原申请中不存在文字记载，并且也不能由原申请公开的内容直接地、毫无疑义地确定，超出了原申请记载的范围，因此分案申请不符合专利法实施细则第43条第1款的规定。复审请求人于2015年12月31日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书，删除了权利要求16、17，将权利要求8、13中“摩尔浓度变化范围从96％摩尔比到94％摩尔比的氧化锆、以及摩尔浓度变化范围从4％摩尔比到6％摩尔比的氧化钇”的修改为“摩尔浓度98.4％摩尔比的氧化锆以及摩尔浓度1.6％摩尔比的氧化钇”。修改后的权利要求书如下：“1.一种烧结的含固溶体陶瓷制品，所述陶瓷制品对于在半导体处理中使用的含卤素等离子体耐腐蚀，其中所述制品是由氧化钇和氧化锆结合形成的整体固体烧结陶瓷体，其中氧化钇的摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到70％摩尔比，以及氧化锆的摩尔浓度变化范围从10％摩尔比到30％摩尔比，其中所述固体烧结陶瓷体的平均颗粒尺寸变化范围从2μm到8μm，其中，所述陶瓷制品的弯曲强度变化范围从120MPa到140MPa，以及其中，所述陶瓷制品的断裂韧度变化范围从1.1MPa??m1/2到1.3MPa??m1/2。2.根据权利要求1所述的烧结的含固溶体陶瓷制品，其中，所述陶瓷由摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到80％摩尔比的氧化钇、以及摩尔浓度变化范围从10％摩尔比到20％摩尔比的氧化锆形成。3.根据权利要求1或2所述的烧结的含固溶体陶瓷制品，其中，所述制品选自包括盖、盖衬里、喷嘴、气体分配板、喷头、静电卡盘部件、荫罩、衬底夹持框架、处理套件和腔室衬里构成的组。4.一种减少与含卤素等离子体接触的半导体处理设备的等离子体腐蚀，同时改善所述设备的机械性能的方法，包括：制备摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到70％摩尔比的氧化钇以及摩尔浓度变化范围从10％摩尔比到30％摩尔比的氧化锆的混合物；将所述混合物压缩成粒状形式；以及利用选自由无压烧结、热压烧结或者热等静压烧结组成的组的方法对所述粒状形式进行烧结，以致所述陶瓷制品的弯曲强度变化范围从120MPa到140MPa，以及所述陶瓷制品的断裂韧度变化范围从1.1MPa??m1/2到1.3MPa??m1/2。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述固体烧结的含固溶体处理设备由摩尔浓度变化范围从90％摩尔比到80％摩尔比的氧化钇、以及摩尔浓度变化范围从10％摩尔比到20％摩尔比的氧化锆形成。6.根据权利要求4或5的方法，其中，暴露于含卤素等离子体的所述半导体处理设备的表面的所述等离子体腐蚀速率小于0.2μm/hr。7.根据权利要求6所述的方法，其中，暴露于含卤素等离子体的所述半导体处理设备的表面的所述等离子体腐蚀速率变化范围从0.1μm/hr到0.2μm/hr。8.一种烧结的含固溶体陶瓷半导体处理设备，其中，所述陶瓷耐含卤素等离子体的腐蚀，其中所述陶瓷半导体处理设备由摩尔浓度98.4％摩尔比的氧化锆以及摩尔浓度1.6％摩尔比的氧化钇形成。9.根据权利要求8所述的半导体处理设备，其中，所述设备选自包括盖、盖衬里、喷嘴、气体分配板、喷头、静电卡盘部件、荫罩、衬底夹持框架、处理套件和腔室衬里构成的组。10.根据权利要求8所述的半导体处理设备，其中，所述烧结的含固溶体陶瓷的平均颗粒尺寸变化范围从0.5μm到8.0μm。11.根据权利要求8所述的半导体处理设备，其中，所述烧结的含固溶体陶瓷的弯曲强度变化范围从1100MPa到1300MPa。12.根据权利要求8所述的半导体处理设备，其中，所述烧结的含固溶体陶瓷的断裂韧度变化范围从10MPa??m1/2到12MPa??m1/2。13.一种减少与含卤素等离子体接触的半导体处理设备的等离子体腐蚀，同时改善所述设备的机械性能的方法，包括：制备摩尔浓度98.4％摩尔比的氧化锆以及摩尔浓度1.6％摩尔比的氧化钇的混合物；将所述混合物压缩成粒状形式；以及利用选自由无压烧结、热压烧结或热等静压烧结组成的组的方法对所述粒状形式进行烧结，以提供陶瓷颗粒尺寸变化范围从2μm到8μm。14.根据权利要求13所述的方法，其中，暴露于含卤素等离子体的所述半导体处理设备的表面的所述等离子体腐蚀速率小于0.4μm/hr。15.根据权利要求14所述的方法，其中，暴露于含卤素等离子体的所述半导体处理设备的表面的所述等离子体腐蚀速率变化范围从0.1μm/hr到0.4μm/hr。”复审请求人于2016年1月14日再次提交了意见陈述书，未修改申请文件。在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出复审请求审查决定。二、决定的理由（一）法律适用根据《施行修改后的专利法的过渡办法》，本案的审查适用2001年7月1日起施行的《中华人民共和国专利法》（简称专利法）和《中华人民共和国专利法实施细则》（简称专利法实施细则）。（二）审查文本的认定复审请求人在复审程序中修改了权利要求书，合议组审查后认为该修改符合专利法第33条、专利法实施细则第43条第1款以及专利法实施细则第60条第1款的规定。因此本复审请求审查决定所针对的文本是：复审请求人于2015年12月31日提交的权利要求第1-7项，于分案申请递交日2012年12月31日提交的说明书第1-106段、说明书附图1A-5B、摘要及摘要附图。（三）关于专利法第22条第3款专利法第22条第3款规定，创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步。如果要求保护的技术方案与最接近的现有技术存在区别技术特征，但是所述区别技术特征为本领域的常规技术选择，并且所述区别技术特征也未给要求保护的技术方案带来任何意料不到的技术效果，则该技术方案不具备创造性。关于权利要求1的创造性权利要求1请求保护一种烧结的含固溶体陶瓷制品。对比文件1公开了一种耐卤素气体等离子腐蚀的构件，所述构件包括主体，所述主体具有形成在所述主体表面上的耐腐蚀膜(参见摘要)。耐腐蚀膜优选含钇化合物，特别地，氧化钇、含氧化钇的固溶体、含氧化钇的复合氧化物和三氟化钇(参见说明书第0031段)。在形成喷涂膜后，通过热处理所述膜(以及如果需要的话，热处理构件的主体)而对所述膜进一步烧结，从而消除或减少喷涂膜中的孔(参见说明书第0045段)。耐腐蚀膜由Y2O3为90mol%，ZrO2为10mol%组成(参见说明书表1-6）。即，对比文件1也是一种烧结的含固溶体陶瓷制品，该制品表面的耐磨层是由氧化钇和氧化锆结合形成的整体固体烧结陶瓷体，且公开了Y2O3和ZrO2的含量范围。可见，权利要求1与对比文件1的区别在于：本申请制品由氧化钇和氧化锆结合形成，而对比文件1的制品表面的耐腐蚀膜是由氧化钇和氧化锆形成，且本申请限定了陶瓷的平均颗粒尺寸变化范围、弯曲强度和断裂韧度变化范围。上述区别特征实际解决的技术问题是：如何更好地避免腐蚀，同时又能够不降低设备的机械性能。由于对比文件1已经公开了由氧化钇和氧化锆结合的固溶体作为构件表面的涂层具有耐腐蚀作用，而且本领域的技术人员知晓，用由氧化钇和氧化锆结合的固溶体来形成整个设备部件能够更好的避免腐蚀，同时又不会降低整个设备部件的机械性能，因而本领域技术人员在面对如何更好地避免腐蚀同时又能够不降低设备的机械性能的问题时，容易想到以对比文件1耐腐蚀膜的组成来形成整个设备部件。对于陶瓷平均颗粒尺寸以及陶瓷制品的弯曲强度和断裂韧度，本领域技术人员知晓，陶瓷晶粒尺寸通常都处于几个微米的数量级内，而陶瓷晶粒尺寸越大，晶粒表面的残余应力越大，而当晶粒尺寸超过临界晶粒尺寸时，残余应力使晶粒表面开裂，形成微裂缝；且陶瓷晶粒尺寸越小，弯曲强度越高，而弯曲强度随断裂韧性提高而提高；因此，本领域技术人员容易根据实际应用场合的要求将陶瓷平均颗粒尺寸调整到适当的值，并满足适当的弯曲强度和断裂韧度要求。这些都是本领域的常规技术选择，无需付出创造性的劳动。由此可见，在对比文件1的基础上，结合本领域常规选择得到权利要求1的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因此权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。关于权利要求2、3的创造性权利要求2引用权利要求1，但是对比文件1公开了由Y2O3和ZrO2结合形成的陶瓷，其中Y2O3为90mol%，ZrO2为10mol%(参见说明书表1-6）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求2也不具备创造性。权利要求3引用权利要求1或2，但是，盖、盖衬里、喷嘴等均是根据陶瓷强度高、耐腐蚀性能好的特点制作的适用的陶瓷制品。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求3也不具备创造性。关于权利要求4的创造性权利要求4请求保护一种减少与含卤素等离子体接触的半导体处理设备的等离子体腐蚀，同时改善所述设备的机械性能的方法。对比文件1公开了一种用于半导体生产设备的耐含卤素气体等离子腐蚀的陶瓷构件，并具体公开了（见说明书第0008-0009段、0031-0035段、表1-6）：其包括由Y2O3和ZrO2被喷涂在基板上形成固溶体，从而形成一层防腐蚀膜，其中Y2O3为90mol%，ZrO2为10mol%。即，对比文件1的陶瓷制品耐卤素等离子体腐蚀，且公开了本申请所涉及设备中Y2O3和ZrO2的含量范围。对于如何实现减少卤素等离子体的腐蚀，对比文件1通过Y2O3和ZrO2被喷涂在基板上形成固溶体，获得防腐蚀膜从而减少等离子体的腐蚀，实际上，对比文件1公开了减少卤素等离子的腐蚀的方法。可见，权利要求4与对比文件1的区别在于：本申请的方法还具有改善机械性能的效果，以及限定陶瓷制品原料混合物压缩成粒状形式及烧结方式，且限定了陶瓷的弯曲强度和断裂韧度的变化范围。上述区别技术特征实际解决的技术问题是：如何更好地避免腐蚀，同时又能够不降低设备的机械性能。由于对比文件1已经给出了由Y2O3和ZrO2被喷涂在基板上形成整体含固溶体防腐蚀膜的技术启示，且本领域的技术人员知晓，用由氧化钇和氧化锆结合的固溶体来形成整个设备部件能够更好的避免腐蚀，同时又不会降低整个设备部件的机械性能，因而本领域技术人员在面对如何更好地避免腐蚀同时又能够不降低设备的机械性能的问题时，容易想到以对比文件1耐腐蚀膜的组成来形成整个设备部件。压缩成粒状是本领域制备陶瓷体的常规手段；烧结方式是本领域常规选择，其并未带来预料不到的技术效果。对于陶瓷平均颗粒尺寸以及陶瓷制品的弯曲强度和断裂韧度，本领域技术人员知晓，陶瓷晶粒尺寸通常都处于几个微米的数量级内，而陶瓷晶粒尺寸越大，晶粒表面的残余应力越大，而当晶粒尺寸超过临界晶粒尺寸时，残余应力使晶粒表面开裂，形成微裂缝；且陶瓷晶粒尺寸越小，弯曲强度越高，而弯曲强度随断裂韧性提高而提高；因此，本领域技术人员容易根据实际应用场合的要求来将陶瓷平均颗粒尺寸调整到适当的值，并满足适当的弯曲强度和断裂韧度要求。这些都是本领域的常规技术选择，无需付出创造性的劳动。由此可见，在对比文件1的基础上，结合本领域的常规技术选择获得权利要求4的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因此权利要求4不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。关于权利要求5-7的创造性权利要求5引用权利要求4，但是对比文件1公开了由Y2O3和ZrO2结合形成的陶瓷，其中Y2O3为90mol%，ZrO2为10mol%(参见说明书表1-6）。因此，在其引用权利要求不具备创造性时，权利要求5也不具备创造性。权利要求6引用权利要求4或5、权利要求7引用权利要求6，然而对于等离子体腐蚀速率，在组成和含量确定的条件下，等离子体腐蚀速率属于材料固有特性。因此，在其引用权利要求不具备创造性时，权利要求6、7也不具备创造性。（三）对复审请求人相关意见的评述复审请求人认为：①对比文件1针对的耐腐蚀膜不是所考虑的固体主体，而是施加在下层主体之上的涂层，将下层衬底上的陶瓷涂层替代为固体陶瓷材料不是显而易见的；②陶瓷制品的弯曲强度和断裂韧度会受到下层衬底的组成的影响，简单地声称根据实际需要可得到陶瓷制品的弯曲强度和断裂韧度是不合逻辑的。合议组经审查后认为：①对比文件1已经公开了由氧化钇和氧化锆结合的固溶体作为构件表面的涂层具有耐腐蚀作用，而且本领域的技术人员知晓，用由氧化钇和氧化锆结合的固溶体来形成整个设备部件能够更好的避免腐蚀，同时又不会降低整个设备部件的机械性能，因而本领域技术人员在面对如何更好地避免腐蚀同时又能够不降低设备的机械性能的问题时，容易想到以对比文件1耐腐蚀膜的组成来形成整个设备部件。②本领域技术人员知晓，陶瓷晶粒尺寸通常都处于几个微米的数量级内，而陶瓷晶粒尺寸越大，晶粒表面的残余应力越大，而当晶粒尺寸超过临界晶粒尺寸时，残余应力使晶粒表面开裂，形成微裂缝；且陶瓷晶粒尺寸越小，弯曲强度越高，而弯曲强度随断裂韧性提高而提高。由此可见，根据陶瓷的上述特点，本领域技术人员容易根据实际应用场合的要求将陶瓷平均颗粒尺寸调整到适当的值，并满足适当的弯曲强度和断裂韧度要求。因此，对于复审请求人的上述主张，合议组不予支持。基于以上事实和理由，本案合议组作出如下复审请求审查决定。三、决定维持国家知识产权局于2014年12月10日对本申请作出的驳回决定。如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。合议组组长：徐晶晶主审员：杨秀花参审员：李莲莲专利复审委员会