中华人民共和国北京知识产权法院行 政 判 决 书（2019）京73行初11416号原告LG电子株式会社，住所地大韩民国首尔特别市永登浦区汝矣大路128（汝矣岛洞）。法定代表人郑道铉，代表理事。委托代理人陈坚，北京市万瑞律师事务所律师。委托代理人汤俏，北京三友知识产权代理有限公司专利代理人。被告中华人民共和国国家知识产权局，住所地中华人民共和国北京市海淀区蓟门桥西土城路**。法定代表人申长雨，局长。委托代理人树奇，中华人民共和国国家知识产权局审查员。委托代理人曹铭书，中华人民共和国国家知识产权局审查员。原告LG电子株式会社因发明专利申请驳回复审行政纠纷一案，不服中华人民共和国国家知识产权局原专利复审委员会（简称专利复审委员会）做出的第173093号复审决定（简称被诉决定），于法定期限内向本院提起行政诉讼。本院受理后依法组成合议庭，并于2020年8月6日公开开庭进行了审理。原告LG电子株式会社的代理人陈坚、汤俏，被告中华人民共和国国家知识产权局的代理人树奇、曹铭书到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。被诉决定系专利复审委员会针对LG电子株式会社就其申请号为201510045391.3、名称为“太阳能电池及其制造方法”的发明专利申请（简称本申请）所提复审申请而做出的，专利复审委员会认定：权利要求1请求保护的技术方案与对比文件3公开的内容相比，区别技术特征为：（1）所述第一电极和第二电极布置在所述硅氧化物层上；所述硅氧化物层在布置有所述第一电极和所述第二电极的部分处具有压下部，所述压下部形成为与所述第一开口和所述第二开口对应并且朝向所述第一导电区域和所述第二导电区域压下；（2）所述第一电极和所述第二电极包括与所述硅氧化物层相接触的粘合层以及形成在所述粘合层上的电极层；所述电极层包括与所述粘合层接触的第一电极层和位于所述第一电极层上并与带状物连接的第二电极层；所述粘合层具有所述第一导电区域和所述第二导电区域的热膨胀系数和所述电极层的与所述粘合层相邻的一部分的热膨胀系数之间的热膨胀系数；所述粘合层的厚度小于所述第一电极层的厚度，并且小于所述第二电极层的厚度。基于上述区别技术特征，权利要求1实际解决的技术问题是：在激光烧蚀时如何避免多晶硅层受损坏；增强接触特性，改善太阳能电池特性。对于区别技术特征（1），对比文件2中给出了“在硅衬底和电介质层之间设置一非晶硅层，在激光束烧蚀以去除局部电介质层时，可使得部分非晶硅层被保留，从而防止硅衬底表面被损坏”的技术启示，则本领域技术人员在对比文件2的技术启示下，在激光烧蚀电介质材料堆叠204以形成接触孔208时，为避免对多晶硅层202造成损坏，容易想到在激光烧蚀以去除局部电介质材料堆叠204时，可使得电介质材料堆叠204中的部分二氧化硅层203A被保留，进而使得导电接触210布置在所述二氧化硅层203A上，此时所述二氧化硅层203A在布置有所述导电接触210的部分处具有压下部，所述压下部形成为与接触孔208对应并且朝向N型掺杂区202A和P型掺杂区202B压下。对于区别技术特征（2），对比文件1中给出了“设置包括粘合层、第一电极层和第二电极层的层叠结构的电极以改善电极性能”的技术启示，本领域技术人员在对比文件1的技术启示下，容易想到将该电极结构用于对比文件3中，即使得所述第一电极和第二电极包括与所述硅氧化物层相接触的粘合层、形成在粘合层上的第一电极层以及形成在第一电极层上的第二电极层。此外，使得第二电极层与带状物进行连接，是本领域技术人员根据需要所进行的常规设置。至于粘合层热膨胀系数的限定，将其设定为介于具有所述第一导电区域和所述第二导电区域的热膨胀系数和所述电极层的与所述粘合层相邻的一部分的热膨胀系数之间，是本领域技术人员为了增强接触特性所进行的常规设置，可通过有限的试验实现。因此，在对比文件3的基础上结合对比文件2和对比文件1以及本领域的公知常识得到权利要求1请求保护的技术方案，对于本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点，因而不具备《中华人民共和国专利法》（简称专利法）第二十二条第三款规定的创造性。当其引用的权利要求不具有创造性时，权利要求2-8也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求9请求保护的技术方案与对比文件3公开的内容相比，区别技术特征为：（1）所述电极布置在所述硅氧化物层上并且连接至所述第一导电区域或所述第二导电区域，使得所述硅氧化物层被插置在所述电极以及所述第一导电区域和所述第二导电区域之间，所述硅氧化物层在布置有所述第一电极和所述第二电极的部分处具有压下部，所述压下部形成为与所述第一开口和所述第二开口对应并且朝向所述第一导电区域和所述第二导电区域压下；（2）所述第一电极和第二电极包括与所述硅氧化物层相接触的粘合层以及形成在所述粘合层上的电极层；所述电极层包括与所述粘合层接触的第一电极层和位于所述第一电极层上并与带状物连接的第二电极层；所述粘合层具有所述第一导电区域和所述第二导电区域的热膨胀系数和所述电极层的与所述粘合层相邻的一部分的热膨胀系数之间的热膨胀系数；所述粘合层的厚度小于所述第一电极层的厚度，并且小于所述第二电极层的厚度。基于上述区别技术特征，权利要求9实际解决的技术问题是：在激光烧蚀时如何避免多晶硅层受损坏；增强接触特性，改善太阳能电池特性。对于区别技术特征（1），对比文件2中给出了“在硅衬底和电介质层之间设置一非晶硅层，在激光束烧蚀以去除局部电介质层时，可使得部分非晶硅层被保留，从而防止硅衬底表面被损坏”的技术启示，则本领域技术人员在对比文件2的技术启示下，在激光烧蚀电介质材料堆叠204以形成接触孔208时，为避免对多晶硅层202造成损坏，容易想到在激光烧蚀以去除局部电介质材料堆叠204时，可使得电介质材料堆叠204中的部分二氧化硅层203A被保留，进而使得导电接触210布置在所述二氧化硅层203A上并且电连接至N型掺杂区202A和P型掺杂区202B，使得所述二氧化硅层203A被插置在所述导电接触210以及N型掺杂区202A和P型掺杂区202B之间，此时所述二氧化硅层203A在布置有所述导电接触210的部分处具有压下部，所述压下部形成为与接触孔208对应并且朝向N型掺杂区202A和P型掺杂区202B压下。对于区别技术特征（2），对比文件1中给出了“设置包括粘合层、第一电极层和第二电极层的层叠结构的电极以改善电极性能”的技术启示，则本领域技术人员在对比文件1的技术启示下，容易想到将该电极结构用于对比文件3中，即使得所述第一电极和第二电极包括与所述硅氧化物层相接触的粘合层、形成在粘合层上的第一电极层以及形成在第一电极层上的第二电极层。此外，使得第二电极层与带状物进行连接，是本领域技术人员根据需要所进行的常规设置。至于粘合层热膨胀系数的限定，将其设定为介于具有所述第一导电区域和所述第二导电区域的热膨胀系数和所述电极层的与所述粘合层相邻的一部分的热膨胀系数之间，是本领域技术人员为了增强接触特性所进行的常规设置，可通过有限的试验实现。因此，在对比文件3的基础上结合对比文件2和对比文件1以及本领域的公知常识得到权利要求9请求保护的技术方案，对于本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求9不具有突出的实质性特点，因而不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。当其引用的权利要求不具有创造性时，权利要求10-15也不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。据此，专利复审委员会维持了驳回决定。原告LG电子株式会社诉称：本申请具有创造性，符合专利法相关规定，被诉决定认定事实错误，适用法律错误，请求法院撤销被诉决定，并判令被告重新做出复审决定。被告国家知识产权局辩称：坚持被诉决定中的意见。被诉决定认定事实清楚，适用法律法规正确，审理程序合法，审查结论正确，请求法院驳回原告的诉讼请求。本院经审理查明:本申请涉及申请号为201510045391.3、名称为“太阳能电池及其制造方法”的发明专利申请，申请人为LG电子株式会社，申请日为2015年1月29日，优先权日为2014年1月29日，公开日为2015年7月29日。2017年7月5日，国家知识产权局原审查部门发出驳回决定驳回本申请，其理由是：权利要求1-15不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。2017年10月19日，LG电子株式会社向专利复审委员会提出复审请求，同时修改了权利要求。2017年11月10日，专利复审委员会受理了LG电子株式会社的复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。原审查部门坚持了原驳回决定。2018年4月24日，专利复审委员会向LG电子株式会社发出复审通知书。2018年6月22日，LG电子株式会社提交意见陈述，再次修改了权利要求，修改后的权利要求如下：“1.一种太阳能电池，该太阳能电池包括：具有单晶的第一导电型的半导体基板；在所述半导体基板上的氧化物层；在所述氧化物层上的半导体层，其中，所述半导体层包括在所述氧化物层的同一表面上的第一导电型的第一导电区域以及与所述第一导电型相反的第二导电型的第二导电区域，其中，所述半导体层包含多晶；位于所述第一导电区域和所述第二导电区域上的硅氧化物层；布置在所述硅氧化物层上的电极，其中，所述电极包括电连接至所述第一导电区域的第一电极和电连接至所述第二导电区域的第二电极；以及在所述硅氧化物层上的绝缘层，其中，所述硅氧化物层形成在所述第一导电区域和所述第二导电区域的基本上整个部分上，其中，所述绝缘层具有被所述电极穿透的开口，其中，所述绝缘层包括氮化硅，其中，所述开口包括连接所述第一导电区域和所述第一电极的第一开口和连接所述第二导电区域和所述第二电极的第二开口，其中，所述硅氧化物层在布置有所述第一电极和所述第二电极的部分处具有压下部，其中，所述压下部形成为与所述第一开口和所述第二开口对应并且朝向所述第一导电区域和所述第二导电区域压下，其中，所述第一电极和所述第二电极包括与所述硅氧化物层相接触的粘合层以及形成在所述粘合层上的电极层，其中，所述电极层包括与所述粘合层接触的第一电极层和位于所述第一电极层上并与带状物连接的第二电极层，其中，所述粘合层具有所述第一导电区域和所述第二导电区域的热膨胀系数和所述第一电极层的热膨胀系数之间的热膨胀系数，并且其中，所述粘合层的厚度小于所述第一电极层的厚度，并且小于所述第二电极层的厚度。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述硅氧化物层具有比所述第一导电区域的带隙和所述第二导电区域的带隙更大的带隙，并且布置有所述电极的所述硅氧化物层的表面具有蚀刻的迹线。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中，所述第一导电区域和所述第二导电区域具有与所述半导体基板的晶体结构不同的晶体结构。4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，所述绝缘层具有比所述硅氧化物层的带隙更小的带隙。5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中，所述硅氧化物层包括氧化物或非晶半导体，并且所述绝缘层包括氮化物或碳化物。6.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中，所述硅氧化物层比所述绝缘层更薄。7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述硅氧化物层具有大约1nm至大约3nm的厚度。8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其中，所述粘合层具有透明性和电导率，并且所述粘合层包括钛Ti或钨W。9.一种用于制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤：在具有单晶的半导体基板上形成氧化物层；在所述氧化物层上形成半导体层，其中，所述半导体层包括在所述氧化物层的同一表面上的第一导电型的第一导电区域以及与所述第一导电型相反的第二导电型的第二导电区域，其中，所述半导体层包含多晶；在所述第一导电区域和所述第二导电区域上形成硅氧化物层；在所述硅氧化物层上形成绝缘层；在所述绝缘层处形成开口；以及形成电极，所述电极布置在所述硅氧化物层上并且连接至所述第一导电区域或所述第二导电区域，使得所述硅氧化物层被插置在所述电极以及所述第一导电区域和所述第二导电区域之间，其中，所述硅氧化物层形成在所述第一导电区域和所述第二导电区域的基本上整个部分上，其中，所述电极穿透所述开口，其中，所述硅氧化物层包括二氧化硅，其中，所述绝缘层包括氮化硅，其中，所述电极包括电连接至所述第一导电区域的第一电极和电连接至所述第二导电区域的第二电极，其中，所述开口包括连接所述第一导电区域和所述第一电极的第一开口和连接所述第二导电区域和所述第二电极的第二开口，其中，所述硅氧化物层在布置有所述第一电极和所述第二电极的部分处具有压下部，其中，所述压下部形成为与所述第一开口和所述第二开口对应并且朝向所述第一导电区域和所述第二导电区域压下，其中，所述第一电极和所述第二电极包括与所述硅氧化物层相接触的粘合层以及形成在所述粘合层上的电极层，其中，所述电极层包括与所述粘合层接触的第一电极层和位于所述第一电极层上并与带状物连接的第二电极层，其中，所述粘合层具有所述第一导电区域和所述第二导电区域的热膨胀系数和所述第一电极层的热膨胀系数之间的热膨胀系数，并且其中，所述粘合层的厚度小于所述第一电极层的厚度，并且小于所述第二电极层的厚度。10.根据权利要求9所述的方法，其中，通过激光烧蚀形成所述开口，并且在用于形成所述开口的所述激光烧蚀期间保持了所述硅氧化物层。11.根据权利要求10所述的方法，其中，用于所述激光烧蚀的激光具有比所述硅氧化物层的带隙更小并且比所述绝缘层的带隙更大的光波长。12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述硅氧化物层包括氧化物或非晶半导体，并且所述绝缘层包括氮化物或碳化物。13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述硅氧化物层比所述绝缘层更薄。14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述硅氧化物层具有大约1nm至大约3nm的厚度。15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述粘合层具有透明性和电导率，所述粘合层包括钛Ti或钨W，并且通过溅射形成所述粘合层。”2019年3月7日，专利复审委员会做出被诉决定。被诉决定引用的对比文件如下：对比文件1：KR10-2013-0068410A，公开日为2013年6月26日。经查，对比文件1公开了一种太阳能电池，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第[0036]-[0040]段、附图1）：所述太阳能电池包括电极42，所述电极42包括层叠的三层金属层42a、42b和42c，所述第一金属层42a的材质可为TiW，所述金属层42a、42b和42c的厚度依次为300-500nm，10-30μm，5-10μm。对比文件2：CN102405528A，公开日为2012年4月4日。经查，对比文件2公开了一种太阳能电池，并具体公开了以下技术内容（参见说明书[0032]-[0033]段）：在晶体硅衬底1上沉积非晶硅层3和由氮化硅或氧化硅构成的电介质层5，通过激光束7局部照射，激光束7具有这样的波长，其中电介质层5几乎不吸收，但非晶硅层3呈现为明显吸收。激光束以高功率密度照射，该高功率密度由非晶硅层3的最上面的边缘区域极大地吸收且导致此处非晶硅的突然蒸发，且伴随着位于其上方的电介质层的吹落。电介质层5在称为烧蚀区域9的区域被局部地去除。同时该非晶硅层3的上边缘区域也在此时被去除，其中非晶硅层3的厚度被选择为足够厚以至如果发生烧蚀，并非整个非晶硅层3被去除，而至少保留至少1nm的剩余厚度，该保留的非晶硅层3在随后的铝层的沉积中使得欧姆接触可靠形成。由此，可防止硅衬底在位于其上的电介质层被局部地去除的区域被损坏。对比文件3：CN102640300A，公开日为2012年8月15日。经查，对比文件3公开了一种太阳能电池，并具体公开了以下技术内容：所述太阳能电池包括：单晶衬底200；在所述单晶衬底200上的介质电介质膜201，所述介质电介质膜201为二氧化硅；在所述介质电介质膜201上形成多晶硅层202，在所述多晶硅层202中分别形成N型掺杂区202A和P型掺杂区202B；在多晶硅层202上形成包括二氧化硅层203A和氮化硅层203B的电介质材料堆叠204；通过激光烧蚀206在电介质材料堆叠204中形成多个接触孔208，形成二氧化硅层203A的步骤包括将其形成为厚度足够高，从而在激光烧蚀处理期间用作烧蚀停止层；在所述多个接触孔208中形成导电接触210。在本案开庭审理过程中，LG电子株式会社当庭表示，首先，其对于被诉决定之“一、案由”、“二、决定的理由”之“1、审查文本的认定”部分均无异议。其次，假设权利要求1、9不具备创造性，则其认为权利要求6和权利要求13仍然具备创造性，而对于其余权利要求的创造性均不再坚持。上述事实，有经过庭审质证的本申请文本、各方当事人提交的证据及当事人陈述等证据在案佐证。本院认为：专利法第二十二条第三款规定，创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。如果一项权利要求的技术方案与最接近的现有技术存在区别技术特征，其中部分区别技术特征已被其他它对比文件公开，且其在该对比文件中所起的作用与其在该技术方案中相同，区别技术特征的其余部分是本领域中常用的技术手段，则该权利要求所要求保护的技术方案是显而易见的，即不具备创造性。本院将基于前述法律规定，结合原告在庭审过程中发表的相关意见，对本申请予以评述。本案中，权利要求1请求保护的技术方案与对比文件3公开的内容相比，区别技术特征为：（1）所述第一电极和第二电极布置在所述硅氧化物层上；所述硅氧化物层在布置有所述第一电极和所述第二电极的部分处具有压下部，所述压下部形成为与所述第一开口和所述第二开口对应并且朝向所述第一导电区域和所述第二导电区域压下；（2）所述第一电极和所述第二电极包括与所述硅氧化物层相接触的粘合层以及形成在所述粘合层上的电极层；所述电极层包括与所述粘合层接触的第一电极层和位于所述第一电极层上并与带状物连接的第二电极层；所述粘合层具有所述第一导电区域和所述第二导电区域的热膨胀系数和所述电极层的与所述粘合层相邻的一部分的热膨胀系数之间的热膨胀系数；所述粘合层的厚度小于所述第一电极层的厚度，并且小于所述第二电极层的厚度。基于上述区别技术特征，权利要求1实际解决的技术问题是：在激光烧蚀时如何避免多晶硅层受损坏；增强接触特性，改善太阳能电池特性。对于区别技术特征（1），对比文件2中给出了“在硅衬底和电介质层之间设置一非晶硅层，在激光束烧蚀以去除局部电介质层时，可使得部分非晶硅层被保留，从而防止硅衬底表面被损坏”的技术启示，则本领域技术人员在对比文件2的技术启示下，在激光烧蚀电介质材料堆叠204以形成接触孔208时，为避免对多晶硅层202造成损坏，容易想到在激光烧蚀以去除局部电介质材料堆叠204时，可使得电介质材料堆叠204中的部分二氧化硅层203A被保留，进而使得导电接触210布置在所述二氧化硅层203A上，此时所述二氧化硅层203A在布置有所述导电接触210的部分处具有压下部，所述压下部形成为与接触孔208对应并且朝向N型掺杂区202A和P型掺杂区202B压下。对于区别技术特征（2），对比文件1中给出了“设置包括粘合层、第一电极层和第二电极层的层叠结构的电极以改善电极性能”的技术启示，则本领域技术人员在对比文件1的技术启示下，容易想到将该电极结构用于对比文件3中，即使得所述第一电极和第二电极包括与所述硅氧化物层相接触的粘合层、形成在粘合层上的第一电极层以及形成在第一电极层上的第二电极层。此外，使得第二电极层与带状物进行连接，是本领域技术人员根据需要所进行的常规设置。至于粘合层热膨胀系数的限定，将其设定为介于具有所述第一导电区域和所述第二导电区域的热膨胀系数和所述电极层的与所述粘合层相邻的一部分的热膨胀系数之间，是本领域技术人员为了增强接触特性所进行的常规设置，可通过有限的试验实现。因此，在对比文件3的基础上结合对比文件2和对比文件1以及本领域的公知常识得到权利要求1请求保护的技术方案，对于本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点，因而不具备专利法规定的创造性。原告有关被告遗漏区别技术特征等观点，缺乏事实依据，本院对此不予支持。权利要求6引用权利要求3，根据对比文件3说明书附图2B公开的内容可知，所述氮化硅层203B的厚度大于二氧化硅层203A的厚度，二氧化硅203A的厚度在约1至50纳米范围内。则当其引用的权利要求不具有创造性时，权利要求6也不具备专利法规定的创造性。权利要求9请求保护的技术方案与对比文件3公开的内容相比，区别技术特征为：（1）所述电极布置在所述硅氧化物层上并且连接至所述第一导电区域或所述第二导电区域，使得所述硅氧化物层被插置在所述电极以及所述第一导电区域和所述第二导电区域之间，所述硅氧化物层在布置有所述第一电极和所述第二电极的部分处具有压下部，所述压下部形成为与所述第一开口和所述第二开口对应并且朝向所述第一导电区域和所述第二导电区域压下；（2）所述第一电极和第二电极包括与所述硅氧化物层相接触的粘合层以及形成在所述粘合层上的电极层；所述电极层包括与所述粘合层接触的第一电极层和位于所述第一电极层上并与带状物连接的第二电极层；所述粘合层具有所述第一导电区域和所述第二导电区域的热膨胀系数和所述电极层的与所述粘合层相邻的一部分的热膨胀系数之间的热膨胀系数；所述粘合层的厚度小于所述第一电极层的厚度，并且小于所述第二电极层的厚度。基于上述区别技术特征，权利要求9实际解决的技术问题是：在激光烧蚀时如何避免多晶硅层受损坏；增强接触特性，改善太阳能电池特性。对于区别技术特征（1），对比文件2中给出了“在硅衬底和电介质层之间设置一非晶硅层，在激光束烧蚀以去除局部电介质层时，可使得部分非晶硅层被保留，从而防止硅衬底表面被损坏”的技术启示，则本领域技术人员在对比文件2的技术启示下，在激光烧蚀电介质材料堆叠204以形成接触孔208时，为避免对多晶硅层202造成损坏，容易想到在激光烧蚀以去除局部电介质材料堆叠204时，可使得电介质材料堆叠204中的部分二氧化硅层203A被保留，进而使得导电接触210布置在所述二氧化硅层203A上并且电连接至N型掺杂区202A和P型掺杂区202B，使得所述二氧化硅层203A被插置在所述导电接触210以及N型掺杂区202A和P型掺杂区202B之间，此时所述二氧化硅层203A在布置有所述导电接触210的部分处具有压下部，所述压下部形成为与接触孔208对应并且朝向N型掺杂区202A和P型掺杂区202B压下。对于区别技术特征（2），对比文件1中给出了“设置包括粘合层、第一电极层和第二电极层的层叠结构的电极以改善电极性能”的技术启示，则本领域技术人员在对比文件1的技术启示下，容易想到将该电极结构用于对比文件3中，即使得所述第一电极和第二电极包括与所述硅氧化物层相接触的粘合层、形成在粘合层上的第一电极层以及形成在第一电极层上的第二电极层。此外，使得第二电极层与带状物进行连接，是本领域技术人员根据需要所进行的常规设置。至于粘合层热膨胀系数的限定，将其设定为介于具有所述第一导电区域和所述第二导电区域的热膨胀系数和所述电极层的与所述粘合层相邻的一部分的热膨胀系数之间，是本领域技术人员为了增强接触特性所进行的常规设置，可通过有限的试验实现。因此，在对比文件3的基础上结合对比文件2和对比文件1以及本领域的公知常识得到权利要求9请求保护的技术方案，对于本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求9不具有突出的实质性特点，不具备专利法规定的创造性。原告有关被告遗漏区别技术特征等观点，缺乏事实依据，本院对此不予支持。权利要求13是从属权利要求，其附加技术特征与权利要求6的附加技术特征相对应，参见对权利要求6的评述可知，当其引用的权利要求不具有创造性时，权利要求13也不具备专利法规定的创造性。鉴于原告表示如果权利要求1、9不具备创造性，则其仍坚持权利要求6和权利要求13具备创造性，而对于其余权利要求的创造性均不再坚持，故本院对被告有关其余权利要求不具备创造性的结论予以认可。由于原告对被诉决定中所涉及的其他内容不持异议，故本院对此不再予以评述。综上，被诉决定证据确凿，适用法律、法规正确，符合法定程序。原告的诉讼请求均不具备事实与法律依据，本院对此不予支持。依据《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，本院判决如下：驳回原告LG电子株式会社的诉讼请求。案件受理费人民币一百元，由原告LG电子株式会社负担（已交纳）。如不服本判决，原告LG电子株式会社可于收到本判决书送达之日起三十日内，被告中华人民共和国国家知识产权局可于本判决书送达之日起十五日内，向本院提交上诉状及副本，并交纳上诉案件受理费人民币一百元，上诉于中华人民共和国最高人民法院。审 判 长  李冰青人民陪审员  贾亚南人民陪审员  宣增培二〇二〇年九月十日法官 助理  梁 晨书 记 员  张靖思