北京知识产权法院行 政 判 决 书(2016)京73行初3096号原告无锡芯感智半导体有限公司，住所地江苏省无锡市十八湾路**湖景科技园**225。法定代表人梁志敏，执行董事。委托代理人李明，北京中知法苑知识产权代理事务所（普通合伙）专利代理人。被告国家知识产权局专利复审委员会，住所，住所地北京市海淀区北四环西路**银谷大厦div>法定代表人葛树，副主任。委托代理人阮文，国家知识产权局专利复审委员会审查员。委托代理人杨玉方，国家知识产权局专利复审委员会审查员。原告无锡芯感智半导体有限公司（简称芯感智公司）不服被告国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）于2016年2月23日作出的第106521号复审请求审查决定（简称被诉决定），于法定期限内向本院提起行政诉讼。本院于2016年6月23日受理后，依法组成合议庭，于2018年7月12日对本案公开开庭审理。原告芯感智公司的委托代理人李明，被告专利复审委员会的委托代理人阮文、杨玉方到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。被诉决定系被告专利复审委员会针对原告芯感智公司申请的名称为“温漂自补偿SOI压力传感器”的第201110375349.X号发明专利申请（简称本申请）作出的复审决定。该决定中认定，本申请的权利要求1不具有创造性，不符合《中华人民共和国专利法》（简称专利法）第二十二条第三款的规定。因此，专利复审委员会作出被诉决定，维持国家知识产权局于2014年7月11日对本申请作出的驳回决定。被诉决定的理由为：被诉决定引用的对比文件如下：对比文件3：“MEMS高温压力传感器若干关键技术的研究”，颜鹰，中国优秀硕士学位论文全文数据库，信息科技辑，2006年第5期，公开日为2006年5月15日。关于专利法第二十二条第三款规定的创造性独立权利要求1请求保护一种温漂自补偿SOI压力传感器，对比文件3的一个实施例公开了一种MEMS高温压力传感器,实际上也公开了一种温漂自补偿压力传感器，并且公开了权利要求1中的大部分技术特征，权利要求1相对于对比文件3的区别在于：（1）权利要求1中，所述SOI衬底对应于形成压力腔的一侧键合有玻璃片，所述玻璃片与SOI衬底及压力腔对应配合，且玻璃片封堵SOI衬底上的压力腔；所述玻璃片上设有贯通玻璃片的玻璃孔，所述玻璃孔与压力腔相连通；（2）权利要求1中，所述补偿电阻包括恒压和恒流供电补偿电阻；根据需要选择恒压供电补偿电阻或恒流供电补偿电阻与桥路电阻配置成惠斯通电桥，而对比文件3中补偿电阻包括恒压供电补偿电阻，该恒压供电补偿电阻与桥路电阻配置成惠斯通电桥；（3）权利要求1中，绝缘介质层的材料还可为氮化硅或二氧化硅与氮化硅的复合，互连引线的材料还可为金；（4）权利要求1中，桥路电阻、补偿电阻的材质为多晶硅或纳米硅，恒压和恒流供电补偿电阻包括叉指结构，而对比文件3中桥路电阻为Ni-Cr电阻，补偿电阻Rs的材质未具体公开。关于上述区别技术特征（1），对比文件3的另一个实施例公开了上述区别技术特征（1）。为了将待测的压力流体局部地引入压力传感器的压力腔并对压力敏感膜施加压力，对比文件3给出了将上述区别技术特征（1）结合到前述MEMS高温压力传感器中的技术启示。关于上述区别技术特征（2），对比文件3中采用恒压供电补偿电阻，对于本领域技术人员而言，设置恒流或者恒压补偿电阻属于本领域的常规选择。在压力传感器的使用过程中，通常需要根据应用场合来选择恒压或恒流温度补偿电阻对传感器温度进行自补偿，为了提高压力传感器不同场合的适应性，本领域技术人员容易想到在提供恒压温度补偿电阻的基础上，进一步设置常规的恒压温度补偿电阻，以供用于在使用时加以选择，即根据需要选择恒压供电补偿电阻或恒流供电补偿电阻与桥路电阻配置成惠斯通电桥，这不需要付出创造性劳动。关于上述区别技术特征（3），对比文件3中已经公开了绝缘介质层的材料为二氧化硅以及互连引线的材料为Al，在此基础上，将绝缘介质层的材料替换为常用的绝缘介质材料氮化硅或二氧化硅与氮化硅的复合，以及将互连引线的材料替换为常用的金材料，都属于本领域的常规技术手段。关于上述区别技术特征（4），对于本领域技术人员而言，多晶硅或纳米硅是本领域中所熟知和广泛使用的制作压组式压力传感器桥路电阻的材料，且叉指结构也是半导体芯片领域常规的元器件布局方式，本领域技术人员容易想到采用多晶硅或纳米硅制作桥路电阻和补偿电阻，以及恒压和恒流供电补偿电阻采用叉指结构，这不需要付出创造性劳动。综上所述，在对比文件3的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求1请求保护的技术方案，对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。因此，专利复审委员会作出被诉决定，维持国家知识产权局对本申请作出的驳回决定。原告芯感智公司不服被诉决定，于法定期限内向本院提起行政诉讼。其诉称：1、被诉决定中所确定的权利要求1相对于对比文件3的区别技术特征错误，被诉决定遗漏一个区别技术特征，本申请还包括单芯片集成的补偿电阻。被诉决定认定“对比文件3公开了电桥的电源电路介入一个温度补偿电阻Rs，该温度补偿电阻Rs必然与惠斯通电桥的桥路电阻一起设置在二氧化硅”上毫无依据；2、被告在Rs是否为单芯片集成电阻的事实认定上存在严重错误，导致其在与这一特征相关的其他特征的判定上也存在事实认定错误；3、对于区别特征（3）提及的叉指结构的公知常识认定缺乏事实依据；4、被告滥用公知常识，无论是针对本申请的关键发明点，还是行政复审阶段新增加的特征，在毫无证据的情况下，全部将其认定为公知常识。综上，专利复审委员会作出的被诉决定存在事实认定错误，故诉请法院撤销被诉决定。被告专利复审委员会辩称：被诉决定认定事实清楚,适用法律法规正确,审理程序合法，审查结论正确。芯感智公司的诉讼理由不能成立，请求法院驳回原告芯感智公司的诉讼请求，维持被诉决定。本院经审理查明：本申请是名称为“温漂自补偿SOI压力传感器”的第201110375349.X号发明专利申请，本申请的申请日为2011年11月23日，公开日为2012年5月9日，申请人为芯感智公司。经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2014年7月11日作出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。驳回决定引用对比文件3：“MEMS高温压力传感器若干关键技术的研究”，颜鹰，中国优秀硕士学位论文全文数据库，信息科技辑，2006年第5期，公开日为2006年5月15日。对比文件3的一个实施例公开了一种MEMS高温压力传感器，其中（参见正文第6-13、32-34、38页）具体公开了以下内容：双面光刻厚度为250μm，N型硅片；在硅片的正背面上用热氧化法分别沉积二氧化硅；在硅片反背上用LPCVD沉积氮化硅；在正面上溅射沉积Ni-Cr合金；在正面刻蚀Ni-Cr电阻，在正面上用LPCVD沉积3微米的氮化硅，形成保护层；背面刻蚀的Si3N4形成硅杯窗口；背面刻蚀SiO2形成硅杯窗口；各向异性腐蚀硅杯；在正面上刻蚀氮化硅，形成接触孔；溅射一层Al；反刻Al；沉积一层钝化层，将传感器的上表面除了压焊点外均用Si3N4保护起来；刻蚀压焊点。压力传感器的变换电路经常采用的有恒压电桥电路、恒流电桥电路，以此将压力变化引起的应变电阻的阻值的变化量转换为电压变化量。这里采用恒压电桥电路。变换电路包括补偿电路，用于温度补偿，补偿方法是在电桥的电源电路中介入一个温度补偿电阻Rs。此外，从对比文件3的图5-1中可以确定：溅射和反刻的Al形成了Al电极层；在硅片对应于设置Ni-Cr电阻的另一侧，各向异性腐蚀硅杯形成了压力腔和压力敏感膜，压力腔和压力敏感膜位于Ni-Cr电阻的正下方；Ni-Cr电阻间通过Si3N4保护层及钝化层相隔离，Si3N4保护层覆盖于硅片上沉积的二氧化硅上，钝化层覆盖于Si3N4保护层上。对比文件3的另一实施例中还公开了以下内容（参见正文第4页，图1-1）：图1-1所示为硅基压力传感器的结构和工艺图，在P型衬底上沉积绝缘层，散布压电电阻器，沉积金属图案，电化学蚀刻背侧形成腔体，阳键合玻璃。此外，从图1-1中还可以确定：阳极键合的玻璃位于衬底对应于形成腔体的一侧，其与衬底和腔体对应配合，玻璃封堵衬底上的腔体，玻璃上设有通孔，通孔与腔体连通。对比文件3第3页记载：“压力传感器的一个主要发展方向是微型化与新的材料和加工工艺发展不断融合”，“现代MEMS工艺与半导体集成电路工艺相结合使压力传感器朝着单片集成和多功能化方向发展”。第1页记载了对比文件的课题来源为：国家重点研究（973计划）项目“高性能电子产品设计制造精微化、数字化新原理和新方法”。驳回决定所针对的权利要求书内容如下：“1.一种温漂自补偿SOI压力传感器，包括SOI衬底，所述SOI衬底上设有用于配置成惠斯通电桥的桥路电阻（3），且SOI衬底对应设置桥路电阻（3）的表面设置用于对惠斯通电桥进行温度补偿的补偿电阻，所述补偿电阻及桥路电阻（3）上设置电连接的互连引线（7）；刻蚀对应于设置桥路电阻（3）另一侧的SOI衬底以形成压力腔（9）及压力敏感膜（10），所述压力腔（9）及压力敏感膜（10）位于桥路电阻（3）的正下方；其特征是：所述桥路电阻（3）及补偿电阻间通过绝缘隔离层（6）及钝化层（8）相隔离，绝缘隔离层（6）覆盖于SOI衬底上，钝化层（8）覆盖于绝缘隔离层（6）上；所述SOI衬底包括衬底（1），所述衬底（1）上淀积有绝缘介质层（2），所述绝缘介质层（2）上淀积有导电材料，以形成SOI衬底；所述SOI衬底对应于形成压力腔（9）的一侧键合有玻璃片（11），所述玻璃片（11）与SOI衬底及压力腔（9）对应配合，且玻璃片（11）封堵SOI衬底上的压力腔（9）；所述玻璃片（11）上设有贯通玻璃片（11）的玻璃孔（12），所述玻璃孔（12）与压力腔（9）相连通；所述补偿电阻包括恒压供电补偿电阻（4）或恒流供电补偿电阻（5）；所述绝缘介质层（2）的材料为二氧化硅、氮化硅或二氧化硅与氮化硅的复合；所述绝缘隔离层（6）为氮化硅层；所述钝化层（8）为氮化硅层；所述互连引线（7）的材料为铝或金。”驳回决定认为，本申请独立权利要求1的技术方案与对比文件3的一个实施例的区别在于：（1）SOI衬底对应于形成压力腔的一侧键合有玻璃片，玻璃片与SOI衬底及压力腔对应配合，且玻璃片封堵SOI衬底上的压力腔，玻璃片上设有贯通玻璃片的玻璃孔，玻璃孔与压力腔相连通；（2）所述补偿电阻包括恒压供电补偿电阻或恒流供电补偿电阻；（3）互连引线的材料为金。关于区别技术特征（1），对比文件3的另一个实施例给出了将该区别技术特征（1）结合到对比文件3的所述一个实施例中的技术启示；区别技术特征（2）和（3）属于本领域的公知常识。因而，本申请权利要求1相对于对比文件3与公知常识的结合不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。芯感智公司不服上述驳回决定,于2014年10月17日向专利复审委员会提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页。修改后的权利要求书内容如下：“1.一种温漂自补偿SOI压力传感器，包括SOI衬底，所述SOI衬底上设有用于配置成惠斯通电桥的桥路电阻(3)，且SOI衬底对应设置桥路电阻(3)的表面设置用于对惠斯通电桥进行温度补偿的补偿电阻，所述补偿电阻及桥路电阻(3)上设置电连接的互连引线(7)；刻蚀对应于设置桥路电阻(3)另一侧的SOI衬底以形成压力腔(9)及压力敏感膜(10)，所述压力腔(9)及压力敏感膜(10)位于桥路电阻(3)的正下方；其特征是：桥路电阻(3)、补偿电阻的材质为多晶硅或纳米硅；所述桥路电阻(3)及补偿电阻间通过绝缘隔离层(6)及钝化层(8)相隔离，绝缘隔离层(6)覆盖于SOI衬底上，钝化层(8)覆盖于绝缘隔离层(6)上；所述SOI衬底包括衬底(1)，所述衬底(1)上淀积有绝缘介质层(2)，所述绝缘介质层(2)上淀积有导电材料，以形成SOI衬底；所述SOI衬底对应于形成压力腔(9)的一侧键合有玻璃片(11)，所述玻璃片(11)与SOI衬底及压力腔(9)对应配合，且玻璃片(11)封堵SOI衬底上的压力腔(9)；所述玻璃片(11)上设有贯通玻璃片(11)的玻璃孔(12)，所述玻璃孔(12)与压力腔(9)相连通；所述补偿电阻包括恒压供电补偿电阻(4)及恒流供电补偿电阻(5)；根据需要选择恒压供电补偿电阻(4)或恒流供电补偿电阻(5)与桥路电阻(3)配置成惠斯通电桥；所述绝缘介质层(2)的材料为二氧化硅、氮化硅或二氧化硅与氮化硅的复合；所述绝缘隔离层(6)为氮化硅层；所述钝化层(8)为氮化硅层；所述互连引线(7)的材料为铝或金。”芯感智公司认为：本领域技术人员没有动机将Ni-Cr电阻替换为多晶硅或纳米硅电阻；本领域技术人员惯用的技术手段为仅设置恒流或者恒压补偿电阻，不会想到在芯片上同时集成两者。因而，本申请具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。经形式审查合格，专利复审委员会依法受理了该复审请求，于2015年3月31日向芯感智公司发出复审请求受理通知书，并将本案转送至原审查部门进行前置审查。经前置审查，原审查部门坚持原驳回决定。随后，专利复审委员会依法成立合议组对本案进行审查。专利复审委员会于2015年11月11日向复审请求人发出复审通知书，指出：本申请独立权利要求1的技术方案与对比文件3的区别在于：（1）权利要求1中，所述SOI衬底对应于形成压力腔的一侧键合有玻璃片，所述玻璃片与SOI衬底及压力腔对应配合，且玻璃片封堵SOI衬底上的压力腔；所述玻璃片上设有贯通玻璃片的玻璃孔，所述玻璃孔与压力腔相连通；（2）权利要求1中，所述补偿电阻包括恒压和恒流供电补偿电阻；根据需要选择恒压供电补偿电阻或恒流供电补偿电阻与桥路电阻配置成惠斯通电桥，而对比文件3中补偿电阻包括恒压供电补偿电阻，该恒压供电补偿电阻与桥路电阻配置成惠斯通电桥；（3）权利要求1中，绝缘介质层的材料还可为氮化硅或二氧化硅与氮化硅的复合，互连引线的材料还可为金；（4）权利要求1中，桥路电阻、补偿电阻的材质为多晶硅或纳米硅，而对比文件3中桥路电阻为Ni-Cr电阻，补偿电阻Rs的材质未具体公开。对比文件3另一技术方案给出了将上述区别技术特征（1）结合到前述MEMS高温压力传感器中的技术启示；区别技术特征（2）和(4)是本领域技术人员容易想到的，区别技术特征（3）属于本领域的常规技术手段。因而，权利要求1相对于对比文件3和本领域公知常识的结合不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。芯感智公司于2015年12月21日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页。修改后的权利要求书内容如下：“1.一种温漂自补偿SOI压力传感器，包括SOI衬底，所述SOI衬底上设有用于配置成惠斯通电桥的桥路电阻(3)，且SOI衬底对应设置桥路电阻(3)的表面设置用于对惠斯通电桥进行温度补偿的补偿电阻，所述补偿电阻及桥路电阻(3)上设置电连接的互连引线(7)；刻蚀对应于设置桥路电阻(3)另一侧的SOI衬底以形成压力腔(9)及压力敏感膜(10)，所述压力腔(9)及压力敏感膜(10)位于桥路电阻(3)的正下方；其特征是：桥路电阻(3)、补偿电阻的材质为多晶硅或纳米硅；所述桥路电阻(3)及补偿电阻间通过绝缘隔离层(6)及钝化层(8)相隔离，绝缘隔离层(6)覆盖于SOI衬底上，钝化层(8)覆盖于绝缘隔离层(6)上；所述SOI衬底包括衬底(1)，所述衬底(1)上淀积有绝缘介质层(2)，所述绝缘介质层(2)上淀积有导电材料，以形成SOI衬底；所述SOI衬底对应于形成压力腔(9)的一侧键合有玻璃片(11)，所述玻璃片(11)与SOI衬底及压力腔(9)对应配合，且玻璃片(11)封堵SOI衬底上的压力腔(9)；所述玻璃片(11)上设有贯通玻璃片(11)的玻璃孔(12)，所述玻璃孔(12)与压力腔(9)相连通；所述补偿电阻包括恒压供电补偿电阻(4)及恒流供电补偿电阻(5)；所述恒压供电补偿电阻(4)及恒流供电补偿电阻(5)包括叉指结构；根据需要选择恒压供电补偿电阻(4)或恒流供电补偿电阻(5)与桥路电阻(3)配置成惠斯通电桥；所述绝缘介质层(2)的材料为二氧化硅、氮化硅或二氧化硅与氮化硅的复合；所述绝缘隔离层(6)为氮化硅层；所述钝化层(8)为氮化硅层；所述互连引线(7)的材料为铝或金。”芯感智公司认为：（1）对比文件3未公开单片集成补偿电阻的内容，且现有技术中都不存在单片集成方案；（2）本领域技术人员不会选择多晶硅和纳米硅作为桥路电阻和补偿电阻；（3）惯用技术手段为仅设置恒流或恒压补偿电阻，不会在单芯片集成恒流和恒压补偿电阻以供用户选择。因而，本申请具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。在上述程序的基础上，专利复审委员会认为本案事实已经清楚，依法作出被诉决定。在庭审过程中，芯感智公司明确表示对被诉决定中的案由部分、审查文本的认定以及以对比文件3为最接近的现有技术没有异议。同时，芯感智公司表示如果本院确认被诉决定中所认定的权利要求1与对比文件3的四个区别技术特征正确，则其不再坚持区别技术特征1、3具有创造性的理由。上述事实，有被诉决定、双方当事人提交的证据以及庭审笔录等在案佐证。本院认为：专利法第二十二条第三款规定：创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。在评价发明是否具备创造性时，若一项权利要求与最接近对比文件的一个实施例之间存在多个区别技术特征，而该对比文件的另一个实施例给出了将其中一个区别技术特征应用到所述一个实施例的技术启示，且其它区别技术特征的一部分是在该对比文件所公开内容的基础上容易想到的，其它部分属于本领域的公知常识，则该权利要求不具备创造性。根据本案已经查明的事实，结合双方当事人的辩诉称，本案的争议焦点在于：一是权利要求1与对比文件3的区别技术特征认定问题；二是现有技术是否给出权利要求1所要解决技术问题的技术启示。一、权利要求1与对比文件3的区别技术特征认定问题本案中，对比文件3与本专利技术领域相同，所要解决的技术问题、技术效果或用途较为接近，可以作为判断本专利创造性的最接近现有技术。被诉决定认定权利要求1相对于对比文件3的一个实施例的区别在于：（1）权利要求1中，所述SOI衬底对应于形成压力腔的一侧键合有玻璃片，所述玻璃片与SOI衬底及压力腔对应配合，且玻璃片封堵SOI衬底上的压力腔；所述玻璃片上设有贯通玻璃片的玻璃孔，所述玻璃孔与压力腔相连通；（2）权利要求1中，所述补偿电阻包括恒压和恒流供电补偿电阻；根据需要选择恒压供电补偿电阻或恒流供电补偿电阻与桥路电阻配置成惠斯通电桥，而对比文件3中补偿电阻包括恒压供电补偿电阻，该恒压供电补偿电阻与桥路电阻配置成惠斯通电桥；（3）权利要求1中，绝缘介质层的材料还可为氮化硅或二氧化硅与氮化硅的复合，互连引线的材料还可为金；（4）权利要求1中，桥路电阻、补偿电阻的材质为多晶硅或纳米硅，恒压和恒流供电补偿电阻包括叉指结构，而对比文件3中桥路电阻为Ni-Cr电阻，补偿电阻Rs的材质未具体公开。原告芯感智公司对被诉决定所认定的对比文件3公开的内容有异议，认为市场上大部分压力传感器芯片的硬件补偿都不是单芯片集成方案，对比文件3并没有公开一种采用单芯片集成技术的压力传感器，对比文件3中的温度补偿电阻Rs不能确定是否为单芯片集成电阻，也即不能简单认定“温度补偿电阻Rs必然与惠斯通电桥的桥路电阻一起设置在二氧化硅上”，对比文件3没有公开本申请中的“SOI衬底对应设置桥路电阻的表面设置用于对惠斯通电桥进行温度补偿的补偿电阻”的技术特征。因而，原告芯智感公司认为被诉决定遗漏了区别技术特征“本申请还包括单芯片集成的补偿电阻”。被告专利复审委员会则认为SOI芯片上集成压敏电阻和变换电路（例如补偿电路）是公知常识，根据对比文件3所提到的压力传感器发展趋势，其涉及的压力传感器必然采用单芯片集成技术，即温度补偿电阻Rs必然与惠斯通电桥的桥路电阻一起设置在二氧化硅芯片上。由此可见，本案双方当事人就本申请权利要求1是否具备创造性的争议核心在于对比文件3是否公开了单芯片集成补偿电阻的内容，也即被诉决定所认定的区别技术特征是否遗漏了“本申请还包括单芯片集成的补偿电阻”。对此，本院认为，单片集成温度自补偿电路技术为本领域的常规现有技术，1990年第5期出版的期刊《传感器技术》第39-42页就介绍了“一种在芯片上带有补偿电路的通用硅压力传感器”，其中就将压阻惠斯通电桥和可调的多晶硅电阻电路组合在同一芯片上。尽管对比文件3没有直接指出温度补偿电阻Rs是外接电阻还是单芯片集成电阻，但是根据对比文件3的课题来源及其在背景介绍中提到的行业发展趋势，以及对比文件3第14-15页、图2-5公开的内容即可知，灵敏度漂移补偿电阻Rs设置在压敏电阻R1-R4之间，电阻Rs与压敏电阻R1-R4是一起整体设置，而不是封装时从其它位置引入。故，本领域技术人员能够当然得知对比文件3所使用的温度补偿电阻Rs为单芯片集成电阻，该温度补偿电阻Rs必然与惠斯通电桥的桥路电阻一起设置在二氧化硅上，对比文件3公开了本申请中的“SOI衬底对应设置桥路电阻的表面设置用于对惠斯通电桥进行温度补偿的补偿电阻”。因此，对比文件3公开了一种单芯片集成温度补偿电阻，被诉决定中确定的对比文件3的这一公开内容以及本申请与对比文件3的区别技术特征并无不当，本院予以确认。原告芯感智公司的上述主张，缺乏事实及法律依据，本院不予支持。二、现有技术是否给出权利要求1所要解决技术问题的技术启示鉴于原告芯感智公司表示在本申请权利要求1与对比文件3的四个区别技术特征认定正确的前提下，其不再坚持区别技术特征1、3具有创造性的理由，且被诉决定有关区别技术特征1、3的评述并无不当，故本院对此不再赘述。本院认为，如果区别技术特征为公知常识或者为与最接近的现有技术相关的技术手段，则通常认为现有技术中给出了将该区别技术特征应用到最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示。关于区别技术特征2，根据对比文件3公开的内容可知，恒压和恒流电桥电路都是本领域中常用的变换电路，恒压电桥电路配合的是恒压温度补偿电阻，与恒流电桥电路配合的是恒流温度补偿电阻。本领域技术人员会根据具体的设计需求而事先选择恒流或恒压补偿电阻，其优点在于缩小产品尺寸并节省硬件成本，缺点在于失去了选择的多样性，在此基础上，当需要关注选择的多样性而无需关注尺寸和成本时，为了提高压力传感器不同场合的适应性，本领域技术人员容易想到在提供恒压温度补偿电阻的基础上，进一步设置常规的恒流温度补偿电阻，以供用于在使用时加以选择。为了给使用者提供两种选择，本申请实际上是将已有的两种补偿方式进行简单叠加，恒流和恒压是发挥了各自的作用，而不是叠加的效果。本领域技术人员也容易想到将恒流和恒压补偿电阻同时设置在芯片上以供用户择一使用，其实质只是将两种已有的选项简单叠加在一起，正如本申请说明书第0012段中所述，可根据需要选择恒压或恒流供电补偿电阻与桥路电阻配置成的惠斯通电桥相连实现对压力传感器的温度自补偿，也就是说，恒流和恒压补偿电阻仍旧发挥各自的作用，其技术效果是可以预期的。被诉决定对此认定正确，本院予以确认。关于区别技术特征4，原告芯感智公司认为对比文件3无法给出使用叉指结构电极的技术启示。对此，本院认为，对于本领域技术人员而言，多晶硅或纳米硅是本领域中所熟知和广泛使用的制作压组式压力传感器桥路电阻的材料，叉指结构也是半导体芯片领域常规的元器件布局方式。且关于叉指结构电极的内容在整个原始申请文件、说明书中并没有文字记载，仅在答复通知书中增加的附图10中有示意性的表示，叉指结构的设置与本申请所要解决的技术问题也并不相关。因而，本领域技术人员容易想到采用多晶硅或纳米硅制作桥路电阻和补偿电阻，以及恒压和恒流供电补偿电阻采用叉指结构，叉指结构的运用对本领域技术人员而言是显而易见的，并不需要付出创造性劳动。被诉决定对此认定正确，本院予以确认。另，就原告芯感智公司所称被告专利复审委员会引入新的证据评述其答复意见，对此，本院认为，专利复审委员会可以依职权认定技术手段是否为公知常识，并可以引入技术词典、技术手册、教科书等所属技术领域中的公知常识性证据。被诉决定中被告专利复审委员会在答复芯感智公司意见时，引用多篇现有技术用以佐证本申请的相关技术特征为本领域的常规现有技术并无不当。综上，被告专利复审委员会作出的被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，符合法定程序，本院予以维持。原告芯感智公司的诉讼请求及理由，欠缺事实基础及法律依据，本院不予支持。据此，依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，本院判决如下：驳回原告无锡芯感智半导体有限公司的诉讼请求。案件受理费一百元，由原告无锡芯感智半导体有限公司负担（已交纳）。如不服本判决，双方当事人可于本判决书送达之日起十五日内，向本院提交上诉状及副本，并交纳上诉案件受理费一百元，上诉于北京市高级人民法院。审 判 长  宋 鹏人民陪审员  黄振莺人民陪审员  张 锋二〇一八年九月二十日法官 助理  罗素云书 记 员  任 燕