中华人民共和国北京知识产权法院行 政 判 决 书（2018）京73行初11100号原告：捷客斯金属株式会社，住所地日本国东京都千代田区大手町一丁目1番**。法定代表人：大井滋，董事长。委托诉讼代理人：赵砚猛，北京星迪律师事务所律师。委托诉讼代理人：王海川，中原信达知识产权代理有限责任公司专利代理人。被告：中华人民共和国国家知识产权局，住所地中华人民共和国北京市海淀区蓟门桥西土城路**。法定代表人：申长雨，局长。委托诉讼代理人：倪永乐，中华人民共和国国家知识产权局审查员。委托诉讼代理人：赵鑫，中华人民共和国国家知识产权局审查员。原告捷客斯金属株式会社因发明专利申请驳回复审行政纠纷一案，不服原中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）于2018年7月11日作出的第157172号复审请求审查决定（简称被诉决定），于法定期限内向本院提起行政诉讼。本院于2018年10月30日受理本案后，依法组成合议庭，于2020年9月8日公开开庭审理了本案。原告捷客斯金属株式会社的委托代理人赵砚猛、王海川，被告中华人民共和国国家知识产权局的委托代理人倪永乐、赵鑫到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。被诉决定系专利复审委员会就捷客斯金属株式会社申请号为201380031894．4、名称为“溅射靶”的发明专利申请（简称本申请）提出的复审请求而作出的。专利复审委员会在被诉决定中认定：（一）审查文本本复审请求审查决定的审查文本为：2014年12月17日提交的原始国际申请中文译文的说明书摘要；2014年12月17日提交的依据专利合作条约第28条或者第41条修改的说明书第1-97段；2017年7月28日提交的权利要求第1项。(二)关于专利法第二十二条第三款专利法第二十二条第三款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。如果技术方案相对于最接近的现有技术的区别特征为（1）常规技术手段；（2）为另一篇对比文件中披露的相关技术手段，且该技术手段在该对比文件中所起的作用与该区别特征在要求保护的发明中的作用相同，则认为该技术方案相对于现有技术是显而易见的，不具备创造性。1．权利要求1的创造性权利要求1请求保护一种溅射靶。对比文件3公开了一种溅射靶，并具体公开了以下内容（参见说明书第[0028]、[0037]、[0039]、[0042]、[0043]段）：一种非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶，其为包含氧化物的非磁性材料粒子分散在包含Co-Cr合金的强磁性材料中的非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶，所述Co-Cr合金中Cr为5原子%以上且20原子%以下、其余为Co。或者，其为包含氧化物的非磁性材料粒子分散在包含Co-Cr-Pt合金的强磁性材料中的非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶，所述Co-Cr-Pt合金中Cr为5原子%以上且20原子%以下、Pt为5原子%以上且30原子%以下、其余为Co。或者其为包含氧化物的非磁性材料粒子分散在包含Co-Cr-Pt-B合金的强磁性材料中的非磁性材料粒子分散型强磁性材料溅射靶，所述Co-Cr-Pt-B合金中Cr为5原子%以上且20原子%以下、Pt为5原子%以上且30原子%以下、B为0．5原子%以上且8原子%以下、其余为Co。作为分散的非磁性材料，使用氧化物，特别是选自Cr、Ta、Si、Ti、Zr、Al、Nb和B的一种以上元素的氧化物是有效的。而且，包含这些氧化物的非磁性材料优选在靶中的体积比率为10%以上30%以下。对于金属基质含有B元素的技术方案，权利要求1与对比文件3公开的上述内容相比，区别特征在于：（1）权利要求1限定溅射靶含有5-25摩尔%的氧化物，且氧化物相包含选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Ta2O5、B2O3、CoO、Co3O4的一种以上氧化物，而对比文件3公开的氧化物选自Cr、Ta、Si、Ti、Zr、Al、Nb和B的一种以上元素的氧化物，且体积比率为10%以上30%以下；（2）限定了XRD的单峰中最高峰的积分宽度为0．7以下。对于金属基质为含有B以外的其他元素或者含有B以外还含有其他元素的技术方案，区别特征还在于：（3）金属基质含有Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W的一种，或含有B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W两种以上元素。基于上述区别特征：确定本申请实际所要解决的技术问题是抑制溅射初期粉粒的产生、缩短预烧时间，并稳定溅射靶。对于区别特征（1），对比文件3已经公开了非磁性材料使用氧化物，特别是选自Cr、Ta、Si、Ti、Zr、Al、Nb和B的一种以上元素的氧化物。而且其实施例1-3公开的氧化物是SiO2、实施例4公开的是TiO2；另外Cr2O3、Ta2O5和B2O3也是常用的Cr、Ta、B的氧化物，因而在对比文件3公开的基础上，本领域技术人员会容易具体选择SiO2、TiO2、Cr2O3、Ta2O5和B2O3作为其中的氧化物相。另外，对比文件1公开了一种强磁性材料溅射靶，并具体公开了以下内容（参见说明书第[0030]段）：在磁性合金中可添加硅氧化物、铬氧化物、硼氧化物以及钴氧化物等，其添加量为0．5~10mol%，添加上述氧化物可提高磁记录材料的磁性能。可见，在对比文件1的技术启示下，为了提高材料的磁性能，本领域技术人员也会有动机采用钴氧化物例如常用的CoO、Co3O4作为氧化物相。另外，在对比文件3公开的体积比率为10%以上30%以下的基础上，本领域技术人员通过简单的实验容易确定氧化物的摩尔百分比。对于区别特征（2），该区别特征为参数特征，其实质上是用于表征溅射靶表面的残余应变低于一定水平。对于该区别特征，对比文件2公开了一种溅射靶，并具体公开了以下内容：靶由X射线衍射测定的结晶面的半高宽，表示在该结晶面内包含的内部应变，这是通过靶制造时的锻造或轧制等塑性加工、以及对靶进行切削等机械加工时的加工应变而产生的。半高宽越大，残留应变越大，至今通过热处理缓和由锻造或轧制进行靶形状成形以及用于使结晶粒径微细均匀的组织控制产生的残留应变，或对靶表面进行精密加工，由此尽量减少表面形成的残留应变来制造靶，并且还公开{200}面的半高宽如果超过0．6会产生加工应变增大的问题（参见说明书第5页第8行至第7页7行）。另外，对比文件2还公开了关于溅射靶的表面，已知表面粗糙度小、并且不存在加工变质层（残留应力层）对于溅射初期的粒子、膜均匀性是重要的。表面加工法，能够以研磨、抛光、机械化学抛光的顺序减少磨料并且使精加工面粗糙度微细化，并且降低因磨削而产生的残留应力（参见说明书第2页第1行至第10行）。可见对比文件2教导了溅射靶表面因塑性加工、切削加工而导致的残留应力（应变），是导致溅射初期的粒子产生、预烧时间长、溅射不稳定的因素，而且给出了通过精密加工减少残留应变，并利用衍射峰的半高宽来表征残留应力大小（半高宽越大，残留应变越大）的技术启示。尽管对比文件2针对的是通过铸造塑性加工而得到的金属靶，但本领域技术人员知晓通过烧结得到的金属靶（包含含有氧化物相的金属复合靶）在机床加工（切削加工）后同样会在靶材的表面存在残留应变，因而为了减少残留应变进而抑制溅射初期粉粒的产生、缩短预烧时间并稳定溅射靶，在对比文件2的教导下，本领域技术人员会有动机采用精密加工工艺、例如研磨、抛光、机械化学抛光的方法来使得对比文件3公开的溅射靶表面的残留应变降低到一定水平以下，并通过X射线衍射的衍射峰的半高宽来表征其降低至一定水平以下。另外，本领域技术人员还知晓半高宽以及积分宽（即积分宽度）均是定义衍射峰宽的物理量，而且可以通过积分宽来表征残余应变的大小（参见证据1）。可见在对比文件2给出的技术启示下进一步结合本领域的普通技术知识，本领域技术人员会容易采用XRD的衍射峰的积分宽来表征残余应变。由于包含多组分的溅射靶，其XRD图谱包含多个衍射峰，为了方便表征和简化计算，本领域技术人员会有动机选择比较典型的衍射峰来进行表征和计算，而最高峰往往代表衍射靶表面的最多的晶面取向，它的衍射峰宽能够在一定程度上能够反映溅射靶表面的整体残余应变情形；因而本领域技术人员会容易选择XRD单峰中最高峰的积分宽度来表征，并通过精密加工将该积分宽度的值限定为一定水平以下，而该具体的值可以根据为了实现“抑制溅射初期粉粒的产生、缩短预烧时间，并稳定溅射靶”的技术效果而允许的残余应变情形，可通过常规的实验并根据积分宽度的定义计算确定。对于区别特征（3），对比文件1还公开在Cr-Pt-Co或Cr-Co铁磁性合金中添加0．5mol%至10mol%的选自B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta中的一种或多种元素作为添加元素，可以提高磁记录材料的磁性能（参见说明书第[0027]-[0029]段）。可见，在对比文件1的技术启示下，为了提高材料的磁性能，本领域技术人员也会有动机采用Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta中的一种或B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta中两种以上的元素作为金属基质相的添加元素。另外，W也是铁磁性合金中常用的添加元素，而且本申请也没有证据表明添加W相比于上述其他合金元素能够取得更好的效果。由此可见，在对比文件3的基础上结合对比文件2以及本领域的常规技术手段，或者进一步结合对比文件1得到权利要求1的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，权利要求1不具有突出的实质性特点，不具备创造性。2．关于捷客斯金属株式会社的意见陈述捷客斯金属株式会社认为本申请的权利要求具备创造性，理由如下：（1）本申请权利要求1的溅射靶具有多种成分，与对比文件2的钽纯金属的靶不同，存在多个衍射峰。通常将氧化物相的XRD峰宽作为除去加工应变的判断基准，在本申请中，观察单峰中最高的峰的积分宽度，如果发现其为0．7以下，则是对抑制粉粒有效的状态。复审通知书基于将X射线衍射应用于本申请权利要求1的溅射靶的前提，认定包含多种成分的溅射靶的XRD图谱包含多个衍射峰，因而有动机选择比较典型的衍射峰进行表征和计算，这些也只不过是知晓本申请之后的“后见之明”。（2）对比文件2的实施例中表面的机械加工方法为车床加工后进行“湿式研磨”，而本申请权利要求1的溅射靶难以进行均匀的湿式研磨，从而难以除去加工应变层。虽然对比文件2公开了能够以研磨、抛光、机械化学抛光的顺序减少磨料并使精加工粗糙度细微化，并且降低因磨削而产生的残余应力，但是该部分对于对比文件2的发明本身并不是有效的，复审通知书只不过是知晓本申请后借用该部分内容的“后见之明”。专利复审委员会经过审查后认为：（1）对比文件2为钽或钽基合金靶，当为钽基合金靶时，其中并非单一金属组分，而且对比文件2公开的钽或钽基合金靶也包含多个衍射峰，例如其中除了公开{200}结晶面的衍射峰外，还公开了{110}结晶面的衍射峰（参见说明书第4页第17-19行），可见在包含多个衍射峰的XRD图谱中选择一个典型的衍射峰来表征已经被对比文件2所公开，而并非是知晓本申请之后的“后见之明”。另外，本申请的申请文件并没有记载“通常将氧化物相的XRD峰宽作为除去加工应变的判断基准”，而且捷客斯金属株式会社也未提供任何证据来证明现有技术中，将溅射靶中的氧化物相的XRD峰宽作为除去溅射靶加工应变的判断基准为本领域技术人员的普遍观点和认识。（2）对比文件2实施例公开了通过湿式研磨来去除加工变质层，而湿式研磨属于研磨的一种，可见对比文件2实施例公开的内容与对比文件2背景技术部分所公开的内容“表面加工法……，并且降低因磨削而产生的残留应力”并不矛盾，因而捷客斯金属株式会社所谓的对比文件2背景技术部分对于对比文件2的发明本身并不是有效的意见并不成立。另外，本领域技术人员具有常规实验手段的能力，在对比文件2背景技术部分明确公开了“表面加工法……，并且降低因磨削而产生的残留应力”的情形下，本领域技术人员会有动机选择表面加工法、例如研磨、抛光、机械化学抛光的方法来对对比文件3公开的溅射靶表面进行精加工，这不需要本领域技术人员付出创造性劳动，而且本申请也没有证据表明通过研磨、抛光、机械化学抛光等表面加工方法来减少包含氧化物相的磁性材料溅射靶表面的残余应变达到一定的水平以下需要克服技术上的困难。综上所述，专利复审委员会对捷客斯金属株式会社的主张不予支持。根据上述的事实和理由，专利复审委员会作出复审决定：维持中华人民共和国国家知识产权局于2017年4月13日对本申请作出的驳回决定。原告捷客斯金属株式会社不服被诉决定，于法定期限内向本院提起行政诉讼，其诉称：本复审决定认定事实错误，适用法律不当，其具体理由如下：关于本申请权利要求1的创造性以下按照“三步法”各个步骤进行说明。第（1）步：将专利复审委员会引用的对比文件3作为最接近的现有技术。第（2）步：（2-1）确定区别特征对于金属基质含有B的技术方案，本申请权利要求1与对比文件3的区别特征包括：a）氧化物相包含选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Ta2O5、B2O3、CoO、Co3O4的一种以上氧化物，并且溅射靶含有5～25摩尔%的这些氧化物；b）XRD的单峰中最高峰的积分宽度为0．7以下；对于金属基质含有B以外的其它元素或者含有B以外还含有其它元素的并列技术方案，本申请权利要求1与对比文件3的区别特征包括：前述的区别特征a）、前述的区别特征b）、以及区别特征c）金属基质相含有0．5摩尔%～10摩尔%的选自Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W的一种以上元素。（2-2）确定发明实际解决的技术问题在此，首先需要说明用于确定发明实际解决的技术问题的法律依据。根据本申请说明书的记载：XRD的单峰中最高峰的积分宽度为0．7以下。这是减小残留加工应变的指标。由此，能够减小残留加工应变，因此起因于残留加工应变的初期粉粒的产生少，能够大幅缩短预烧时间。本发明的溅射靶的金属基质相可以含有0．5摩尔%～10摩尔%的选自Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W的一种以上元素。它们是为了提高作为磁记录介质的特性而根据需要添加的元素。因此，根据《审查指南》的相关规定以及附件1的最高人民法院发布的指导原则，考虑到上述区别特征在本申请发明中所实现的作用、功能和技术效果、以及通过该区别特征与其它特征的相互作用而作为整体的本申请发明所实现的技术效果，对于金属基质含有B的技术方案，可以确定本发明实际解决的技术问题是：提供能够抑制溅射时初期粉粒的产生并大幅降低预烧时间的非磁性材料粒子分散型溅射靶。对于金属基质含有B以外的其它元素或者含有B以外还含有其它元素的并列技术方案，可以确定本发明实际解决的技术问题是：提供能够抑制溅射时初期粉粒的产生并大幅降低预烧时间、并且提高作为磁记录介质的特性的非磁性材料粒子分散型溅射靶。第（3）步：在此，对区别特征a）和c）暂且不论，主要针对区别特征b）进行说明。关于区别特征b），专利复审委员会引用了对比文件2。对比文件2涉及钽或钽基合金溅射靶，并且公开了靶最外表面通过X射线衍射测定的{200}结晶面的半高宽为0．1～0．6，由此得到可以大幅缩短预烧时间、并且抑制之后的成膜速度变动的效果。如前所述，对比文件2涉及金属或合金溅射靶，并且具体地涉及钽或钽基合金溅射靶，材料体系与本申请发明和对比文件3的非磁性材料粒子分散型溅射靶完全不同。本领域技术人员没有动机将对比文件2的技术应用到材料体系完全不同的对比文件3中。另外，如对比文件2中所记载的，为了提高钨膜的均匀性、并且减少粒子产生，提出了通过X射线衍射得到的最密集面的结晶面{110}的峰的半高宽为0．35以下的钨靶。但是，与这样的钨靶不同，钽或钽合金的情况如上所述，塑性变形能力高，产生结晶面的旋转等，因此最密集面{110}面的半高宽不产生大的影响，而是{200}面的半高宽产生大的影响。可见，即使同为金属或合金溅射靶，但当靶的材料体系不同时，对溅射性能产生影响的晶面也不同。因此，对于非磁性材料粒子分散型溅射靶而言，即使基于对比文件2的上述教导，也不能容易想到控制“XRD的单峰中最高峰的积分宽度为0．7以下”。因此，本领域技术人员在面对“提供能够抑制溅射时初期粉粒的产生并大幅降低预烧时间的非磁性材料粒子分散型溅射靶”的本发明所要解决的技术问题时，没有动机将对比文件2的涉及金属或合金溅射靶的技术应用到材料体系完全不同的涉及非磁性材料粒子分散型溅射靶的对比文件3中，或者即使应用也得不到本发明的“XRD的单峰中最高峰的积分宽度为0．7以下”的技术方案。即，对比文件2没有给出将上述区别特征b）应用到非磁性材料粒子分散型溅射靶中以解决“抑制溅射时初期粉粒的产生并大幅降低预烧时间”的技术问题并能够达到相同的技术效果的启示。因此，本申请权利要求1的发明相对于对比文件1～3是非显而易见的。另外，本申请发明实现了有益的技术效果。根据《审查指南》的规定，一项发明如果是非显而易见的并且实现了有益的技术效果，则具备创造性。因此，本申请权利要求1的发明相对于对比文件1～3具备创造性。二）关于专利复审委员会的认定（1）专利复审委员会指出：对比文件2教导了溅射靶表面由于加工而产生的残余应力（应变）是导致溅射不稳定的主要原因，并且给出了减小残余应变，并利用衍射峰的半高宽来表征残余应力的技术启示。另外，专利复审委员会指出：虽然对比文件2将通过锻造塑性加工而得到的金属靶作为对象，但是通过烧结而得到的金属靶在加工后同样可能存在残余应变。而且，由此专利复审委员会指出：通过使用对比文件2的方法，可以预期将对比文件3的溅射靶表面的残余应变减少到一定程度，从而使溅射稳定。但是，专利复审委员会的上述见解在下述方面是不恰当的。首先，在像本申请权利要求1这样具有多种成分的情况下，与对比文件2的钽纯金属的靶不同，存在多个XRD峰。此外，不能除去加工应变层的主要原因是“氧化物相”，因此，通常将氧化物相的XRD峰宽作为除去加工应变的判断基准。但是，本申请权利要求1中，观察单峰中最高的峰的积分宽度，发现如果其为0．7以下，则是对抑制粉粒有效的状态（加工应变层的程度）。当然，对比文件2中没有这样的认识，而且也不能容易地想到这样的认识。其次，对比文件2的实施例中，表面的机械加工方法为：通过车床加工而进行粗加工，然后在利用车床加工的切削加工后进行“湿式研磨”，从而尽可能地抑制加工改性层的形成。能够通过这样的湿式研磨而除去加工改性层是因为对象为钽纯金属，在像本申请权利要求1这样具有多种成分的情况下，研磨速度根据元素、晶相而不同，因此难以进行均匀的湿式研磨，特别是氧化物的湿式研磨几乎不能进行，因此，在表面层出现氧化物相的时刻，湿式研磨基本上停止，从而难以除去加工应变层。需要说明的是，专利复审委员会指出：对比文件2公开了能够以研磨、抛光、机械化学抛光的顺序减小磨料并使精加工面粗糙度微细化，并且降低因磨削而产生的残余应力。但是，对比文件2的该部分是作为对比文件2的背景技术记载的，对于对比文件2的发明本身并不是有效的。即，只不过是知晓本申请发明后借用该部分的记载内容的“后见之明”，而且根据对比文件2的整体教导，对比文件2中没有给出将对比文件2中作为背景技术记载的该部分内容应用于对比文件2的发明的启示，而且对比文件2中作为背景技术记载的该部分内容也不适合应用于对比文件2的发明。另外，专利复审委员会基于将X射线衍射应用于本申请权利要求1的溅射靶这样的前提，认定包含多种成分的溅射靶的XRD图谱包含多个衍射峰，因此，有动机选择比较典型的衍射峰进行表征和计算，或者该具体的值可以通过常规的实验并根据积分宽度的定义来计算并确定，但是这些也只不过是知晓本申请发明后的“后见之明”。综上所述，即使将对比文件2与对比文件3结合或者进一步结合对比文件1，本领域技术人员也不能容易想到本申请权利要求1的发明。即，对比文件2和对比文件1以及对比文件3均没有给出将区别特征应用于最接近的现有技术以解决本申请发明实际解决的技术问题的启示。因此，本申请权利要求1的发明相对于对比文件1～3是非显而易见的。（2）专利复审委员会指出：由于包含多组分的溅射靶的XRD图谱包含多个衍射峰，为了方便表征和简化计算，本领域技术人员有动机选择比较典型的衍射峰来进行表征和计算，而最高峰往往代表衍射靶表面的最多的晶面取向，它的衍射峰宽能够在一定程度上反映溅射靶表面的整体残余应变情况，因而本领域技术人员会容易选择XRD单峰中最高峰的积分宽度来表征。但是，专利复审委员会的上述见解在下述方面是不恰当的。首先，专利复审委员会并没有提供相关证据以证明“选择XRD图谱中单峰中的最高峰来表征材料的性能（特别是残余应变）”是本领域的技术常识或常规技术手段。因此，这样的认定是没有根据的。根据《审查指南》的规定，审查员在审查意见通知书中引用的本领域的公知常识应当是确凿的，如果申请人对审查员引用的公知常识提出异议，审查员应当能够说明理由或提供相应的证据予以证明。专利复审委员会依据没有根据的主观认定断言“选择XRD图谱中单峰中的最高峰来表征材料的性能（特别是残余应变）”是本领域的技术常识或者常规技术手段，这样的做法不符合《审查指南》的规定，是不恰当的。其次，如对比文件2中所记载的，为了提高钨膜的均匀性、并且减少粒子产生，提出了通过X射线衍射得到的最密集面的结晶面{110}的峰的半高宽为0．35以下的钨靶。但是，与这样的钨靶不同，钽或钽合金的情况如上所述，塑性变形能力高，产生结晶面的旋转等，因此最密集面{110}面的半高宽不产生大的影响，而是{200}面的半高宽产生大的影响。另外，对比文件2中还记载了：比较例4、5、6中，将钽的{110}结晶面的半高宽调节到本发明的范围内。但是，由于优先考虑{200}结晶面的半高宽是否好，因此，相比于钽的{110}结晶面的半高宽的调节，钽的{200}结晶面的半高宽的控制更重要。根据对比文件2的记载可知，对于钨材料，选择其通过X射线衍射得到的最密集面的结晶面{110}的峰的半高宽来表征其性能是适合的。另一方面，对于钽或钽合金材料，选择通过X射线衍射得到的最密集面的结晶面{110}的峰的半高宽来表征其性能并不适合，而是选择并非最密集面的结晶面{200}的峰的半高宽来表征其性能。可见，对比文件2给出了在表征材料的性能（特别是残余应变）时并不一定是选择最密集面的结晶面的峰来进行表征的教导，这与专利复审委员会所认定的“最高峰往往代表衍射靶表面的最多的晶面取向（最密集面的结晶面），因而本领域技术人员会容易选择XRD单峰中最高峰的积分宽度来表征”实际上是相反的教导。（3）专利复审委员会指出：对比文件2为钽或钽基合金靶，当为钽基合金靶时，其中并非单一金属组分，而且对比文件2中公开的钽或钽基合金靶也包含多个衍射峰，例如其中除了公开{200}结晶面的衍射峰外，还公开了{110}结晶面的衍射峰，可见在包含多个衍射峰的XRD图谱中选择一个典型的衍射峰来表征已经被对比文件2所公开，而非是知晓本申请之后的“后见之明”。但是，专利复审委员会的专利专利复审委员会上述见解在下述方面是不恰当的。如前所述，对比文件2涉及钽金属或合金溅射靶，并且具体地涉及钽或钽基合金溅射靶，材料体系与本申请发明和对比文件3的非磁性材料粒子分散型溅射靶完全不同。如上述（2）中所述，根据对比文件2的教导，对于不同的材料而言，并不一定选择通过X射线衍射得到的最密集面的结晶面的峰（即，专利复审委员会所认定的“选择代表衍射靶表面的最多的晶面取向的最高峰作为典型的衍射峰”）来表征其性能（特别是残余应变）。可见，材料体系不同时，对其性能（特别是残余应变）产生影响的晶面也不同。即使同为金属材料（钨和钽），选择出最能够表征其残余应变的衍射峰也不是显而易见的、需要大量的试错试验。对于非磁性材料粒子分散型溅射靶而言，其性质与金属材料（钨和钽）差别更大，因此，在通过X射线衍射得到的多个衍射峰中，选择出对残余应变影响最大的峰需要大量的试错试验，并不是显而易见的或者容易得到的。因此，对于非磁性材料粒子分散型溅射靶而言，即使基于对比文件2的教导，也不能容易想到控制“XRD的单峰中最高峰的积分宽度为0．7以下”。（4）专利复审委员会指出：对比文件2实施例公开了通过湿式研磨来除去加工变质层，而湿式研磨属于研磨的一种，可见对比文件2实施例公开的内容与对比文件2背景技术部分所公开的内容“表面加工法……，并且降低因磨削而产生的残留应力”并不矛盾，因而捷客斯金属株式会社所谓的对比文件2背景技术部分对于对比文件2的发明本身并不是有效的意见并不成立。另外，本领域技术人员具有常规实验手段的能力，在对比文件2背景技术部分明确公开了“表面加工法……，并且降低因磨削而产生的残留应力”的情形下，本领域技术人员有动机选择表面加工法、例如研磨、抛光、机械化学抛光的方法来对对比文件3公开的溅射靶表面进行精加工，这不需要本领域技术人员付出创造性劳动。但是，专利复审委员会的上述见解在下述方面是不恰当的。在对比文件2的背景技术部分中，虽然记载了“表面加工法，能够以研磨、抛光、机械化学抛光的顺序减小磨料并且使精加工面粗糙度微细化，并且降低因磨削而产生的残留应力”，但是还记载了“制造溅射靶时，如上所述进行切削加工和研磨加工，但是，此时如果进行强加工，则即使调节表面粗糙度，有时也不能防止结核的生成”；“将这样的靶表面的加工变质层（残留应力层）完全除去需要极长的时间，因此存在生产率低、并且由于切削和研磨的程度大而浪费材料的问题”。可见，对比文件2还教导了表面加工法存在上述各种问题（即，存在技术上的困难）。另外，对比文件2中记载了：为了稳定地控制这样的钽或钽基合金的{200}面的半高宽（半高宽越大、残余应变越大），发现在真空中比较低的温度下的热处理特别有效。即，对比文件2启示了通过低温真空热处理以控制钽或钽基合金的{200}面的半高宽（残余应变）。因此，综合考虑对比文件2的全部内容，为了减少溅射靶表面的残余应变，本领域技术人员应当采用低温真空热处理的方法，而没有动机采用研磨、抛光、机械化学抛光等表面加工方法。也就是说，上述捷客斯金属株式会社所主张的对比文件2背景技术部分对于对比文件2的发明本身并不是有效的意见是成立的。综上，被诉决定认定事实不清，适用法律错误，请求法院依法予以撤销。被告中华人民共和国国家知识产权局辩称：被诉决定认定事实清楚、适用法律法规正确、审理程序合法，审查结论正确。原告的诉讼理由不能成立，请求法院驳回其诉讼请求。本院经审理查明：本复审请求审查决定涉及申请号为201380031894．4，名称为“溅射靶”的发明专利申请。本申请的申请人为“吉坤日矿日石金属株式会社”，申请日为2013年9月13日，优先权日为2012年9月18日，进入国家阶段日为2014年12月17日，公开日为2015年2月25日。国家知识产权局原审查部门在实质审查阶段引用了对比文件1（JP2012-132036A，公开日为2012年7月12日）、对比文件2（CN101278071A，公开日为2008年10月1日）和对比文件3（CN101981224A，公开日为2011年2月23日）评价了本申请权利要求的创造性，并于2017年4月13日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1相对于对比文件1、对比文件2以及本领域常规技术手段的结合不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为2014年12月17日提交的原始国际申请中文译文的说明书摘要；2014年12月17日提交的依据专利合作条约第28条或者第41条修改的说明书第1-97段；2016年9月9日提交的权利要求第1项。驳回决定所针对的权利要求书如下：“1、一种溅射靶，其包含含有Co的金属基质相和6～25摩尔%的形成粒子并分散存在的氧化物的相(以下称为“氧化物相”)，其特征在于，金属基质相中，Cr为5摩尔％以上且40摩尔%以下，其余为Co和不可避免的杂质，或者金属基质相中，Cr为5摩尔%以上且40摩尔%以下，Pt为5摩尔%以上且30摩尔%以下，其余为Co和不可避免的杂质，所述金属基质相含有0．5摩尔%～10摩尔%的选自B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W的一种以上元素，并且氧化物相包含选自SiO2、TiO2、Ti2O3、Cr2O3、Ta2O5、Ti5O9、B2O3、CoO、Co3O4的一种以上氧化物，并且所述溅射靶含有5～25摩尔%的这些氧化物，XRD的单峰中最高峰的积分宽度为0．7以下。”申请人（下称捷客斯金属株式会社）对上述驳回决定不服，于2017年7月28日向专利复审委员会提出了复审请求，并提交了权利要求书的修改替换页，具体修改方式为删除了氧化物相中的“Ti2O3”以及“Ti5O9”。修改后的权利要求书如下：“1、一种溅射靶，其包含含有Co的金属基质相和6～25摩尔%的形成粒子并分散存在的氧化物的相(以下称为“氧化物相”)，其特征在于，金属基质相中，Cr为5摩尔%以上且40摩尔%以下，其余为Co和不可避免的杂质，或者金属基质相中，Cr为5摩尔%以上且40摩尔%以下，Pt为5摩尔%以上且30摩尔%以下，其余为Co和不可避免的杂质，所述金属基质相含有0．5摩尔%～10摩尔%的选自B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W的一种以上元素，并且氧化物相包含选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Ta2O5、B2O3、CoO、Co3O4的一种以上氧化物，并且所述溅射靶含有5～25摩尔%的这些氧化物，XRD的单峰中最高峰的积分宽度为0．7以下。”捷客斯金属株式会社在意见陈述书中认为修改后的权利要求具备创造性，理由如下：（1）对比文件2涉及了经铸造塑性加工而得到的金属靶，而将其应用于包含金属和非金属的烧结靶中，由于两者的组成、晶体结构以及组织结构完全不同因而是不恰当的。另外即使将对比文件2中的技术事项应用到对比文件1中，也不能合理地期待在对比文件1中也会取得与对比文件2中取得的效果同等的效果。（2）对比文件1中将靶所含的氧化物为“导电性氧化物”作为构成上的必要条件。另外对比文件1虽然记载了可以含有氧化硅、氧化铬、氧化硼、氧化钴等，但这些氧化物是除了上述导电性氧化物以外可以任选添加的氧化物，而不是代替必要的导电性氧化物而添加的氧化物。经形式审查合格，专利复审委员会依法受理了该复审请求，于2017年8月8日发出复审请求受理通知书，并将其转送至原审查部门进行前置审查。原审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。随后，专利复审委员会成立合议组对本案进行审理。专利复审委员会于2018年2月12日向捷客斯金属株式会社发出复审通知书。复审通知书指出权利要求1相对于对比文件3、对比文件2以及本领域的常规技术手段的结合，或者相对于对比文件3、对比文件2、对比文件1以及本领域的常规技术手段的结合不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性，并且提供了证据1（《高等结构分析(第二版)》，马礼敦，复旦大学出版社，第463页第二节，公开日2006年5月31日））用来证明半高宽以及积分宽均是定义衍射峰宽的物理量，而且可以通过积分宽来表征残余应变的大小。对于捷客斯金属株式会社的意见，专利复审委员会指出：（1）对比文件2教导了溅射靶表面因塑性加工、切削加工而导致的残余应力（应变），是导致溅射初期的粒子产生、预烧时间长、溅射不稳定的因素，而且给出了通过精密加工减少残余应变，并利用衍射峰的半高宽来表征残留应力大小（半高宽越大，残留应变越大）的教导。尽管对比文件2针对的是通过铸造塑性加工而得到的金属靶，但本领域技术人员知晓通过烧结得到的金属靶（包含含有氧化物相的金属复合靶）在机床加工（切削加工）后同样会在靶材的表面存在残余应变。在对比文件2的教导下，本领域技术人员可以预期采用精密加工工艺、例如研磨、抛光、机械化学抛光的方法来使得对比文件3公开的溅射靶表面的残余应变降低到一定水平以下进而抑制溅射初期粉粒的产生、缩短预烧时间并稳定溅射靶。而且本申请并没有证据表明通过研磨、抛光、机械化学抛光等精密加工方法来减少包含氧化物相的磁性材料溅射靶表面的残余应变达到一定的水平以下（例如本申请所表征的XRD的单峰中最高峰的积分宽度为0．7以下）需要克服技术上的困难。（2）权利要求1中限定“氧化物包含选自……”的表述方式，其属于开放式的权利要求，其中并未排除氧化物可以同时选择导电性和非导电性氧化物的情形。针对上述复审通知书，捷客斯金属株式会社于2018年5月28日提交了意见陈述书，捷客斯金属株式会社在意见陈述中陈述了本申请具备创造性的理由，但未对申请文件进行修改。在上述程序的基础上，专利复审委员会认为本案事实已经清楚，依法作出本审查决定。另查，根据中央机构改革部署，原中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会的相关职责由中华人民共和国国家知识产权局统一行使。本案诉讼期间，原告向本院提交6份新证据，证明被告关于本领域公知常识的认定错误。上述事实，有被诉决定、本申请公开文本、对比文件1、2、3、高等结构分析等证据及当事人陈述在案佐证。本院认为：本案的焦点问题在于本申请权利要求1是否符合专利法第二十二条第三款规定的创造性。专利法第二十二条第三款规定：“创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。”本申请权利要求1请求保护一种溅射靶，对比文件3公开了一种溅射靶。被诉决定对于对比文件3金属基质含有B元素的技术方案，总结权利要求1与对比文件3公开的区别特征在于：（1）权利要求1限定溅射靶含有5-25摩尔%的氧化物，且氧化物相包含选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Ta2O5、B2O3、CoO、Co3O4的一种以上氧化物，而对比文件3公开的氧化物选自Cr、Ta、Si、Ti、Zr、Al、Nb和B的一种以上元素的氧化物，且体积比率为10%以上30%以下；（2）限定了XRD的单峰中最高峰的积分宽度为0．7以下。对于金属基质为含有B以外的其他元素或者含有B以外还含有其他元素的技术方案；（3）金属基质含有Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W的一种，或含有B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W两种以上元素。基于上述区别特征，被诉决定确定本申请实际所要解决的技术问题是：抑制溅射初期粉粒的产生、缩短预烧时间，并稳定溅射靶。原告捷客斯金属株式会对于上述区别特征并无异议，本院经审查予以确认。对于区别特征（1），对比文件3已经公开了非磁性材料使用氧化物，特别是选自Cr、Ta、Si、Ti、Zr、Al、Nb和B的一种以上元素的氧化物。而且其实施例1-3公开的氧化物是SiO2、实施例4公开的是TiO2；另外Cr2O3、Ta2O5和B2O3也是常用的Cr、Ta、B的氧化物。基于对比文件3公开的上述内同，本领域技术人员无需付出创造性劳动即可选择SiO2、TiO2、Cr2O3、Ta2O5和B2O3作为其中的氧化物相。对比文件1公开了一种强磁性材料溅射靶，并公开了在磁性合金中可添加硅氧化物、铬氧化物、硼氧化物以及钴氧化物等以提高磁记录材料的磁性能，添加量为0．5~10mol%。即对比文件1给出为了提高材料的磁性能采用钴氧化物例如常用的CoO、Co3O4作为氧化物相的技术启示。对比文件3公开的体积比率为10%以上30%以下，本领域技术人员通过简单的实验即可换算并确定氧化物的摩尔百分比。对于区别特征（2）。对比文件2公开了一种溅射靶，并具体公开了以下内容：靶由X射线衍射测定的结晶面的半高宽，表示在该结晶面内包含的内部应变，这是通过靶制造时的锻造或轧制等塑性加工、以及对靶进行切削等机械加工时的加工应变而产生的。半高宽越大，残留应变越大，至今通过热处理缓和由锻造或轧制进行靶形状成形以及用于使结晶粒径微细均匀的组织控制产生的残留应变，或对靶表面进行精密加工，由此尽量减少表面形成的残留应变来制造靶，并且还公开{200}面的半高宽如果超过0．6会产生加工应变增大的问题。此外，对比文件2还公开了关于溅射靶的表面，已知表面粗糙度小、并且不存在加工变质层（残留应力层）对于溅射初期的粒子、膜均匀性是重要的。表面加工法，能够以研磨、抛光、机械化学抛光的顺序减少磨料并且使精加工面粗糙度微细化，并且降低因磨削而产生的残留应力。原告主张：对比文件2涉及金属或合金溅射靶，本申请和对比文件3涉及非磁性材料粒子分散型溅射靶，靶材不同。对比文件2没有给出将区别“XRD的单峰中最高峰的积分宽度为0．7以下”应用到非磁性材料分散型溅射靶中以解决“抑制溅射初期粉粒的产生并大幅降低预烧时间”的技术问题。对此本院认为：对比文件2教导了溅射靶表面因塑型加工、切削加工而导致的残余应力（应变），是导致溅射初期的粒子产生、预烧时间长、溅射不稳定的因素，而且给出了通过精密加工减少残余应变并利用衍射峰的半高宽来表征残留应力大小（半高宽越大，残留应变越大）的教导，尽管对比文件2针对的是通过铸造塑性加工而得到的金属靶，但本领域技术人员知晓包含有分散相的金属复合靶在机床加工后同样会在靶材的表面存在残余应变。在对比文件2的教导下，本领域技术人员可以预期采用精密加工工艺，例如研磨、抛光、机械化学抛光的方法来使得对比文件3公开的溅射靶表面的残余应变降低到一定水平以下进而抑制溅射初期粉粒的产生、缩短预烧时间并稳定溅射靶。而具体的数值可以根据技术效果的需要通过常规的试验并根据积分宽度的定义计算确定。同时，复审合议组提供的公知常识性证据1（高等结构分析（第二版），马礼敦，复旦大学出版社，第463页第二节，公开日2006年5月31日）证明了半高宽以及积分宽（即积分宽度）均是定义衍射峰宽的物理量，而且可以通过积分宽来表残余应变的大小。并且，本领域技术人员知晓表征不等于精确测量。因此，现有技术中已经给出了足够的启示利用XRD图中峰的积分宽度来表征残余应变，并用于解决本申请的技术问题。原告主张：没有证据表明选择XRD图谱中单峰中的最高峰来表征材料的性能（特别是残余应变）是本领域技术常识或常规技术手段。并且，对比文件2中记载了“但是，与这样的钨靶不同，钽或钽合金的情况如上所述，塑性变形能力高，产生结晶面的旋转等，因此最密集面｛110｝面的半高宽不产生大的影响，而是｛200｝面的半高宽产生大的影响”。即对比文件2给出了在表征材料的性能（特别是残余应变）时并不一定是选择最密集面的结晶面的峰来进行表征的教导，这与“本领域技术人员会容易选择XRD单峰中最高峰的积分宽度来表征残余应变”是相反教导。对此本院认为：首先，如上所述，本领域技术人员在对比文件2以及公知常识性证据1的基础上有动机利用限定XRD峰的积分宽度来解决本申请的技术问题。至于选择XRD谱图中哪个峰来表征残余应变，本领域技术人员通过比较应变与否的谱图，容易确定出利用XRD谱图中哪个峰来表示本溅射靶残余应变最为合适，这是在有限的试验后可以得出的，不需要付出创造性劳动。且本申请也没有证据表明其为何选择XRD单峰中最高峰来表征残余应变。因此没有证据表明本申请中对单峰最高峰的选择付出了创造性劳动并取得了预料不到的技术效果。其次，对比文件2的记载只是证明了应变不一定对最密集面的半高宽产生大的影响，即不一定选择最密集面来表征应变。然而，对于不同成分的溅射靶，应变前后的XRD谱图在峰位置和峰型上的变化都会具有一定程度的不同，这是本领域技术人员知晓的技术知识。对比文件2的溅射靶中应变对峰的影响不能等同于其他成分的溅射靶中应变对峰的影响。对于特定的溅射靶，本领域技术人员会比较应变与否的XRD谱图，并通过对所有峰的变化情况的分析来确定用于表征残余应变的峰。不会因为对比文件2的记载而忽视对最高峰的考察。因此，对比文件2的上述记载并未给出了相反教导。对于区别特征（3），对比文件1公开在Cr-Pt-Co或Cr-Co铁磁性合金中添加0．5mol%至10mol%的选自B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta中的一种或多种元素作为添加元素，可以提高磁记录材料的磁性能（参见说明书第[0027]-[0029]段）。可见，对比文件1给出提高材料的磁性能的技术启示，本领域技术人员容易想到采用Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta中的一种或B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta中两种以上的元素作为金属基质相的添加元素。而W也是铁磁性合金中常用的添加元素，而且本申请也没有证据表明添加W相比于上述其他合金元素能够取得更好的效果。综上所述，本申请权利要求1相对于在对比文件3基础上结合对比文件2及本领域的公知常识，或者结合对比文件1，不具备突出的实质性特点及显著的进步，不具备创造性。被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，作出程序合法。原告捷客斯金属株式会社的诉讼请求缺乏事实与法律依据，本院不予支持。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，本院判决如下：驳回原告捷客斯金属株式会社的诉讼请求。案件受理费人民币一百元，由原告捷客斯金属株式会社负担（已交纳）。如不服本判决，原告捷客斯金属株式会社可于本判决书送达之日起三十日内，被告中华人民共和国国家知识产权局可于本判决书送达之日起十五日内，向本院提交上诉状及副本，并交纳上诉案件受理费人民币一百元，上诉于中华人民共和国最高人民法院。审 判 长 杨 钊人民陪审员 郭 宁人民陪审员 殷冬冬二〇二〇年十月二十九日技术调查官张伟法官助理陈叶简书记员王乐怡