中华人民共和国北京市高级人民法院行 政 判 决 书（2019）京行终752号上诉人（原审原告）：卡尔蔡司SMT有限责任公司，住所地德意志联邦共和国上科亨。法定代表人：约尔格·舒尔茨、托马斯·奥科恩，授权代表。委托诉讼代理人：邱军，北京柳沈（上海）律师事务所律师。委托诉讼代理人：陈金林，北京市柳沈律师事务所律师。被上诉人（原审被告）：中华人民共和国国家知识产权局，住所地中华人民共和国北京市海淀区。法定代表人：申长雨，局长。委托诉讼代理人：谭颖，中华人民共和国国家知识产权局审查员。委托诉讼代理人：张瑜，中华人民共和国国家知识产权局审查员。上诉人卡尔蔡司SMT有限责任公司（简称卡尔蔡司公司）因发明专利申请驳回复审行政纠纷一案，不服中华人民共和国北京知识产权法院（简称北京知识产权法院）（2016）京73行初670号行政判决，于法定期限内向本院提出上诉。本院于2019年1月29日受理后，依法组成合议庭进行了审理。2019年3月19日，上诉人卡尔蔡司公司委托诉讼代理人邱军、陈金林，被上诉人中华人民共和国国家知识产权局（简称国家知识产权局）的委托诉讼代理人谭颖、张瑜到庭接受了询问。本案现已审理终结。北京知识产权法院经审理查明：涉案专利系200810003654.4号，名称为“成像光学系统”的发明专利申请（简称本申请），申请日为2008年1月17日，优先权日为2007年1月17日，公开日为2008年7月23日，申请人原为卡尔蔡司SMT股份有限公司，后于2009年6月5日改为卡尔蔡司SMT股份公司，再后于2011年2月14日改为卡尔蔡司SMT有限责任公司。经实质审查，国家知识产权局于2012年11月5日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-30、32-38不符合2001年实施的《中华人民共和国专利法》（简称2001年专利法）第二十二条第三款关于创造性的规定。驳回决定引用2篇对比文件：对比文件1：US2006/0232867A1美国专利文献，公开日为2006年10月19日；对比文件1公开了一种反射物镜及其利用该反射物镜的系统（参见说明书第0171-0198、0428-0452段，附图10、附图28），该反射物镜是微光刻投影曝光装置的投影物镜，微光刻投影曝光装置的工作波长位于紫外线区或超紫外线（EUV）区中（具体参见说明书第0003、0053段）。该投影物镜包括八个反射镜S1-S6、SK1和SK2，所述八个反射镜将位于物平面103上的物方视场成像在位于像平面102的像方视场上（具体参见说明书第0171-0173段）。反射镜S1、S2、S5和S6形成第一部分物镜，都是没有小孔的反射镜；反射镜S3和S4形成第二部分物镜，反射镜SK1和SK2形成第三部分物镜。反射镜S3、S4、SK1和SK2具有小孔，成像光通过这些小孔（具体参见说明书第0174、0179-0181段）。此外，对比文件1在第0176段公开了所述反射镜的最大入射角是12度，实际上也公开了反射镜的最大反射角是12度；对比文件1第0171段公开了所述的成像系统在像侧的数值孔径为0.54；对比文件1在图10和说明书第0178-0181段中公开了：进入第三部分反射镜1030之前具有在中间像平面的中间像，第一部分反射镜1010的缩小率为1.77，第二部分反射镜1020的缩小率为1.18，在第三部分反射镜1030之前的中间像的缩小率为1.77×1.18=2.08；对比文件1在第0426段，表19A中还公开了倒数第二个反射镜S500的曲率半径为9383.676mm；对比文件1在第0161段记载了所述的成像系统在像平面上具有大于1mm维度的区域；对比文件1在第0111段公开了像侧的数值孔径最大可以大于0.9；对比文件1在第0102-0125段，附图1和2中也公开了一种投影曝光装置，包括对比文件1所述的成像光学系统，并且包括用于照明光和成像光的光源110，照明系统120。照明系统120包括准直光束的光学元件，并且将光束122导向分划板140，而用于准直的光学元件必定包括透镜；对比文件1在第0105段中公开了照明光的波长可以是5nm或10nm或30nm；对比文件1在第0102-0116段、附图1和2中也公开了一种制造微结构的方法，包括提供分划板140和基片150，通过投影曝光装置，将分划板上的刻线投影到基片上，在所述基片150上形成微结构，而用于制造微结构的基片必定包括光敏层。对比文件2公开了一种光学系统及具有该光学系统的电子设备，该光学系统（参见说明书第1栏，第17-22栏，说明书摘要，附图2a和2b）包括前光学元件10和后光学元件20，通过这两个光学元件将物体成像在像平面3上，光学元件10和20都是偏轴棱镜（具体参见说明书第20栏第24-28、33-34、38-41行）。通过这两个棱镜实现入射光的三维反射，可以减小电子设备的厚度（具体参见说明书第1栏第34-38行）。光学元件20包括入射面21、反射面22和23、以及出射面24。反射面22和23为自由形式表面，具有旋转非对称非球面（具体参见说明书第20栏第38-40、55-59行，说明书摘要）。由光学系统校正留下的部分畸变和色差被电子校正（具体参见说明书第18栏第4-8、13-18行）。驳回决定所针对的权利要求书为：“1.一种EUV投影曝光装置中包括至少四个反射镜(M1至M6；59至62)的成像光学系统(6；35；42；49；56；63；64；65；66)，其采用EUV成像光(3)，所述反射镜将位于物平面(4；58)上的物方视场成像在位于像平面(8，57)的像方视场(7)上，所述反射镜中的至少一个(M6；62)具有用于使该成像光(3)通过的通孔(23)，该成像光学系统的特征在于：至少一个反射镜(M1至M6；59至62)的反射面是不能用旋转对称函数描述的自由形态表面(27)。2.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：所述像平面(8，57)与所述物平面(4；58)平行地布置。3.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：所述成像光(3)以25°的最大反射角被所述反射镜(M1至M6；59至62)反射。4.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：所述成像光(3)以20°的最大反射角被所述反射镜(M1至M6；59至62)反射。5.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：所述成像光(3)以16°的最大反射角被所述反射镜(M1至M6；59至62)反射。6.根据权利要求3所述的成像光学系统，其特征在于：所述成像光(3)在所述成像光学系统(6；35；42；49；56；)内的最大反射角(α)与其在所述像侧的数值孔径的商至多为40°。7.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：被布置在瞳孔平面(21)的区域中的成像光路上的最后一个反射镜(M6；62)之前的反射镜(M3；59)具有凸形的基本形状。8.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于六个反射镜(M1至M6)。9.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：所述反射镜中的至少两个(M1，M3；M1，M2，M3)具有负的主光线角度放大率。10.根据权利要求9所述的成像光学系统，其特征在于：具有正的主光线角度放大率的反射镜(M2)被布置在具有负的主光线角度放大率的两个反射镜(M1，M3)之间。11.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：被引导通过所述最后一个反射镜(M6；62)且居中地通过瞳孔的中心物方点的中心成像光束包围相对于所述像平面(8；57)的大于85°的角度。12.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：被引导通过所述最后一个反射镜(M6；62)的成像光路在所述反射镜中的通孔(23)的区域内具有在中间像平面(22)中的中间像，在所述物平面(4；58)和中间像平面(22)之间的所述光学系统(M1至M4；59，60)的一部分具有至少2倍的缩小率。13.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：被布置成成像光路中的倒数第二个反射镜且将所述成像光反射到所述最后一个反射镜(M6；62)的反射镜(M5；61)具有用于使成像光通过的通孔(24)，所述像平面(7)被布置在所述倒数第二个反射镜(M5)的后面，以偏心不超过所述倒数第二个反射镜(M5)的直径的五分之一。14.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：被布置成成像光路中的倒数第二个反射镜且将所述成像光反射到所述最后一个反射镜(M6；62)的反射镜(M5；61)具有用于使成像光通过的通孔(24)，所述像平面(7)被布置在所述倒数第二个反射镜(M5)的后面，以相对于所述倒数第二个反射镜(M5)居中。15.根据权利要求13所述的成像光学系统，其特征在于：在所述成像光路上的所述倒数第二个反射镜(M5；61)的曲率半径大于500mm。16.根据权利要求13所述的成像光学系统，其特征在于：在所述成像光路上的所述倒数第二个反射镜(M5；61)的曲率半径大于1000mm。17.根据权利要求13所述的成像光学系统，其特征在于：在所述成像光路上的所述倒数第二个反射镜(M5；61)的曲率半径大于1500mm。18.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：所述成像光学系统照明大于1mm2的像方视场(7)。19.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：在像侧上的数值孔径至少为0.4。20.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：在像侧上的数值孔径至少为0.45。21.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：在像侧上的数值孔径至少为0.5。22.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：在像侧上的数值孔径至少为0.55。23.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：在像侧上的数值孔径至少为0.6。24.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：在像侧上的数值孔径至少为0.65。25.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：在像侧上的数值孔径至少为0.7。26.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：其在像侧上是远心的。27.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：物像偏移(dois)小于100mm。28.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：物像偏移(dois)小于10mm。29.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：物像偏移(dois)小于1mm。30.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：所述相邻反射镜(M2，M3；M3，M4；M4，M5；M5，M6)中的至少一对之间的距离垂直于所述物平面(4；58)和所述像平面(8；57)中的至少一个，并且大于所述物方视场和所述像视场之间的距离的40％。31.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：至少一个反射镜(M1至M4；M1，M4)的所使用的反射面具有离不作用于所述反射镜上的最近成像光路的小于25mm的最小距离。32.根据权利要求1所述的成像光学系统，其特征在于：所述成像光(3)被所述反射镜(M6；62)反射到所述像方视场(7)，所述反射镜(M6；62)具有用于使所述成像光(3)通过的通孔(23)，并且是所述成像光路上的最后一个反射镜。33.一种用于微光刻的投影曝光装置包括根据权利要求1所述的成像光学系统(6；35；42；49)；包括用于照明光和成像光(3)的光源(2)；包括用于将所述照明光(3)导向所述成像光学系统(6；35；42；49)的物方视场的透镜系统(5)。34.根据权利要求33所述的投影曝光装置，其特征在于：用于产生所述照明光(3)的光源(2)形成有在10和30mm的波长。35.一种用于制造微结构元件的方法，包括下述步骤：提供刻线(9)和晶片(10)，通过使用根据权利要求33所述的投影曝光装置，将所述刻线(9)上的结构投影到所述晶片(10)的光敏层上，在所述晶片(10)上制造微结构。36.一种微结构元件，其根据权利要求35所述的方法制造。37.包括权利要求1所述的成像光学系统的显微透镜(56)，其条件是，物平面和像平面交换。38.采用根据权利要求37所述的显微透镜检查基片(10)的方法，所述基片将要通过光刻投影曝光装置被曝光或者已经被曝光。”驳回决定认为：权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征在于：（1）至少一个反射镜的反射面是不能用旋转对称函数描述的自由形态表面；（2）所述投影装置为EUV投影曝光装置。区别技术特征（1）被对比文件2公开，区别技术特征（2）属于本领域的常规选择。因此，权利要求1不具备创造性。从属权利要求2-30、32-38的附加技术特征或者被对比文件1公开，或者是本领域的常规技术手段。因而也不具备创造性。卡尔蔡司公司不服，于2013年2月5日向国家知识产权局提出复审请求。经形式审查合格，国家知识产权局于2013年2月19日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。原审查部门在前置审查意见书中仍然认为本申请不具备创造性，因而坚持原驳回决定。随后，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审理。国家知识产权局于2015年2月17日向卡尔蔡司公司发出复审通知书，指出：权利要求1与对比文件1的区别仅在于：至少一个反射镜的反射面是不能用旋转对称函数描述的自由形态表面。而该区别技术特征被对比文件2公开，其解决的技术问题与本申请相同，因而给出了通过采用旋转非对称非球面的反射面来校正光学系统像差的技术启示。因此，权利要求1不具备创造性。从属权利要求2-38的附加技术特征或者被对比文件1公开，或者是本领域的常规技术手段，因此，也不具备创造性。卡尔蔡司公司于2015年6月4日提交了意见陈述书，但未修改申请文件。卡尔蔡司公司认为：（1）旋转非对称非球面的反射面能够校正光学系统像差属于本领域的公知常识缺乏事实支持，实际上，对比文件2并不提供这种支持。对比文件2在特别环境（3D折叠光束光路）中使用自由成形表面校正像差，并没有给出在所用的应用环境下均可以使用自由成形表面校正像差。对比文件1属于二维折叠的光束光路，在对比文件2中出现的像差在对比文件1中不会出现。因此，对比文件2没有给出与对比文件1结合的启示。（2）在完全不同的光学系统中，像差产生的类型和原因存在很大的不同，对比文件2的应用技术领域与本申请的应用技术领域存在巨大差异，对比文件2中的技术特征不能解决对比文件1中的技术问题。本申请和对比文件1的EUV系统的光学系统非常复杂，而对比文件2则是使用棱镜的家用光学元件的光学系统，对比文件2与对比文件1的结合存在技术障碍。另外，卡尔蔡司公司在国家知识产权局坚持本申请不具备创造性的情况下，要求能给予一次口审的机会。2015年9月15日，国家知识产权局作出的第97243号复审请求审查决定（简称被诉决定），认为：1.权利要求1不具备2001年专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求1要求保护一种EUV投影曝光装置中包括至少四个反射镜的成像光学系统，对比文件1实际上也公开了一种EUV投影曝光装置中包括至少四个反射镜的成像光学系统，并且公开了权利要求1中的大部分技术特征，权利要求1相对于对比文件1的区别仅在于：至少一个反射镜的反射面是不能用旋转对称函数描述的自由形态表面。基于该区别技术特征，本申请实际要解决的技术问题是校正成像光学系统的像差。对比文件2公开了一种光学系统及具有该光学系统的电子设备，对比文件2中的光学系统是成像光学系统，反射面22和23为旋转非对称非球面的自由形式表面，旋转非对称非球面的自由表面形式是不能用旋转对称函数描述的自由形态表面。相对于旋转对称的反射面来说，旋转非对称非球面的反射面能校正光学系统的像差属于本领域的公知常识。如上所述，电子校正是校正光学校正留下的部分像差，光学元件20本身也校正像差，如果仅仅是为了反射光线，反射面22和23可以设置成平面形状，如果将反射面22和23设置成旋转非对称非球面形状，使得它们既能反射光线，又能校正像差。而且，对比文件2也属于成像光学领域，在对比文件1的基础上，面对本申请要解决的技术问题时，对比文件2给出了通过采用旋转非对称非球面的反射面来校正光学系统像差的技术启示，本领域技术人员有动机将对比文件1与对比文件2结合，从而得到权利要求1的技术方案。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2得到权利要求1的技术方案是显而易见的，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合2001年专利法第二十二条第三款有关创造性的规定。2.权利要求2-38不具备2001年专利法第二十二条第三款规定的创造性。权利要求2的附加技术特征被对比文件1公开。因此，当权利要求2引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求2也不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求3-5在权利要求1的基础上作了进一步限定。因此，对比文件1公开了权利要求3-5的附加技术特征，在权利要求3-5引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求3-5也不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求6在权利要求3的基础上作出了进一步的限定，对比文件1公开了权利要求6的附加技术特征。因此，在权利要求6引用的权利要求3不具备创造性时，权利要求6也不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求7在权利要求1的基础上作出了进一步的限定，对比文件1公开了权利要求7的附加技术特征。因此，当权利要求7引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求7也不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求8在权利要求1的基础上对反射镜的数量作出了限定，由于对比文件1公开了具有6个反射镜的系统（参见图27）。因此，当权利要求8引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求8也不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求9在权利要求1的基础上作出了限定，对比文件1公开了权利要求9的附加技术特征，当权利要求9引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求9也不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求10在权利要求9的基础上作出了进一步的限定，对比文件1公开了权利要求10的附加技术特征，当权利要求10引用的权利要求9不具备创造性时，权利要求10也不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求11在权利要求1的基础上作出了进一步的限定，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的公知常识得到权利要求11是显而易见的。因此，权利要求11不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求12在权利要求1的基础上作出了进一步的限定，对比文件1公开了权利要求12的附加技术特征，当权利要求12引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求12也不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求13-14在权利要求1的基础上作了进一步的限定，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的常用技术手段得到权利要求13-14是显而易见，权利要求13-14不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求15-17在权利要求13的基础上作出了进一步的限定，当权利要求15-17引用的权利要求13不具备创造性时，权利要求15-17也不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求18在权利要求1的基础上作出了进一步的限定，进一步限定了照明的像方视场大于1mm2。但是，对比文件1在第0161段记载了所述的成像系统在像平面上具有大于1mm维度的区域，也就是说，成像光学系统在像平面上具有大于1mm2的像方视场。因此，当权利要求18引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求18不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款有关创造性的规定。权利要求19-25在权利要求1的基础上对像侧的数值孔径的大小作出了限定，对比文件1实际上公开了权利要求19-25的附加技术特征，当权利要求19-25引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求19-25也不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求26在权利要求1的基础上作出了进一步的限定，进一步限定像侧设计成远心。对比文件1第0048段公开了投影物镜在像平面是远心的。因此，在权利要求26引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求26不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款有关创造性的规定。权利要求27-29在权利要求1的基础上对物像偏移的大小进行了限定。在对比文件1的基础上结合本领域的常用技术手段得到权利要求27-29是显而易见的，权利要求27-29不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合2001年专利法第二十二条第三款有关创造性的规定。权利要求30在权利要求1的基础上作出了进一步的限定，但是由于对比文件1公开了所述的成像系统的反射镜的最大反射角是12度的技术特征。因此，本领域技术人员在设计成像光学系统时会基于反射镜的最大反射角对相临反射镜之间的间距进行调整，从而通过有限次实验，即可得到“相邻反射镜中的至少一对之间的距离垂直于所述物平面和所述像平面中的至少一个，并且大于所述物方视场和所述像视场之间的距离的40％”的技术特征。因此，当权利要求30引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求30也不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求31在权利要求1的基础上对反射镜的反射面与不作用于其上的最近成像光路之间的最小距离作了进一步限定。为了使成像系统的反射镜结构不会过大，入射角尽可能地小，同时又保证反射镜在光路上不会遮挡有用的光线，将该距离设定在一个合适的距离（例如，在本申请中是小于25mm）是本领域的常规选择。因此，当权利要求31引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求31也不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求32在权利要求1的基础上作出了进一步的限定，对比文件1公开了成像光被反射镜SK2反射到像方视场，所述反射镜SK2具有使成像光通过的通孔，并且是成像光路上的最后一个反射镜（参见附图10）。由此可见，当权利要求32引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求32也不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求33涉及一种包括根据权利要求1所述的成像光学系统的用于微光刻的投影曝光装置。如前所述，权利要求1所述的成像光学系统不具备创造性。另外，对比文件1也公开了一种投影曝光装置，包括对比文件1所述的成像光学系统，并且包括用于照明光和成像光的光源110，照明系统120。照明系统120包括准直光束的光学元件，并且将光束122导向分划板140，而用于准直的光学元件必定包括透镜。因此，权利要求33不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款有关创造性的规定。权利要求34在权利要求33的基础上对照明光的波长作出了进一步的限定，其中光源的波长单位有误，“mm”应为“nm”。对比文件1公开了照明光的波长可以是5nm或10nm或30nm。因此，当权利要求34引用的权利要求33不具备创造性时，权利要求34也不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求35涉及一种用于制造微结构元件的方法，对比文件1也公开了一种制造微结构的方法，包括提供分划板140和基片150，通过投影曝光装置，将分划板上的刻线投影到基片上，在所述基片150上形成微结构，而用于制造微结构的基片必定包括光敏层。由于权利要求35所采用的权利要求33的投影曝光装置不具备创造性，并且用晶片作为微光刻的基片属于本领域的公知常识。因此，权利要求35不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求36涉及一种根据权利要求35所述的方法制造的微结构元件，由于权利要求35所述的制造微结构元件的方法不具备创造性。因此，采用该方法制造的微结构元件不具有创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求37涉及一种显微透镜，对于本领域技术人员而言，在显微镜中包括成像光学系统这是本领域的公知常识，由于对比文件1中的成像系统用于将像缩小。因此，本领域技术人员容易想到交换对比文件1中的像平面和物平面，从而实现放大图像的功能。因此，对于本领域技术人员而言，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的常用技术手段得到权利要求37是显而易见的。因此，权利要求37不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求38涉及一种采用根据权利要求37所述的显微透镜检查基片的方法，但是采用显微透镜检查将要通过光刻投影曝光装置被曝光或已经曝光的基片，这是本领域的常用技术手段。因此，当权利要求37所述的显微透镜不具备创造性时，权利要求38也不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。因此，本申请权利要求1-38不具备2001年专利法第二十二条第三款规定的创造性。综上所述，国家知识产权局作出被诉决定，维持驳回决定。卡尔蔡司公司不服并提起诉讼，请求撤销被诉决定。在原审庭审过程中，卡尔蔡司公司明确表示其对被诉决定中的案由、审查文本的认定部分，以及本申请权利要求1与对比文件1的区别技术特征的认定没有异议。同时，卡尔蔡司公司表示在独立权利要求1不具备创造性的前提下，其不再坚持从属权利要求2-12、15-26、30-38具备创造性。北京知识产权法院认为，在对比文件1的基础上结合对比文件2得到本申请权利要求1的技术方案是显而易见的，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合2001年专利法第二十二条第三款有关创造性的规定。鉴于卡尔蔡司公司表示其在独立权利要求1不具备创造性的前提下，其不再坚持从属权利要求2-12、15-26、30-38具备创造性。因而，关于从属权利要求2-12、15-26、30-38不具备创造性的理由，不再赘述。被诉决定对此认定正确，予以确认。从属权利要求13、14、27、28、29亦不符合2001年专利法第二十二条第三款有关创造性的规定。北京知识产权法院依据《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，判决：驳回卡尔蔡司公司的诉讼请求。卡尔蔡司公司不服原审判决，向本院提起上诉，请求撤销原审判决及被诉决定，其主要上诉理由为：本申请权利要求1-38相对于对比文件1和2具备创造性，符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。国家知识产权局服从原审判决。经审理查明：原审法院查明的事实属实，且有被诉决定、对比文件、当事人提交的证据及当事人陈述等在案佐证，本院对此予以确认。本院认为：本案应适用2001年专利法进行审理。2001年专利法第二十二条第三款规定：“创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。”本案中，对比文件1与本专利申请技术领域相同，所要解决的技术问题、技术效果或用途较为接近，可以作为判断本专利创造性的最接近现有技术。在将对比文件1作为最接近的现有技术的前提下，本专利独立权利要求1与对比文件1存在如下区别技术特征：至少一个反射镜的反射面是不能用旋转对称函数描述的自由形态表面。基于该区别技术特征，本申请实际要解决的技术问题是校正成像光学系统的像差。对比文件2公开了一种光学系统及具有该光学系统的电子设备，对比文件2中的光学系统是成像光学系统，反射面22和23为旋转非对称非球面的自由形式表面，旋转非对称非球面的自由表面形式是不能用旋转对称函数描述的自由形态表面。相对于旋转对称的反射面来说，旋转非对称非球面的反射面能校正光学系统的像差属于本领域的公知常识。如上所述，电子校正是校正光学校正留下的部分像差，光学元件20本身也校正像差，如果仅仅是为了反射光线，反射面22和23可以设置成平面形状，如果将反射面22和23设置成旋转非对称非球面形状，使得它们既能反射光线，又能校正像差。而且，对比文件2也属于成像光学领域，在对比文件1的基础上，面对本申请要解决的技术问题时，对比文件2给出了通过采用旋转非对称非球面的反射面来校正光学系统像差的技术启示，本领域技术人员有动机将对比文件1与对比文件2结合，从而得到权利要求1的技术方案。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2得到权利要求1的技术方案是显而易见的，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合2001年专利法第二十二条第三款有关创造性的规定。鉴于卡尔蔡司公司表示其在独立权利要求1不具备创造性的前提下，其不再坚持从属权利要求2-12、15-26、30-38具备创造性。因而，关于从属权利要求2-12、15-26、30-38不具备创造性的理由，本院不再赘述。被诉决定对此认定正确，本院予以确认。权利要求13-14在权利要求1的基础上作了进一步的限定，进一步限定了像平面与倒数第二个反射镜之间的偏心量。对比文件1中SK2是最后一个反射镜，SK1是倒数第二个反射镜并且具有通孔，像平面102在SK2的后面。虽然对比文件1并没有公开所述像平面的偏心程度在不超过反射镜SK1的直径的五分之一，但是本领域技术人员为了使得所述的像平面能够与所述的反射镜SK1对准，通过计算可以得到一定的偏心量。而该偏心量与整个光学系统的反射镜参数有关，至于是像平面与倒数第二个反射镜的偏心为第二反射镜直径的五分之一还是相对第二个反射镜居中，是本领域技术人员不需要付出创造性劳动可以得到的。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的常用技术手段得到权利要求13-14是显而易见，权利要求13-14不具备创造性，不符合2001年专利法第二十二条第三款的规定。权利要求27-29在权利要求1的基础上对物像偏移的大小进行了限定。物像偏移与光学系统的参数有关，尤其与反射镜的直径大小有关，本领域技术人员根据参数可以计算该偏移量，对于本领域技术人员来说，属于本领域的常用技术手段。因此，在对比文件1的基础上结合本领域的常用技术手段得到权利要求27-29是显而易见的，权利要求27-29不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合2001年专利法第二十二条第三款有关创造性的规定。综上，原审判决认定事实清楚，适用法律正确，应予维持。卡尔蔡司公司的上诉理由不能成立，对其上诉请求本院不予支持。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第八十九条第一款第一项之规定，判决如下：驳回上诉，维持原判。一、二审案件受理费各人民币一百元，均由卡尔蔡司SMT有限责任公司负担（均已交纳）。本判决为终审判决。审判长  谢甄珂审判员  孙柱永审判员  曹丽萍二〇二〇年二月二十八日书记员  徐 帆