中华人民共和国北京知识产权法院行 政 判 决 书（2016）京73行初2758号原告惠普发展公司，有限责任合伙企业，住所地��利坚合众国德克萨斯州。法定代表人罗伯特·D·沃森，专利总监。委托代理人罗睿，北京市汉坤律师事务所律师。委托代理人段志超，北京市汉坤律师事务所律师。被告中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会，住所地中华人民共和国北京市海淀区北四环西路9号银谷大厦10－12层。法定代表人葛树，副主任。委托代理人李伟伟，中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会审查员。委托代理人谭颖，中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会审查员。第三人鲍宏伟，女，汉族，1976年10月20日出生，住中华人民共和国北京市海淀区。委托代理人张梅珍，女，汉族，1973年8月6日出生，隆天知识产权代理有限公司专利代理人，住中华人民共和国北京市海淀区。委托代理人章侃铱，男，汉族，1985年7月25日出生，隆天知识产权代理有限公司专利代理人。原告惠普发展公司，有限责任合伙企业（简称惠普公司）因发明专利权无效宣告请求行政纠纷一案，不服被告中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）于2015年11月25日作出的第27390号专利无效宣告请求审查决定（简称被诉决定），于法定期限内向本院提起行政诉讼。本院于2016年6月15日受理本案后，依法组成合议庭，并依法通知被诉决定的利害关系人鲍宏伟作为本案第三人参加诉讼。2016年11月29日，本院依法公开开庭进行了审理。原告惠普公司的委托代理人罗睿、段志超，被告专利复审委员会的委托代理人李伟伟、谭颖，第三人鲍宏伟的委托代理人张梅珍、章侃铱到庭参加了诉讼。本案现已审理终结。被诉决定系专利复审��员会针对鲍宏伟就名称为“能量均衡的喷墨打印头”的第01813337.1号发明专利（简称本专利）提出的无效宣告请求而作出，其中涉及到本专利是否符合《中华人民共和国专利法》（简称专利法）第三十三条、第二十二条第三款、第二十六条第三款、第二十六条第四款、《中华人民共和国专利法实施细则》（简称专利法实施细则）第二十条第一款的相关规定。专利复审委员会经审查作出被诉决定,认定本专利权利要求符合专利法第三十三条、第二十六条第三款、第二十六条第四款以及专利法实施细则第二十条第一款的规定，本专利权利要求4、11及引用权利要求4时的权利要求6-7具备专利法第二十二条第三款的创造性。但本专利权利要求1-3、5和引用权利要求1-3、5时的权利要求6-7、以及权利要求8-10、12不具备专利法第二十二条第三款的创造性。故宣告本专利权利要求1-3、5和引用权利要求1-3、5时的权利要求6-7、以及权利要求8-10、12无效，权利要求4、11及引用权利要求4时的权利要求6-7继续有效。原告惠普公司诉称：被诉决定对证据2中的事实认定不正确，被诉决定将互不兼容的对比文件任意结合在一起，且在没有举证的情况下引入公知常识来否定本专利的创造性是不正确的。本专利权利要求中的相关技术特征不属于本领域的公知常识，本专利的权利要求1-3、5和引用权利要求1-3、5时的权利要求6-7、以及权利要求8-10、12具备创造性，符合专利法第二十二条条第三款的规定。故请求法院依法撤销被诉决定。被告专利复审委员会辩称：坚持被诉决定中的意见。被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法，原告的诉讼理由不能成立，请求法院驳回原告的诉讼请求。第三人鲍宏伟述称：被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法，原告的诉讼理由不能成立，请求法院驳回原告的诉讼请求。本院经审理查明：本专利系申请号为01813337.1，名称为“能量均衡的喷墨打印头”的发明专利,优先权日为2000年7月24日，申请日为2001年1月26日，进入中国国家阶段日期为2003年1月24日。专利权人为惠普公司。本专利授权公告时的权利要求书内容如下：1、一种喷墨打印头，其包括：由衬底和多个薄膜层（11、12、13）形成的打印头；墨滴发生器（40）的纵向阵列（61），其被限定在所述打印头中并与所述打印头的纵向范围对准；结合片（74）；场效应晶体管电路（85）的纵向阵列（81），其邻近所述墨滴发生器形成在所述打印头中并与所述打印头的纵向范围对准；在所述结合片与所述墨滴发生器和所述场效应晶体管电路之间电连接的导电迹线（86、181）；以及其中，所述场效应晶体管电路被分别构造成，补偿由所述电力迹线呈现的寄生电阻的变化。2、如权利要求1所述的喷墨打印头，其特征在于，所述场效应晶体管电路各自的导通电阻被选择成，补偿由所述电力迹线呈现的所述寄生电阻的所述变化。3、如权利要求2所述的喷墨打印头，其特征在于，每个所述场效应晶体管电路包括：漏极（87）；漏极区（89）；使所述漏极与所述漏极区电连接的漏极接点（88）；源极（97）；源极区（99）；以及使所述源极与所述源极区电连接的源极接点（98）；其中，所述漏极区的尺寸确定成，每个所述场效应晶体管电路的导通电阻补偿由所述电力迹线呈现的所述寄生电阻的所述变化。4、如权利要求3所述的喷墨打���头，其特征在于，所述漏极区包括细长的漏极区，每个漏极区包括一连续不接触的区段，该区段具有被选择成设定所述导通电阻的长度。5、如权利要求2所述的喷墨打印头，其特征在于，选择每个所述场效应晶体管电路的尺寸来设定所述导通电阻。6、如权利要求1-5中任一项所述的喷墨打印头，其特征在于，所述电力迹线包括接地母线，该接地母线沿所述打印头的纵向范围延伸并具有一横截于所述打印头的纵向范围的宽度，其沿所述打印头的纵向范围变化。7、如权利要求6所述的喷墨打印头，其特征在于，所述接地母线的所述宽度随着距所述打印头结构的所述纵向分离端中的最近一端的距离的增加而减小。8、一种墨滴发射装置，其包括：包括多个薄膜层（11、12、13）的衬底；限定在所述衬底中的多个墨滴发生器（40）；形成在所述衬底中并分别与所述墨滴发生器连接的多个场效应晶体管电路（85）；结合片；在所述结合片与所述墨滴发生器和所述场效应晶体管电路之间电连接的电力迹线（86、181）；以及其中，所述场效应晶体管电路各自的导通电阻被选择成，补偿由所述电力迹线呈现的寄生电阻的变化。9、如权利要求8所述的墨滴发射装置，其特征在于，选择每个所述场效应晶体管电路的尺寸来设定所述导通电阻。10、如权利要求8所述的墨滴发射装置，其特征在于，每个所述场效应晶体管电路包括：漏极（87）；漏极区（89）；使所述漏极与所述漏极区电连接的漏极接点（88）；源极（97）；源极区（99）；以及使所述源极与所述源极区电连接的源极接点（98）；其中，所述漏极区的尺寸确定成，设定每个所述场效应晶体管电路的导通电���，以便补偿由所述电力迹线呈现的所述寄生电阻的变化。11、如权利要求10所述的墨滴发射装置，其特征在于，所述漏极区包括细长的漏极区，每个漏极区包括一连续不接触的区段，该区段具有被选择成设定所述导通电阻的长度。12、如权利要求8所述的墨滴发射装置，其特征在于，所述衬底具有纵向范围和纵向分离的端部；所述墨滴发生器布置成纵向阵列（61），其被限定在所述衬底中并与所述纵向范围对准；所述场效应晶体管电路布置成纵向阵列（81），其邻近所述墨滴发生器形成在所述衬底中并与所述纵向范围对准；以及所述场效应晶体管电路被构造成具有各自的导通电阻，所述导通电阻随着离开所述纵向分离端部中的最近一个端部的距离增大而减小，以便补偿由所述电力迹线呈现的所述寄生电阻的变化。”针对本专利，鲍宏伟于2015年2月26日向专利复审委员会提出了无效宣告请求，其理由是：本专利不符合专利法第三十三条、第二十六条第三款和第四款、专利法实施细则第二十条第一款的规定，请求宣告本专利权利要求全部无效。经形式审查合格，专利复审委员会于2015年3月23日受理了上述无效宣告请求。鲍宏伟于2015年3月26日提交书面意见，认为本专利权利要求1-12不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定，并补充如下证据：证据1：授权公告日为1998年6月30日、授权公告号为US5774148的美国专利说明书的复印件及相关中文译文，共17页。证据2：授权公告日为1984年10月2日、授权公告号为US4475119的美国专利说明书的复印件及相关中文译文，共18页。其中，证据1公开了一种喷墨打印头（参见证据1中文译文第22-32段、附图），通过芯片13产生的热量将墨滴排出喷嘴。该打印头7的芯片13包括基板34和多个薄膜层。附接到芯片13的外部是喷嘴板66，该喷嘴板66具有一个喷嘴，加热器上方限定腔室，引向喷嘴。芯片13的每侧上是触点29，被来自芯片外的信号驱动。芯片上的电路包括加热器1、电源总线21、地址线23和多个金属氧化物半导体场效应晶体管25。在图4的放大图中显示喷嘴和邻近加热器的MOSFET25呈纵列排布，在打印头内对准。驱动加热器1的电流施加到导电层46（参见证据1中文译文25段），同时导电层46实现了加热器1和晶体管25的连接（参见证据1附图5），次触点40通过导电层46使晶体管25接地（参见证据1附图5），即导电层46包含了导电线，在触点与墨滴发生器和晶体管之间电连接。证据2公开了一种集成电路功率晶体管阵列，用于驱动热打印头元件，在��景技术中记载（参见证据2中文译文06段），当阵列中多个晶体管各自连接到一条公共导线时，沿公共导线会有很大的压降，这会产生提供给沿该公共导线连接的晶体管的信号的变化。证据2的目的是使每个晶体管具有均匀的输出电压（参见证据2中文译文12段），其中晶体管对15通过U型接地金属线20的两支腿16、18与接地金属线20电连接，接地金属线20的两支腿16、18的宽度由上到下逐渐减小，输出功率晶体管对15的发射极的长度由上到下逐渐增大，使其导通电压降发生变化，以补偿接地金属线20的电压降的变化（参见证据2中文译文30-38段、附图）。也就是说，通过晶体管的导通压降补偿导线的压降（参见证据2中文译文15段）。证据2还公开了该晶体管阵列适用于热打印头和其他类型的驱动器电路，晶体管可以是场效应晶体管（参见证据2中文译文最后一段）。针对无效请求书及补充的无效理由和证据，专利权人惠普公司于2015年5月7日、2015年5月25日提交了意见陈述书。专利复审委员会本案合议组分别于2015年5月27日和2015年6月10日将专利权人的两次意见陈述书转给鲍宏伟。并于2015年7月1日举行了口头审理。2015年11月25日，专利复审委员会作出被诉决定。上述事实有经庭审质证的涉案专利授权公告文本、原告提交的证据及当事人陈述等证据在案佐证。本院认为：专利法第二十二条第三款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。所谓突出的实质性特点是指对本领域的技术人员来说,该发明相对于现有技术是非显而易见的,所谓显著的进步是指该发明与现有技术相比能够产生有益的技术效果。判断发明对本领域的技术人员来说是否显而易见,首先要确定最接近的现有技术，即现有技术中与要求保护的发明最密切相关的一个技术方案；然后分析要求保护的发明与最接近现有技术相比有哪些区别特征，进而根据该区别特征所能达到的技术效果确定发明实际解决的技术问题；最后从最接近的现有技术和发明实际解决的技术问题出发，判断现有技术整体上是否存在某种技术启示,即现有技术中是否给出将上述区别技术特征应用到最接近的现有技术以解决发明实际解决的技术问题的启示,这种启示会使本领域的技术人员在面对相应的技术问题时,有动机改进最接近的现有技术并获得要求保护的发明。当上述区别技术特征为公知常识或为与最接近的现有技术相关的技术手段,或者为另一份对比文件披露的相关技术手段,且该技术手段在该对比文件中所起的作用与该区别技术特征在要求保护的发明或者实用新型中为���决相关技术问题所起的作用相同,通常可以认定存在相应的技术启示。本案中，证据1公开了一种喷墨打印头，其与本专利技术领域相同，所要解决的技术问题、技术效果或用途较为接近，可以作为判断本专利创造性的最接近现有技术。根据本院对证据1公开内容的查明可知，其与本专利权利要求1相比较，二者的区别技术特征为：“场效应晶体管电路被分别构造成补偿由所述电力迹线呈现的寄生电阻的变化”。据此可知，本专利权利要求1的技术方案相对于证据1实际要解决的技术问题是如何通过晶体管和电力迹线减小加热电阻的能量变化，使加热电阻的能量更均匀。鉴于惠普公司对于将证据1作为最接近的现有技术、被诉决定对本专利权利要求1与证据1的区别技术特征的归纳均不持异议，故结合各方当事人的诉辩主张，本案的争议焦点为：对于该区���技术特征，现有技术是否给出了技术启示。本案中，根据本院对证据2公开内容的查明可知，证据2公开了一种集成电路功率晶体管阵列，其通过晶体管的导通压降补偿导线的压降。证据2还公开了该晶体管阵列适用于热打印头和其他类型的驱动器电路，晶体管可以是场效应晶体管。因此，证据2实际公开了将晶体管构造成补偿导电线的压降变化的技术方案。而本领域技术人员应当知晓，导电线上的电压变化会影响寄生电阻的变化。在此基础上，本领域技术人员能够从证据2中得到通过设计晶体管的导通电阻来补偿导电线上寄生电阻的变化的技术启示。因此，权利要求1相对于证据1、2和本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。基于同样的理由，本专利权利要求8不具备创造性，不符���专利法第二十二条第三款的规定。从属权利要求2引用权利要求1，进一步限定了通过场效应晶体管的“导通电阻”补偿所述寄生电阻的变化。如前文所述，本领域技术人员能够从证据2中得到技术启示，通过晶体管的导通电阻的设计来补偿导电线上寄生电阻的变化。在其引用的权利要求1不具备创造性的情况下，该从属权利要求2也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。从属权利要求3引用权利要求2，进一步限定晶体管电路的组成和用漏极区的尺寸补偿寄生电阻。其中，晶体管电路包括漏极、漏极区和它们之间的漏极接点、以及源极、源极区和它们之间的源极接点，这属于本领域的公知常识。关于通过漏极区的尺寸选择调节补偿所述寄生电阻，本领域技术人员知晓调节FET晶体管不同区域的尺寸会影响其导通电阻的大小，而FET晶体管的构成决定了其可调整的地方有限，结合证据2给出的技术启示，调节漏极区的尺寸来影响晶体管的导通电阻是容易想到的。在其引用的权利要求2不具备创造性的情况下，该从属权利要求3也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。基于同样的理由，从属权利要求10也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。从属权利要求5引用权利要求2，进一步限定通过选择晶体管的“尺寸”来设定其导通电阻。本领域技术人员均知晓晶体管的尺寸影响其导通电阻，导通电阻的大小又会影响寄生电阻，证据2公开了晶体管的尺寸影响其压降变化的技术方案，压降变化与寄生电阻变化相关，在此基础上，本领域技术人员容易想到选择晶体管的尺寸来实现补偿寄生电阻的目的。在其引用的权利要求2不具备创造性的情况下，该从属权利要求5也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。基于同样的理由，从属权利要求9也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。从属权利要求6引用权利要求1-5的任一项，从属权利要求7引用权利要求6，均对接地母线作进一步限定。关于权利要求7中记载的“纵向分离端中最近一端”指远离结合片74的一端，对应于图8中靠近中间的一端，从属权利要求6、7的附加技术特征实际上所起的作用是通过接地母线的宽度变化补偿寄生电阻的变化，因为接地母线远离结合片时接地母线上的寄生电阻增加，接地母线的宽度变化则可补偿寄生电阻的增大。证据2给出了“接地金属线沿打印头的纵向范围延伸，并具有横截于纵向范围的宽度，该宽度随着其长度增加而减小”的技术启示，并能够通过这样的设计实现补偿压降变化的技术效果。证据2的晶体管阵列适用于热打印头和其他类型的驱动器电路，晶体管可以是场效应晶体管。加之本领域技术人员知晓导电线的长度越长，寄生电阻越大，因此接地母线越远离结合片，则长度越长、寄生电阻越大，在证据2的基础上容易想到将接地母线宽度变化的技术方案用于喷墨打印机的场效应晶体管阵列，并使接地母线越远离结合片宽度越小。因此，在所引用的权利要求1-3、5不具备创造性的情况下，从属权利要求6、7直接或间接引用权利要求1-3、5的技术方案也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。从属权利要求12引用权利要求8。证据1公开了打印头芯片13的基板34，具有纵向范围和与纵向分离的端部，喷嘴和FET晶体管呈纵列分布和对准。证据2公开了接地金属线20的两支腿的宽度由上而下逐渐减小，而晶体管对15的发射极的长度由上到下的增大，本领域技术人员知晓，晶体管的尺寸影响其导通电阻的大小，而电力迹线的长度影响寄生电阻的大小，越是远离结合片，电力迹线越长，其寄生电阻越大，又因为证据2的晶体管被构造成补偿金属线的压降变化。因此，证据2给出了构造晶体管的导通电阻来补偿导电线的寄生电阻的变化的技术启示，本领域技术人员将其用于证据1时容易想到“导通电阻随着离开所述纵向分离端部中的最近一个端部的距离增大而减小，以便补偿由所述电力迹线呈现的所述寄生电阻的变化”。因此，在其引用的权利要求8不具备创造性的情况下，该从属权利要求12也不具备创造性，不符合专利法第二十二条第三款的规定。综上，被诉决定审查程序合法，认定事实清楚，适用法律正确，原告的诉讼请求缺乏事实和法律依据，本院不予支持。依照《中华人民共和国行政诉讼法》第六��九条之规定，本院判决如下：驳回原告惠普发展公司，有限责任合伙企业的诉讼请求。案件受理费人民币一百元，由原告惠普发展公司，有限责任合伙企业负担（已交纳）。如不服本判决，原告惠普发展公司，有限责任合伙企业可在本判决书送达之日起三十日内，被告中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会、第三人鲍宏伟可在本判决书送达之日起十五日内，向本院提交上诉状及副本，并交纳上诉案件受理费人民币一百元，上诉于北京市高级人民法院。审 判 长  卓 锐人民陪审员  宫朝红人民陪审员  曹军庆二〇一七年三月十四日书 记 员  丁 欣