中华人民共和国北京市高级人民法院行 政 判 决 书（2014）高行终字第1474号上诉人（原审原告）浜松光子学株式会社，住所地日本国静冈县浜松市东区市野町1126番地1号。法定代表人神山信治，知识产权部部门经理。委托代理人杨琦，北京尚诚知识产权代理有限公司专利代理人。委托代理人沈娟，北京尚诚知识产权代理有限公司专利代理人。被上诉人（原审被告）中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会，住所地中华人民共和国北京市海淀区北四环西路9号银谷大厦10-12层。法定代表人张茂于，副主任。委托代理人谭颖，中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会审查员。委托代理人孙志敞，中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会审查员。原审第三人苏州德龙激光股份有限公司，住所地中华人民共和国江苏省苏州工业园区苏虹中路77号。法定代表人赵裕兴，总经理。委托代理人姚冠扬，北京市柳沈律师事务所律师。委托代理人张波，北京市柳沈律师事务所专利代理人。上诉人浜松光子学株式会社因发明专利权无效纠纷一案，不服中华人民共和国北京市第一中级人民法院（简称北京市第一中级人民法院）（2014）一中知行初字第569号行政判决，向本院提出上诉。本院于2014年4月28日受理后，依法组成合议庭公开审理了本案。2014年7月17日，上诉人浜松光子学株式会社的委托代理人杨琦、沈娟，被上诉人中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会（简称专利复审委员会）的委托代理人谭颖、孙志敞，原审第三人苏州德龙激光股份有限公司（简称德龙激光公司）的委托代理人姚冠扬、张波到庭接受了本院询问。本案现已审理终结。北京市第一中级人民法院经审理查明：本专利系中华人民共和国国家知识产权局于2010年10月6日授权公告的名称为“激光加工方法和装置，以及半导体芯片及其制造方法”的第200710149118.0号发明专利，其申请日为2001年9月13日，专利权人为浜松光子学株式会社。本专利授权公告时的权利要求书如下：“1.一种激光加工方法，其特征在于：向晶片状的加工对象物内部对准聚光点（condensedpoint）并照射激光，从而沿着所述加工对象物的切割预定线在所述加工对象物的内部形成由多光子吸收产生的改质区域，且在入射至所述加工对象物的激光的入射方向上改变激光的聚光点的位置，从而沿着所述入射方向并列地形成多个所述改质区域，利用多个已形成的所述改质区域，沿着所述加工对象物的切割预定线在距所述加工对象物的激光入射面规定距离的内侧形成成为切割的起点的区域。2.一种激光加工方法，其特征在于：向晶片状的加工对象物内部对准聚光点并照射激光，从而沿着所述加工对象物的切割预定线在所述加工对象物的内部形成改质区域，且在入射至所述加工对象物的激光的入射方向上改变激光的聚光点的位置，从而沿着所述入射方向并列地形成多个所述改质区域，利用多个已形成的所述改质区域，沿着所述加工对象物的切割预定线在距所述加工对象物的激光入射面规定距离的内侧形成成为切割的起点的区域。3.一种激光加工方法，其特征在于：向晶片状的加工对象物内部对准聚光点，并以聚光点上的峰值功率密度为1×108W／cm2以上且脉冲宽度为1μs以下的条件照射激光，从而沿着所述加工对象物的切割预定线在所述加工对象物的内部形成改质区域，且在入射至所述加工对象物的激光的入射方向上改变激光的聚光点的位置，从而沿着所述入射方向并列地形成多个所述改质区域，利用多个已形成的所述改质区域，沿着所述加工对象物的切割预定线在距所述加工对象物的激光入射面规定距离的内侧形成成为切割的起点区域。4.如权利要求1-3中任何一项所述的激光加工方法，其特征在于：多个要形成的所述改质区域逐列依次形成。5.如权利要求1～3中任何一项所述的激光加工方法，其特征在于：多个要形成的所述改质区域，从相对于所述激光入射面远的一方开始依次地形成。6.如权利要求1～3中任何一项所述的激光加工方法，其特征在于：所述改质区域包括，作为在所述加工对象物的所述内部产生了裂纹的区域的裂纹区域，作为在所述内部进行了熔融处理的区域的熔融处理区域，以及作为在所述内部折射率改变了的区域的折射率变化区域中的至少任何一种。7.一种激光加工方法，其特征在于：向由半导体材料构成的晶片状的加工对象物的内部对准聚光点并照射激光，从而沿着所述加工对象物的切割预定线在所述加工对象物的内部形成熔融处理区域，且在入射至所述加工对象物的激光的入射方向上改变激光的聚光点的位置，从而沿着所述入射方向并列地形成多个所述熔融处理区域，利用多个已形成的所述熔融处理区域，沿着所述加工对象物的切割预定线在距所述加工对象物的激光入射面规定距离的内侧形成成为切割的起点的区域。8.如权利要求7所述的激光加工方法，其特征在于：多个要形成的所述熔融处理区域逐列依次形成。9.如权利要求7或8所述的激光加工方法，其特征在于：多个要形成的所述熔融处理区域，从相对于所述激光入射面远的一方开始顺序地形成。10.如权利要求1-3、7、8中任何一项所述的激光加工方法，其特征在于：在形成成为所述切割的起点的区域后，沿着所述切割预定线切割所述加工对象物。11.一种激光加工方法，其特征在于：向加工对象物的内部对准进行了1以外椭圆率的椭圆偏光后的激光的聚光点，且使表示激光的椭圆偏光的椭圆的长轴在所述加工对象物中沿着在第1方向上延伸的多个第1切割预定线的各个而向所述加工对象物照射激光，从而沿着所述第1切割预定线的各个在所述加工对象物的内部形成由多光子吸收产生的第1改质区域；并且，向所述加工对象物的内部对准进行了1以外椭圆率的椭圆偏光后的激光的聚光点，且使表示激光的椭圆偏光的椭圆的长轴在所述加工对象物中沿着在与所述第1方向相交的第2方向上延伸的多个第2切割预定线的各个而向所述加工对象物照射激光，从而沿着所述第2切割预定线的各个在所述加工对象物的内部形成由多光子吸收产生的第2改质区域；以所述第1和所述第2改质区域为切割的起点，沿着所述第1和所述第2切割预定线将所述加工对象物分割为多个芯片。12.如权利要求11所述的激光加工方法，其特征在于：在沿着各个所述第1切割预定线在所述加工对象物的内部形成由多光子吸收产生的所述第1改质区域后，沿着各个所述第2切割预定线在所述加工对象物的内部形成由多光子吸收产生的所述第2改质区域。13.一种激光加工方法，其特征在于：向由半导体材料构成的加工对象物的内部对准进行了1以外椭圆率的椭圆偏光后的激光的聚光点，且使表示激光的椭圆偏光的椭圆的长轴在所述加工对象物中沿着在第1方向上延伸的多个第1切割预定线的各个而向所述加工对象物照射激光，从而沿着所述第1切割预定线的各个在所述加工对象物的内部形成第1熔融处理区域；并且，向所述加工对象物的内部对准进行了1以外椭圆率的椭圆偏光后的激光的聚光点，且使表示激光的椭圆偏光的椭圆的长轴在所述加工对象物中沿着在与所述第1方向相交的第2方向上延伸的多个第2切割预定线的各个而向所述加工对象物照射激光，从而沿着所述第2切割预定线的各个在所述加工对象物的内部形成第2熔融处理区域；以所述第1和所述第2熔融处理区域为切割的起点，沿着所述第1和所述第2切割预定线将所述加工对象物分割为多个芯片。14.如权利要求13所述的激光加工方法，其特征在于：所述椭圆偏光是椭圆率为零的直线偏光。15.一种激光加工方法，其特征在于：向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点并照射激光，从而沿着在所述加工对象物中在第1方向上延伸的多个第1切割预定线的各个，在所述加工对象物的内部形成第1改质区域；并且，沿着在所述加工对象物中在与所述第1方向相交的第2方向上延伸的多个第2切割预定线的各个，在所述加工对象物的内部形成第2改质区域；以所述第1和所述第2改质区域为切割的起点，沿着所述第1和所述第2切割预定线将所述加工对象物分割为多个芯片。16.一种激光加工方法，其特征在于，包括如下工序：向固定在具有弹性的薄片上的晶片状加工对象物的内部对准聚光点并照射激光，从而在所述加工对象物中沿着在第1方向上延伸的多个第1切割预定线的各个，在所述加工对象物的内部形成第1改质区域；并且，在所述加工对象物中沿着在与所述第1方向相交的第2方向上延伸的多个第2切割预定线的各个，在所述加工对象物的内部形成第2改质区域的工序；和经由所述薄片向所述加工对象物施加应力，从而以所述第1和所述第2改质区域为切割的起点，沿着所述第1和所述第2切割预定线将所述加工对象物分割为多个芯片的工序。17.一种激光加工装置，是在加工对象物的内部形成成为切割的起点的改质区域的激光加工装置，其特征在于：具有载置所述加工对象物的载置台，出射激光的激光光源，向载置于所述载置台上的所述加工对象物的内部汇聚从所述激光光源出射的激光，并在该激光的聚光点的位置上形成改质区域的汇聚用透镜，控制所述载置台的移动的控制部；所述控制部，以规定位置为基准使所述载置台或者所述汇聚用透镜在所述加工对象物的厚度方向上仅移动第1移动量，以使激光的聚光点位于所述加工对象物的内部，并在使所述载置台相对于所述加工对象物的厚度方向固定的状态下，使所述载置台在与所述加工对象物的厚度方向垂直的方向上移动，以使激光的聚光点沿着所述加工对象物的切割预定线移动；然后以所述规定位置为基准使所述载置台或者所述汇聚用透镜在所述加工对象物的厚度方向上仅移动第2移动量，以使激光的聚光点位于所述加工对象物的内部，并在使所述载置台相对于所述加工对象物的厚度方向固定的状态下，使所述载置台在与所述加工对象物的厚度方向垂直的方向上移动，以使激光的聚光点沿着所述切割预定线移动。18.如权利要求17所述的激光加工装置，其特征在于：所述规定位置为所述加工对象物的激光入射面。19.如权利要求17所述的激光加工装置，其特征在于：所述控制部，至少根据所述加工对象物的厚度和折射率决定所述第1移动量和所述第2移动量。20.如权利要求17或19所述的激光加工装置，其特征在于：所述规定位置是，使规定的可视光的焦点位于载置于所述载置台上的所述加工对象物的表面时的所述载置台的位置。21.一种激光加工方法，其特征在于，包括如下工序：向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点并照射激光，从而在所述加工对象物中沿着在第1方向上延伸的多个第1切割预定线的各个，在所述加工对象物的内部形成第1改质区域的工序；向所述加工对象物的内部对准聚光点并照射激光，从而在所述加工对象物中沿着在与所述第1方向大致垂直的第2方向上延伸的多个第2切割预定线的各个，在所述加工对象物的内部形成第2改质区域的工序；和以所述第1和所述第2改质区域为切割的起点，沿着所述第1和所述第2切割预定线将所述加工对象物分割为多个芯片的工序。22.如权利要求21所述的激光加工方法，其特征在于：所述改质区域为熔融处理区域。23.如权利要求21所述的激光加工方法，其特征在于：所述改质区域为裂纹区域。24.如权利要求21所述的激光加工方法，其特征在于：所述改质区域为折射率变化区域。25.如权利要求21所述的激光加工方法，其特征在于：所述加工对象物为半导体材料基板。26.如权利要求21所述的激光加工方法，其特征在于：所述加工对象物为玻璃基板。27.如权利要求21所述的激光加工方法，其特征在于：所述加工对象物为压电材料基板。28.如权利要求21所述的激光加工方法，其特征在于：所述改质区域为熔融处理区域，所述熔融处理区域是，由单晶构造改变为非晶构造的区域，由单晶构造改变为多晶构造的区域，或由单晶构造改变为包含非晶构造和多晶构造的构造的区域。29.一种激光加工装置，是在晶片状的加工对象物的内部形成成为切割的起点的改质区域的激光加工装置，其特征在于，具有：载置所述加工对象物的载置台；出射脉冲激光的激光光源；向载置于所述载置台上的所述加工对象物的内部汇聚从所述激光光源出射的脉冲激光，并利用1个脉冲的脉冲激光的照射，在其脉冲激光的聚光点的位置上形成改质点的汇聚用透镜；和控制部，该控制部具有如下功能，使相邻的所述改质点间的距离大致一定地，利用沿着所述加工对象物的切割预定线而形成的多个所述改质点形成所述改质区域，为此，在使所述脉冲激光的聚光点位于所述加工对象物的内部的状态下，使脉冲激光的重复频率和脉冲激光的聚光点的移动速度大致一定，并使脉冲激光的聚光点沿着所述切割预定线直线移动。30.如权利要求29所述的激光加工装置，其特征在于：所述控制部，控制所述载置台和所述汇聚用透镜的至少1者的移动。31.一种半导体芯片，其特征在于：从半导体材料基板切割而得的切割面由到达基板的表面和背面的破裂形成，且，其厚度方向上的内部的一部分由熔融处理区域形成，该熔融处理区域是，通过激光照射，由单晶构造改变为非晶构造的区域，由单晶构造改变为多晶构造的区域，或由单晶构造改变为包含非晶构造和多晶构造的构造的区域，所述厚度方向上的所述熔融处理区域的位置在相互垂直的所述切割面中不同。32.如权利要求31所述的半导体芯片，其特征在于：所述熔融处理区域在所述切割面的厚度方向上并列为多个。33.如权利要求31所述的半导体芯片，其特征在于：所述一部分包括所述切割面的厚度方向上的中央部分。34.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，包括如下工序：向半导体基板的内部对准聚光点并照射激光，从而在所述半导体基板中沿着在第1方向上延伸的多个第1切割预定线的各个，在所述半导体基板的内部形成第1改质区域；并且在所述半导体基板中在沿着与所述第1方向相交的第2方向上延伸的多个第2切割预定线的各个，在所述半导体基板的内部形成第2改质区域的工序；以所述第1和所述第2改质区域为切割的起点，沿着所述第1和所述第2切割预定线切割所述半导体基板，从而得到具有形成了所述第1或所述第2改质区域的切割面的多个半导体芯片的工序；所述第1和所述第2改质区域与所述半导体基板的表面和背面分离。35.如权利要求34所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于：所述半导体芯片被形成了所述第1或所述第2改质区域的切割面包围。36.如权利要求34或35所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于：所述第1和所述第2改质区域为熔融处理区域。”2012年3月12日，德龙激光公司针对本专利向专利复审委员会提出无效宣告请求，同时提交了如下证据：证据1-1：公开日为1985年10月8日，公开号为US4546231的美国专利说明书的复印件及其中文译文，共15页。证据1-2：公开日为1992年4月13日，公开号为JP平4-111800的日本专利申请公开特许公报的复印件及其中文译文，共8页。证据1-3：名称为《采用超短波激光脉冲的激光烧蚀和微型加工》，作者为X.LIU，D.DU和G.Mourou，发表于IEEE期刊《量子电子学》第33卷第10号，1997年10月出版的英文期刊复印件及其部分译文，共12页。证据1-4：公开日为1997年9月24日，公开号为CNll60228A的中国发明专利申请公开说明书复印件，共17页。证据1-5：公开日为1990年3月13日，公开号为US4908493的美国专利说明书的复印件及其部分中文译文，共16页。证据1-6：公开日为1983年7月12日，公开号为US4392476的美国专利说明书的复印件及其中文译文，共18页。2012年6月6日，专利复审委员会就该无效宣告请求进行了口头审理。在口头审理中，德龙激光公司明确其无效理由为：本专利权利要求1-10、15、21-30、16不符合《中华人民共和国专利法》（简称《专利法》）第三十三条的规定；权利要求1-10、15、21-30、16不符合《专利法》第二十六条第四款的规定；权利要求1-10、15、16、21-30不符合《中华人民共和国专利法实施细则》（简称《专利法实施细则》）第二十条第一款的规定；权利要求1-6、15、17、18、21、23-27、34-35不符合《专利法》第二十二条第二款的规定；权利要求1-36不符合《专利法》第二十二条第三款的规定。2012年7月18日，德龙激光公司针对本专利再次向专利复审委员会提出了无效宣告请求，其理由是本专利权利要求1-36不具备《专利法》第二十二条第三款规定的创造性。德龙激光公司提交了如下证据：证据2-1：日本专利局颁发的作为本专利优先权的申请日为2000年9月13日，申请号为JP特开2000-278306的证明文件副本复印件，共38页。证据2-2：授权公告日为2001年4月3日，授权公开号为US6211488B1的美国专利说明书的复印件及其部分中文译文，共33页。证据2-2公开了一种利用激光起始划刻来切割非金属基板的方法和装置，并具体公开了如下技术内容：“该用于切割非金属基板的方法，优选应用于分割玻璃基板，也可用于切开其他类型的非金属易碎基板，诸如石英、石英玻璃、陶瓷、硅、蓝宝石和各种其他电子和光学材料。该方法包括在基板的上表面与下表面之间形成裂纹，并且该裂纹不竖直地延伸至上表面和下表面。在形成裂纹之后，使该裂纹扩展从而对基板进行分割。基板4起始由激光进行划刻，划刻起始装置24在基板4中的切割线45的开始处形成小裂纹或“微裂纹”。划刻光束42从由划刻起始装置24形成的起始微裂纹开始沿着切割线45加热基板4，冷却流44沿着切割线45从基板4移除热量，由此热量冲击基板4的那一区域并且沿着切割线45使微裂纹扩展。断裂光束46和48加热微裂纹两侧上的区域从而产生施加到那里的拉力，大小足以沿着切割线45从微裂纹到底表面分割该基板4。该激光划刻起始装置优选地包括脉冲激光34和透镜35。该脉冲激光34采用通常称为单脉冲激光的激光。Z-驱动器38允许透镜35进行竖直调节，使得激光34的聚焦点37可以按照需要沿竖直方向定位在基板4内部。在优选布置中，该脉冲激光的聚焦点处于基板4的厚度内部，稍微低于基板4的上表面。例如，对于具有大概1毫米厚度的玻璃片，聚焦点应当为5-50％或者离开上表面0.05-0.50毫米，优选为大约0.1毫米。但是，该聚焦点的优选深度可以取决于将要被切割的基板的厚度。通过透镜35的脉冲激光34在基板中产生孔隙37，该孔隙37处于离开基板4的边缘向内的特定距离，处于基板4的上表面的下方。这是通过下述方式实现的，将处于那一小区域中的材料熔融，该材料随后变为具有不同的形态，作为基板4的一部分。所引发的孔隙37将典型地形成类似于星爆产生的放射性光芒的微小形状。该脉冲激光器34可以施加于从基板4的第一边缘开始向内的一个小预定距离。可选择地，该脉冲激光器34可以应用于从基板4的一端至另一端。如果激光器34仅向内施加预定的距离，那么优选地在基板4的远端重启动激光器34，从而在远端设置孔隙，这样，微裂纹将直线延伸直到远边缘，并且将不易于沿着形成在基板边缘上或者边缘内部的瑕疵方向改变方向。在切割玻璃的优选实施例中，钇铝石榴石或“Nd：YAG”激光是理想的。如果基板4为玻璃，那么优选地使用1．06微米的波长和100皮秒至40纳秒范围优选1纳秒的脉冲宽度。但是，可使用其他激光类型和参数，根据将要被切割的基板的厚度的类型，可以优选其他类型和参数。证据2-3：公开日为1985年10月8日，公开号为US4546231的美国专利说明书的复印件及其中文译文，共15页。证据2-3公开了一种在晶体结构中产生分割区域的方法，该方法通过激光在诸如金刚石的晶体材料中产生分割区域，从而将晶体结构分割为两个或者多个分离件，激光束20通过窗口14进入金刚石12，该窗口将聚焦的激光束传递至区域18，区域18用作初始聚光点F，该激光束导致金刚石的结构产生物理变化，从而形成实际损伤点，分割区域13由多个连续的实际损伤点形成，通过将焦点F移动至一系列新的位置，第一柱体27得以产生，产生实际损伤点的第一柱体27之后，连续的、重叠的柱体27得以产生；该分割区域可以是竖直、水平、沿着轮廓线或者前述情况的任何组合，金刚石可以通过产生多于一个的分割区域而被分割成多个部分。证据2-4：公开日为1992年4月13日，公开号为JP平4-111800A的日本专利公开特许公报的复印件及其中文译文，共8页。证据2-4公开了一种透射性材料的切割加工方法，该方法通过对准焦点将无法被石英玻璃等透射性材料吸收的高能光束照射透射性材料内部，通过使透射性材料内部产生微小的裂缝来对透射性材料进行切割加工，该方法通过多光子产生吸收，由此会产生结合带开裂或者产生发热作用从而在内部产生微小裂缝。证据2-5：公开日为1990年3月13日，公开号为US4908493的美国专利说明书的复印件及其部分中文译文，共16页。证据2-5公开了一种对材料进行激光处理的方法和设备，该方法和设备包含了在线性偏振电磁辐射中，激光束中的所有波前峰的E场分量在方向上彼此对齐，即电场仅沿一个方向震荡，这也通常称为电矢量或E矢量。证据2-6：名称为《通过飞秒激光在石英和相关材料中写入波导和光栅》，作者为K.Hirao和K.Miura，发表于《非晶体固体期刊》，239（1998）91-95的英文期刊文章的复印件及其中文译文，共10页。证据2-6公开了在玻璃中的光子引发和非线性光学效果，通过飞秒激光在石英和相关材料中写入波导和光栅，并具体公开了如下技术内容：“使用再生放大的、810纳米、Ti：蓝宝石激光，其发射120飞秒、200kHz的锁模脉冲并且输送975mw的平均功率。对于所有的平移速度和方向，结构性变化会沿着由激光的聚焦点横向形成的路径而引发，无色、透明、线性损伤点会产生在玻璃内部，诸如石英、氟化物、SFG（铅硅玻璃，Hoya）和硫属玻璃。因此，处于焦点处的激光束的峰值功率被集中至高达1014w／cm2，这足以引起非线性多光子吸收”。证据2-7：与本专利对应的国际公开日为2002年3月21日，国际公开号为WO02／22301A1的PCT申请国际公开文本复印件，共202页。德龙激光公司认为：（1）本专利的授权文本与作为优先权文献的证据2-1相比，存在非常大的差异，证据2-1不能作为本专利要求优先权的基础，本专利不能要求日本专利申请2000-278306的优先权，不能享受2000年9月13日的优先权日。（2）权利要求1-6、15、17、18、21、23-27、34-35与证据2-2和证据2-3的结合相比不具备创造性；权利要求7-10、22、36与证据2-2、证据2-3和证据2-4的结合相比不具备创造性；权利要求11-14与证据2-2、证据2-3、证据2-4和证据2-5的结合相比不具备创造性；权利要求16、19、20、24、29、30与证据2-2、证据2-3和本领域公知常识的结合相比不具备创造性；权利要求28、31-33与证据2-2、证据2-3、证据2-4和公知常识的结合相比不具备创造性；权利要求3与证据2-2、证据2-3和证据2-6的结合相比不具备创造性。2012年8月20日，德龙激光公司提交了意见陈述书，增加了如下无效理由：（1）本专利权利要求1-10、15、16、21-30不符合《专利法》第三十三条的规定。（2）本专利权利要求1-15、17-36不具备创造性。具体为：权利要求1-6、17-18和29-30与证据2-2和证据2-8的结合相比不具备创造性；权利要求15、21、23、24、25-27、34和35与证据2-2、证据2-3和证据2-8的结合相比不具备创造性；权利要求7-10与证据2-2、证据2-4和证据2-8的结合相比不具备创造性；权利要求22和36与证据2-2、证据2-3、证据2-4和证据2-8的结合相比不具备创造性；权利要求28和31-33与证据2-2、证据2-3、证据2-4和证据2-8和公知常识的结合相比不具备创造性；权利要求11-12与证据2-2、证据2-3、证据2-5和证据2-8的结合相比不具备创造性；权利要求13-14与证据2-2、证据2-3、证据2-4、证据2-5和证据2-8的结合相比不具备创造性；权利要求19和20与证据2-2、证据2-8和公知常识的结合相比不具备创造性。同时提交了证据2-1和证据2-7的中文译文及如下证据：证据2-8：国际公开日为2000年6月8日，国际公开号为W000／32349A1的国际PCT申请说明书复印件及其部分中文译文，共32页。2012年9月27日，专利复审委员会就该无效宣告请求进行了口头审理。2013年6月21日，专利复审委员会作出第20867号无效宣告请求审查决定（简称第20867号决定）。专利复审委员会在该决定中认定：一、本专利权利要求1-10、15、16、21-30符合《专利法实施细则》第二十条第一款的规定。二、本专利权利要求1-10、15、16、21-30符合《专利法》第三十三条的规定。三、本专利权利要求1-10、15、16、21-30符合《专利法》第二十六条第四款的规定。四、本专利优先权文件中并未记载本专利全部独立权利要求1、2、3、7、11、13、15、16、17、21、29、31和34的技术方案，它们和本专利不属于相同主题，因此，浜松光子学株式会社就其提交的优先权文本不能享有优先权，应当以本专利的申请日2001年9月13日作为评价本专利新颖性和创造性所依据的现有技术的时间。五、本专利权利要求1-6、15、17、18、21、23-27、34-35相比证据1-1具有新颖性，符合《专利法》第二十二条第二款的规定。六、关于创造性1、权利要求1相比证据2-2、2-3、2-4不具备创造性。2、权利要求2相比证据2-2、2-3不具备创造性。3、权利要求3相比证据2-2、2-3、2-6不具备创造性。4、权利要求4-6的附加技术特征已被证据2-3公开，由于其引用的权利要求1-3不具备创造性，权利要求4-6也不具备创造性。5、权利要求7相比证据2-2、2-3不具备创造性。权利要求8、9的附加技术特征已被证据2-3公开，由于权利要求7不具备创造性，其从属权利要求8、9也不具备创造性。6、权利要求10为权利要求1-3、7、8的从属权利要求。当权利要求10引用权利要求1时，相比证据2-2、证据2-3和证据2-4的结合不具备创造性。当权利要求10引用权利要求2时，相比证据2-2和证据2-3不具备创造性。当权利要求10引用权利要求3时，相比证据1-1、证据1-2具备创造性；相比证据2-2、证据2-3和证据2-4的结合具备创造性；相比证据2-2、证据2-4和证据2-8的结合具备创造性。当权利要求10引用权利要求7或8时，相比证据2-2、证据2-3不具备创造性。7、权利要求11相比证据2-2、证据2-3、证据2-4、证据2-5不具备创造性。证据2-3给出了权利要求12附加技术特征的技术启示，由于其引用的权利要求11不具备创造性，权利要求12也不具备创造性。8、权利要求13相比证据2-2、证据2-3、证据2-5不具备创造性。权利要求14的附加特征已被证据2-5公开，由于其引用的权利要求13不具备创造性，权利要求14也不具备创造性。9、权利要求15相比证据2-2、证据2-3、证据2-8不具备创造性。10、权利要求16相比证据1-1和公知常识的结合，或相比证据2-2、证据2-3和公知常识的结合具备创造性。11、权利要求17相比证据2-2和证据2-8不具备创造性。权利要求18的附加技术特征被证据2-2公开，在其引用的权利要求17不具备创造性时，权利要求18也不具备创造性。权利要求19的附加技术特征是本领域常用技术手段，在其引用的权利要求17不具备创造性时，权利要求19也不具备创造性。权利要求20的附加技术特征是本领域的常用技术手段和常规选择，在其引用的权利要求17、19不具备创造性时，权利要求20也不具备创造性。12、权利要求21相比证据2-2、证据2-3和证据2-8不具备创造性。权利要求22的附加技术特征被证据2-4公开，相比证据2-2、证据2-3、证据2-4、证据2-8，权利要求22不具备创造性。权利要求23、24的附加技术特征被证据2-3公开，由于它们引用的权利要求21不具备创造性，权利要求23、24相比证据2-2、证据2-3、证据2-8不具备创造性。权利要求25-27的附加技术特征被证据2-8公开，由于它们引用的权利要求21不具备创造性，权利要求25-27相比证据2-2、证据2-3、证据2-8不具备创造性。权利要求28的附加技术特征被证据2-4公开，由于其引用的权利要求21不具备创造性，权利要求28相比证据2-2、证据2-3、证据2-4、证据2-8和公知常识不具备创造性。13、权利要求29相比证据2-2、证据2-3和公知常识不具备创造性。权利要求30的附加技术特征已被证据2-2公开，在其引用的权利要求29不具备创造性时，权利要求30相比证据2-2、证据2-3和公知常识也不具备创造性。14、权利要求31相对于证据2-2、证据2-8和公知常识的结合不具备创造性。权利要求32的附加技术特征被证据2-8公开，在其引用的权利要求31不具备创造性时，权利要求32也不具备创造性。权利要求33的附加技术特征被证据2-2公开，在其引用的权利要求31不具备创造性时，权利要求33也不具备创造性。15、权利要求34相比证据2-2、证据2-3、证据2-8不具备创造性。权利要求35的附加技术特征被证据2-3公开，在其引用的权利要求34不具备创造性的基础上，权利要求35也不具备创造性。权利要求36的附加技术特征已被证据2-2公开，在其引用的权利要求34或35不具备创造性时，权利要求36也不具备创造性。综上，专利复审委员会决定：宣告本专利的权利要求1-9、11-15、17-36以及引用权利要求1-2、7-8的权利要求10无效，在引用权利要求3的权利要求10和权利要求16的基础上维持本专利有效。浜松光子学株式会不服专利复审委员会作出的第20867号决定并提起诉讼，请求撤销第20867号决定。北京市第一中级人民法院认为，专利复审委员会依职权引入权利要求1相比证据2-2、证据2-3和证据2-4不具有创造性的无效理由并无不当。浜松光子学株式会有关本专利权利要求15、21、29、34及其从属权利要求23-27、30、35应享有优先权的主张不能成立。证据2-2的公开日在本专利申请日之前，可以用来评价本专利的创造性。本专利权利要求1相比证据2-2、证据2-3和证据2-4的结合不具备创造性。权利要求2相比证据2-2和证据2-3的结合不具备创造性。权利要求3相比证据2-2、证据2-3和证据2-6的结合不具备创造性。由于权利要求1-3不具备创造性，且证据2-3公开了权利要求4-6的附加技术特征，故本专利权利要求4-6也不具备创造性。本专利权利要求7相比证据2-2和证据2-3的结合不具备创造性。权利要求8和9的附加技术特征被证据2-3公开，在权利要求7不具备创造性的情况下，直接或间接的从属于权利要求7的权利要求8、9也不具备创造性。权利要求10的附加技术特征已经被证据2-3公开，在其引用的确立要求不具有创造性的基础上，权利要求10也不具备创造性。权利要求11相比证据2-2、证据2-3、证据2-4、证据2-5不具备创造性。权利要求12的附加技术特征被证据2-3公开，由于其引用的权利要求11不具备创造性，权利要求12也不具备创造性。权利要求13相比证据2-2、证据2-3、证据2-5不具备创造性。权利要求14的附加特征已经被证据2-5公开，由于其引用的权利要求13不具备创造性，故权利要求14也不具备创造性。权利要求15相比证据2-2、证据2-3、证据2-8不具备创造性。权利要求17相比证据2-2、证据2-8不具备创造性。权利要求18的附加技术特征已被证据2-2公开，在其引用的权利要求17不具备创造性时，权利要求18也不具备创造性。权利要求19是本领域技术人员在激光加工方法中根据实际需要采取的常用技术手段，在其引用的权利要求17不具备创造性时，权利要求19也不具备创造性。权利要求20的附加技术特征是本领域常用的技术手段，在其引用的权利要求17、19不具备创造性时，权利要求20也不具备创造性。权利要求21相比证据2-2、证据2-3、证据2-8不具备创造性。权利要求22-28是权利要求21的从属权利要求，在权利要求21不具备创造性的情况下，其从属权利要求22-28也不具备创造性。权利要求29相比证据2-2、证据2-3和公知常识不具备创造性。权利要求30相比证据2-2、证据2-3和公知常识的结合不具备创造性。权利要求31相对于证据2-2、证据2-8和公知常识的结合不具备创造性。在其引用的权利要求31不具备创造性时，权利要求32、33也不具备创造性。权利要求34相比证据2-2、证据2-3、证据2-8不具备创造性。权利要求35的附加技术特征已经证据2-3公开，故权利要求35也不具备创造性。权利要求36的附加技术特征已被证据2-2公开，故权利要求36也不具备创造性。综上，本专利权利要求1-9、引用权利要求1-2、7-8的权利要求10、权利要求11-15、权利要求17-36不具备创造性，不符合《专利法》第二十二条第三款的规定。综上所述，第20867号决定主要证据充分，适用法律正确，程序合法，依法应予维持。据此，北京市第一中级人民法院依照《中华人民共和国行政诉讼法》第五十四条第（一）项之规定，判决：维持中华人民共和国国家知识产权局专利复审委员会于二○一三年六月二十一日作出的第20867号无效宣告请求审查决定。浜松光子学株式会社不服原审判决并向本院提起上诉，请求撤销原审判决和第20867号决定。浜松光子学株式会社的主要上诉理由为：原审法院违反行政诉讼的有关原则，未给予当事人必要的陈述意见机会，几乎完全照搬第20867号决定，且对当事人提交的代理词处理不当；原审法院对优先权和创造性问题适用法律错误，至少本专利权利要求15、21、23—27、29、30、34、35能够享有优先权；原审法院对本专利记载的技术方案及证据公开的技术内容的事实认定错误，本专利全部权利要求均具有创造性。专利复审委员会与德龙激光公司服从原审判决。本院经审理查明，原审判决查明事实清楚，证据采信得当，且有本专利授权公告文本、第20867号决定、浜松光子学株式会社两次向专利复审委员会提交的证据及当事人陈述、笔录等证据在案佐证，证据充分，本院对原审法院查明的事实予以确认。本院认为：人民法院审理行政案件，以事实为根据，以法律为准绳，对具体行政行为是否合法进行审查，并依法实行合议、回避、公开审判和两审终审制度。经审查，原审法院对本案实行公开开庭审理，当事人在原审庭审时也进行了充分辩论，原审法院也接受了当事人在庭审结束后提交的书面代理词。此外，原审法院在经审理确认专利复审委员会作出的第20867号决定认定事实清楚、主要证据充分、适用法律正确及程序合法的基础上，采用与第20867号决定相同的理由作出原审判决并无不当。因此，浜松光子学株式会社有关原审法院违反行政诉讼的有关原则，未给予当事人必要的陈述意见机会且对当事人提交的代理词处理不当的上诉理由缺乏依据，本院不予支持。根据《中华人民共和国立法法》第八十四条并参照国家知识产权局制定的《施行修改后的专利法的过渡办法》的规定，本案应适用2001年《专利法》及相应的2002年《专利法实施细则》进行审理。2001年《专利法》第二十九条规定：“申请人自发明或者实用新型在外国第一次提出专利申请之日起十二个月内，或者自外观设计在外国第一次提出专利申请之日起六个月内，又在中国就相同主题提出专利申请的，依照该外国同中国签订的协议或者共同参加的国际条约，或者依照相互承认优先权的原则，可以享有优先权。申请人自发明或者实用新型在中国第一次提出专利申请之日起十二个月内，又向国务院专利行政部门就相同主题提出专利申请的，可以享有优先权。”第三十条规定：“申请人要求优先权的，应当在申请的时候提出书面声明，并且在三个月内提交第一次提出的专利申请文件的副本；未提出书面声明或者逾期未提交专利申请文件副本的，视为未要求优先权。”2002年《专利法实施细则》第三十二条规定：“申请人依照专利法HYPERLINK"http：／／129.0.0.24：9000／showtxtdbsType=chl&dbsText=中国法律法规规章司法解释数据&file=&multiSearch=false&dbn=chl&fn=chl166s131.txt&rjs0=中华人民共和国专利法（2000修订）&upd=1&term=30"l"30"第三十条的规定办理要求优先权手续的，应当在书面声明中写明第一次提出专利申请（以下称在先申请）的申请日、申请号和受理该申请的国家；书面声明中未写明在先申请的申请日和受理该申请的国家的，视为未提出声明。要求外国优先权的，申请人提交的在先申请文件副本应当经原受理机关证明；提交的证明材料中，在先申请人的姓名或者名称与在后申请的申请人姓名或者名称不一致的，应当提交优先权转让证明材料；要求本国优先权的，申请人提交的在先申请文件副本应当由国务院专利行政部门制作。”申请人主张优先权的，在后申请中的各项权利要求所述技术方案应当清楚地记载在在先申请的文件中。本案中，本专利权利要求15、21、29中记载有“晶片状”，权利要求15、21、34中记载有“第2切割预定线”，而该技术内容并未记载在浜松光子学株式会社主张优先权的在先申请文本中，且也没有有效证据表明该技术内容属于本领域技术人员能够从在先申请中直接且毫无疑义地确定的技术内容。因此，原审法院未支持浜松光子学株式会社有关本专利权利要求15、21、23—27、29、30、34、35能够享有优先权的主张并无不当，浜松光子学株式会社有关至少本专利权利要求15、21、23—27、29、30、34、35能够享有优先权的上诉理由缺乏依据，本院不予支持。2001年《专利法》第二十二条第三款规定：“创造性，是指同申请日以前已有的技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。”所谓实质性特点是指对本领域的技术人员来说，该发明或者实用新型相对于现有技术是非显而易见的，所谓进步是指该发明或者实用新型与现有技术相比能够产生有益的技术效果。判断发明或实用新型对本领域的技术人员来说是否显而易见，要确定的是现有技术整体上是否存在某种技术启示，即现有技术中是否给出将该发明或者实用新型的区别技术特征应用到最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示，这种启示会使本领域的技术人员在面对相应的技术问题时，有动机改进最接近的现有技术并获得该发明或者实用新型专利技术。当上述区别技术特征为公知常识或为与最接近的现有技术相关的技术手段，或者为另一份对比文件披露的相关技术手段，且该技术手段在该对比文件中所起的作用与该区别技术特征在要求保护的发明或者实用新型中为解决相关技术问题所起的作用相同，通常可以认定存在相应的技术启示。本案中，德龙激光公司在无效程序中提出了权利要求10相比证据2-2、证据2-3和证据2-4结合或者证据2-2、证据2-4和证据2-8结合不具备创造性的理由，而权利要求10是引用权利要求1-3、7、8的从属权利要求，其包含了引用权利要求1的技术方案。因此，专利复审委员会依职权引入权利要求1相比证据2-2、证据2-3和证据2-4不具有创造性的无效理由并无不当本专利权利要求1要求保护一种激光加工方法，证据2-2公开了一种利用激光起始划刻来切割非金属基板的方法和装置，本专利权利要求1相对于证据2-2的区别技术特征在于：1、激光在并列的两个方向上形成内部裂纹，证据2-2仅在一个方向上形成内部裂纹；2、多光子吸收，证据2-2未说明激光吸收的种类。针对上述区别技术特征1，证据2-3公开了一种在晶体结构中产生分割区域的方法，该方法通过激光在诸如金刚石的晶体材料中产生分割区域，从而将晶体结构分割为两个或者多个分离件，分割区域由多个连续的实际损伤点形成，通过将焦点F移动至一系列新的位置，第一柱体27得以产生，产生实际损伤点的第一柱体27之后，连续的、重叠的柱体27得以产生；该分割区域可以是竖直、水平、沿着轮廓线或者前述情况的任何组合，金刚石可以通过产生多于一个的分割区域而被分割成多个部分。因此，证据2-3公开了上述区别特征1。证据2-4公开了一种透射性材料的切割加工方法，该方法通过高能光束照射透射性材料内部产生微小的裂缝来对透射性材料进行切割加工，其通过多光子产生吸收。因此，证据2-4公开了上述区别技术特征2，给出了将该区别特征结合至证据2-2的技术启示。权利要求1相比证据2-2、证据2-3和证据2-4的结合不具备创造性。本专利权利要求2要求保护一种激光加工方法，其相对于证据2-2的区别技术特征在于：激光在并列的两个方向上形成内部裂纹，证据2-2仅在一个方向上形成内部裂纹。如前对本专利权利要求1相对于证据2-2的区别技术特征1的评述，证据2-3已经公开了该区别技术特征，证据2-3给出了将该区别特征结合至证据2-2的技术启示。因此，权利要求2相比证据2-2和证据2-3的结合不具备创造性。权利要求3要求保护一种激光加工方法，其相对于证据2-2区别技术特征是：1、激光在并列的两个方向上形成内部裂纹，证据2-2仅在一个方向上形成内部裂纹；2、激光的峰值功率密度为1×108W／cm2以上且脉冲宽度为1μs以下，证据2-2中未进行具体参数限定。关于上述区别技术特征1，如前对本专利权利要求1相对于证据2-2的区别技术特征1的评述，证据2-3给出了将该区别技术特征结合至证据2-2的技术启示。证据2-6采用了对玻璃内部发射激光并形成聚光点的技术，且聚光点的参数位于权利要求3的参数范围内，故证据2-6给出上述区别特征2中将具有相应参数的激光应用到对物体内部照射激光以进行切割的启示。因此，本专利权利要求3相比证据2-2、证据2-3和证据2-6的结合不具备创造性。权利要求4-6是引用权利要求1-3的从属权利要求。证据2-3公开了通过将焦点F移动至一系列新的位置Fl…Fx，实际损伤点24…24x的第一柱体27得以产生，该柱体的最后的实际损伤点定位成相邻于窗口14，在产生实际损伤点的第一柱体27之后，连续的、重叠的柱体27得以产生，直到产生整个分割区域。证据2-3公开了权利要求4-6的附加技术特征，且效果相同。由于权利要求1-3不具备创造性，故从属权利要求4-6也不具备创造性。因此，原审法院认定本专利权利要求1-6不具备创造性并无不当。本专利权利要求7要求保护一种激光加工方法，其加工对象的特征为由半导体材料构成的晶片状物体，其相对于证据2-2的区别技术特征是：激光在并列的方向上形成内部裂纹，证据2-2仅在一个方向上形成内部裂纹。如前对本专利权利要求1相对于证据2-2的区别技术特征1的评述，证据2-3给出了将该区别特征结合至证据2-2的启示。因此，权利要求7相比证据2-2和证据2-3的结合不具备创造性。权利要求8和9的附加技术特征被证据2-3公开，在权利要求7不具备创造性的情况下，直接或间接的从属于权利要求7的权利要求8、9也不具备创造性。权利要求10为权利要求1-3、7、8的从属权利要求，其附加技术特征为：“在形成成为所述切割的起点的区域后，沿着所述切割预定线切割所述加工对象物。”证据2-3公开了在切割区域产生之后，金刚石12可以被分割，其含义即为在形成切割的起点区域后沿着预定的区域进行切割，由此可见，证据2-3已经公开了权利要求10的附加技术特征。基于此，当权利要求10引用权利要求1时，由于权利要求1不具备创造性，权利要求10也不具备创造性；当权利要求10引用权利要求2时，由于权利要求2不具备创造性，权利要求10也不具备创造性；当权利要求10引用权利要求7或8时，由于权利要求7或8不具备创造性，权利要求10也不具备创造性。因此，原审法院认定本专利权利要求7-10不具备创造性并无不当。本专利权利要求11要求保护一种激光加工方法，其相对于证据2-2的区别是：1、激光在相交的两个方向上形成内部裂纹，证据2-2仅在一个方向上形成内部裂纹；2、激光采用了1以外椭圆率的椭圆偏光，证据2-2未具体说明激光的类型；3、形成为多光子吸收，证据2-2未具体说明激光吸收的种类。针对上述区别技术特征1，证据2-3公开了一种通过激光切割对象物的方法，该激光在对象物内形成物理变化来分割晶体结构，该分割区域为竖直、水平、沿着轮廓线的组合。这种分割区域的组合显然包括了区别特征1的情形，故证据2-3已经公开了区别特征1。针对上述区别特征2，证据2-5公开了一种对材料进行激光处理的方法和设备，该方法和设备包含了在线性偏振电磁辐射中，激光束中的所有波前峰的E场分量在方向上彼此对齐。线偏振光就是椭圆率为0的椭圆偏正光。因此，证据2-5公开了上述区别技术特征2。针对上述区别技术特征3，如前对本专利权利要求1相对于证据2-2的区别技术特征1的评述，该区别技术特征也已经被公开。因此，权利要求11相比证据2-2、证据2-3、证据2-4、证据2-5不具备创造性。权利要求12的附加技术特征被证据2-3公开，由于其引用的权利要求11不具备创造性，权利要求12也不具备创造性。权利要求13与证据2-2的区别是：1、激光在相交的两个方向上形成内部裂纹；2、激光采用了1以外椭圆率的椭圆偏光。基于上述本专利权利要求11不具备创造性的相同理由，权利要求13相比证据2-2、证据2-3、证据2-5不具备创造性。权利要求14从属于权利要求13，其附加特征为将椭圆偏光限定为直线偏光，该技术特征已被证据2-5公开，由于其引用的权利要求13不具备创造性，故权利要求14也不具备创造性。因此，原审法院认定本专利权利要求11-14不具备创造性并无不当。本专利权利要求15要求保护一种激光加工方法，其相对于证据2-2的区别技术特征在于：1、激光在相交的两个方向上形成内部裂纹；2、在两个方向上有多个切割预定线。关于上述区别技术特征1，如同上述对本专利权利要求11相应区别技术特征的评述，其已经被现有技术公开。关于上述区别技术特征2，证据2-8公开了一种激光切割方法，该方法在材料内部扫描出第一通道和第二通道；其中第一通道和第二通道各自所在的平面相互平行，故证据2-8公开了上述区别技术特征2。因此，权利要求15相比证据2-2、证据2-3、证据2-8不具备创造性。本专利权利要求17要求保护一种激光加工装置，其相对于证据2-2的区别技术特征在于：使激光的聚光点在加工对象物的厚度方向上移动第1移动量外，还使其移动第2移动量。针对该区别技术特征，证据2-8公开了通过激光在加工对象物的厚度方向上形成两道切割区域的技术特征，其作用和本专利相同，因此，本专利权利要求17相比证据2-2、证据2-8不具备创造性。权利要求18的附加技术特征在于：所述规定位置为所述加工对象物的激光入射面。权利要求19的附加技术特征在于：所述控制部，至少根据所述加工对象物的厚度和折射率决定所述第1移动量和所述第2移动量。权利要求20的附加技术特征在于：所述规定位置是，使规定的可视光的焦点位于载置于所述载置台上的所述加工对象物的表面时的所述载置台的位置。其中权利要求18的附加技术特征已被证据2-2公开，权利要求19、20是本领域技术人员在激光加工方法中根据实际需要采取的常用技术手段，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求18、19、20也不具备创造性。因此，原审法院认定本专利权利要求15-20不具备创造性并无不当。本专利权利要求21要求保护一种激光加工方法，其相对于证据2-2的区别技术特征在于：1、激光在大致垂直的两个方向上形成内部裂纹；2、在两个方向上有多个切割预定线。与权利要求15不有创造性的理由相同，权利要求21相比证据2-2、证据2-3、证据2-8不具备创造性。权利要求22-28是权利要求21的从属权利要求，权利要求22的附加技术特征在于所述改质区域为熔融处理区域；权利要求23的附加技术特征在于所述改质区域为裂纹区域；权利要求24的附加技术特征在于所述改质区域为折射率变化区域；权利要求25的附加技术特征在于所述加工对象物为半导体材料基板；权利要求26的附加技术特征在于所述加工对象物为玻璃基板；权利要求27的附加技术特征在于所述加工对象物为压电材料基板；权利要求28的附加技术特征在于所述改质区域为熔融处理区域，所述熔融处理区域是，由单晶构造改变为非晶构造的区域，由单晶构造改变为多晶构造的区域，或由单晶构造改变为包含非晶构造和多晶构造的构造的区域。其中，权利要求22的附加技术特征被证据2-4公开，权利要求23-24的附加技术特征被证据2-3公开，权利要求25-27的附加技术特征被证据2-8公开，权利要求28的附加技术特征被证据2-4公开，故在权利要求21不具备创造性的情况下，其从属权利要求22-28也不具备创造性。因此，原审法院认定本专利权利要求21-28不具备创造性并无不当。本专利权利要求29要求保护一种激光加工装置，其相对于证据2-2的区别技术特征在于：1、使相邻的改质点的距离大致一定的形成多个改质点，其作用在于形成多个距离一定的改质区域；2、脉冲激光的重复频率和聚光点的移动速度大致一定，其作用在于使激光的频率和速度一定，以改善激光照射效果。关于上述区别技术特征1，证据2-3公开了一种通过激光切割对象物的方法，该激光在对象物内形成物理变化来分割晶体结构，该分割区域为竖直、水平、沿着轮廓线的组合，而改质区域也是一种分割区域，故证据2-3公开了区别特征1。上述区别技术特征2为本领域常用技术手段。因此，权利要求29相比证据2-2、证据2-3和公知常识不具备创造性。权利要求30的附加技术特征限定了控制部控制载置台和透镜中至少1者的移动。证据2-2公开了允许透镜35进行竖直调节，故权利要求30的附加技术特征已被证据2-2公开，在其引用的权利要求29不具备创造性时，权利要求30相比证据2-2、证据2-3和公知常识的结合也不具备创造性。因此，原审法院认定本专利权利要求29、30不具备创造性并无不当。本专利权利要求31要求保护一种半导体芯片，其相对于证据2-2的区别技术特征在于：1、加工对象物为半导体基板以形成半导体芯片，证据2-2中为非金属易碎基板；2、熔融处理区为由单晶构造改变为非晶构造的区域，由单晶构造改变为多晶构造的区域，或由单晶构造改变为包含非晶构造和多晶构造的区域，证据2-2中形成熔融区域；3、熔融处理区域的位置在相互垂直的所述切割面中不同。针对上述区别特征，首先，证据2-8公开了切割半导体材料以及在切割时在厚度方向形成多个切割区域的技术特征，因此，证据2-8公开了区别特征1。其次，区别特征2是本领域的公知常识。再次，区别特征3是本领域技术人员根据实际需要进行的常规选择。因此，权利要求31相对于证据2-2、证据2-8和公知常识的结合不具备创造性。权利要求32的附加技术特征为：熔融处理区域在所述切割面的厚度方向上并列为多个。证据2-8公开了先将激光束聚焦在第一点处，并沿着待切割样品的表面横向扫描出第一通道，接着改变激光束的焦点的位置，进而扫描出第二通道；这样形成的多个并列的通道。因此，权利要求32的附加技术特征已被证据2-8公开，在其引用的权利要求31不具备创造性时，权利要求32也不具备创造性。权利要求33的附加技术特征为：所述一部分包括所述切割面的厚度方向上的中央部分。证据2-2公开了：在优选布置中，该脉冲激光的聚焦点处于基板4的厚度内部，稍微低于基板4的上表面。例如，对于具有大概1毫米厚度的玻璃片，聚焦点应当为5-50％或者离开上表面0.05-0.50毫米。因此，权利要求33的附加技术特征已被证据2-2公开，由于其引用的权利要求31不具备创造性，权利要求33也不具备创造性。因此，原审法院认定本专利权利要求31-33不具备创造性并无不当。本专利权利要求34要求保护一种半导体芯片的制造方法，其相对于证据2-2的区别技术特征在于：1、加工对象物为半导体基板，证据2-2中为非金属易碎基板；2、在相交的第1方向和第2方向上形成改质区域，证据2-2中仅在一个方向上形成改质区域。关于上述区别技术特征1，如同上述对本专利权利要求31的评述，证据2-8公开了上述区别技术特征1，上述区别特征2也被证据2-3公开。因此，权利要求34相比证据2-2、证据2-3、证据2-8不具备创造性。权利要求35的附加技术特征为：所述半导体芯片被形成了所述第1或所述第2改质区域的切割面包围。证据2-3公开了分割区域可以是竖直、水平、跟随轮廓或者前述情况的任何组合，所以其切割出的工件部分也自然具有形成了相应改质区域的切割面，而且其被切割的工件也必然被形成了相应改质区域的分割面所包围。因此，权利要求35也不具备创造性。权利要求36的附加技术特征为：改质区域为熔融处理区域，而该附加技术特征已被证据2-2公开。因此，权利要求36也不具备创造性。因此，因此，原审法院认定本专利权利要求34-36不具备创造性并无不当。因此，本专利权利要求1-9、引用权利要求1-2、7-8的权利要求10、权利要求11-15、权利要求17-36不具备创造性，不符合《专利法》第二十二条第三款的规定，浜松光子学株式会社有关本专利全部权利要求均具有创造性的上诉理由缺乏依据，本院不予支持。综上，浜松光子学株式会社的上诉主张因依据不足不能成立，其上诉请求本院不予支持。原审判决认定事实清楚，适用法律正确，审理程序合法，判决结果并无不当，依法应予维持。依据《中华人民共和国行政诉讼法》第六十一条第（一）项之规定，判决如下：驳回上诉，维持原判。一、二审案件受理费各人民币一百元，均由浜松光子学株式会社负担（均已交纳）。本判决为终审判决。审判长 刘晓军代理审判员袁相军代理审判员马军二〇一四年九月一日书记员 张 见 秋 书  记  员 孙 鑫 鑫