# இருமுனை சந்தி திரிதடையம்

## அறிமுகம்

### PNP

PNP என்பது மற்றொரு வகை BJT ஆகும். அதில் "P" மற்றும் "N" ஆகிய எழுத்துகள், டிரான்சிஸ்டரின் வெவ்வேறு பகுதிகளுக்குள் உள்ள பெரும்பான்மை மின்சுமை கேரியர்களைக் குறிக்கின்றன.  
PNP டிரான்சிஸ்டர்களில் ஒரு N-மாசுக்கலக்கப்பட்ட குறைக்கடத்தி அடுக்கு P-மாசுக்கலக்கப்பட்ட பொருளின் இரு அடுக்குகளுக்கிடையே வைக்கப்பட்டிருக்கும். பொது-உமிழ்ப்பான் பயன்முறையில் அடிவாயை விட்டு வெளியேறும் சிறிதளவு மின்னோட்டம் சேகரிப்பான் வெளியீட்டில் பெருக்கப்படுகிறது. மற்றபடி ஒரு PNP டிரான்சிஸ்டர் அதன் அடிவாய் அதன் உமிழ்ப்பானை விடக் **குறைவாக** செலுத்தப்படும் போது "இயக்கத்தில் உள்ளது".  
PNP டிரான்சிஸ்டர் குறியீட்டிலுள்ள அம்பு உமிழ்ப்பான் நீட்டிப்பில் உள்ளது. மேலும் சாதனம் முன்னோக்கு மின் சார்புப் பயன்முறையிலிருக்கும் போது அது மரபு மின்னோட்டம் பாயும் திசையைக் குறிக்கிறது.  
PNP டிரான்சிஸ்டருக்கான குறியீட்டை நினைவில் கொள்ள உதவும் வாக்கியம்: "**p** ointing i**n** **p** roudly அல்லது **'p** ointing i**n** - **p** ah'."
ஹெட்ரோசந்தி டிரான்சிஸ்டர்கள், டிரான்சிஸ்டர் கூறுகளுக்கு வெவ்வேறு குறைக்கடத்திகளைக் கொண்டுள்ளன. இது வழக்கமாக உமிழ்ப்பான் அடிவாயை விட அதிக பட்டை இடைவெளி கொண்டமைந்துள்ளது. பட்டை இடைவெளிகளுக்கிடையே உள்ள இந்த வேறுபாடு துளைகளுக்கான தடை அடிவாய்க்குள் பின்னோக்கி செலுத்த அனுமதிப்பதை இந்தப் படம் காண்பிக்கிறது. படத்தில் Δφ<sub>p</sub> எனக் குறிக்கப்பட்டுள்ள இது அதிகமாக இருக்கும் விதத்தில், அடிவாய்க்குள் செலுத்தப்பட வேண்டிய எலக்ட்ரான்களின் அளவான Δφ<sub>n</sub> குறைவாக்கப்படுகிறது. இந்த தடை ஏற்பாடு, உமிழ்ப்பான்-அடிவாய் சந்தி முன்னோக்கு சார்பில் இருக்கும் போது அடிவாயிலிருந்து செலுத்தப்படும் சிறுபான்மை கேரியர் செலுத்தலைக் குறைக்க உதவுகிறது. மேலும் இதன் மூலம் அடிவாய் மின்னோட்டத்தைக் குறைத்து உமிழ்ப்பான் செலுத்தல் செயல்திறனை அதிகரிக்கிறது.  
அடிவாய்க்குள் கேரியர்கள் செலுத்தப்படுதலிலான மேம்பாட்டினால் அடிவாய்க்கு அதிக மாசுக்கலப்பளவு கிடைக்கிறது. இதன் விளைவாக அடிவாய் மின்முனையை அணுகுவதற்கு குறைவான தடையே எஞ்சுகிறது. ஒற்றைச்சந்தி BJT என்றும் குறிப்பிடப்படும் மிகவும் பழைய BJT இல் உமிழ்ப்பானிலிருந்து அடிவாய்க்கான கேரியர் செலுத்தல் செயல்திறனானது பிரதானமாக உமிழ்ப்பான் மற்றும் அடிவாயின் மாசுக்கலப்பு அளவுகளுக்கிடையே உள்ள விகிதத்தினாலேயே தீர்மானிக்கப்படுகிறது. அதாவது அதிக செலுத்தல் செயல்திறனைப் பெறுவதற்கு அடிவாயானது குறைவாக மாசுக்கலக்கப்பட்டிருக்க வேண்டும். இதனால் அதன் மின் தடையானது ஒப்பீட்டில் அதிகமாக இருக்கும். மேலும் அடிவாய்ப் பகுதியின் அதிக மாசுக்கலப்பினால் அடிவாய் குறுக்கத்தைக் குறைப்பதன் மூலம் முந்தைய மின்னழுத்தம் போன்ற செயல்திறன் மதிப்புகளை அதிகரிக்கலாம்.  
அடிவாயில் உள்ள பொதிவின் தரமிடலானது எடுத்துக்காட்டுக்கு SiGe டிரான்சிஸ்டரில் ஜெர்மானியத்தின் அளவை கொஞ்சம் கொஞ்சமாக அதிகரிப்பதன் மூலம் அதிகரிப்பதால் நடுநிலை அடிவாயில் பட்டை இடைவெளியிலான சரிவு மாற்றம் உண்டாகிறது. இது படத்தில் Δφ<sub>G</sub> எனக் குறிக்கப்பட்டுள்ளது. இதனால் ஒரு "உள்ளமைக்கப்பட்ட" புலம் கிடைக்கிறது. அது எலக்ட்ரான் அடிவாயின் வழியே செல்ல உதவுகிறது. அந்த நகர்வின் இழுப்புக் கூறானது இயல்பான விரவல் நகர்வுக்கு உதவுகிறது. இதனால் அடிவாயின் வழியேயான நகர்விற்கான நேரத்தைக் குறைப்பதன் மூலம் டிரான்சிஸ்டரின் அதிர்வெண் மறுவினை அதிகரிக்கிறது.  
சிலிக்கான்–ஜெர்மானியம் மற்றும் அலுமினியம் கேலியம் ஆர்சனைடு ஆகியவை பொதுவாகப் பயன்படுத்தப்படும் இரண்டு HBTகளாகும். இருப்பினும் HBT கட்டமைப்புக்கு பரவலான பல்வேறு குறைக்கடத்திகள் பயன்படுத்தப்படலாம். HBT கட்டமைப்புகள் வழக்கமாக MOCVD மற்றும் MBE போன்ற எப்பிடெக்ஸி நுட்பங்களால் செய்யப்படுகின்றன.