Държавен вестник, бр. 31, 2006 г., стр. 116

С Т Р .  116
Д Ъ Р Ж А В Е Н   В Е С Т Н И К
Б Р О Й  31
Техническа бележка.
В 3A232 всички детонатори, които представляват интерес, използват малък електрически проводник
(свръзка, мостов реотан или фолио), който се изпарява взривно, когато през него преминава бърз
силнотоков електрически импулс. При неударните видове взривният проводник започва химическа
детонация в допиращо се до него бризантно (силноексплозивно) вещество, като ПЕТН / PETN
(Пентаеритритолтетранитрат). При ударните детонатори взривното изпаряване на електрическия
проводник задейства махало или ударник през празно пространство и попадането на ударника върху
взривното вещество инициира химическата детонация. В някои конструкции ударникът се задвижва
от магнитна сила. Терминът инициатор с експлозивно фолио може да се отнася както към иницииращ
(експлодиращ) мост (ЕС/EB), така и към детонатор с ударник. Също така вместо детонатор понякога
се използва думата инициатор (иницииращо устройство).
3A233
Мас спектрометри, различни от описаните в 2B002.g, способни да измерват йони с маса от 230 атомни
единици или по-голяма и имащи разделителна способност, по-добра от 2 части на 230, както следва и
йонни източници за тях:
a.
Индуктивно свързани плазмени мас спектрометри (ИСП/МС)
b.
Мас спектрометри с тлеещ разряд (МССР / GDMS);
c.
Мас спектрометри с топлинна йонизация (МСТЙ / TIMS);
d.
Мас спектрометри с електронно бомбардиране, при  които камерата на източника е изработена от,
облицована или покрита с материали, устойчиви на корозия от UF6;
e.
Мас спектрометри с молекулярен лъч, имащи една от изброените по-долу характеристики:
1.
Камерата на източника е изработена от, облицована или покрита с неръждаема стомана или
молибден, и охлаждаща среда, способна да охлажда до 193 К (-80 °С) или по-ниска температура;
или
2.
Камерата на източника е изработена от, облицована или покрита с материали, устойчиви на
корозия от UF6;
f.
Мас спектрометри, снабдени с йонен източник за микрофлуориране, проектиран за актиниди или
техни флуориди.
3B
Оборудване за тестване, контрол и производство
3B001
Оборудване за производство на полупроводникови устройства или материали, както следва и специално
разработени компоненти и принадлежности за него:
a.
Оборудване за епитаксиално изграждане, както следва:
1.
Оборудване, с възможност за производство на слой от материал, различен от силиций с
дебелина равна или по-малка от ± 2,5 % на разстояния от 75 mm или по-дълги;
2.
Реактори за нанасяне на металоорганични покрития чрез химическо свързване на пари
(МОХУП/MOCVD), специално проектирани за растеж на съставни полупроводникови кристали
чрез химични реакции между материалите, описани в 3C003 или 3C004;
3.
Оборудване за молекулярно-лъчево епитаксиално наслагване от газови или твърдотелни
източници;
b.
Оборудване, проектирано за йонно имплантиране,  имащо някоя от следните характеристики:
1.
Ускорително напрежение над 1 MеV;
2.
Които са специално проектирани и оптимизирани да работят при максимална енергия на
потока (ускоряващо напрежение) по-малка от 2 keV;
3.
Възможност за директен запис; или
4.
Насочена енергия от 65 keV или повече  и насочен ток 45 mA или повече за имплантация на
кислород с висока енергия в нагрята полупроводникова материална „подложка“.
c.
Оборудване за сухо ецване чрез анизотропна плазма, както следва:
1.
Оборудване с действие от касета към касета и с възможност за блокировка на задържането,
имащи някои от изброените по-долу характеристики:
a.
Програмирани или оптимизирани да произведат критични разлики от 0,3 µm или по-
малко с  ± 5 % 3 сигма точност, или
b. Програмирани за генериране на по-малко от 0,04 частици/сm2 с измерим размер на
частицата, по-голям от 0,1 µm в диаметър;
2.
Оборудване, специално проектирано за оборудването от 3B001.е, имащи които и да е от
изброените по-долу характеристики:
a.
Програмирано или оптимизирано да произведе критични размери от 0,3 µm  или по-малко
с  ± 5 % 3 сигма точност, или
b. Програмирани за генериране на по-малко от 0,04 частици/сm2 с измерим размер на
частиците, по-голям от 0,1 µm в диаметър;
d.
Оборудване за нанасяне на покрития чрез химическо свързване на пари НПХСП/CVD, подсилен
с плазма, както следва:
1.
Оборудване с действие от касета към касета с възможност за блокировка на задържането,
проектирано съгласно спецификация на производителя или оптимизирано за употреба в
производство на полупроводникови механизми с критически размери  от 180 nm или по-малко;