Държавен вестник, бр. 80, 2008 г., стр. 42

С Т Р .  42
Д Ъ Р Ж А В Е Н   В Е С Т Н И К
Б Р О Й  80
 b. Дължина на вълната на изход над 150 nm, но не повече от 800 nm и имащи някои от
изброените по-долу характеристики:
1. Енергия на изход над 1,5 J на импулс и импулсна “върхова мощност” над 30 W, или
2. Средна или НИ/CW мощност на изход над 30 W;
c. Дължина на вълната на изход над 800 nm, но не повече от 1400 nm и имащи някои от
изброените по-долу характеристики:
1. Енергия на изход над 0,25 J на импулс и импулсна “върхова мощност” над 10 W, или
2. Средна или НИ/CW мощност на изход над 10 W;
 d. Дължина на вълната на изход над 1400 nm и средна или НИ/CW мощност на изход
над 1 W.
b. Полупроводникови “лазери”, както следва:
Бележка 1:
6A005.b включва полупроводникови “лазери”, имащи изходящи оптически свръзки (например
гъвкави проводници от оптични влакна).
Бележка 2:
Доколко подлежат на контрол полупроводниковите “лазери”, специално проектирани за друго
оборудване, се определя от това, доколко подлежи на контрол другото оборудване.
1. Отделни полупроводникови “лазери” с едномодов напречен режим, имащи някои от след-
ните характеристики:
a. Дължина на вълната, равна или по-малка от 1510 nm, със средна или НИ/CW мощност
на изход, надвишаваща 1,5 W, или
b. С дължина на вълната, по-голяма от 1510 nm, и със средна или НИ/CW мощност на изход
над 500 mW;
2. Индивидуални полупроводникови “лазери” с многомодов напречен режим, имащи някоя от
изброените характеристики:
a. С дължина на вълната под 1400 nm и имаща средна или НИ/CW мощност на изход над
10 W;
b. С дължина на вълната, равна на или по-голяма от 1400 nm и по-малка от 1900 nm, и имаща
средна или НИ/CW мощност на изход над 2,5 W, или
c. С дължина на вълната, равна на или по-голяма от 1900 nm, и имаща средна или НИ/CW
мощност на изход над 1 W.
3. Индивидуални полупроводникови “лазерни” решетки, имащи някои от изброените характе-
ристики:
а. С дължина на вълната под 1400 nm и имащи средна или НИ/CW мощност на изход над
80 W;
b. С дължина на вълната, равна на или по-голяма от 1400 nm и по-малка от 1900 nm, и имаща
средна или НИ/CW мощност на изход над 25 W, или
c. С дължина на вълната, равна на или по-голяма от 1900 nm, и имаща средна или НИ/CW
мощност на изхода над 10 W.
4. Множество подредени полупроводникови лазери, съдържащо поне една решетка, която е
контролирана от 6A005.b.3.
 Технически бележки: 
1. Полупроводниковите “лазери” обикновено се наричат “лазерни” диоди.
2. Една решетка съдържа голям брой полупроводникови лазерни излъчватели, произведени в
самостоятелен чип, когато центровете на емитираните лъчи лежат на паралелни прави.
3. Една групирана решетка е произведена чрез групиране или друг метод на монтиране на
решетки, при което центровете на емитираните лъчи лежат на паралелни прави.
c. Кристални (твърдотелни) “лазери”, както следва:
 1. Регулиращи се “лазери”, имащи някои от изброените по-долу характеристики:
Бележка:
6A005.с.1 включва титан-сапфир (Ti : Al2O3), тилий-YAG (Tm : YAG), тилий-YSGG (Tm :
YSGG), александрит (Cr : BeAl2O4) и “лазери” с цветен център.
a. Дължина на вълната на изход, по-малка от 600 nm, и имащи някои от изброените по-долу
характеристики:
1. Енергия на изход над 50 mJ на импулс и импулсна “върхова мощност” над 1 W, или
2. Средна или НИ/CW мощност на изход над 1 W;
b. Дължина на вълната на изход 600 nm или повече, но не повече от 1400 nm и имащи някои
от изброените по-долу характеристики:
1. Енергия на изход над 1 J на импулс и импулсна “върхова мощност” над 20 W, или
2. Средна или НИ/CW мощност на изход над 20 W, или
c. Дължина на вълната на изход над 1400 nm и имащи някои от изброените по-долу характе-
ристики:
1. Енергия на изход над 50 mJ на импулс и импулсна “върхова мощност” над 1 W, или
2. Средна или НИ/CW мощност на изход над 1 W;