Държавен вестник, бр. 31, 2006 г., стр. 118

С Т Р .  118
Д Ъ Р Ж А В Е Н   В Е С Т Н И К
Б Р О Й  31
d.
Всички съпротивителни покрития, проектирани за технологии за повърхностни изображения, в
т.ч. „силилативни“ материали за защитни покрития.
Техническа бележка.
„Силилативните“ техники се дефинират като процеси на въвеждане на окисляване на повърхността
на материалите за защитно покритие с цел подобряване качеството както при мокро, така и при
сухо проявяване.
3C003           Органично-неорганични съединения, както следва:
a.
Органично-метални съединения на алуминий, галий  или индий, с чистота (метална основа) по-
висока от 99,999 %.
b.
Органично-арсенови, органично-антимонови и органично-фосфорни съединения с чистота (основа
от неорганични елементи) по-висока от 99,999 %.
Бележка.
3C003 контролира само съединенията, чиито метален, частично метален или неметален
елемент е пряко свързан с въглерода в органичната част на молекулата.
3C004
Хидриди на фосфор, арсен или антимон, с чистота по-висока от 99,999 %, дори и разтворени в инертни
газове или водород.
Бележка.
3C003 не контролира хидриди, съдържащи 20 % моларни или повече инертни газове или
водород.
3D
Софтуер (Програмно осигуряване)
3D001     „Софтуер“, специално проектиран за „разработване“ или „производство“ на оборудването, описано в 3A001.b.
до 3A002.g или 3B.
3D002
„Софтуер“, специално проектиран за „използване“ в някои от следващите:
a.
Оборудване, описано в 3B001.а до f, или
b.
Оборудване, описано в 3B002;
3D003    Симулативен „софтуер“ на физическа основа, специално проектиран за разработване на литографиране,
ецване или процеси на отлагане, за пренасяне на шаблоните от маските в специфични топографски
форми в проводници, диелектрици или полупроводникови материали.
Техническа бележка.
„На физическа основа“ в 3D003 означава използване на изчисления за определяне на последователността
на физическите причини и следствия на базата на физически свойства (температура, налягане, дифузионна
константа и свойства на полупроводниковите материали).
Бележка.
Библиотеките, конструктивните атрибути или свързаните с тях данни за проектирането
на полупроводникови устройства или интегрални схеми се смятат за „технологии“.
3D004
„Софтуер“, специално проектиран за „разработване“ на оборудване, описано в 3A003
3D101
„Софтуер“, специално проектиран или модифициран за „използване“ на оборудване, описано в 3A101.b.
3E                 Технологии
3E001
„Технологии“ съгласно Общата бележка по технологиите за  „разработване“ или „производство“ на
оборудването или материалите, описани в 3A, 3B или 3C;
Бележка 1. 3E001 не контролира „технологии“ за „производство“ на оборудване или компоненти,
специфицирани в 3A003.
Бележка 2. 3E001 не контролира „технологии“ за „разработване“ или „производство“ на интегралните
схеми, описани в 3A001.а.3 до 3A001.а.12, имащи всички изброени характеристики:
1. Използващи „технологии“ от 0,5 µm или повече; и
2. Несъдържащи „многослойни структури“.
Техническа бележка.
Терминът „многослойни структури“ не включва устройства, съдържащи най-много три метални
слоя и три полисилициеви слоя.
3E002
„Технологии“ съгласно Общата бележка по технологиите, различни от описаните в 3E001, за
„разработване“ или „производство“ на „микропроцесорни микросхеми“, „микрокомпютърни микросхеми“
и микросхеми с микроконтролери, имащи „обща теоретична производителност“ („ОТП/СТР“) 530 милиона
теоретични операции в секунда (Мтопс/Mtops) или повече и аритметично логическо устройство с широчина
на достъпа 32 бита или повече.
Бележка. Бележка 2 за освобождаване от контрола към 3E001 също се отнася и  до 3E002.
3E003
Други технологии за  „разработване“ или „производство“ на:
a.
Вакуумни микроелектронни устройства;
b.
Хетеро-структурни полупроводникови устройства, като транзистори с висока мобилност на
електроните (ТВМЕ/НЕМТ), хетеро-биполярни транзистори (ХБТ/HBT), източници на кванти и
свръхрешетки;
Забележка.
3E003.b не контролира технологии за транзистори с висока мобилност на електроните (НЕМТ), работещи
при честоти, по-ниски от 31.8 GHz и хетеро-свързани биполярни транзистори (HBT),  работещи при честоти,
по-ниски от 31.8 GHz.