Държавен вестник, бр. 31, 2006 г., стр. 107

Б Р О Й  31
Д Ъ Р Ж А В Е Н   В Е С Т Н И К
С Т Р .  107
e.
Отлагане на разтвор на огнеупорна глина е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при който
метален или керамичен прах с органично свързващо вещество се суспендира в течност и се полага върху субстрата
чрез пръскане, потапяне или намазване, последващо сушене на въздух или в пещ и топлинна обработка до получаване
на необходимото покритие.
f.
Отлагане на разпрашени вещества е процес на напластяване, основаващ се на явление за предаване на инерция,
при който положителните йони се ускоряват от електрическо поле към повърхността на мишена (материалът за
покритие). Кинетичната енергия на попадащите йони е достатъчна, за да доведе до избиване на атомите от
повърхността и отлагането им върху подходящо разположен субстрат.
ВАЖНО 1.
Таблицата се отнася само до триодно, магнетронно или индуктивно отлагане на разпрашени
вещества, което се прилага за подобряване прилепването на покритието и темпото на отлагане,
както и към отлагане на разпрашени вещества, подсилено с радиочестоти (РВ / RF), използвано
за постигане на изпаряване на неметални материали за покрития.
ВАЖНО 2.
Йонни потоци с ниска енергия (по-малко от 5 keV) могат да се използват за задействане на
отлагането.
g.
Имплантация на йони е процес на нанасяне на покритие за промяна на повърхността, при който елементът, който
трябва да бъде сплавен, се йонизира и ускорява чрез градиент на потенциал и се имплантира в повърхностната част
на субстрата. Това включва процес, при който имплантацията на йони се извършва едновременно с физическо
отлагане на пари с използване на електронен лъч или чрез отлагане на разпрашени вещества.
КАТЕГОРИЯ 3
ЕЛЕКТРОНИКА
3A
Системи, оборудване и компоненти
Бележка 1.
Доколко подлежат на контрол оборудването и компонентите му, както са описани в
3A001 или 3A002, различни от описаните в 3A001.а.3 до 3A001.а.10 или 3A001.а.12,
които са специално проектирани или имат същите функционални характеристики,
както и другото оборудване, се определя от това доколко подлежи на контрол другото
оборудване.
Бележка 2.
 Доколко подлежат на контрол интегралните схеми, описани в 3A001.а.3. до 3A001.а.9
или 3A001.а.12, които са неизменяемо програмирани или проектирани за конкретна
функция за друго оборудване, се определя от това доколко подлежи на контрол другото
оборудване.
ВАЖНО.
Когато производителят или подаващият заявление не могат да определят доколко
подлежи на контрол другото оборудване, въпросът за контрола на интегралните схеми
се решава съгласно 3A001.а.3. до 3A001.а.9 или 3A001.а.12. Когато интегралната схема
е „микрокомпютърна микросхема“ на силициева основа или микросхема с микро-
управляващо устройство, описано в 3A001.а.3 с дължина на думите на операнда 8 bit
или по-малко, доколко интегралната схема подлежи на контрол, се определя в 3A001.а.3.
3A001
Електронни компоненти, както следва:
a.
Универсални интегрални схеми, както следва:
Бележка 1.
Доколко подлежат на контрол полупроводниковите пластинки (завършени или
незавършени), при които функцията е била определена, трябва да се прецени съобразно
параметрите от 3A001.а.
Бележка 2.
Интегралните схеми включват следните видове:
„Монолитни интегрални схеми“;
„Хибридни интегрални схеми“;
„Многокристални интегрални схеми“.
„Тънкослойни интегрални схеми“, включително интегрални схеми от силиций върху
сапфир;
„Оптични интегрални схеми“.
1.
Интегрални схеми, проектирани или обозначени като радиационно устойчиви на някое от
изброените по-долу:
a.
Обща доза от 5 Ч 103 Gy (силиций) или по-голяма;
b. Колебание в мощността на дозата лъчение от 5 Ч 106 Gy (силиций)/s или по-голямо; или
c.
Поток (интегриран поток) от неутрони (равно на 1 МеV) от 5 Ч 1013 n/cm2 или по-високо
върху силикон, или идентични на него материали;
Бележка. 3A001.а.1.с. не се прилага към метални изолиращи полупроводници (МИП/MIS).
2.
„Микропроцесорни микросхеми“, „микрокомпютърни микросхеми“, микроконтролерни
микросхеми, интегрални схеми с памет, произведени от съставни полупроводници, аналогово-
цифрови преобразуватели, цифрово-аналогови преобразуватели, електрооптични или „оптични
интегрални схеми“, проектирани за „обработка на сигнали“, логически устройства със зони
за програмиране, интегрални схеми с невронни мрежи, интегрални схеми по поръчка, при
което е неизвестна или функцията им, или доколко подлежи на контрол оборудването, за
което интегралните схеми ще се използват, процесори, използващи бързо преобразувание на
Фурие (БПФ/FFT), електрически изтриваеми и програмируеми памети само за четене (ЕИПП/
EEPROMS),  свръхбързи памети или статични памети с произволен достъп (СППД / SRAM),
отговарящи на някои от изброените по-долу: