Държавен вестник, бр. 31, 2006 г., стр. 106

С Т Р .  106
Д Ъ Р Ж А В Е Н   В Е С Т Н И К
Б Р О Й  31
18. „Силициев карбид“ не включва материалите за режещи и формоващи инструменти.
19. Керамични субстрати, така както се използва тук, не включва керамични материали, съдържащи повече от 5 % в
тегловно отношение или повече, глина или цимент, или като отделни съставки, или в съчетание.
Процесите, описани в колона 1 на таблицата, се дефинират както следва:
a.
Нанасяне на покрития чрез химическо свързване на пари (НПХСП/CVD) е метод на нансяне на многослойни
покрития или на повърхностно модифициращи покрития, при което метал, сплав, „композитен материал“ диелектрик
или керамика се нанася върху нагрята подложка. Газообразните реагенти се разлагат или свързват в средата на
дадена подложка, което води до нанасяне на покритие от необходимия елементарен, сплавен или композитен
материал върху подложката. Енергията за такова разлагане или процесът на химическа реакция е за сметка на
загряване на подложката, отделяна от плазма с тлеещ разряд или от „лазерно“  облъчване.
ВАЖНО 1.
 НПХСП/CVD включва следните процеси: отлагане без циментация с насочен газов поток, импулсно
НПХСП/CVD, топлинно отлагане чрез контролирано ядрено нанасяне ТУКК/CNTD, засилени или
подпомогнати от плазма процеси на НПХСП/CVD.
ВАЖНО 2.
Циментация означава подложка, потопена в прахообразна смес.
ВАЖНО 3.
 Газообразните реагенти, използвани в процеса без циментация, се образуват с използване на
същите основни реакции и параметри, както и процеса с циментиращо вещество, освен че
подложката, която следва да бъде покрита, не влиза в контакт с прахообразната смес.
b.
Термично нанасяне на покрития чрез физическо отлагане на пари (ФУП-ТИ/TE-PVD) е систематизиран процес
на нанасяне на покритие, който се провежда във вакуум с налягане, по-малко от 0,1 Pa, при което за изпаряване
на материала, от който ще се прави покритието, се използва източник на топлинна енергия. Този процес води до
кондензация или отлагане на изпарените вещества върху съответно разположени подложки.
Добавянето на газове към вакуумната камера по време на процеса на нанасяне на покритие с цел синтезиране на
съставни покрития е обикновено видоизменение на процеса.
Използването на йонни или електронни лъчи или плазма за предизвикване или подпомагане на отлагането на
покритието е също така обикновено видоизменение на тази техника. Използването на монитори за измерване и
контрол на оптичните свойства и на дебелината на образуваните покрития по време на самия процес може да се
използва в тези процеси.
Специфичните процеси ФУП-ТИ/TE-PVD са, както следва:
1.
ФУП / PVD по електролъчев метод използва електронен лъч за нагряване и изпаряване на материала, който
образува покритието;
2.
ФУП / PVD по метода на йонно-съпротивително загряване  използва източници на омическо нагряване в
съчетание с бомбардиращ(-и) йонен (-ни) поток(-ци) за получаване на контролиран и еднообразен поток от
изпареното вещество за покритие;
3.
„Лазерното“ изпаряване използва лъчи или от импулсен „лазер“, или от такъв с непрекъсната вълна за
изпаряване на материала, който образува покритието;
4.
Отлагането с използване на катодна дъга използва катод за еднократна употреба от материала, от който се
образува покритието, и се извършва разреждане на арката върху повърхността чрез моментен допир до
заземен тригер. Управляваното движение на дъговите разряди ерозира катодната повърхност, водейки до
образуване на силно йонизирана плазма. Анодът може да представлява или конус, прикрепен към периферията
на катода посредством изолатор, или камерата. За отлагане извън линията на наблюдение се прилага накланяне
на субстрата.
ВАЖНО. Това определение не включва хаотично отлагане с използване на катодна дъга и ненаклонени
субстрати.
5.
Йонното напластяване е специална модификация на общия процес ФУП-ТИ/TE-PVD , при който източник
на плазма или на йони се използва за йонизиране на материала, който трябва да бъде утаен и при субстрата
се използва отрицателен наклон, за улесняване отделянето на веществото от плазмата. Въвеждането на
веществото реагент, изпаряването на твърди вещества в камерата и използването на монитори, осигуряващи
измерване на оптичните характеристики и дебелината на покритията в хода на процесите, са обикновени
модификации на тези процеси.
c.
Твърда циментация е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при което субстрат се потопява
в прахообразна смес (циментиращо вещество), състоящо се от:
1.
Металите на прах, които трябва да се утаят (обикновено алуминий, хром, силиций или съчетания от тях);
2.
Възбудител (обикновено халогенид); и
3.
Инертен прах, най-често двуалуминиев триоксид.
Субстратът и прахообразната смес се поставят в реторта, която се нагрява до температури между 1030 К
(757 °С)  и 1375 К (1102 °С) за достатъчно дълго време, за да се утаи покритието.
d.
Разпръскването на плазма е процес на промяна на повърхността или на напластяване, при което горелка (разпръскващ
пистолет), която генерира и управлява плазма, приема прахообразни или във форма на тел материали за покритие,
стопява и ги придвижва към субстрат, върху който се формира интегрално свързано покритие. Разпръскването на
плазмата е или в условия на ниско налягане, или на висока скорост.
ВАЖНО 1.
Ниско налягане означава по-ниско от околното атмосферно налягане.
ВАЖНО 2.
Висока скорост се отнася до скорост при излизане от дюзата, надхвърляща 750 m/s, изчислена при
293К (20° С) при налягане от 0,1 MPa.