Държавен вестник, бр. 64, 2014 г., стр. 43

БРОЙ  64	
Д Ъ Р Ж А В Е Н  В Е С Т Н И К 	
СТР.  43  
2. Отдадена енергия в многомодов напречен режим и която и да е от следните характеристики:
a. „Върхова мощност“ над 1 MW;
b. „Ефективност при източника“ (wall-plug efficiency) над 18 % и „средна изходна мощност“ над 
500 W; или
c. „Средна изходна мощност“ над 2 kW;
7. Дължина на вълната на изход над 1150 nm, но не по-голяма от 1555 nm, и която и да е от 
изброените по-долу характеристики:
a. „Времетраене на импулса“ под 1 μs и която и да е от изброените по-долу характеристики:
1. Енергия на изход над 0,5 J на импулс и „върхова мощност“ над 50 W;
2. Отдадена енергия в едномодов напречен режим със „средна изходна мощност“ над 20 W; или
3. Отдадена енергия в многомодов напречен режим със „средна изходна мощност“ над 50 W; или
b.„Времетраене на импулса“ над 1 μs и която и да е от изброените по-долу характеристики:
1. Енергия на изход над 2 J на импулс и „върхова мощност“ над 50 W;
2. Отдадена енергия в едномодов напречен режим със „средна изходна мощност“ над 50 W; или
3. Отдадена енергия в многомодов напречен режим със „средна изходна мощност“ над 80 W; или
8. Изходна дължина на вълната над 1555 nm и която и да е от изброените по-долу характеристики:
a. Енергия на изход над 100 mJ на импулс и „върхова мощност“ над 1 W; или
b. „Средна изходна мощност“ над 1 W;
c. „Регулиращи се лазери“, с която и да е от изброените по-долу характеристики:
Бележка: 6А005.с включва титан-сапфирени (Ti:Al2O3), тулий-итрий-алуминиевогранатни (Tm:YAG), 
тулий-итрий-скандий-галий-гранатни (Tm: YSGG), александритни (Cr: BeAl2O4), „лазери“ с цветен 
център, багрилни „лазери“ и течни „лазери“.
1. С дължина на вълната под 600 nm и която и да е от изброените по-долу характеристики:
a. Енергия на изход над 50 mJ на импулс и „върхова мощност“ над 1 W; или
b. Средна или CW/НВ мощност на изход над 1 W;
2. Изходна дължина на вълната от 600 nm и повече, но не повече от 1400 nm, и която и да е от 
изброените по-долу характеристики:
a. Енергия на изход над 1 J на импулс и „върхова мощност“ над 20 W; или
b. Средна или CW/НВ мощност на изход над 20 W; или
3.Изходна дължина на вълната над 1400 nm и която и да е от изброените по-долу характеристики:
a. Енергия на изход над 50 mJ на импулс и „върхова мощност“ над 1 W; или
b. Средна или CW/НВ мощност на изход над 1 W;
d. Други „лазери“, които не са посочени в 6A005.a, 6A005.b или 6A005.c, както следва:
1. Полупроводникови „лазери“, както следва:
Бележка 1: 6А005.d.1 включва полупроводникови „лазери“ с изходящи оптически свръзки (напр. гъвкави 
проводници от оптични влакна).
Бележка 2: Доколко подлежат на контрол полупроводниковите „лазери“, специално проектирани за 
друго оборудване, се определя от това, доколко подлежи на контрол другото оборудване.
a. Отделни полупроводникови „лазери“ с едномодов напречен режим, с която и да е от следните 
характеристики:
1. Дължина на вълната, равна на или по-малка от 1510 nm, със средна или CW/НВ мощност на 
изхода над 1,5 W; или
2. Дължина на вълната, по-голяма от 1510 nm, и средна или НИ/CW мощност на изход над 500 mW.
b. Индивидуални полупроводникови „лазери“ с многомодов напречен режим, с която и да е от 
изброените характеристики:
1. Дължина на вълната, по-малка от 1400 nm, и средна или CW/НВ мощност на изход над 10 W;
2. Дължина на вълната, равна на или по-голяма от 1400 nm и по-малка от 1900 nm, и средна или 
CW/НВ мощност на изход над 2,5 W; или
3. Дължина на вълната, равна на или по-голяма от 1900 nm, със средна или CW/НВ мощност на 
изхода над 1 W;
c. Индивидуални полупроводникови лазерни решетки с която и да е от изброените характеристики:
1. Дължина на вълната, равна на или по-малка от 1400 nm, със средна или CW/НВ мощност на 
изхода над 80 W;
2. Дължина на вълната, равна на или по-голяма от 1400 nm и по-малка от 1900 nm, и средна или 
CW/НВ мощност на изход над 25 W; или
3. Дължина на вълната, равна на или по-голяма от 1900 nm, със средна или CW/НВ мощност на 
изхода над 10 W;
d. Множество подредени полупроводникови „лазери“, съдържащо поне една решетка, посочена в 
6A005.d.1.c;
Технически бележки:
1. Полупроводниковите „лазери“ обикновено се наричат лазерни диоди.
2. Една „решетка“ съдържа голям брой полупроводникови лазерни излъчватели, произведени в 
самостоятелен чип, когато центровете на емитираните лъчи лежат на паралелни прави.