Estudio de fotoconductividad de película delgada de CuFeO2 tipo delafossite mediante mediciones de resistencia eléctrica.

El trabajo realizado en esta tesis consiste en el estudio de la dependencia de la resistencia eléctrica en función de la longitud de onda incidente en una película delgada semiconductora de CuFeO2 de 75 nm de espesor obtenida por técnica de deposición por laser pulsado sobre zafiro y con ello, basándose en el efecto fotoconductivo, determinar las brechas semiconductoras del material y así conocer su viabilidad como electrodo para procesos de fotólisis de agua, permitiendo la producción sustentable de hidrógeno gaseoso como fuente de energía. Para ello se mide experimentalmente la resistencia eléctrica de la muestra usando método Van der Pauw, en ambiente de alto vacío, en función de longitud de onda incidente, obtenida con monocromador, en el rango de 450 a 1.080 nanómetros usando lámpara Thorlabs SLS201L. La resistencia en completa oscuridad es de 1,132 MΩ y ante luz de amplio espectro de 1,117 MΩ. El gráfico de cambio en resistencia en función de longitud de onda, corregida según la potencia incidente, muestra cambios de conductividad, asociables a brechas semiconductora, en 1,3 - 1,7 - 1,9 - 2,0 - 2,1 - 2,3 eV y un cambio notorio entre 2,5 - 2,6 eV que coinciden razonablemente con resultados obtenidos previamente mediante gráficos tipo Tauc en base a datos de espectroscopía de transmisión de la muestra y otras referencias.El trabajo realizado en esta tesis consiste en el estudio de la dependencia de la resistencia eléctrica en función de la longitud de onda incidente en una película delgada semiconductora de CuFeO2 de 75 nm de espesor obtenida por técnica de deposición por laser pulsado sobre zafiro y con ello, basándose en el efecto fotoconductivo, determinar las brechas semiconductoras del material y así conocer su viabilidad como electrodo para procesos de fotólisis de agua, permitiendo la producción sustentable de hidrógeno gaseoso como fuente de energía. Para ello se mide experimentalmente la resistencia eléctrica de la muestra usando método Van der Pauw, en ambiente de alto vacío, en función de longitud de onda incidente, obtenida con monocromador, en el rango de 450 a 1.080 nanómetros usando lámpara Thorlabs SLS201L. La resistencia en completa oscuridad es de 1,132 MΩ y ante luz de amplio espectro de 1,117 MΩ. El gráfico de cambio en resistencia en función de longitud de onda, corregida según la potencia incidente, muestra cambios de conductividad, asociables a brechas semiconductora, en 1,3 - 1,7 - 1,9 - 2,0 - 2,1 - 2,3 eV y un cambio notorio entre 2,5 - 2,6 eV que coinciden razonablemente con resultados obtenidos previamente mediante gráficos tipo Tauc en base a datos de espectroscopía de transmisión de la muestra y otras referencias.El trabajo realizado en esta tesis consiste en el estudio de la dependencia de la resistencia eléctrica en función de la longitud de onda incidente en una película delgada semiconductora de CuFeO2 de 75 nm de espesor obtenida por técnica de deposición por laser pulsado sobre zafiro y con ello, basándose en el efecto fotoconductivo, determinar las brechas semiconductoras del material y así conocer su viabilidad como electrodo para procesos de fotólisis de agua, permitiendo la producción sustentable de hidrógeno gaseoso como fuente de energía. Para ello se mide experimentalmente la resistencia eléctrica de la muestra usando método Van der Pauw, en ambiente de alto vacío, en función de longitud de onda incidente, obtenida con monocromador, en el rango de 450 a 1.080 nanómetros usando lámpara Thorlabs SLS201L. La resistencia en completa oscuridad es de 1,132 MΩ y ante luz de amplio espectro de 1,117 MΩ. El gráfico de cambio en resistencia en función de longitud de onda, corregida según la potencia incidente, muestra cambios de conductividad, asociables a brechas semiconductora, en 1,3 - 1,7 - 1,9 - 2,0 - 2,1 - 2,3 eV y un cambio notorio entre 2,5 - 2,6 eV que coinciden razonablemente con resultados obtenidos previamente mediante gráficos tipo Tauc en base a datos de espectroscopía de transmisión de la muestra y otras referencias.El trabajo realizado en esta tesis consiste en el estudio de la dependencia de la resistencia eléctrica en función de la longitud de onda incidente en una película delgada semiconductora de CuFeO2 de 75 nm de espesor obtenida por técnica de deposición por laser pulsado sobre zafiro y con ello, basándose en el efecto fotoconductivo, determinar las brechas semiconductoras del material y así conocer su viabilidad como electrodo para procesos de fotólisis de agua, permitiendo la producción sustentable de hidrógeno gaseoso como fuente de energía. Para ello se mide experimentalmente la resistencia eléctrica de la muestra usando método Van der Pauw, en ambiente de alto vacío, en función de longitud de onda incidente, obtenida con monocromador, en el rango de 450 a 1.080 nanómetros usando lámpara Thorlabs SLS201L. La resistencia en completa oscuridad es de 1,132 MΩ y ante luz de amplio espectro de 1,117 MΩ. El gráfico de cambio en resistencia en función de longitud de onda, corregida según la potencia incidente, muestra cambios de conductividad, asociables a brechas semiconductora, en 1,3 - 1,7 - 1,9 - 2,0 - 2,1 - 2,3 eV y un cambio notorio entre 2,5 - 2,6 eV que coinciden razonablemente con resultados obtenidos previamente mediante gráficos tipo Tauc en base a datos de espectroscopía de transmisión de la muestra y otras referencias.