1) Magnetron sputtering beginsel.
In die gesputterde teikenpaal (katode) en die anode tussen die byvoeging van 'n ortogonale magnetiese en elektriese veld, in 'n kamer met 'n hoë vakuum gevul met die nodige inerte gas (gewoonlik Ar gas), permanente magnete in die teikenmateriaaloppervlak om 'n magnetiese veld van te vorm 250 ~ 350 gauss, met die hoëspanning elektriese veld om 'n ortogonale elektromagnetiese veld te vorm. Onder die werking van die elektriese veld, die Ar-gas word in positiewe ione en elektrone geïoniseer, die teiken word bygevoeg met 'n sekere negatiewe hoë spanning, die elektrone van die teiken is onderhewig aan die werking van die magnetiese veld en die ionisasie van die werkende gas neem toe, 'n hoëdigtheid plasma word naby die katode gevorm, die Ar-ione word versnel onder die werking van die Lorentz-krag en vlieg na die teikenoppervlak, bombardeer die teikenoppervlak met 'n baie hoë spoed, sodat die atome wat uit die teiken gesputter word die beginsel van momentumomskakeling met 'n hoë volg Die atome wat op die teiken gesputter word volg die kinetiese energie-omsettingsbeginsel en vlieg van die teikenoppervlak af na die substraat om 'n film neer te sit. Magnetron sputtering is oor die algemeen verdeel in twee tipes: DC-sputtering en RF-sputtering, waar die beginsel van GS-sputtertoerusting eenvoudig is en die tempo vinnig is wanneer metale gesputter word. RF sputtering, aan die ander kant, kan in 'n wyer reeks toepassings gebruik word en kan nie-geleidende materiale benewens elektries geleidende materiale sputter, asook reaktiewe sputtering vir die voorbereiding van saamgestelde materiale soos oksiede, nitriede en karbiede. As die frekwensie van RF verhoog word, word dit mikrogolfplasma-sputtering, vandag, wat algemeen gebruik word, is elektronsiklotronresonansie (ECR) tipe mikrogolfplasma sputtering.
2) Tipes magnetron sputtering teikens.
Metaal sputtering deklaag, legering sputtering coating teiken, teiken vir keramiekverstuiwing, boride keramiek sputtering teiken, hardmetaal vir keramiekverstuiwing, fluoried keramiek sputter doelwit, nitried keramiek sputter teiken, oksied keramiek teiken, selenied keramiek sputter doelwit, silikied keramiek sputter doel, sulfied keramiek sputter doelwit, telluride keramiek sputter doel, ander keramiek teikens, chroom-gedoteerde 'n silikonoksied keramiek teikens (Cr-SiO), indiumfosfied teikens (InP), lood arsenied teikens (PbAs), indium arseen teikens (InAs). 
Toepassingsgebiede Editor Voice
Soos ons almal weet, die tegnologie-ontwikkelingstendens van teikenmateriale is nou verwant aan die ontwikkelingstendens van dunfilmtegnologie in die stroomaf toepassingsbedryf, en aangesien die toepassingsbedryf die tegnologie in dunfilmprodukte of -komponente verbeter, die doelmateriaaltegnologie moet ook verander. Byvoorbeeld, Ic vervaardigers. In onlangse tye gewy aan die ontwikkeling van lae weerstand koper bedrading, sal na verwagting die oorspronklike aluminiumfilm in die volgende paar jaar aansienlik vervang, sodat die ontwikkeling van koperteikens en hul vereiste sperlaagteikenmateriaal dringend sal wees. Daarby, in onlangse jare, die plat paneel vertoon (FPD) het die oorspronklike katodestraalbuis aansienlik vervang (CRT) gebaseerde rekenaarmonitor en televisiemark. Sal ook die tegnologie en markaanvraag vir ITO-teikens aansienlik verhoog. Daarby, in die bergingstegnologie. Hoë digtheid, hoë-kapasiteit hardeskyf, hoë-digtheid herskryfbare optiese skyf aanvraag bly toeneem. Al hierdie het gelei tot veranderinge in die toepassingsbedryf se vraag na teikenmateriaal. In die volgende sal ons die hooftoepassingsareas van teikenmateriaal bekendstel, en die neiging van teikenmateriaalontwikkeling in hierdie gebiede.
Die halfgeleier-industrie het die mees veeleisende kwaliteit vereistes vir teiken sputter films van enige toepassing industrie. Vandag, silikonwafels van tot 12 duim (300 toonbeelde) vervaardig word. terwyl die breedte van die onderlinge verbindings afneem. Die vereistes van vervaardigers van silikonwafels vir groot groottes, hoë suiwerheid, lae segregasie en fyn korrels vereis dat die teikens wat vervaardig word, 'n beter mikrostruktuur het. Die kristallyne deeltjie deursnee en eenvormigheid van die teiken is geïdentifiseer as 'n sleutelfaktor wat die afsettingtempo van die film beïnvloed. Daarby, die suiwerheid van die film is hoogs afhanklik van die suiwerheid van die teiken. In die verlede, a 99.995% (4N5) suiwer koperteiken sal dalk in die behoeftes van halfgeleiervervaardigers vir die 0.35nm-proses kan voorsien, maar dit kan nie aan die vereistes van vandag se 0.25um-proses voldoen nie, terwyl die 0.18um} kuns of selfs 0.13m proses vir die ongemeterde sal 'n teiken suiwerheid van vereis 5 of selfs 6N of meer. Koper in vergelyking met aluminium, koper het 'n hoër weerstand teen elektromigrasie en laer weerstand om te voldoen! Die geleierproses vereis sub-mikron bedrading onder 0.25um, maar bring ander probleme mee: die adhesiesterkte van koper tot organiese diëlektriese materiale is laag. En maklik om te reageer, wat lei tot die gebruik van die chip koper interkonneksie lyn is geroes en gebreek. Om hierdie probleme op te los, die behoefte om 'n sperlaag tussen die koper en diëlektriese laag op te stel. Blokkeerlaag materiaal word oor die algemeen gebruik hoë smeltpunt, hoë weerstand van die metaal en sy verbindings, dus is die dikte van die blokkeerlaag minder as 50nm, en koper en diëlektriese materiaal adhesie prestasie is goed. Koperverbinding en aluminiumverbinding van die blokkeerlaagmateriaal is anders. Nuwe teikenmateriaal moet ontwikkel word. Koperverbinding van die blokkeerlaag met teikenmateriale insluitend Ta, W, TaSi, WSi, ens.. Maar Ta, W is vuurvaste metale. Produksie is relatief moeilik, bestudeer nou molibdeen, chroom en ander Taiwan goud as alternatiewe materiale.
Platpaneelskerms (FPD) het oor die jare 'n beduidende impak op die rekenaarmonitor- en televisiemark gehad, hoofsaaklik in die vorm van katodestraalbuise (CRT), wat ook die tegnologie en markvraag na ITO-teikens sal dryf. Daar is vandag twee tipes iTO-teikens beskikbaar. Een daarvan is die gebruik van nano-toestand indiumoksied en tinoksiedpoeier gemeng en gesinterd, een is die gebruik van indium tin allooi teiken. Indium-tin allooi teikens kan gebruik word vir ITO dun films deur DC reaktiewe sputtering, maar die teikenoppervlak sal oksideer en die sputtertempo beïnvloed, en dit is nie maklik om groot grootte van Taiwan goud teikens te verkry. Deesdae, die eerste metode word oor die algemeen gebruik om ITO-teikens te produseer, met behulp van L}IRF-reaktiewe sputterbedekking. Dit het 'n vinnige afsettingspoed. En kan die dikte van die film akkuraat beheer, hoë geleidingsvermoë, goeie konsekwentheid van die film, en sterk adhesie aan die substraat, ens. l. Maar die teiken materiaal produksie probleme, wat is omdat indiumoksied en tinoksied nie maklik is om saam te sinter nie. ZrO2, Bi2O3 en CeO word oor die algemeen as sinterbymiddels gebruik en is in staat om teikens met 'n digtheid van 93% aan 98% van die teoretiese waarde. Die prestasie van ITO-films wat op hierdie manier gevorm word, is baie afhanklik van die bymiddels. Japannese wetenskaplikes gebruik Bizo as 'n bymiddel, Bi2O3 smelt by 820Cr en het verby die sintertemperatuur van l500°C vervlugtig. Dit maak dit moontlik om 'n relatief suiwer ITO-teiken onder vloeibare fase sinteringstoestande te verkry. Verder, die oksied rou materiaal wat benodig word, hoef nie noodwendig nanopartikels te wees nie, wat die voorlopige proses vergemaklik. In 2000, die Nasionale Ontwikkelingsbeplanningskommissie, die Ministerie van Wetenskap en Tegnologie Ministerie van Wetenskap en Tegnologie in die "huidige prioriteit ontwikkeling van inligting industrie sleutel areas gids", ITO groot teikenmateriaal is ook ingesluit.
In berging tegnologie, die ontwikkeling van hoëdigtheid, hoë-kapasiteit hardeskyf vereis 'n groot aantal reuse magnetoresistiewe film materiaal, en CoF~Cu meerlaag saamgestelde film is 'n wyd gebruikte reuse magnetoresistiewe filmstruktuur vandag. Die TbFeCo-legerings-teikenmateriaal wat vir magnetiese skywe benodig word, word steeds verder ontwikkel, en die magnetiese skywe wat daarvan gemaak word, het 'n hoë bergingskapasiteit, lang lewe en kan herhaaldelik sonder kontak uitgevee word. Die magnetiese skywe wat vandag ontwikkel word, het 'n laag saamgestelde filmstruktuur van TbFeCo/Ta en TbFeCo/Al. Die Kerr-rotasiehoek van die TbFeCo/AI-struktuur bereik 58, terwyl TbFeCofFa naby kan wees 0.8. Daar is gevind dat die lae magnetiese deurlaatbaarheid van die teikenmateriaal hoë AC gedeeltelike ontladingsspanning l elektriese sterkte weerstaan.
Germanium antimoon telluride gebaseer fase verandering herinneringe (PCM) het aansienlike kommersiële potensiaal getoon as 'n alternatiewe geheuetegnologie vir NOR-tipe flits en deel van die DRAM-mark, egter, een van die uitdagings op die pad na vinniger skaal is die gebrek aan ten volle hermetiese selle wat geproduseer kan word om die herstelstroom verder te verminder. Laer terugstelstrome kan geheuekragverbruik verminder, verleng batterylewe en verhoog databandwydte, alle belangrike kenmerke vir vandag se data-sentriese, hoogs draagbare verbruiker