DRAM word gewoonlik in 'n vierkantige matriks van een kapasitor en een transistor per sel gerangskik. Die illustrasie hierbo toon 'n eenvoudige voorbeeld met slegs 4 by 4 selle (moderne DRAM kan bestaan uit duisende selle in lengte sowel as breedte). 'n Leesbewerking gebeur as volg: die ry waarin die gekose sel hom bevind word geaktiveer deur al die transistors aan te skakel en die kapasitore van daardie ry aan sensorlyne te verbind. Die sensorlyne loop tot by die seinversterkers, wat kan onderskei tussen 'n gestoorde 0 of 'n 1. Die versterkte waarde vanaf die betrokke kolom word dan geselekteer en aan die uitset verbind. Aan die einde van 'n leessiklus moet die rywaardes op die kapasitors, wat tydens die leesbewerking ontlaai is, weer herstel word. Hierdie skryfbewerking word gedoen deur die ry te aktiveer en die waardes wat geskryf moet word aan die sensorlyne te verbind, wat daartoe lei dat die kapasitore weer na hul verlangde waardes herlaai word. Tydens 'n skryfbewerking na 'n spesifieke sel word die hele ry uitgelees, een waarde verander en word die hele ry weer teruggeskryf, soos aangetoon in die beeld aan die regterkant.
Fast Page Mode DRAM of FPM DRAM werk op die beginsel dat 'n ry van die DRAM "oop" gehou word sodat opeenvolgende lees- en skryfbewerkinge binne in 'n ry nie vertraag word deur die vooraflaai en die voorbereiding vir toegang nie. Dit verhoog die werkverrigting van die stelsel wanneer sarsies data gelees of geskryf word.
Nibble mode is 'n ander variant waar toegang tot vier opeenvolgende liggings binne 'n ry verkry kan word.
Die eerste poort, die DRAM-poort, word op dieselfde wyse oopgemaak as gewone DRAM. Die tweede poort, die video poort, is 'n lees-alleen poort en is daaraan toegewy om 'n vinnige stroom data na die skerm te lewer. Om die videopoort te gebruik moet die beheerder eers die DRAM-poort gebruik om 'n ry van die geheuematriks wat vertoon moet word selekteer. Die VRAM kopieer dan die hele ry na 'n interne skuifregister. Die beheerder kan dan voortgaan om die DRAM-poort te gebruik om voorwerpe op die skerm te teken.
Intussen voer die beheerder 'n klok, wat die skuifklok genoem word, na die VRAM se videopoort. Elke skuifklokpuls veroorsaak dat die VRAM die volgende item data vanaf die skuifregister na die videopoort lewer in streng adresvolgorde. Vir eenvoud word die grafiese aansluiter gewoonlik so ontwerp dat die inhoud van 'n ry, en daarom die inhoud van die skuifregister, ooreenstem met 'n volledige horisontale lyn op die skerm.
EDO-DRAM is soortgelyk aan Fast Page Mode DRAM met die bykomende eienskap dat 'n nuwe toegangssiklus aan die gang gesit kan word terwyl die data-uitset van die vorige siklus nog aktief is. Dit laat 'n sekere mate van oorvleueling tydens die bedryf toe (pipelining) en laat 'n ietwat hoër spoed toe. Dit was 5% vinniger as FPM-DRAM, wat dit vanaf 1993 begin vervang het.
'n Ewolusionêre ontwikkeling van bogenoemde variant was die Burst EDO DRAM wat soveel as vier geheue-adresse in een sarsie kon verwerk wat 'n addisionele drie kloksiklusse meer as optimaal ontwerpte EDO-geheue bespaar het. Dit is gedoen deur 'n adresteller op die skyf te plaas om tred te hou van die volgende adres. BEDO het ook 'n pyplyn-stadium bygevoeg wat die verdeling van die bladtoegangsiklus in twee komponente gefasiliteer het. Tydens 'n leesbewerking het die eerste komponent die data vanaf die eerste geheuematriks na die tweede stadium ingelees. Die tweede komponent het die databus vanaf hierdie stadium teen die geskikte vlak van logika aangedryf. Aangesien data reeds in die uitsetbuffer gelaai was, is vinniger toegangstye verkry (soveel as 50% vir groot blokke data) as die tradisionele EDO.
Multibank DRAM gebruik die invlegtegniek vir hoofgeheue vir tweede vlak kasgeheue om 'n goedkoper en vinniger alternatief tot SRAM te bied. Die skyf skei die geheuekapasiteit in klein blokke van 256 kilogrepe (kG) en laat bewerkings op twee verskillende banke tydens 'n enkele kloksiklus toe.
Hierdie geheue is primêr in grafiese kaarte met Tseng Labs ET6x00 skywe gebruik en is deur MoSys vervaardig. Borde wat op hierdie skywe gebaseer is het dikwels die ongewone geheuegrootte konfigurasie van 2.25 MG gebruik vanweë MDRAM se vermoë om makliker in verskillende groottes geïmplementeer te kon word. Hierdie grootte het dan ook die gewilde 24-bis kleur teen 'n resolusie van 1024X768, 'n baie gewilde skermresolusie op daardie tydstip, moontlik gemaak.
(en) Basic DRAM operation, 'n artikel met interessante geskiedkundige grafieke met tendense oor selgroottes en DRAM-digtheid -- dit gaan egter slegs tot en met 1995.
Tezzaron Semiconductor Soft Error White Paper 'n 1994 oorsig oor die literatuur rondom die metings van die tempo waarteen geheuefoute voorkom.