Nuus - Wat is Galliumnitrid?
Galliumnitrid is 'n binêre halfgeleier met direkte III / V bandgaping wat goed geskik is vir hoë drywingstransistors wat by hoë temperature kan werk. Sedert die negentigerjare word dit algemeen in ligdiodes (LED) gebruik. Galliumnitried gee 'n blou lig aan wat gebruik word vir skyflees in Blu-ray. Daarbenewens word galliumnitried gebruik in halfgeleierkragtoestelle, RF-komponente, lasers en fotonika. In die toekoms sal ons GaN in sensortegnologie sien.
In 2006 is GaN-transistors, wat soms GaN FET's genoem word, met die verbeteringsmodus vervaardig deur 'n dun laag GaN op die AIN-laag van 'n standaard silikonplaat te kweek met behulp van metaalorganiese chemiese dampneerslag (MOCVD). Die AIN-laag dien as buffer tussen die substraat en GaN.
Met hierdie nuwe proses kon galliumnitridtransistors in dieselfde bestaande fabrieke as silikon vervaardig word, met byna dieselfde vervaardigingsprosesse. Deur gebruik te maak van 'n bekende proses maak dit soortgelyke, lae vervaardigingskoste voorsiening en verminder dit die versperring vir kleiner transistors vir baie beter verbetering.
Om verder te verduidelik, bevat alle halfgeleiermateriaal 'n bandgap. Dit is 'n energiebereik in 'n vaste stof waar geen elektrone kan bestaan ​​nie. Eenvoudig gestel, 'n bandgaping hou verband met hoe goed 'n vaste materiaal elektrisiteit kan gelei. Galliumnitried het 'n 3.4 eV bandgaping, vergeleke met silikon se 1.12 eV bandgap. Die groter bandgaping van Galliumnitried beteken dat dit hoër spanning en hoër temperature kan handhaaf as MOSFET's van silikon. Met hierdie wye bandafstand kan galliumnitried toegedien word op opto-elektroniese hoë- en hoëfrekwensie-toestelle.
Die vermoë om teen baie hoër temperature en spanning as Gallium-arsenide (GaAs) transistors te werk, maak Galliumnitrid ook die ideale kragversterkers vir mikrogolfoond- en terahertz-toestelle (soos beeldvorming en sensing), die toekomstige mark hierbo genoem. GaN-tegnologie is hier en dit beloof om alles te verbeter.