Die beginsel van sputtering van teikenmagnetron -sputtering
Magnetron sputtering beginsel: voeg 'n ortogonale magneetveld en 'n elektriese veld tussen die geteisterde teiken (katode) en die anode, en die sputtereiken word gevul met die vereiste inerte gas (gewoonlik Ar gas) in die kamer met hoë vakuum. Die permanente magneet vorm a 250-350 Magnetiese veld van Gauss op die oppervlak van die doelmateriaal, en vorm 'n ortogonale elektromagnetiese veld met die hoogspanning elektriese veld..
Onder die werking van die elektriese veld, Ar gas ioniseer in positiewe ione en elektrone. 'N Sekere negatiewe hoogspanning word op die teiken toegepas. Die elektrone wat deur die teiken uitgestraal word, word beïnvloed deur die magnetiese veld en die ionisasie -waarskynlikheid van die werkgas neem toe, 'n plasma met 'n hoë digtheid naby die katode vorm. Onder die aksie van Lorentz -mag, Arione versnel na die teikenoppervlak en bombardeer die teikenoppervlak teen 'n hoë spoed, sodat die atome wat uit die teiken gespat is, die beginsel van momentumomskakeling volg en met hoër kinetiese energie van die teikenoppervlak af wegvlieg. Substraat neerslag in film. Magnetron sputtering is oor die algemeen verdeel in twee tipes: GS -sputtering en radiofrekwensie -sputtering. Die beginsel van DC -sputtertoerusting is eenvoudig. By die sputtering van metaal, sy koers is ook vinnig..
Die toepassingsreeks van radiofrekwensieverstuiwing is meer uitgebrei. Benewens die sputtering van geleidende materiale, nie-geleidende materiale kan ook gespuit word. Op dieselfde tyd, dit kan ook reaktiewe sputtering voer om saamgestelde materiale soos oksiede voor te berei, nitriede, en karbiede..As die frekwensie van die sputteringsteiken se radiofrekwensie verhoog word, dit word mikrogolfplasma sputter. Huidiglik, elektron siklotronresonansie (ECR) tipe mikrogolfplasma -sputtering word algemeen gebruik..