Titaan silikiedprestasie: uitstekende oksidasieweerstand by hoë temperatuur, gebruik as hittebestande materiale, hoë temperatuur verwarmingsorgaan, ens.
Titaan silikied, molekulêre gewig: 116.1333, CAS-nr .: 12039-83-7, MDL-nr .: mfcd01310208
EINECS-nr .: 234-904-3.
Titanium silikied prestasie: uitstekende oksidasieweerstand by hoë temperatuur, gebruik as hittebestande materiale, hoë temperatuur verwarmingselement, ens. Titanium silisied word wyd gebruik in hek, bron / drein, interkonneksie en ohmiese kontak van metaaloksied halfgeleier (MOS), metaaloksied-halfgeleier-veldeffektransistor (MOSFET) en dinamiese ewekansige toegangsgeheue (DRAM)
1) 'n Titaan-silikiedversperringslaag word voorberei. Die toestel wat die bereidingsmetode van die titaniumsilikiedversperringslaag gebruik, bevat 'n nie-silikiedgebied en 'n silisiedgebied wat deur 'n isolasiegebied geskei word, en die boonste oppervlak van die toestel is bedek met 'n offeroksiedlaag.
2) 'n Soort in-situ gesintetiseerde titanium silisied (Ti5Si3) deeltjies versterk aluminium titaniumkarbied (Ti3AlC2) matriks saamgestelde is voorberei. Die aluminium titaniumkarbied / titanium silikied saamgestelde materiaal met 'n hoë suiwerheid en hoë sterkte kan teen 'n laer temperatuur en 'n korter tyd voorberei word.
3) Samestellende funksionele titanium silisied bedekte glas is voorberei. 'N Dun film word op 'n gemeenskaplike floatglas-substraat neergelê, of 'n silikonfilm word tussen hulle neergelê. Die meganiese sterkte en chemiese korrosieweerstand van die bedekte glas kan verbeter word deur die saamgestelde film van titaniumsilied en silikonkarbied te berei of 'n klein hoeveelheid aktiewe koolstof of stikstof in die film te voeg. Die uitvinding het betrekking op 'n nuwe tipe bedekte glas wat die funksies van verduistering en hitte-isolasie en lae stralingsglas kombineer.4) 'n Halfgeleierelement word voorberei, wat 'n silikonsubstraat bevat waarop 'n hek, 'n bron en 'n afvoer gevorm word , word 'n isolerende laag tussen die hek en die silikonsubstraat gevorm, die hek is saamgestel uit 'n polisilikonlaag op die isolerende laag en 'n titaniumsilikiedlaag op die polisilikonlaag, 'n beskermende laag op die titaniumsilikiedlaag en die beskermende laag, die titaniumsilikiedlaag, die polisilikonlaag en die isolerende laag word omring deur Daar is drie lae struktuurlaag, wat silikonnitrid gapingswandlaag, hidrofiliese laag en silikonoksied gapingswandlaag van binne na buite is. Titaniumsilikiedlaag word gevorm op bronelektrode en dreineringselektrode, binnelaag diëlektriese laag word gevorm op silikonsubstraat, en kontakvensteropening word gevorm in diëlektriese laag binne-laag. Deur die tegniese skema aan te neem, kan die nutsmodel die roosterelektrode en die draad in die kontakvenster heeltemal isoleer, en daar sal geen kortsluitingsverskynsel wees nie.