Samsung ve IBM, yürütecekleri ortak çalışmalar sonucunda yarı iletken teknolojisini geliştirerek yeni mobil cihazlarda ve bilgi işlem altyapısında kullanılacak, daha güçlü ve enerji verimliliği yüksek chip üretmeyi amaçlıyor. İstanbul, 8 Şubat 2011 – Samsung ve IBM, yeni yarı iletken malzemeler, imalat prosesleri ve diğer teknolojiler konusundaki temel araştırma çalışmalarında işbirliğine gideceği bildirdi. İki şirket, akıllı telefon cihazlarından iletişim altyapısına kadar çok geniş bir uygulama yelpazesinde kullanılabilecek yeni yarıiletken proses teknolojilerini birlikte geliştirecekler. Samsung'un araştırmacıları, ABD'nin New York eyaletinin Albany şehrindeki Albany Nanotech Complex'te IBM bünyesinde çalışmalarını sürdüren bilim insanlarına katılarak birlikte yeni malzemeler ve transistor yapılarının yanı sıra yeni nesil teknolojili devreler için yenilikçi ara bağlantı ve ambalaj çözümleri üzerinde araştırmalar yürütecekler. Bu ortak araştırma ve geliştirme çalışmaları sonucunda sektöre liderlik eden silikon çözümleri geliştirilmesi ve performans, enerji tüketimi ve boyut açısından optimum performans sağlanması planlanıyor. Samsung Electronics System LSI Departmanının teknoloji geliştirmeden sorumlu kıdemli başkan yardımcısı ES Jung, "Üst düzey bilim insanlarımızın Albany Nanotech Center'da yürütülmekte olan en ileri araştırmalara katılacak olmasından büyük memnuniyet duyuyoruz. Böylece teknoloji alanındaki liderliğimizi uzun yıllar sürdürmek amacıyla sürdürdüğümüz ortak çabalarımız daha güçlenmiş olacaktır" dedi. Geliştirilecek yeni proses teknolojisinin mobil bilgisayarların yanı sıra yüksek performans gerektiren diğer uygulamalarda da şirketlerin liderliğini daha ileri noktalara taşıması ve teknolojinin hızına ve kullanıcıların giderek artan performans ve güvenilirlik taleplerine ayak uydurabilmek için yarı iletken alanında ciddi atılımlar yapması planlanıyor. IBM Microelectronics Genel Müdürü Michael Cadigan, "Yarı iletken sektörünün tüketici elektroniğinde yeni formlar ve bilgisayarlarda yeni yöntemler ortaya çıkarmaya devam edebilmesi için inovasyon konusunda işbirliği kritik bir öneme sahip. Ar&Ge sürecinin en temel aşamalarında Samsung bilim insanlarının bizimle birlikte çalışacak olmasından bu yüzden büyük heyecan duyuyoruz" dedi. Anlaşma ile ayrıca IBM ile Samsung arasında var olan ve 20 nanometreden başlayan devreleri geliştirmeyi amaçlayan ortak proses geliştirme anlaşması da yenilenmiş oluyor. IBM ve Samsung fason chip müşterileri için de ileri teknolojiler geliştirerek 20 nanometre ve ötesinde, yüksek performans ve enerji verimliliği özelliklerine sahip ürünler sunmayı planlıyor. JDA'yı daha da güçlendirmek üzere Samsung'un Yarıiletken Ar&Ge merkezi de geliştirme çalışmalarına katkıda bulunması kararlaştırıldı.