Yeni bir rapora göre önceki verim sorunuyla karşılaştırıldığında, birinci nesil Samsung 3nm üretim sürecinin verimliliği mükemmele yakın bir seviyeye ulaşmış vaziyette. Buna ek olarak bir Samsung yöneticisi, ikinci nesil 3nm çip teknolojisinin de gelişmekte olduğunu belirtmiş durumda. Samsung: Mükemmele yaklaştık Önceki raporlar Samsung için büyük bir endişe yaratmıştı zira TSMC'nin verimlilik oranının yüzde 80'ler seviyesine eriştiği ancak Samsung'un 3nm sürecinde yüzde 20 seviyesinde takılı kaldığı aktarılmıştı. Ancak şimdi ise Samsung'un 3nm GAA teknolojisinin büyük oranda iyileştirildiği ve artık " mükemmele yakın " olduğu söyleniyor. Samsung'un 3nm teknolojisi TSMC'den önce Samsung, yaklaşık altı ay önce 3nm üretimine başlarken, GAA' nın benimsenmesi nedeniyle üretim verimi ciddi şekilde düşmüştü. Şirket, 3nm verimini artırmak için IBM, Silicon Frontline Technology ve diğer firmalar ile ile işbirliği yapmak zorunda kalmıştı. Samsung, FinFET yerine GAAFET'e geçme nedeni olarak FinFET teknolojisinin limitlere ulaştığını söylemişti. GAAFET, FinFET'e kıyasla daha küçük ayak izi, daha yüksek hız, daha az kaçak akım ve daha düşük voltaj gibi avantajlar sunuyor. Ayrıca Bkz. TSMC, 3nm verimliliğinde yüzde 80'lere ulaştı! Samsung ise yüzde 20'lerde Bunlarla birlikte Samsung, 3nm GAA ile 5nm sürecine göre enerji verimliliğinde yüzde 45 ve performans tarafında yüzde 2 3 artış vadediyor. İkinci nesil 3nm 'de ise Samsung'a göre enerji tüketimi yarıya iniyor performans ise yüzde 30 artıyor. TrendForce analizine göre TSMC'nin küresel döküm pazarında %53,4'lük payla birinci sırada yer alırken Samsung'un yalnızca %16,4'lük pazar payına sahip olduğu belirtiliyor. Öte yandan TSMC, 3nm levha fiyatlarında ciddi bir fiyat artışına gitmişti. Eğer Samsung, Qualcomm ve MediaTek'in yeni nesil yongalarını üretmek istiyorsa TSMC ile arasındaki verim farkını kapatmak zorunda.