Intel yıllardır 14 nm sürecini kullanıyor. Firma son derece rafine haline getirdiği eski nodun başlarda yüksek frekans avantajını kullansa da son dönemde rakibin rekabetçi IPC seviyesine ulaşmasıyla ulaştığı gerek mimarisel artılar, gerekse de 7 nm bandını tercih etmesi sayesinde elde ettiği güç tüketimi avantajı karşısında zor günler geçiriyor. GAAFET'e geçiş Intel'in CTO koltuğunda oturan Mike Mayberry VLSI konferansında dikkat çeken bir açıklamada bulundu. 22 nm'den bu yana FinFET tekniğini kullanan Intel sunuma göre GAAFET'e geçiş yapacak. Hacimli üretime geçişin önümüzdeki 5 yıl içerisinde gerçekleşeceği bilgisi paylaşılırken net bir tarhi verilmedi. Geçtiğimiz aylarda yarıiletken pazarının büyük oyuncularından Samsung da bir GAAFET yöntemi olan MBCFET ile birlikte 2022 yılında 3 nm'ye geçiş yapacağını duyurmuştu. Ayrıca Bkz. 4/8 Tiger Lake işlemcisi 8/8 Ryzen 7 4700U ile başa baş: iGPU performansı Ryzen'ın önünde Samsung'a göre MBCFET sayesinde %50 daha az güç tüketimi ve %30 performans artışı yaşanacak. Intel bu konuda bir detay vermese de hem güç tüketimi ve hem de performans kanadında iyileşmenin yolda olduğunu söyleyebiliriz. Kaynak: https://www.techpowerup.com/268906/intel-plans-to-volume-manufacture-nanowire-nanoribbon-transistors-in-five-years