NAND bellek sektöründe 3D yani istifleme yöntemi benimsendi benimseneli bellek yoğunluklarında önemli artışlar yaşanıyor. Samsung sektörün en yoğun NAND belleğini hacimli üretime sokuyor. 1Tb V-NAND bellek Samsung'un sekizinci nesle geçişini temsil eden yeni V-NAND b ellekler TLC yani hücre başına 3-bit kapasite yoğunluğunu temel alıyor. Dikey istiflemenin de etkisiyle 1Tb TLC V-NAND bellek modülü elde edilebilmiş. Böylece sektörün en yoğun kapasitesine ulaşılmış. Samsung kaç katmanlı NAND kullandığını açıklamamış. Ayrıca Bkz. Samsung gelecek yıl 270 milyon telefon satışı hedefliyor 3D ölçekleme teknolojisi ile hücrelerin arasındaki çakışmayı engelleyen Samsung daha yüksek verimliliğe ulaşmış. Toggle DDR 5.0 arayüzü sayesinde de veri aktarımı 2.4Gbps seviyelerine çıkıyor. Ayrıca PCIe 4.0 ve PCIe 5.0 performans kriterleri de karşılanmış oluyor. Samsung yeni bellek modüllerini işletme sunucularına ve özellikle otomotiv sektörüne tedarik edeceğini açıkladı. Son kullanıcı tarafında ise farklı versiyonlarını görmemiz mümkün olabilir. Kaynak: https://www.techpowerup.com/300772/samsung-begins-mass-production-of-8th-gen-v-nand-with-industrys-highest-bit-density