Intel'in yıllardır düzenli olarak ertelediği 10 nm bir kenara TSMC çoktan 2 nm üzerinde çalışmaya başladı bile. Firmadan gelen haberlere göre yeni kapı tasarımı üzerinde mesai harcanıyor. GAAFET tasarımlı 2 nm nodu Rapora göre TSMC 2 nm sürecinde planlanandan hızlı ilerliyor. Bununla birlikte daha düşük nm'nin dezavantajı olan akım kaçağının önüne geçmek için uzun süredir tercih edilen FinFET tasarımı yerini daha elverişli bir kapı dizaynına bırakacak. Böylelikle her ne kadar üretim kompleks hale gelse de bu sorunun önüne geçilebilecek. Ayrıca Bkz. RTX 3090 Blender testleri paylaşıldı, RTX 3080'den %19.7 ileride Samsung daha önce 2022'de GAAFET türü olan MBCFET geçit tasarımı üzerinde şekillenecek 3 nm'y geçeceğini duyurmuştu. TSMC'nin planına göre benzer şekilde 2022 yılının sonunda 3 nm noduna geçiş görünüyor. 2 nm içinse net tarih verilmemiş. Kaynak: https://www.guru3d.com/news-story/tsmc-would-use-gate-all-around-transistors-for-2nm-node.html