Wykorzystanie profilometru optycznego w celu badania naprężeń występujących w heterostrukturach AlGaN/GaN osadzanych metodą MOVPE na podłożach krzemowych do zastosowań w tranzystorach typu HEMT
Authors: Szymański Tomasz, Szyszka Adam, Wośko Mateusz M
Published in: Badani i Rozwój Młodych Naukowców w Polsce - Polimery i kompozyty
Publication type: book