Title: Analiza płytkich stanów pułapkowych w strukturach MOS Al/ZrO2/SiO2/4H-SiC metodą TSC
Authors: Krystian Król, Mariusz Sochacki, Michał Waśkiewicz, Jan Szmidt
Journal: Elektronika: konstrukcje, technologie, zastosowania
Publication type: article
DOI: 10.15199/13/2015.11.13