Tytuł projektu: Mechanizm formowania bariery Schottky'ego oraz zjawiska zachodzące w wysokich temperaturach w strukturach epitaksjalnych GaN-na-Si z kontaktami z krzemków metali
Instytucja: Sieć Badawcza ŁUKASIEWICZ - Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki
Województwo: mazowieckie
Kierownik projektu: dr Marek Wzorek
Panel: ST7 (obszar: ST)
Liczba wykonawców: 5
Finansowanie: 997600 PLN
Okres realizacji: 2019-07-11 00:00:00 – 2023-07-10 00:00:00 (48 miesięcy)