Tytuł projektu: Badanie procesów relaksacji naprężeń w warstwach GaSb otrzymanych na podłożach GaAs metodą epitaksji z wiązek molekularnych
Instytucja: Instytut Technologii Elektronowej
Miasto: Warszawa
Województwo: mazowieckie
Kierownik projektu: dr hab. Agata Jasik
Panel: ST7 (obszar: ST)
Liczba wykonawców: 8
Finansowanie: 1499040 PLN
Okres realizacji: 2014-08-27 00:00:00 – 2018-02-26 00:00:00 (42 miesięcy)