Tytuł projektu: Badania nad technologią wzrostu struktur laserów kaskadowych InGaAs/AlGaAs/GaAs
Instytucja: Instytut Technologii Elektronowej
Miasto: Warszawa
Województwo: mazowieckie
Kierownik projektu: dr Piotr Gutowski
Panel: ST7 (obszar: ST)
Liczba wykonawców: 3
Finansowanie: 96600 PLN
Okres realizacji: 2016-02-15 00:00:00 – 2018-02-14 00:00:00 (24 miesięcy)