Tytuł projektu: Implantacja akceptorów w intencjonalnie niedomieszkowane warstwy GaN wzrastane metodą HVPE - struktury będące podstawą wertykalnych tranzystorów wysokich mocy
Instytucja: Instytut Wysokich Ciśnień PAN
Miasto: Warszawa
Województwo: mazowieckie
Kierownik projektu: dr hab. Michał Stanisław Boćkowski
Panel: ST5 (obszar: ST)
Liczba wykonawców: 6
Finansowanie: 1495125 PLN
Okres realizacji: 2019-01-10 00:00:00 – 2023-01-09 00:00:00 (48 miesięcy)