Tytuł projektu: Mechanizm domieszkowania tlenem cienkich warstw GaN za pomocą rozpylania magnetronowego i analiza formowania kontaktu omowego z wysokodomieszkowaną warstwą podkontaktową n-GaN:O do n-GaN i tranzystorów AlGaN/GaN HEMT
Instytucja: Instytut Wysokich Ciśnień PAN
Miasto: Warszawa
Województwo: mazowieckie
Kierownik projektu: Monika Masłyk
Panel: ST7 (obszar: ST)
Liczba wykonawców: 3
Finansowanie: 186700 PLN
Okres realizacji: 2019-07-12 00:00:00 – 2023-02-11 00:00:00 (43 miesięcy)