Tytuł projektu: Właściwości falowodów InGaN i model wyciekania modów optycznych do podłoża GaN w diodach laserowych
Instytucja: Instytut Wysokich Ciśnień PAN
Miasto: Warszawa
Województwo: mazowieckie
Kierownik projektu: Grzegorz Muzioł
Panel: ST7 (obszar: ST)
Liczba wykonawców: 2
Finansowanie: 149988 PLN
Okres realizacji: 2014-07-15 00:00:00 – 2017-07-14 00:00:00 (36 miesięcy)