Tytuł projektu: Badania zjawisk towarzyszących heteroepitaksji warstw z półprzewodników III-V na podłożach GaAs metodą MBE
Instytucja: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego, Wydział Nowych Technologii i Chemii
Miasto: Warszawa
Województwo: mazowieckie
Kierownik projektu: prof. Antoni Rogalski
Panel: ST5 (obszar: ST)
Liczba wykonawców: 6
Finansowanie: 1606800 PLN
Okres realizacji: 2016-01-26 00:00:00 – 2019-09-25 00:00:00 (44 miesięcy)