ticoAg/ChineseCorpus-Kaggle-fanti huggingface dataset:
合成部1944年4月開始運作，製作異辛烷為主。新竹廠原訂計畫中，可以天然氣合成法及蔗糖醱酵兩種方式先生產出正丁醇，再製作成異辛烷。不過因戰爭因素，廠方取消了合成法製作正丁醇的計劃，只建設了醱酵裝置與蒸餾裝置，以醱酵法生產。1945年3月，丁醇發酵裝置全面改為生產乙醇，也連帶使得異辛烷製造計劃中止。
化成部1942年原訂計畫將生產異辛烷與航空潤滑油，但後來僅執行了潤滑油的計畫。原希望自南洋各日本佔領地運送10萬噸原料乾椰子油來臺，但受到美軍限制，最終只有數十噸成功運抵。1945年1月，新高分廠的榨油工廠完工，先後榨取椰子油、蓖麻油等。
日本海軍第六燃料廠部分建物設施已被指定為文化資產加以保存，與之相關的文化資產有：日本第六海軍燃料廠丁種官舍（直轄市定古蹟）與中油宏南宏毅宿舍群（文化景觀）、日本海軍第六燃料廠煉油廠遺存建築群（歷史建築）
中油宏南宏毅宿舍群位於高雄市楠梓區，原為六燃廠附屬眷舍，2015年8月被登錄為文化景觀。而其中位於宏毅一路5巷2號及4號的建築則於2014年7月29日先登錄為直轄市定古蹟，命名為「日本第六海軍燃料廠丁種官舍」。
日本海軍第六燃料廠煉油廠遺存建築群則位於新竹市，包括燃料廠房、大油槽、大廠房等建物，2014年8月登錄為歷史建築。
王金林，男，山西臨汾人，中華人民共和國政治人物，曾任中華人民共和國煤炭工業部副部長。
《遍地書香》是由張繼擔任編劇，楊真執導，來喜、王雅捷、范雷、盛石頭出演的扶貧劇 。該劇是一部表現文化扶貧攻堅內容的電視劇。
MIKTA成員國
中等強國合作體（MIKTA）是由墨西哥、印度尼西亞、韓國、土耳其、澳大利亞五國組成的國際非正式伙伴關系。該組織由韓國于2013年發起并組成，成員間擁有相似的經濟水平。組織旨在提高各國的治理能力，并成為主導世界和平與繁榮的重要力量。MIKTA每年都會舉行各國外長間的定期會晤，此外在聯合國大會及G20峰會期間也會進行會議。
《Gold Skies》是荷蘭DJ兼唱片制作人馬丁·蓋瑞斯的迷你專輯（EP）。專輯于2014年7月8日在北美地區的iTunes上以數字下載的形式發行，并收錄了《》、《Wizard》、《Tremor》、《Gold Skies》以及《Proxy》等五首單曲。
* 《Animals》：作為專輯首發單曲發行于2013年6月17日。
* 《Wizard》：作為專輯第二首單曲發行于2013年12月2日。
* 《Tremor》：作為專輯第三首單曲發行于2014年4月21日。
* 《Gold Skies》：作為專輯第四首單曲發行于2014年6月2日。
* 《Proxy》：作為專輯第五首單曲發行于2014年7月2日。
馬亭·嘉偉森（馬丁·蓋瑞斯）為所有歌曲填詞作曲。
1848年被委派往寧波一年所拍攝
蘭顯理（Henry Van Vleck Rankin，通稱H. V. Rankin，），美國美北長老會駐清朝寧波傳教士，1848年受委任，至1863年病逝於寧波。1853年，蘭顯理伙同美北長老會傳教士丁韙良編纂以寧波話為基礎翻譯的《寧波土話初學》、《領經問答》、《教會政治》、《禮拜模范》等基督教教義書籍，是最早的寧波話羅馬字拼音教學文獻，在寧波基督教堂和教會學校廣為采用。
生於新澤西州紐華克。父親是William Rankin（1785-1869），母親是Abigail Matilda Ogden（1789 - 1876）；兄弟姐妹有Luanda Caroline Rankin（1822 - 1900）、Matilda Whiting Rankin（1829 - 1838早亡）、John Joseph Rankin（1831 - 1853早亡）1851年，蘭顯理與妻子Mary Knight在寧波生下兒子Henry William Rankin（1851-1937），兒子兒子著有神學著作《Henry William Rankin Papers》。
1852年，《路加福音》在寧波出版，是中國最早的拼音文字方言圣經（所謂羅馬字注音的「土白」聖經）。儘管民眾很少能熟練閱讀羅馬字注音，對傳教士而言，大大減少了模仿中文老師的發音的時間；傳教士也無需再為在宣道時當場將文言版《圣經》通譯為寧波話而苦惱。蘭顯理曾長期受困于此，所以他一直熱心推動羅馬字注音圣經的翻譯和刊行。1853年，蘭顯理伙同美北長老會傳教士丁韙良編纂以寧波話為基礎翻譯的《寧波土話初學》、《領經問答》、《教會政治》、《禮拜模范》等基督教教義書籍，是最早的寧波話羅馬字拼音教學文獻，在寧波基督教堂和教會學校廣為采用。
聯合國秘書長發言人辦公室是聯合國一個負責向新聞媒體發放聯合國相關資訊的部門。
秘書長發言人辦公室主要負責代表聯合國秘書長、聯合國常務副秘書長及其他聯合國高層人員處理媒體關係及與媒體相關的行程和活動，以及向媒體解釋聯合國的政策。
* 秘書長助理發言人：夏洛特·拉爾比松、金子繪-{里}-、馬蒂亞斯·吉爾曼、弗洛倫西亞·索托·尼諾
2012年，聯合國官方推特帳號發表了一則帖文，暗示時任聯合國秘書長潘基文支持以一國方案解決以巴衝突。該則帖文其後被發現是由時任秘書長發言人南希·格羅夫斯（Nancy Groves）發出，格羅夫斯隨後將其歸結為一個「可怕的打字錯誤（terrible typo）」。
另外，據路透社表示，聯合國秘書長發言人一職被認為是一項「夢想職業」，但實際上需要考慮所有192個成員國的關注點，且要「競逐聯合國秘書長的注意」。
SPARQ星火 ，臺灣女子團體，為沐水堂文創旗下MuCC藝能的女子音樂組合，由三名臺灣成員頌安、羅琳、寶蓉組成。2020年8月26日以首張單曲專輯《Wings of Melody》正式出道。
SPARQ星火團體由羅琳、寶蓉、頌安三位不同個性的女生組成，她們分別來自臺北、桃園及臺南。
BAORONG
《Wings of Melody》
* 發行日期：2020年9月11日
SMT，包裝的功率MOSFET。若在有適當散熱情形下，其截止電壓是120伏特，連續運作電流為30安培
IRLZ24N 功率MOSFET，是通孔插裝技術的AB包裝。從左到右的針腳為：閘極（邏輯電位）、汲極、源極。最上方的金屬片也是汲極，和第2腳短路
功率MOSFET是專門處理大功率的電壓和電流的金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET），也是的一種。和其他功率半導體（例如絕緣柵雙極晶體管或晶閘管）比較，功率MOSFET的優點是其切換速度快，在低電壓下的高效率。功率MOSFET和IGBT都有隔離的閘體，因此在驅動上比較容易。功率MOSFE的缺點是增益較小，有時閘極驅動的電壓甚至比實際要控制的電壓還低。
MOSFET及互補式金屬氧化物半導體（CMOS）技術持續的演進，自1960年起已用在集成電路上，這也是功率MOSFET的設計得以實現的原因。功率MOSFET和一般信號級的MOSFET原理相同。功率MOSFET常用在電力電子學，是源自信號級的MOSFET，自1970年代開始有商品販售。
功率MOSFET是最常見的，原因是因為其閘極驅動需要的功率小、以及快速的切換速度、容易實施的並聯技術、高頻寬、堅固性、偏壓簡單、容易使用、也容易維修。在低壓（200V以下）的應用中，功率MOSFET是最常見的功率半導體。功率MOSFET可以用在許多不同的領域中，包括大部份的電源供應器、直流-直流轉換器、低電壓電機控制器等，以及許多其他的應用。
金屬氧化物半導體場效電晶體是貝爾實驗室的和在1959年發明的，是電力電子學的一大突破。MOSFET一代一代的推進，讓電力電子元件的設計者可以達到雙極性電晶體無法達到的性能以及功率密度。
日立製作所在1969年發明了第一個垂直式的功率MOSFET，之後稱為（V 型槽MOSFET）。日本的Y. Tarui, Y. Hayashi和Toshihiro Sekigawa首次提出有的雙擴散MOSFET（DMOS）。1974年時，日本東北大學的西澤潤一發明了用在音頻上的功率MOSFET，很就由山葉公司生產，用在高保真。JVC、Pioneer、索尼及東芝也開始在1974年開始生產有功率MOSFET的放大器。Siliconix在1975年開始販售VMOS。
VMOS和DMOS發展成當時所謂的VDMOS（垂直型DMOS）。惠普實驗室的研突團隊在1977年製作了DMOS的原型，展示DMOS比VMOS優越的特性，包括低導通阻抗以及高崩潰電壓。日立在同一年開發了橫向擴散金屬氧化物半導體（橫向DMOS），屬於平面型的DMOS。日立是1977年至1983年之間，唯一的LDMOS製造商，當時的LDMOS是由和用在音頻功率擴大器中，也用在音樂以及中。當2G數位蜂窩網絡在1995年開始使用時，LDMOS廣為使用在2G、3G等無線網路的中，後來也用在4G網路中。
於1977年在史丹佛大學和Tom Herman共同發明了HexFET，六邊形的功率MOSFET。在1978年開始販售HexFET。絕緣柵雙極晶體管（IGBT）結合了功率MOSFET以及雙極性電晶體（BJT）的特點，是由通用電氣的B·賈揚特·巴利加在1977年至1979年所發明的。
超接合面（Super Junction）MOSFET是用P+ columns穿透N-外延層的MOSFET。將P層和N層疊層的概令念最早是由大阪大學的Shozo Shirota和Shigeo Kaneda在1978年提出。飛利浦的David J. Coe發明了超接合面的MOSFET，作法是將p型及n型的層對調，並且因此在1984年申請了美國專利，在1988年通過。
功率MOSFET是最常用到的功率半導體。，功率MOSFET佔功率半導體市場的53%，比絕緣柵雙極晶體管（27%）、（11%）及雙極性電晶體（9%）要多。，每年銷售的功率MOSFET超過五百億個，其中包括溝槽式（Trench）功率MOSFET，到2017年二月為止已銷售一百億個，以及意法半導體的MDmesh（超接合面MOSFET），已販售五十億個。
功率MOSFET廣為使用在消費電子產品中。
RF DMOS，也稱為RF功率MOSFET，是設計在射頻（RF）應用的DMOS功率電晶體，用在許多電臺廣播及無線電應用中
功率MOSFET也常用在運輸技術中，包括許多不同種類的載具。
在汽車產業中，功率MOSFET是常見的汽車電子元件。
功率MOSFET（包括DMOS、LDMOS及VMOS）也可以用在其他的應用領域中。
圖1：VDMOS的截面，是一個基本單元。單元其實非常的小（數微米到數十微米的寬度），功率MOSFET中有上千個類似的單元
在第一個商用功率半導體問世的1970年代，已研發了許多的結構，不過大部份（至少到目前為止）已不再開發，主要的結構為垂直擴散MOS（VDMOS）結構（也稱為是雙擴散MOS，或DMOS），以及橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）結構。
VDMOS的截面（如圖1）可以看出元件的「垂直特性」：可以看出源極電極放在汲極的上方，在電晶體導通時，電流主要是垂直路徑。VDMOS的「擴散作用」是指其製程。P極井（如圖1）是透過擴散過程形成（其實是雙重擴散過程，產生P和N+區，因此稱為雙擴散）。
功率MOSFET和側向MOSFET的結構不同：就像大部份功率元件一樣，其結構是垂直的，不是水平的。在平面結構中，電流和擊穿電壓額定都是通道大小的函數（也就是通道的長和寛），因此在矽晶面積上沒有有效率的使用。在垂直架構中，電晶體的電壓額定是N磊晶摻雜及厚度的函數（可以參考圖1），而電流額定是通道寬度的函數。因此可以讓電晶體在小的矽晶元中，可以維持高截止電壓以及大電流額定。
LDMOS是側向結構的功率MOSFET，主要是用在高端音響放大器以及無線蜂窩網絡（例如2G、3G及4G）用的無線電功率放大器 。好處是在飽和區（對應電晶體的線性區）特性比VDMOS好。VDMOS主要用在切換的應用中，只會有開和關二個狀態，不需考慮飽和區的特性。
圖2：MOSFET的不同部份對導通電阻的貢獻
當功率MOSFET在導通狀態時，在汲極和源極之間有電阻性的行為。在圖2中可以看到電阻（稱為RDSon，表示導通時，在汲極和源極之間的電阻）是以下電阻的和：
* RS是源極電阻。代表了從封裝的端子到MOSFET通道之間的所有電阻：包括打線接合的電阻、源端金屬化的電阻，以及N+井的電阻。
* Rch是通道電阻，和通道寛度成反比。通道電阻是低壓MOSFET中，RDSon的主要貢獻來源，因此有許多的研究是在縮小晶元大小，增加通道密度。
* Ra是接觸電阻，若電阻的方向從水平（通道）變成垂直（到汲極接觸）時，接觸電阻表示在閘極電阻下磊晶區的電阻。
* RJFET是上述尺寸減少造成的不良影響：P注入（如圖1）形成了閘極的寄生JFET電晶體，會減少電流的流動。
* Rn是磊晶層的電阻，磊晶層的作用是維持截止電壓，Rn直接和元件的電壓額定有關。高壓的MOSFET需要較厚，較少摻雜的磊晶層，也就是高電阻，相對的，低壓的的MOSFET只需要較薄的磊晶層，但摻雜要比較多，也就是低電阻。因此，Rn是高壓MOSFET中，RDSon的主要貢獻來源。
* RD是汲極電阻，其特性類似RS，代表了電晶體基板的電阻（截面圖是示意圖，未照實際比例，底下的N+層其實是最厚的）以及連接到封裝端子之間的電阻。
圖3：MOSFET的RDSon會隨著電壓額定而提高
在不導通時，功率MOSFET可以等效為PIN二極體（由the P+擴散層、N?磊晶層以及N+基板組成）。在這個高度不對稱的結構逆向偏壓時，無載子的區域會往低摻雜的區域擴展，也就是N?層的上方。表示這一層需要承受不導通時，大部份汲極到源極的電壓。
不過當MOSFET在導通狀態時，N?層沒有功能，而且，因為是低摻雜的區域，其本質電阻無法忽略，會加在導通時的電阻RDSon當中（就是圖2中的電阻Rn）。
二個主要的參數決定了電晶體的崩潰電壓以及RDSon：摻雜程度以及N?磊晶層厚度。磊晶層厚度越厚，摻雜越少，崩潰電壓越高。相反的，磊晶層厚度越薄，摻雜越多，RDSon越低（MOSFET的導通損失也會越少）。因此這是MOSFET設計上的取捨，在電壓額定以及導通電阻之間進行取捨，這也是圖3所描述的。
在圖1中可以看到，MOSET的工作原理只要源極連接到N+區，但源極的金屬化連接了N+和P+的注入部份。若有這樣的情形出現，會形成在N摻雜源極以及汲極之間的浮動的P區，可以等效為NPN電晶體，有一個未連接的基極。在特定情形下（例如汲極有大電流、汲極到源極的電壓有數伏特的大小），會觸發雜散NPN電晶體，使得MOSFET不可控。P注入層到源極金屬化部份的連接會使雜散電晶體的基極對射極短路（MOSFET的源極），因此不會有了寄生鎖存效應。
不過這解法在MOSFET的汲極（陰極）和源極（陽極）之間產生了二極體（本體二極體，body doide），使其只能單一方向阻隔電流。
在H橋或半橋的電路組態中，若是電感性負載，可以把本體二極體用來作為續流二極管。這些二極管的順向導通壓降會比較高，但可以承受大電流，在許多的應用中已經足夠，而且可以節省元件個數，減少設備的成本以及電路板的大小。
圖4：功率MOSFET中本質電容的位置
功率MOSFET是單載子元件，可以高速進行切換。沒有雙載子元件需要移除少數載子的問題。不過功率MOSFET的切換速度仍有本質上的限制，就是MOSFET中的內部電容（如圖4）。在MOSFET切換時，需要將電容器充電及放電。流進閘極電容的電流會受到外部驅動電路的限制，因此充放電的速度會比較慢。若不考慮功率電路中的電感，驅動電路會主控MOSFET的切換速度。
在MOSFET的中，電容會用Ciss（汲極和源極短路時的輸入電容）、Coss（閘極和源極短路時的輸出電容）、Crss（源極短路到地時的反向傳遞電容）。這些電容和內部電容的關係如下：
其中CGS、CGD和CDS是閘極對源極、閘極對汲極、汲極對源極的電容。供應商選用Ciss、Coss和Crss來標示的原因是可以直接量測。而CGS、CGD和CDS比較接近物理上的意義，條目後續內容也會用此方式說明。
閘極對源極電容CGS是由CoxN+、CoxP和Coxm的並聯連接組成（如圖4）。N+和P區都是高度摻雜的區域，這二部份的電容可以視為是常數，Coxm是多晶矽閘極和金屬源極之間的電容，也是常數。因此一般會將CGS視為是常數，不會隨電晶體的狀態而改變。
閘極對汲極電容CGD可以視為二個基本電容串聯後所組成。第一個是氧化層的電容（CoxD），是由閘極電極、二氧化矽以及上方N磊晶層所產生，這個電容是定值。第二個電容（CGDj）是因為MOSFET不導通時，空乏層的擴展所產生，因此和源極及汲極之間的電壓有關。CGD的值為：
空乏層的寬度為
其中是矽的電容率，q是電子電荷，N是摻雜程度。CGDj的值可以用平板電容器的公式來近似：
其中AGD是源極及汲極重疊部份的面積，因此：
可以看出CGDj（以及CGD）的電容值會隨源極及汲極的電壓而改變。若電壓是增加，則電容也會增加。若MOSFET在導通態，CGDj短路，閘極對汲極電容等於CoxD，為一定值。
因為源極的金屬化會覆蓋P井（如圖1），汲極和源極的端子會被PN結隔開，因此CDS即為PN結的電容，電容是非線性電容，可以用類似CGDj的公式求得。
功率MOSFET的等效電路，包括電容、電感、雜散電阻、本體二極體
MOSFET的晶元需要和和外部的電路連接，多半會用打線接合的方式連接到MOSFET的端子（目前也在研究其他的接方式）。接線中會有雜散電感，這不是專門針對MOSFET的技術，但若在高速切換下，會有很明顯的效應。雜散電感會使電流維持定值，在晶體關閉時會產生大電壓，因此會增加切換損。
雜散電感在MOSFET的每一個端子都會出現，其影響不同：
* 閘極電感很小（假設小於數百nF），原因是閘極的電流梯度比較慢，。不過有時閘極電感和電晶體的輸入電容器會產生振蕩，可能會產生很大的切換損失，甚至會破壞設備，因此要設法避免。在一般的設計中，會維持雜散電感很低，讓此一現象不會出現。
* 汲極電感會在MOSFET導通時設法減少汲極電壓，因此可以降低切換導通損失（turn-on loss）。不過在關斷MOSFET時也會產生大電壓，因此會增加關斷損失（turn-off loss）。
* 源極雜散電感的行為類似汲極電感，但會加上回授效應，會讓切換持續的時間變長，增加切換損失。
** 在要開始快速開啟時，因為源極雜散電感，晶元上的源極電壓可以快速上昇，閘極電壓也可以快速上昇，而內部的VGS會維持較低的值一段時間，因此會使切換時的導通變慢。
** 在要開始快速關斷時，源極電感上的電流快速減少，上面的電壓會變負值（相對包裝外的導線），因此讓內部的VGS增加，讓MOSFET維持導通，因此切換時的關斷也會變慢。
閘極的氧化層很薄（100&nbsp;nm，甚至更小），因此可以承受的電壓有限。製造商會在資料表中列出閘極－源極電壓的最大值，大約是20&nbsp;V，若電壓超過此限制值，可能會造成元件的損壞。而且，過高閘極－源極電壓會讓縮短MOSFET的壽命，降低RDSon的效果不明顯，甚至沒有效果。
為了改善這方面的問題，會配合閘極驅動器應用。
功率MOSFET在關斷時，汲極－源極電壓有最大值的限制，若電壓超過此限值，會出現突崩潰的情形。若電壓超過崩潰電壓，會讓功率開關誤導通，可能因為誤導通時產生的大量熱量，造成開關或是其他電路的損壞。
一般而言，功率MOSFET的汲極電流需低於一定值（最大連續汲極電流）。汲極電流可以在短時間超過該限制值，不過仍需要小於最大脈波電流（有時會標示不同的脈波持續時間）。汲極電流會讓內部元件（例如打線接合）因為焦耳加熱而發熱，也和其他現象有關（例如金屬層的電遷移）。
為了功率MOSFET元件的可靠度，其結溫（TJ）有最高溫度的限制，此溫度和MOSFET晶元的佈置以及封裝的材料有關。封裝材料的模塑料以及人造樹脂的特性，會元件的最高結溫。
最高工作環境溫度是由發熱量以及熱阻所決定。結點到外殼（junction-to-case）的熱阻是元件以及封裝的固有特性，外殼到環境（case-to-ambient ）的熱阻主要和在電路版上的佈局、固定方式、散熱片、氣流或是散熱液體流動有關。
功率MOSFET發熱的方式（連續發熱或是脈衝發熱），會對應不同的特性，也會會影響最大。一般來說，相同發熱量下，若脈波的頻率最低，最高工作環境溫度就可以越高，因為元件可以冷卻的時間比較長。有些模型（例如）可以用來分析功率模組暫態下的溫度特性。
安全工作區會結合功率MOSFET的汲極電流以及汲極－源極電壓，定義MOSFET可以正常使用，不會損壞元件的電壓及電流範圍。一般會用圖示的方式，在座標軸分別是汲極電流及汲極－源極電壓的圖上標示。汲極電流以及汲極－源極電壓都需要低於其標示的最大值，而且其乘積也要小於元件可以散熱的最大發熱量。一般來說，功率MOSFET因為散熱能力的限制，無法工作在汲極－源極電壓以及汲極電流均為最大值的條件下。
功率MOSFET的等效電路中包括一個MOSFET，以及一個並聯的寄生BJT。此BJT無法透過閘極進行控制，因此若導通了，就無法關閉。此一現象稱為，會造成元件的毀壞。BJT可能因為p-type體區的電位差而導通。為了避免閂鎖現象，MOSFET體以及源極之間會透過封裝直接短路，避免有電位差。
網格化閘極的功率MOSFET，有方型的單元
此MOSFET的閘極是由平行的條狀結構組成
如上所述，功率MOSFET可以流過的電流是由其閘極通道的寬度所決定。閘極通道寬度是圖中截面上的Z軸。
為了降低成本以及尺寸，會讓晶元的面積越小越好。因此有許多的最佳化技術可以增加通道的表面積，也就是增加「通道密度」。作法包括在MOSFET晶元產生多個重覆性的Cellular結構。針對這些單元，有提出幾種不同的規劃方式，最著名的是International Rectifier的HEXFET元件使用的六邊形外形。
另外一種增加通道密度的方式是縮小基本結構的尺寸，因此可以在相同的表面積內容納更多的單元，也就增加了通道密度。不過隨著單元尺寸的縮小，要確保每一個單元的接面正常的難度也隨之提高。因此會出現條形結構（如圖所示）。條形結構在通道密度的效率不如Cellular結構，但是其長度可以比較小。平面結構的另一個優點是比較不會因為順向偏壓讓雜散BJT導通產生的突崩潰而失效。在Cellular結構中，若任何一個單元的源極接觸不好，就有可能會出現雜散BJT，進而出現突崩潰。而平面條狀結構的MOSFET，只會因為外部熱應力產生的突崩潰而使其損壞。
閘極有V型槽的VMOS結構
UMOS有溝槽型旳閘極，目的是讓通道保持垂直，增加通道密度
P-substrate MOSFET（常簡稱PMOS）是摻雜方式相反的MOSFET（如圖1，但P改為N，N改為P）。MOSFET是由P類的基板構成，有P?的磊晶。通道在N區，晶體是由閘極對源極的逆向電壓導通。這適用於降壓轉換器，開關的一端接在輸入電壓的高電壓側。若是用N-MOSFET，此一組態需要提供的電壓給閘極，但是用P-MOSFET，需要的電壓不會超過。
這類MOSFET的主要缺點是導通特性不佳，因為是利用電洞作為載流子。電洞的載子遷移率比電子要差，而電導率和載子遷移率有關。PMOS元件的會是相同尺寸N-MOSFET的三倍。
結構在閘極有V型槽，是最早商品化的元件。
NXP 7030AL - N-通道 TrenchMOS 邏輯準位 FET
此功率MOSFET結構（也稱為trench-MOS），其閘極電極埋在矽蝕刻的溝槽內。因此可以產生垂直型的通道。此結構主要好處是沒有JFET效應。UMOS的名稱是源自其U型的溝槽。
針對電壓等級超過500V的MOSFET，元件製造商（包括英飛凌科技以及其CoolMOS產品）開始使用電荷補償原理（charge compensation principle）。使用此技術時，磊晶層的電阻（佔高壓MOSFET元件電阻的95%）可以縮小到原來的五分之一。
瑞薩電子為了提昇超接合面（super-junction）MOSFET的生產效率以及可靠度，發展了有深溝槽（deep-trench）製程技術的超接合面結構。此技術是在低雜質的N型材料上饋蝕刻溝槽，以產生P型區。此製程克服了多層磊晶成長時的一些固有問題，其導通電阻及內部電容都很低。
因為超接合面結構的p-n接合面面積增加，相較於傳統平面式的功率MOSFET，超接合面結構MOSFET的逆向恢復時間較短，但逆向恢復電流較大。
* "Power Semiconductor Devices", B. Jayant Baliga, PWS publishing Company, Boston.
勒內·莫諾里（，），法國政治人物，前參議院議長。戴高樂主義者。
1923年生于盧丹，早年經營汽車修理店。1959年加入人民共和運動，當選盧丹市長。1961年當選維埃納省議會議員。1968年當選參議院議員。1973年當選普瓦圖-夏朗德大區議會議員。1978年加入法國民主聯盟。1977年后，歷任法國工業、商業和手工業部長，經濟部長，國民教育部長部長等職。1992年至1998年擔任參議院議長。此外，他還是普瓦圖-夏朗德大區議會議長（1985年－1986年）、維埃納省議會議長（1977年－2004年）。2004年卸任參議院議員，退出政壇。2009年4月11日在盧丹逝世。
在擔任國民教育部長期間，他的部下德瓦凱（部長級代表）提出了高等教育改革法案，史稱“德瓦凱法”。該法案引發眾多學生進行反對示威活動，甚至引發血案，最終于1986年12月撤銷。在擔任參議院議長期間，他致力于信息化建設，領導開通參議院網站。1995年10月，他在第一輪投票中擊敗由法國社會黨和法國共產黨分別提出的候選人，以絕對多數再次當選參議院議長。
他是普瓦捷觀測未來公園項目的提出者和倡導者。他希望該項目可以建設成一個匯集當代所有先進音像技術成果的永久性博覽會。1994年10月28日，他作為維埃納省議會議長，與深圳市人民政府市長厲有為在巴黎簽署締結友好省市關系協議。2002年向深圳市贈送大型雕塑作品《追求》。
他曾在1987年3月10日至16日、1994年2月22日至26日公開訪華，與李鵬、喬石等領導人會見。1994年9月江澤民訪問法國時，亦有會見莫諾里。
1945年，他與蘇珊娜·科特結婚。科特于2016年7月3日逝世，享年95歲。他們育有一個女兒。
他業余愛好賽車、乒乓球、打獵、釣魚等活動。
諾拉納門（Porta Nolana）是意大利那不勒斯殘留的一座中世紀城門，位于諾拉納廣場（Piazza Nolana），靠近環維蘇威鐵路（Circumvesuviana）上的諾拉納門火車站（Napoli Porta Nolana） , 和以海鮮聞名的諾拉納門市場（Mercato di Porta Nolana）。它的名字來自通往諾拉的道路。
城門是15世紀由西班牙當局建造的，采用朱利亞諾·達馬亞諾的設計，以容納正在成長的城市， 并取代了福爾切拉 （Forcella ）區的內城門。它靠近圣母領報大殿（Basilica della Santissima Annunziata Maggiore） 這座城門，沒有像同時代的圣雅納略門（Porta San Gennaro），失去馬蒂亞·普雷蒂的濕壁畫,而是如同卡普阿門（Porta Capuana）,保留了兩側的石塔：南側的信德塔（''Torre della Fede''），和北側的望德塔（''Torre della Speranza''）。拱門的外立面有斐迪南一世的騎馬浮雕。
小主人報社位于中華人民共和國上海市長寧區愚園路1132弄、1136弄57號，社長為朱濤。
旗下有辦《小主人報》創刊于1983年7月15日，為15歲以下兒童親自著手的報紙。1986和1987年江澤民為《小主人報》兩次題詞。1997年獲《大世界吉尼斯之最》。2001年改為中國少先隊刊物《中國少年兒童（小主人版）》。2005年新聞總署恢復《中國少年兒童（小主人版）》為《小主人報》。企業家任宇翔、記者楊揚、演員陸毅曾任《小主人報》記者。相關動畫有《小主人之正義聯盟》。另旗下有上海市長寧區小主人業余新聞學校位于長寧區安西路427號。
雅各布·喬治·霍恩伯格（；），是美國一位律師、作家和政治人物，自由未來基金會創辦人，以及和中的美國總統候選人。
霍恩伯格的父親是德裔美國人，母親是墨西哥裔美國人，在德克薩斯州拉雷多附近里奧格蘭德的一個農場長大；成年後考取維吉尼亞軍事學院的經濟學學士學位和德克薩斯大學奧斯汀分校的法律學士學位。
東革縣（又譯丹革縣，）是馬來西亞沙巴州山打根省的一個縣，縣府為東革。
東革縣于1977年建立，當時是京那峇當岸縣的一個副縣。1999年3月1日才正式升格為縣。
根據2010年人口普查統計，東革縣人口約35,341人。縣內土著主要為。和州內大部分縣份一樣，縣內有很多主要來自菲律賓南部的蘇祿群島和棉蘭老島的非法移民。
File:Telupid Sabah Oilpalm-Plantation-along-Buis-Kiabau-Road-01.jpg|Meliau Range.
File:RiversOfSabah Sungai-Milian-01.jpg|Milian River.
觀塘巴士總站可以指：
羅卡馬蒂爾德別墅（Villa Rocca Matilde）是一座19世紀的海濱別墅，位于意大利那不勒斯的波西利波社區，波西利波街（Via Posillipo）222號,圣路易吉廣場（Piazza San Luigi）下方。
目前的別墅，興建于17世紀的宮殿之上，最初由奧拉齊奧·達昆托建造。1842年，英國婦女路易莎·狄龍·斯特拉漢收購了該房產， 以她的大女兒瑪蒂爾德命名為瑪蒂爾德城堡（Castle Matilde）。下一個業主，喬治懷特威克倫德爾也進行了翻新。后來的店主是商人威廉·皮爾斯和阿奇勒·勞羅。它有時被稱為"勞羅別墅"（Villa Lauro）。此后，它被一個私人團體買下。
藍田巴士總站可以指：
小西灣巴士總站可以指：
* 小西灣（富欣花園）巴士總站
* 小西灣（藍灣半島）公共運輸交匯處
白成銘，男，陜西清澗人，中華人民共和國政治人物，曾任新疆維吾爾自治區革命委員會副主任，新疆維吾爾自治區人民政府副主席。
謝高忠，男，山西崞縣人，中華人民共和國政治人物，曾任新疆維吾爾自治區革命委員會副主任，新疆維吾爾自治區人民政府副主席。
千聖太子，也稱千聖小王，明清時期各地所奉祀的青年武神，尤以常熟奉祀最誠。
千聖太子是武神，佛教的護法神，但民間多認為千聖太子與劉猛將軍能驅蝗蟲，如遇蝗蟲危害莊稼，即祈請千聖太子、劉猛將軍除蝗消災，至神前祭祀或抬出神像，遍游鄉間田中，請為收蟲。千聖太子與劉猛將軍常被視為都天元帥的從神。
關于千聖太子的來歷，民間眾說紛紜，以張巡之子張倓說最流行。
*為戰國時常熟人印文龍之子印儲君，隨父反抗吳王，陣亡，受民眾感念，印文龍被尊為「千聖大王」，印儲君尊為「千聖太子」或「千聖小王」。
*唐代抵抗安史之亂的名將張巡之子張（史書只著錄張亞夫、張去疾兩個兒子），陣亡後成神。此說最廣。
*某朝代張狀元修道有成，被封為「千聖大王」，其子封為「千聖太子」或「千聖小王」。
*為宋代劉姓少年外出修道，歷經「千聖」指點，得道成仙。
*元末張士誠之弟張士德。張士德被朱元璋俘殺，民間尊張士誠為「千聖大王」，張士德為「千聖小王」。
*為常熟太平港富豪劉百萬，向神靈求得一子，取名劉聖，後考中狀元，死後成仙，號稱「千聖小王」。
*佛家神靈，是某天神的兒子，發誓護持「諸佛千聖」，故稱「千聖太子」。
*「千聖山」山神的兒子，故稱「千聖太子」。
劉子謨，男，陜西延長人，中華人民共和國政治人物，曾任新疆維吾爾自治區革命委員會副主任，新疆維吾爾自治區人民政府副主席。
跑馬地巴士總站可以指：
* 跑馬地（上），大坑道巴士總站
曾繼富，男，四川旺蒼人，中華人民共和國政治人物，曾任新疆維吾爾自治區人民政府副主席，新疆生產建設兵團副司令員兼參謀長，第五屆全國人大代表。
銅鑼灣巴士總站可以指：
* 銅鑼灣（威非路道）巴士總站
金鐘巴士總站可以指：
中環巴士總站可以指：
2020年至2021年英格蘭聯賽盃，也因贊助商冠名關係而稱為「卡拉寶盃」（''Carabao Cup''），是第61屆的聯賽盃比賽。這是一個由92支來自英格蘭及威爾斯的聯賽球隊角逐的淘汰制比賽。
本屆的衞冕冠軍是曼城。
第一圈比賽於2020年8月29日開始，參與者都是來自英冠、英甲及英乙的聯賽隊伍。而本屆自英超聯賽降級至英冠的球隊多數都會輪空，在第二圈才會與其他沒有參加歐洲賽的英超球隊一同加入，而參加歐洲賽的球隊則會在第三圈才加入。
進入此階段球隊數目
由上階段進行此階段球隊數目
第一圈（70支球隊）
24支英乙球隊24支英甲球隊22支英冠球隊
第二圈（50支球隊）
2支英冠球隊13支英超球隊（沒有參與歐洲洲際賽事）
35支第一圈獲勝球隊
第三圈（32支球隊）
7支英超球隊（參與歐洲洲際賽事）
25支第二圈獲勝球隊
第四圈（16支球隊）
16支第三圈獲勝球隊
半準決賽（8支球隊）
8支第四圈獲勝球隊
準決賽（4支球隊）
4支半準決賽獲勝球隊
決賽（2支球隊）
2支準決賽獲勝球隊
第一圈的在2020年8月18日（BST）完成抽籤，24支英乙球隊、24支英甲球隊，以及22支英冠球隊，共計70隊參與本輪比賽，降級英冠的球隊中只有第18位的般尼茅夫及第19位的屈福特獲得輪空，榜末的諾域治就需要自第一圈開始比賽。
括號內的數字表示各隊伍在2020年至2021年賽季中在英格蘭足球聯賽系統中的級別，(1)表示球隊是英超聯球隊，(2)表示球隊是英冠球隊，如此類推。
這一圈賽事由第一圈晉級的35支球隊，13支超聯球隊以及上一圈獲得輪空的兩支英冠球隊（般尼茅夫及屈福特）參與，餘下的7支超聯球隊由於獲得參加歐洲冠軍聯賽或歐洲聯賽的資格而在這圈輪空。賽事抽籤於2020年9月6日進行。
7支在本屆參加歐洲賽的球隊在這一圈加入，他們包括衞冕冠軍、、和四支參加歐洲冠軍聯賽的球隊以及、及三支參加歐霸的球隊。他們會與自上輪晉級的25隊一起對賽爭奪晉級。第三圈抽籤在2020年9月6日舉行。
第四圈抽籤於2020年9月17日進行。
半凖決賽抽籤於2020年10月2日進行，來自第二級英冠的賓福特和史篤城為本圈聯賽級別最低的兩支隊伍。
凖決賽抽籤於2020年12月23日進行。今屆起準決賽以一場決勝負取代之前主客兩回合。
決賽原於舉行，其後延至舉行。
熱帶亞熱帶草地、稀樹草原和疏灌叢分布地區
熱帶亞熱帶草地、稀樹草原和疏灌叢為世界自然基金會所訂定的陸地生物群系，分布於熱帶至亞熱帶緯度的半濕潤至半乾旱氣候地區，主要植被為草與灌木。
熱帶亞熱帶草地、稀樹草原和疏灌叢的分布地區氣候主要分為濕熱的雨季、以及較為乾冷的旱季，在北半球，雨季一般從五月開始，直到九月，平均降水量約為每年，為季節性降雨，整年的降雨可能僅集中於一年中的數週而已，不足以維持大量樹木生長。當緯度越高時，降水量也會減少，乾旱也越常見。
草原以草本植物為主、稀樹草原則為有少量樹分布的草原、則以草本或木本的灌木為主。
全球絕大部分的稀樹草原分布於非洲，位於林地與草原之間。主要的植被包括、猢猻木、草與低矮灌木。旱季時，金合歡會落葉以減少水分蒸散，而猢猻木則會將水分儲存於樹幹。
大型哺乳動物多半棲息於非洲的稀樹草原，其中數量與物種數最豐富的地區為東非的金合歡稀樹草原與夾雜稀疏林地的贊比亞稀樹草原。熱帶稀樹草原的食草動物，例如牛羚與斑馬，會有季節性大規模的遷徙。然而因為棲息地破壞與狩獵的影響，這些物種的數量正在下降，現在僅有在東非與贊比亞地區有機會看到大遷徙。幾內亞與薩赫勒大部分的稀樹草原均已消失，不過於蘇德沼澤仍然可見到大量遷徙的行為。
除了南極洲之外，世界各大洲均有熱帶亞熱帶草地、稀樹草原和疏灌叢分布，主要分布於非洲、南亞、南美洲北部、澳洲、及美國南部。
桃人，中國戰國邑名，故址在今河南延津縣胙城鄉東。
戰國魏邑。《戰國策·秦策四·物至而反章》曰：“王又舉甲兵而攻魏，杜大梁之門，舉河內，拔燕、酸棗、虛、桃人……”，即此。前242年，秦大舉攻魏，《史記·秦始皇本紀》載：始皇五年（前242）“將軍驁攻魏，定酸棗、燕、虛、長平、雍丘、山陽城，皆拔之，取二十城。初置東郡。”與《秦策》記載基本吻合，知桃人此年入秦，歸屬東郡。后秦漢皆未置縣于桃人。
機械鼠(英文：robo-rat或ratbot)又稱為遙控老鼠(英文：remotely guided rat)，是在前腦內側束（MFB）和大腦的感覺運動皮層中植入電極的大鼠。它們是2002年由紐約州立大學下州醫學中心的Sanjiv Talwar和John Chapin開發的。老鼠穿著一個裝有無線電接收器和電刺激器的小型電子背包。大鼠通過其背包在感覺運動皮層中受到遠程刺激，這會使大鼠在其左或右鬍鬚上產生感覺，而在MFB中的刺激則被解釋為獎勵或愉悅。
在使用MFB刺激作為獎勵的一段時間的訓練和調節後，可以響應晶須刺激信號將大鼠遠程定向為向左，向右和向前移動。可以沿著障礙物路線粗略地引導動物，跳過小間隙並縮放障礙物。
*  BBC News Feature on Ratbots
*  Nature article discussing Ratbots
*  Original announcement of Ratbot in Nature
*  New Scientist article on Ratbots
寄生蟲病預防控制所位于中華人民共和國上海市黃浦區瑞金二路207號，毗鄰瑞金醫院，最早為中央衛生研究院華東分院于1950年建址南京，1957年遷入上海。現內有血吸蟲病室，瘧疾室，包蟲病室，土源性、食源性寄生蟲病室，媒傳熱帶病室，藥物室，寄生蟲病原與媒介生物學重點實驗室，新技術室，雜志編輯部，全球衛生中心，信息中心，健康教育咨詢檢測中心。出版物有《中國寄生蟲學與寄生蟲病雜志》。所長為周曉農，副所長為肖寧。
1950年11月1日，中央衛生研究院華東分院（南京）成立。
1956年9月11日，定名為中國醫學科學院南京寄生蟲病研究所。
1957年4月15日，與中國醫學科學院海南島瘧疾研究站合并為中國醫學科學院寄生蟲病研究所（上海）。
1971年12月11日，增掛上海寄生蟲病研究所（上海市血吸蟲病防治研究所）。
1983年，歸入中國預防醫學科學院。
2002年2月1日，更名為中國疾病預防控制中心寄生蟲病預防控制所。
瑞金二路207號（巴斯德生物研究所舊址簡稱巴斯德研究所），建于1934年，高四層，鋼混結構，設計方為法商賚安洋行，建築屬于原法租界公董局公共衛生救濟處醫學化驗所。已列為上海市優秀歷史建筑。
金云輝，男，安徽桐城人，中華人民共和國政治人物，曾任新疆維吾爾自治區人民政府副主席，第八屆全國人大代表，第九屆全國政協委員。
四氯化鉬 是一種無機化合物 ，實驗式 MoCl4。  這個化合物有兩種不同的結構，多聚體 ("α") 和六聚體 ("β") 結構， 盡管這兩種形式都不溶于任何溶劑而不降解。  在每個多晶型物中，Mo中心為八面體，帶有兩個末端氯化物配體和四個雙橋接配體。
它可以由五氯化鉬 被四氯乙烯還原而成：
: 2 MoCl5  +  C2Cl4   →  2 MoCl4  +  C2Cl6
四氯化鉬的乙腈配合物 ，是一種通用的中間體，可以直接從五氯化鉬制備：
: 2 MoCl5  +  5 CH3CN   →  2 MoCl4(CH3CN)2  +  ClCH2CN  +  HCl
MeCN 配體還可以被替換：
: MoCl4(CH3CN)2  +  2 THF   →  MoCl4(THF)2  +  2 CH3CN
魯鑑，字氷長，湖廣武昌府江夏縣人，明朝政治人物。
弱冠舉崇禎六年癸酉鄉薦，七年（1634年）成甲戌科進士，筮仕願試閑職，就留都教授，遷國學博士，歷禮部郎中，提督雲南學政，滇中士習文體為之一振。十六年癸未，晉太僕寺少卿，值流賊亂南北，梗塞不能赴任，留雲南，署藩臬七印，迎刃而理。後間道歸里，隱居湖濱，孝事繼母，屢薦不出，鄉黨重之。
巨龍綠豆酒，是北票出產的一種白酒，為新興的地方酒種。和多數以高粱或其他主糧為原料的白酒不同，巨龍綠豆酒以綠豆為主料釀制，因此也被歸入特色酒類。2008年被遼寧省政府授予“遼寧省名牌產品”。
千山酒又稱千山白酒，是遼寧遼陽太子河區出產的一種白酒。源于1658年桂中園創立的“玉昇涌燒鍋”；傳至第九代傳人桂德龍時于1948年當地易手后，同其他幾家酒坊一同被當局接收合并，成立新東酒廠，后多次易名，至1981年更名為遼陽千山酒廠。千山酒乃以高粱為主料釀制，貯存三年以上才可上市銷售的麩曲醬香型白酒。酒廠2003年4月轉為民營股份制公司。現產品包括醬香型、濃香型和兼香型白酒。
鐵剎山酒又稱鐵剎山白酒，是遼寧本溪出產的一種白酒，源于1807年張嘉久于當地成立的“永隆泉燒鍋”，其產品被稱為張家酒。1948年8月當地易手后，當局接收酒坊，1950年收歸國有，數次易名，其中用得最久的為本溪酒廠，直至1996年11月29日更名為遼寧鐵剎山酒廠。被授予中國馳名商標和中華老字號。鐵剎山酒以當地高粱為主料釀制而成。
加山傳播 (DB Channel) 是一個香港網上媒體，由馮達浚與胡戩在香港逃犯條例爭議期間創辦。
根據香港01專訪創辦人馮達浚及胡戩二人，他們提到自己出身於拔萃男書院，而同時該媒體中不少記者都是拔萃男書院的舊生，因學校簡稱「DBS」並位處於九龍「加多利山」，因而媒體以「DB Channel」及「加山傳播 」為名字。他們亦表示，自身有別於其他網媒，例如於前線採訪時，不少其他媒體已經提供不少現場直播的鏡頭，而《加山》記者反而會在現場發掘其他視點。另外，他們的自我介紹也提到要把「平等、自由與責任」傳承下去。
於2020年7月16日，加山傳播一度宣布暫停運作，其中創辦人提到團隊長期只有不足 8 人，團隊未曾要求讀者捐款，故在平衡下決定暫停編輯部的運作，商討未來去向。，但至7月26日，《加山傳播》表示收到各方面提出不同形式的支援，宣布轉為贊助模式繼續運作。
加山傳播被視為本土派的媒體，對香港逃犯條例爭議、香港國安法爭議、香港警察執法爭議等議題，均有深入報導，並多次對抗爭陣營人士進行專訪。
2020年7月20日，香港警方於Facebook專頁中向香港記者協會投訴，指控6間包括加山傳播在內的網媒觸犯下列罪行，包括：涉嫌派出未成年學生記者、發表具冒犯性的評論形容女警外貌、近距離拍攝警員或印有其個人資料的文宣、以及報導不實及誤導公眾等。而記協則回應有關投訴都是有關記者的舉止方面，而不是「不實或有違操守報導」，但仍會調查有關個案，且要求警方盡快提供資料跟進。
桃山白酒是遼寧法庫出產的一種白酒，其來源有二：1670年，固倫端敏公主下嫁蒙古第三代科爾沁扎薩克達爾罕親王班第，陪嫁隨從中胡姓酒師創立的“法庫燒鍋”；另1730年，和碩端柔公主下嫁科爾沁蒙古科爾沁左翼后旗第七代扎薩克博多勒噶臺親王(博王)齊默特多爾濟，陪嫁隨從中陳姓酒師創立的“陳家燒鍋”。乾隆年間兩家燒鍋分別更名，后并為一家，名為“福祥海燒鍋”，至清末為付煥忱、孟鴻儒所有，他們的親戚竇丙啟為酒師。清帝遜位之前，酒坊主要為科爾沁左翼三旗王爺扎薩克達爾罕親王、扎薩克冰圖郡王(賓圖王)、扎薩克博多勒噶臺親王(博王)提供王府貢酒，所以其產品被稱為三王貢酒。1948年2月當地易手后，當局接管酒坊，更名為“大河燒鍋”，后為“法庫縣桃山酒廠”。其產品雖暢銷，但酒廠1990年代中期因市場和體制等問題陷入困境，1996年改制后仍無起色，破產停產。竇丙啟之子竇英杰得其真傳，自1966年起就擔任酒廠技術副廠長和廠長直至退休，酒廠停產后便于其子竇永強創立“法庫縣桃山老窖酒廠”繼續生產，但因商標所有權在原廠，其產品名為竇氏老窖、三王貢、老桃白系列。而原酒廠沉寂多年后于2011年被東潤集團收購成為民企，獲后者注資1.5億元后方獲轉機，大規模復產，其釀造技藝也入選遼寧省級非物質文化遺產；現產品為濃香型白酒和清香型白酒。所有廠家產品均為以高粱、小麥、豌豆等為原料所釀制的大曲酒。
李東輝，男，漢族，山東煙臺人，中華人民共和國政治人物，曾任新疆維吾爾自治區人民政府副主席，新疆維吾爾自治區政協副主席。
ar（archiver）是Unix系統上的歸檔工具，用于將多個文件歸檔為一個文件。ar目前一般僅被鏈接器用創建更新靜態庫和生成.deb包。它的歸檔功能現在基本被 tar所取代。 GNU Binutils包含ar .
Linux標準規范（LSB）中，ar 已被棄用，并可能在將來的版本中移除，理由是LSB不應包含軟件開發工具和指定.o和.a文件格式。
ar格式從未標準化過，歷史上有過多種形式 如 V6, V7, AIX和Coherent等，與通用格式都有很大的差別。現在的通用格式主要基于兩種變體：BSD 和 System V（最初稱為 COFF，也被 GNU， ELF和Windows使用。）Debian的 ".deb" 使用通用格式。
.ar文件起始是一個全局文件頭，接著是各個文件的文件頭和數據部分。數據部分為2字節對齊，如果數據長度為奇數，則填充一個換行符（\n，0x0A）。
為 "!" 和換行符（0x0A）.
歸檔的每個文件包含文件頭存儲文件信息。下表為通用格式。數值為ASCII編碼，并用空格(0x20)向右填充。
文件修改時間
文件大小字節數
0x60 0x0A
標頭全部為可打印的ASCII字符和換行符，所以只包含文本文件的ar歸檔文件仍然是文本文件。
每個文件從偶數字節開始，如果長度為奇數，則需要填充一個換行符，文件頭中的文件大小存儲是實際大小。
由于文件名長度和格式的限制，GNU和BSD變體都設計了不同的存儲長文件名的方法。盡管通用格式不會受到2038年問題的困擾，但很多系統上的ar程序存在這種問題，可能需要修改以正確處理超過2147483647的時間戳。有關這些擴展的說明，請參見libbfd。
根據格式的不同，許多ar實現了用于快速鏈接的全局符號表（armap，目錄或索引）而無需掃描整個存檔中的符號。POSIX識別此功能，并且要求ar實現具有 選項更新符號表。大多數實現將其放在第一個文件條目中。
BSD ar 在文件名頭填充ASCII空格符，文件名如包含空格會有問題。4.4BSD ar將"#1/"和文件名長度放置在文件名字段，并將文件名放置在數據段的最前面
BSD ar 自身不處理全局符號查找表，而使用單獨的工具ranlib。ranlib會插入一個與系統架構相關的文件 __.SYMDEF作為第一個文件 一些后來的版本會在名稱后面放置一個空格和"SORTED"字符表示已排序。 Darwin 64位系統使用。
由于POSIX規范要求選項，新的BSD ar 重新實現了該要求。FreeBSD 棄用了 SYMDEF 表而采用 System V 類型的查找表。
System V ar 用字符'/'（0x2F）標記文件名結束，從而文件名可以使用空格。需要擴展的文件將文件名存儲在"//"文件的數據段，在標頭文件名字段中寫入'/'和十進制的偏移地址。 "//"文件包含的是長文件名列表，以換行符分割。通常 "//" 是第二個條目，符號表為第一個條目。
System V ar 用 "/" 文件名表示對應的數據為符號查找表，包含三部分，并存儲為連續的數據。
# 一個32位整數，大端存儲：符號表的條目數。
# 一組32位整數，大端存儲：每個表示該符號在歸檔中的位置。
# 一組字符串，0結尾：符號名稱
有些 System V ar不使用上述各式，如HP-UX 11.0，上述信息存儲為 SOM文件格式。
為解決4GiB文件限制，某些系統如Solaris 11.2 和 GNU使用不同的查找表。不同之處在于使用64位整數和用"/SYM64/"代替"/"
Windows的PE/COFF格式基于 System V/GNU。 第一個條目為 "/" 與System V/GNU符號表相同。第二個條目也是"/"，使用小端整數，表示ECOFF擴展，用于存儲經過排序的符號交叉引用表。  第三個條目為 "//" 長文件名數據。
GNU binutils和elfutils中的  有一個 "thin archive" 格式，特征簽名為 ，僅包含符號表和對該文件的引用。
*  -- an account of Unix formats
* ''The 32-bit PA-RISC Run-time Architecture Document, HP-UX 11.0 Version 1.0,'' Hewlett-Packard, 1997.See ''Chapter 4: Relocatable Libraries''. Available at  (devresource.hp.com)
郭錫蘭，男，山西臨縣人，中華人民共和國政治人物，曾任西藏自治區革命委員會副主任，西藏自治區人民政府第一副主席。
巴恩斯·內維爾·沃利斯爵士 （，），英國科學家、工程師和發明家，第二次世界大戰期間因發明了英國皇家空軍在懲戒行動中攻擊魯爾河谷大壩的彈跳炸彈而聞名。1955年電影《轟炸魯爾水壩記》中由演員邁克爾·雷德格雷夫飾演。
牛瑞騆，男，中華人民共和國政治人物，曾任西藏自治區革命委員會副主任，西藏自治區人民政府副主席。
喬加欽，男，四川蒼溪人，中華人民共和國政治人物，曾任西藏自治區革命委員會副主任，西藏自治區人民政府副主席。
邁克爾·雷德格雷夫（ ）英國舞臺和電影演員、導演，經理和作家。因在1947年電影《》中的表演而獲得奧斯卡最佳男主角獎提名及英國電影和電視藝術學院提名。在第四屆戛納電影節上，他因在1951年電影《》中的表演而獲得最佳男主角獎。他的女兒為著名演員凡妮莎·蕾格烈芙。
孟習孔，字魯難，湖廣武昌縣人。
諸生時攻苦習業，鏤心制藝，嘗以指畫胸，衣為之穿。萬曆二十二年甲午舉于鄉，二十三年（1595年）登乙未科進士。授廣東香山縣知縣，調解夷漢交易糾紛。調任吳縣，織造太監縱容爪牙橫行市中，激起民變，習孔陳説利害，使得太監約束部下，禍事遂熄。丁母艱歸，服闋補曹縣知縣，以卓異擢南工部主事，榷稅蕪湖鈔關。轉兵部車駕司郎中，出知開封府，晉兵備副使，寇氛日熾，轉餉大名府，料馬固原，皆立辦而成。升太僕寺卿，魏忠賢柄政，東林黨人楊漣首遭禍，一時楚人皆被削籍為民。習孔亦歸里。崇禎初，魏忠賢被誅，復原職，不赴。行里巷間不乘不蓋，如老布衣，卒年七十六。
楊宗欣，男，山東乳山人，中華人民共和國政治人物，曾任西藏自治區革命委員會副主任，西藏自治區人民政府副主席。
貍縣，中國戰國縣名，故址在今河北任丘市北。
戰國燕邑，前236年入趙。《史記·趙世家》載：悼襄王九年（前236）“趙攻燕，取貍、陽城” 。戰國趙三孔布有“呆”布，有大小型。何琳儀隸作?，即《說文》之?，以為“從木，?（已）聲……俚，或從里”，即三孔布之?應讀貍 。依其說，則趙置貍縣。至秦滅趙后，縣廢。
岐山村位于中華人民共和國上海市長寧區愚園路1032弄，建于1925年－1931年間，占地2.2公頃，3層樓70幢加5幢花園住宅共75幢，得名于周武王的發祥地岐山，現有居民近500戶，弄內百分之40被出租戶使用。
錢學森曾在岐山村111號居住，杜重遠和祝希娟曾在岐山村25號居住。作家施蟄存則在岐山村愚園路1018號居住了65年之久（1938年-2003年去世）。
原上海寬緊帶廠位于弄內60號，現為岐山村市民會所。居委會位于48號。2018年經歷大規模修繕包括被白蟻侵蝕后的房梁。岐山村已列為上海市優秀歷史建筑。
馬李勝，男，陜西清澗人，中華人民共和國政治人物，曾任西藏自治區人民政府副主席，中華人民共和國商業部副部長。
段士奇，男，直隸（今河北）深澤人，中華人民共和國政治人物，曾任中華人民共和國商業部副部長。
羅東明，男，四川南部人，中華人民共和國政治人物，曾任中華人民共和國商業部副部長。
曹文斌，又名曹再仁，男，湖南華容人，中華人民共和國政治人物，曾任中華人民共和國商業部副部長。
伊萊沙·格雷夫斯·奧的斯（ ）美國企業家、發明家，奧的斯電梯公司創始人，佛蒙特州人，1852年發明了一種可防止電梯在提升電纜時發生故障而跌落的安全裝置，被視為電梯的發明者。
張世堯，男，浙江寧波人，中華人民共和國政治人物，曾任中華人民共和國商業部副部長，中國烹飪協會會長、名譽會長，第八、九屆全國政協委員。
愚園路1088弄（又稱上海醫藥職工大學舊址），位于中華人民共和國上海市長寧區愚園路1088弄，改建成現有兩層樓高的愚園公共市集之前是長寧區醫藥職工大學用址，市集于2019年2月開門，改造后的總面積為1200平方米，2樓設有粟上海社區美術館和露天空間。
傅立民，男，上海人，中華人民共和國政治人物，曾任中華人民共和國商業部副部長，中國輕工總會副會長。
現代伊斯坦布爾市內尚存的拜占庭布拉赫奈宮的部分城墻。
布拉赫奈宮是拜占庭帝國的皇宮，位于君士坦丁堡西北方的（現土耳其，伊斯坦布爾市，法蒂赫區，）。現在布拉赫奈宮原址被許多建筑覆蓋，對其描述僅存于文學作品中。
布拉赫奈宮大約在公元500年修建于城市的上（君士坦丁堡與羅馬同為七丘之城）。因此這座山丘也被改造了一部分，特別是在之后的時間里，為了支撐起山丘上各式各樣的宮殿建筑群而修建了大量的階臺。盡管在4-11世紀里，皇帝的主要居住于城市最東端的大皇宮，但在10世紀君士坦丁七世皇帝（通統治間：913-959年）的著作《典儀論》（闡述宮廷的禮儀與規則的著作，其中第一章第27，34節、第二章第9節、第三章第12節的記載）中證實了皇帝有時也會移駕布拉赫奈宮。這段時間里，許多宮殿相關建筑相繼出現：包括阿納斯塔修斯一世修建并以自己名字命名的臥躺餐廳阿納斯塔修斯大廳（希臘語：），海洋大廳（希臘語：，或作俄刻阿諾斯大廳），約瑟夫門廊（優塞菲科斯門廊）和多瑙大廳（丹烏比俄斯大廳，多瑙的希臘語名稱）。并通過一連串樓梯與附近的希臘東正教圣地—連接起來。
到11世紀，阿萊克修斯一世皇帝（統治時間：1081-1118年）將布拉赫奈宮作為自己的主要寢宮，他的孫子曼努埃爾一世（統治時間：1143-1180年）則對宮殿進行了大規模改造，包括加固宮殿的防御工事并建造新的大廳。特別是曼努埃爾一世修建一座精致的外城墻（布拉赫奈城墻，與狄奧多西城墻連為一體以防衛布拉赫奈宮）和幾座華麗的大廳，諸如伊琳娜大廳（以其母命名）和波呂提摩斯大殿（''Polytimos Oikos''，意為貴重的宮殿），當時也將這一片宮殿群稱為“新皇宮”。現在僅有宮殿群下方的遺存下來。第四次十字軍東征后，拉丁帝國的皇帝們更青睞于紫衣貴族宮（τ? Παλ?τιον το? Πορφυρογενν?του），直到1261年君士坦丁堡光復后，巴列奧略王朝的皇帝們重新將布拉赫奈宮作為自己的主要居所。紫衣貴族宮的記錄可以追溯至13世紀晚期，盡管它比布拉赫奈宮殿群稍微偏南，通常也被認為是其一部分。同時紫衣貴族宮也是現代唯一一座保存相對完好的拜占庭宮殿。
尼恩引擎是英國羅爾斯·羅伊斯股份有限公司于20世紀40年代開發的渦輪噴氣發動機，是當時世界上推力最強勁的發動機。該發動機羅爾斯·羅伊斯以河流名命名噴氣發動機的傳統以英格蘭河流命名。搭載有該發動機的機型有F9F黑豹戰斗機和吸血鬼戰斗機。在工黨政治家斯塔福·克里普斯的推動下，該發動機被贈與蘇聯，蘇聯借此開仿制出克里莫夫VK-1發動機，后裝配在米格-15戰斗機上。
陳思帆(11月2日，本名陳亭妤），臺灣女演員，早期參與過多部類戲劇演出，因為參演《玫瑰瞳鈴眼》而受到觀眾關注，現偶爾演出《戲說臺灣》單元劇，多以晚會演出為主。
《人間走馬燈》 - 誰來偷棺材
《暗發現場》 - 復仇天使
麗月、劉雅婷
《紅色女人花》 - 撕愛
《紅色女人花》 - 記憶傷痕
於2005年7月17日，臺北市警方破獲一大型搖頭夜店，將八十五名舞客逮捕，其中包括陳亭妤。不過，陳亭妤則否認自己吸毒。
西蒙娜·克魯佩茨凱特（，）是一名立陶宛女子職業自行車運動員。她曾參加2004年、2008年、2012年和2016年四屆奧運，最好名次是2004年雅典奧運女子500米計時賽的第4名。
方與郡，中國戰國郡名，轄境包括今山東嘉祥縣以南、金鄉縣等地，及江蘇豐縣一帶。
轄地戰國前、中期屬宋。前286年齊滅宋，入齊。前284年濟西之戰后，魏奪取之。故《荀子·議兵篇》載：“齊能并宋而不能凝也，故魏奪之。”據《史記·楚世家》，頃襄王十八年（前281）“楚人有好以弱弓微繳加歸雁之上者，頃襄王聞，召而問之。對曰：‘……王朝張弓而射魏之大梁之南，加其右臂而徑屬之於韓，則中國之路絕而上蔡之郡壞矣。還射圉之東，解魏左肘而外擊定陶，則魏之東外棄而大宋、方與二郡者舉矣。”可知戰國后期，魏在故宋地置有方與郡。其郡治當在方與（今山東魚臺縣北古城集）。又《戰國策·秦策四·物至而反章》曰：“秦、楚之構而不離，魏氏將出兵而攻留、方與、铚、胡陵、碭、蕭、相，故宋必盡。”顯示當時方與屬楚。此章楊寬、范祥雍等學者認為發生于前238年，繆文遠認為發生于前235年。知大約前238年之前，方與入楚，故魏方與郡的廢年，可能亦在前238年之前。
梅林發動機，或灰背隼發動機，是英國羅爾斯·羅伊斯股份有限公司于20世紀30年代初開發的液冷活塞V12航空發動機，1933年首次推出，初名PV-12，1936年改進完成后搭載于巴特爾轟炸機、颶風戰斗機、噴火戰斗機及蘭開斯特轟炸機，是第二次世界大戰期間最成功的發動機之一。
拉斯穆斯·倫德·佩德森（，）是一名丹麥公路和場地自行車運動員，2019年開始為UCI洲際隊ColoQuick車隊效力。他曾在2020年世界自由車場地錦標賽上聯同隊友獲得男子團體追逐賽的冠軍。
羅伊·范登貝爾赫（，）是一名荷蘭男子場地自行車運動員，2017年開始為BEAT自行車俱樂部效力。他曾在2019年和2020年兩次獲得世界場地自行車錦標賽男子團體競速賽的冠軍。
亞歷山大·波特（，）是一名澳大利亞男子職業自行車運動員。他曾在2016年、2017年和2019年三次獲得世界場地自行車錦標賽男子團體追逐賽的金牌。
2PM影視作品列表主要列舉韓國男子音樂組合2PM歷年參與之各類電視節目、固定節目、戲劇演出等影視作品。
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2PM成員出場介紹
2 081211
3 081218
4 081225
2AM聖誕節特輯
／（俊昊缺席）
5 090101
／　（俊昊缺席）
6 090108
7 090115
8 090122
9 090129
10 090205
11 090212
MT特輯中、女高中生
12 090219
MT特輯下、女大學生
淘汰：Nichkhun
13 090226
復活：Nichkhun、埈秀
14 090305
SHINee上
15 090312
SHINee下
16 090319
17 090326