ticoAg/ChineseCorpus-Kaggle-fanti huggingface dataset:
滿洲國國務院總務長官武部六藏，滿洲國總務廳次長古海忠之，舊日本帝國的陸軍中將，滿洲國成立時的關東軍參謀長，后任陸軍次官、近衛師團師團長、滿洲國參議府副議長橋本虎之助，參與殺害趙一曼的滿洲國警務指揮官大野泰治，謀殺趙尚志將軍的滿洲國員警署長田井久二郎。
* 金魯賢，時任天主教上海教區神父
1987年，該地作為旅游景點開放。
#日本戰犯的再生之地：中國撫順戰犯管理所 / 撫順戰犯管理所編，北京，五洲傳播出版社，2005年。
這個在英國的紀念建築列出了在第一次世界大戰中戰死士兵的名字。
戰爭紀念建築是用來紀念在戰爭中的死者或傷者的建築物、古蹟、雕像或其他雄偉的建築物。
大部份人類歷史中的戰爭紀念建築都是為了紀念偉大的勝利而豎立的，紀念死者是次要目的。在拿破崙時期，屍體都是被大量地埋在沒有標記的墳墓中。巴黎凱旋門及納爾遜紀念碑上都沒有死者的名字。
現代的戰爭紀念建築不再是為了讚揚戰爭，而是為了向死者授予榮譽。
這種改變大半在第一次世界大戰時期，大量生命遭蹂躪時發生。對此很多牽涉在戰爭中的國內城市紛紛豎立起紀念建築，在小村莊和小市鎮的紀念建築通常會列出每個死去的當地士兵名字。大量紀念碑亦為了紀念那些被葬於沒有識別的戰爭墓地中的死者而建造，如位於伊普爾的門寧門。
很多第一次世界大戰的紀念建築後來都加上了當地在第二次世界大戰死者的名字。由那時起，西方在其他衝突如第二次世界大戰及越南戰爭的紀念建築上記錄了個人貢獻。在蘇聯、中國、日本及其他國家，紀念建築傾向地方自治主義，會列出死者名字的屬於非常罕有。
戰爭紀念建築可以是一座建築物，當中通常有博物館或簡單的匾。很多戰爭紀念建築都以紀念碑或雕像形式出現，並用作紀念日會場。因此為了讓公眾能易於到達，它們通常座落於市中心附近或於公園或廣場之中。
許多戰爭紀念建築都會在匾上刻上戰役中死者的名字，因此有時列表會很長。有些戰爭紀念建築是為了某場戰役而設的，另一些則較一般性而且刻有戰爭條約的碑銘。
許多戰爭紀念建築都刻有與該戰役或戰爭有關的單位的墓誌銘。例如屬大英國協的墓地都以由Laurence Binyon所題的“The Ode”作墓誌銘：
:''They shall grow not old, as we that are left grow old.''
:''Age shall not weary them, nor the years condemn.''
:''At the going down of the sun and in the morning''
:''We will remember them.''
為紀念在科希馬戰役中死去的盟友，第二次世界大戰的戰爭紀念建築刻有科希馬碑文：
:''When You Go Home, Tell Them Of Us And Say,''
:''For Their Tomorrow, We Gave Our Today''
許多由管理的墓地都有著相同的戰爭紀念建築，由Reginald Blomfield設計的。它的大小視乎墓地大小而定，一般約4.5米至9米高。若葬禮超過一千次，這個大英國協的墓地將會放置一塊由Edwin Lutyens設計，刻有“THEIR NAME LIVETH FOR EVERMORE”（出自《便西拉智訓》）的紀念石碑「Stone of Remembrance」。所有紀念石碑都長3.5米，高1.5米並且有三級梯階。阿靈頓國家公墓有一個加拿大的救贖十字架，上面刻有所有於朝鮮戰爭及兩次世界大戰中，屬加拿大勢力並奮戰而死的美國公民的名字。
某些戰爭紀念建築會受到政治爭議。其中一個顯著的例子是位於日本的靖國神社，當中供奉了一些第二次世界大戰的甲級戰犯。
位於新德里的印度門。
*大城山革命烈士陵（平壤市大城山）
*愛國烈士陵（平壤市兄弟山區域）
一個在德國紀念第一次世界大戰的紀念建築。
位於諾曼第的美軍墳場。
位於波蘭紀念華沙起義中英雄的紀念碑。
* (Newfoundland)
*加拿大國家維米紀念碑（法國加來海峽省維米）
* (in the Netherlands)
位於澳洲墨爾本的忠烈祠。
* 無名塚 - 向無名英雄致敬的紀念建築列表
*  History of the Commonwealth War Graves Commission's Architecture
*  War Memorials Trust
*  French war memorials (photos and inscriptions)
*  Pictures of French 1914-1918 memorials (in French)
*  Interpreting memorials
*  ''Sites of Memory'' collection of memorials
*  Japanese Special Attack Corps Monuments
驍騎校尉是東漢末年出現的武官職位，正史上記載董卓曾授予曹操一人，但曹操受職后很快出逃，具體職權不明。
驍騎校尉的職名與漢制的“驍騎將軍”及“越騎校尉”、“胡騎校尉”、“屯騎校尉”等相仿。驍騎將軍曾授予西漢著名的“飛將軍”李廣。而其余的三個校尉則分別是東漢、西漢不同時期的常設軍職。其中屯騎校尉東漢初年曾經一度改為驍騎校尉，但光武帝建武十五年（39年）即恢復原名。漢東京五校,典宿衛士。屯騎校尉於漢武帝初設時掌騎兵。
陳崇榮，臺灣前童星，出生於臺北，自1986年拍攝電影《好小子2》以後，顏正國、左孝虎與綽號小胖的陳崇榮所組成的「好小子」頓時成為臺灣最知名的童星組合之一。之後的數年內陳崇榮仍與另兩位好小子搭檔接拍不少部賣座電影，但長大後完全淡出演藝圈，轉而投身電腦業從事電腦工程師，並且自己開了一家店。2013年，與顏正國共同演出微電影《人生》。
*1986年:《好小子第2集》
*1987年:《好小子第3集－苦兒流浪記》
*1987年:《好小子第4集－跨越時空的小子》
*1988年:《好小子第5集－萬能運動員》
*1988年:《菜刀與六個朋友》
*1989年:《好小子第6集－小龍過江》
*1989年：中視連續劇《好小子吉利》
*1991年：華視連續劇《家有仙妻》趙小冬
2016年：《魯蛇總動員》
做為肉湯的一碗「羹」類食物
羹，為一種黏稠濃湯。主要由肉、菜及勾芡調和，亦能加麵成為麵羹。另亦有甜如豆沙、糖等做成的甜食。
羹的定義廣泛，做法簡單，因此其出現年代可以追溯至很久以前。歷史上也有不少關於羹的敘事，例如：
*「分一杯羹」這個成語就是源自於楚漢相爭時劉邦和項羽間的一段小故事。參見「劉太公」條目。
*「閉門羹」，最早的典故是古時妓女拒絕客人進門，僅作羹待客而不與之相見。被引申為拒客之意。
*唐朝詩人王建有名的一首詩《新嫁娘》：「三日入廚下，洗手作羹湯。未諳姑食性，先遣小姑嘗。」
臺灣的麵店或是夜市小吃店常見到羹，但店家常寫作俗字「焿」。「羹」字則常使用在羊羹。極少數情況被誤寫作「粳」。
臺灣常見的羹類食物有肉羹、羊肉羹、浮水虱目魚羹、蝦仁羹、生炒花枝、魷魚羹及??魠魚羹等，除了單純以羹湯為食外，另外亦常佐以麵條、米粉或粄條等，如加麵條則稱作「某某羹麵」，加米粉或粄條則依此類推。此外，臺灣臺中有一種利用外表像烏龍麵的黃麵做為材料的小吃，叫做「大麵羹」。
甜食的羹中，最常見的應該就是羊羹了，雖然現在羊羹看來和羹湯大異其趣。但有一種說法認為最初羊羹的確是一種加入羊肉煮成的羹湯，再冷卻成凍佐餐。但另一種說法認為羊羹原是中國的一種仿照羊的肝臟形狀制成的食品。傳至日本後，由於「肝」與「羹」兩字被混淆，久而久之就被稱之為羊羹。
甜食的羹也常成為風味小吃，例如臺灣的蘇澳羊羹。
羹因大量使用勾芡，加上調和料等提味。食材方面幾乎都是肉類，口味較重且熱量高，應注意常食用有增加代謝癥候群的危險。
* 臺灣教育部國語辭典「羹」、「閉門羹」的查詢
彰化市的爌肉飯與醬菜
炕肉飯（臺語: khòng-bah-pn?g；客話：kong ngiugˋ）也寫成爌肉飯、知高飯，臺灣南部稱為滷肉飯，臺灣小吃之一，是一種以白飯佐以燉煮豬肉的米食。配菜則以醃菜類（黃瓜、白蘿蔔等）及筍絲為主，飯內或灑肉燥。所謂的控肉是指將大塊豬五花肉（彰化採用豬後腿肉）以醬油、糖及香料等材料，用小火煮至熟軟滷製而成的肉；其他部位的豬肉塊則有其他名稱（腿庫飯、腿仁飯等）。
由於控肉飯適合作為正餐食用，因此在臺灣，除了小吃店可常見到控肉飯之外，在自助餐店及便當店內，炕肉飯亦是常見的主力套餐。舉例而言，目前臺灣外賣便當的種類中，控肉便當往往和豬腳便當、排骨便當、雞腿便當、併列為店家最常供人選擇的種類。
+ 臺灣不同地區菜餚稱呼
嘉義以北名稱
嘉義與臺東以南名稱
淋上含有煮熟碎帶肥豬肉（或瘦豬絞肉）及醬油滷汁的白飯。
滷肉飯(ló?-bah-pn?g)、肉燥飯、魯肉飯
肉燥飯(bah-sò-pn?g)
焢肉飯 、爌肉飯
彰化縣彰化市的爌肉飯是從早、中、晚餐、宵夜都能吃到的當地重點小吃之一。彰化縣政府曾舉辦「2011彰化焢肉飯節」。2012年12月14日中午，彰化美食節活動創造一碗重達647公斤的炕肉飯，打破金氏世界記錄；鄰近的秀水鄉與和美鎮，甚至是彰化市刺桐腳皆將沒有一塊肥肉只有碎肉稱作肉燥飯。
平假名や和片假名ヤ是日語的假名之一，由一個音節組成。在日語五十音圖中排第8行第1個（や行あ段）的位置。
平假名や的筆畫順序
片假名ヤ的筆畫順序
由1個子音和1個母音形成／j?／音
第29位，「く」之后、「ま」之前
平假名「や」字源
「也」字的草書部分
片假名「ヤ」字源
「也」字的部分變形
平文式羅馬字：ya訓令式羅馬字：ya
——－●●－
「大和のヤ」
平假名ゆ和片假名ユ是日語的假名之一，由一個音節組成。在日語五十音圖中排第8行第3個（や行う段）的位置。
平假名ゆ的筆劃順序
片假名ユ的筆劃順序
由1個子音和1個母音形成／j??／音
第39位，「き」之后、「め」之前
平假名「ゆ」字源
「由」字的草書。
片假名「ユ」字源
「由」字的下半部數個筆劃變化而來。
平文式羅馬字：yu訓令式羅馬字：yu
——●●●－
「弓矢のユ」
平假名よ和片假名ヨ是日語的假名之一，由一個音節組成。在日語五十音圖中排第8行第5個（や行お段）的位置。
平假名よ的筆劃順序
片假名ヨ的筆劃順序
由1個子音和1個母音形成／jo?／音
第15位，「か」之后、「た」之前
平假名「よ」字源
「」字的草書。
片假名「ヨ」字源
「」字的右半部。
：平文式羅馬字：yo：訓令式羅馬字：yo
—●●－●－
「吉野のヨ」
平假名わ（清音）
片假名ワ（清音）
平假名わ和片假名ワ是日語的假名之一，由一個音節組成。在日語五十音圖中排第10行第1個（わ行あ段）的位置。
平假名わ的筆劃順序
片假名ワ的筆劃順序
第13位，「を」之后、「か」之前
平假名「わ」字源
「和」字的草書。
片假名「ワ」字源
「和」字偏旁的草體變形。
：平文式羅馬字：wa：訓令式羅馬字：wa
「わらびのワ」
平假名を（清音）
片假名ヲ（清音）
平假名を和片假名ヲ是日語的假名之一，由一個音節組成。在日語五十音圖中排第10行第5個（わ行お段）的位置。
平假名を的筆劃順序
片假名ヲ的筆劃順序
由1個子音和1個母音形成／??o?／音
第12位，「る」之后、「わ」之前
平假名「を」字源
片假名「ヲ」字源
「乎」字的上半部變形
平文式羅馬字：wo訓令式羅馬字：wo
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*福井久蔵編　『國語學大系　仮名遣一』　厚生閣、1940年
*沖森卓也編　『日本語史』　桜楓社、1989年　※57-59頁、69頁、75頁、77頁。ISBN 978-4-273-02288-4
*佐藤武義編　『概説 日本語の歴史』　朝倉書店、1995年　※61-62頁、72-76頁、93-94頁、101-102頁。ISBN 978-4-254-51019-5
*  日本語調査結果（5） 『を』の発音ーWO（うぉ）？それとも O（お）？  - 105人中33人（31.4%）が「を」を「ウォ」と発音すると回答している。
在分子生物學裡，一個蛋白質可能為了執行新的功能而改變去形狀；每一種可能的形狀被稱為構象，而在其之間的轉變即稱為構象改變。
它通常會改變蛋白質的三級結構，而此結構正好是決定蛋白質功能的重要結構。
構象改變可能是由許多不同的因素所造成的，如溫度、酸鹼值或配體對一受器的鍵結。
雅基馬太陽穹頂球館（Yakima SunDome）位于華盛頓州的雅基馬市，是一個應有6,195個固定座位的多功能綜合性室內球館。球館建于1990年，作為華盛頓州中部的一些商品交易會的承辦地用途，在交易會期間也有提供展覽會服務，球館也是美國大陸籃球協會球隊雅克瑪太陽王的主場。
太陽穹頂球館最初名為皇后穹頂球館（QueenDome），他有一個姊妹球館就是著名的西雅圖圓頂體育場（Kingdome）。
category:美國室內體育館
平假名ひ（清音）
片假名ヒ（清音）
平假名び（濁音）
片假名ビ（濁音）
平假名ぴ（半濁音）
片假名ピ（半濁音）
平假名ひ和片假名ヒ是日語的假名之一，由一個音節組成。在日語五十音圖中排第6行第2個（は行い段）的位置。ひ（平假名）和ヒ（片假名）是清音，其對應的濁音為び（平假名）和ビ（片假名），半濁音為ぴ（平假名）和ピ（片假名）。
平假名ひ的筆劃順序
片假名ヒ的筆劃順序
由1個子音和1個母音形成／?i／音，其對應的濁音為／bi／音、半濁音為／pi／音
第44位，「ゑ」之后、「も」之前
平假名「ひ」字源
「比」字的草書
片假名「ヒ」字源
「比」字的左半部
:平文式羅馬字：hi　 訓令式羅馬字：hi
:平文式羅馬字：bi　 訓令式羅馬字：bi
:平文式羅馬字：pi　 訓令式羅馬字：pi
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平假名ふ（清音）
片假名フ（清音）
平假名ぶ（濁音）
片假名ブ（濁音）
平假名ぷ（半濁音）
片假名プ（半濁音）
平假名ふ和片假名フ是日語的假名之一，由一個音節組成。在日語五十音圖中排第6行第3個（は行う段）的位置。ふ（平假名）和フ（片假名）是清音，其對應的濁音為ぶ（平假名）和ブ（片假名），半濁音為ぷ（平假名）和プ（片假名）。
ふ／フ字面上所代表的音位是，然而由於發音部位的緣故，其實際發音通常為。
平假名ふ的筆劃順序
片假名フ的筆劃順序
由1個子音和1個母音形成／???／音，其對應的濁音為／b??／音、半濁音為／p??／音
第32位，「け」之后、「こ」之前
平假名「ふ」字源
「不」字的草書
片假名「フ」字源
「不」字的首兩筆
:平文式羅馬字：fu　 訓令式羅馬字：hu
:平文式羅馬字：bu　 訓令式羅馬字：bu
:平文式羅馬字：pu　 訓令式羅馬字：pu
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「富士山のフ」
1789年美國憲法簽署場景的油畫。
美國開國元勛是指簽署《美國獨立宣言》和《美國憲法》的政治領導人以及參與美國革命的領袖，又譯作美國國父。他們是美國的奠基者。廣義上是指發起美國革命反抗英國皇室權威及抵制-{}-作為北美十三殖民地的人。狹義上指在1776年簽署獨立宣言的人或者是參與起草憲法的1787年制憲會議諸代表。也可延伸至簽署聯邦條例的人。
一些歷史學家把定義推廣至更大的范圍，不僅僅包含簽署者，同時包括參與美國獨立和建國的政治人物、法官、軍人、外交官、和普通市民。史學家 Richard B. Morris 在1973年指明開國元勛的八個關鍵人物：約翰·亞當斯、 本杰明·富蘭克林、亞歷山大·漢密爾頓、約翰·杰伊、托馬斯·杰斐遜、詹姆斯·麥迪遜、喬治·華盛頓和喬治三世。其中，亞當斯、杰斐遜和富蘭克林參與起草獨立宣言；漢密爾頓、麥迪遜和杰伊是聯邦黨人文集的作者。
彩星集團有限公司是一家在香港交易所上市的玩具工業公司。主要業務是設計、發展及市場推廣玩具及家庭娛樂產品。於1966年創立。
公司位於在百慕達註冊，創辦人、主席兼行政總裁為陳俊豪於2017年榮休，現主席兼行政總裁為杜樹聲。
其公司旗下美國彩星玩具實業股份有限公司主要生產比較為人熟悉的忍者龜（中國大陸又譯忍者神龜）、金剛等品牌玩具產品，其中忍者龜更是八十年代早期在香港和美國大賣廣告發售的。
但在股東特別大會通過把旗下從事玩具業務的彩星玩具上市，目前只有地產業務，包括彩星集團大廈等。
* playmates.net
平假名和片假名是日語的假名之一，由一個音節組成。在日語五十音圖中排第6行第4個的位置。（平假名）和（片假名）是清音，其對應的濁音為（平假名）和（片假名），半濁音為（平假名）和（片假名）。
當助詞用時發音為「e」
平假名（清音）
片假名（清音）
平假名（濁音）
片假名（濁音）
平假名（半濁音）
片假名（半濁音）
平假名的筆劃順序
片假名的筆劃順序
由1個子音和1個母音形成／he?／音，其對應的濁音為／be?／音、半濁音為／pe?／音
第6位，「」之后、「」之前
平假名「」字源
「部」字偏旁的草書
片假名「」字源
:平文式羅馬字：he　 訓令式羅馬字：he
:平文式羅馬字：be　 訓令式羅馬字：be
:平文式羅馬字：pe　 訓令式羅馬字：pe
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平假名ほ（清音）
片假名ホ（清音）
平假名ぼ（濁音）
片假名ボ（濁音）
平假名ぽ（半濁音）
片假名ポ（半濁音）
平假名ほ和片假名ホ是日語的假名之一，由一個音節組成。在日語五十音圖中排第6行第5個（は行お段）的位置。ほ（平假名）和ホ（片假名）是清音，其對應的濁音為ぼ（平假名）和ボ（片假名），半濁音為ぽ（平假名）和ポ（片假名）。
平假名ほ的筆劃順序
片假名ホ的筆劃順序
由1個子音和1個母音形成／ho?／音，其對應的濁音為／bo?／音、半濁音為／po?／音
第5位，「に」之后、「へ」之前
平假名「ほ」字源
「保」字的草書
片假名「ホ」字源
「保」字的右下部份
:平文式羅馬字：ho　 訓令式羅馬字：ho
:平文式羅馬字：bo　 訓令式羅馬字：bo
:平文式羅馬字：po　 訓令式羅馬字：po
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「保険のホ」
花花可以指：
*花花足球會：是香港一支足球隊。
*張嘉雲：臺灣凱渥模特兒經紀公司的模特兒，藝名為花花。
*中華職棒富邦悍將外野手張正偉的綽號。
*華晨宇：2013快樂男聲年度總冠軍，歌手2018亞軍，歌手·當打之年冠軍，別名為花花。
*蔡黃汝：藝名豆花妹，在臺灣中國電視公司製作的飢餓遊戲節目內的小名為花花
*林効蓉:臺灣知名部落客、暢銷作家，筆名為花花。
*《飛天小女警》、《飛天小女警 (2016年動畫)》、《飛天小女警Z》的主角之一。
教會總堂和宗主教駐地埃奇米阿津主教座堂
亞美尼亞使徒教會是世界上最古老的國教會以及最早被合法化的基督徒群體。
在亞美尼亞的傳統中，最早將基督信仰帶入該地區的是宗徒達陡以及巴爾多祿茂，這二人也被亞美尼亞教會奉為其主保圣人。此外，在優西比烏對埃德薩聖像傳說的紀載中，耶穌的十二門徒之一的埃德薩的達陡也曾在多默的派遣下帶著奇蹟複印了耶穌面容的聖像畫到達埃德薩，治癒了埃德薩王阿布加爾五世的痲瘋病，並促進了國王的改宗。
公元301年，亞美尼亞王國國王梯里達底三世因為被他關押十三年的教士啟蒙者格列高利而改宗基督教，結束了多年來的對基督徒迫害，並將之為國教，使得亞美尼亞成為世界上第一個基督教國家。
大約在302年，格列高利被梯里達底三世給予卡托利科斯這個稱號，任命他擔任亞美尼亞的國家教會領袖，並由其友人馬扎卡的該撒利亞主教利奧提烏斯祝聖為主教，之後此職位的繼承者也被稱為亞美尼亞宗主教。做為建立者，格列高利的名字也被用來稱呼亞美尼亞教會。
在梯里達底三世的王宮邊上，格列高利建起了亞美尼亞的第一座教堂——埃奇米阿津主教座堂，一千七百年來，王宮早已蕩然無存，而教堂卻一直是亞美尼亞宗主教的駐地，被稱作亞美尼亞的梵蒂岡。
公元405年，宗主教撒哈克一世委託司鐸梅斯羅布為亞美尼亞的人民創造了亞美尼亞字母，翻譯製作了亞美尼亞語聖經。
從5世紀中葉以來，亞美尼亞教會就一直保持獨立。直到現在，亞美尼亞教會依然獨立於基督宗教主流派以外。
亞美尼亞教會，是一個獨立基督教會，信奉基督一性論，獨立於基督教主流派以外。
基督教的主流教義強調神的「三位一體」和「基督二性論」，即認為基督的本身具有兩種本性，即神性與人性，這兩種屬性相和而不相混。基督有兩種性質，「每種性質本身都很完善，彼此又有區別，二者卻完全結合在一個人的身上，這個人既是上帝，又是人。」 基督既是完全的神，又是完全的人。在451年，基督教迦克墩公會議上，這種「兩性說」獲得勝利，成為基督教的正統。
亞美尼亞教會並沒有追隨迦克墩公會議，不承認迦克墩公會議的合法性。亞美尼亞人另外提出了一種基督教觀點，既不同於主流的二性論，也不同於聶斯托里主義。與主流信奉不同，亞美尼亞教會信奉神的「一性說」，認為基督的人性完全溶入神性，因此只有一個真正的屬性——神性。
與西方傳統所認為的12月25日聖誕節是耶穌誕辰不同，包括亞美尼亞教會在內的東方教會傳統將1月6日主顯節視作耶穌的誕辰。由於亞美尼亞教會使用儒略曆，他們的聖誕節在1月19日。
* David Marshall Lang. ''Armenia: Cradle of Civilization''. London: George Allen and Unwin. 1973.
*  Catholicosate of the Great House of Cilicia
*  Armenian Patriarchate of Jerusalem
*  Armenian Patriarchate of Constantinople
*  Araratian Patriarchal Diocese
*  Diocese of the Armenian Church of Canada
*  Diocese of the Armenian Church of America (Eastern)
*  The Diocese of the Armenian Church of America (Western)
*  Armenian Apostolic Orthodox Church Library - Books and Video
* Armenian Apostolic (Orthodox) Church Library Online:  English |  Armenian |  Russian
*  Prayer Book of the Armenian Church
*  Armeniapedia – Armenian Apostolic Church
*  Some information
*  Embassy of the Republic of Armenia to the US General Information
*  Directory of Armenian Churches Worldwide
行動研究是一種參與干預性的社會研究方法，研究者參與到行動中以規劃、實施、監測行動的變化，并利用研究者的理論與經驗服務于被研究對象。
category:社會科學方法論
顯微鏡下的金氧半場效電晶體測試用元件。圖中有兩個閘極的接墊（pads）以及三組源極與汲極的接墊。
金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；，縮寫：），是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效電晶體。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為電子占多數的N通道型與空穴占多數的P通道型，通常被稱為N型金氧半場效電晶體（NMOSFET）與P型金氧半場效電晶體（PMOSFET）。
以金氧半場效電晶體（MOSFET）的命名來看，事實上會讓人得到錯誤的印象。因為MOSFET跟英文單字「metal（金屬）」的第一個字母M，在當下大部分同類的元件裡是不存在的。早期金氧半場效電晶體閘極使用金屬作為材料，但由於多晶矽在製造工藝中更耐高溫等特點，許多金氧半場效電晶體閘極採用後者而非前者金屬。然而，隨著半導體特徵尺寸的不斷縮小，金屬作為閘極材料最近又再次得到了研究人員的注意。
金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET）。而絕緣閘極場效電晶體的閘極絕緣層，有可能是其他物質，而非金氧半場效電晶體使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶矽閘極的場效電晶體元件時比較喜歡用IGFET，但是這些IGFET多半指的是金氧半場效電晶體。
金氧半場效電晶體裡的氧化層位於其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度僅有數十至數百埃（?）不等，通常材料是二氧化硅（SiO2），不過有些新的進階製程已經可以使用如（silicon oxynitride, SiON）做為氧化層之用。
今日半導體元件的材料通常以矽為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如國際商業機器股份有限公司使用硅與鍺的混合物所發展的矽鍺製程（SiGe process）。而可惜的是很多擁有良好電性的半導體材料，如砷化鎵（GaAs），因為無法在表面長出品質夠好的氧化層，所以無法用來製造金氧半場效電晶體元件。
當一個夠大的電位差施於金氧半場效電晶體的閘極與源極之間時，電場會在氧化層下方的半導體表面形成感應電荷，而這時就會形成反轉通道（inversion channel）。通道的極性與其汲極（drain）與源極相同，假設汲極和源極是n型，那麼通道也會是n型。通道形成後，金氧半場效電晶體即可讓電流通過，而依據施於閘極的電壓值不同，可由金氧半場效電晶體的通道流過的電流大小亦會受其控制而改變。
常用於金氧半場效電晶體的電路符號有多種形式，最常見的設計是以一條垂直線代表通道（Channel），兩條和通道平行的接線代表源極（Source）與汲極（Drain），左方和通道垂直的接線代表閘極（Gate），如下圖所示。有時也會將代表通道的直線以虛線代替，以區分增強型（enhancement mode，又稱增強式）金氧半場效電晶體或是耗盡型（depletion mode，又稱空乏式）金氧半場效電晶體。
由於集成電路晶片上的金氧半場效電晶體為四端元件，所以除了源極（S）、汲極（D）、閘極（G）外，尚有一基極（Bulk或是Body）。金氧半場效電晶體電路符號中，從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為n型或是p型的金氧半場效電晶體。箭頭方向永遠從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為p型的金氧半場效電晶體，或簡稱PMOS（代表此元件的通道為p型）；反之則代表基極為p型，而通道為n型，此元件為n型的金氧半場效電晶體，簡稱NMOS。在一般分散式金氧半場效電晶體元件中，通常把基極和源極接在一起，故分散式金氧半場效電晶體通常為三端元件。而在積體電路中的金氧半場效電晶體通常因為使用同一個基極（common bulk），所以不標示出基極的極性，而在PMOS的閘極端多加一個圓圈以示區別。
幾種常見的MOSFET電路符號，加上接面場效電晶體一起比較：
增強型MOSFET
增強型MOSFET（基極不繪出）
空乏式MOSFET
上圖中的金氧半場效電晶體符號中，基極端和源極端均接在一起，一般-{zh-hans:分立元件; zh-hant:單一零件;}-的MOSFET幾乎均如此，但在積體電路中的金氧半場效電晶體則並不一定是這樣連接。通常一顆積體電路晶片中相同通道的金氧半場效電晶體都共享同一個基極，故某些情況下的金氧半場效電晶體可能會使得源極和基極並非直接連在一起，例如串疊式電流源（cascode current source）電路中的部份NMOS就是如此。基極與源極沒有直接相連的金氧半場效電晶體會出現基板效應（body effect）而部份改變其操作特性，將在後面的章節中詳述。
金屬—氧化層—半導體結構
場效應管在不同柵極厚度下的C-V特性曲線。左側為積累，中間為耗盡，右側為反型（反轉）
金氧半場效電晶體在結構上以一個金屬—氧化物層—半導體的電容為核心（現在的金氧半場效電晶體多半以多晶矽取代金屬作為其閘極材料），氧化層的材料多半是二氧化矽，其下是作為基極的矽，而其上則是作為閘極的多晶矽。這樣的結構正好等於一個電容器，氧化層為電容器中介電質，而電容值由氧化層的厚度與二氧化矽的介電係數來決定。閘極多晶矽與基極的矽則成為MOS電容的兩個端點。
當一個電壓施加在MOS電容的兩端時，半導體的電荷分佈也會跟著改變。
考慮一個p型的半導體（電洞濃度為''NA''）形成的MOS電容，當給電容器加負電壓時，電荷增加（如C-V曲線左側所示）。
相反，當一個正的電壓''VGD''施加在閘極與基極端（如圖）時，電洞的濃度會減少（稱為耗盡，如C-V曲線中間所示），電子的濃度會增加。
當''VGB''夠強時，接近閘極端的電子濃度會超過電洞。這個在p-type半導體中，電子濃度（帶負電荷）超過電洞（帶正電荷）濃度的區域，便是所謂的反轉層（inversion layer），如C-V曲線右側所示。
MOS電容的特性決定了金氧半場效電晶體的操作特性，但是一個完整的金氧半場效電晶體結構還需要一個提供多數載子（majority carrier）的源極以及接受這些多數載子的汲極。
一個NMOS電晶體的立體截面圖
左圖是一個n-type金氧半場效電晶體（以下簡稱NMOS）的截面圖。如前所述，金氧半場效電晶體的核心是位於中央的MOS電容，而左右兩側則是它的源極與汲極。源極與汲極的特性必須同為n-type（即NMOS）或是同為p-type（即PMOS）。左圖NMOS的源極與汲極上標示的「N+」代表著兩個意義：（1）N代表摻雜（doped）在源極與汲極區域的雜質極性為N；（2）「+」代表這個區域為高摻雜濃度區域（heavily doped region），也就是此區的電子濃度遠高於其他區域。在源極與汲極之間被一個極性相反的區域隔開，也就是所謂的基極（或稱基體）區域。如果是NMOS，那麼其基體區的摻雜就是p-type。反之對PMOS而言，基體應該是n-type，而源極與汲極則為p-type（而且是重摻雜的P+）。基體的摻雜濃度不需要如源極或汲極那麼高，故在左圖中沒有「+」，作為通道用。
對這個NMOS而言，真正用來作為通道、讓載子通過的只有MOS電容正下方半導體的表面區域。當一個正電壓施加在閘極上，帶負電的電子就會被吸引至表面，形成通道，讓n-type半導體的多數載子—電子可以從源極流向汲極。如果這個電壓被移除，或是放上一個負電壓，那麼通道就無法形成，載子也無法在源極與汲極之間流動，也就是可以透過閘極的電壓控制通道的開關。
假設操作的對象換成PMOS，那麼源極與汲極為p-type、基體則是n-type。在PMOS的閘極上施加負電壓，則半導體上的空穴會被吸引到表面形成通道，半導體的多數載子—空穴則可以從源極流向汲極。假設這個負電壓被移除，或是加上正電壓，那麼通道無法形成，一樣無法讓載子在源極和汲極間流動。
特別要說明的是，源極在金氧半場效電晶體裡的意思是「提供多數載子的來源」。對NMOS而言，多數載子是電子；對PMOS而言，多數載子是空穴。相對的，汲極就是接受多數載子的端點。
Ohmic contact to body to ensure no body bias; top left:subthreshold, top right:Ohmic mode, bottom left:Active mode at onset of pinch-off, bottom right: Active mode well into pinch-off – channel length modulation evident
臨界電壓在0.45V左右。右圖展現的納米線MOSFET中反型溝道的形成（電子密度的變化）。
依照在金氧半場效電晶體的閘極、源極，與汲極等三個端點施加的偏置（bias）不同，金氧半場效電晶體將有下列三種操作模式。下面將以一種簡化代數模型來討論。現代MOS管的特性比這里展示的代數模型更加復雜。
對于增強型N溝道MOS管來說，這3種工作模式分別為：
;截止區（次臨界區或弱反轉區）（cutoff, subthreshold or weak-inversion mode）
:當 |VGS| th| 時：
:|VGS| 代表閘極到源極的偏壓差，|Vth| 為材料的臨界電壓。這個金氧半場效電晶體是處在截止（cut-off）的狀態，通道無法反轉，並沒有足夠的多數載子，電流無法流過這個金氧半場效電晶體，也就是這個金氧半場效電晶體不導通。
:但事實上，金氧半場效電晶體無電流通過的敘述和現實有些微小的差異。在真實的狀況下，因為載子的能量依循麥克斯韋-玻爾茲曼分布而有高低的差異。雖然金氧半場效電晶體的通道沒有形成，但仍然有些具有較高能量的載子可以從半導體表面流至汲極。而若是 |VGS| 略大於零，但小於 |Vth| 的情況下，還會有一個稱為弱反轉層（weak inversion layer）的區域在半導體表面出現，讓更多載子流過。透過弱反轉而從源極流至汲極的載子數量與 |VGS| 的大小之間呈指數的關係，此電流又稱為亞閾值電流（subthreshold current）。
:在一些擁有大量金氧半場效電晶體的積體電路產品，如動態隨機存取存儲器（DRAM），次臨界電流往往會造成額外的能量或功率消耗。
NMOS的汲極電流與汲極電壓之間在不同的關係
金氧半場效電晶體在線性區操作的截面圖
;線性區（三極區或歐姆區）（linear region, triode mode or ohmic mode）)）
:當 ''VGS'' > ''Vth'' 且 ''VGD'' > ''Vth'' 時：
:此處''VDS''為NMOS汲極至源極的電壓，則這顆NMOS為導通的狀況，在氧化層下方的通道也已形成。此時這顆NMOS的行為類似一個壓控電阻（voltage-controlled resistor），而由汲極向源極流出的電流大小為：
:μn是載子遷移率（carrier mobility）、W是金氧半場效電晶體的閘極寬度、L是金氧半場效電晶體的閘極長度，而''Cox''則是閘極氧化層的單位電容大小。在這個區域內，金氧半場效電晶體的電流—電壓關係有如一個線性方程式，因而稱為線性區。
金氧半場效電晶體在飽和區操作的截面圖
;飽和區（主動區）（saturation or active mode）
:當 ''VGS'' > ''Vth'' 且 ''VGD th'' 時：
:這顆金氧半場效電晶體為導通的狀況，也形成了通道讓電流通過。但是隨著汲極電壓增加，超過閘極電壓時，會使得接近汲極區的反轉層電荷為零，此處的通道消失（如圖），這種狀況稱之為夾止（pinch-off）。在這種狀況下，由源極出發的載子經由通道到達夾止點時，會被注入汲極周圍的空間電荷區（space charge region），再被電場掃入汲極。此時通過金氧半場效電晶體的電流與其汲極—源極間的電壓''VDS''無關，只與閘極電壓有關，主要原因在於靠近汲極區的閘極電壓已經不足以讓通道反轉，而造成所能提供的載子有限，限制住了通道的電流大小，關係式如下：
:上述的公式也是理想狀況下，金氧半場效電晶體在飽和區操作的電流與電壓關係式。事實上在飽和區的金氧半場效電晶體汲極電流會因為而改變，並非與''VDS''全然無關。考慮通道長度調變效應之後的飽和區電流—電壓關係式如下：
:關於通道長度調變效應的成因與影響將在後面敘述。
一般而言，源極電壓與基板電壓兩者接在一起''VSB''＝0，但在實際上''VSB''＞0（對P型基板而言），此時基板與源極產生逆偏，使得空乏區電荷增加，因此使臨界電壓增加的現象稱為基板效應（Body Effect）。基板效應通常是負面的，臨界電壓之變化常會使類比電路或數位電路設計更加複雜。MOS受到基板效應影響，臨界電壓會有所改變，公式如下：
是基極與源極之間無電位差時的臨界電壓，是基板效應參數，則是與半導體能階相關的參數（禁帶中線與費米能級的差值）。
金氧半場效電晶體在1960年由貝爾實驗室的和首次實作成功，這種元件的操作原理和1947年蕭克利等人發明的雙載子接面電晶體截然不同，且因為製造成本低廉與使用面積較小、高整合度的優勢，在大型積體電路或是超大型積體電路的領域裡，重要性遠超過BJT。
近年來由於金氧半場效電晶體元件的性能逐漸提升，除了傳統上應用於諸如微處理器、微控制器等數位訊號處理的場合上，也有越來越多類比訊號處理的積體電路可以用金氧半場效電晶體來實現，以下分別介紹這些應用。
數位科技的進步，如微處理器運算效能不斷提升，帶給深入研發新一代金氧半場效電晶體更多的動力，這也使得金氧半場效電晶體本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導體主動元件中最快的一種。金氧半場效電晶體在數位訊號處理上最主要的成功來自互補式金屬氧化物半導體邏輯電路的發明，這種結構最大的好處是理論上不會有靜態的功率損耗，只有在邏輯閘的切換動作時才有電流通過。互補式金屬氧化物半導體邏輯閘最基本的成員是互補式金屬氧化物半導體反相器，而所有互補式金屬氧化物半導體邏輯閘的基本操作都如同反相器一樣，同一時間內必定只有一種電晶體（NMOS或是PMOS）處在導通的狀態下，另一種必定是截止狀態，這使得從電源端到接地端不會有直接導通的路徑，大量節省了電流或功率的消耗，也降低了積體電路的發熱量。
金氧半場效電晶體在數位電路上應用的另外一大優勢是對直流訊號而言，金氧半場效電晶體的閘極端阻抗為無限大（等效於開路），也就是理論上不會有電流從金氧半場效電晶體的閘極端流向電路裡的接地點，而是完全由電壓控制閘極的形式。這讓金氧半場效電晶體和他們最主要的競爭對手BJT相較之下更為省電，而且也更易於驅動。在CMOS邏輯電路裡，除了負責驅動晶片外負載（off-chip load）的驅動器外，每一級的邏輯閘都只要面對同樣是金氧半場效電晶體的閘極，如此一來較不需考慮邏輯閘本身的驅動力。相較之下，BJT的邏輯電路（例如最常見的TTL）就沒有這些優勢。金氧半場效電晶體的閘極輸入電阻無限大對於電路設計工程師而言亦有其他優點，例如較不需考慮邏輯閘輸出端的負載效應（loading effect）。
有一段時間，金氧半場效電晶體並非類比電路設計工程師的首選，因為類比電路設計重視的性能參數，如電晶體的跨導或是電流的驅動力上，金氧半場效電晶體不如BJT來得適合類比電路的需求。但是隨著金氧半場效電晶體技術的不斷演進，今日的CMOS技術也已經可以符合很多類比電路的規格需求。再加上金氧半場效電晶體因為結構的關係，沒有BJT的一些致命缺點，如熱破壞（thermal runaway）。另外，金氧半場效電晶體在線性區的壓控電阻特性亦可在積體電路裡用來取代傳統的多晶矽電阻（poly resistor），或是MOS電容本身可以用來取代常用的多晶矽—絕緣體—多晶矽電容（PIP capacitor），甚至在適當的電路控制下可以表現出電感（inductor）的特性，這些好處都是BJT很難提供的。也就是說，金氧半場效電晶體除了扮演原本電晶體的角色外，也可以用來作為類比電路中大量使用的被動元件（passive device）。這樣的優點讓採用金氧半場效電晶體實現類比電路不但可以滿足規格上的需求，還可以有效縮小晶片的面積，降低生產成本。
隨著半導體製造技術的進步，對於整合更多功能至單一晶片的需求也跟著大幅提升，此時用金氧半場效電晶體設計類比電路的另外一個優點也隨之浮現。為了減少在印刷電路板上使用的積體電路數量、減少封裝成本與縮小系統的體積，很多原本獨立的類比晶片與數位晶片被整合至同一個晶片內。金氧半場效電晶體原本在數位積體電路上就有很大的競爭優勢，在類比積體電路上也大量採用金氧半場效電晶體之後，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合訊號電路（Mixed-signal circuits），如類比數位轉換器，也得以利用金氧半場效電晶體技術設計出效能更好的產品。
近年來還有一種整合金氧半場效電晶體與BJT各自優點的製程技術：BiCMOS也越來越受歡迎。BJT元件在驅動大電流的能力上仍然比一般的CMOS優異，在可靠度方面也有一些優勢，例如不容易被靜電放電破壞。所以很多同時需要複雜訊號處理以及強大電流驅動能力的積體電路產品會使用BiCMOS技術來製作。
過去數十年來，金氧半場效電晶體的尺寸不斷地變小。早期的積體電路金氧半場效電晶體製程裡，通道長度約在幾個微米的等級。但是到了今日的積體電路製程，這個參數已經縮小到了幾十分之一甚至一百分之一。2008年初，Intel開始以45奈米的技術來製造新一代的微處理器，實際的元件通道長度可能比這個數字還小一些。至90年代末，金氧半場效電晶體尺寸不斷縮小，讓積體電路的效能大大提升，而從歷史的角度來看，這些技術上的突破和半導體製程的進步有著密不可分的關係。
基於以下幾個理由，金氧半場效電晶體的尺寸能越小越好。
# 越小的金氧半場效電晶體象徵其通道長度減少，讓通道的等效電阻也減少，可以讓更多電流通過。雖然通道寬度也可能跟著變小而讓通道等效電阻變大，但是如果能降低單位電阻的大小，那麼這個問題就可以解決。
# 金氧半場效電晶體的尺寸變小意味著閘極面積減少，如此可以降低等效的閘極電容。此外，越小的閘極通常會有更薄的閘極氧化層，這可以讓前面提到的通道單位電阻值降低。不過這樣的改變同時會讓閘極電容反而變得較大，但是和減少的通道電阻相比，獲得的好處仍然多過壞處，而金氧半場效電晶體在尺寸縮小後的切換速度也會因為上面兩個因素加總而變快。
# 金氧半場效電晶體的面積越小，製造晶片的成本就可以降低，在同樣的封裝裡可以裝下更高密度的晶片。一片積體電路製程使用的晶圓尺寸是固定的，所以如果晶片面積越小，同樣大小的晶圓就可以產出更多的晶片，於是成本就變得更低了。
雖然金氧半場效電晶體尺寸縮小可以帶來很多好處，但同時也有很多負面效應伴隨而來。
;金氧半場效電晶體的尺寸縮小後出現的困難
把金氧半場效電晶體的尺寸縮小到一微米以下對於半導體製程而言是個挑戰，不過現在的新挑戰多半來自尺寸越來越小的金氧半場效電晶體元件所帶來過去不曾出現的物理效應。
;次臨限傳導
由於金氧半場效電晶體閘極氧化層的厚度也不斷減少，所以閘極電壓的上限也隨之變少，以免過大的電壓造成閘極氧化層突崩潰（breakdown）。為了維持同樣的性能，金氧半場效電晶體的臨界電壓也必須降低，但是這也造成了金氧半場效電晶體越來越難以完全關閉。也就是說，足以造成金氧半場效電晶體通道區發生弱反轉的閘極電壓會比從前更低，於是所謂的亞閾值電流（subthreshold current）造成的問題會比過去更嚴重，特別是今日的積體電路晶片所含有的電晶體數量劇增，在某些超大型積體電路的晶片，次臨限傳導造成的功率消耗竟然佔了總功率消耗的一半以上。
不過反過來說，也有些電路設計會因為金氧半場效電晶體的次臨限傳導得到好處，例如需要較高的轉導／電流轉換比（transconductance-to-current ratio）的電路裡，利用次臨限傳導的金氧半場效電晶體來達成目的的設計也頗為常見。
;晶片內部連接導線的寄生電容效應
傳統上，互補式金屬氧化物半導體邏輯閘的切換速度與其元件的閘極電容有關。但是當閘極電容隨著金氧半場效電晶體尺寸變小而減少，同樣大小的晶片上可容納更多電晶體時，連接這些電晶體的金屬導線間產生的寄生電容效應就開始主宰邏輯閘的切換速度。如何減少這些寄生電容，成了晶片效率能否向上突破的關鍵之一。
;晶片發熱量增加
當晶片上的電晶體數量大幅增加後，有一個無法避免的問題也跟著發生了，那就是晶片的發熱量也大幅增加。一般的積體電路元件在高溫下操作可能會導致切換速度受到影響，或是導致可靠度與壽命的問題。在一些發熱量非常高的積體電路晶片如微處理器，目前需要使用外加的散熱系統來緩和這個問題。
在功率電晶體（Power金氧半場效電晶體）的領域裡，通道電阻常常會因為溫度升高而跟著增加，這樣也使得在元件中PN結（pn-junction）導致的功率損耗增加。假設外置的散熱系統無法讓功率電晶體的溫度保持在夠低的水準，很有可能讓這些功率電晶體遭到熱失控的命運。
;閘極氧化層漏電流增加
閘極氧化層隨著金氧半場效電晶體尺寸變小而越來越薄，目前主流的半導體製程中，甚至已經做出厚度僅有1.2奈米的閘極氧化層，大約等於5個原子疊在一起的厚度而已。在這種尺度下，所有的物理現象都在量子力學所規範的世界內，例如電子的穿隧效應。因為穿隧效應，有些電子有機會越過氧化層所形成的位能障壁（potential barrier）而產生漏電流，這也是今日積體電路晶片功耗的來源之一。
為了解決這個問題，有一些介電係數比二氧化矽更高的物質被用在閘極氧化層中。例如鉿和鋯的金屬氧化物（二氧化鉿、二氧化鋯）等高介電係數的物質均能有效降低閘極漏電流。閘極氧化層的介電係數增加後，閘極的厚度便能增加而維持一樣的電容大小。而較厚的閘極氧化層又可以降低電子透過穿隧效應穿過氧化層的機率，進而降低漏電流。不過利用新材料製作的閘極氧化層也必須考慮其位能障壁的高度，因為這些新材料的傳導帶和價帶和半導體的傳導帶與價帶的差距比二氧化矽小（二氧化矽的傳導帶和矽之間的高度差約為8ev），所以仍然有可能導致閘極漏電流出現。
;製程變異更難掌控
現代的半導體製程工序複雜而繁多，任何一道製程都有可能造成積體電路晶片上的元件產生些微變異。當金氧半場效電晶體等元件越做越小，這些變異所佔的比例就可能大幅提升，進而影響電路設計者所預期的效能，這樣的變異讓電路設計者的工作變得更為困難。
理論上金氧半場效電晶體的閘極應該儘可能選擇電性良好的導體，多晶矽在經過重摻雜之後的導電性可以用在金氧半場效電晶體的閘極上，但是並非完美的選擇。目前金氧半場效電晶體使用多晶矽作為的理由如下：
#金氧半場效電晶體的臨界電壓（threshold voltage）主要由閘極與通道材料的功函數之間的差異來決定，而因為多晶矽本質上是半導體，所以可以藉由摻雜不同極性的雜質來改變其功函數。更重要的是，因為多晶矽和底下作為通道的矽之間能隙相同，因此在降低PMOS或是NMOS的臨界電壓時可以藉由直接調整多晶矽的功函數來達成需求。反過來說，金屬材料的功函數並不像半導體那麼易於改變，如此一來要降低金氧半場效電晶體的臨界電壓就變得比較困難。而且如果想要同時降低PMOS和NMOS的臨界電壓，將需要兩種不同的金屬分別做其閘極材料，對於製程又是一個很大的變數。
#矽—二氧化矽接面經過多年的研究，已經證實這兩種材料之間的缺陷（defect）是相對而言比較少的。反之，金屬—絕緣體接面的缺陷多，容易在兩者之間形成很多表面能階，大為影響元件的特性。
#多晶矽的熔點比大多數的金屬高，而在現代的半導體製程中習慣在高溫下沉積閘極材料以增進元件效能。金屬的熔點低，將會影響製程所能使用的溫度上限。
不過多晶矽雖然在過去20年是製造金氧半場效電晶體閘極的標準，但也有若干缺點使得未來仍然有部份金氧半場效電晶體可能使用金屬閘極，這些缺點如下：
#多晶矽導電性不如金屬，限制了訊號傳遞的速度。雖然可以利用摻雜的方式改善其導電性，但成效仍然有限。目前有些融點比較高的金屬材料如：鎢、鈦、鈷或是鎳被用來和多晶矽製成合金。這類混合材料通常稱為金屬矽化物。加上了金屬矽化物的多晶矽閘極有著比較好的導電特性，而且又能夠耐受高溫製程。此外因為金屬矽化物的位置是在閘極表面，離通道區較遠，所以也不會對金氧半場效電晶體的臨界電壓造成太大影響。
#在閘極、源極與汲極都鍍上金屬矽化物的製程稱為自我對準金屬矽化物製程（Self-Aligned Silicide），通常簡稱salicide製程。
#當金氧半場效電晶體的尺寸縮的非常小、閘極氧化層也變得非常薄時，例如現在的製程可以把氧化層縮到一奈米左右的厚度，一種過去沒有發現的現象也隨之產生，這種現象稱為多晶矽空乏。當金氧半場效電晶體的反轉層形成時，有多晶矽空乏現象的金氧半場效電晶體閘極多晶矽靠近氧化層處，會出現一個空乏層（depletion layer），影響金氧半場效電晶體導通的特性。要解決這種問題，金屬閘極是最好的方案。目前可行的材料包括鉭、鎢、氮化鉭（Tantalum Nitride），或是氮化鈦（Titanium Nitride）。這些金屬閘極通常和高介電係數物質形成的氧化層一起構成MOS電容。另外一種解決方案是將多晶矽完全的合金化，稱為FUSI（FUlly-SIlicide polysilicon gate）製程。
雙閘極（dual-gate）金氧半場效電晶體通常用在射頻積體電路中，這種金氧半場效電晶體的兩個閘極都可以控制電流大小。在射頻電路的應用上，雙閘極金氧半場效電晶體的第二個閘極大多數用來做增益、混頻器或是頻率轉換的控制。
一般而言，空乏式（depletion mode）金氧半場效電晶體比前述的加強式（enhancement mode）金氧半場效電晶體少見。空乏式金氧半場效電晶體在製造過程中改變摻雜到通道的雜質濃度，使得這種金氧半場效電晶體的閘極就算沒有加電壓，通道仍然存在。如果想要關閉通道，則必須在閘極施加負電壓（對NMOS而言）。空乏式金氧半場效電晶體是屬於「常閉型」（normally-closed，ON）的開關，而相對的，加強式金氧半場效電晶體則屬於「常斷型」（normally-open，OFF）的開關。
同樣驅動能力的NMOS通常比PMOS所佔用的面積小，因此如果只在邏輯閘的設計上使用NMOS的話也能縮小晶片面積。不過NMOS邏輯雖然佔的面積小，卻無法像CMOS邏輯一樣做到不消耗靜態功率，因此在1980年代中期後已經漸漸退出市場，目前以CMOS為主流。
功率電晶體單元的截面圖。通常一個市售的功率電晶體都包含了數千個這樣的單元。
功率金氧半場效電晶體（Power MOSFET）和前述的金氧半場效電晶體元件在結構上就有著顯著的差異。一般積體電路裡的金氧半場效電晶體都是平面式（planar）的結構，電晶體內的各端點都離晶片表面只有幾個微米的距離。而所有的功率元件都是垂直式（vertical）的結構，讓元件可以同時承受高電壓與高電流的工作環境。一個功率金氧半場效電晶體能耐受的電壓是雜質摻雜濃度與n-type磊晶層（epitaxial layer）厚度的函數，而能通過的電流則和元件的通道寬度有關，通道越寬則能容納越多電流。對於一個平面結構的金氧半場效電晶體而言，能承受的電流以及崩潰電壓的多寡都和其通道的長寬大小有關。對垂直結構的金氧半場效電晶體來說，元件的面積和其能容納的電流大約成正比，磊晶層厚度則和其崩潰電壓成正比。
值得一提的是採用平面式結構的功率金氧半場效電晶體也並非不存在，這類元件主要用在高級的音響放大器中。平面式的功率金氧半場效電晶體在飽和區的特性比垂直結構的對手更好。垂直式功率金氧半場效電晶體則多半用來做開關切換之用，取其導通電阻（turn-on resistance）非常小的優點。
DMOS是雙重擴散金氧半場效電晶體（Double-Diffused金氧半場效電晶體）的縮寫，大部分的功率金氧半場效電晶體都是採用這種製作方式完成的。
金氧半場效電晶體在導通時的通道電阻低，而截止時的電阻近乎無限大，所以適合作為類比訊號的開關（訊號的能量不會因為開關的電阻而損失太多）。金氧半場效電晶體作為開關時，其源極與汲極的分別和其他的應用是不太相同的，因為訊號可以從金氧半場效電晶體閘極以外的任一端進出。對NMOS開關而言，電壓最負的一端就是源極，PMOS則正好相反，電壓最正的一端是源極。金氧半場效電晶體開關能傳輸的訊號會受到其閘極—源極、閘極—汲極，以及汲極到源極的電壓限制，如果超過了電壓的上限可能會導致金氧半場效電晶體燒毀。
金氧半場效電晶體開關的應用範圍很廣，舉凡需要用到取樣保持電路（sample-and-hold circuits）或是截波電路（chopper circuits）的設計，例如類比數位轉換器（A/D converter）或是切換電容濾波器（switch-capacitor filter）上都可以見到金氧半場效電晶體開關的蹤影。
當NMOS用來做開關時，其源極接地，閘極為控制開關的端點。當閘極電壓減去源極電壓超過其導通的臨界電壓時，此開關的狀態為導通。閘極電壓繼續升高，則NMOS能通過的電流就更大。NMOS做開關時操作在線性區，因為源極與汲極的電壓在開關為導通時會趨向一致。
PMOS做開關時，其源極接至電路裡電位最高的地方，通常是電源。閘極的電壓比源極低、超過其臨界電壓時，PMOS開關會打開。
NMOS開關能容許通過的電壓上限為（Vgate-Vthn），而PMOS開關則為（Vgate+Vthp），這個值通常不是訊號原本的電壓振幅，也就是說單一金氧半場效電晶體開關會有讓訊號振幅變小、訊號失真的缺點。
為了改善前述單一金氧半場效電晶體開關造成訊號失真的缺點，於是使用一個PMOS加上一個NMOS的CMOS開關（Transmission gate）成為目前最普遍的做法。CMOS開關將PMOS與NMOS的源極與汲極分別連接在一起，而基極的接法則和NMOS與PMOS的傳統接法相同（PMOS的基極接到最高電壓，即VDD；NMOS的基極接到最低電壓，即VSS或GND）。要令開關導通時，則把PMOS的閘極接低電位（VSS或GND），NMOS的閘極接高電位（VDD）。當輸入電壓在（VDD-Vthn）到（VSS+Vthp）時，PMOS與NMOS都導通，而輸入小於（VSS+Vthp）時，只有NMOS導通，輸入大於（VDD-Vthn）時只有PMOS導通，這樣做的好處是在大部分的輸入電壓下，PMOS與NMOS皆同時導通，如果任一邊的導通電阻上升，則另一邊的導通電阻就會下降，所以開關的電阻幾乎可以保持定值，減少訊號失真。
* Sze, S. M.，''Physics of Semiconductor Devices'' 2nd ed. New York: Wiley, 1981.
* Donald A. Neamen, ''Semiconductor Physics & Devices'', 3rd ed. McGraw Hill, 2003.
* Behzad Razavi, ''Design of Analog CMOS Integrated Circuits'', 1st ed. McGraw Hill, 2002.
* B. Jayant Baliga, ''Power Semiconductor Devices'', PWS publishing Company, Boston. ISBN 978-0-534-94098-0.
* Adel. S. Sedra and Kenneth. C. Smith, ''Microelectronics Circuits'', 5th ed., Oxford, 2003.
*  Lessons In Electric Circuits—INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS
*  MOSFET models Diagrams and mathematical derivation.
*  MIT Open Courseware 6.012 -- 麻省理工學院開放式課程計畫（微電子學與MOSFET元件）
東昇對五一七
東昇體育會（英文：Tung Sing Football Club），是香港一支足球隊，由亞細亞油站老闆謝日昇創辦，已故香港足球總會會長霍英東於1965年入閣支持組織巨型班，故球隊有「御林軍」之稱，球衣代表顏色為橙色。現任會長為創辦人霍英東長子霍震霆的二子霍啟山。2015–16年度球季，奪得乙組聯賽冠軍，升班至甲組聯賽。
由亞細亞油站老闆謝日昇創立於1959年，其後霍英東於1965年入閣支持組織巨型班，由於霍英東是香港足球總會會長，故球隊有「御林軍」之稱。
1961–62年度，東昇獲得香港乙組足球聯賽及初級組銀牌雙料冠軍，首次升上甲組作賽。不過，1962–63年度，在甲組聯賽名列包尾，只角逐了一季便降回乙組。
1963–64年度，東昇再次獲得乙組聯賽冠軍，立即回升甲組。1964–65年度，東昇在甲組聯賽名列尾二，惟因乙組亞軍怡和放棄升班，東昇獲準留級。
自此至1970年代尾，東昇成為香港甲組足球聯賽一支實力分子，經常位居聯賽榜前列，著名球星胡國雄亦是在東昇展開甲組球員生涯。1972–73年度球季，東昇獲得甲組聯賽季軍，是該隊至今在甲組最佳成績。
1974年，霍英東以7,000元月薪高薪向南華挖角，邀得「亞洲鋼門」仇志強離開南華轉投東昇，引起香港球壇一陣哄動。
東昇在盃賽亦有不俗成績，曾獲得一次金禧盃亞軍、兩次銀牌亞軍、一次香港足總盃亞軍及一次總督盃亞軍，卻始終與主要錦標無緣，唯一只曾於1977年球季贏過會長盃冠軍。
踏入1980年代，霍英東將東昇交由長子霍震霆管理，斥資引入包連奴、施路華等外援，但是由於其他球隊也同時大幅提升實力，所以東昇的成績未見突出。於1985–86年度，金利來集團主席曾憲梓入閣擔任主席，東昇亦放棄巴西外援，改邀前中國國家足球隊國腳歐偉庭、劉利福助陣，在全季18場聯賽，成績1勝3和14負只得5分，位列包尾宣告降班，至今未能重返頂級聯賽。
香港足球總會於2012–13年度球季，重組丙組聯賽，並復辦丁組聯賽。東昇在上一屆香港丙組(甲)聯賽名列第15名，故需降落丁組聯賽作賽。
2014–15年度球季，香港超級聯賽成立，原丁組聯賽改組成丙組聯賽。東昇與車路士足球學校負責人山度士合作，引入陳樹明、鄭皓文、鍾健希、梁承傑、鮑家耀、岑國培、潘嘉明等前甲組球員助陣，結果贏得改制後首屆香港丙組聯賽冠軍，並升上乙組聯賽角逐。
2015–16年度球季，東昇以16勝3和3負得51分成績，獲得乙組聯賽冠軍，得以升上甲組聯賽。
2017–18年度球季，東昇以6勝5和19負得23分成績，得第14位，依例降落乙組聯賽。
2018–19年度球季，東昇雖然乙組作賽，但依然簽一些具有乙組實力的球員作賽。包括龍門陸駿裕、中堅賴文飛、中場阮健文、翼鋒崔子棋。
2019–20年度球季，球隊放棄全部上賽季簽入的球員，所有球員都是全新加盟，而且大部分都是名不見經傳的球員，季初更以6戰1和5負排包尾，但簽入前港隊教練甄力健後及時反彈，最終半季以13戰6勝1和6負得19分成績升上第5位。由於休季時Covid-19爆發，球季最終腰斬，未能完成下半季，因此該球季球隊最終排名為第5位。
2020-21年度球季，東昇留用上季大部分球員，簽入數名有潛質的U22球員外，更簽入一些巨級數球員增強實力，包括中場陳漢興、蔡汶渏及中堅杜瑋鴻，結果獲得冠軍。
2021一22年度球季，簽入中堅蘇偉泉。
范浩然（Fan Ho Yan）
吳昊鵬（Wu Haopeng）
劉浚禧（Lau Tsun Hei）
梁承傑（Leung Shing Kit）
陳韶遠（Chan Siu Yuen）
郭沛宏（Kwok Pui Wang）