Kõrge-k-dielektrik

Kõrge-k-dielektrik (ingl "high-κ dielectric") kirjeldab materjale, mille suhteline dielektriline läbitavus formula_1 on suurem kui ränidioksiidil (εr = 3,9). (Terminiosa ’kõrge-k’ on ingliskeelse "high-κ" ebatäpne tõlge; suhtelist dielektrilist läbitavust tähistatakse siin kreeka tähega formula_2 (kapa), mis aga on asendatud ladina tähega k.)
Kõrge-k-dielektrikuid kasutatakse väljatransistoride paisuelektroodi materjalina ränidioksiidi asemel, et veelgi vähendada transistoride ja teiste mikroelementide mõõtmeid. Suurem üleminek kõrge-k-materjalidele algas 2007. aastal, kui Intel teatas nende materjalide kasutuselevõtust.
Kõrge-k-materjalide vajadus.
Ränidioksiidi on kasutatud transistoride paisu dielektrikuna juba üle poole sajandi. Selle aja jooksul on transistoride suurus kahanenud ning sellega koos on ka vähenenud ränidioksiidi paksus. Mõõtmete vähenemine on omakorda kaasa toonud mikroelektroonikaseadmete jõudluse suure kasvu. Dielektrikute paksuse vähenemine alla 2 nm on aga kaasa toonud probleeme seoses lekkevoolu kasvuga, sest ränidioksiidi kihi kahanemine mõne aatomkihi paksuseks võimaldab tunnelleerumist. Tagajärjeks on voolutarbe suurenemine ja elektroonikaseadme töökindluse vähenemine. Kõrge-k-dielektriku kasutamisel on võimalik suurendada transistori lätte ja paisu vahelist mahtuvust ilma lekkevooludeta. Suurema mahtuvuse korral paraneb transistori oleku salvestusvõime värskendusstüklites.
Põhimõte.
MOSFET-i saab modelleerida kui kahe paralleelse plaadi ja dielektrikuga kondensaatorit. Kui mitte arvestada kvantmehaanikalisi efekte ja lävipinge kõikumist Si-pooljuhtplaadi ja paisu vahel, kirjeldab plaatidevahelist mahtuvust "C" valem
formula_3
kus
Järelikult saab suurema formula_1 väärtusega materjali ehk kõrge-k-dielektriku kasutamise korral teha dielektrikukiht paksem, et vähendada paisu dielektrikut läbivat lekkevoolu ja suurendada tema töökindlust.
Paisu mahutavuse mõju juhtimisvoolule.
MOSFET-transistori neelu vool "ID" saab teatud lähenduses väljendada valemiga
formula_9
kus
Suurus "VG" – "Vth" on limiteeritud kindlasse piirkonda, et tõsta töökindlust ning tagada töötavus toatemperatuuril. Liiga suur "VG" tekitab soovimatult suure elektrivälja paisuoksiidil, mis tõstab oluliselt transistori jahutamise vajadust. Lisaks pole võimalik lihtsate vahenditega langetada "Vth" väärtust alla 200 mV. Seega "ID,sat" tõstmiseks on vaja kas vähendada kanali pikkust või suurendada paisu dielektriku paksust.
Uued materjalid.
Ränidioksiidist paisuoksiidi alternatiivsete materjalidega asendamine muudab transistori tootmisprotsessi keerulisemaks. Praeguste meetoditega on lihtne teostada ränidioksiidi kihi oksüdeerumist ränist pooljuhtplaadile nii, et tulemus oleks homogeene. Ränidioksiidi asendamisel võimalikult suurt dielektrilist läbitavust omava materjaliga on oluline, et uut materjali oleks lihtne integreerida olemasolevasse tootmisprotsessi. Samuti on olulised omadused temperatuuristabiilsus, kile morfoloogia, laengukandjate suur liikuvus kanalis, võimalikult vähe defekte kiles ja hea ühilduvus räniga. Võimalikud ränidioksiidi asendajad on hafniumdioksiid (HfO2), tsirkooniumdioksiid (ZrO2) ja titaandioksiid (TiO2).
Kõrge-k-dielektrikute kasutuselevõtu etapid.
1990. aastatel võeti paisu dielektrikuna kasutusele ränioksünitriid SiOxNy, mis asendas traditsioonilist ränidioksiidi. Amorfne SiOxNy võimaldab suurendada määral dielektrilist läbitavust ja vähendab difusiooni läbi paisu dielektriku.
2007. aastal teatas Intel, et hafniumil põhinevad dielektrikud on võetud kasutusele 45 nm tehnoloogiaga protsessorites Penryn. Samal ajal teatas IBM oma soovist üle minna hafniumipõhisele metallpaisule osadel 2008. aasta toodetel.
2009. aastal avaldas Intel, et on oma 32 nm tehnoloogias kasutusele võtnud 2. generatsiooni kõrge-k-dielektrikud. Võrreldes 45 mm tehnoloogiaga on 2. generatsiooni dielektrikute kasutuselevõtt parandanud protsessori jõudlust 20% võrra.
2011. aastal Intel avaldas, et oma 22 nm mikroprotsessorites koodinimega Ivy Bridge võetakse kasutusele 3. generatsiooni dielektrikud. Lisaks toimus üleminek ruumilisele kolme paisuga transistoridele.