Grupo de pesquisadores demonstra transistor de um único átomo
Autor: roger_nascimento | Publicado: 2012-02-24T13:50:00-08:00


Um grupo multinacional de cientistas, com representantes da  Austrália, EUA e Coréia do Sul apresentou um transistor de um único  átomo, criado com a introdução de um átomo de fósforo sobre uma  estrutura de silício, o que é em teoria o menor que se pode chegar antes  dos computadores quânticos.



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Para realizar o feito, o grupo utilizou um STM (scanning tunnelling  microscope) para posicionar átomo de fósforo precisamente entre os  eletrodos de silício, permitindo que o comportamento elétrico do átomo  de fósforo seja lido através deles, criando o precursor de um transistor  funcional. Naturalmente, a estrutura completa possui múltiplos átomos,  mas a parte computacional é executada pelo átomo central, daí o título  do estudo, que foi publicado pela revista Nature.



Assim como outros projetos, a falha no estudo é o fato de a estrutura  precisar ser criada artesanalmente através do STM e precisar ser  mantida a uma temperatura muito baixa (20 mK) dentro de um refrigerador  com hélio líquido para funcionar, tudo isso para obter um único  transistor.



De qualquer forma, o grupo conseguiu remover algumas das barreiras  preliminares e mostrar que o conceito realmente funciona. Agora vem a  parte difícil, que é tentar encontrar alguma forma de criar circuitos  usando estes transistores e produzi-los em escala industrial, o que,  caso eventualmente seja conseguido, ainda demorará décadas.



Antigamente, acreditava-se que o limite de miniaturização para os  transistores de silício ficaria entre os 30 e 20 nm, limite que a Intel  já atingiu com a geração atual de processadores, fabricados usando uma  técnica de 22 nm. Inovações como o SOI, Low-k dieletrics e os tri-gate  transistors combinados com refinamentos nas técnicas de produção estão  estendendo estes limites, com a Intel já fazendo testes com wafers de 14  nm (que podem entrar em produção a partir de 2013) e prometendo wafers  com transistores de 10 nm para 2015.



Estima-se que fabricantes com grande disponibilidade de capital, como  a Intel e potencialmente a TSMC possam conseguir refinar suas técnicas  de produção para produzir transistores de 8 nm ou 6.5 nm (half-node),  mantendo a corrida da miniaturização por mais 6 ou 7 anos, mas é um  consenso que não será possível avançar mais do que isso com o uso do  silício e litografia. Como a partir dos 32 nm os ganhos a cada nova  geração serão cada vez menores (transistores com um gate-leakage mais  alto, com um elevado nível de defeitos e uma taxa de erros  progressivamente maior) muitos especialistas argumentam que qualquer  ganho a partir dos 14 nm será irrelevante, pois a miniaturização  adicional introduzirá tantos problemas que a maioria dos fabricantes  preferirá continuar nos 14 nm.



De qualquer forma, seja em 2013, em 2015 ou em 2017, a tecnologia  atual de fabricação chegará a seu limite, sem que outra tecnologia mais  avançada tenha ainda despontado no horizonte, com todas as  possibilidades ainda há duas ou mais décadas do mercado.



Fonte: http://www.hardware.com.br/noticias/2012-02/single-atom.html&nbsp;