半导体材料
列表

| 族 | 元素 |  | 化學式 | 能隙 (eV) | 直接帶隙和間接帶隙 |
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| IV | 1 | 硅 | Si | 1.12 | 間接带隙 |
| IV | 1 | Germanium | Ge | 0.67 | 間接帶隙 |
| IV | 1 | Material properties of diamond（英语：） | C | 5.47 | 間接帶隙 |
| IV | 1 | 锡, α-Sn | Sn | 0 | 半金属 (能带理论) |
| IV | 2 | 碳化硅, 3C-SiC | SiC | 2.3 | 間接帶隙 |
| IV | 2 | 碳化硅, 4H-SiC | SiC | 3.3 | 間接帶隙 |
| IV | 2 | 碳化硅, 6H-SiC（英语：） | SiC | 3.0 | 間接帶隙 |
| VI | 1 | 硫, 硫的同素异形体 | S8 | 2.6 |  |
| VI | 1 | 硒 | Se | 1.83 - 2.0 | 間接帶隙 |
| VI | 1 | 硒 | Se | 2.05 | 間接帶隙 |
| VI | 1 | 碲 | Te | 0.33 |  |
| III-V | 2 | 氮化硼, cubic | BN | 6.36 | 間接帶隙 |
| III-V | 2 | 氮化硼, hexagonal | BN | 5.96 | quasi-direct |
| III-V | 2 | 氮化硼 | BN | 5.5 |  |
| III-V | 2 | 磷化硼 | BP | 2.1 | 間接帶隙 |
| III-V | 2 | 砷化硼 | BAs | 1.82 | 直接帶隙 |
| III-V | 2 | 砷化硼 | B12As2 | 3.47 | 間接帶隙 |
| III-V | 2 | 氮化鋁 | AlN | 6.28 | 直接帶隙 |
| III-V | 2 | 磷化铝 | AlP | 2.45 | 間接帶隙 |
| III-V | 2 | 砷化铝 | AlAs | 2.16 | 間接帶隙 |
| III-V | 2 | 锑化铝 | AlSb | 1.6/2.2 | 直接帶隙/direct |
| III-V | 2 | 氮化鎵 | GaN | 3.44 | 直接帶隙 |
| III-V | 2 | 磷化鎵 | GaP | 2.26 | 間接帶隙 |
| III-V | 2 | Gallium arsenide（英语：） | GaAs | 1.42 | 直接帶隙 |
| III-V | 2 | 銻化鎵 | GaSb | 0.73 | 直接帶隙 |
| III-V | 2 | 氮化銦 | InN | 0.7 | 直接帶隙 |
| III-V | 2 | 磷化銦 | InP | 1.35 | 直接帶隙 |
| III-V | 2 | 砷化铟 | InAs | 0.36 | 直接帶隙 |
| III-V | 2 | 锑化铟 | InSb | 0.17 | 直接帶隙 |
| II-VI | 2 | 硒化镉 | CdSe | 1.74 | 直接帶隙 |
| II-VI | 2 | 硫化镉 | CdS | 2.42 | 直接帶隙 |
| II-VI | 2 | 碲化镉 | CdTe | 1.49 | 直接帶隙 |
| II-VI | 2 | 氧化鋅 | ZnO | 3.37 | 直接帶隙 |
| II-VI | 2 | 硒化锌 | ZnSe | 2.7 | 直接帶隙 |
| II-VI | 2 | 硫化锌 | ZnS | 3.54/3.91 | 直接帶隙 |
| II-VI | 2 | 碲化锌 | ZnTe | 2.3 | 直接帶隙 |
| I-VII | 2 | 氯化亚铜 | CuCl | 3.4 | 直接帶隙 |
| I-VI | 2 | Copper sulfide（英语：） | Cu2S | 1.2  | 間接帶隙 |
| IV-VI | 2 | 硒化铅 | PbSe | 0.26 | 直接帶隙 |
| IV-VI | 2 | 硫化铅 | PbS | 0.37 |  |
| IV-VI | 2 | 碲化铅 | PbTe | 0.32 |  |
| IV-VI | 2 | 硫化亚锡 | SnS | 1.3/1.0 | 直接帶隙/間接帶隙 |
| IV-VI | 2 | 二硫化锡 | SnS2 | 2.2 |  |
| IV-VI | 2 | 碲化亚锡 | SnTe | 0.18 |  |
| IV-VI | 3 | Lead tin telluride（英语：） | Pb1−xSnxTe | 0-0.29 |  |
| V-VI | 2 | 碲化鉍 | Bi2Te3 | 0.13 |  |
| II-V | 2 | 磷化镉 | Cd3P2 | 0.5 |  |
| II-V | 2 | 砷化鎘 | Cd3As2 | 0 |  |
| II-V | 2 | 磷化锌 | Zn3P2 | 1.5 | 直接帶隙 |
| II-V | 2 | 二磷化锌 | ZnP2 | 2.1 |  |
| II-V | 2 | 砷化锌 | Zn3As2 | 1.0 |  |
| II-V | 2 | 锑化锌 | Zn3Sb2 |  |  |
| 氧 | 2 | 二氧化鈦, 锐钛矿 | TiO2 | 3.20 | 間接帶隙 |
| 氧 | 2 | 二氧化鈦, 金红石 | TiO2 | 3.0 | 直接帶隙 |
| 氧 | 2 | 二氧化鈦, 板鈦礦 | TiO2 | 3.26 |  |
| 氧 | 2 | 氧化亚铜 | Cu2O | 2.17 |  |
| 氧 | 2 | 氧化铜 | CuO | 1.2 |  |
| 氧 | 2 | 二氧化鈾 | UO2 | 1.3 |  |
| 氧 | 2 | 二氧化锡 | SnO2 | 3.7 |  |
| 氧 | 3 | 钛酸钡 | BaTiO3 | 3 |  |
| 氧 | 3 | 钛酸锶 | SrTiO3 | 3.3 |  |
| 氧 | 3 | 铌酸锂 | LiNbO3 | 4 |  |
| V-VI | 2 | monoclinic 二氧化钒 | VO2 | 0.7 | 光學帶隙 |
|  | 2 | 碘化鉛 | PbI2 | 2.4 |  |
|  | 2 | 二硫化钼 | MoS2 | 1.23 eV (2H) | 間接帶隙 |
|  | 2 | Gallium(II) selenide（英语：） | GaSe | 2.1 | 間接帶隙 |
|  | 2 | 硒化铟 | InSe | 1.26-2.35 eV | 直接帶隙 (2D間接帶隙) |
|  | 2 | 硫化亚锡 | SnS | >1.5 eV | 直接帶隙 |
|  | 2 | 硫化铋 | Bi2S3 | 1.3 |  |
| Magnetic, diluted (DMS) | 3 | Gallium manganese arsenide（英语：） | GaMnAs |  |  |
| Magnetic, diluted (DMS) | 3 | Lead manganese telluride | PbMnTe |  |  |
|  | 4 | Lanthanum calcium manganate | La0.7Ca0.3MnO3 |  |  |
|  | 2 | 氧化亚铁 | FeO | 2.2  |  |
|  | 2 | 一氧化镍 | NiO | 3.6–4.0 | 直接帶隙 |
|  | 2 | Europium(II) oxide（英语：） | EuO |  |  |
|  | 2 | 硫化亚铕 | EuS |  |  |
|  | 2 | 溴化铬 | CrBr3 |  |  |
| 其它 | 3 | Copper indium selenide（英语：）, CIS | CuInSe2 | 1 | 直接帶隙 |
| 其它 | 3 | Silver gallium sulfide | AgGaS2 |  |  |
| 其它 | 3 | Zinc silicon phosphide | ZnSiP2 | 2.0 |  |
| 其它 | 2 | 三硫化二砷 雌黃 | As2S3 | 2.7 | 直接帶隙 |
| 其它 | 2 | 硫化砷 雄黄 | As4S4 |  |  |
| 其它 | 2 | Platinum silicide（英语：） | PtSi |  |  |
| 其它 | 2 | 碘化铋 | BiI3 |  |  |
| 其它 | 2 | 碘化汞 | HgI2 |  |  |
| 其它 | 2 | 溴化亚铊 | TlBr | 2.68 |  |
| 其它 | 2 | 硫化银 | Ag2S | 0.9 |  |
| 其它 | 2 | Iron disulfide（英语：） | FeS2 | 0.95 |  |
| 其它 | 4 | Copper zinc tin sulfide（英语：）, CZTS | Cu2ZnSnS4 | 1.49 | 直接帶隙 |
| 其它 | 4 | Copper zinc antimony sulfide（英语：）, CZAS | Cu1.18Zn0.40Sb1.90S7.2 | 2.2 | 直接帶隙 |
| 其它 | 3 | Copper tin sulfide, CTS | Cu2SnS3 | 0.91 | 直接帶隙 |