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金屬氧化物半導體場效電晶體
金氧半場效電晶體在電子電路上應用的優勢 > 數位電路

數位科技的進步，如微處理器運算效能不斷提升，帶給深入研發新一代金氧半場效電晶體更多的動力，這也使得金氧半場效電晶體本身的操作速度越來越快，幾乎成為各種半導體主動元件中最快的一種。金氧半場效電晶體在數位訊號處理上最主要的成功來自互補式金屬氧化物半導體邏輯電路的發明，這種結構最大的好處是理論上不會有靜態的功率損耗，只有在邏輯閘的切換動作時才有電流通過。互補式金屬氧化物半導體邏輯閘最基本的成員是互補式金屬氧化物半導體反相器，而所有互補式金屬氧化物半導體邏輯閘的基本操作都如同反相器一樣，同一時間內必定只有一種電晶體（NMOS或是PMOS）處在導通的狀態下，另一種必定是截止狀態，這使得從電源端到接地端不會有直接導通的路徑，大量節省了電流或功率的消耗，也降低了積體電路的發熱量。
金氧半場效電晶體在數位電路上應用的另外一大優勢是對直流訊號而言，金氧半場效電晶體的閘極端阻抗為無限大（等效於開路），也就是理論上不會有電流從金氧半場效電晶體的閘極端流向電路裡的接地點，而是完全由電壓控制閘極的形式。這讓金氧半場效電晶體和他們最主要的競爭對手BJT相較之下更為省電，而且也更易於驅動。在CMOS邏輯電路裡，除了負責驅動晶片外負載（off-chip load）的驅動器外，每一級的邏輯閘都只要面對同樣是金氧半場效電晶體的閘極，如此一來較不需考慮邏輯閘本身的驅動力。相較之下，BJT的邏輯電路（例如最常見的TTL）就沒有這些優勢。金氧半場效電晶體的閘極輸入電阻無限大對於電路設計工程師而言亦有其他優點，例如較不需考慮邏輯閘輸出端的負載效應（loading effect）。
金氧半場效電晶體在電子電路上應用的優勢 > 類比電路

有一段時間，金氧半場效電晶體並非類比電路設計工程師的首選，因為類比電路設計重視的性能參數，如電晶體的跨导或是電流的驅動力上，金氧半場效電晶體不如BJT來得適合類比電路的需求。但是隨著金氧半場效電晶體技術的不斷演進，今日的CMOS技術也已經可以符合很多類比電路的規格需求。再加上金氧半場效電晶體因為結構的關係，沒有BJT的一些致命缺點，如熱跑脫（thermal runaway）。另外，金氧半場效電晶體在線性區的壓控電阻特性亦可在積體電路裡用來取代傳統的多晶矽電阻（poly resistor），或是MOS電容本身可以用來取代常用的多晶矽—絕緣體—多晶矽電容（PIP capacitor），甚至在適當的電路控制下可以表現出電感（inductor）的特性，這些好處都是BJT很難提供的。也就是說，金氧半場效電晶體除了扮演原本電晶體的角色外，也可以用來作為類比電路中大量使用的被動元件（passive device）。這樣的優點讓採用金氧半場效電晶體實現類比電路不但可以滿足規格上的需求，還可以有效縮小晶片的面積，降低生產成本。
隨著半導體製造技術的進步，對於整合更多功能至單一晶片的需求也跟著大幅提升，此時用金氧半場效電晶體設計類比電路的另外一個優點也隨之浮現。為了減少在印刷電路板上使用的積體電路數量、減少封裝成本與縮小系統的體積，很多原本獨立的類比晶片與數位晶片被整合至同一個晶片內。金氧半場效電晶體原本在數位積體電路上就有很大的競爭優勢，在類比積體電路上也大量採用金氧半場效電晶體之後，把這兩種不同功能的電路整合起來的困難度也顯著的下降。另外像是某些混合訊號電路（Mixed-signal circuits），如類比數位轉換器，也得以利用金氧半場效電晶體技術設計出效能更好的產品。
近年來還有一種整合金氧半場效電晶體與BJT各自優點的製程技術：BiCMOS也越來越受歡迎。BJT元件在驅動大電流的能力上仍然比一般的CMOS優異，在可靠度方面也有一些優勢，例如不容易被靜電放電破壞。所以很多同時需要複雜訊號處理以及強大電流驅動能力的積體電路產品會使用BiCMOS技術來製作。
金氧半場效電晶體的尺寸縮放

過去數十年來，金氧半場效電晶體的尺寸不斷地變小。早期的積體電路金氧半場效電晶體製程裡，通道長度約在幾個微米的等級。但是到了今日的積體電路製程，這個參數已經縮小到了幾十分之一甚至一百分之一。2008年初，Intel開始以45奈米的技術來製造新一代的微處理器，實際的元件通道長度可能比這個數字還小一些。至90年代末，金氧半場效電晶體尺寸不斷縮小，讓積體電路的效能大大提升，而從歷史的角度來看，這些技術上的突破和半導體製程的進步有著密不可分的關係。
金氧半場效電晶體的尺寸縮放 > 金氧半場效電晶體的尺寸縮小

基於以下幾個理由，金氧半場效電晶體的尺寸能越小越好。
越小的金氧半場效電晶體象徵其通道長度減少，讓通道的等效電阻也減少，可以讓更多電流通過。雖然通道寬度也可能跟著變小而讓通道等效電阻變大，但是如果能降低單位電阻的大小，那麼這個問題就可以解決。
金氧半場效電晶體的尺寸變小意味著閘極面積減少，如此可以降低等效的閘極電容。此外，越小的閘極通常會有更薄的閘極氧化層，這可以讓前面提到的通道單位電阻值降低。不過這樣的改變同時會讓閘極電容反而變得較大，但是和減少的通道電阻相比，獲得的好處仍然多過壞處，而金氧半場效電晶體在尺寸縮小後的切換速度也會因為上面兩個因素加總而變快。
金氧半場效電晶體的面積越小，製造晶片的成本就可以降低，在同樣的封裝裡可以裝下更高密度的晶片。一片積體電路製程使用的晶圓尺寸是固定的，所以如果晶片面積越小，同樣大小的晶圓就可以產出更多的晶片，於是成本就變得更低了。
金氧半場效電晶體的尺寸縮放 > 尺寸縮小的負面效應

雖然金氧半場效電晶體尺寸縮小可以帶來很多好處，但同時也有很多負面效應伴隨而來。
把金氧半場效電晶體的尺寸縮小到一微米以下對於半導體製程而言是個挑戰，不過現在的新挑戰多半來自尺寸越來越小的金氧半場效電晶體元件所帶來過去不曾出現的物理效應。
由於金氧半場效電晶體閘極氧化層的厚度也不斷減少，所以閘極電壓的上限也隨之變少，以免過大的電壓造成閘極氧化層突崩潰（breakdown）。為了維持同樣的性能，金氧半場效電晶體的臨界電壓也必須降低，但是這也造成了金氧半場效電晶體越來越難以完全關閉。也就是說，足以造成金氧半場效電晶體通道區發生弱反轉的閘極電壓會比從前更低，於是所謂的亞閾值電流（subthreshold current）造成的問題會比過去更嚴重，特別是今日的積體電路晶片所含有的電晶體數量劇增，在某些超大型積體電路的晶片，次臨限傳導造成的功率消耗竟然佔了總功率消耗的一半以上。
不過反過來說，也有些電路設計會因為金氧半場效電晶體的次臨限傳導得到好處，例如需要較高的轉導／電流轉換比（transconductance-to-current ratio）的電路裡，利用次臨限傳導的金氧半場效電晶體來達成目的的設計也頗為常見。
傳統上，互補式金屬氧化物半導體邏輯閘的切換速度與其元件的閘極電容有關。但是當閘極電容隨著金氧半場效電晶體尺寸變小而減少，同樣大小的晶片上可容納更多電晶體時，連接這些電晶體的金屬導線間產生的寄生電容效應就開始主宰邏輯閘的切換速度。如何減少這些寄生電容，成了晶片效率能否向上突破的關鍵之一。
當晶片上的電晶體數量大幅增加後，有一個無法避免的問題也跟著發生了，那就是晶片的發熱量也大幅增加。一般的積體電路元件在高溫下操作可能會導致切換速度受到影響，或是導致可靠度與壽命的問題。在一些發熱量非常高的積體電路晶片如微處理器，目前需要使用外加的散熱系統來緩和這個問題。
在功率電晶體（Power金氧半場效電晶體）的領域裡，通道電阻常常會因為溫度升高而跟著增加，這樣也使得在元件中PN结（pn-junction）導致的功率損耗增加。假設外置的散熱系統無法讓功率電晶體的溫度保持在夠低的水準，很有可能讓這些功率電晶體遭到熱失控的命運。
閘極氧化層隨著金氧半場效電晶體尺寸變小而越來越薄，目前主流的半導體製程中，甚至已經做出厚度僅有1.2奈米的閘極氧化層，大約等於5個原子疊在一起的厚度而已。在這種尺度下，所有的物理現象都在量子力學所規範的世界內，例如電子的穿隧效應。因為穿隧效應，有些電子有機會越過氧化層所形成的位能障壁（potential barrier）而產生漏電流，這也是今日積體電路晶片功耗的來源之一。
為了解決這個問題，有一些介電係數比二氧化矽更高的物質被用在閘極氧化層中。例如鉿和鋯的金屬氧化物（二氧化鉿、二氧化鋯）等高介電係數的物質均能有效降低閘極漏電流。閘極氧化層的介電係數增加後，閘極的厚度便能增加而維持一樣的電容大小。而較厚的閘極氧化層又可以降低電子透過穿隧效應穿過氧化層的機率，進而降低漏電流。不過利用新材料製作的閘極氧化層也必須考慮其位能障壁的高度，因為這些新材料的傳導帶和價帶和半導體的傳導帶與價帶的差距比二氧化矽小（二氧化矽的傳導帶和矽之間的高度差約為8ev），所以仍然有可能導致閘極漏電流出現。
現代的半導體製程工序複雜而繁多，任何一道製程都有可能造成積體電路晶片上的元件產生些微變異。當金氧半場效電晶體等元件越做越小，這些變異所佔的比例就可能大幅提升，進而影響電路設計者所預期的效能，這樣的變異讓電路設計者的工作變得更為困難。
金氧半場效電晶體的閘極材料

理論上金氧半場效電晶體的閘極應該儘可能選擇電性良好的導體，多晶矽在經過重摻雜之後的導電性可以用在金氧半場效電晶體的閘極上，但是並非完美的選擇。目前金氧半場效電晶體使用多晶矽作為的理由如下：
金氧半場效電晶體的臨界電壓（threshold voltage）主要由閘極與通道材料的功函數之間的差異來決定，而因為多晶矽本質上是半導體，所以可以藉由摻雜不同極性的雜質來改變其功函數。更重要的是，因為多晶矽和底下作為通道的矽之間能隙相同，因此在降低PMOS或是NMOS的臨界電壓時可以藉由直接調整多晶矽的功函數來達成需求。反過來說，金屬材料的功函數並不像半導體那麼易於改變，如此一來要降低金氧半場效電晶體的臨界電壓就變得比較困難。而且如果想要同時降低PMOS和NMOS的臨界電壓，將需要兩種不同的金屬分別做其閘極材料，對於製程又是一個很大的變數。
矽—二氧化矽接面經過多年的研究，已經證實這兩種材料之間的缺陷（defect）是相對而言比較少的。反之，金屬—絕緣體接面的缺陷多，容易在兩者之間形成很多表面能階，大為影響元件的特性。
多晶矽的熔點比大多數的金屬高，而在現代的半導體製程中習慣在高溫下沉積閘極材料以增進元件效能。金屬的熔點低，將會影響製程所能使用的溫度上限。
不過多晶矽雖然在過去20年是製造金氧半場效電晶體閘極的標準，但也有若干缺點使得未來仍然有部份金氧半場效電晶體可能使用金屬閘極，這些缺點如下：
多晶矽導電性不如金屬，限制了訊號傳遞的速度。雖然可以利用摻雜的方式改善其導電性，但成效仍然有限。目前有些融點比較高的金屬材料如：鎢、鈦、鈷或是鎳被用來和多晶矽製成合金。這類混合材料通常稱為金屬矽化物。加上了金屬矽化物的多晶矽閘極有著比較好的導電特性，而且又能夠耐受高溫製程。此外因為金屬矽化物的位置是在閘極表面，離通道區較遠，所以也不會對金氧半場效電晶體的臨界電壓造成太大影響。
在閘極、源極與汲極都鍍上金屬矽化物的製程稱為自我對準金屬矽化物製程（Self-Aligned Silicide），通常簡稱salicide製程。
當金氧半場效電晶體的尺寸縮的非常小、閘極氧化層也變得非常薄時，例如現在的製程可以把氧化層縮到一奈米左右的厚度，一種過去沒有發現的現象也隨之產生，這種現象稱為多晶矽空乏。當金氧半場效電晶體的反轉層形成時，有多晶矽空乏現象的金氧半場效電晶體閘極多晶矽靠近氧化層處，會出現一個空乏層（depletion layer），影響金氧半場效電晶體導通的特性。要解決這種問題，金屬閘極是最好的方案。目前可行的材料包括鉭、鎢、氮化鉭（Tantalum Nitride），或是氮化鈦（Titanium Nitride）。這些金屬閘極通常和高介電係數物質形成的氧化層一起構成MOS電容。另外一種解決方案是將多晶矽完全的合金化，稱為FUSI（FUlly-SIlicide polysilicon gate）製程。
各種常見的金氧半場效電晶體技術 > 雙閘極金氧半場效電晶體

雙閘極（dual-gate）金氧半場效電晶體通常用在射頻積體電路中，這種金氧半場效電晶體的兩個閘極都可以控制電流大小。在射頻電路的應用上，雙閘極金氧半場效電晶體的第二個閘極大多數用來做增益、混頻器或是頻率轉換的控制。
各種常見的金氧半場效電晶體技術 > 空乏式MOSFETS

一般而言，空乏式（depletion mode）金氧半場效電晶體比前述的加強式（enhancement mode）金氧半場效電晶體少見。空乏式金氧半場效電晶體在製造過程中改變摻雜到通道的雜質濃度，使得這種金氧半場效電晶體的閘極就算沒有加電壓，通道仍然存在。如果想要關閉通道，則必須在閘極施加負電壓（對NMOS而言）。空乏式金氧半場效電晶體是屬於「常閉型」（normally-closed，ON）的開關，而相對的，加強式金氧半場效電晶體則屬於「常斷型」（normally-open，OFF）的開關。
各種常見的金氧半場效電晶體技術 > NMOS邏輯

同樣驅動能力的NMOS通常比PMOS所佔用的面積小，因此如果只在邏輯閘的設計上使用NMOS的話也能縮小晶片面積。不過NMOS邏輯雖然佔的面積小，卻無法像CMOS邏輯一樣做到不消耗靜態功率，因此在1980年代中期後已經漸漸退出市場，目前以CMOS為主流。
各種常見的金氧半場效電晶體技術 > 功率金氧半場效電晶體

条目：功率金氧半場效電晶體
功率金氧半場效電晶體（Power MOSFET）和前述的金氧半場效電晶體元件在結構上就有著顯著的差異。一般積體電路裡的金氧半場效電晶體都是平面式（planar）的結構，電晶體內的各端點都離晶片表面只有幾個微米的距離。而所有的功率元件都是垂直式（vertical）的結構，讓元件可以同時承受高電壓與高電流的工作環境。一個功率金氧半場效電晶體能耐受的電壓是雜質摻雜濃度與n-type磊晶層（epitaxial layer）厚度的函數，而能通過的電流則和元件的通道寬度有關，通道越寬則能容納越多電流。對於一個平面結構的金氧半場效電晶體而言，能承受的電流以及崩潰電壓的多寡都和其通道的長寬大小有關。對垂直結構的金氧半場效電晶體來說，元件的面積和其能容納的電流大約成正比，磊晶層厚度則和其崩潰電壓成正比。
值得一提的是採用平面式結構的功率金氧半場效電晶體也並非不存在，這類元件主要用在高級的音響放大器中。平面式的功率金氧半場效電晶體在飽和區的特性比垂直結構的對手更好。垂直式功率金氧半場效電晶體則多半用來做開關切換之用，取其導通電阻（turn-on resistance）非常小的優點。
各種常見的金氧半場效電晶體技術 > DMOS

DMOS是雙重擴散金氧半場效電晶體（Double-Diffused金氧半場效電晶體）的縮寫，大部分的功率金氧半場效電晶體都是採用這種製作方式完成的。
以金氧半場效電晶體實現類比開關

金氧半場效電晶體在導通時的通道電阻低，而截止時的電阻近乎無限大，所以適合作為類比訊號的開關（訊號的能量不會因為開關的電阻而損失太多）。金氧半場效電晶體作為開關時，其源極與汲極的分別和其他的應用是不太相同的，因為訊號可以從金氧半場效電晶體閘極以外的任一端進出。對NMOS開關而言，電壓最負的一端就是源極，PMOS則正好相反，電壓最正的一端是源極。金氧半場效電晶體開關能傳輸的訊號會受到其閘極—源極、閘極—汲極，以及汲極到源極的電壓限制，如果超過了電壓的上限可能會導致金氧半場效電晶體燒毀。
金氧半場效電晶體開關的應用範圍很廣，舉凡需要用到取樣保持電路（sample-and-hold circuits）或是截波電路（chopper circuits）的設計，例如類比數位轉換器（A/D converter）或是切換電容濾波器（switch-capacitor filter）上都可以見到金氧半場效電晶體開關的蹤影。
以金氧半場效電晶體實現類比開關 > 單一金氧半場效電晶體開關

當NMOS用來做開關時，其源極接地，閘極為控制開關的端點。當閘極電壓減去源極電壓超過其導通的臨界電壓時，此開關的狀態為導通。閘極電壓繼續升高，則NMOS能通過的電流就更大。NMOS做開關時操作在線性區，因為源極與汲極的電壓在開關為導通時會趨向一致。
PMOS做開關時，其源極接至電路裡電位最高的地方，通常是電源。閘極的電壓比源極低、超過其臨界電壓時，PMOS開關會打開。
NMOS開關能容許通過的電壓上限為（Vgate-Vthn），而PMOS開關則為（Vgate+Vthp），這個值通常不是訊號原本的電壓振幅，也就是說單一金氧半場效電晶體開關會有讓訊號振幅變小、訊號失真的缺點。
以金氧半場效電晶體實現類比開關 > 雙重（互補式）金氧半場效電晶體（CMOS, Complementary MOS）開關

為了改善前述單一金氧半場效電晶體開關造成訊號失真的缺點，於是使用一個PMOS加上一個NMOS的CMOS開關（Transmission gate）成為目前最普遍的做法。CMOS開關將PMOS與NMOS的源極與汲極分別連接在一起，而基極的接法則和NMOS與PMOS的傳統接法相同（PMOS的基極接到最高電壓，即VDD；NMOS的基極接到最低電壓，即VSS或GND）。要令開關導通時，則把PMOS的閘極接低電位（VSS或GND），NMOS的閘極接高電位（VDD）。當輸入電壓在（VDD-Vthn）到（VSS+Vthp）時，PMOS與NMOS都導通，而輸入小於（VSS+Vthp）時，只有NMOS導通，輸入大於（VDD-Vthn）時只有PMOS導通，這樣做的好處是在大部分的輸入電壓下，PMOS與NMOS皆同時導通，如果任一邊的導通電阻上升，則另一邊的導通電阻就會下降，所以開關的電阻幾乎可以保持定值，減少訊號失真。
外部連結

Lessons In Electric Circuits—INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS （页面存档备份，存于）
MOSFET models （页面存档备份，存于） Diagrams and mathematical derivation.
MIT Open Courseware 6.012 -- 麻省理工學院開放式課程計畫（微電子學與MOSFET元件）
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多晶矽—氧化層—半導體結構
场效应管在不同栅极厚度下的C-V特性曲线。左侧为积累，中间为耗尽，右侧为反型（反转）
一個NMOS電晶體的立體截面圖
Ohmic contact to body to ensure no body bias; top left:subthreshold, top right:Ohmic mode, bottom left:Active mode at onset of pinch-off, bottom right: Active mode well into pinch-off – channel length modulation evident
左图为 I_{DS}-V_{GS}计算机仿真曲线。临界电压在0.45V左右。右图展现的纳米线MOSFET中反型沟道的形成（电子密度的变化）。
NMOS的汲極電流 I_{DS}與汲極電壓之間在不同 V_{GS}-V_{th}的關係
金氧半場效電晶體在線性區操作的截面圖
金氧半場效電晶體在飽和區操作的截面圖
功率電晶體單元的截面圖。通常一個市售的功率電晶體都包含了數千個這樣的單元。
哈布斯堡王朝

| 哈布斯堡王朝 Haus Habsburg |
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左：哈布斯堡家族早期「哈布斯堡之獅」徽章 哈布斯堡家族後期紅、白、紅三色徽章
母王朝: 埃提科王朝（英语：）（存疑）
国家:  列表  神圣罗马帝国   哈布斯堡君主國奧地利大公國 匈牙利王国 克羅埃西亞王國 波希米亞王國 加利西亚和洛多梅里亚王国   伊比利亞聯盟卡斯蒂利亞聯合王國 阿拉贡联合王国 葡萄牙王國（英语：） 尼德蘭低地諸國 那不勒斯王国 西西里王國   墨西哥帝國   保加利亞王國   英格蘭王國   愛爾蘭王國等  
名称来源: 哈布斯堡城堡
创立: 約11世紀
创立者: 拉德波特
现任领袖: 卡爾·馮·哈布斯堡（非男系血親（英语：））
末代君主:  玛丽亚·特蕾西亚 (男系血親）  卡爾一世（非男系血親） 
头衔:  列表  神聖羅馬皇帝   奥地利皇帝   墨西哥皇帝   巴西皇帝   羅馬人的國王   德意志國王   西班牙國王   意大利國王   卡斯提爾國王   亞拉岡國王   瓦倫西亞國王   馬約卡國王（英语：）   雷昂國王   保加利亞國王   西西里國王   拿坡里國王   納瓦拉國王   匈牙利國王   耶路撒冷国王   波希米亞國王   克羅埃西亞國王   達爾馬提亞國王   斯拉沃尼亞國王   伊利里亞國王   波蘭國王   葡萄牙國王（英语：）   加里西亞及洛多梅里亞國王   哈安國王（英语：）   英格蘭國王   愛爾蘭國王   新墨西哥國王（英语：）   印度國王   塞爾維亞國王   東西印度國王   智利國王   法蘭西國王   奥地利大公   比利時親王   立陶宛大公   外西凡尼亞大親王（英语：）   施瓦本親王   奧地利公爵   勃艮第公爵   海德公爵   盧森堡公爵   帕爾馬及皮亞辰札公爵（英语：）   莫德納及雷久公爵   米蘭公爵   洛蒂爾公爵（英语：）   布拉班特公爵   林堡公爵   海德蘭公爵   施蒂利亞公爵   卡尼奧拉公爵   符騰堡公爵   克恩頓公爵   安茹公爵   亞倫孫公爵（英语：）   安古拉母公爵（英语：）   阿基坦公爵   贝里公爵   波旁公爵   布列塔尼公爵   布拉干薩公爵（英语：）   布科維納公爵   卡拉布里亞公爵（英语：）   夏特勒霍公爵（英语：）   杜拉索公爵（英语：）   昂吉安公爵   洛林公爵   盧卡公爵   蒙龐西耶公爵（英语：）   訥穆爾公爵   诺曼底公爵   奥尔良公爵   帕爾馬公爵   斯拉弗尼亞公爵（英语：）   土罕公爵（英语：）   旺多姆公爵   那慕爾侯爵   摩拉維亞侯爵   奧里斯塔諾侯爵（英语：）   戈切諾侯爵（英语：）   安特衛普侯爵（英语：）   阿爾薩斯伯爵（英语：）   阿托瓦伯爵（英语：）   荷蘭伯爵   佛兰德伯爵   克萊特高伯爵   土爾高伯爵   上陶伯爵   阿騰堡伯爵   埃諾伯爵（英语：）   夏羅萊伯爵   吉蘭伯爵   祖特芬伯爵（英语：）   巴塞罗那伯爵   胡西永伯爵（英语：）   塞達涅伯爵（英语：）   基堡伯爵（英语：）   上萊茵伯爵   戈里齊亞伯爵   那慕爾伯爵   科瓦東加伯爵   希羅那伯爵（英语：）   奧索納伯爵（英语：）   貝沙魯伯爵（英语：）   安茹伯爵   香檳伯爵   夏特伯爵（英语：）   克勒蒙伯爵（英语：）   德勒伯爵   埃坦普伯爵（英语：）   厄伯爵（英语：）   埃甫勒伯爵（英语：）   格拉維納伯爵（英语：）   馬什伯爵   隆蓋維勒伯爵（英语：）   蒙龐西耶伯爵（英语：）   摩坦伯爵（英语：）   尼維爾伯爵   佩什伯爵（英语：）   波瓦提厄伯爵（英语：）   普羅旺斯伯爵   蘇瓦松伯爵（英语：）   土魯斯伯爵   瓦盧瓦伯爵   旺多姆伯爵   韦尔芒杜瓦伯爵   韋爾蒂伯爵   哈布斯堡伯爵   勃艮第伯爵   比斯開領主（英语：）   麥赫連領主（英语：）   莫利納領主（西班牙语：）等  
格言: 「A.E.I.O.U.」 「聯合力量」（）
地产:  霍夫堡皇宮  布拉格城堡  哈布斯堡城堡等 
消亡: 1780年 (in agnatic line after death of Maria Theresa)
分支: 男系血親（均已絕嗣）： 西班牙  勞芬堡（英语：）  基堡（英语：） 非男系血親： 洛林 艾斯帖（英语：）  托斯卡納  荷恩堡（英语：） 
哈布斯堡王朝（德語：，或译哈普斯堡）亦稱奧地利王朝（德語：；西班牙語：），是歐洲歷史上最為顯赫、統治地域最廣的王室之一。
哈布斯堡家族成員曾出任罗马人民的国王和神聖羅馬皇帝（1273年—1291年，1298年—1308年，1438年—1742年，1745年—1806年），奧地利公爵（1282年—1453年）、奧地利大公（1453年—1804年）、奥地利皇帝（1804年—1918年），匈牙利國王（1526年—1918年），波希米亞國王（1526年—1918年），西班牙國王（1516年—1700年），葡萄牙國王（1580年—1640年），墨西哥皇帝（1864年—1867年）和今法国、意大利、荷兰、比利时境内及南部斯拉夫地區若干王國、公國的國王、大公與公爵。
16世纪中叶神聖羅馬皇帝查理五世退位後，哈布斯堡家族分为奥地利与西班牙两个分支，前者占据神圣罗马帝国的帝位，称奧地利哈布斯堡王朝，后者则为西班牙国王，统治西班牙、西属尼德兰、意大利南部的那不勒斯王国、撒丁王国以及美洲新世界的广袤领土，称西班牙哈布斯堡王朝。但由于多代近支联姻，在累代基因缺陷下，繼承者紛紛出現身心理的健康問題。西班牙分支在1700年、奥地利分支在1740年相继男嗣断绝。西班牙王位落入法國皇室波旁家族之手；而奥地利分支与洛林家族联姻，帝国皇帝查理六世之女玛丽亚·特蕾西亚嫁予洛林公爵、托斯卡纳大公法蘭索瓦三世（法蘭切斯科二世），并依据《国本诏书》继承了奥地利、匈牙利与波希米亚等家族领地，由此创建了哈布斯堡-洛林王朝，1745年弗兰茨·斯蒂芬当选为帝国皇帝。
早期歷史 > 名稱使用

哈布斯堡城堡名稱的起源尚不清楚，關於這個名字是源自高地德語的鷹堡（Habichtsburg），還是源自中古高地德語單字淺灘（hab/hap）存在爭議，因為附近有一條河和一個淺灘。哈布斯堡王朝本身首次使用該名稱的記錄可以追溯到1108年。
哈布斯堡王朝的名字並沒有被家族成員持續使用，因為他們經常強調自己更有聲望的親王頭銜。因此該王朝長期以來被稱為“奧地利王朝”。作為補充，在某些情況下，家庭成員是透過出生地來識別的。查理五世年輕時因其出生地為根特的查理而聞名。當他成為西班牙國王時，他被稱為西班牙的查理，當選皇帝後，被稱為查理五世。
在西班牙，这个家族被稱為奧地利王朝，包括奧地利的約翰和奧地利的約翰·約瑟夫等私生子。瑪麗亞·特蕾莎與洛林公爵弗朗茨·斯蒂芬結婚後，“哈布斯堡”這個概念與奧地利祖先的統治聯繫在一起，被用來表明舊王朝及其繼承的所有權利仍在繼續。
最近的家族成員，例如奧托·馮·哈布斯堡和卡爾·馮·哈布斯堡，其姓氏被視為“馮·哈布斯堡”或更完整的“馮·哈布斯堡-洛林」。親王和家族成員使用18世紀弗朗茨·史蒂芬採用的三方徽章。
早期歷史 > 瑞士起家

哈布斯堡家族發源於阿尔萨斯，后扩张至瑞士北部的阿尔高州，並在1020年築起鷹堡，名為哈布斯堡，並逐漸將勢力擴展到莱茵河西岸流域。1273年，哈布斯堡公爵魯道夫一世當選罗马人民的國王（但未加冕为皇帝）。1282年12月27日魯道夫一世奪取被波希米亞國王奥托卡二世佔有的奧地利與施蒂里亚公國，旋即分封予自己的两个兒子阿尔布雷希特與魯道夫，自此奧地利劃歸哈布斯堡皇室擁有長達600餘年，直至於一戰戰敗為止。
魯道夫一世1291年逝世后，拿騷王朝的阿道夫被選舉為國王，但因其與英國結盟很快遭到厭棄，魯道夫一世之子阿尔布雷希特一世被選為對立國王，並在1298年擊敗阿道夫，正式登基。1308年，阿尔布雷希特一世被自己的侄子士瓦本的约翰杀害，自此後雖然阿尔布雷希特的次子腓特烈曾被選舉為對立國王，並與巴伐利亞的路德維希四世共治，然而其後的100年間哈布斯堡家族的勢力開始退縮到以奧地利爲主的家族領地，並把南阿爾薩斯、布賴施高和帝國內的其他一些領地陸續劃入治下。14世紀期間，新成立的瑞士聯邦不斷向德國南部擴張，導致哈布斯堡家族失去祖先建立的鷹堡。自此，哈布斯堡王朝的基地正式由瑞士北部的鷹堡，轉移到奧地利的維也納，因此哈布斯堡家族也被稱爲「奧地利家族」。
發展鼎盛 > 東疆首善

条目：奥地利藩侯国和奥地利公国
哈布斯堡家族在失去神聖羅馬皇帝帝位後，繼續保有奧地利與施蒂里亚為領地。歷任奧地利公爵都不斷地擴大公國的統治範圍，並在14世紀中葉開始自稱“大公”，以期與選帝侯的權位相抗衡，但該稱號未得到皇帝查理四世的承認。
奧地利內外分治的局面，并没有因为1450年阿尔布雷希特支系的绝嗣而统一，利奧波德支系的两个分支老蒂罗尔支系和施蒂里亚支系控制着不同的领土。直至1490年老蒂罗尔支系绝嗣，哈布斯堡家族領地才由施蒂里亚支系的马克西米连一世统一。
到了13世紀下半葉，魯道夫一世伯爵（1218-1291）已成為孚日山脈和博登湖之間地區頗具影響力的領土領主。1273年10月1日，他作為妥協候選人被選為羅馬人國王，並獲得德意志的魯道夫一世的稱號。隨後他率領聯軍對抗波希米亞國王奧託卡二世，後者利用大空位期向南擴張，分別接管了巴本堡家族（奧地利、施蒂利亞、薩維尼亞）和斯潘海姆家族（卡林西亞和卡尼奧拉）的遺產。1278年，魯道夫和他的盟友在馬奇菲爾德戰役中擊敗並殺死了奧託卡，他所獲得的土地歸還給德國王室。透過1286年的《格奧爾根堡條約》，魯道夫為他的家族獲得了奧地利和施蒂裡亞公國的所有權。奧託卡前領地的南部地區卡林西亞、卡尼奧拉和薩文賈被戈里齊亞家族的魯道夫盟友佔領。
隨著魯道夫於1291年去世、阿爾伯特一世於1308年被暗殺，以及美男腓特烈未能為自己奪得德意志/帝國王冠，哈布斯堡王朝暫時失去了在帝國的霸主地位。14世紀初，他們還把目光瞄準了波希米亞王國。1306年8月4日瓦茨拉夫三世去世後，普熱米斯利德王朝已無男性繼承人。哈布斯堡王朝的後裔魯道夫一世隨後當選，但只持續了一年。波希米亞王權是選舉產生的，哈布斯堡王朝在三十年戰爭期間重新征服了捷克土地後，直到1626年才以世襲的方式獲得了這一職位。1307年後，哈布斯堡王朝隨後試圖獲得波希米亞王冠，但首先遭到波希米亞的亨利（戈里齊亞王朝成員）的挫敗，然後遭到盧森堡王朝的挫敗。
相反他們能夠向南擴張：1311年，他們佔領了薩文賈；1335年亨利死後，他們在卡尼奧拉和卡林西亞掌權。1369年，他們繼承了他的女兒瑪格麗特在蒂羅爾的王位。1374年戈里齊亞的阿爾伯特三世去世後，他們在伊斯特拉半島中部的帕津（Pazin）取得了立足點，隨後於1382年到達的里雅斯特。與此同時，哈布斯堡王朝最初的家鄉（位於現在的瑞士），包括擁有哈布斯堡城堡的阿爾高地區，都被佔領了。14世紀，在莫爾加滕（Morgarten，1315）和森帕赫（Sempach，1386）戰役之後，被不斷擴張的瑞士聯邦擊敗。1415年，哈布斯堡城堡最終落入瑞士人之手。
哈布斯堡家族將奧地利公國劃分為若干個行省統治，這最終導致了內外奧地利分治。1379年，哈布斯堡家族的两位兄弟，阿尔布雷希特三世和利奧波德三世簽定協議。阿尔布雷希特的子孫將擁有奧地利大公國（后来被称为下奥地利），即今日的奧地利中東部，利奧波德的後裔則坐擁外奧地利公國，統治領域包括今日奧地利西部、南阿爾薩斯和位於德國西南領地。
發展鼎盛 > 重登帝位

1422年，阿尔布雷希特支系的阿尔布雷希特五世迎娶了神聖羅馬皇帝兼匈牙利及波希米亞國王西吉斯蒙德唯一的女儿卢森堡的伊丽莎白，並被指定為西吉斯蒙德的繼承人。1437年，西吉斯蒙德病逝，阿尔布雷希特於次年陸續即位為罗马人民的国王、匈牙利国王及波希米亞國王（阿尔布雷希特二世，未加冕为皇帝）。由此以後，哈布斯堡家族一直把持神聖羅馬帝国皇位（1742年-1745年間除外），直至帝國覆亡。
1439年，阿尔布雷希特英年早逝，遺下一名遺腹子拉迪斯勞斯(拉斯洛五世)。奧地利公爵和神聖羅馬帝国皇位隨後由阿尔布雷希特的远房堂弟腓特烈三世繼承，拉迪斯勞斯一出生就繼承了匈牙利及波希米亞國王（分别称拉斯洛五世及拉迪斯拉夫一世）。但不幸的是，這位哈布斯堡幼主很快被人所害，使家族喪失了對匈牙利和波希米亞的統治。
1453年11月23日，神聖羅馬皇帝腓特烈三世正式將奧地利公國提升為大公國，使哈布斯堡家族乃至奧地利在歐洲的地位都大大提高，也為皇朝的進一步擴展提供了基礎，王朝逐漸步入鼎盛期。
發展鼎盛 > 散葉歐洲

哈布斯堡皇室的權勢，在腓特烈三世之子馬克西米利安一世統治期間（1493年-1519年），通過皇室聯姻，得以進一步增強。
馬克西米利安本人，於1477年8月18日迎娶勃艮第公爵獨女勃艮第的玛丽。這段姻緣，將屬於勃艮第公國的，自法國北部至荷蘭、比利時的領地通通併入哈布斯堡皇室領地。
馬克西米利安的兒子美男子菲利普，於1496年迎娶西班牙女王儲胡安娜，開創了西班牙哈布斯堡王朝。不過，菲利普將母親勃艮地公爵的領地也帶入西班牙王室，種下了西班牙与法兰西冲突的火种。
馬克西米利安的孫子，日後的神聖羅馬皇帝斐迪南一世於1521年5月25日迎娶了波希米亞王后安娜·雅盖洛，次年，斐迪南的妹妹玛丽亚郡主嫁與匈牙利兼波希米亞國王拉約什二世，這兩段婚姻為日後奧地利吞併波希米亞和奧匈合組二元帝國埋下伏線。而哈布斯堡王朝便是通過聯姻在歐洲的影響使哈布斯堡家族的帝國勢力大大增強。
發展鼎盛 > 臻於極盛

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|  | 在朕的领土上，太阳永不落下。 |  |
——神圣罗马帝国皇帝查理五世
在馬克西米利安一世精心安排的政治婚姻幫助之下，他的孫子查理五世成為歐洲的霸主。
1506年，查理的父親美男子菲利普登基为卡斯蒂利亚共治国王费利佩一世，但英年早逝，查理便繼承了勃艮地公爵一職，成為了尼德蘭（今日的荷蘭和比利時）的統治者。1509年，查理的外祖父阿拉贡國王费尔南多二世将查理的母亲卡斯蒂利亚女王胡安娜架空后关在一家修道院里，但费尔南多再婚所生之子夭折，最终未能影响到查理的继承权。
1516年，查理的外祖父阿拉贡國王费尔南多二世病逝。查理成為西班牙國王卡洛斯一世，而名义上为共治女王的胡安娜则继续被关在修道院里。自此，西班牙全國、意大利南部的西西里島、薩丁島、那不勒斯王國以及西班牙在美洲的殖民地都成為哈布斯堡王朝的管治領域。
1519年，查理的祖父神聖羅馬皇帝馬克西米利安一世病逝，查理繼承帝位成為查理五世，並承繼了家族對奧地利和阿爾薩斯的管治。查理前去继承帝位期间，爆发了拥立胡安娜女王的公社暴动，失败后，胡安娜仍被囚禁如初。
此時，查理五世成為統治最多領土的歐洲君主，不過仍然不斷出征，如對付基督新教徒以及奧斯曼帝國的入侵。因此，查理五世所統治國家的內政，多由他的代理人處理，在西班牙的代理人是他兒子菲利普王子，而在奧地利是他的弟弟斐迪南大公。雖然，哈布斯堡皇朝的領地面積已冠全歐，但皇朝為擴張而進行的征戰並未止歇。
1521年，法國國王弗朗索瓦一世發覺其國被哈布斯堡領土包圍，於是攻擊西班牙在意大利的屬地，再次引起兩國的衝突。法國先後在比克卡會戰（1522年）、帕维亚之战（1525年，弗朗索瓦本人被虜）受挫。結果，被查理俘虜的弗朗索瓦退出戰爭，再次放棄米蘭予西班牙；弗朗索瓦一世為取得自由，不惜簽訂割讓勃艮地（給查理）、布列塔尼（給英王亨利八世）等領土的屈辱條約。但弗朗索瓦一世一回到法國，就宣布撕毀條約，拒絕割讓土地給查理和英國。
1525年，查理五世在帕维亚之战中大敗法國，使很多意大利及德意志人感到意外，令人擔心他將會繼續擴張勢力。很快地，教宗克萊孟七世倒戈支持法國及義大利一些重要城邦，以上帝的名義宣布，弗朗索瓦一世與查理五世所簽訂的割地條約無效；克萊孟七世還主動參與針對哈布斯堡帝國的科涅克同盟戰爭（1526-1529年）。查理五世因此勃然大怒，加上查理漸漸厭倦克萊孟七世教宗干預他認為與宗教毫無關係的事務，所以在1527年攻陷羅馬，使教宗蒙羞。結果，以後克萊孟七世與繼任的教宗在與世俗勢力交往時，都顯得加倍謹慎，不敢違背西班牙國王。1529年，教宗與查理簽署巴塞罗那和約，建立更和諧關係。西班牙正式成為天主教的保護者，而查理被教宗加冕為意大利國王（倫巴第）；因為教宗需要查理的西班牙出兵，以推翻趁機自立的佛羅倫薩共和國。1533年，教宗克萊孟七世拒絕讓英王亨利八世離婚，主要原因是他不希望觸怒亨利八世王后阿拉贡的凯瑟琳的外甥查理五世，令羅馬再度被洗劫。
發展鼎盛 > 東方用武

条目：大土耳其战争
1526年8月29日，匈牙利兼波希米亞國王拉约什二世與奥斯曼帝国蘇丹「大帝」蘇里曼一世，在匈牙利首都布達以南約200公里的摩哈赤激戰，史称第一次摩哈赤战役。土耳其軍戰勝匈牙利軍，拉约什二世不幸戰死沙場。
但奧斯曼帝國並無長期佔領匈牙利，反而在9月時撤軍。此時神聖羅馬皇帝查理五世的弟弟，奧地利大公斐迪南一世以路易的姐夫身分，繼承匈牙利和波希米亞國王。雖然在匈牙利出現了爭位者，但很快便被打敗，靠著奧斯曼帝國的保護才在匈牙利東部立足。自此，波希米亞、摩拉維亞和名義上的匈牙利一直在哈布斯堡皇朝的管治之下（1699年奧地利大公兼皇帝利奧波德一世統一全部的匈牙利），直至1918年奥匈帝国解体。而西里西亞（今日波蘭南部）也暫時成為哈布斯堡皇朝的領地。
巔峰時期的哈布斯堡皇帝（1452-1576）
腓特烈三世
馬克西米連一世
查理五世
斐迪南一世
馬克西米連二世
王朝分裂

1555年，一直被关在修道院里的胡安娜女王驾崩后，查理五世正式成为西班牙的唯一君主。1556年，查理五世自覺年老，打算退位，但他認為過去他一人兼任多國的國君實在吃力，再加上歐洲其他國家的壓力，因此決定將西班牙王位傳位給兒子菲利浦，而將奧地利傳位給弟弟斐迪南，並讓他們各自的子孫世襲他們自己的王位，不得互傳。自此，哈布斯堡王朝正式分為奧地利分支和西班牙分支，查理五世時期一人統領王朝領地的局面也不再出現。
王朝分裂 > 奧地利王朝

条目：奧地利哈布斯堡王朝
1556年，查理五世將奧地利大公之位讓與其弟匈牙利及波希米亞國王斐迪南一世，並立斐迪南為神聖羅馬帝國帝位的繼承人。但根據查理的遺囑，斐迪南及其子裔喪失了繼承為西班牙國王的權利。此舉使斐迪南成為了奧地利哈布斯堡家族的首位君主。
自此，奧地利哈布斯堡皇朝統治奧地利、匈牙利及波希米亞直至1740年，歷10代君主，這二百多年亦是歐洲歷史上戰爭最多的時期。
歐洲宗教戰爭時期的哈布斯堡皇帝（1575-1705）
魯道夫二世
馬提亞斯
斐迪南二世
斐迪南三世
利奧波德一世
王朝分裂 > 西班牙王朝

条目：西班牙哈布斯堡王朝和法國-哈布斯堡對抗
1516年，查理五世繼承西班牙（卡斯蒂利亞和阿拉貢）王位，是為卡洛斯一世，在1556年卡洛斯一世退位，將西班牙王位讓與其子菲利浦二世，並廢除了菲利浦及其後裔繼承神聖羅馬帝國皇帝的權利，正式揭開了西班牙哈布斯堡家族統治的序頁。此后在哈布斯堡国王的统治下，西班牙进入了黄金时代，成为世界第一个“日不落帝国”。
1700年，西班牙國王卡洛斯二世的去世而無後嗣，結束了哈布斯堡家族對西班牙歷五代196年的統治。卡洛斯二世生前體弱且有殘障，在宫廷親法蘭西的权贵压力下，他臨終前把王位傳給了他的外甥，法蘭西國王路易十四的孫子安茹公爵菲利普，這表示西班牙王位將落入法蘭西王室波旁家族手中，奧地利哈布斯堡家族与英国皆怕法西兩國從此合併，故反對菲利普繼承西班牙王位，並结盟与法国及西班牙开战，史称西班牙王位繼承戰爭。然而不久后，奥地利与反波旁同盟拥戴的西班牙王位继承人卡尔大公意外继承无后的亡兄约瑟夫一世的奥地利皇位，让全欧洲都开始担心一个超越查理五世帝国的哈布斯堡大帝国的复活。最终双方妥协，西班牙波旁王朝將西属尼德兰、那不勒斯王国、撒丁岛、西西里岛以及米兰公国等西属意大利領地割讓予奧地利，以及直布羅陀及梅諾卡島割讓予英國，并且承诺波旁王室西法两支系将永不共主，以換取列強承認波旁王室的西班牙王位繼承權。西班牙哈布斯堡王朝也因此而終結。
王朝分裂 > 聯姻洛林

条目：哈布斯堡-洛林王朝和1713年国事诏书
1740年10月20日，神聖羅馬皇帝卡爾六世去世。卡爾和他的兄長都沒有男性後裔，因此他的長女瑪麗亞·特蕾莎繼承了他奧地利大公、波希米亞和匈牙利的王位。而他的女婿，洛林公爵家出身的托斯卡纳大公弗朗茨·史蒂芬於1745年9月13日，當選神聖羅馬皇帝。此後，弗朗茨皇帝將妻子的姓氏加在自己姓氏的前面，他們的後裔都採用「哈布斯堡-洛林」的姓氏。
自此，奧地利進入哈布斯堡-洛林皇朝統治時代，而弗朗茨皇帝和瑪麗亞·特蕾莎女皇成為皇朝的創始人。皇朝歷經數次變故，包括1806年，法皇拿破仑一世解散神聖羅馬帝國。但當時的哈布斯堡君主，前神聖羅馬皇帝弗朗茨二世早於1804年整合各哈布斯堡領地，改稱奧地利皇帝，以回應拿破崙稱帝。1867年，为了化解普奥战争失利对帝国的冲击，奥地利帝国又改组为奥匈帝国，對奧地利帝國與匈牙利王國實施二元統治。
哈布斯堡-洛林王室領袖（1711-1792）
查理六世
瑪麗亞·特蕾莎
弗朗茨一世
约瑟夫二世
利奥波德二世
王朝分裂 > 二元帝國

条目：维也纳会议和1867年奥地利-匈牙利折衷方案
1867年的奧匈帝國妥協創造了一個真正的聯盟，匈牙利王國被授予與奧地利帝國平等的地位，從此不再將匈牙利王國視為王權。奧地利和匈牙利土地成為享有平等地位的獨立實體。根據這種安排，匈牙利人將他們的統治者稱為國王，而不是皇帝。這種情況一直持續到哈布斯堡王朝在第一次世界大戰戰敗後於1918年被奧地利和匈牙利廢黜。
1918年11月11日，隨著哈布斯堡王朝的最後一位統治者奧地利的卡爾一世（同時在位的匈牙利查理四世）的帝國崩潰，他發佈公告，承認奧地利決定國家未來的權利，並放棄在國家中的任何角色。事務。兩天后，他為匈牙利單獨發布了一份公告。儘管他沒有正式退位，但這被認為是哈布斯堡王朝的終結。
1919年，新的奧地利共和政府隨後通過了一項法律，將哈布斯堡王朝驅逐出奧地利領土，直到他們放棄所有重新奪回王位的意圖並接受普通公民的身份。查理多次試圖奪回匈牙利王位。哈布斯堡王朝並沒有正式放棄对王位的宣称，直到查理一世的長子奧托·馮·哈布斯堡於1961年5月31日放棄對王位的所有要求之前，人們對其重新掌權充滿了希望。
哈布斯堡家族領袖兼奧地利皇帝（1804-1918）
弗朗茨一世
斐迪南一世
弗朗茨·约瑟夫一世
卡尔一世
王朝分裂 > 退位之后

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|  | 我絕對拒絕奧地利的納粹主義⋯⋯這場非奧地利的運動向每個人承諾了一切，但實際上意圖對奧地利人民進行最殘酷的征服。 |  |
——奧托·馮·哈布斯堡
哈布斯堡王朝的西班牙分支的於1700年絕嗣，而奧地利分支則於1740年絕後，隨即被分支哈布斯堡-洛林皇朝取代，直至1918年一次大戰後，帝國解散，被奧地利共和國取代。
1918年11月11日，卡爾一世放棄了德屬奧地利的“任何國家事務份額”，11月13日，他還放棄了匈牙利國王查理四世的角色。由於卡爾沒有正式退位，與德意志帝國不同，任何提及當時6歲王儲奧託的內容都可以省略。1918年10月31日，匈牙利透過結束皇家聯盟而解散了二元君主制的其他部分，獨立於統治家族，與查理沒有聯繫。1919年3月，他與家人搬到瑞士，以避免在奧地利被拘留。
1919年4月3日德屬奧地利的哈布斯堡法將卡爾以及哈布斯堡-洛林家族的所有其他成員永久驅逐出境，只要他們沒有正式放棄“哈布斯堡-洛林家族”的會員資格（即：自稱是「共和國的忠誠公民」。此外哈布斯堡家族的資金被沒收（但不是「明顯的個人私人資產」）。眾議院議員部分選擇了共和奧地利，部分則選擇了新共和國以外的生活。直到2010年聯邦總統選舉為止，根據1920年聯邦憲法第60條第3款第2句，最近的版本是2007年7月1日，哈布斯堡家族或以前的家族的成員沒有資格當選聯邦總統。直到2011年6月16日，哈布斯堡王朝段落才被奧地利國民議會作為2011年選舉法修正案的一部分廢除，新版本（第60B-VG條）於2011年10月1日生效，。
1921年兩次試圖從瑞士復闢匈牙利國王查理四世(即卡爾一世)失敗後，匈牙利議會於1921年11月6日決定廢黜哈布斯堡-洛林王朝。匈牙利在帝國行政長官米克洛斯·霍爾蒂的領導下仍然是一個沒有國王的王國。第二次復闢嘗試後，卡爾被盟軍從匈牙利流放到馬德拉，並於1922年因重病去世。他的遺孀齊塔直到1982年才被允許返回奧地利。
在兩次世界大戰期間，哈布斯堡家族是納粹主義和共產主義的強烈反對者。在德國，阿道夫·希特勒完全反對哈布斯堡家族長達數百年的原則，即在很大程度上允許其統治下的當地社區維持傳統的民族、宗教和語言習俗，他對哈布斯堡家族充滿了仇恨。第二次世界大戰期間，中歐爆發了強大的哈布斯堡王朝抵抗運動，遭到納粹和蓋世太保的徹底迫害。這些團體的非官方領導人是奧托·馮·哈布斯堡，他在法國和美國進行反對納粹和爭取自由中歐的活動。大多數抵抗​​戰士，例如成功向盟軍傳遞了V-2火箭、虎式坦克和飛機的生產場地和計劃的海因里希·邁爾，都被處決。哈布斯堡家族在鐵幕的倒塌和共產主義東方集團的崩潰中發揮了主導作用。
今日，哈布斯堡王室的後裔分別定居於奧地利、列支敦士登和德國，現時他們的族长是卡尔·冯·哈布斯堡。卡尔的父亲是奧地利末代皇儲、曾任歐洲議會議員的奧托·馮·哈布斯堡。
家族墓地

玛丽亚·特蕾莎的棺椁皇家墓穴（德語：Kaisergruft）也稱為嘉布遣會墓穴（Kapuzinergruft），位於奥地利维也纳嘉布遣會修士會樸素的教堂和修道院下方。它涵蓋了三十年戰爭和大革命战争興起等關鍵事件，提供了對統一歐洲概念的深入了解。墓室由當時的傑出藝術家設計，墓室展示了權威的象徵，反映了歐洲的雄心壯志哈布斯堡王朝的。在這樣的歷史背景下，墓穴內的文物巧妙地承認了死亡和信仰，強調了個人對神的信任和對造物主的謙卑敬畏。地穴有其深遠的意義。如今墓穴成為150名哈布斯堡王朝人物的最後安息之地，深刻地提醒人們權力的短暫性和人類存在的持久複雜性。
埃斯科里亞爾修道院皇家墓穴（西班牙語：，也被稱為國王萬神殿（西班牙語：），位于西班牙圣洛伦索-德埃尔埃斯科里亚尔的埃斯科里亚尔修道院内，埋葬有自查理五世至今的西班牙哈布斯堡王室以及波旁王室的西班牙君主共26位。
公爵墓穴（德語：Herzogsgruft）位于奥地利维也纳聖斯蒂芬大教堂內，由公爵魯道夫四世於1363年建立，一直到1576年一直是哈布斯堡家族的主要墓地。葬於此的著名成員包括魯道夫四世、阿爾貝三世、阿爾貝四世、利奧波德四世。腓特烈三世最初安葬於此，後來被轉移到大教堂南部唱詩班的高墓。從1564年到1878年，墓穴裡的甕裡存放著已故哈布斯堡王朝成员的腸子。瑪麗亞·特蕾莎於1754/1755年擴建並翻新了墓穴，將祖先的遺骸搬入新棺材中。如今公爵墓穴已成為維也納哈布斯堡王朝遺產的深刻象徵。
王侯墓穴（德語：Pfalzsgruft），在匈牙利語中也稱為Nádori kripta，位於匈牙利布達佩斯的布達城堡內，是哈布斯堡王朝匈牙利分支的墓地。墓穴由擁有匈牙利王权伯爵頭銜的約瑟夫大公建造，安放著26具遺骸。值得注意的是，它是布達城堡為數不多的幾個經受住了第二次世界大戰的破壞，並在隨後的重建工作中得以保留的內部區域之一。
相关条目

哈布斯堡王朝君主列表
奧地利哈布斯堡皇朝
西班牙哈布斯堡王朝
哈布斯堡-洛林皇朝
奥地利历史
埃施特哈齐家族：匈牙利地方长期支持哈布斯堡的盟友
參考文獻 > 引用

↑  Kiva, Cross, and Crown: The Pescos Indians and New Mexico, p. 251.
↑  Letters of Don Diego de Vargas to His Family from New Spain and New Mexico, p. 56.
1 2  "Britannica 1911". 1911encyclopedia.org. Retrieved 24 March 2012.