stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
St Austell

| --- | --- |
St Austell
tiếng Cornwall: S. Austel 
 High Cross Street         
Dân số: 19.958 theo thống kê 2011
Mạng lưới tham chiếu quốc gia: SX011524 
Xã: St Austell
Chính quyền đơn nhất: Hội đồng Cornwall
Hạt nghi lễ: Cornwall
Vùng: 
Quốc gia: Anh
Quốc gia có chủ quyền: Vương quốc Liên hiệp Anh
Mã bưu chính khu đô thị: ST. AUSTELL 
Mã bưu chính quận: PL25
Mã điện thoại: 01726
Cảnh sát:  
Cứu hỏa:  
Cấp cứu:  
Nghị viện châu Âu: 
Nghị viện Liên hiệp Anh: St Austell và Newquay
St Austell (tiếng Cornwall: S. Austel) là một xã và điểm dân cư lớn tại Cornwall, Anh, UK. Nó tọa lạc tại vùng duyên hải phía nam, cách khoảng 10 dặm (16 km) về phía nam của Bodmin và cách biên giới với Devon 30 dặm (48 km) về phía tây.
St Austell là một trong những điểm dân cư lớn nhất ở Cornwall; theo thống kê 2011, nơi này có dân số 19.958, và tổng cộng 34.700 người, nếu tính cả những người sống ở khu vực lân cận không thuộc "vùng lõi" St Austell.
Chú thích

1 2  “Lead View Table St Austell (parish)”. Office for National Statistics. Bản gốc lưu trữ ngày 2 tháng 3 năm 2017. Truy cập ngày 1 tháng 3 năm 2017.
↑  “List of Place-names agreed by the MAGA Signage Panel” (PDF). Cornish Language Partnership. tháng 5 năm 2014. Bản gốc (PDF) lưu trữ ngày 29 tháng 7 năm 2014. Truy cập ngày 11 tháng 1 năm 2015.
↑  Ordnance Survey: Landranger map sheet 200 Newquay & Bodmin ISBN 978-0-319-22938-5
↑  “Data from the 2011 Census (Office for National Statistics)”. Cornwall Council. Lưu trữ bản gốc ngày 3 tháng 12 năm 2013. Truy cập ngày 15 tháng 11 năm 2013.
Kayalar, Halfeti

| Kayalar |
| --- | --- |
—  Xã  —
 
KayalarVị trí ở Thổ Nhĩ Kỳ
Quốc gia:  Thổ Nhĩ Kỳ
Tỉnh: Şanlıurfa
Huyện: Halfeti
Dân số (2011)
 • Tổng cộng: 517 người
Múi giờ: EET (UTC+2)
 • Mùa hè (DST): EEST (UTC+3)
Kayalar là một xã thuộc huyện Halfeti, tỉnh Şanlıurfa, Thổ Nhĩ Kỳ. Dân số thời điểm năm 2011 là 517 người.
Chú thích

↑  “Cities, towns and villages in Şanlıurfa”. Viện thống kê Thổ Nhĩ Kỳ. Lưu trữ bản gốc ngày 14 tháng 7 năm 2012. Truy cập ngày 23 tháng 9 năm 2012.Quản lý CS1: bot: trạng thái URL ban đầu không rõ (liên kết)
Solidago squarrosa

| Solidago squarrosa> Phân loại khoa học |
| --- | --- |
Giới (regnum): Plantae
(không phân hạng): Angiospermae
(không phân hạng): Eudicots
Bộ (ordo): Asterales
Họ (familia): Asteraceae
Chi (genus): Solidago
Loài (species): S. squarrosa
Danh pháp hai phần
Solidago squarrosa Nutt., 1834 
Solidago squarrosa là một loài thực vật có hoa trong họ Cúc. Loài này được Nutt. miêu tả khoa học đầu tiên năm 1834.
Chú thích

↑  The Plant List (2010). “Solidago squarrosa”. Truy cập ngày 4 tháng 6 năm 2013.
Solidago tarda

| Solidago tarda> Phân loại khoa học |
| --- | --- |
Giới (regnum): Plantae
(không phân hạng): Angiospermae
(không phân hạng): Eudicots
Bộ (ordo): Asterales
Họ (familia): Asteraceae
Chi (genus): Solidago
Loài (species): S. tarda
Danh pháp hai phần
Solidago tarda Mackenzie, 1933 
Solidago tarda là một loài thực vật có hoa trong họ Cúc. Loài này được Mackenzie miêu tả khoa học đầu tiên năm 1933.
Chú thích

↑  The Plant List (2010). “Solidago tarda”. Truy cập ngày 4 tháng 6 năm 2013.
Sophronica grossepunctipennis

| Sophronica grossepunctipennis> Phân loại khoa học |
| --- | --- |
Giới (regnum): Animalia
Ngành (phylum): Arthropoda
Lớp (class): Insecta
Bộ (ordo): Coleoptera
Phân bộ (subordo): Polyphaga
Liên họ (superfamilia): Cerambycoidea
Họ (familia): Cerambycidae
Chi (genus): Sophronica
Loài (species): S. grossepunctipennis
Danh pháp hai phần
Sophronica grossepunctipennis Breuning, 1973 
Sophronica grossepunctipennis là một loài bọ cánh cứng trong họ Cerambycidae.
Chú thích

↑  Bisby, F.A.; Roskov, Y.R.; Orrell, T.M.; Nicolson, D.; Paglinawan, L.E.; Bailly, N.; Kirk, P.M.; Bourgoin, T.; Baillargeon, G.; Ouvrard, D. (2011). “Species 2000 & ITIS Catalogue of Life: 2011 Annual Checklist”. Species 2000: Reading, UK. Truy cập ngày 24 tháng 9 năm 2012.
Smithiantha multiflora

| Smithiantha multiflora> Phân loại khoa học |
| --- | --- |
Giới (regnum): Plantae
(không phân hạng): Angiospermae
(không phân hạng): Eudicots
Bộ (ordo): Lamiales
Họ (familia): Gesneriaceae
Chi (genus): Smithiantha
Loài (species): S. multiflora
Danh pháp hai phần
Smithiantha multiflora (Martens & Galeotti) Fritsch 
Smithiantha multiflora là một loài thực vật có hoa trong họ Tai voi. Loài này được (M. Martens & Galeotti) Fritsch miêu tả khoa học đầu tiên năm 1894.
Chú thích

↑  The Plant List (2010). “Smithiantha multiflora”. Truy cập ngày 10 tháng 6 năm 2013.
Sự sống trên Sao Kim

Bầu khí quyển của Sao Kim khi nhìn dưới tia cực tím bởi Pioneer Venus Orbiter vào năm 1979.
Sự suy đoán về sự sống hiện đang tồn tại trên Sao Kim đã giảm đi đáng kể kể từ đầu những năm thập niên 1960, khi tàu không gian bắt đầu nghiên cứu Sao Kim và việc các điều kiện trên Sao Kim là khắc nghiệt hơn so với trên Trái Đất đã trở nên rõ ràng.
Với việc Sao Kim có vị trí gần với Mặt Trời hơn Trái Đất và việc hiệu ứng nhà kính cực độ đã nâng nhiệt độ bề mặt Sao Kim lên gần 462 °C (735 K), và áp suất khí quyển gấp 90 lần Trái Đất, đã khiến sự sống dựa trên nước như chúng ta đã biết không thể có khả năng xảy ra trên bề mặt hành tinh. Tuy nhiên, một vài nhà khoa học đã suy đoán rằng các vi sinh vật ưa sống trong điều kiện khắc nghiệt, ưa nhiệt và pH thấp có thể tồn tại ở những tầng axit bên trên có nhiệt độ thấp hơn của bầu khí quyển Sao Kim.
Quan điểm trong lịch sử

Cho tới tận giữa thế kỷ 20, môi trường bề mặt của Sao Kim vẫn được tin là tương tự với của Trái Đất, và do đó có nhiều người tin rằng Sao Kim có thể tồn tại sự sống. Vào năm 1870, nhà thiên văn học người Anh Richard Proctor nói rằng việc sự sống tồn tại trên Sao Kim là bất khả thi ở gần xích đạo Sao Kim, nhưng có thể có gần hai cực.
Kể từ thập niên 1960, các bằng chứng rõ ràng ngày càng tăng lên từ các tàu vũ trụ khác nhau đã cho thấy rằng Sao Kim có một khí hậu khắc nghiệt, với một hiệu ứng nhà kính sản sinh ra nhiệt độ liên tục vào khoảng 500 °C ở bề mặt Sao Kim. Khí quyển chứa những đám mây axit sulfuric và áp suất khí quyển ở bề mặt là 90 bar, gấp gần 100 lần so với trên bề mặt Trái Đất và bằng với áp suất dưới độ sâu 1.000 m (3.300 ft) trong lòng đại dương của Trái Đất. Với môi trường như vậy, và với các đặc điểm thù địch ngày càng tăng lên của khí hậu trên Sao Kim, cơ hội của sự sống mà chúng ta đã biết đã bị loại bỏ khỏi bề mặt Sao Kim.
Vào tháng 9 năm 1967, Carl Sagan và Harold Morowitz đã cho xuất bản một bản phân tích về vấn đề sự sống trên Sao Kim trên tạp chí Nature.
Sự sống trong bầu khí quyển của Sao Kim

Mặc dù có ít khả năng tồn tại sự sống gần bề mặt Sao Kim, nhưng những cao độ trên khoảng 50 km kể từ bề mặt có một nhiệt độ nằm trong khoảng mà nước vẫn có thể tồn tại dưới dạng lỏng, và do đó vẫn có một vài ý kiến ủng hộ khả năng đó trong bầu khí quyển của Sao Kim.
Trong bản phân tích dữ liệu phi vụ từ Venera, những phi vụ Pioneer Venus và Magellan, các nhà khoa học đã phát hiện ra rằng carbonyl sulfide, hydro sulfide và lưu huỳnh điôxit đều cùng nhau hiện diện trong thượng tầng khí quyển. Venera cũng phát hiện được một lượng lớn clo độc hại ngay bên dưới lớp mây của Sao Kim. Carbonyl sulfide rất khó để có thể sản xuất theo phương pháp vô cơ, nhưng nó có thể được sản sinh ra bởi hoạt động của núi lửa. Axit sulfuric được sản xuất ra trong thượng tầng khí quyển bằng các hoạt động quang hóa học của Mặt trời đối với cacbon dioxide, lưu huỳnh điôxit và nước bốc hơi.
Sự bức xạ mặt trời thu hẹp khu vực khí quyển có thể tồn tại sự sống được vào khoảng cao độ từ 51 km (65 °C) và 62 km (−20 °C), bên trong các đám mây axit. Đã có những suy đoán rằng những đám mây trong khí quyển Sao Kim chứa các chất hóa học có thể bắt đầu các dạng hoạt động sinh học. Đã có suy đoán rằng bất cứ vi sinh vật giả thiết này sống trong bầu khí quyển, nếu có, có thể sử dụng tia tử ngoại (UV) do Mặt trời tỏa ra làm nguồn năng lượng, và đó có thể là một lời giải thích cho những vạch tối quan sát được trên các bức ảnh UV chụp Sao Kim.
Sự sống trước đây trên Sao Kim

Có thể có khả năng rằng sự sống bắt nguồn từ Sao Kim trước khi hành tinh bị nóng lên do hiện tượng hiệu ứng nhà kính mất kiểm soát, nhưng giờ không còn tồn tại nữa. Với giả sử rằng quá trình nước được đưa tới Trái Đất là giống nhau đối với tất cả các hành tinh gần khu vực có thể tồn tại sự sống, đã có ước tính rằng nước dưới dạng lỏng có lẽ đã tồn tại trên bề mặt của nó lên tới 600 triệu năm trong suất và một thời gian ngắn sau sự kiện Late Heavy Bombardment, có thể đủ thời gian để các dạng sống đơn giản hình thành, nhưng con số này có thể xê dịch từ vài triệu năm cho tới vài tỉ năm. Việc này có thể cũng đã cung cấp đủ thời gian để các dạng sống vi sinh có thể tiến hóa để sống được ở trong không khí. Có rất ít phân tích về nguyên liệu trên bề mặt Sao Kim, vậy nên có khả năng là những bằng chứng về sự sống trong quá khứ, nếu có, có thể rất dễ tìm với một con tàu vũ trụ có khả năng sinh tồn trong điệu kiện khí quyển hiện tại của Sao Kim, mặc dù những xáo trộn bề mặt hành tinh trong 500 triệu năm qua có nghĩa rằng khó có khả năng các tảng đá bề mặt cổ vẫn còn tồn tại.
RAM động

Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động (DRAM hay RAM động) là một loại bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên lưu mỗi bit dữ liệu trong một tụ điện riêng biệt trên một mạch tích hợp. Vì các tụ điện bị rò điện tích nên thông tin sẽ bị mất dần trừ khi dữ liệu được nạp lại đều đặn. Đây là điểm khác biệt so với RAM tĩnh. Ưu điểm của DRAM là có cấu trúc đơn giản: chỉ cần một transistor và một tụ điện cho mỗi bit trong khi cần sáu transistor đối với SRAM. Điều này cho phép DRAM lưu trữ với mật độ cao.
Vì DRAM mất dữ liệu khi không có điện nên nó thuộc loại thiết bị nhớ tạm thời.
Lịch sử

DRAM được phát minh bởi tiến sĩ Robert Dennard tại Trung tâm nghiên cứu Thomas J. Watson IBM vào năm 1966 và được cấp bằng sáng chế năm 1968. Tụ điện đã được dùng trong những sơ đồ bộ nhớ đời đầu như: drum của Atanasoff-Berry Computer, ống Williams và ống Selectron.
Vào năm 1969, Honeywell yêu cầu Intel chế tạo cho họ bộ nhớ DRAM sử dụng một cell 3 transistor mà họ vừa phát triển. Nó đã trở thành Intel 1102 (1024x1) vào đầu những năm 1970. Tuy nhiên 1102 gặp nhiều lỗi, điều đó khiến Intel bắt đầu làm việc trên những mẫu thiết kế có cải tiến của riêng họ (việc này được tiến hành bí mật nhằm tránh động chạm tới Honeywell). Chính điều này đã dẫn tới sự ra đời của DRAM thương mại đầu tiên có cell 1 transistor - Intel 1103 (1024x1) vào tháng 10 năm 1970 (mặc dù có chút vấn đề vì số lượng tiêu thụ thấp, mãi đến bản sửa đổi thứ 5).
Bộ nhớ DRAM đầu tiên có nhiều địa chỉ hàng/cột là Mostek MK4096 (4096x1) năm 1973.
Nguyên lý hoạt động

DRAM thường được sắp xếp trong một mảng hình chữ nhật của một phần dự trữ bao gồm một tụ điện và transistor cho mỗi bit dữ liệu. Hình bên phải là một ví dụ đơn giản với ma trận 4x4. Một số ma trận DRAM có tới hàng nghìn phần.
Các đường ngang nối dài với mỗi hàng được gọi là đường nối. Mỗi cột của các phần được tạo thành từ hai bit- dòng, mỗi dòng kết nối với tất cả các phần lưu trữ khác trong cột (hình minh họa bên phải không bao gồm chi tiết quan trọng này). Nó thường được gọi là " + " và - đường bit " ".
Nguyên lý hoạt động > Hoạt động đọc một bit dữ liệu từ một phần lưu trữ Dram

Các bộ khuếch đại bị ngắt kết nối
Các dòng bit được sạc sẵn để cân bằng điện áp giữa mức cao và mức thấp. Các dòng bit thì đối xứng để giữ sự cân bằng điện dung, do đó tại thời điểm này điện áp được cân bằng.
Mạch tích điện được tắt. Bởi vì dòng bit tương đối dài, nó ko có đủ điện dung để cân bằng điện áp được sạc sắn trong một khoảng thời gian.
Sau đó, dòng nối của hàng muốn được kết nối cao hơn với tụ điện của tế bào lưu trữ. Điều này tạo transistor bán dẫn, chuyển điện tích từ tế bào lưu trữ tới dòng nối liên kết hoặc từ dòng nối lien kết tới tế bào lưu trữ (nếu giá trị lưu trữ là 0). Điện dung của dòng nối thì cao hơn nhiều so với điện dung trong tế bào lưu trữ,điện áp trên dòng nối tăng từ từ nếu tụ điện của tế bào lưu trữ không tích điện, và giảm nhẹ nếu tế bào lưu trữ có tích điện. Khi một dòng nối khác sẽ có một hiệu điện áp giữa hai dòng nối.
Bộ khuếch đại bây giờ được kết nối với các cặp dòng nối. Thông tin phản hồi tích cực xuất hiện từ biến tần kết nối, do đó bộ khuếch đại hiệu điện áp nhỏ giữa dòng bit lẻ và thậm chí là hàng dòng bit của một cột cho đến khi một dòng bit đầy khi điện áp thấp nhất và cái khác thì điện áp cao nhất. Khi điều này xảy ra, hàng " mở ra "(tế bào dữ liệu đã sẵn sàng).
Tất cả tế bào lưu trữ trong một hàng mở được cảm nhận cùng lúc, và kết quả bộ khuếch đại cảm giác được chốt. Địa chỉ cột sau đó chọn bit chốt để kết nối với dữ liệu bus bên ngoài. Đọc sự khác nhau của các cột trong cùng một hàng có thể biểu hiện mà không cần hàng mở gián đoạn, bởi vì khi một hàng mở, tất cả dữ liệu đã cảm nhận và chốt.
Trong khi đọc các cột trong một hàng mở đang thực hiện, dòng điện đang chảy ngược lên dòng bit từ kết quả của bộ khuếch đại và tế bào lưu trữ đang tích điện. Điều này làm mới điện trong tế bào lưu trữ bằng cách tăng điện áp trong tụ điện nếu nó có điện ban đầu, hoặc giữ cho không có điện nếu nó trống. Ghi chú là bởi vì chiều dài của dòng bit có một độ trễ khá dài để tích điện trở lại tụ điện tế bào. Nó cần một khoảng thời gian trước khi kết thúc của bộ khuếch đại cảm nhận, và do đó có sự trùng với một hoặc nhiều cột.
Khi đọc xong tất cả các cột trong một hàng mở hiện tại, dòng nối được tắt để ngắt kết nối với tụ điện tế bào lưu trữ từ dòng bit. Bộ khuếch đại cảm nhận được tắt đi, và dòng bit được tích điện trở lại.
Nguyên lý hoạt động > Ghi vào bộ nhớ

Để giữ dữ liệu, một hàng được mở và một bộ khuếch đại cảm nhận của cột cho sẵn thì tạm thời buộc phải tăng hoặc giảm điện áp, do đó gây ra dòng bit để tích điện hoặc không tích điện một tụ điện tế bào lưu trữ để ham muốn giá trị. Do thông tin phản hồi tích cực của bộ khuếch đại, nó sẽ giữ một dòng bit điện áp ổn định thậm chí sau khi buộc điện áp được gỡ bỏ. Trong khi ghi lên một tế bào cụ thể, tất cả cột trong một hàng sẽ cảm nhận cùng lúc giống như lúc đọc, mặc dù chỉ có điện tích một tụ điện tế bào lưu trữ của cột được thay đổi, nhưng tất cả cột sẽ được làm mới.
Nguyên lý hoạt động > Tốc độ làm mới

Thông thường, các nhà máy chỉ định mỗi hàng phải có tụ điện tế bào lưu trữ của nó được làm mới mỗi 64 ms hoặc ít hơn, như được định nghĩa bởi JEDEC. Làm mới được cung cấp trong mỗi DRAM điều khiển tự động làm mới định kỳ, mà không có phần mềm hoặc phần cứng có thể thực hiện. Điều này làm cho mạch điều khiển thêm phức tạp, nhưng nhược điểm là nó nặng bởi thực tế là DRAM rẻ hơn nhiều so với tế bào lưu trữ and mỗi tế bào lưu trữ thì đơn giản, DRAM có nhiều dung lượng trên mỗi đơn vị bề mặt hơn SRAM.
Phát hiện và sửa lỗi

Điện và từ tính là nguyên nhân gây ảnh hưởng bên trong hệ thống máy tính có thể dẫn đến một vài đơn vị dữ liệu của DRAM phát sinh chuyển đổi thành trạng thái ngược lại.Phần lớn các lỗi nhỏ trong các vi xử lý DRAM xảy ra như một hậu quả của bức xạ nền, chủ yếu là các neutron từ các tia vũ trụ, nó có thể thay đổi thành phần của một hay nhiều tế bào lưu trữ hoặc gây cản trở các cho các mạch điện thường dùng để ghi hay truy xuất dữ liệu.Những nghiên cứu gần đây cho thấy sự thay đổi lớn về tỉ lệ lỗi về rối loạn dữ kiện với hơn 7 cấp độ khác nhau,phạm vi từ 1 bit lỗi/giờ/gigabyte đến 1 bit lỗi/thế kỷ/gigabyte.
Vấn đề có thể được giảm thiểu bằng cách sử dụng bộ nhớ dư và tăng thêm hệ thống mạch điện,dùng cách này có thể tìm và sửa được những lỗi hiện có.Trong hầu hết các trường hợp,sự phát hiện và sửa lỗi hợp lý được minh chứng bằng bộ kiểm soát bộ nhớ, nó có thể tách hoặc nhóm các mạch vào một CPU;đôi khi,những yêu cầu hợp lý được thực thi một cách rõ ràng trong các vi xử lý và mô-đun của DRAM, cho phép thực hiện chức năng của bộ nhớ EEC thay cho các hệ thống EEC không đủ khả năng khác. Phần dữ liệu thêm được sử dụng để ghi lại tương ứng và cho phép các dữ liệu mất đi được xây dựng lại bằng mã sửa lỗi (EEC).Sự tương ứng này cho phép phát hiện tất cả các lỗi đơn dữ liệu. Những mã sửa lỗi thông dụng nhất,1 mã SECDEC Hamming,cho phép một lỗi đơn dữ liệu được sửa chữa,và trong một cấu hình thông thường,với một 1 bit dữ liệu thêm vào,lỗi đôi dữ liệu được tìm ra.
Một bộ điều khiển bộ nhớ ECC khả dụng được dùng trong nhiều máy tính cá nhân hiện nay có thể phát hiện và sửa một lỗi đơn dữ liệu mỗi 64-bit,và phát hiện(nhưng không sửa)lỗi 2 bits mỗi 64-bit. Một vài hệ thống cũng "lọc" những lỗi này,bằng cách sửa phiên bản hiện tại trở lại bộ nhớ. Phần nhận biết ECC của một vài máy tính và ECC nhận biết của hệ thống,như Linux,cho phép đếm số lần phát hiện và sửa lỗi bộ nhớ,giúp hệ thống có thể nhận dạng và thay thế mô-đun bộ nhớ bị hỏng.
Các dạng của DRAM (RAM động)

Vì lý do tài chính, phần lớn bộ nhớ trong máy tính hay các thiết bị chơi game không cầm tay như PlayStation, Xbox thường đều nằm trong RAM động (DRAM). Trong khi đó thì những phần khác của máy tính thì bộ nhớ đều hầu hết chứa trong SRAM
Hầu hết hình dạng của DRAM là hộp nhựa chữ nhật màu đen bằng epoxy
Các dạng của DRAM (RAM động) > Dạng cơ bản

DRAM được sản xuất dưới dạng một mạch điện tích hợp gắn với vành bên ngoài bằng nhựa có chân kim loại để kết nối và kiểm soát các loại tín hiệu. Khi mới sử dụng, DRAM dạng mạch tích hợp thường được cài đặt thẳng vào mạch chủ hay mạch mở rộng ISA nhưng về sau nó được thiết kết thành các chip đa công dụng  (DIMMs, SIMMs,....). Một vài mẫu chính như
DRAM Chip
Dạng hai đường kẻ song song (DIP)
Mẫu bộ nhớ DRAM
Pin đơn (SIPP)
Bộ nhớ đơn (SIMM)
Bộ nhớ đôi (DIMM)
Bộ nhớ Rambus (RIMM). Gần như tương tự với bộ nhớ DIMM nhưng được gọi la RIMM và số lượng ô nhớ của nó
Bộ nhớ đôi dạng nhỏ (SO-DIMM).Bằng một nữa dung lượng của DIMM
Bộ nhớ đôi Rambus dạng nhỏ (SO-RIMM). Cũng tương tự như RIMM nhưng nhỏ hơn RIMM, thường được dùng trong laptop
Mẫu RAM có ngăn xếp và không có ngăn xếp
RAM có ngăn xếp gồm hai chip RAM đặt chồng lên nhau. Nó sẽ giúp những mẫu RAM lớn có thể hoạt động dù xài những tấm siliocon mỏng và rẻ. RAM có ngăn xếp sử dụng nhiều năng lượng hơn và có xu hướng nóng hơn khi sử dụng so với loại RAM không có ngăn xếp
RAM ngăn xếp đang ngày càng được ít sử dụng bởi hiện nay TSV ra đời vớ nhiều chức năng, chứa nhiều dữ liệu và chạy nhanh hơn
Các dạng của DRAM (RAM động) > Các mẫu RAM phổ biến

DIP 16-pin (DRAM chip)
SIPP 30-pin (thường dùng cho FPRAM)
SIMM 30-pin (thường dùng cho FPRAM)
SIMM 72-pin (thường xuất dữ liệu ra DRAM (EDO DRAM) nhưng FPRAM thì không được sử dụng phổ biến)
DIMM 168-pin (SDRAM)
DIMM 184-pin (DDR SDRAM)
RIMM 184-pin (RDRAM)
DIMM 240-pin (DDR2 SDRAM and DDR3 SDRAM)
DIMM 288-pin (DDR4 SDRAM)
Các mẫu SO-DIMM DRAM:
72-pin (32-bit)
144-pin (64-bit) dùng cho SO-DIMM SDRAM
200-pin (72-bit) dùng cho SO-DIMM DDR SDRAM và SO-DIMM DDR2 SDRAM
204-pin (64-bit) dùng cho SO-DIMM DDR3 SDRAM
260-pin dùng cho SO-DIMM DDR4 SDRAM
Các dạng của DRAM (RAM động) > Độ lớn bộ nhớ của DRAM

Bộ nhớ của DRAM luôn ở dưới dạng lũy thừa của hai. Chẳng hạn SDRAM DIMM chứa 512 MiB (mebibytes) =512 × 220 bytes = 229 bytes = 536,870,912 bytes. Hay 2 GB SDRAM module chứa 2 GiB (gibibytes) = 2 × 230 bytes = 231 bytes = 2,147,483,648 bytes.
Bảo mật

Mặc dù RAM động thường được sử dụng khi cung cấp nặng lượng và hay thay đổi sau một khoảng thời gian ngắn (thường là 64ms) nhưng các tụ điện trong RAM động thường có xu hướng nhớ dữ liệu trong một khoảng thời gian lâu hơn và với một nhiệt độ thấp. Dưới một số điều kiện phần lớn dữ liệu trong DRAM có thể được khôi phục cho dù nó được không được làm mới trong một vài phút.
Chức năng này có thể đánh lừa các hệ thống bảo mật và khôi phục dữ liệu chứa trong bộ nhớ mặc dù cho rằng dữ liệu đó đã bị xóa (như do vấn đề cúp điện nếu chúng ta khởi động lại máy làm nguội con chip đồng thời chuyển đến một máy tính khác). Một cuộc tấn công như thế có thể đánh lừa việc mã hóa của hệ thống trong máy. Chẳng hạn như các nguồn mở TrueCrypt, Microsoft's BitLocker Drive Encryption và Apple's FileVault. Những cuộc tấn công như vậy được gọi là  "khởi động và làm nguội ".
So sánh với các loại bộ nhớ khác

| Loại | Mất dữ liệu khi mất điện | Khả năng ghi | Cỡ xoá | Xoá nhiều lần | Tốc độ | Giá thành  (theo byte) |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| SRAM | Có | Có | Byte | Không giới hạn | Nhanh | Đắt |
| DRAM | Có | Có | Byte | Không giới hạn | Vừa phải | Vừa phải |
| Masked ROM | Không | Không | Không sẵn sàng | Không sẵn sàng | Nhanh | Không đắt |
| PROM | Không | Một lần, yêu cầu   thiết bị chuyên dụng | Không sẵn sàng | Không sẵn sàng | Nhanh | Vừa phải |
| EPROM | Không | Có, nhưng cần   thiết bị chuyên dụng | Toàn bộ | Giới hạn | Nhanh | Vừa phải |
| EEPROM | Không | Có | Byte | Giới hạn | Nhanh cho đọc,   chậm cho xoá và ghi | Đắt |
| Flash | Không | Có | Sector | Giới hạn | Nhanh cho đọc,   chậm cho xoá/ghi | Vừa phải |
| NVRAM | Không | Có | Byte | Không giới hạn | Nhanh | Đắt |
Nguyên lý của cách đọc Ram, đơn giàn 4 bằng 4 mảng.
Ghi
Hansa-Brandenburg KDW

| KDW |
| --- | --- |
Kiểu: Thủy phi cơ tiêm kích
Nhà chế tạo: Hansa und Brandenburgische Flugzeug-Werke
Nhà thiết kế: Ernst Heinkel
Giới thiệu: 1916
Số lượng sản xuất: ~60
Phát triển từ: Hansa-Brandenburg D.I
Hansa-Brandenburg KDW là một loại thủy phi cơ tiêm kích của Đức trong Chiến tranh thế giới I.
Quốc gia sử dụng

Hải quân Đế quốc Đức
Tính năng kỹ chiến thuật (KDW)

Dữ liệu lấy từ Encyclopedia of Military Aircraft
Đặc tính tổng quan
Kíp lái: 1
Chiều dài: 8 m (26 ft 3 in)
Sải cánh: 9,25 m (30 ft 4 in)
Chiều cao: 3,35 m (11 ft 0 in)
Trọng lượng có tải: 1.040 kg (2.293 lb)
Động cơ: 1 × Benz Bz.III , 112 kW (150 hp)
Hiệu suất bay
Vận tốc cực đại: 172 km/h (107 mph; 93 kn)
Thời gian bay: 2 h 30 phút
Trần bay: 4.000 m (13.123 ft)
Vũ khí trang bị
Súng: 1 hoặc 2 × súng máy 7,92 mm (.312 in)
Kayalar, Maden

| Kayalar |
| --- | --- |
—  Xã  —
 
KayalarVị trí ở Thổ Nhĩ Kỳ
Quốc gia:  Thổ Nhĩ Kỳ
Tỉnh: Elâzığ
Huyện: Maden
Dân số (2011)
 • Tổng cộng: 81 người
Múi giờ: EET (UTC+2)
 • Mùa hè (DST): EEST (UTC+3)
Kayalar là một xã thuộc huyện Maden, tỉnh Elâzığ, Thổ Nhĩ Kỳ. Dân số thời điểm năm 2011 là 81 người.
Chú thích

↑  “Cities, towns and villages in Elazığ”. Viện thống kê Thổ Nhĩ Kỳ. Lưu trữ bản gốc ngày 18 tháng 7 năm 2012. Truy cập ngày 31 tháng 8 năm 2012.Quản lý CS1: bot: trạng thái URL ban đầu không rõ (liên kết)
Stelis pisinna

| Stelis pisinna> Phân loại khoa học |
| --- | --- |
Giới (regnum): Plantae
(không phân hạng): Angiospermae
(không phân hạng): Monocots
Bộ (ordo): Asparagales
Họ (familia): Orchidaceae
Chi (genus): Stelis
Loài (species): S. pisinna
Danh pháp hai phần
Stelis pisinna Luer & Hirtz 
Stelis pisinna là một loài thực vật có hoa trong họ Lan. Loài này được Luer & Hirtz mô tả khoa học đầu tiên năm 2004.
Chú thích

↑  The Plant List (2010). “Stelis pisinna”. Truy cập ngày 7 tháng 6 năm 2013.
Stelis pluriracemosa

| Stelis pluriracemosa> Phân loại khoa học |
| --- | --- |
Giới (regnum): Plantae
(không phân hạng): Angiospermae
(không phân hạng): Monocots
Bộ (ordo): Asparagales
Họ (familia): Orchidaceae
Chi (genus): Stelis
Loài (species): S. pluriracemosa
Danh pháp hai phần
Stelis pluriracemosa Luer & Hirtz 
Stelis pluriracemosa là một loài thực vật có hoa trong họ Lan. Loài này được Luer & Hirtz mô tả khoa học đầu tiên năm 2007.
Chú thích

↑  The Plant List (2010). “Stelis pluriracemosa”. Truy cập ngày 7 tháng 6 năm 2013.
Stelis semirubra

| Stelis semirubra> Phân loại khoa học |
| --- | --- |
Giới (regnum): Animalia
Ngành (phylum): Arthropoda
Lớp (class): Insecta
Bộ (ordo): Hymenoptera
Họ (familia): Megachilidae
Phân họ (subfamilia): Megachilinae
Tông (tribus): Anthidiini
Chi (genus): Stelis
Loài (species): S. semirubra
Danh pháp hai phần
Stelis semirubra Timberlake, 1941 
Stelis semirubra là một loài Hymenoptera trong họ Megachilidae. Loài này được Timberlake mô tả khoa học năm 1941.
Chú thích

↑  (2008) Integrated Taxonomic Information System (ITIS) Bee Checklist 3 oktober 2008