stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
Pháo 6-inch/53-caliber
Những mẫu còn lại

Hai khẩu được tháo dỡ từ tàu ngầm Narwhal đang được bảo tồn tại Căn cứ Tàu ngầm Hải quân New London ở Groton, Connecticut. Con tàu đã hiện diện tại Trân Châu Cảng vào đúng ngày 7 tháng 12 năm 1941, và các khẩu pháo này rất có thể đang ở trên tàu vào lúc xảy ra cuộc tấn công lịch sử.
Saint-Sigismond, Maine-et-Loire

| --- | --- |
 Saint-Sigismond
Saint-Sigismond

Hành chính
Quốc gia:  Pháp
Vùng: Pays de la Loire
Tỉnh: Maine-et-Loire
Quận: Angers
Tổng: Louroux-Béconnais
Thống kê
Độ cao: 24–86 m (79–282 ft) (bình quân 68 m (223 ft)[chuyển đổi: tùy chọn không hợp lệ])
Diện tích đất1: 12,72 km2 (4,91 dặm vuông Anh)
Nhân khẩu2: 312  (1999)
 - Mật độ: 25/km2 (65/sq mi)
INSEE/Mã bưu chính: 49321/ 49123
1 Dữ liệu địa chính Pháp loại trừ các hồ và ao lớn hơn 1 km² (0.386 dặm vuông hoặc 247 acre) cũng như các cửa sông.
2 Dân số không tính hai lần: cư dân của nhiều xã (ví dụ, các sinh viên và quân nhân) chỉ tính một lần.
Saint-Sigismond là một xã thuộc tỉnh Maine-et-Loire trong vùng Pays de la Loire phía tây nước Pháp. Xã này nằm ở khu vực có độ cao trung bình 68 mét trên mực nước biển.
San José (tổng)

| San José |
| --- | --- |
—  Tổng  —
 

  Hiệu kỳ

San José
Quốc gia:  Costa Rica
Tỉnh: San José
Thủ phủ: San José 
Diện tích
 • Tổng cộng: 44,62 km2 (17,23 mi2)
Dân số (2008)
 • Tổng cộng: 352.366
 • Mật độ: 7.897/km2 (20,450/mi2)
Múi giờ: CST (UTC-6)
San José là một tổng trong tỉnh San José, Costa Rica. Tổng này có diện tích 44,62 km², dân số năm 2008 là 352366 người..
Đá Núi Mon

| Thực thể địa lý tranh chấp Đá Núi Mon |
| --- | --- |
Ảnh vệ tinh chụp đá Núi Mon (NASA)
Địa lý
đá Núi Mon
Vị trí: Biển Đông
Tọa độ: 9°12′B 113°40′Đ﻿ / ﻿9,2°B 113,667°Đ﻿ / 9.200; 113.667﻿ (đá Núi Mon)
Tranh chấp giữa
Quốc gia:  Đài Loan
Quốc gia:  Philippines
Quốc gia:  Trung Quốc
Quốc gia:  Việt Nam
Đá Núi Mon(tiếng Anh: Bittern Reef hoặc Maralie Reef; tiếng Trung: 石盘仔; bính âm: Shípánzǐ, Hán-Việt: Thạch Bàn Tử) là một rạn san hô thuộc cụm Trường Sa của quần đảo Trường Sa. Đá này nằm về phía bắc của đảo Phan Vinh A khoảng 14 hải lý (26,1 km).
Đá Núi Mon là đối tượng tranh chấp giữa Việt Nam, Đài Loan, Philippines và Trung Quốc. Hiện chưa rõ nước nào thực sự kiểm soát đá này.
Đặc điểm

Có dạng hình tròn với đường kính khoảng 0,3 hải lý (560 m). Đá này chìm hoàn toàn dưới nước và không gây nên sóng vỡ trên mặt biển khiến tàu thuyền khó nhận diện được.
Salix yuhuangshanensis

| Salix yuhuangshanensis> Phân loại khoa học |
| --- | --- |
Giới (regnum): Plantae
(không phân hạng): Angiospermae
(không phân hạng): Eudicots
(không phân hạng): Rosids
Bộ (ordo): Malpighiales
Họ (familia): Salicaceae
Chi (genus): Salix
Loài (species): S. yuhuangshanensis
Danh pháp hai phần
Salix yuhuangshanensis C. Wang & C.Y. Yu, 1974 
Salix yuhuangshanensis là một loài thực vật có hoa trong họ Liễu. Loài này được C. Wang & C.Y. Yu miêu tả khoa học đầu tiên năm 1974.
Chú thích

↑  The Plant List (2010). “Salix yuhuangshanensis”. Truy cập ngày 31 tháng 8 năm 2013.
Şiran

| Şiran |
| --- | --- |
—  Huyện  —
 
Vị trí của Şiran
ŞiranVị trí ở Thổ Nhĩ Kỳ
Quốc gia:  Thổ Nhĩ Kỳ
Tỉnh: Gümüşhane
Diện tích
 • Tổng cộng: 928 km2 (358 mi2)
Dân số (2007)
 • Tổng cộng: 18.595 người
 • Mật độ: 20/km2 (50/mi2)
Múi giờ: EET (UTC+2)
 • Mùa hè (DST): EEST (UTC+3)
Şiran là một huyện thuộc tỉnh Gümüşhane, Thổ Nhĩ Kỳ. Huyện có diện tích 928 km² và dân số thời điểm năm 2007 là 18595 người, mật độ 20 người/km².
Chú thích

↑  “Districts of Turkey” (bằng tiếng Anh). statoids.com. Truy cập ngày 14 tháng 6 năm 2012.
Đức Long (định hướng)

Đức Long có thể là:
Địa danh

Phường Đức Long, thành phố Phan Thiết, tỉnh Bình Thuận
Xã Đức Long, thị xã Quế Võ, tỉnh Bắc Ninh
Xã Đức Long, huyện Hòa An, tỉnh Cao Bằng
Xã Đức Long, huyện Thạch An, tỉnh Cao Bằng
Xã Đức Long, huyện Nho Quan, tỉnh Ninh Bình
Xã cũ Đức Long thuộc huyện Đức Thọ, tỉnh Hà Tĩnh; nay là một phần xã Tân Dân cùng huyện.
Niên hiệu

Đức Long, niên hiệu thứ hai của vua Lê Thần Tông nhà Hậu Lê.
Salix xizangensis

| Salix xizangensis> Phân loại khoa học |
| --- | --- |
Giới (regnum): Plantae
(không phân hạng): Angiospermae
(không phân hạng): Eudicots
(không phân hạng): Rosids
Bộ (ordo): Malpighiales
Họ (familia): Salicaceae
Chi (genus): Salix
Loài (species): S. xizangensis
Danh pháp hai phần
Salix xizangensis Y.L. Chou 
Salix xizangensis là một loài thực vật có hoa trong họ Liễu. Loài này được Y.L. Chou miêu tả khoa học đầu tiên năm 1979.
Chú thích

↑  The Plant List (2010). “Salix xizangensis”. Truy cập ngày 31 tháng 8 năm 2013.
Ếch Namiye

| Limnonectes namiyei |
| --- | --- |

Tình trạng bảo tồn
 Nguy cấp  (IUCN 3.1)
Phân loại khoa học
Giới (regnum): Động vật
Ngành (phylum): Có dây sống
Lớp (class): Lưỡng cư
Bộ (ordo): Không đuôi
Họ (familia): Ếch nhái
Chi (genus): Limnonectes
Loài (species): L. namiyei
Danh pháp hai phần
Limnonectes namiyei (Stejneger, 1901) 
Danh pháp đồng nghĩa
 Rana namiyei Stejneger, 1901
Ếch Namiye (danh pháp khoa học: Limnonectes namiyei) là một loài ếch trong họ Ranidae. Chúng là loài đặc hữu của Nhật Bản.
Các môi trường sống tự nhiên của chúng là các khu rừng khô nhiệt đới hoặc cận nhiệt đới và sông. Loài này đang bị đe dọa do mất môi trường sống.
Điền kinh trong sân vận động

| --- | --- |
Một phần sân vận động track and field
Biệt danh: Track
Đặc điểm
Số thành viên đấu đội: Có
Giới tính hỗn hợp: Có
Hình thức: Thể thao
Hiện diện
Olympic: Có
Điền kinh trong sân vận động hay track and field là một môn thể thao bao gồm các cuộc thi có tính chất đua tranh dựa trên các kĩ năng chạy, nhảy, và ném. Tên của môn trong tiếng Anh bắt nguồn từ địa điểm thi đấu bao gồm một sân vận động có đường chạy hình oval bao bọc lấy một sân cỏ (nơi diễn ra các cuộc thi ném và nhảy). Track and field là một bộ phận của môn điền kinh cùng với các bộ phận khác như chạy đường trường, chạy băng đồng và đi bộ.
Trong các nội dung chạy đua như chạy nước rút, chạy trung bình, chạy dài, đi bộ và chạy vượt rào thì vận động viên chiến thắng là người có thời gian về đích nhanh nhất. Còn trong các nội dung nhảy và ném thì mục tiêu là càng xa hoặc càng cao càng tốt. Các nội dung nhảy cơ bản gồm nhảy xa, nhảy xa ba bước, nhảy cao và nhảy sào, còn các nội dung ném cơ bản gồm ném tạ, ném lao, ném đĩa và ném búa. Ngoài ra còn có các nội dung tổng hợp như năm môn phối hợp, bảy môn phối hợp và mười môn phối hợp. Trong các môn này các vận động viên thi đấu ở nhiều môn điền kinh khác nhau. Hầu hết các nội dung track and field là các môn thể thao cá nhân với chỉ một người chiến thắng duy nhất; ngoài ra còn có nội dung đồng đội như đua tiếp sức gồm bốn người một đội. Các nội dung được phân chia theo giới tính, mặc dù vậy các sự kiện của nam và nữ thường diễn ra đồng thời và cùng một địa điểm thi đấu.
Ngày nay, hai giải track and field lớn nhất thế giới là các cuộc thi đấu điền kinh Thế vận hội và Giải vô địch điền kinh thế giới. Liên đoàn điền kinh quốc tế là cơ quan quản lý quốc tế cao nhất.
Các kỷ lục của các vận động viên từ cấp độ thế giới cho đến quốc gia được các cơ quan thống kê lưu trữ. Tuy nhiên nếu họ vi phạm quy định của cuộc thi thì thành tích của họ sẽ bị hủy bỏ.
Các nội dung

Xem thêm: Danh sách nội dung điền kinh
Các nội dung điền kinh trong sân vận động được phân thành ba loại chính: các môn trên đường chạy, các môn trong sân, và các môn phối hợp. Đa phần các vận động viên lựa chọn tập trung vào một nội dung (hoặc loại nội dung) thế mạnh để đạt được thành tích tốt nhất, mặc dù trong các môn phối hợp thì càng giỏi nhiều môn càng tốt. Các nội dung trên đường chạy bao gồm chạy theo nhiều cự ly khác nhau trên một đường chạy bằng phẳng hoặc có thể có thêm rào và chướng ngại vật. Ngoài ra còn có các cuộc chạy tiếp sức với sự tham gia của nhiều đội vận động viên, trong đó một vận động viên sẽ đưa gậy cho đồng đội khi kết thúc lượt chạy của mình.
Có hai loại nội dung trong sân: nhảy và ném. Trong nội dung nhảy, các vận động viên được chấm điểm dựa trên độ xa và độ cao của cú nhảy. Thành tích trong các nội dung nhảy xa được tính từ một vạch mốc, và nếu bất kỳ vận động viên nào chạm chân quá vạch mốc này đều bị tính là phạm quy. Trong các nội dung nhảy cao, một vận động viên phải đưa thân mình vượt qua hoàn toàn xà ngang mà không làm rơi xà. Đa phần cách nội dung nhảy không kèm dụng cụ trợ giúp trừ nhảy sào.
Trong các nội dung ném vận động viên sẽ ném một vật đi xa (ví dụ như tạ, lao hoặc đĩa) từ một điểm mốc và thành tích được tính theo tầm xa của cú ném. Các nội dung phối hợp gồm cùng một nhóm vận động viên tranh tài ở nhiều nội dung track and field khác nhau. Điểm được chấm theo thành tích ở mỗi nội dung và vận động viên có tổng điểm cao nhất sau khi kết thúc tất cả các phần thi là người giành phần thắng.
| Trên đường chạy> Nước rút | Trên đường chạy> Trung bình | Trên đường chạy> Dài | Trên đường chạy> Vượt rào | Trên đường chạy> Tiếp sức | Trong sân> Nhảy | Trong sân> Ném | Nội dung phối hợp |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| 60 m 100 m 200 m 400 m | 800 m 1500 m 3000 m | 5000 m 10.000 m | 60 m rào 100 m rào 110 m rào 400 m rào 3000 m vượt chướng ngại vật | 4×100 m tiếp sức 4×400 m tiếp sức | Nhảy xa Nhảy xa ba bước Nhảy cao Nhảy sào | Ném tạ Ném đĩa Ném búa Ném lao | Năm môn phối hợp Bảy môn phối hợp Mười môn phối hợp |
Ghi chú: in nghiêng là nội dung chỉ thi đấu tại giải vô địch trong nhà thế giới
Nhiễu xạ điện tử tán xạ ngược

Scanning electron microscopy techniqueBản mẫu:SHORTDESC:Scanning electron microscopy technique
Nhiễu xạ điện tử tán xạ ngược (EBSD) là một kỹ thuật sử dụng máy quét điện tử (SEM) để nghiên cứu cấu trúc tinh thể của các vật liệu. EBSD được thực hiện trên một SEM trang bị bộ cảm biến EBSD bao gồm ít nhất một màn hình phát quang, một ống kính nhỏ gọn và một máy ảnh ccd. Trong cấu hình này, tia phát xạ SEM đập vào mẫu nghiêng. Khi các electron tia ngược trở lại rời khỏi mẫu, chúng tương tác với các mặt phẳng tuần hoàn nguyên tử của tinh thể và phân khuếch theo định luật Bragg ở các góc phân tán khác nhau trước khi đến màn hình phát quang tạo thành các mẫu Kikuchi (EBSPs). Độ phân giải không gian EBSD phụ thuộc vào nhiều yếu tố, bao gồm tính chất của vật liệu được nghiên cứu và chuẩn bị mẫu. Do đó, các EBSP có thể được chỉ số hóa để cung cấp thông tin về cấu trúc hạt của vật liệu, hướng hạt và pha tại tỉ lệ micro. EBSD được áp dụng cho nghiên cứu nhiễu và khuyết tật tinh thể, biến dạng nhựa và phân tích thống kê cho trung bình lệch hướng, kích thước hạt và cấu trúc tinh thể. EBSD cũng có thể được kết hợp với phổ xạ tia X phân tán năng lượng (EDS), quang xạ điện cực (CL) và phổ xạ tia X phân tán bước sóng (WDS) để xác định pha tiên tiến của khám phá vật liệu.
Tổng quát, EBSD là một kỹ thuật đa dụng và mạnh mẽ có thể cung cấp thông tin quý giá về cấu trúc và tính chất của rất nhiều loại vật liệu. Do đó, EBSD được sử dụng rộng rãi trong khoa học và kỹ thuật vật liệu, địa chất và nghiên cứu sinh học. Nó là một công cụ chủ chốt để phát triển các vật liệu mới và hiểu hành vi của chúng trong các điều kiện khác nhau.
Sự thay đổi và suy giảm trong các mẫu điện tử quay lại (EBSPs) cung cấp thông tin về sự bóp méo của lưới tinh thể trong khối lượng phân tán. Sự suy giảm chất lượng của mẫu điện tử quay lại (tức, chất lượng mờ đục) có thể được sử dụng để đánh giá mức độ đàn hồi. Sự thay đổi vị trí trục vùng của EBSP có thể đo lường căng thẳng đàn hồi dư và sự xoay nhỏ của lưới tinh thể. EBSD cũng có thể cung cấp thông tin về mật độ dislocation cần thiết hình học (GND). Tuy nhiên, sự bóp méo của lưới tinh thể được đo đối với một mẫu tham chiếu (EBSP0). Sự lựa chọn mẫu tham chiếu ảnh hưởng đến độ chính xác đo lường; ví dụ, một mẫu tham chiếu bị bóp méo trong trường hợp căng sẽ trực tiếp giảm giá trị căng dọc của bản đồ HR-EBSD trong khi ảnh hưởng gián tiếp đến các thành phần khác và phân bố không gian của căng. Hơn nữa, lựa chọn EBSP0 một chút ảnh hưởng đến phân bố và độ lớn của mật độ GND.
Hình thành mẫu và thu thập > Các bộ cảm biến EBSD

EBSD được thực hiện trên SEM được trang bị bộ cảm biến EBSD bao gồm ít nhất một màn hình phosphor, ống kính nhỏ gọn và máy ảnh CCD ánh sáng thấp. Hệ thống EBSD thương mại thường có một trong hai loại máy ảnh CCD khác nhau: để đo lường nhanh, chip CCD có độ phân giải gốc là 640×480 pixel; để đo lường chậm hơn và nhạy hơn, độ phân giải của chip CCD có thể lên đến 1600×1200 pixel.
Lợi thế lớn nhất của bộ cảm biến độ phân giải cao là độ nhạy cao hơn, do đó thông tin trong mỗi mẫu tán xạ có thể được phân tích chi tiết hơn. Đối với đo hướng và texture, các mẫu tán xạ được chia thành các nhóm để giảm kích thước và thời gian tính toán. Hệ thống EBSD hiện đại dựa trên CCD có thể chỉ mục các mẫu tán xạ với tốc độ lên đến 1800 mẫu/giây. Điều này cho phép tạo ra các bản đồ vi mô cấu trúc nhanh và chi tiết.
Hình thành mẫu và thu thập > Chuẩn bị mẫu

Lý tưởng, mẫu nên ổn định trong khí chân không và được gắn bằng chất dẫn (ví dụ như hỗn hợp epoxy thermoset được điền đồng và SiO2) để giảm thiểu sự trôi ảnh và hiện tượng intensify blooming do tia electron gây ra khi mẫu bị sạc. Vì chất lượng của EBSP rất nhạy cảm với việc chuẩn bị bề mặt, mẫu nên được mài bằng giấy nhám SiC từ 240 xuống đến 4000 grit và đánh bóng bằng kem kim cương (từ 9 đến 1 µm), sau đó xử lý bằng silica đồng kết tinh 50 nm trong 2 giờ (với tốc độ 50 vòng/phút và lực 5N) để tạo ra một bề mặt phẳng mà không có hiện tượng nhiễu từ quá trình chuẩn bị và đảm bảo sự nhất quán giữa các mẫu để có thể so sánh. Sau đó, mẫu cần được làm sạch trong 20 phút trong bồn tắm làm sạch siêu âm bằng ethanol, sau đó rửa sạch bằng nước cất và cuối cùng được sấy khô với máy sấy khí nóng. Để chuẩn bị bề mặt cuối cùng, mẫu cần được ion mài bằng tia hai bề mặt 7,5 keV trong 15 phút với góc súng là 8°.
Trong kính hiển vi quét điện tử (SEM), kích thước của khu vực đo xác định độ phân giải và thời gian đo cục bộ. Để có các EBSP chất lượng cao, được khuyến nghị sử dụng dòng điện 15 nA, năng lượng tia 20 keV, khoảng cách làm việc 18mm, thời gian chiếu dài và tối thiểu hóa việc ghép mẫu. Màn hình phosphor EBSD cũng nên được đặt ở khoảng cách làm việc 18mm với độ phân giải ít nhất 800600, thời gian chiếu mỗi mẫu 180 mili-giây, ghép mẫu 22, và kích thước bước đi của bản đồ nhỏ hơn 0,5µm. Các nguồn tham khảo cho khuyến nghị này là các bài báo khoa học của Britton et al. (2013), Jiang et al. (2013), Abdolvand và Wilkinson (2016), và Koko et al. (2023).
Sự phân hủy bằng tia electron của các hydrocarbon khí gây ra hiện tượng tích tụ carbon làm ảnh hưởng đến chất lượng của các mẫu trong quá trình thu thập EBSPs chậm. Các tích tụ cacbon gây suy giảm chất lượng của EBSPs trong khu vực được kiểm tra so với EBSPs bên ngoài cửa sổ thu thập. Độ suy giảm mẫu tăng dần khi di chuyển vào phía trong khu vực được kiểm tra với sự tích tụ carbon hiển nhiên. Những đốm đen từ sự tích tụ carbon ngay lập tức do tia cũng làm nổi bật sự kết tủa ngay cả khi không có sự tích tụ.
Hình thành mẫu và thu thập > Độ phân giải độ sâu

Xem thêm thông tin: Điện tử tán xạ
Độ phân giải độ sâu của EBSD được chấp nhận rộng rãi dao động từ 10 đến 40 nm, giảm theo số nguyên tử của vật liệu. Tuy nhiên, khi sử dụng một lớp phủ Crôm trong suốt có độ dày khác nhau trên một tinh thể đơn Silic, các đo đạc thực nghiệm đã chỉ ra rằng độ phân giải độ sâu có thể thấp hơn nữa, đạt đến 2 nm. Điều này được xác định thông qua việc chất lượng mẫu Silic giảm khoảng 50% khi sử dụng FEG-SEM với điều kiện tia 15 kV, khoảng cách làm việc 15 mm giữa tia và mẫu và 65 mm giữa mẫu và bộ thu, mà không xem xét hiệu ứng kênh tia electron (electron channelling). Tuy nhiên, khi sử dụng một phương pháp thực nghiệm tương tự, đã báo cáo kết quả khác nhau, ví dụ như Isabell và David. kết luận rằng độ phân giải độ sâu có thể đạt tới 1 µm do tán xạ không đàn hồi (bao gồm nhòe vuông góc và tác động channelling).
Những thí nghiệm này rất khó khăn do yêu cầu sử dụng thiết bị chính xác và được hiệu chuẩn tốt, kết quả thu được còn phụ thuộc vào cách giải thích. Điều này là do
Có nhiều ý kiến khác nhau về định nghĩa của độ phân giải độ sâu. Ví dụ, nó có thể được xác định là độ sâu mà khoảng 92% tín hiệu được tạo ra, hoặc được xác định bởi chất lượng mẫu, hoặc mơ hồ như "nơi mà thông tin hữu ích được thu được".
Giá trị báo cáo về độ sâu của thông tin không đề cập đến định nghĩa hoặc không có lý do cho định nghĩa độ phân giải sâu. Hơn nữa, hầu hết các thí nghiệm đo độ sâu của thông tin không cung cấp thông tin về kích thước tia, góc nghiêng, khoảng cách giữa tia và mẫu và khoảng cách giữa mẫu và bộ thu - đôi khi thậm chí là năng lượng của tia. Đây là các thông số quan trọng để xác định (hoặc mô phỏng) độ phân giải sâu của các mẫu, vì lượng tương tác, giảm với số nguyên tử hoặc mật độ mẫu, tăng lên với năng lượng và kích thước của tia.  Thường không xem xét tác động của dòng tia đến độ phân giải sâu trong các thí nghiệm hoặc mô phỏng. Tuy nhiên, nó ảnh hưởng đến kích thước và tỷ lệ tín hiệu / tạp âm của điểm tia, ảnh hưởng đến độ phân giải sâu và chi tiết trong mẫu.
Có thể sử dụng phương pháp mô phỏng Monte Carlo (MC) là một cách tiếp cận thay thế khác để định lượng độ phân giải sâu cho quá trình tạo ra EBSPs, có thể được ước tính bằng lý thuyết sóng Bloch, trong đó các electron chính phản xạ - sau khi tương tác với lưới tinh thể - rời khỏi bề mặt mang theo thông tin về tình tinh thể của khối lượng tương tác với các electron đó. Phân bố năng lượng của electron chính phản xạ (BSE) phụ thuộc vào đặc tính vật liệu và điều kiện tia. Trường sóng BSE cũng bị ảnh hưởng bởi quá trình phân tán phân khủng hoảng nhiệt gây ra sự phân tán không xúc tác và không đàn hồi (mất năng lượng) - sau các sự kiện gợn Bragg - nhưng vẫn chưa có mô tả vật lý hoàn chỉnh có thể liên quan đến cơ chế tạo nên độ phân giải sâu của EBSP.
Quan trọng nhất là, cả thực nghiệm lẫn mô phỏng đều giả định bề mặt trong trạng thái ban đầu và có độ phân giải sâu đồng nhất, tuy nhiên điều này không đúng đối với mẫu bị biến dạng.
Phân tích hướng và ánh xạ pha > Tâm mẫu phân xạ

Để liên kết với hướng tinh thể, giống như trong phân tích phân tán tia X, cần phải biết hình học của hệ thống. Trong đó, tâm mẫu phân xạ miêu tả khoảng cách giữa khối lượng tương tác với cảm biến và vị trí gần nhất giữa phosphor và mẫu trên màn hình phosphor. Ban đầu, nghiên cứu sử dụng một tinh thể đơn đã biết hướng được đưa vào phòng thí nghiệm SEM và một đặc điểm cụ thể của EBSP được biết tương ứng với tâm mẫu phân xạ. Các phát triển tiếp theo liên quan đến việc tận dụng các mối quan hệ hình học khác nhau giữa việc tạo ra EBSP và hình học phòng thí nghiệm (đổ bóng và di chuyển phosphor).
Rất tiếc, mỗi phương pháp này đều khó khăn và có thể dễ bị lỗi hệ thống cho một nhà điều hành chung. Thông thường, chúng không thể được sử dụng dễ dàng trong các SEM hiện đại với nhiều mục đích được chỉ định. Do đó, hầu hết các hệ thống EBSD thương mại sử dụng thuật toán chỉ mục kết hợp với sự di chuyển lặp lại của hướng tinh thể và vị trí tâm mẫu đề xuất. Giảm thiểu sự khớp giữa các dải nằm trong các mẫu thí nghiệm và trong bảng tra cứu có xu hướng hội tụ vào vị trí tâm mẫu phân xạ với độ chính xác khoảng ~0,5-1% của chiều rộng mẫu.
Những phát triển gần đây của AstroEBSD và PCGlobal đã tăng độ chính xác trong việc xác định trung tâm mẫu (PC) và do đó là độ co dãn đàn hồi bằng cách sử dụng phương pháp phù hợp mẫu. Các phần mềm mã nguồn mở MATLAB này đã giúp mô phỏng mẫu bằng EMSoft. Việc này giúp giảm thiểu sai số hệ thống khi xác định độ chính xác của PC. Tuy nhiên, các phương pháp truyền thống khác vẫn còn tồn tại và có thể sử dụng được trên SEM hiện đại với nhiều mục đích được chỉ định.
Phân tích hướng và ánh xạ pha > Bản đồ EBSD

Kết quả chỉ mục được sử dụng để tạo ra một bản đồ về hướng tinh thể tại mỗi điểm trên bề mặt đang được nghiên cứu. Do đó, việc quét tia electron theo một kiểu quy định (thường là một lưới hình vuông hoặc lục giác, được điều chỉnh để khắc phục hiện tượng co dãn ảnh do nghiêng mẫu gây ra) sẽ tạo ra nhiều bản đồ vi mô về cấu trúc phức tạp. Những bản đồ EBSD có thể trình bày không gian hướng tinh thể của vật liệu được khảo sát và được sử dụng để khảo sát microtexture và hình thái mẫu. Các bản đồ này có thể miêu tả hướng hạt, ranh giới và chất lượng mẫu vết quang phổ (hình ảnh). Các công cụ thống kê khác nhau có thể đo trung bình sai khác hướng, kích thước hạt và kết cấu tinh thể học. Từ tập dữ liệu này, người dùng có thể tạo ra nhiều bản đồ, biểu đồ và đồ thị.
Dữ liệu về hướng có thể được trực quan hóa bằng nhiều kỹ thuật khác nhau, bao gồm mã màu, đường đồng mức và các hình vẽ định hướng tinh thể.
Tuy nhiên, việc căn chỉnh kính hiển vi, sự thay đổi vị trí hình ảnh, hiện tượng méo hình quét tăng lên khi thu nhỏ độ phóng đại, bề mặt mẫu chưa chuẩn bị tốt, bị nhiễm bẩn và gồ ghề, thay đổi trong vật liệu, sự cố định vị trí ranh giới và chất lượng bộ dò có thể dẫn đến sự không chắc chắn trong việc xác định hướng tinh thể. Cơ bản, tỷ lệ tín hiệu/độ ồn của mẫu EBSD phụ thuộc vào vật liệu và giảm đi với tốc độ thu thập và dòng điện tia vô hướng cao, điều này ảnh hưởng trực tiếp đến độ phân giải góc của các đo lường.
Đo đạc biến dạng

Đo đạc các dịch chuyển toàn cục, biến dạng đàn hồi và mật độ dislocation cần thiết về hình học cung cấp thông tin định lượng về hành vi đàn hồi và dẻo của vật liệu ở tỷ lệ vi mô. Để đo đạc biến dạng ở tỷ lệ vi mô, cần xem xét cẩn thận các chi tiết quan trọng khác ngoài sự thay đổi về chiều dài/hình dạng (ví dụ như cấu trúc tại chỗ, các hướng hạt tinh thể riêng lẻ). Những đặc điểm vi mô này có thể được đo đạc bằng các kỹ thuật khác nhau, ví dụ như phương pháp khoan lỗ, tia X đơn sắc hoặc đa sắc kết hợp với phân tích tia X truyền năng lượng hoặc phân tích tia neutron. Tuy nhiên, kỹ thuật đánh giá phản xạ electron quay trở lại (EBSD) cung cấp sự kết hợp ấn tượng giữa độ nhạy, độ phân giải không gian và tính dễ sử dụng so với các kỹ thuật khác.
Thông tin về các sự dịch chuyển đầy đủ trường (displacements), độ co dãn đàn hồi (strains), và mật độ xuyên tâm hình học cần thiết (geometrically necessary dislocations - GND) cung cấp thông tin có thể định lượng về hành vi đàn hồi và dẻo của vật liệu ở tỷ lệ vi mô. Tuy nhiên, để đo lường độ biến dạng ở tỷ lệ vi mô cần xem xét kỹ lưỡng các chi tiết khác ngoài sự thay đổi độ dài/hình dạng (ví dụ: kết cấu địa phương, hướng hạt tinh thể riêng lẻ). Những đặc trưng tỉ mỉ này có thể được đo bằng các kỹ thuật khác nhau như phương pháp khoan lỗ, phát xạ tia X đơn sắc hoặc đa sắc và phân tích năng lượng phân tán tia X (energy-dispersive X-ray diffraction - XRD) hoặc phân tích nơtron (neutron diffraction - ND). Tuy nhiên, kỹ thuật phân tích tia electron phản xạ lùi (EBSD) cung cấp một sự kết hợp ấn tượng giữa độ nhạy, độ phân giải không gian và dễ sử dụng so với các kỹ thuật khác. EBSD là một phương pháp dùng tia điện tử để xem cấu trúc của vật liệu. EBSD có thể cho biết vật liệu bị co giãn hay méo mó như thế nào ở những điểm rất nhỏ. Những thông tin này giúp các nhà nghiên cứu hiểu được vật liệu chịu lực hay gãy vỡ ra sao, để phát triển các mô hình về hành vi của vật liệu dưới các điều kiện tải khác nhau, và để tối ưu hóa quá trình xử lý và hiệu suất của vật liệu. Tổng thể, đo lường biến dạng sử dụng EBSD là một công cụ mạnh mẽ để nghiên cứu sự biến dạng và hành vi cơ học của vật liệu, và được sử dụng rộng rãi trong khoa học và kỹ thuật vật liệu nghiên cứu và phát triển.