Bộ nhớ chỉ đọc
Sử dụng để lưu trữ dữ liệu

Vì ROM không thể được sửa đổi (hoặc khó sửa đổi), nên nó chỉ phù hợp để lưu trữ dữ liệu mà dự kiến ​​sẽ không cần sửa đổi nhiều trong suốt vòng đời của thiết bị. Cuối cùng, ROM đã được sử dụng trong nhiều máy tính để lưu trữ các bảng tra cứu để đánh giá các hàm toán học và logic (ví dụ: một đơn vị dấu phẩy động có thể lập bảng hàm sin để tạo điều kiện tính toán nhanh hơn). Điều này đặc biệt hiệu quả với CPU chậm và ROM rẻ hơn so với RAM.
Đáng chú ý, bộ xử lý hình ảnh màn hình của các máy tính ban đầu lưu trữ các bảng ký tự phông chữ bitmap trong ROM. Điều này thường có nghĩa là phông chữ hiển thị văn bản không thể thay đổi tương tác. Đây là trường hợp cho cả bộ điều hợp CGA và MDA có sẵn với IBM PC XT.
Việc sử dụng ROM để lưu trữ một lượng nhỏ dữ liệu như vậy đã biến mất gần như hoàn toàn trong các máy tính đa năng hiện đại. Tuy nhiên, Flash ROM đã đảm nhận vai trò mới là phương tiện để lưu trữ hàng loạt hoặc lưu trữ thứ cấp các tệp.
PROM (Programmable Read-Only Memory) hay Mask ROM: Bộ nhớ chỉ đọc có thể lập trình (PROM) hoặc ROM lập trình một lần (OTP), có thể được ghi vào hoặc lập trình lại thông qua một thiết bị đặc biệt gọi là lập trình PROM. Thông thường, thiết bị này sử dụng điện áp cao để phá hủy vĩnh viễn hoặc tạo các liên kết bên trong (cầu chì hoặc antifuses) trong chip. Do đó, một PROM chỉ có thể được lập trình một lần.
EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory): Bộ nhớ chỉ đọc có thể lập trình lại (EPROM) bằng cách tiếp xúc với ánh sáng cực tím mạnh(thường trong 10 phút hoặc lâu hơn), sau đó viết lại với quy trình cần điện áp cao hơn thông thường. Tiếp xúc nhiều lần với tia UV cuối cùng sẽ làm hao mòn EPROM, nhưng độ bền của hầu hết các chip EPROM đều đạt 1000 chu kỳ xóa và lập trình lại. Các chip EPROM thường có thể được phân biệt bởi "cửa sổ" cho phép ánh sáng UV đi vào. Sau khi lập trình, cửa sổ thường được phủ nhãn bảo vệ để ngăn việc xóa do vô tình. Một số chip EPROM được lập trình tại nhà máy trước khi chúng được đóng gói và không bao gồm cửa sổ.
EAROM (Electrically Alterable Read-Only Memory): Bộ nhớ chỉ đọc có thể thay đổi bằng điện (EAROM) là một loại EEPROM có thể được sửa đổi một bit mỗi lần. Viết lại là một quá trình rất chậm và cần điện áp cao hơn (thường là khoảng 12 V) so với điện áp sử dụng để đọc dữ liệu. EAROM dành cho các ứng dụng yêu cầu thay đổi không thường xuyên và chỉ thay đổi một phần. EAROM có thể được sử dụng làm bộ lưu trữ không mất dữ liệu cho thông tin thiết lập hệ thống quan trọng; trong nhiều ứng dụng, EAROM đã được thay thế bằng RAM-CMOS được cung cấp bởi nguồn điện chính và được sao lưu bằng pin lithium.
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory): Bộ nhớ chỉ đọc có thể lập trình được bằng điện tử (EEPROM) dựa trên cấu trúc bán dẫn tương tự EPROM, nhưng cho phép xóa toàn bộ nội dung của nó, sau đó viết lại bằng điện, và chúng không bị xóa khỏi máy tính khi mất điện (máy tính nhúng trong máy ảnh, máy nghe nhạc MP3, v.v.). Viết hoặc flash EEPROM chậm hơn nhiều (mili giây trên bit) so với đọc từ ROM hoặc ghi vào RAM (nano giây trong cả hai trường hợp).
Một dạng phổ biến hiện dùng là Bộ nhớ flash, gọi đơn giản là Flash, dùng với cả tư cách EEPROM lẫn trong Ổ USB flash.
D23128C PROM trên bo mạch ZX Spectrum
EPROM được chế tạo bằng nguyên tắc phân cực tĩnh điện. Cửa sổ nhỏ dùng để xóa bằng tia cực tím.