stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
Şizofreni
Toplum ve kültür

Sosyal stigmata, şizofreni hastalarının tedavisinde en büyük engel olarak tanımlanmıştır.
1999 yılında yapılan geniş bir örnekleme sahip bir çalışmada, Amerikalıların şizofreni konusundaki inanışları incelenmiştir. Bu çalışmada, şizofrenlerin başkalarına zarar verici davranışlarda bulunmasını Amerikalıların %12,8'i oldukça muhtemel olduğuna inanırken, %48,1'inin ise bunun bir miktar muhtemel olduğuna inandığı bulunmuştur. Aynı çalışmada, şizofrenlerin kendi tedavileri hakkında karar verme yetileri olup olmadığı konusunda bir başka soruya ise %74'ün üzerinde kişi pek muktedir değil veya hiç muktedir değil diye cevaplamıştır. Aynı şekilde para idaresi konusunda karar verme yetileri olup olmadığı konusundaki soruya da %70,2'si pek muktedir değil veya hiç muktedir değil diye cevaplamıştır. Yapılan bir çalışmada, psikoz hastalarının şiddete meyilli oldukları inancının 1950'lerden bu yana iki katından fazla arttığını gösterilmiştir.
Ruhsal hastalıklarda damgalamadan en çok şizofreni etkileniyor. Sanrıların ve duyulduğu sanılan seslerin şizofreni hastasını korkutabildiğini belirten uzmanlar, aynı zamanda içe kapanmaya ya da uygunsuz davranışlar sergilemesine de neden olabildiğini ifade ediyor.
Akıl Oyunları adlı kitap ve filmde, şizofreni tanısı konmuş Nobel ödüllü matematikçi John Forbes Nash'ın hayatı konu edilmiştir. Marathi dilindeki Devrai adlı filmde bir şizofreni hastası konu edilmiştir. Hastaların davranış şekli, düşünce yapısı ve hastalıkla mücadelesi konu edildiği film, Hindistan'ın batısında yer alan Maharashtra'ın Konkan bölgesinde çekilmiştir. Ayrıca, hastaların tedavide kullandıkları ilaçlar ve aile üyelerinin gösterdikleri büyük sabır da filmde konu edilen diğer konulardır. Şizofrenlerin aile üyeleri tarafından kaleme alınan gerçek olaylara dayanan kitaplardan bir diğeri ise, Avustralyalı gazeteci Anne Deveson'un oğlunun şizofreni ile mücadelesini kaleme aldığı Tell me I'm Here adlı kitaptır. Bu kitap sonradan beyaz perdeye de uyarlanmıştır.
Mark Vonnegut tarafından kaleme alınan The Eden Express adlı kitapta bir şizofreni hastasının, hastalıkla mücadelesi ve tedavi süreci konu edilmiştir. Şizofreninin konu edildiği bir diğer kitap ise, Mikhail Bulgakov'un 1975 tarihli Usta ile Margarita adlı eseridir.
Emil Kraepelin (1856–1926)
PET (Pozitron emisyon tomografisi) üzerine bir çalışmada; çalışan hafızada frontal lob aktivitesinin (kırmızı) daha az olduğu, striatumda anormal dopamin aktivitesinin büyük oranda arttığı gösterilmiş (yeşil); bunun şizofrenide nörobilişsel hasarla ilişkili olabileceği öne sürülmüştür.
Manyetik rezonans görüntüleme ve diğer beyin görüntüleme tekniklerinde teknolojinin gelişimini takiben şizofreni tanısı almış kişilerde beyin aktivitesindeki farklılıklar üzerine çalışmalar vardır.
1950'lerde şizofreni tedavisinde kullanılmasıyla çığır açan klorpromazin molekülü
John Forbes Nash, üniversite yıllarında paranoid şizofreni semptomları göstermeye başlayan Amerikalı matematikçi. 1994 yılında Nobel Ödülü kazandı, 2001 yılında hayatı Akıl Oyunları adlı filmde betimlendi.
İnandık Vazosu

Başlığın diğer anlamları için İnandık sayfasına bakınız.
MÖ 17. yüzyıla ait vazonun görüntüsü
İnandık Vazosu Hitit devletinin Hanhana (Çankırı'ya yakın İnandık Köyü) adlı kült merkezinde bulunan ünlü vazodur. Üzerindeki resim kutsal tanrılarının evlilik törenini anlatmaktadır. Hitit kültürünü çok iyi yansıtır.
Asur Ticaret Kolonileri Çağı'nda da görülen kabartmalı vazo yapma geleneği, Eski Hitit Dönemi'nde devam etmiş ve en iyi örnekleri Eskiyapar Höyüğü, İnandık Höyük, Bitik Höyük ve Hüseyindede Höyüğü gibi merkezlerde ele geçmiştir. 
Kabartmalı motiflerin frizler halinde üzerine yerleştirildiği İnandık Vazosu, İnandık Höyüğü'ndeki yerleşmenin tarihini ve halkının yaşantısını aydınlatması açısından önemli bir buluntudur.
Dış yüzü kabartmalı ve renkli olan bu vazonun üzerindeki kabartmalı motifler tek tek incelendiğinde, her bir figürün ve motifin birbirini tamamlar nitelikte olduğu ve bütün olarak kutsal bir töreni, büyük olasılıkla dini bir evlilik törenini, yansıttığı görülmektedir.
Vazodaki figürlerin hemen hepsi tören için bir şeyler yapmaktadır. En alttan üste doğru çıkılacak olursa ilk frizde çanak çömlek hazırlayan erkek figürü, bir Tanrı ve dua eden figürler görülmektedir. Bu belli bir inanca sahip olduklarının göstergesidir. Bunların dışında lir çalan erkek ve yemek hazırlayan kadın figürlerine de rastlanmaktadır. İlk frizdeki figürlerden yola çıkarak erkek ve kadınlar arasında bir iş bölümü olduğundan söz edilebilir. II. frize bakıldığında bir boğa heykeli ve boğayı hançerleyen bir erkek figürü göze çarpmaktadır. Kutsal törenlerde kurban kesmenin o zamanlardan gelen bir gelenek olduğunun göstergesi olması açısından önemli bir ayrıntıdır. Tanrı ve dua eden figürler II. frizde de vardır. Ayrıca Tanrı'ya içki sunan erkeğin elindeki gaga ağızlı testiden yola çıkarak, kaplarını hayvan figürleriyle süsledikleri söylenebilir. Yine içkinin Tanrı'ya sunulması da içkinin kutsal bir önem ifade ettiğini göstermektedir. III. frizde görülen kutsal izdivaç yatağı üzerinde oturan tanrı ve tanrıça figürleri, vazodaki kabartmaların kutsal bir evlilik törenini anlattığını kanıtlar niteliktedir. Kerpiçten yapılmış mabet de o çağda o yerleşimde mimarinin ne şekilde olduğunu örnekleyebilir. Bu frizde ellerinde kılıç tutan erkek figürleri de görülmektedir. Bu da savunmanın da ön planda olduğunu gösterir. Son frizde, en sağda, erkek ve kadının erotik pozda tasvir edildiği bir sahne göze çarpmaktadır. Burada neslin devamı için üremenin önemli olduğu vurgulanmaktadır denebilir. Aynı frizde birkaç tane akrobat çeşitli gösteriler yapmaktadır. Eğlenceye ne kadar önem verildiğinin bir göstergesidir. Aynı şekilde tüm frizlerin hepsinde görülen lir ve çalpara çalan figürler de müziğin ve eğlencenin o dönemlerdeki önemini gösterir niteliktedir.
İnandık Vazosu, Asur Ticaret Kolonileri Çağı'na geçişte, Eski Hitit Çağı ve devamındaki yaşam biçimi için tipik bir örnek teşkil etmektedir. Tek bir nesneden; o çağdaki inançlardan, kültürden, yaşam şeklinden söz edilebilmesini sağlamaktadır. Bu anlamda oldukça önemli bir buluntudur.
İndüktans

İndüktans elektromanyetizma ve elektronikte bir indüktörün manyetik alan içerisinde enerji depolama kapasitesidir. İndüktörler, bir devrede akımın değişimiyle orantılı olarak karşı voltaj üretirler. Bu özelliğe, onu karşılıklı indüktanstan ayırmak için, aynı zamanda öz indüksiyon da denir. Karşılıklı indüktans, bir devredeki indüklenen voltajın başka bir devredeki akımın zamana göre değişiminin etkisiyle oluşur.
Bir devredeki öz indüksiyon L, niceliksel olarak SI birimleri kullanılarak (Weber bölü Amper, yani Henry) şu şekilde ifade edilir:
burada v voltajı Volt birimiyle ve i akımı Amper birimiyle ifade edilmiştir. Bu denklemin en basit çözümü için ya sabit bir akım düşünülmelidir ya da zamana bağlı olarak doğrusal değişen bir akım düşünülmelidir. Birincisinde voltaj sıfırdır, ikincisinde ise sabit bir voltaj değeri vardır.
'İndüktans' terimi Oliver Heaviside tarafından 1886 Şubatında keşfedildi. Fizikçi Heinrich Lenz'in onuruna İndüktans için fizik dünyasında yaygın olarak "L" kısaltması kullanılmaktadır.
İndüktansın SI birimlerine göre birimi henry (H) olarak ifade edilir. Bu isim Amerikan bilim insanı ve manyetik araştırmacısı Joseph Henry'den alınmıştır. 1 H = 1 Wb/A.
İndüktans, Amper yasasına göre elektrik akımı tarafından yaratılan manyetik alanın bir sonucudur. Bir devreye indüktans eklemek için, indüktör dediğimiz elektronik bileşenleri kullanılır. Bunlar genellikle manyetik alanı şiddetlendirmek ve indüklenen voltajı toplamak için tel bobinlerden oluşur. Bu, bir devreye kapasitans eklemek için kondansatör kullanılmasına benzer. Kapasitans, Gauss yasasına göre elektrik yükü tarafından oluşturulan elektrik alanın bir sonucudur.
Durumu genelleştirecek olursak, K sayıda elektrik devresi düşünelim ve bunların elektrik akımları im, voltajları ise vm olsun, buna göre:
Burada indüktans simetrik bir matristir. Köşegende bulunan katsayılar Lm,m öz indüksiyon katsayılarıdır, diğer katsayılarsa karşılıklı indüktans katsayılarıdır. Doğrusal olmayan özelliklere sahip hiçbir mıknatıslanabilir madde olmadığında bu indüktans katsayıları sabittir. Bu, doğrudan Maxwell denklemlerinin alanlarda ve akım yoğunluklarındaki doğrusallığının (lineer) doğrudan bir sonucudur. Doğrusal olmayan durumlarda ise indüksiyon katsayıları akımın bir fonksiyonu şeklinde ifade edilir, bakınız doğrusal olmayan indüktans
Faraday'ın indüktans yasasının türetilmesi

Ana madde: Faraday'in indüksiyon kanunu
Yukarıdaki indüktans denklemleri Maxwell denklemlerinin bir sonucudur. İnce telleri olan bir elektrik devresi düşünülürse eğer oldukça açık bir türetiliş vardır.
Her biri birkaç kez dolanmış tellerin olduğu, K tel sarımları sistemi düşünün. m düğümü (sarımlar) Akı denklemi şöyledir:
Burada, Nm m düğümündeki sarım sayısı, Φm bu düşümdeki manyetik akı ve Lm,n bazı sabitlerdir. Bu denklem Ampère yasasıdır - manyetik alanlar ve akılar, akımların doğrusal fonksiyonlarıdır. Faraday'in indüksiyon kanunu kullanılarak, şunu elde ederiz:
burada, vm m devresinde indüklenen voltajı ifade etmektedir. Eğer Lm,n sabitleri indüksiyon sabitleri kullanılarak belirlenirse, bu, indüktansın yukarıdaki tanımıyla uyumlu olacaktır. Nnin yani toplam akımlar Φm için katkı sunduğundan Lm,n sarım sayılarının çarpımıyla NmNn orantılı olacaktır.
İndüktans ve manyetik alan enerjisi

Yukarıdaki denklemdeki vm ile imdt çarparak m üzerinden toplarsak, bu bize dt zaman aralığında sisteme taşınan enerjiyi verecektir,
Bu, akımlar tarafından oluşturulan manyetik alan enerjisinin (W) değişimiyle eşit olmalıdır. İntegre edilebilirlik koşulu
Lm,n=Ln,m eşitliğini gerektirir. Dolayısıyla indüktans matrisi Lm,n simetriktir. Enerji transferinin integrali, manyetik alan enerjisinin akıma göre bir fonsiyonudur,
Bu denklem de Maxwell denklemlerinin doğrusallığının (lineer oluşunun) doğrudan bir sonucudur. Değişen elektrik akımlarını artan ya da azalan bir manyetik alan enerjisiyle ilişkilendirmek kolaylaştırıcı olacaktır. Bu bahsi edilen enerji transferi ya voltaja ihtiyaç duymaktadır ya da voltaj üretmektedir. Manyetik alan enerjisinin K=1 durumu için mekanikle ilgili bir benzetme yapacak olursak, (1/2)Li2 M kütleli bir cisim, hız u ve kinetik enerji de (1/2)Mu2 olacak şekilde düşünülebilir. Hızın değişimi (akım) ile kütlenin (indüktans) çarpımı bir kuvvet (elektrik voltajı) yaratmaktadır ya da bir kuvvete ihtiyaç duymaktadır.
Eşli indüktörler

Ayrıca bakınız: Eşli (elektronik)
Karşılıklı indüktans, bir indüktördeki akım değişiminin yanında bulunan başka bir indüktörün voltajını indüklemesiyle oluşur. Bu transformatörün çalışma mekanizması açısından oldukça önemlidir; fakat yine bu istenmeyen eşli salınımlara neden olur.
Karşılıklı indüktans, M, aynı zamanda iki indüktörler arasındaki eşli salınımın bir ölçüsüdür. i devresindeki ve j devresindeki karşılıklı indüktans çift katlı Neumann formülüyle hesaplanır, bakınız hesaplama teknikleri
Karşılıklı indüktans ayrıca şu ilişkiye sahiptir:
burada
Karşılıklı indüktansın eşli salınım katsayısıyla da bir ilişkisi vardır. Eşli salınım katsayısı her zaman 1 ile 0 arasındadır ve bu katsayının kullanımı herhangi bir indüktansla indüktörün belirli bir yönelimi arasındaki ilişkiyi belirlemek açısından faydalıdır.
burada
İlk olarak karşılıklı indüktans M belirlenir, bundan sonra M devrenin davranışını tahmin etmek için kullanılır.
burada
Eksi işareti diyagramda tanımlanan I2 akımıyla ilgilidir. Diyagramda, noktalara gelen her iki akım da noktalara doğru geldiği için M pozitiftir.
Bir indüktör kendisine oldukça yakın başka bir indüktörün karşılıklı indüktansıyla eşli salınım durumundaysa, tıpkı transformatörlerde olduğu gibi, voltaj, akım ve sarım sayıları arasındaki ilişki şu şekilde olur:
burada
Tersine, akım için durum şöyledir:
burada
Burada bir indüktör üzerindeki güç ile diğer indüktör üzerindeki gücün aynı olduğunu unutmayın. Ayrıca burada, her iki transformatör de güç kaynağına bağlanırsa bu denklemlerin bir sonuç vermeyeceğine dikkat edin.
Transformatörün iki tarafı da ayarlı devre ise, iki sargılar arasındaki karşılıklı indüktans miktarı frekans tepki eğrisinin şeklini belirler. Sınırları tanımlanmış olmasına rağmen, bu genellikle gevşek (loose couplinng), kritik (critical couplinng) ve fazla (overcouplinng) eşli salınım ifadeleriyle adlandırılır. İki ayarlı devre karşılıklı indüktans için gevşek eşli salınım yapacak durumdaysa, bant genişliği dar olacaktır. Karşılıklı indüktans miktarı arttıkça, bant genişliği de büyümeye devam eder. Karşılıklı indüktans kritik bir noktanın ötesine kadar arttığında, yanıt eğrisindeki pik değeri de düşmeye başlar ve merkez frekans, kendi yan bantlarına göre daha çok azalır. Bu fazla eşli salınım olarak bilinir.
Hesaplama teknikleri

En genel durumda, indüktans Maxwell denklemlerinden hesaplanabilir. Birçok önemli durum sadeleştirmeler kullanarak çözülebilir. Yüksek frekanslı akımlar düşünüldüğünde yüzey etkisiyle, yüzey akım yoğunlukları ve manyetik alan, Laplace denkleminin çözülmesiyle elde edilebilir. İletkenlerimiz ince teller ise, öz indüktans tel yarıçapına ve akımın tel üzerindeki dağıtım bağlıdır. Burada, eğer oldukça küçük yarıçaplı teller kullanıyorsak, tel içindeki akım dağılımı neredeyse sabittir (eşit dağılım gösterir).
Hesaplama teknikleri > Karşılıklı indüktans

Bir i ince tel devresinin, başka bir j ince tel devresi üzerindeki karşılıklı indüktansı çift katlı Neumann formülü olarak bulunur:
μ0 manyetik sabittir (4π×10−7 H/m), Ci ve Cj teller tarafından oluşturulan eğrilerdir, Rij iki nokta arasındaki uzaklıktır. Sembolü μ 0 ifade eder manyetik sabit (4π×10−7H/m),Ci veCj teller tarafından yayılmış eğrileri. Bakınız: bu denklemin türetilmesi.
Hesaplama teknikleri > Öz indüktans

Bir tel düğümünün öz indüksiyonu yukarıdaki denklemde i = j için bulunan çözümdür. Ancak, burada 1/R ifadesi sonsuza gideceği için burada tel yarıçap değerini, a ifadesini kullanıyoruz, burada telin içerisindeki alım dağılımı hesaba katılmaktadır. Şimdi elimizde |R| ≥ a/2 değeri için tüm noktalarda alınan integralin ve bir düzeltme teriminin katkısı kalır,
Burada, a telin yarıçapı, l telin uzunluğu, Y tel üzerinde akım dağılımına bağlı olan bir sabittir: eğer akım telin yüzeyinden akıyorsa Y = 0 (yüzey etkisi), eğer akım telde homojen bir şekilde dağılmışsa Y = 1/2. Tellerin uzunlukları kesit alanlarına göre oldukça büyükse bu yaklaşım doğrudur. Bakınız: bu denklemin türetilmesi.
Hesaplama teknikleri > Görüntü yöntemi

Bazı durumlarda farklı akım dağılımları uzayın bazı yerlerinde aynı manyetik alanı üretir. Bu gerçek öz indüktansı ilişkilendirmek için kullanılabilir. (görüntü yöntemi) Örnek olarak iki sistem düşünün:
Mükemmel iletken bir duvarda d/2 uzaklıkta bir tel
Aralıarında d kadar uzaklık bulunan ve zıt yönde akımlar taşıyan iki tel
İki sistemin de manyetik alanı bir birinin aynısıdır. Manyetik alan enerjisi ve ikinci sisteminin indüktansı böylece ilk sistemin iki katı olur.
Hesaplama teknikleri > İndüktans ve kapasitans arasındaki ilişki

İletim hatları adı verilen özel durumda, yani kesit alanları rastgele ama sabit olan iki paralel mükemmel iletken durumunda, indüktans bölü uzunluk L' ve sığa (kapasitans) bölü uzunluk C' birbirleriyle bağıntılıdır,
Burada ε ve µ sırasıyla iletkenlerin yerleştirildiği ortamın dielektrik sabiti ve manyetik geçirgenliğidir. İletkenler içerisinde elektrik alan ve manyetik alan yoktur (kusursuz yüzey etkisi, yüksek frekans).Akım bir çizgiden akar ve bir diğerinden geri gelir. Sinyaller iletkenleri saran iletken olmayan ortamda elektromanyetik radyasyon hızında iletim hattı boyunca yayılır.
Basit elektrik devrelerin hava ortamındaki öz indüksiyonu

Birçok türedeki elektrik devrelerinin öz indüksiyonu formüle edilerek verilebilir. Örnekler tabloda listelenmiştir.
| Tür | İndüktans /  \mu _{0} | Açıklama |
| --- | --- | --- |
| Tek yüzeyli  solenoid |  {\frac {r^{2}N^{2}}{3l}}\left\{-8w+4{\frac {\sqrt {1+m}}{m}}\left(K\left({\sqrt {\frac {m}{1+m}}}\right)-\left(1-m\right)E\left({\sqrt {\frac {m}{1+m}}}\right)\right)\right\}  ={\frac {r^{2}N^{2}\pi }{l}}\left\{1-{\frac {8w}{3\pi }}+\sum _{n=1}^{\infty }{\frac {\left(2n\right)!^{2}}{n!^{4}\left(n+1\right)\left(2n-1\right)2^{2n}}}\left(-1\right)^{n+1}w^{2n}\right\}   ={\frac {r^{2}N^{2}\pi }{l}}\left(1-{\frac {8w}{3\pi }}+{\frac {w^{2}}{2}}-{\frac {w^{4}}{4}}+{\frac {5w^{6}}{16}}-{\frac {35w^{8}}{64}}+\dots \right) for w ≪ 1   =rN^{2}\left\{\left(1+{\frac {1}{32w^{2}}}+O\left({\frac {1}{w^{4}}}\right)\right)\ln {8w}-1/2+{\frac {1}{128w^{2}}}+O\left({\frac {1}{w^{4}}}\right)\right\} for w ≫ 1 |  N: Sarım sayısı  r: Yarıçap   l: Uzunluk  w = r/l  m=4w^{2}    E,K: Eliptik integraller |
| Eşeksenli tel,  yüksek frekans |  {\frac {l}{2\pi }}\ln {\frac {a_{1}}{a}} | a1: Dış yarıçap a: İç yarıçap l: Uzunluk |
| Dairesel düğüm |  r\cdot \left(\ln {\frac {8r}{a}}-2+{\frac {Y}{2}}\right) | r: Düğüm çapı  a: Tel yarıçapı |
| Dikdörtgen |  {\frac {1}{\pi }}\left(b\ln {\frac {2b}{a}}+d\ln {\frac {2d}{a}}-\left(b+d\right)\left(2-{\frac {Y}{2}}\right)+2{\sqrt {b^{2}+d^{2}}}-b\cdot \operatorname {arsinh} {\frac {b}{d}}-d\cdot \operatorname {arsinh} {\frac {d}{b}}\right) | b, d: Sınır uzunluğu  d ≫ a, b ≫ a  a: Tel yarıçapı |
| Pair of parallel  wires |  {\frac {l}{\pi }}\left(\ln {\frac {d}{a}}+Y/2\right) | a: Tel yarıçapı  d: Uzaklık, d ≥ 2a  ‘‘l’’: Eşlerin uzunluğu |
| Paralel tel  çifti, yüksek frekans |  {\frac {l}{\pi }}\operatorname {arcosh} \left({\frac {d}{2a}}\right)={\frac {l}{\pi }}\ln \left({\frac {d}{2a}}+{\sqrt {{\frac {d^{2}}{4a^{2}}}-1}}\right) | a: Tel yarıçapı  d: Uzaklık, d ≥ 2a  ‘‘l’': Eşlerin uzunluğu |
| Mükemmel iletken  bir duvara  paralel tel |  {\frac {l}{2\pi }}\left(\ln {\frac {2d}{a}}+Y/2\right) | a: Tel yarıçapı  d: Uzaklık, d ≥ a  l: Uzunluk |
| Mükemmel iletken   bir duvara paralel  tel, yüksek frekans |  {\frac {l}{2\pi }}\operatorname {arcosh} \left({\frac {d}{a}}\right)={\frac {l}{2\pi }}\ln \left({\frac {d}{a}}+{\sqrt {{\frac {d^{2}}{a^{2}}}-1}}\right) | a: Tel yarıçapı  d: Uzaklık, d ≥ a  l: Uzunluk |
μ0 manyetik sabiti (4π×10−7H/m) ifade etmektedir. Yüksek frekanslarda elektrik akımı iletkenin yüzeyinden akmaktadır (yüzey etkisi). Geometriye bağlı olarak zaman zaman düşük ve yüksek frekans indüktanslarını ayırt etmek gerekir.
Bu, Y sabitinin amacı olarak görülebilir: 
eğer akım telin yüzeyinden akıyorsa Y = 0 (yüzey etkisi), eğer akım telde homojen bir şekilde dağılmışsa Y = 1/2.
Yüksek frekans durumunda, eğer iletkenler birbirlerine yaklaşıyorlarsa, ek olarak başka bir görüntü akımı yüzeyden akar ve Y sabitini içerek denklem geçersiz olur. Bazı devre tipleri için detaylar başka bir sayfada mevcuttur.
Fazör devre analizi ve empedans

Fazör kullanırsak, bir indüktansın eş değer impedansı şöyle bulunur:
burada
Doğrusal olmayan indüktans

Birçok indüktörün yapımında manyetik malzemeler kullanılmaktadır. Bu malzemeler yeterince büyük bir alan üzerinde doygunluk etkisi nedeniyle doğrusal olmayan manyetik geçirgenlik değerlerine sahiptir. Bu da indüktansın uygulanan akımın bir fonksiyonu olmasına neden olur. Faraday Yasası burada hala geçerlidir, ancak indüktans belirsizdir ve siz devre parametrelerini ve manyetik akıyı hesaplasanız da farklı sonuçlar verir.
Sekant veya büyük sinyal indüktansı akı hesaplamalarında kullanılır. Şöyle tanımlanmıştır:
Diğer taraftan diferansiyel veya küçük sinyal indüktansı, voltaj hesaplanmasında kullanılır. Şöyle tanımlanmıştır:
Diferansiyel indüktanstan elde edilen doğrusal olmayan indüktörün devre voltajı Faraday Yasası ve kalkülüsteki zincir kuralı ile gösterilir.
Doğrusal olmayan karşılıklı indüktans için benzer tanımlar vardır.
Genel kaynaklar

Frederick W. Grover (1952). Inductance Calculations. Dover Publications, New York.
Griffiths, David J. (1998). Introduction to Electrodynamics (3rd ed.). Prentice Hall. ISBN 0-13-805326-X.
Wangsness, Roald K. (1986). Electromagnetic Fields (2.2 yayımcı=Wiley bas.). ISBN 0-471-81186-6.
Hughes, Edward. (2002). Electrical & Electronic Technology (8th ed.). Prentice Hall. ISBN 0-582-40519-X.
Küpfmüller K., Einführung in die theoretische Elektrotechnik, Springer-Verlag, 1959.
Heaviside O., Electrical Papers. Vol.1. – L.; N.Y.: Macmillan, 1892, p. 429-560.
F. Langford-Smith, editor, 1953, Radiotron Designer's Handbook, 4th Edition, Wireless Press for Amalgamated Wireless Valve Company PTY, LTD, Sydney, Australia together with Eectron Tube Division of the Radio Corporation of America [RCA], Harrison, N. J. No Library of Congress Card Catalog Number or ISBN. Chapter 10 pp. 429–448 Calculation of Inductance includes a wealth of approximate formulas and nomographs for single-layer solenoids of various coil diameters and pitch of windings and lengths, the effects of screens, formulas and nomographs for multilayer coils (long and short), for toroidal coils, for flat spirals, and a nomograph for the mutual inductance between coaxial solenoids. With 56 references.
Roman Jakobson

| Roman Jakobson |
| --- | --- |

Doğumu: Roman Osipovich Jakobson 11 Ekim [E.U. 29 Eylül] 1896 
Ölümü: 18 Temmuz 1982 (85 yaşında) Massachusetts, ABD 
Evlilik: Svatava Pirkova, Krystyna Pomorska
Alma mater: Lazarev Doğu Dilleri Enstitüsü Moskova Üniversitesi
Okulu: Moskova dil çevresi Prag dil çevresi
İlgi alanları: Dilbilim
Önemli fikirleri: Jakobson's functions of language Markedness
Roman Osipoviç Jakobson (Rusça: Роман Осипович Якобсон) (d. 11 Ekim 1896 – ö. 18 Temmuz 1982), Rus düşünür.
Kariyeri

Roman Jakobson Rus biçimcilerinin önde gelen isimleri arasında kabul edilmektedir. Saussure’ün dil ve dilde anlamın oluşturulması konularında getirdiği sistemli çalışmaları takip etmiştir. Saussure’ün dili göstergeler bütünü olarak tanımlamasının Jakobson’ın bu yazısının temelini oluşturduğunu anlarız (Munday, s. 59). Bkz. Munday, Jerome. Introducing Translation Studies (Routledge, 2016).
Roman Jakobson’ın 1959 yılında "On Linguistic Aspects of Translation" başlıklı yazısı, dilbilim alanındaki gelişmelerin çeviri alanındaki yansımalarının erken çalışmaları arasında yer alır. Çeviri, Jakobson tarafından eşdeğerlik düzeyinde açıklanmış ve daha çok diller arası eşdeğerlik sorunsalı üzerinde durulmuştur (Aksoy, s. 21). Bkz. Aksoy, Beril. Geçmişten Günümüze Yazın Çevirisi (İmge, 2002). Anlam ve eşdeğerlik kavramlarını çeviri bağlamında tartışan bu yazısında Jakobson, “iki ayrı dilde kullanılan sözcüklerin anlamsal açıdan birbirine eşdeğer olamayacağı sonucuna varır” (Gürçağlar, s. 115). Bkz. Gürçağlar, Şehnaz Tahir. Çevirinin ABC'si (Say Yayınları, 2011). Çeviriye dilbilimsel yaklaşım 1950lerde ve 60larda her iki alanda da yaygın görüş halini alacak ve Jokabson'ın bu eseri çeviri kuramı bağlamında eşdeğerlik sorununa farklı yaklaşımlar sunacak olan Nida ve Catford gibi isimlere de öncü olacaktır.
1917'den önce Jakobson.
Bilican Dağları

| --- | --- |
Bilican Dağları

En yüksek noktası
Yükseklik: 2.950 m (9.680 ft)
Listelenme: Ultra zirve
Koordinatlar: 38°58′00″K 42°10′00″D﻿ / ﻿38.96667°K 42.16667°D﻿ / 38.96667; 42.16667
Bilican Dağları, Muş'un Bulanık ilçesinde bulunan dağlardır.
Muş ili Bulanık ilçesi sınırları içinde bulunan bu dağ, doğuda Süphan Dağı'nın uzantısı olan Yakupağa Dağları´nın batıya doğru uzantısının sonunda yükselir. Yaz ayları hariç, tüm yıl zirvesinde kar vardır. Güney-Batı tarafı yatık, kuzey-doğu tarafı diktir. Bitki örtüsü seyrek Meşe ağaçlarıdır.
Tepeleri

Bilican Tepesi (Ziyaret Tepesi, Vangesor Tepesi) (Rakım: 2950 metre)
Avni Kalesi Tepesi (Rakım: 2754 metre)
Şeyhtokum Tepesi (Rakım: 2300 metre)
Karaburun Tepesi (Rakım: 2500 metre)
Hasan Tepesi