เซนเซอร์รูปภาพ
ข้อแตกต่างระหว่าง CCD และ CMOS

กล้องดิจิทัลในปัจจุบันมักใช้เซนเซอร์รูปภาพแบบ CCD หรือ CMOS ซึ่งทั้งสองประเภทสามารถตรวจจับแสงและแปลงเป็นสัญญาณอิเล็กโทรนิคได้เหมือนกัน แต่เทคโนโลยีเซนเซอร์ CCD มีมานานกว่าและแทบจะเรียกได้ว่าเป็นเซนเซอร์รูปภาพที่ครองตลาดสำหรับผู้บริโภค โดย CCD เริ่มมีมาตั้งแต่ปี 1993 และพัฒนาเรื่อยมาจนกระทั่ง CMOS เริ่มมามีส่วนแบ่งตลาดและเกือบจะทดแทนเทคโนโลยี CCD ในปี 2008
เซนเซอร์แบบ CCD มีลักษณะเป็นอุปกรณ์อนาล็อก ประกอบไปด้วยหลอดโฟโต้ไดโอดทำด้วยซิลิคอน เมื่อแสงตกกระทบตัวชิปแล้วจะถูกเก็บไว้เป็นประจุอิเล็กโทรนิกปริมาณน้อยๆ ในตัวเซนเซอร์ ซึ่งประจุเหล่านี้จะถูกแปลงไปเป็นแรงดันไฟฟ้าทีละหนึ่งพิกเซลขณะที่ถูกอ่านจากตัวชิป จากนั้นกระแสไฟในตัวกล้องจะแปลงแรงดันไฟฟ้านี้ไปเป็นข้อมูลดิจิทัลอีกทีหนึ่ง
ชิปแบบ CMOS มีลักษณะเป็นเซนเซอร์พิกเซลตอบสนอง ที่สร้างโดยกระบวนการประจุกึ่งตัวนำสำหรับ CMOS ซึ่งจะมีแผงวงจรเพิ่มขึ้นมาข้างเซนเซอร์ภาพเพื่อแปลงพลังงานแสงเป็นแรงดันไฟฟ้า จากนั้นแผงวงจรเสริมบนตัวชิปก็จะแปลงแรงดันไฟฟ้านั้นเป็นข้อมูลดิจิทัลได้ทันที
ชิปแบบ CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) : ใช้กับ โทรศัพท์มือถือ ราคาประหยัด ถึง ปานกลาง ซึ่งเป็น โทรศัพท์มือถือ ส่วนมากในท้องตลาด ในการคำนวณค่าของแสงที่มาตกกระทบที่แต่ละ Photosite จะมีการประจุค่านั้นโดยตรง เช่นเดียวกับ CCD แต่การส่งผ่านข้อมูลต้องอาศัยสายข้อมูลขนาดเล็ก ไปทำการประมวลผลอีกทอดหนึ่ง อาศัยเทคโนโลยีการผลิตแบบเก่า ซึ่งเป็นแบบเดียวกับการผลิต Microprocessor จึงเต็มไปด้วยสัญญาณรบกวน และมีผลทำให้เกิดการลดทอนคุณภาพของภาพถ่าย ตัวเซนเซอร์เองมีความผิดพลาดในการส่งข้อมูลสูง มีความไวต่อแสงน้อย จึงมีผลทำให้คุณภาพของภาพถ่ายที่ได้ด้อยกว่า CCD ส่วนการผลิตสามารถทำได้บนแผ่นซิลิคอนมาตรฐานทั่วไป จึงทำให้ต้นทุนในการผลิตต่ำกว่า CCD
ชิปแบบ CCD (Charge Coupled Device) : เป็นเทคโนโลยีที่ใหม่กว่า สามารถถ่ายภาพได้คุณภาพที่ดีกว่า แต่ก็มีต้นทุนที่สูงกว่าเช่นกัน มักนำมาใช้กับ โทรศัพท์มือถือ ราคาแพง ในการคำนวณค่าของแสงที่มาตกกระทบที่แต่ละ Photosite จะมีการประจุค่านั้นโดยตรง เช่นเดียวกับ CMOS และจะแปลงค่าแสงที่เป็น อนาล็อก ให้เป็นแบบ ดิจิทัล ซึ่งกระบวนการเหล่านี้เกิดขึ้นอย่างรวดเร็ว และส่งประจุได้โดยตรงไปยัง Chip โดยไม่เกิดการตัดทอนสัญญาณ หรือสิ่งที่รบกวนสัญญาณภาพ ซึ่งเกิดจากเทคโนโลยีกระบวนการผลิตขั้นสูง เพื่อให้เซนเซอร์มีคุณภาพ และไวต่อแสงที่มาตกกระทบ ซึ่งทำให้คุณภาพของภาพถ่ายที่ได้ดีกว่า CMOS แต่ CCD ก็ยังต้องใช้พลังงานมากกว่า CMOS อยู่ และการผลิดต้องใช้แผ่นซิลิคอนแบบพิเศษที่ผลิตขึ้นมาโดยเฉพาะ จึงทำให้ต้นทุนในการผลิตนั้นสูงกว่า CMOS ไปด้วย
เทคโนโลยีทั้งสองแบบไม่ได้มีข้อได้เปรียบที่ชัดเจนในด้านคุณภาพของภาพ ในด้านหนึ่ง เซนเซอร์แบบ CCD จะมีโอกาสเกิดรอยเปื้อนแนวยาวจากแหล่งแสงที่สว่างจ้าได้ยามที่ตัวเซนเซอร์ถูกใช้งานอย่างหนัก แต่อุปกรณ์ถ่ายเทประจุระดับสูงจะไม่ประสบปัญญานี้ ส่วนเซนเซอร์ CMOS ก็มีโอกาสเกิดผลข้างเคียงที่ไม่พึงประสงค์จากชัตเตอร์แบบหมุนได้มากกว่า
การประยุกต์ใช้เซนเซอร์ CMOS สามารถทำได้โดยใช้อุปกรณ์ประกอบที่น้อยกว่า ใช้พลังงานน้อยกว่า และสามารถแสดงผลได้เร็วกว่า CCD ส่วนเซนเซอร์ CCD นั้นเป็นเทคโนโลยีที่มีการพัฒนามายาวนานกว่าและเทียบเคียงได้กับ CMOS ในหลายๆ ด้าน นอกจากนี้แล้ว ต้นทุนการผลิต CMOS ก็ต่ำกว่าเซนเซอร์ CCD
สถาปัตยกรรมที่เป็นลูกผสมระหว่าง CCD และ CMOS มีชื่อว่า "sCMOS" โดยประกอบไปด้วยแผงวงจรรวมสำหรับอ่านผล CMOS (CMOS readout integrated circuits - ROICs) ที่เชื่อมต่อวัสดุซับสเตรทภาพ CCD ทั้งนี้ เทคโนโลยีดังกล่าวถูกพัฒนาเพื่ออุปกรณ์ตรวจจับภาพอินฟราเรดและในปัจจุบันได้นำมาปรับใช้กับเทคโนโลยีอุปกรณ์ตรวจจับที่มีซิลิคอนเป็นส่วนประกอบ อีกกรรมวิธีหนึ่ง จะใช้ระยะที่เล็กมากๆ ที่มีในเทคโนโลยี CMOS รุ่นใหม่ๆ ไปใช้กับโครงสร้างที่คล้ายกับ CCD ด้วยเทคโนโลยีของ CMOS ทั้งหมด หรือคือนำเทคโลโยีดิจิทัลไปใช้กับโครงสร้างอนาล็อก โดยวิธีนี้จะใช้การแยกประตูโพลีซิลิคอนแต่ละช่องด้วยระยะที่เล็กมากๆ เซนเซอร์เหล่านี้ยังคงอยู่ในขั้นตอนวิจัยและพัฒนา และจะสามารถผนวกเอาศักยภาพต่างๆ ของทั้ง CCD และ CMOS เข้าไว้ด้วยกัน
นอกจากนี้ นับแต่ปี 2006 ทางบริษัทผู้ผลิตเซนเซอร์ Panasonic ยังได้พัฒนาเซนเซอร์ที่เรียกว่า Live-MOS โดยใช้เทคโนโลยี MOS ซึ่งให้ภาพคุณภาพสูงแต่กินพลังงานน้อยกว่า CCD เนื่องจากในแต่ละพิกเซลจะมีส่วนเชื่อมต่อที่น้อยลง ภาพที่ได้จะเสมือนส่งผ่านให้ชมแบบ "ทันที" (live) แม้จะไม่ได้ใช้กรรมวิธีการแปลงแบบดั้งเดิมในเซนเซอร์ CCD