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ナノ発電機
圧電型ナノ発電機 > 材料

ナノ発電機の圧電材料候補となる物質はさまざまだが、中でも酸化亜鉛（ZnO）、硫化カドミウム（CdS）、窒化ガリウム（GaN）などウルツ鉱型の結晶構造を持つ物質が注目されている。その最大の特長は水熱合成法という簡便で低コストの加工法にある。水熱合成では結晶性の物質を垂直に成長させられるのに加え、100℃以下の低温で実行できるため、基板を選択する上で融点のような物性を考慮しなくてすむ。
より圧電性の優れたナノワイヤを求める動きの中で、ウルツ鉱型以外の圧電体も開発が進められてきた。ジョージア工科大学のワンはp型半導体ZnOナノワイヤを導入した。n型半導体の場合と異なりp型では電荷担体がホールであるため、ショットキー接合の機能はn型とは逆となり、ナノ構造の中でホールが蓄積した部分から電気信号が発生する。p型ZnOナノワイヤから生成される出力信号はn型の10倍近くになることが示されている。
ペロブスカイト構造を取る物質がウルツ鉱型構造より圧電効率が良い点に注目して、イリノイ大学アーバナ・シャンペーン校のM・F・ユーはチタン酸バリウム（BaTiO3）ナノワイヤの研究を行ってきた。その出力信号はZnOナノワイヤで同様の構造を作ったときと比べて16倍以上となることが示された。
カリフォルニア大学バークレー校のリウェイ・リンはポリフッ化ビニリデン（PVDF）を用いたナノ発電機を提案した。高分子であるPVDFの作製には、上述の半導体材料とはまったく異なる近接場エレクトロスピニング（英語版）が用いられる。その生成プロセスを制御するとナノファイバー（英語版）を基板上に直接プリントすることが可能であり、自己給電型の繊維エレクトロニクスへの応用も期待されている。
圧電型ナノ発電機の性能は圧電定数に全面的に依存することから、圧電応答が高い新材料を探究することでデバイスの性能を高める方向性の研究もある。マグネシウムニオブ酸・チタン酸鉛（PMN-PT）は組成と方位次第で非常に高い圧電定数を実現できる次世代圧電材料である。2012年には高い圧電定数を持つPMN-PTナノワイヤが水熱法によって作製され、エネルギーハーベスティングデバイスに組み込まれた。後に作製された単結晶PMN-PTナノベルトは圧電定数の記録を塗り替え、圧電ナノ発電機の構成要素として欠かせない存在になった。
2010年までに報告された材料の比較を以下に示す。
| 材料 | タイプ | 形状 | 出力電圧 | 出力電力 | 合成法 | 研究者 |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| ZnO（n型） | ウルツ鉱型 | D: 〜100 nm, L: 200〜500 nm | VP = 〜9 mV (R = 500 MΩ) | 〜0.5 pW毎サイクル（見積もり値） | CVD、水熱法 | ジョージア工科大 |
| ZnO（p型） | ウルツ鉱型 | D: 〜50 nm, L: 〜600 nm | VP = 50〜90 mV (R = 500 MΩ) | 5〜16.2 pW毎サイクル（計算値） | CVD | ジョージア工科大 |
| ZnO-ZnS | ウルツ鉱型（ヘテロ構造） | 記載なし | VP = 〜6 mV (R = 500 MΩ) | 〜0.1 pW毎サイクル（計算値） | 熱蒸着およびエッチング | ジョージア工科大 |
| GaN | ウルツ鉱型 | D: 25〜70 nm, L: 10〜20 µm | Vavg = 〜20 mV , Vmax = 〜0.35 V (R = 500 MΩ) | 〜0.8 pW毎サイクル（平均、計算値） | CVD | ジョージア工科大 |
| CdS | ウルツ鉱型 | D: 〜100 nm, L: 1 µm | VP = 〜3 mV | 記載なし | PVD、水熱法 | ジョージア工科大 |
| BaTiO3 | ペロブスカイト | D: 〜280 nm, L: 〜15 µm | VP = 〜25 mV (R = 100 MΩ) | 〜0.3 aJ毎サイクル（記） | 高温化学反応 | UIUC |
| PVDF | 高分子 | D: 0.5〜6.5  µm, L: 0.1〜0.6 mm | VP = 5〜30 mV | 2.5 pW〜90 pW毎サイクル（計算値） | エレクトロスピニング | カリフォルニア大学バークレー校 |
圧電型ナノ発電機 > 応用

圧電型ナノ発電機は周期運動からエネルギーが発生する幅広い環境での応用が期待されている。たとえば、大は風や海洋波から、小は心臓の鼓動や呼吸における筋運動までが挙げられる。さらに実現が見込まれている応用としては以下のようなものがある。
圧電型ナノ発電機 > 応用 > 自己給電型ナノ・マイクロデバイス

比較的エネルギー消費が低いナノ・マイクロデバイスを運動エネルギーの豊富な環境で運用する場合に、ナノ発電機で自己給電を行うか、あるいは補助的なエネルギー源とすることが有望だと考えられている。2010年にはワンらがpHセンサやUVセンサに出力電圧20〜40 mVのVINGを組み込んで自己給電を可能にした例がある。
ただし、ナノ発電機が生成する電気エネルギーはナノ・マイクロデバイスの消費電力と比べても小さく、現在その応用範囲はバッテリーの補助エネルギー源にとどまっている。ブレークスルーを求めて、ナノ発電機を太陽電池や生化学エネルギーハーベスタのような別種のハーベスティングデバイスと組み合わせる研究が進められている。このアプローチは、自己給電が必須であるスマートダストなどのエネルギー源の発展につながると期待されている。
圧電型ナノ発電機 > 応用 > スマートウェアラブルシステム

圧電ファイバーを組み込んだ布地で作られた衣類への応用も有望視されている。身体運動から得た運動エネルギーを圧電ファイバーによって電気エネルギーに変換し、健康モニタリングシステムなどのデバイスを内蔵したスマートウェアラブルシステム（英語版）のエネルギー源とするというものである。またVINGなどのナノ発電機を靴に内蔵して、歩行運動から手軽に発電することも考えられる。
同様の応用分野として、発電機能を持つ人工皮膚がある。ワンらはハムスターに柔軟性のあるSWGを貼り付けて走らせることで最大100 mVの交流電圧が生成できることを示した。
圧電型ナノ発電機 > 応用 > 透明なフレキシブルデバイス

圧電体ナノ構造の中には柔軟かつ透明な有機基板の上でも作製可能なものがある。SKKUのキムらとSAITのチェらは透明でフレキシブルなナノ発電機を開発した。将来的にこれを自己給電型触覚センサに組み込むことで、エネルギー効率のよいタッチスクリーンデバイスが実現すると期待されている。キムらはさらにデバイスを発展させ、酸化インジウムスズ（ITO）電極をグラフェン層で置換して透明度とコスト効果を向上させた。
圧電型ナノ発電機 > 応用 > 植込み型遠隔測定エネルギー受信器

ZnOナノワイヤを基盤とするナノ発電機は植込みデバイスとしても利用できる。ZnOはそれ自体生体適合性を有し、有機基板上に作製することもできるため、デバイス全体が生体適合性を持つ。ナノ発電機を備えた人体植込みデバイスは、外部からの超音波振動を圧電ナノ構造によって電気エネルギーに変換して動作することができる。
摩擦帯電型ナノ発電機 > 概要

摩擦帯電型ナノ発電機（triboelectric nanogenerator、TENG）とは、摩擦帯電効果と静電誘導の組み合わせによって外界の力学的エネルギーを電気エネルギーに変換するエネルギーハーベスティングデバイスである。この方式は圧電型よりも後発で、2012年にジョージア工科大学のZ・L・ワンによって初めて発表された。発電ユニットの内部回路では、摩擦帯電に関して逆の極性を持つ2枚の薄膜が触れ合って電荷を授受し、電位差が作り出される。その電位差を打ち消すため、それぞれの薄膜の裏に張られた電極の間で外部回路を通して電子の流れが生じる。TENGには有機材料が最も適しているため有機ナノ発電機と呼ばれることもある。力学的エネルギーのハーベスティングデバイスで有機物質が用いられたのはこの方式が初めてであった。
2012年1月にTENGが初めて報告されて以来、その出力電力密度は12か月のうちに5ケタの向上を見た。面積電力密度は313 W/m2、体積電力密度は490 kW/m3に至り、変換効率は60%から72%を達成した。それまでにない出力性能に加え、TENGは製造加工のコストが低く、ロバスト性と信頼性が高く、環境適合性に優れるなど、数々の利点を持っていた。TENGが利用できるエネルギー源は身体運動、歩行、振動、タイヤの回転、風力、水の流れなど幅広く、至る所に存在しながら利用されていないあらゆる力学的エネルギーからハーベスティングを行うことが可能になる。
TENGの基本的な動作モードには垂直接触-分離モード、面内滑りモード、単一電極モードの3種がある。これらはそれぞれ異なった特性を持ち、用途も異なる。
摩擦帯電型ナノ発電機 > 基本的な動作モードと機構 > 垂直接触-分離モード

TENGの動作原理は、互いに逆の摩擦電荷を帯びた二枚の膜が接触と分離を繰り返すことで、電位差が周期的に変化するというものである。はじめに、電気的に中性な有機層が2層（カプトン（ポリイミド）およびPMMA）があるとする（右図 I）。機械的な動揺によってデバイスが曲げや圧迫を受けると、有機層どうしが接触して電荷の移動が起こり、片側の表面が正電荷を、もう片側が負電荷を帯びる（図 II）。これは単純な摩擦帯電効果である。変形が解放されると、二つの表面は自然に離れていき、対向する正負の電荷が空間に電場を作る。これにより上下の電極間に電位差が生じる。電位差を遮蔽するため、一方の電極からもう一方へ電子が外部負荷を通って流れていく（図 III）。この電流は電極間の電位が等しくなるまで継続する（図 IV）。その後、有機層が再び互いに圧迫されて間隔が狭まると、正負の電荷対によって誘起される電位差が減少するため、電子が外部負荷を逆向きに流れて逆方向の電流パルスが発生する（図 V）。機械的変形が周期的に繰り返されれば、交流電流信号が継続的に生成する。
ここで互いに接触する摩擦帯電材料の一つは絶縁体でなければならない。さもなければ摩擦電気は表面に止まらず逃げて行ってしまう。
摩擦帯電型ナノ発電機 > 基本的な動作モードと機構 > 横滑りモード

摩擦の基本的なプロセスには、上述のような縦方向の接触-分離のほか横方向の滑りがある。ここでは二つの表面が面に沿って摺動する方式のTENGを示す。接触面が擦り合わされて強く帯電している状況で、二つの表面の接触面積を周期的に変化させると、電荷中心の間の横方向距離が開いたとき、外部負荷に電流を流すだけの電位差が生まれる。摺動による発電機構を右の模式図に示す。はじめの位置では二つの高分子層が完全に重なり合って隙間なく接している（図の左上）。これらの間には電子を引き付ける能力に大きな差があるため、摩擦帯電効果がはたらいて一つの表面には正の電荷が現れ、もう一つの表面にはそれと等しい密度で負の電荷が現れる。これらは絶縁体であるから、摩擦電気はその場に止まり、かなりの時間にわたって逃げることがない。したがって二層が重なり合っている配置では正電荷と負電荷の間隔が実質的にゼロとなり、電極間に電位差は生じない。ここで正電荷を帯びた上側プレートを右に滑らせると、電荷中心の間の距離が開き、右から左に向けて電場が作られる（図の右上）。その結果、上部電極の電位が相対的に高くなり、上部電極から下部電極へ向けて電流が流れる。こうして電極に誘起された電荷が、摩擦電気による電位差を打ち消す向きの電圧を生む。電極層と摩擦帯電層との間の垂直距離は横方向の滑り変位と比べて無視できるので、回路を流れた電荷の総量は分離した摩擦電荷の量とおよそ等しい。そのため、滑り運動が継続して電荷が分離し続けている限り電流は流れ続け、上部プレートと下部プレートの重なり合いが完全になくなって帯電面が完全に分離したところで電流は止む（図の右下）。電流はプレートが滑る速さによって決定されることになる。その後、上部プレートの動きが反転すると、分離していた摩擦電荷が再び接触を起こすが、高分子層の絶縁性により電荷が消失することはない。帯電面どうしが再び重なっていくにつれ、過剰となった電極上の自由電荷は電気的中性を回復するため外部負荷を逆に流れていく（図の左下）。これにより、摺動の後半サイクルでは下部電極から上部電極に向けて電流が流れる。2枚のプレートが再び重なり合い、帯電面が完全に接すると、電極の誘起電荷が消えてデバイスは最初の状態に戻る（図の左上）。サイクルを通じて外向き滑りと内向き滑りのプロセスは対称であり、したがって対称的な交流電流ピークが発生すると考えられる。
帯電面の滑りによる電荷分離機構は一軸平行移動だけでなく回転運動でも可能である。いずれの場合でも、滑り面に格子線（平行移動の場合）や扇形の分割（回転円板の場合）を設けることでエネルギーハーベスティングの効率は非常に高くなる。このような構造では、パターン周期に等しい距離だけの変位で正負の帯電面を完全に分離することが可能となり、電極に誘起される電荷の輸送効率が劇的に向上する。
摩擦帯電型ナノ発電機 > 基本的な動作モードと機構 > 単一電極モード

電極を一つしか持たないタイプのTENGは、指先で触れて発電するような用途に適した設計とされている。その動作原理は、右図に模式的に示すように、接触帯電と静電誘導との組み合わせによる。はじめの位置（図の左上）では皮膚表面（ピンクの部分）とPDMS層（青い部分）が完全に接触し、電荷の移動が起きている。帯電系列上でPDMSは皮膚よりも負側に位置するので、接触帯電のプロセスによって皮膚からPDMSに電子が移る。摩擦電荷は正負が完全につり合っており、外部回路に電流が流れることはない。ここでPDMSと皮膚が分離すると、電荷のつり合いが崩れ、PDMS上で過剰になった負電荷を遮蔽するためにITO電極（オレンジの部分）に正電荷が誘起され、ITO電極からグラウンドに自由電子が流れる（図の右上）。すなわち静電誘導が起きる。皮膚とPDMS層の間隔がPDMSの膜厚と比べて十分広がれば、この過程で十分な出力信号を得ることができる。さらに間隔が広がり、PDMS上の摩擦電荷がITO電極の誘起電荷で完全に遮蔽されると出力信号は止む（図の右下）。ここで再び皮膚が近づいてくると、ITOの誘導電荷を減らすため、グラウンドからITO電極に向けて電子が戻ってくる（図の左下）。つまり、先ほどとは逆の電圧・電流信号が生じる。皮膚とPDMSが完全に接すると電荷の移動は止まる。これが単一電極モードの発電サイクルである。
摩擦帯電型ナノ発電機 > 応用

TENGとは、内部回路における摩擦帯電と外部回路における静電誘導を用いて、機械的な動揺を電気信号に変換する物理的プロセスだといえる。この基本プロセスについては主に2種類の応用が行われている。一つには特有の利点を持った力学的エネルギーのハーベスティングデバイス、もう一つは自己給電型のアクティブセンサである。
摩擦帯電型ナノ発電機 > 応用 > 振動エネルギーのハーベスティング

振動は日常生活で最も普遍的な現象の一つで、歩行運動、音声、エンジンの振動、自動車、電車、航空機、風など、至る所に存在する。したがって振動エネルギーのハーベスティングは携帯電子機器の電力源として多大な価値があり、実用化を目指してTENGの基本原理に基づく様々な技術が開発されてきた。試みのいくつかを以下に示す。(1) 従来からMEMSで用いられてきたカンチレバーの手法を応用して、振動によってカンチレバー先端と帯電体との周期的な接触・分離を作り出す方法。 (2) 複数のTENGセルを並列接続したグリッド構造によって、総出力電流を大きく向上させる試み。ワンらはこの発電ユニットをバックパックに搭載した。 (3) ばねで支持された共振器を用い、共振によって二つの帯電体の接触・分離を誘起する方式。自動車のエンジンやソファ、机から振動エネルギーを取り出せることが実証されている。 (4) 3D-TENG。接触・分離モードと摺動モードをハイブリッドした設計で、3次元的なランダム振動のエネルギーを広い帯域幅でハーベスティングすることを可能にしている。
摩擦帯電型ナノ発電機 > 応用 > 身体動作からのエネルギーハーベスティング

人が活動すると人体の周囲に豊富な力学的エネルギーが生み出される。TENGはこれを発電に利用し、携帯機器の充電や生物医学的な用途に当てることができる。柔軟性のある多層TENGをパッケージした靴の中敷きによって、歩行中の足底圧を利用したハーベスティングが行われている。このTENGは接触-分離モードを利用するもので、周期的な足底圧によって効率的に動作する。ワンらはこの技術により外部電源を用いずに点灯する靴を開発し、ディスプレイやエンターテインメントなど広い応用を見込んでいる。TENGをシャツの内側に貼り付けて身体動作から発電を行うことも行われており、通常歩行時の出力は最大で電圧17 V、電流密度0.02 µA/cm2に達している。一層のサイズが2 cm×7 cm×0.08 cmのTENGを衣類に貼りつけたもので発光ダイオード（LED）30個を点灯したりリチウムイオン電池を充電することが可能だが、衣類を平手でたたき続ける必要がある。
摩擦帯電型ナノ発電機 > 応用 > 自己給電型アクティブひずみ/力覚センサ

TENGが機械的にトリガされると電気的な出力が発生し、その大きさは機械的な変形の強さと経時特性を示す。これはTENGを自己給電型圧力センサとして使う場合の基本原理である。TENGはどのタイプでも外力に対する感度と応答の速さが良好で、鋭い信号ピークを与える。さらに1枚の羽根 （20 mg、接触圧力〜0.4 Pa）がぶつかった衝撃さえ検出が可能であるほか、センサ信号を詳細に調べることで加圧のプロセスの全体を読み取ることもできる。この種のセンサが現実世界に存在する微小な圧力の測定に応用できることは数々の研究で示されている。
TENGによってマトリックスアレイを構成すれば、物体表面に大面積の自己給電型圧力マッピングセンサを形成することが可能になる。局所的な圧力に対するTENGアレイの応答を多チャンネル測定系で測定する。この技術は人工皮膚やヒューマンインターフェースへの応用が見込まれる。
TENGからの出力信号には開放電圧と短絡電流の2種類ある。開放電圧はTENGが機械的なトリガを受けて最終的に到達した状態のみによって決まる。すなわち、開放電圧は変形量の指標であり、TENGから得られる情報のうち静的な部分にあたる。一方で出力電流は誘導電荷が流れる速さに依存するため、どのように機械的トリガが与えられたかという動的なプロセスを反映している。
摩擦帯電効果を利用したアクティブ圧力センサや集積センサアレイは、従来のパッシブ圧力センサと比べて複数の利点がある。まず、アクティブセンサは開放電圧を用いた静的センシングと短絡電流を用いた動的センシングの両方に用いることができる。従来のセンサでは載荷速度の情報を動的にセンシングすることは難しい。第二に、静的・動的センシングの両者とも応答が高速であり、圧力負荷の詳細を明らかにすることができる。第三に、TENGの動的センシングは検出限界が2.1 Paと低い。第四には、ワンらが作製したアクティブセンサアレイは電力を消費せず、自身のエネルギーハーベスティング機能と組み合わせて自己給電型圧力マッピングを可能にする。今後この分野の研究は、ピクセルサイズの小型化によって空間分解能を向上させるとともに、アクティブセンサマトリクスを完全にフレキシブルな基板に搭載して形状適合性圧力イメージングを可能にする方向に向かうと考えられる。
摩擦帯電型ナノ発電機 > 応用 > 自己給電アクティブ化学センサ

TENGの設計では、二つの帯電材料が電子を引き付ける強さに差をつけたり、表面形状を変化させることで両極に生成する電荷を最大化する。これはつまり、帯電体の表面に分子が吸着するとその種類や密度によって出力が左右されることを意味するので、TENGを化学センサや生物化学センサとして用いる可能性が開かれる。たとえば、帯電体の接触面に金ナノ粒子を堆積させるとTENGの性能は変化する。ナノ粒子はプレートが完全に密着することを防ぐスペーサーとなるほか、プレート同士の接触面積を増加させることでTENGの出力を増大させる働きがある。そして、Hg2+イオンを捕獲する働きを持つ3-メルカプトプロピオン酸 (3-MPA) 分子で金粒子表面を修飾すると、Hg2+イオンを捉えた金ナノ粒子は摩擦帯電特性が一変することから、高感度かつ選択的なHg2+イオンセンサとなる。またHg2+以外の金属イオンやDNA、タンパク質のような生体分子など、被験物質が選択的に結合することでスイッチがオンオフされるようなTENGセンサを作製できる可能性が指摘されている。
摩擦帯電型ナノ発電機 > 物質と表面構造の選択

既知の物質は金属から高分子、シルク、木材までほぼ例外なく摩擦帯電効果を示す。これらの物質がすべて材料候補になるため、TENGの設計の自由度は大きい。ただし、物質が電子を授受する能力は一様ではない。ジョン=カール・ウィルケは1757年に初めて摩擦帯電系列を発表した。帯電系列の下方に位置する物質ほど、上方の物質と触れたときに負の電荷を受け取る傾向がある。帯電列上で離れた位置にある物質を触れ合わせるほど移動する電荷量は増える。また表面のモルフォロジーも性能に影響する。物理的な手法によってマイクロ/ナノサイズのピラミッド型や立方体型、半球型のパターンを作ると、接触面積が拡大されるため摩擦帯電特性の強化につながる可能性がある。しかし、表面に凹凸構造を設けると摩擦力が増大してエネルギー変換効率に負の影響を与えるおそれもある。そのため設計の最適化が必要である。
材料の表面を様々な分子、ナノチューブ、ナノワイヤやナノ粒子によって機能化することでも摩擦帯電効果を高められる。表面機能化は表面電位に大きな影響を与えうる。表面にナノ構造を導入すると、局所的な接触特性が変わり、摩擦帯電効果の改善につながる可能性がある。材料とナノ構造の種類の組み合わせは多岐にわたるため、検証には膨大な研究が必要となる。
これら単一材料のほかにも、高分子母材にナノ粒子を埋め込んだものなど、複合材料で接触部を作製することもできる。これは表面帯電に影響を与えるだけでなく、誘電率を変化させて静電誘導の効果を強められる可能性がある。このように、TENGの性能は材料選択によって大きく改善されうるため、化学者や材料科学者にとっては基礎科学と応用の両面で研究の余地が大きい。これに対して、太陽電池や熱電デバイスのような系は材料の自由度がやや限られており、高性能デバイスの設計で選択肢はそれほど多くない。
焦電型ナノ発電機

焦電型ナノ発電機とは、焦電体のナノ構造を利用して外部の熱エネルギーを電気エネルギーに変換するエネルギーハーベスティングデバイスである。通常、熱電エネルギーのハーベスティングにはゼーベック効果（温度差によって電荷担体の非対称な拡散運動が起きる現象）が利用される。しかし、通常の屋外環境のように温度が空間的に均一な場合には、温度差として時間的な温度ゆらぎを利用するしかないが、ゼーベック効果ではそれが不可能である。その替わりとなるのが焦電効果（ある種の異方的な固体が熱ゆらぎによって自発分極を示す現象）である。最初の焦電型ナノ発電機はジョージア工科大学のZ・L・ワンによって2012年に実現した。将来的にこの新しいナノ発電機は、廃熱エネルギーのハーベスティングを通して、無線センサや温度イメージング、医療診断、および携帯機器に応用されると考えられる。
焦電型ナノ発電機 > 原理

焦電型ナノ発電機の動作原理を一次の焦電効果と二次の焦電効果の2通りに分けて解説する。
一次の焦電効果はひずみがないときに発生する電荷に当たり、PZT、BTOなどの強誘電体材料の焦電応答を支配する。この機構は焦電体内の電気双極子が平衡軸の周りで不規則な揺動（熱運動）を行うことに起因する。温度が変化しない限り、この揺動の激しさは変化せず、双極子による自発分極の強さを時間的に平均すると一定となる。この間、焦電型ナノ発電機は何の出力も生み出さない。デバイス温度が上昇すると、双極子は配向軸に対してより広い角度で振動するようになる。揺動の角度が広がることにより、自発分極の強さの時間平均が減少する。これにともなって電極の誘導電荷が減少し、電流が生じる。逆にデバイスが冷却された場合には、熱運動の激しさが低下し、双極子の揺動の開き角が減少するため、自発分極は強化される。このとき電極に誘起される電荷が増加するので電流は先ほどと逆の方向に流れる。
二次の焦電効果は、熱膨張による格子ひずみが圧電的に電荷を誘起することに起因し、ZnO、CdSなどのウルツ鉱型物質で支配的となる。焦電体中に電位差が引き起こされれば、外部回路に電子が流れることになる。焦電型ナノ発電機の出力は材料の圧電係数や熱変形と関係がある。出力電流 I は、I = pA(dT/dt) の式で表される。ここでp は焦電係数、A はデバイスの有効面積、dT/dt は温度変化速度である。
焦電型ナノ発電機 > 応用

焦電型ナノ発電機は時間的な温度ゆらぎが存在する環境で様々な用途に応用できるものと期待されている。一般に焦電型ナノ発電機は出力電圧が大きく、出力電流は小さい。焦電型ナノ発電機は将来的な電力源としてだけではなく、温度変化を検出するバッテリー不要のアクティブセンサとしての応用が考えられている。Z・L・ワンは2012年に焦電ナノ発電機を用いて応答時間0.9 s、リセット時間3 sの自己給電型温度センサを作製した。
ナノワイヤが軸に直交する力を受けるタイプのナノ発電機の動作原理。 (a) AFMの探針がナノワイヤの先端を左に掃引すると、ひずみの符号によって正負の帯電が生じる。探針-ナノワイヤ界面の特性のため、探針が負に帯電した部分と接している箇所でしか電流は流れない。(b) AFM探針の代わりに似た形状の格子を備えたカウンター電極を用いたもの。(a) と同様、界面を通した電子の移動が起きるのは負に帯電した部分のみである。
ナノワイヤのそれぞれが軸に沿った力を受けるタイプのナノ発電機の動作原理。
VING型ナノ発電機の模式図。 (a) ナノワイヤアレイ全体がカウンター電極と接触しているタイプ、(b) 部分的に接触しているタイプ。後者ではカウンター電極に設けられた格子状の溝が重要となる。
LING型ナノ発電機の模式図。
NEG型ナノ発電機の模式図。
摩擦帯電型ナノ発電機の出力電力密度は、2012年の第一号から1年間のうちに急激に増加した。
垂直接触-分離モードのTENG。
横滑りモードのTENG。
単一電極モードのTENG。
焦電体ナノワイヤの複合構造からなる焦電型ナノ発電機の動作機構。（a） 室温における状態。焦電体中に負の電気双極子モーメントが生じている。(b) 加熱時、(c) 冷却時。図中の角度は双極子が統計的な熱ゆらぎによって振動する振幅を示す。
ホアン・ミランダ

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 日本ハム時代 （2014年5月29日、明治神宮野球場にて）
基本情報
国籍:   ドミニカ共和国
出身地:   キューバ ピナール・デル・リオ州コンソラシオン・デル・スル
生年月日:   (1983-04-25) 1983年4月25日（41歳）
身長 体重:  184 cm 100 kg
選手情報
投球・打席:  左投左打
ポジション:  一塁手
プロ入り:  2006年 アマチュアFA
初出場:  MLB / 2008年9月18日 NPB / 2014年3月28日
最終出場:  NPB / 2014年10月5日
経歴（括弧内はプロチーム在籍年度）
  ナンシー・ウランガ大学  ベゲーロス・デ・ピナール・デル・リオ  ニューヨーク・ヤンキース (2008 - 2010)  アリゾナ・ダイヤモンドバックス (2011)  ラグナ・カウボーイズ (2012 - 2013)  北海道日本ハムファイターズ (2014)  ラグナ・カウボーイズ (2015)  オアハカ・ウォーリアーズ (2016)  サルティーヨ・サラペメーカーズ (2016)  レオン・ブラボーズ (2017)
 この表について  この表はテンプレートを用いて表示しています。編集方法はTemplate:Infobox baseball playerを参照してください。 ■プロジェクト:野球選手  ■テンプレート  
フアン・ミゲル・ミランダ・ラミレス（Juan Miguel Miranda Ramírez, 1983年4月25日 - ）は、キューバ・ピナール・デル・リオ州出身のプロ野球選手（一塁手）。左投左打。現在はフリーエージェント。
キューバのサイトでは1981年生まれとなっている。北海道日本ハムファイターズでの登録名は「ホアン・ミランダ」。
経歴 > キューバ時代

キューバでは2000-2001シーズンから2003-2004シーズンまで国内リーグ "セリエ・ナシオナル・デ・ベイスボル" のベゲーロス・デ・ピナール・デル・リオに所属していた。左翼手か一塁手として守備に就く事が多く、アテネオリンピック前の一次選考合宿に選ばれるなど、将来を嘱望されていたものの、キューバ代表候補としては三振の多さや粗さもあり、当時最終的に選出される水準には到達していなかった。鈍足であることでも知られ、二塁打を打った後に代走を送られたこともあった。
2004年初め頃にいかだに乗ってキューバから亡命した。
2005年にドミニカ共和国で居住権を確立した。
経歴 > ヤンキース時代

2006年12月12日にMLBのニューヨーク・ヤンキースと4年総額200万ドルの契約を結び、入団した。
2008年9月18日の対シカゴ・ホワイトソックス戦でMLB初出場。
2010年は出場試合数を飛躍的に増やし（それまでの2010年までの自己最多は8試合であったが、33試合に出場）、打率.219・3本塁打・10打点を記録した。
経歴 > ダイヤモンドバックス時代

2010年11月18日にはトレードでアリゾナ・ダイヤモンドバックスへ移籍した。
2011年はスプリングトレーニングで打率.267・4本塁打・OPS.914の好成績を記録し、開幕ロースター入り。しかしシーズンでは65試合で打率.213・本塁打7・OPS.717と不振で、7月14日にDFAとなった。
経歴 > ダイヤモンドバックス退団後

2011年12月6日にタンパベイ・レイズとマイナー契約を結んだ。
2012年6月9日に放出された。7月からはメキシカンリーグのラグナ・カウボーイズに所属していた。
経歴 > 日本ハム時代

2013年10月21日からNPBの北海道日本ハムファイターズの秋季キャンプにテスト生として参加し、合格。10月29日に契約合意に至った。
2014年、中軸候補の一人として、主にクリーンナップを務め116試合出場したが、打率.227、14本塁打、57打点に終わり、10月21日に球団から戦力外通告を受けた。
経歴 > 日本ハム退団後

2015年はメキシカンリーグのラグナ・カウボーイズと契約。
2016年1月14日にトレードでメキシコシティ・レッドデビルズに移籍し、2月17日に再びトレードでオアハカ・ウォーリアーズに移籍。4月21日に解雇となる。5月17日にサルティーヨ・サラペメーカーズと契約するが、7月15日に解雇となる。2017年はレオン・ブラボーズでプレーした。
詳細情報 > 年度別打撃成績

| 年  度 | 球  団 | 試合 | 打席 | 打数 | 得点 | 安打 | 二塁打 | 三塁打 | 本塁打 | 塁打 | 打点 | 盗塁 | 盗塁死 | 犠打 | 犠飛 | 四球 | 敬遠 | 死球 | 三振 | 併殺打 | 打率 | 出塁率 | 長打率 | OPS |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| 2000-2001 | PRI | 78 | 316 | 260 | 59 | 78 | 17 | 4 | 10 | 133 | 47 | 5 | 7 | 2 | 3 | 42 | 0 | 9 | 61 | 2 | .300 | .411 | .512 | .922 |
| 2001-2002 | PRI | 72 | 286 | 219 | 54 | 63 | 12 | 4 | 12 | 119 | 37 | 1 | 5 | 3 | 1 | 51 | 2 | 12 | 48 | 5 | .288 | .445 | .543 | .989 |
| 2002-2003 | PRI | 74 | 269 | 218 | 48 | 66 | 10 | 5 | 12 | 122 | 49 | 3 | 4 | 2 | 1 | 38 | 3 | 10 | 39 | 8 | .303 | .427 | .560 | .986 |
| 2003-2004 | PRI | 80 | 286 | 241 | 51 | 73 | 18 | 0 | 15 | 136 | 38 | 4 | 2 | 3 | 2 | 35 | 2 | 5 | 48 | 5 | .303 | .399 | .564 | .964 |
| 2008 | NYY | 5 | 14 | 10 | 2 | 4 | 1 | 0 | 0 | 5 | 1 | 0 | 0 | 0 | 1 | 2 | 0 | 1 | 4 | 0 | .400 | .500 | .500 | 1.000 |
| 2009 | NYY | 8 | 9 | 9 | 2 | 3 | 0 | 0 | 1 | 6 | 3 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 4 | 6 | .333 | .333 | .667 | 1.000 |
| 2010 | NYY | 33 | 71 | 64 | 7 | 14 | 2 | 1 | 3 | 27 | 10 | 0 | 0 | 0 | 0 | 7 | 0 | 0 | 12 | 1 | .219 | .296 | .422 | .718 |
| 2011 | ARI | 65 | 202 | 174 | 18 | 37 | 8 | 2 | 7 | 70 | 23 | 0 | 1 | 2 | 0 | 23 | 1 | 3 | 48 | 1 | .213 | .315 | .402 | .717 |
| 2014 | 日本ハム | 116 | 427 | 375 | 43 | 85 | 19 | 0 | 14 | 146 | 57 | 0 | 0 | 0 | 4 | 42 | 2 | 6 | 108 | 6 | .227 | .311 | .389 | .701 |
| CNS：4年 | CNS：4年 | 304 | 1157 | 938 | 212 | 280 | 57 | 13 | 49 | 510 | 171 | 13 | 18 | 10 | 7 | 166 | 7 | 36 | 196 | 20 | .299 | .420 | .544 | .964 |
| MLB：4年 | MLB：4年 | 111 | 296 | 257 | 29 | 58 | 11 | 3 | 11 | 108 | 37 | 0 | 1 | 2 | 1 | 32 | 1 | 4 | 68 | 2 | .226 | .320 | .420 | .740 |
| NPB：1年 | NPB：1年 | 116 | 427 | 375 | 43 | 85 | 19 | 0 | 14 | 146 | 57 | 0 | 0 | 0 | 4 | 42 | 2 | 6 | 108 | 6 | .227 | .311 | .389 | .701 |
2019年度シーズン終了時
キューバで通常用いられる個人通算成績は、プレーオフや選抜リーグなども合算するため、この表の合計とは一致しない
詳細情報 > 年度別守備成績

| 年 度 | 球 団 | 一塁（1B）> 試  合 | 一塁（1B）> 刺殺 | 一塁（1B）> 補殺 | 一塁（1B）> 失策 | 一塁（1B）> 併殺 | 一塁（1B）> 守備率 |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| 2008 | NYY | 5 | 30 | 2 | 0 | 1 | 1.000 |
| 2009 | NYY | 8 | 19 | 1 | 0 | 2 | 1.000 |
| 2010 | NYY | 13 | 53 | 5 | 0 | 5 | 1.000 |
| 2011 | ARI | 46 | 367 | 24 | 4 | 36 | .990 |
| 2014 | 日本ハム | 69 | 521 | 29 | 3 | 37 | .995 |
| MLB | MLB | 72 | 469 | 32 | 4 | 44 | .992 |
| NPB | NPB | 69 | 521 | 29 | 3 | 37 | .995 |
2019年度シーズン終了時
詳細情報 > 記録

初出場・初先発出場：2014年3月28日、対オリックス・バファローズ1回戦（札幌ドーム）、5番・指名打者で先発出場
初打席：同上、2回裏に金子千尋から左飛
初安打：同上、8回裏に佐藤達也から中越二塁打
初打点：2014年3月30日、対オリックス・バファローズ3回戦（札幌ドーム）、5回裏に比嘉幹貴から中越適時二塁打
初本塁打：2014年4月9日、対東北楽天ゴールデンイーグルス2回戦 (札幌ドーム) 、5回裏に長谷部康平から右越2ラン
詳細情報 > 背番号

66 （2008年）
72 （2008年 - 2009年）
53 （2010年）
46 （2011年、2014年）
ヤンキース時代（2009年7月30日）
中山俊秀

| 人物情報 |
| --- | --- |
生誕:   (1963-05-02) 1963年5月2日（61歳）
国籍:   日本
出身校:  東京外国語大学外国語学部 カンザス大学大学院言語学研究科 カリフォルニア大学サンタバーバラ校大学院言語学研究科
学問
研究分野:  言語学 用法基盤言語学 言語類型論 ヌートカ語学
研究機関:  東京外国語大学
学位:  Ph.D. in Linguistics(カリフォルニア大学サンタバーバラ校)
学会:  アメリカ言語学会 アメリカ先住民諸語学会 日本言語学会 言語類型論学会 国際語用論学会 日本認知言語学会
主な受賞歴:  第17回社会言語科学会研究大会発表賞
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中山 俊秀（なかやま としひで、1963年5月2日-）は、日本の言語学者。
専門はヌートカ語学、言語類型論。
東京外国語大学　副学長 兼 アジア・アフリカ言語文化研究所教授。Ph.D.（言語学）。
略歴

1982年 - 静岡県立韮山高等学校卒業
1986年 - 東京外国語大学外国語学部英米語学科卒業
1990年 - カンザス大学言語学部一般言語学専攻大学院修士課程修了
1997年 - カリフォルニア大学サンタバーバラ校言語学部一般言語学専攻大学院博士課程修了
1997年 - モントクレア州立大学人文社会学部言語学科 助手 (Assistant Professor)
2001年 - 東京外国語大学アジア・アフリカ言語文化研究所 助教授
2012年 - 同教授
研究業績

「ヌートカの人々の現在」 月刊『言語』34.2、16-19ページ、2005年
「ヌートカ語における複統合的語形成の分布と機能」 中山俊秀・塩原朝子編『記述的研究から明らかになる文法の諸問題』東京外国語大学アジア・アフリカ言語文化研究所、127-143ページ、2005年
その他

創作舞踊集団 寶船 のメンバー
クラウス・フォン・クリッツィング

| Klaus von Klitzing クラウス・フォン・クリッツィング |
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生誕:   (1943-06-28) 1943年6月28日（81歳） ナチス・ドイツ領ポーランド　ヴィエルコポルスカ県 　
国籍:   ドイツ
研究分野:  物理学
主な業績:  整数量子ホール効果
主な受賞歴:  ノーベル物理学賞(1985) ディラック・メダル(1988)
 公式サイト www.fkf.mpg.de/klitzing
プロジェクト:人物伝
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クラウス・フォン・クリッツィング（Klaus von Klitzing, 1943年6月28日 - ）は、ナチス・ドイツ占領下のポーランド・シロダ・ウィエルコポルスカ（英語版）出身のドイツ人物理学者。1975年に安藤恒也らにより理論的に示唆されていた整数量子ホール効果を実験的に発見した功績によって、1985年にノーベル物理学賞を受賞した。
フォン・クリッツィング定数

国際的に標準抵抗として採用されているフォン・クリッツィング定数  R_{K}=h/e^{2}=25812.807459304506660... Ω（プランク定数(h)と電気素量(e)は2019年5月以降は定義定数であるので、この数値に不確かさはない。）は、整数量子ホール効果を発見した業績を称えてその名前がつけられた。この値は、量子ホール効果において観測される量子化ホール伝導率の逆数から求めることができる。
経歴

1969年ブラウンシュヴァイク工科大学で物理学を学び卒業
1972年:ヴュルツブルク大学で博士号を取得。
1980年:ミュンヘン工科大学教授。
1985年:マックス・プランク研究所部局長、シュトゥットガルト大学名誉教授。
受賞歴

1982年:EPS欧州物理学賞
1985年:ノーベル物理学賞
1989年:ニューサウスウェールズ大学よりディラック・メダル
多賀常則

|  凡例多賀 常則 |
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時代:  戦国時代 - 安土桃山時代
生誕:  不明
死没:  天正15年4月20日（1587年5月27日）
別名:  新左衛門尉（通称）
戒名:  洞悦
官位:  伊予守
主君:  浅井長政→織田信長→豊臣秀吉→秀長
氏族:  多賀氏
子:  常直
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多賀 常則（たが つねのり）は、戦国時代から安土桃山時代の武将。浅井氏・織田氏・豊臣氏の家臣。
生涯

はじめ近江国北部の戦国大名・浅井長政に仕えた。その後、尾張国・美濃国の織田信長に仕えたといわれており、元亀元年（1570年）には、織田軍の一員として近江南部の大津穴太で浅井・朝倉連合軍と対峙している。以後、天正元年（1573年）8月の越前国の朝倉義景滅亡戦（一乗谷城の戦い）、天正9年（1581年）9月の伊賀攻め、天正10年（1582年）2月からの武田征伐にそれぞれ参加した。6月に本能寺の変が起こり信長が死去した後は羽柴秀吉に仕えたが、本能寺の変における動向はわかっていない。
天正12年（1584年）の小牧・長久手の戦いにも300の軍勢を率いて参加。その後、秀吉の命令で実弟の羽柴秀長付の家臣となり、大和において2000石を知行として与えられた。天正15年（1587年）2月、九州征伐において秀長軍の一員として従軍するが、4月20日に病気のために陣中にて死去した。ただし没年に関しては天正17年（1589年）説、慶長2年12月23日（1598年1月30日）説なども存在する（『寛政重修諸家譜』）。
人物

織田信長から一定の信任を得ていたようであり、武田征伐が終了した後の4月3日、丹羽長秀や堀秀政らと暇を与えられて上野の草津温泉での湯治を許されている（『信長公記』）。
中山晋

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: 作曲家の「中山晋平」とは別人です。
中山晋は、建設省都市局公園緑地課長、国際花と緑の博覧会推進室長、海洋博覧会記念公園同管理財団理事長を歴任。第16回日本公園緑地協会北村賞受賞。
参考

参議院 委員会 議禄, 第 3 部、第 114 号　国会. 参議院
http://oki-park.jp/oios/entry/file/pdf/2000-vol14.pdf
政界・官庁人事碌、東洋経済新報社, 1992
建設省名鑑、時評社, 1988
豊かな都市とすまいを求めて: 住宅・都市整備公団 10年のあゆみ, 住宅・都市整備公団, 1991
首里城跡・真珠道跡: 首里城跡守礼門東側地区・真珠道跡起点及び周辺地区発掘調?報告書, 沖縄県立埋蔵文化財センター, 2009
| 表 話  歴日本公園緑地協会北村賞受賞者 |
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北村賞:  第1回 (70) 高橋理喜男/前島康彦/横山光雄  第2回 (72) 金井格/長松太郎/木村三郎/田治六郎/池原謙一郎  第3回 (74) 石川岩雄/加藤一男/川名俊次/黒澤昇太郎/佐藤昌/本間啓  第4回 (76) 内山正雄/金子九郎/北村信正/木村英夫/田住満作/福富久夫  第5回 (78) 今川正彦/小澤知雄/楫西貞雄/高原榮重/中澤一夫/樋渡達也/森堯夫/山下曠登  第6回 (80) 内田勝巳/川本昭雄/鈴木光三/三好勝彦/矢木勉/吉川需/渡部拓三  第7回 (82) 石原耕作/北村文雄/黒瀬太一/田邊昇学/中根金作/西澤成宜  第8回 (84) 浅地広/浅野三義/入江重悦/小形研三/堤久雄/平野侃三  第9回 (86) 河村弘/菊地徳伍/久保貞/桑島潔/清水正之/十楽寺直彦/為我井卓司/中島健/中島武美/明道博  第10回 (88) 岩河信文/大山陽生/勝浦康之/小坂立夫/間瀬延幸/三橋一也/八川透  第11回 (89) 伊藤邦衛/川口弘/小林安茂/佐藤経夫/新田伸三/森忠文  第12回 (90) 加藤雍太郎/近藤公夫/佐藤泰/島村子之吉/疋田哲也/吉田廉  第13回 (91) 井手久登/井上公二/小林治人/坂本新太郎/高橋雅雄/野地富久/森田欣尚  第14回 (90) 大嶋昭一/田畑貞寿/本間一夫/横井洋三/流郷祐一  第15回 (93) 荒木芳邦/石内展行/大金善三郎/小泉直介/曽田金久嗣/平井昌信/矢吹彰助  第16回 (94) 石原周次/末松四郎/中井喜一郎/中村一/中山晋/藤浪泰久/丸田頼一  第17回 (95) 石田進/鍵山喜昭/熊井康允/全田稔/高橋信行/田中正大/服部明世/林次郎/本多侔/山田勝巳  第18回 (96) 秋谷晃/大矢隆治/澤田宗久/芹澤誠/鶴見恭介/若林春美  第19回 (97) 安部大就/五十嵐誠/大根田清/桜井栄一/宮崎研一  第20回 (98) 杉尾伸太郎/杉本正美/田中斎/三原義徳/吉田博宣  第21回 (99) 金子雲嶺美/木下尚之/小山美幸/佐藤岳三/関田次男  第22回 (00) 荻野靖也/冲中健/北山武征/藤田好茂/外園小岡  第23回 (01) 杉山義命/宮﨑是/鷲尾金弥/野田敏秀/三浦明義/伊藤英昌  第24回 (02) 杉尾邦江/川合宏/上野博久/中島宏/辰巳信哉/三浦頼彦  第25回 (03) 佐藤安春/吉村元男/山田元一/森下元之/淺川昭一郎  第26回 (04) 木村弘/伊東健/末松紀男/平田匡宏/大塚守康/熊谷洋一/芹澤誠  第27回 (91) 岡本諟明/山田進/村上貢/山本紀久/小森正幹/井上忠佳  第28回 (06) 河原武敏/金井力/白井彦衛/鈴木昌道/山口久仁夫/沼達賢一/井上芳治/竹島恭一/松島光明/吉田昌弘  第29回 (07) 吉水忠幸/青島利浩/進士五十八/舞鶴正治/椎谷尤一  第30回 (08) 下平尾蔀/輿水肇/黒崎道雄/都田徹/高野文彰  第31回 (09) 枝吉茂種/亀山章/福添隆二/冨田祐次/糸谷正俊  第32回 (10) 石原憲一郎/大貫誠二/半田真理子/尼崎博正/恒村則之  第33回 (11) 住吉恭男/田代順孝/細谷恒夫/山中丈士/山本教夫  第34回 (12) 井上康平/中瀬勲/埴生雅章/前田博/蓑茂壽太郎  第35回 (13) 伊藤精美/亀山始/藤岡義三/黛卓郎/油井正昭  第36回 (14) 石川幹子/石崎正弘/関義清/山本忠順  第37回 (15) 有路信/小口健蔵/宮前保子/森本幸裕/森山雅幸  第38回 (16) 勝野武彦/川尻幸由/橘俊光/野島義照/吉田哲夫  第39回 (17) 上杉俊和/笹倉久/島田正文/内藤英四郎/増田昇  第40回 (18) 石川純/今井紘一/下村彰男/塚原道夫  第41回 (19) 芦澤拓実/五十嵐政郎/北川明介/中根史郎  第42回 (20) 井口義也/上原啓史/及川渉/田中隆/涌井史郎  第43回 (21) 今西良共/川島保/田中充/林輝幸/宮城俊作  第44回 (22) 金清典広/髙梨雅明/山田和司/横張真
大チベット区

大チベット区（だい-ちべっと-く）はチベットの全域を指ししてもちいられる地理的用語のひとつで、中国政府による発信や、中国マスコミの報道において、チベット全域を単一のチベット民族の自治的行政単位として統合するよう求めるダライラマ14世・チベット亡命政府の要求・主張を非難、批判する論調で用いられる特別の用語。
中国語の原語としては大西蔵区や大藏区などの表記がある。
用法：「そして、ダライラマの提出した「中間道路」や「大チベット区」をいかに評価するかという質問に対し、」
この用語の典拠や用例、中国においてチベット全体をさす通常の用語など、詳細は大チベットを参照。
典拠（報道）

報道1:「达赖集团提出“大西藏区”超中国面积1/4」（「2008年06月14日 12:37中国日报网站」の名義で多数の中国語サイトに引用されている。サンプル:鳳凰資訊）
報道2:「歷史上並不存在所謂的“大藏區”」新華網2008年04月03日 20:33:57
報道3:「全人代チベット代表団、トロントで記者会見」「中国網 チャイナネットjapanese.china.org.cn」発信時間：2009-03-22
報道4:「中國全國人大西藏代表團在多倫多舉行記者會」「新華網 tibet.news.cn」2009年03月22日 11:35:05
注

↑  報道1
↑  報道2、*報道4など
↑  サンプル：報道3
宮里 (名護市)

宮里（みやざと）は沖縄県名護市にある地名の一つ。
概要

沖縄本島北部の中心である名護市街の本部半島側の入口でもっとも西に位置する。名護市街の区域のほとんどがかつて名護町大兼久、のちの名護市字名護のに対し、もともと「名護町字宮里→名護市字宮里」というように独立していた。1993年に最初の住居表示実施で1丁目～6丁目がつけられ、2000年に7丁目が追加された。名護市内の住居表示実施地区では唯一、表示前の住所のほとんどが「名護市字名護」でない地域である（1丁目と7丁目の一部は元の住所が「字名護」だった。逆に元々「字宮里」だった一部が1996年の住居表示で大南に編入された）。
本土復帰直後の1970年代前半までは本部半島方面の通過地で名護湾に面した集落（西側は畑のみ）にすぎなかったが（名護湾に面した現在の国道58号あたりがかつての海岸線）、1975年の沖縄国際海洋博覧会を機にアクセス道路として本部循環線のバイパス（現在の国道58号）が建設され、現在の2丁目が埋め立てられ、町が変わり始めた。埋立地には野球場をはじめとする屋外のスポーツ施設や野外ステージなど大規模な公園が建設され「21世紀の森」と名づけられた。沖縄県内で最初のプロ野球のキャンプを始めたのもこの地だった（日本ハムファイターズ→北海道日本ハムファイターズ・1978年～）。
1980年代に入り、1982年に国道58号の名護バイパスが部分開通すると、これまで城区の繁華街を経由していた海洋博公園や本部町方面の車が繁華街を避けて本部循環線バイパス（当時は国道449号）を通ってこのバイパスに流れるようになり、車の流れもこちらに移るようになった。そして1986年に名護バイパスが全線開通すると、本部町や海洋博公園だけでなく沖縄本島最北端の辺戸岬をはじめ山原とよばれる国頭村方面もこちらに移るようになり、本島北部の交通の要所（結節点）は完全に移った（1987年に国道58号は名護市街の中心地を経由するルートから市街地の外側をかすめるバイパスルートに変更された）。バイパス開通後は車の流れが移っただけでなく、バイパスの外側にバスターミナルや国の出先機関が移転したほか、1990年代からはバイパス沿いに大型スーパーなど商業施設が次々と進出し本島北部地域の買い物の中心も移るようになった。現在市内の重要な交差点である宮里3丁目交差点（国道58号と449号が交差）と白銀橋交差点（国道58号と沖縄県道84号名護本部線が交差）はこの宮里地域にあり、休日を中心に渋滞も発生する。
しかし、町が変わったのは集落を包み込むように建設されたバイパスとその周辺だけで、元々住宅地であるバイパスの内側の集落は道路が整備された以外大きく変わっていない（特に1丁目や3丁目）。それでも7丁目辺りは元々畑だったため、隣の大北や大西、為又と並んで土地の区画整理で大きく変わった。なお2丁目は全域が21世紀の森公園であるため無住地域である。また住居表示実施地区は国道58号より内側と名護湾岸沿いで、名護バイパスより外側は未実施地区で「名護市字宮里」のままである（これらの地域は宇茂佐や為又との境界線をまたがっているため、今後新たに住居表示が実施されるなら、宮里でなくなる可能性もある）。
主な施設 > 宮里1丁目

沖縄振興開発金融公庫北部支店
名護市営庭球場（テニスコート）
主な施設 > 宮里2丁目

21世紀の森公園
名護市営球場（タピックスタジアム名護）
サッカー・ラグビー場
野外ステージ
主な施設 > 宮里3丁目

ヤマト運輸名護営業所
ホテル21世紀
主な施設 > 宮里4丁目

JAおきなわ名護支店
主な施設 > 宮里5丁目

名護市立中央図書館
名護市立大宮小学校
主な施設 > 宮里6丁目

タウンプラザかねひで大宮店（スーパー）
主な施設 > 宮里7丁目

名護市立大宮中学校
沖縄銀行大宮支店
名護自動車学校
洋服の青山新名護店
沖縄ツーリスト名護支店
ヤマダ電機テックランド名護店
主な施設 > 字宮里

那覇地方裁判所名護支部
那覇家庭裁判所名護支部
名護簡易裁判所
那覇地方検察庁名護支部
名護区検察庁
那覇地方法務局名護支局
第十一管区海上保安本部名護海上保安署
沖縄気象台名護測候所（無人測候所）
名護バスターミナル
名護市国際交流会館
ホテルゆがふいんおきなわ
マックスバリュ名護店
マクドナルド名護宮里店（沖縄県内の店舗としては最北端）
カメラのキタムラ名護店
メガネの三城名護店
沖縄海邦銀行やんばる支店
交通 > 道路

国道58号
国道449号
沖縄県道84号名護本部線
沖縄県道91号本部循環線
交通 > 路線バス

詳細は「沖縄本島のバス路線」を参照
名護バスターミナルが沖縄本島北部の路線バスすべて発着しているほか、那覇市やうるま市方面の長距離路線バス、高速バスも発着している。
また宮里地域内にはバス停が5ヶ所ある（宮里・第一宮里・宮里1丁目・宮里3丁目・第二名座喜原）。
20番・名護西線（琉球バス交通・沖縄バス共同運行）
22番・名護うるま線（沖縄バス）
65番・本部半島（渡久地廻り）線（琉球バス交通・沖縄バス共同運行）
66番・本部半島（今帰仁廻り）線（琉球バス交通・沖縄バス共同運行）
67番・辺土名線（琉球バス交通・沖縄バス共同運行）
70番・備瀬線（琉球バス交通・沖縄バス共同運行）
72番・屋我地線（琉球バス交通・沖縄バス共同運行）
76番・瀬底線（琉球バス交通・沖縄バス共同運行）
77番・名護東（辺野古経由）線（沖縄バス）
78番・名護東部線（琉球バス交通・沖縄バス共同運行）
111番・高速バス（琉球バス交通・沖縄バス・那覇バス・東陽バス4社共同運行）　名護バスターミナル発着のみ
117番・高速バス（美ら海直行）（琉球バス交通・沖縄バス・那覇バス3社共同運行）　名護バスターミナルのみ
120番・名護西空港線（琉球バス交通・沖縄バス共同運行）
さらに、やんばる急行バスは名護バスターミナル内に乗り入れない代わりに近くに「名護バスターミナル前」として独自の停留所が設置されている（一部通過あり）。
隣接する地域

港
大南
大西
大北
宇茂佐
宇茂佐の森
為又