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橋本力 (野球)
俳優としてのエピソード

野球選手から映画俳優に転身した橋本だが、当時、山本富士子、京マチ子、若尾文子らの全盛期でもあり、「そんな人たちと一緒に映画に出るなんて考えられなかった」という。が、上田吉二郎に相談したところ、「あんたはその顔つきも性格も（俳優に）向いてるよ」とアドバイスを受け、「同じ大映だから社宅を引っ越さなくてもいい」ということもあって、俳優転身を決めたという。野球選手時代は月給10万円（年収120万円）だったが、大映で提示された給料は（年俸）30万円だった。最初、「給料は30万円だ」と会社から提示され、「月給30万円になったのか」と喜んだが、「年俸が30万円」と聞かされ、がっかりしたという。
デビュー作は「その他大勢」の一人で、キャバレーでダンスを踊っている男女の一人だった。勝新太郎や市川雷蔵、田宮二郎らと共演したが、これらのスターたちについて、「それぞれ完全に一国一城の主ですから、たとえば信長、家康、秀吉みたいなそれぞれ違ったタイプのヒーローですよ」と語っている。斬られ役も多いが、殺陣は特別人に教わったことはなく、見よう見真似で覚えたという。
俳優を引退したきっかけとして、「私を育ててくれた永田雅一さんがいなくなったことが非常に大きかった」とし、永田について、「結果は悪かったけれども、それまであの人が映画界や会社に対して尽くした業績は大変なものでしたよ」と偲んでいる。
俳優としてのエピソード > 『大魔神』、『妖怪大戦争』関連

『大魔神』で大魔神役を務めたが、シリーズで監督を務めた安田公義や森一生、特撮監督の黒田義之らも野球ファンだったことが、この配役に影響したのではないかと語っている。ちょうどこの作品の前に、テレビ時代劇『風雲児半次郎』（東京12チャンネル）に出演していて、「安田監督にはこのとき気に入られたんでしょう。なにしろぬいぐるみには体力がいるし、大魔神には目の強さが要求されていましたからね」と述べている。
『大魔神』では、会社から「お前、京都で主役やるんだ」と言われ、「主役と言えばありがたいが、勝新太郎や市川雷蔵を差し置いてやる役とは何だろう」と、半信半疑で京都へ赴いたという。「行ったら確かに主役でした」と笑っている。
大魔神のぬいぐるみは高さ2m50cm、重さ5.6kgあり、京都の暑い土地柄、苦労の連続だったという。また、大魔神は橋本の目を被り物からのぞかせたものだが、これは黒田義之特撮監督の「作り物の目では迫力が出せない」との考えによる。このため「神様なので瞬きしないでほしい」と言われ、「イモコ（芋の粉）」の舞う撮影現場でも絶対瞬きしなかった。本人はかなりつらかったと語っているが、力を込め、意地でも目をむいてこれを演じたという。結果、充血しギラギラとした目の演技が内外で大評判となった。「怪我の功名だね、目の効果っていうのは」と述べている。おかげで目が荒れてしまい、お茶で洗ってケアしたという。
大魔神の顔は青緑色なので、橋本の目の周りもこれに合わせて色を塗っていた。「ぬいぐるみを着ている時はいいんだけど、脱いで休んでいるときは狸みたいな顔になった」といい、三隅研次監督からは「タヌキのおっちゃん、ミドリダヌキ」と呼ばれたという。
2・3作目の『大魔神怒る』、『大魔神逆襲』では水中での演技があるが、魔神の被り物は顔面に密着しているため仕掛けをする余地がなく、酸素ボンベなしでこれを演じている。ぬいぐるみ衣装を着けたスーツアクターとしては、危険も多く戸惑いもあったが、二作目の『大魔神怒る』からコツがつかめてきて、その後『妖怪大戦争』での妖怪「ダイモン」役では、自らアイディアを出すなどして非常に楽しんで演じたという。ダイモン役に橋本を抜擢したのは黒田義之で、大魔神での目の迫力を買われ、たっての指名を受けての起用だった。「これはもう職人の仕事で、ギャラなんてあんまり関係ない、俺たちはこれ作って満足だ、みたいな感じでやってました」と語っている。
俳優としてのエピソード > 勝新太郎関連

大映京都撮影所では勝新太郎に可愛がられ、「勝一家」と呼ばれた仲間内に入っていた。大映京都の『悪名』シリーズの『悪名市場』（森一生監督）で、バーテンの役で田宮二郎に殴られる出番があり、これで勝からやたらに気に入られたという。大映倒産後も、勝から誘われ、「勝プロ」に所属していた。勝について、「いつも自分の周りに自分の親しい連中を放したくない人なんですよ。やっぱりスター特有の性質って言うのかな。我々はよくわかりましたね。私なんかはよく可愛がってもらいましたよ」と語っている。
勝の立ち回りについては、「雷蔵さんの立ち回りはビリッとくるような感じ。刀を突き付けられるとこう、痺れるような。勝さんのは、とにかくがむしゃらに体ごと向かってくる感じ」という。永田雅一と同様、勝も映画作りに苦労を重ねたが、「だからあのオッサンがもっとしっかりしててくれれば、もっと我々も違うところに行ってたかも。パンツの中に変な物入れてないで」と笑っている。
俳優としてのエピソード > 『ドラゴン怒りの鉄拳』関連

『ドラゴン怒りの鉄拳』でブルース・リーと共演することになったきっかけは、勝新太郎が『新座頭市 破れ!唐人剣』（1971年、安田公義監督）で王羽（ジミー・ウォング）と共演したことからだった。勝が王羽と親しくなり、王羽がゴールデン・ハーベストを通して、「今度アメリカから来た凄いやつが香港で出た一本目が、100万ドルの興行収入を得た。その第2弾を作りたいので、明治時代の悪い日本人の役の俳優を紹介してくれ」と勝に依頼。
これを受けた勝から、いきなり電話で「おい、これから麻雀やるから3万円持ってすぐ来い」と呼び出された橋本は、麻雀の誘いかと思ったが、3万円の意味が分からなかった。が、勝の誘いなので断るわけにいかず赴くと、「おい、実は香港に行ってほしいんだ」と言われた。電話で言われた3万円は渡航費だった。橋本は驚いたが、そのまま勝のロングカットの吹き替えを担当していた勝村淳と2人で香港へ向かった。広東語もできず、前知識もないままの渡航だったという。
不安な気持ちで香港に着くと、「橋本力・勝村淳大先生歓迎」とした幟が立っており、大映調布撮影所時代に日本の映画を学ぶため助監督をしていた人物が出迎えてくれた。この人が滞在中は通訳兼世話係を務めてくれたので、少し安心できたという。次に撮影所で羅維（ロー・ウェイ）監督に会ったが、「スケールの大きい大物だなと思った」という。
つぎに主演のブルース・リーと会ったが、大変に歓迎してくれたという。その印象として「凄い敏捷（）な感じ。ものすごくキビキビした感じの礼儀正しい人だった」と語っている。映画自体は香港映画の通例として脚本も台本もなく、「とにかく悪役なんだ、お前はブルース・リーがやる役の仇! 仇! 仇の人間なんだ」とそれしか指導がなかった。セリフも先述の通訳から聞いた内容を自分で日本語にあてはめたといい、映画の内容は全く把握できなかった。
この映画では日本人が袴を前後逆にはいているが、橋本がこれを指摘しても衣装係が「こっちのほうがいいから」と押し切ってしまった。悪役で眼鏡をかけた柔道の先生は明治大学出身で、日本語が堪能だったという。
ブルース・リーとの立ち回りでは、橋本の側は勝村が殺陣をつけ、ブルース・リーのほうは自分流の形があるので、それを受けるだけなので特に苦労はなかったという。刀の構えは、「一番目立つ立ち回り」ということで示現流を使っている。リーは自分の立ち回りに関してはかなり監督に注文をつけていて、監督よりリーの主張のほうが強かったという。リーとロー・ウェイは仲が悪かったというが、橋本は特に2人のケンカなどは見なかったという。
撮影では、クライマックスの立ち回りだけで丸2日かかった。午後1時から深夜11時までセットに缶詰めになり、外に出られたのは夕方の1時間、食事のときだけだった。リーのパンチやキックが間違って当たったことは一度もなかったという。鈴木（橋本）がリーの蹴りでふっとぶ場面は、ジャッキー・チェンが吹き替えている。橋本はこれを知らなかったが、後年、ジャッキー・チェンの映画が日本で封切られた際に、娘がこれを知り、「パパそんなに偉かったの」と教えてくれたという。
撮影での香港滞在期間は2週間ほどだったといい、ギャラは勝プロから支払われた。映画自体は、ブルース・リーが亡くなってから日本で公開されたときに初めて観たそうで、「香港では人気あるけど日本でやるとは思ってませんでした」という。
出演作品 > 映画

一刀斎は背番号6（1959年） - 選手役兼野球アドバイザー　※デビュー作
三人の顔役（1960年）
鯨神（1962年） - ひげ面
剣に賭ける（1962年）
悪名市場（1963年） - やくざ
座頭市血笑旅（1964年） - 猪蔵
無宿者 (1964年)
眠狂四郎魔性剣（1965年）
大魔神 （1966年） - 元木半蔵、大魔神 [2役]
泥棒番付（1966年）
陸軍中野学校（1966年） - 憲兵少佐大魔神
新・兵隊やくざ（1966年） - 日本兵
大魔神怒る（1966年） - 池長俊平、大魔神 [2役]
大魔神逆襲（1966年） - 大魔神
ある殺し屋（1967年）
ひき裂かれた盛装（1967年）
女賭場荒し（1967年）
ガメラ対宇宙怪獣バイラス（1968年） - 医師風の男
ジェットF104脱出せよ（1968年、大映） - 笹井二等空尉
怪談おとし穴（1968年、大映）
妖怪大戦争（1968年） - ダイモン
ヤングパワー・シリーズ 新宿番外地（1969年）
与太郎戦記 (1969年)
あゝ海軍（1969年、大映）
あゝ陸軍隼戦闘隊（1969年、大映）
笹笛お紋（1969年）
玄海遊侠伝 破れかぶれ（1970年） - 河童の五郎
怪談累が渕（1970年）
やくざ絶唱（1970年） - 外山（やくざ）
皆殺しのスキャット（1970年）
新座頭市・破れ!唐人剣（1971年） - 武士
男一匹ガキ大将（1971年） - 犯人1
ドラゴン怒りの鉄拳（1972年、日本公開は1974年） - 日本人柔道場主・鈴木寛
無宿人御子神の丈吉 牙は引き裂いた (1972年)
鮎川十糸子

鮎川 十糸子（あゆかわ としこ、1922年5月28日 - 2007年4月6日）は、大阪府大阪市出身の日本の女優。本名・西川寿美（にしかわ としみ）。
来歴

大阪市東区（当時。現・中央区）生。四条畷高等女学院女学校を卒業後、東宝京都撮影所に俳優養成所の生徒として入社。1941年東宝東京撮影所に移籍し、石田民三監督作品「をり鶴七変化」の主演に抜擢。以後も石田、並びにマキノ正博監督の作品を中心に活躍し、1943年に松竹京都撮影所に移籍。中でも1950年に上映された『七つの宝石』では大坂志郎とのベッドシーンで話題となった。
1958年松竹を退社した後は、テレビのドラマやアニメ『じゃりン子チエ』の竹本菊（おバァ）役などで活躍。舞台にも出演した。
2007年4月6日死去。84歳没。
後任

鮎川の死後、持ち役を引き継いだ人物は以下の通り。
中里ひろみ - CR『じゃりン子チエ』：竹本菊役
出演作品 > 映画

呪いの笛（お六）
清水の佐太郎（お千代）
おしどり喧嘩笠（お峯）
黒姫秘帖（お蘭の方）
女難屋敷（お久）
父と子と母（マダム）
若き日の千葉周作（おせん）
振袖剣法（姉お半）
奥様多忙（バーのマダム）
風雲日月双紙（お蘭の方）
喧嘩奴（側室お貞の方）
水戸黄門漫遊記 天晴れ浮世道中（お照の方）
伝七補物帖 黄金弁天（みよ春）
怪猫腰抜け大騒動（笹波）
満月狸ばやし（お市の方）
地獄への復讐（みさを）
伝七捕物帖　刺青女難（おさだ）
若旦那武勇伝（ひろ子）
花吹雪御存じ七人男（お波）
若き日の誘惑（祝水麗子）
勢揃い 大江戸六人衆（お半）
遊侠夫婦笠（下女おかね）
若君逆襲す（腰元園）
あっぱれ五人男（忍）
ひばり姫 初夢道中（広野）
びっくり三銃士（富枝）
柳生の兄弟（お兼）
治郎吉格子（小半）
歌くらべ青春三銃士（みどり）
稲妻草紙（酌婦）
薩摩飛脚(1951)（お蘭）
大江戸五人男（町芸者かつ）
吃七捕物帖 一番手柄（女中お杉）
夏祭り三度笠（お君）
あゝ青春（ダンサー・ヘレン）
感情旅行（ダンサー新子）
嵐の姉妹（マダム夏子）
とんぼ返り道中
薔薇合戦（磯子）
頓珍漢桃色騒動（千草）
恋愛三羽烏（なつ江）
夜の女たち（闇の女・安子）
愉しき哉人生（娘・洋子）
出演作品 > テレビドラマ

女の劇場 純白の夜（1961年7月26日、ABC）
必殺シリーズ（ABC・テレビ朝日 / 松竹）
必殺仕舞人 第3話「織姫悲しや群上節」（1981年） - 寂妙尼 役
必殺仕事人 第58話「暴れ技 田楽垂直刺し」（1980年7月4日） - 世津 役
新・必殺仕事人 第8話「主水端唄で泣く」（1981年） - のぶ 役
必殺仕事人V・風雲竜虎編 第9話「八百人目の恋は悲恋!」（1987年） - お福 役
水戸黄門（TBS / C.A.L）
第12部 第7話「お志乃に惚れた提灯作り -岐阜-」（1981年10月12日） - お徳 役
第13部 第9話「危機一髪！火薬小屋の対決 -岡崎-」（1982年12月13日） - おせい 役
土曜ワイド劇場「京都殺人案内15」（1989年3月11日、テレビ朝日） - 千代 役
出演作品 > アニメ

じゃりン子チエ（1981年10月3日 - 1983年3月25日、MBS・TBS） - おバァ 役
チエちゃん奮戦記 じゃりン子チエ（1991年10月19日 - 1992年9月22日） - おバァ
藍山県

| 中華人民共和国 湖南省 藍山県 |
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簡体字: 蓝山
繁体字: 藍山
拼音: Lánshān
カタカナ転写: ランシャン

国家:  中華人民共和国
省: 湖南
地級市: 永州市
行政級別: 県






面積
総面積: 1,807 km²

人口
総人口(2000): 35 万人








経済




電話番号: 0746
郵便番号: 425800
ナンバープレート: 湘M
行政区画代碼: 431127

公式ウェブサイト： http://www.lanshan.gov.cn/
藍山県（らんざん-けん）は中華人民共和国湖南省永州市に位置する県。九嶷山の麓の東にあって稲作、楠竹が主な農業としており、油茶は重要な伝統農業である。また、マンガン鉄鉱埋蔵量は中国において最も重要なところでもある。全県の総面積は1806平方km。
地理

県内には標高1000mを越える山が258座があり、最高峰は三峰石で標高1825メートルである。
歴史

前漢の高祖5年（紀元前202年）に南平県として建てられ、隋の大業3年（607年）に臨武県と合併。
行政区画

鎮：塔峰鎮、毛俊鎮、楠市鎮、所城鎮、新圩鎮、祠堂圩鎮、太平圩鎮、土市鎮
民族郷：匯源ヤオ族郷、犁頭ヤオ族郷、漿洞ヤオ族郷、湘江源ヤオ族郷、大橋ヤオ族郷、荊竹ヤオ族郷
学校

高考文化補習学校
総工会幼児学校雲渓学校
三湘博愛実験学校
坦渓学校
大元井村学校
中共藍山県委党校
学校 > 幼稚園

文化、天真幼稚園総工会分園
学校 > 小学校

第一完全、第二完全、第三完全、土市中心、鄭家、藍山所城鎮中心、尭仁、 大洞中心、新塘郷中心、塔峰鎮第四完、明徳、所城鎮中心
学校 > 中学校

第一中学、第二中学、第四中学、土市、城関、大麻、太坪、所城、新圩、早禾、楠市、毛俊、民族、洪観、火市、田心、祠市、竹市、龍渓
学校 > 専門学校

職業中等専門学校
藍翔技術学校
教師研修学校
マーティン・ホールドゲイト

サー・マーティン・ワイアット・ホールドゲイト（Sir Martin Wyatt Holdgate CB、1931年1月14日 - ）は、イングランド南部ホーシャム出身のイギリスの生物学者、環境科学者。
生い立ち

ホールドゲイトは、1931年1月14日にイングランドのホーシャムに生まれ、ブラックプールで育ち、アーノルド校（英語版）に学んだ。ケンブリッジ大学に進み、1949年から1952年にかけて、クイーンズ・カレッジ（英語版）で過ごし、動物学と植物学の学位を得て卒業して、さらに昆虫類の生理学を専攻して博士号を得た。
経歴

マンチェスター大学、ダラム大学、ケンブリッジ大学で教鞭を執りながら、トリスタンダクーニャ、チリ南西部、南極への遠征を行なった。ホールゲイトは、英国南極研究所（英語版）の主任生物学者となり、次いで自然保護委員会（英語版）の調査指揮者 (research director) を18年間務めた。その後、環境省の主任科学者 (Chief Scientist) 調査部門長となった。さらにその後には、国際自然保護連合の事務総長 (Director General) を務めた。
正式な公職から引退した後には、英国王立環境汚染委員会（英語版）の委員となり、また、森林に関する政府間パネルの共同議長と務め、国際連合事務総長の下に置かれた持続可能な開発に関する高級委員会の事務局長を務めた。
受賞と栄誉

ホールゲイトは、その業績に対して、多数の賞や栄誉を受けている。
1964年 (1964) – W. S. Bruce Medal - エディンバラ王立協会（英語版）
1978年 (1978) – バス勲章コンパニオン級 (CB)
1983年 (1983) – UNEP Silver Medal - 国際連合環境計画
1988年 (1988) – UNEP 500 Award - 国際連合環境計画
1991年 (1991) – Order of the Golden Ark コマンダー級（オランダ）
1991年 (1991) – 名誉学位 DSc - ダラム大学
1992年 (1992) – 金メダル（パトロンズ・メダル） - 王立地理学会。
1993年 (1993) – リヴィングストン・メダル（英語版） - 王立スコットランド地理協会
1993年 (1993) – 名誉学位 DSc - サセックス大学
1994年 (1994) – ナイト・バチェラー (styled Sir Martin Holdgate, CB)
1995年 (1995) – 名誉学位 DSc - ランカスター大学
1997年 (1997) – 名誉フェロー (Honorary Fellow) - ロンドン大学ロイヤル・ホロウェイ
2000年 (2000) – 名誉会員 - 国際自然保護連合 (IUCN)
2005年 (2005) – 名誉フェロー - ロンドン動物学会
2006年 (2006) – 名誉学位 DSc - ロンドン大学クイーン・メアリー
ホールドゲイトは、ロンドン動物学会会長、淡水生物協会（英語版）会長も務めた。また、生物学研究所（英語版）の所員、フェローを経て、勅許生物学者となり、「C.Biol」ないし「F.I.Biol」の肩書を用いるようになった。2014年7月には、湖水地方友の会 (Friends of the Lake District) の会長に任じられた。
おもな著書

ホールドゲイトは、1970年の創刊以来、英国南極研究所がアカデミック・プレス（英語版）を通して刊行している学術誌『Antarctic Ecology』の編集者であった。彼の著書には以下のものが含まれている。
(1958). Mountains in the Sea. Macmillan; St.Martin's Press
(1979). A Perspective of Environmental Pollution. Cambridge University Press. ISBN 978-0521221979
(1996). From Care to Action. Hemisphere. ISBN 978-1560325604
(1999). The Green Web: A Union for World Conservation. Routledge. ISBN 978-1853835957
(2003). Penguins and Mandarins: Memories of Natural and Un-Natural History. Memoir Club. ISBN 978-1841040790
(2006). The Story of Appleby in Westmorland. Hayloft Publishing. ISBN 978-1904524359
(2009). Arnold: the story of a Blackpool school. Hayloft Publishing. ISBN 978-1904524632
おもな著書 > 編著

（ギルバート・F・ホワイト（英語版） との共編） Environmental Issues . SCOOP Report. John Wiley & Sons. (1977) (joint editor)
日本語訳：（島津康男 訳）『環境管理』環境情報科学センタ−、1977年。
The World Environment 1972-82. Tycooly International Publishing Ltd. (1982). ISBN 978-0907567141  (joint editor)
A.D.イシドロ・メタパン

アソシアシオン・デポルティーバ・イシドロ・メタパン（Asociación Deportiva Isidro Metapán、通称イシドロ・メタパン(Isidro Metapán)）は、エルサルバドル・サンタ・アナ県メタパン（英語版）を本拠地とするサッカークラブである。
タイトル

プリメーラ・ディビシオン : 10回
クラウスーラ2007, アペルトゥーラ2008, クラウスーラ2009, クラウスーラ2010, アペルトゥーラ2010, アペルトゥーラ2011, アペルトゥーラ2012, アペルトゥーラ2013, クラウスーラ2014, アペルトゥーラ2014
現所属メンバー

注：選手の国籍表記はFIFAの定めた代表資格ルールに基づく。
歴代監督

エドウィン・ポルティージョ (2002-2003)
ラウール・エクトル・コチェラーリ (2003)
レネ・ラミレス (2003-2004)
サウル・リベロ (2004)
マルセロ・ハビエル・スレータ (2004)
エドウィン・ポルティージョ (2004-2005)
ルベン・アロンソ (2005-2006)
エドウィン・ポルティージョ (2006-2013)
ホルヘ・ウンベルト・ロドリゲス (2013-2016)
ロベルト・ガマーラ (2016-2017)
ミサエル・アルファロ (2017)
エドウィン・ポルティージョ (2017-2018)
アルベルト・カスティージョ (2018)
ビクトル・コレアス (2019-2020)
ホセ・フィゲロア (2020-2021)
フアン・コルテス・ディエゲス (2021)
ミサエル・アルファロ (2021)
エクトル・オマール・メヒア (2021-2022)
ホルヘ・ロドリゲス (2022-)
極端紫外線リソグラフィ

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: 「EUV」はこの項目へ転送されています。本技術で用いられる極端紫外線については「極端紫外線」をご覧ください。
EUVリソグラフィにおける結像機構 上: EUV 多層膜と吸収体 (紫) が線を結像するためのマスクパターンを構成している。下: マスクパターンから投影されたEUV放射(赤)はレジスト(橙)と基板(茶色)で吸光され、光電子と二次電子(青)を生成する。これらの電子はレジスト中の化学反応の範囲を増加させる。本来ランダムである二次電子パターンは光学像の上に重ね焼きされる。望まれない二次電子照射は解像度の低下、顕著な線端粗さと線幅変化をもたらす。
極端紫外線リソグラフィ (きょくたんしがいせんリソグラフィ、英語: Extreme ultraviolet lithography、略称：EUVリソグラフィ または EUVL) は、極端紫外線、波長13.5 nmにて露光する次世代露光技術である。
概要

EUVLは、2018年から実用化されている露光技術であり、7 nmノード以下の露光に使用するために導入されている。2022年（令和4年）時点では、TSMC、サムスン電子、Intelなどの世界半導体大手が先端半導体製造に使っている。
ASML社は極端紫外線の露光装置を作っている唯一のメーカーである。極端紫外線で 5 nmノードを製造するには、現在液浸20 nmノード向けよりも高い開口率のレンズや、高度なマルチパターニングが必要になると推測していた。
1990年代から次世代リソグラフィの本命と目されていたものの、量産ラインでの実用化は2018年以降に実現できた。
"深紫外線"という名称は過去にX線リソグラフィの補助金をアメリカの業界団体が連邦政府から得ていたため、深紫外線の波長は軟X線の一部であるが、新たに研究補助を申請する際に「X線」という名称が使えなかったので改めて「EUV」の名称で研究開発資金の援助を申請したので、呼称が「EUV」に変更されたとされる
EUVL 光源

中性の原子や凝縮物質はEUV放射を発生することができない。物質がそれを放射するためにはイオン化をまず第一に起こさなければならない。EUV光は多価正イオンによって結合される電子でのみ発生することができる。例えば、+3の炭素イオン（3個の電子がすでに除かれている）から1つの電子を引き抜くには約65 eVを必要とする。そのような電子は典型的な価電子より強固に拘束される。多価の正イオンが存在できるのは、高温高密度プラズマの中においてのみ可能であり、それ自身EUVを強く吸収する。EUVリソグラフィ用のキセノンやスズのプラズマ源は、放電生成かレーザー生成による。十分な処理能力を得るためには100 Wを超過する出力が必要である。最先端技術の193 nmのArFエキシマレーザーは200 W/cm2の強度を提供しているが、EUVを生成するプラズマを生産するためのレーザーははるかに強力な、約1011W/cm2の強度である必要がある。（レーザー出力が100 Wに達する）193 nmの光から 、（10 kWを超過するレーザーまたは等価なエネルギー源の出力を必要とする）EUV光を発生させるために、巨大なエネルギー負荷を課せられていることをこれは示している。EUV光源は20 kWのCO2レーザーによって駆動され、それは電力変換効率は~ 10 %で、消費電力は~200 kWである。参考だが、すでに実用化されている100 WのArF液浸レーザー（UV光源）は~1 %の電力変換効率であり、消費電力は~ 10 kWである。
開発中のプラズマベースのEUV光源の追加特性は、それらが部分的にさえコヒーレントでないということである。これは従来の光リソグラフィーに使用されるKrFとArFのエキシマレーザーと異なっている。（多くの独立した波長のあらゆる方向に放射する）非コヒーレント光源を（波長の狭い帯域内の方向に制限のある範囲の中で放射する）部分的なコヒーレント光に変換するために、（望まない波長および方向に対する）フィルタをかけることが、電力損失（エネルギーロス）を一層低減させるために期待されている。
2008年現在では開発ツールは120 Wの光源で1時間当たりウェハー4枚の処理能力を持っていた。100ウェハー毎時の要求に対しては、それゆえ3 kWの光源が必要となるのだが、見通せる範囲では利用は出来ていない。しかしながら、EUVの光子計数は、フォトダイオードによって集められる1つの光子当たり生成された電子の数によって決定される。これは本質的に初期光電子のかなりばらつきのある二次電子放出比であるので、線量測定は大きいばらつきに左右されうる。実際、Gulliksonほかのデータは光電流感度の自然変動が~10 %であることを示している。より最近のシリコンフォトダイオードのデータは依然この評価と一致している。EUV線量計の校正は重要な未解決の問題である。2次電子のばらつきはアヴァランシェ・フォトダイオードのノイズでよく知られた根本原因である。
なお高度に相対論的な真空管の自由電子レーザーとシンクロトロン放射源は、物質源よりもよい光源品質が得られるものの、高い強度を得るためには開発課題が多かった。いくつかの専用の工業用シンクロトロン光設備が建造され、それらの利用は半導体デバイスの製造も包括している。 自由電子レーザーは、単色でコヒーレントな、また広がり角の狭い光を提供する。双方ともまた、X線波長域へのシームレスな進展を与え、利用可能な波長の連続領域を提供する。
EUVL光学

EUVリソグラフィは今日利用されている深紫外線リソグラフィと比べ、著しく異なっている。EUVは波長13.5 nmという軟X線に近い領域のため、すべての物質において、EUVを吸収する。したがって、EUVリソグラフィは真空中で発生させる必要がある。すべての光学要素は、フォトマスクを含め、中間層干渉による光を反射するよう作用する、無欠陥のMo/Si多層膜を利用しなければならない。これらの鏡は入射光線の約30%を吸収する。この制約はマスクがない干渉リソグラフィシステム（Interference lithography）で回避することができる。しかし、後者のツールは周期的なパターンのみを製造するのに限定される。
現在まで構築された試作EUVLシステムは少なくとも2つの集光多層膜鏡、6つの投影多層膜鏡、また多層膜(マスク)で構成されている。光学系が利用可能なEUV光の96%を既に吸収するので、理想的なEUV光源は十分に明るい必要がある。EUV光源開発はレーザーまたは放電パルスによって生成されたプラズマに焦点が置かれている。集光鏡はプラズマに直接露出され、したがって高エネルギーのイオンから、および他の残骸(デブリ)からのダメージに脆弱である。EUVを発生する高エネルギープロセスに付随したこのダメージは、EUVリソグラフィ技術の実用的なEUV光源の実施成功を妨げている。
EUV露光装置のウエハー処理能力は、生産能力の指標の一つである。EUVが高真空を要求する技術であるとすれば、処理能力は（光源出力はさておき）ツールチャンバー出し入れするウエハーの移動によって、時間当たりの少ないウエハー数で制限される。
試作用EUV露光装置の別の特徴は、多層膜マスクへの（6度の角度の）斜入射照明である。回折像中にもたらされる非対称性は、パターン忠実度を下げる陰影効果を引き起こす。
EUVの短い波長はレンズフレアも引き起こし、画質の完全性を損ない、線幅粗さを増大させることが知られている。
主要体積当たり（例えば20 nmの立方体）の加熱は、フォトレジストにおける高い吸収のため、DUV光子に比較して、EUVの光子あたりより高くなる。加えて、EUVリソグラフィは真空環境のため、液浸リソグラフィの水冷環境にくらべてより加熱される。
加熱は多層膜鏡を使用する場合に特に深刻な問題となる。なぜなら、EUVは表面から薄い距離で吸収されるので、加熱密度が高くなるためである。結果、高い加熱負荷で水冷方式が使用されると予想される。しかしながら、結果として生じる振動は微細加工における懸案事項である。
NISTとラトガース大学による最近の研究で、光電子生成および二次電子収率に影響を及ぼすEUV鏡の共鳴構造によって、多層膜光学系の汚染に多大な影響を受けることが判明した。
EUVはすべての物質に大きく吸収されるので、リソグラフィ装置内部のEUV光学要素でさえ、主に明白なアブレーションとして現れる。それらのアブレーションはEUVリソグラフィに特有の新たな懸念である。従来の光学リソグラフィシステムは主に透過部品を使用しており、電子ビーム露光装置は電子の経路に部品を置かない。しかし、これらの電子は最後には露光したサンプル基板にエネルギーを注入する。
EUVに特有のオーバーレイ問題

EUVが真空中で操作され、反射光学系を要求するので、ASMLに加えて、IMECによって最近研究された、EUVリソグラフィ装置には特別のオーバーレイの懸念がある。従来の真空チャックの代わりに静電チャックが使用されなければならない。したがって、静電チャックにおけるウェハークランプ変動は適切に対処する必要がある。200 nmの窒化ケイ素（それは背面冷却および放熱を可能にするために後で除去する必要がある）の背面コーティングは、有益であると判明した。この追加手順(それは既にパターンの施されたデバイス層を最初に保護することが必要な)の他に、ゾーン整列(標準部分的なものではなくウエハーを横断した線列マークをすべて使用した)もまた、一層の改良をもたらした。EUVが要求する真空環境は、多くを放熱しないウエハーを加熱することになる。牲の最初のウエハーはチャック温度を安定させるのに必要と判明した。さらに、露光加熱によるローカルのオーバーレイ修正は第二のウエハーが必要となる。したがって、1ロット当たりの余分なウエハーはEUVリソグラフィのオーバーレイ安定化に必要である。反射の使用はレチクルの平坦度およびレチクル固定にとって、ウエハー露光位置を非常に敏感にさせる。したがって、レチクル固定清浄度を維持することが必要である。
フォトレジストのEUV露光

EUV光子が吸収される場合、ちょうどX線または電子線が物体に吸収される場合に生じることのように、光電子(photoelectron)と二次電子(secondary electron)がイオン化によって生成される。生成量は明確ではないが、平均で約4個の二次電子がEUV光子毎にで生成されると推測された。これらの二次電子は、数から十数eVのエネルギーを持っており、目的の化学反応を始める前にフォトレジスト(下記参照)内部の十数ナノメーターを移動する。これは、ハロゲン化銀写真フィルム中の潜像形成のための光電子泳動に非常に似ている。このやや大きな距離の要因は、ポリマーに排除体積相互作用(excluded volume interaction)があるという事実である。最近の実際のEUV印刷テストでは、たとえ光学解像度およびフォトレジスト構成が制限因子でなかったとしても、30 nmの空間を解像出来なかったと判明した。
具体的に、より高い処理能力を得るため化学増幅を利用するフォトレジスト(化学増幅型レジスト)において：
e- + 酸発生剤(acid generator) → アニオン → 解離アニオン生成
この反応は、「電子付着(electron attachment)」や「解離性電子付着(dissociative electron attachment)」としても知られ、その時点での捕捉が最も容易であるため、基本的に電子が停止するまで減速した後生じる可能性が最も高い。電子付着の断面積は高エネルギーの電子エネルギーに反比例するが、0のエネルギーにおいて最大の制限値に接近する。他方では、最低のエネルギー(数 eVかそこら、あるいは解離性付着が支配的な領域)の平均自由行程が、10 nmをはるかに上回ことは既に知られており、それゆえこのスケールにおいて分解能が確実に達成される能力を制限している。 さらに、20 eV未満のエネルギーを持った電子は、レジストからの水素とフッ素の陰イオンの脱着が可能であり、それはEUV光学系への潜在的な損害につながる
EUVフォトレジストイメージはピッチとおよそ等しい厚さのレジストを必要とすることがよくある。これはEUV吸収によりレジストの底のほうまでに少ない光しか届かなくなることによるだけでなく、二次電子からの前方散乱にもよる（低エネルギー電子線リソグラフィに似る）。反対に、薄いレジストは下層のフィルムへの損傷をもたらす入射光の多くの部分を伝達するが、にもかかわらず同じレベルの吸収を満たすためにより多くの照射を必要とする。
光子の吸収深度は電子の脱出深さを超過するので、電子の放出は結局遅くなり、それらのもつエネルギーは最終的に熱として消散される。
1 mJ/cm2のEUV照射は10.9 μC/cm2当量の光電子線量を生じる。
現状の実証では10 mJ/cm2の照射を越える。109 μC/cm2の光電子線量当量である。
より小さな形状を作るためにより高線量および（または）レジストの薄膜化を採用することは、単にフォトレジストの底面層の照射増加をもたらすのみである。これは、実質的にイメージコントラストを低下せしめる光電子と二次電子の別の重要な供給源が加えられる。さらに、下層への電離放射線障害の可能性を増加させる。
分解能を不鮮明にする二次電子および光電子の範囲は、線量、表面汚染、温度などのような要因に依存する。
EUVL 欠陥

EUVLは液浸リソグラフィが直面しているものと類似した特有の欠陥問題に直面している。液浸特有の欠陥は水とフォトレジスト間との最適化されていない接触によるが、EUVに関係のある欠陥は本質的にEUV放射のイオン化エネルギーに起因する。第一の問題は正帯電である。EUV放射によってレジストの表面から解放された、光電子の放出のためである。これは静電放電、あるいは、上でも言及した装置損害と同様に粒子汚染ももたらしうる。第二の問題は、周囲の、あるいはアウトガスによる炭化水素によるレジスト上の汚染物堆積である。それはEUVまたは電子で引き起こされる反応に起因する。第3の問題は、EUV放射またはEUVで生成された電子によって解離された酸素、アルゴン、または他の雰囲気ガスによる腐食である。リソグラフィチャンバー内の雰囲気ガスはガスパージや汚染削減のために使用される。これらのガスはEUV放射によりイオン化され、露出表面の近傍にプラズマ発生をもたらし、多層光学素子の障害や試料への不用意な暴露に至る。
当然ながらマスク欠陥もまたEUVLの欠陥の既知な原因である。極端紫外線マスクにおける欠陥の低減は、現在EUVリソグラフィの商業化のために取り組まれる、最も重大な案件のうちの1つである。欠陥中核（すなわち空孔か粒子）は、基板上で、多層膜堆積物中に、あるいは多層膜積層の上に生じる場合がある。最終欠陥の印刷適性は、既定の位置で光の相変化および振幅変化に依存するだろう。正味の相変化および/または振幅変化は、中核欠陥の固有の効果と、欠陥の間の多層膜スタックの成長への影響をもたらす。埋没欠陥は特に油断がならず、10 nmの欠陥ですら危険であると考えられる。検知されない3 nmのマスク基板平坦度変化によって引き起こされた位相シフトは、印刷可能な欠陥を生むのに十分である。この背景にある原理は、平面からの1/4波長の偏差が、反射の後に1/2波長光路長差を生じるというものである。平面から反射される光は、1/4波長の偏差した光とで180度位相がずれる平面からの1nmの偏差さえ、画像強度の実質的減少（~20 %）に結びつくであろうことが示された。実際、100 nmの半値全幅をもつ原子スケール（0.3 - 0.5 nm）の高さの欠陥は、10 %のCDインパクトを示すことにより依然印刷可能になりえる。レンズのように、実質的に位相シフトを生じるどんな欠陥も、欠陥領域の外側へ光を散乱させる。散乱された光の量は計算可能である。更に、平坦からのその偏差が表面に関して84度の発生率のターゲット角からの偏差により、3度を超過すれば、位相欠陥の端はさらに反射率を10 %以上縮小するだろう。くわえて、位相欠陥の端部は、もしその逸脱が平面度から3度を超過する場合、表面に対して84度の目標入射角からの偏差のため、反射率を10 %以上低下させることになる。欠陥高さが浅くても、端部は依然として積層する多層膜を変形させ、多層膜が傾斜する伸長領域を生じる。変形が急峻であるほど、欠陥端部の伸長領域は狭くなり、反射率への損失が大きくなる。
想定外の解像度限界

現在のリソグラフィ光波長と比較して、EUVが波長を著しく縮小するのなら、それが著しくよりよい解決になると期待するだろう。しかし、解像度は結局、像の記録媒質(つまりフォトレジスト)中の相互作用量によって決定づけられる。上に言及されたように、EUVによって放出された低エネルギー電子はオリジナルのEUVイメージを不鮮明にするかもしれない。さらに、とりわけ1,500平方ナノメーター未満の特定エリアにおいては、統計的な効果がある。
想定外の解像度限界 > レジストポリマー凝集体

ポリマーのようなレジストは80 nmのサイズで凝集することがよく知られている。高解像度レジストのHSQ（水素シルセスキオキサン）ですら15 - 20 nmにしか凝集体サイズを縮小しない。凝集体サイズより大きいラインの粗さは、凝集体サイズによって緩やかに影響される一方、凝集体サイズが線幅が明らかに下回ることは深刻な影響を受ける。
想定外の解像度限界 > ショット雑音

5 mJ/cm2の線量感度は、およそ数千程度のEUV光子だけがそのような小さな領域で蓄積することを示唆している。光子のランダムな到着時による自然なポアソン分布で、約40nm未満の形状にとって露出プロセスを基本的に制御しがたくする、少なくとも数パーセント3シグマの期待された自然な線量変化がある。線量を増加させることはショット雑音を縮小するが、一方でさらにフレア線量を増加させ、より多くの自由電子を生成するだろう。自由電子は減速し停止するまで拡散するだろう。自由電子密度が初期光子密度より低いので、ショット雑音はEUV線量を単に考慮することから想定されるよりも常に実質的に大きい。
2008年にインテルは10億の30 nm接点を印刷するために、±16 %の線量エラー(@10 mJ/cm2)がEUVショット雑音から期待されると推定した。厳しい集計では、変動は±20 %まで増加する。この問題は22 nmパターン統合に影響を与えるだろう。1nmのピクセル内を検討した場合、ショット雑音が一層明白になり(>100% on 10 nm scale @10 mJ/cm2)、EUVリソグラフィにおける線端粗さ(line edge roughness:LER)の由来問題がより明確になる。
電荷捕捉のための2次元絶縁を伴う浮遊ゲートフラッシュメモリパターン同様に、DRAMと論理マイクロプロセッサ(11nmノードでの複合パターンカットを含む)でしばしばみられる2次元パターンは、線種形状よりショット雑音の影響をより受けやすい。それは、2次元パターン(理想的な長方形)が、あるしきい線量の近辺で露光した限定領域における光子の数として定義されているからである。
| 形状の直径 (nm) | 100万形状にわたる5%線量誤差を避けるための最小線量 (mJ/cm2) | ターゲット線量 (mJ/cm2) | ターゲット線量の処理能力 (300 mm WPH) |
| --- | --- | --- | --- |
| 40 | 12 | 5 | - |
| 28 | 24 | 10 | 6-60 |
| 20 | 47 | 15 | 50-125 |
| 14 | 96 | 20 | 125 |
| 10 | 187 | 20 | 165 |

5 %線量誤差は~ 1 nmのCDエラーに帰着すると判明した。100万接点の母集団における5 %線量誤差を避けるための最小線量はすべての世代で2倍となっているが、産業における目標線量は追いついていない。少なくとも最小線量を達成するために、処理能力は同じ比率で低減されるだろう。1ppmの母集団は平均線量から5の標準偏差である。
参考に、Nvidiaは2011年に次のように報告した。
ビア欠陥レベルは10億分の１である必要があり、その結果上記の最小線量はより厳密になる必要があるだろう。
参照: SPIE Proc. 8326-96, 8683-36, 8679-50 (2013)
部分的なコヒーレント光源は、数百から数千の点のそれぞれ独立した光子源の集合としてしばしば表現される。更に、一方の光源による異なる入射角に対しての多層膜反射率の非対称な変化は、他方によるものより実質的に明るい 。10光子/nm2の線量における100万個の光子は(例えば100光源 x 10000光子/点)、100,000 nm2の領域（~ 300 nm x 300 nm)をカバーし、はるかに理論分解能を超過する。
ショット雑音は、前にも述べたEUV光源出力の問題に強い影響がある。10 mJ/cm2では、中間焦点における出力は180 Wでなければならないが、現状高負荷サイクルにおいてそれはおよそ20 Wである。しかし、有意なショット雑音は最小線量が20 nm形状サイズで少なくとも47 mJ/cm2（例えば20nmを20nmの半ピッチ線で切る）10 nm形状サイズでは187 mJ/cm2（例えば10 nm接点を14 nmの半ピッチ線で切る）でなければならず、それゆえEUV光源出力はかつてないほど達成困難になりつつある目標であることを示している。さらに、もし線量が少なくとも3倍増加するならば、レジストポリマーの架橋結合はより重大になる。後述するように、高い吸光度のため、加熱することはより深刻である。化学増幅型レジストにとって、酸発生分解（acid generator decomposition）のため線量露光が強いと線端粗さが増大する。ショット雑音は、ネガ型の金属酸化膜レジストをもつ、コンタクトホール・パターンに使用される明視野露光をいくらか緩和するかもしれない。フレアは線量が高い明視野露光においてより深刻な影響（像のコントラストを失わせる）を持っている 。HSQレジストの軟Ｘ線露光は、100 mJ/cm2レンジにおける線量増加のため露光限界を越える増加反応に関係した50 - 70 nmの線幅増大を示している。
ショット雑音問題はEUVで使用された、20 nm以下のマスク上に描画された形状に適用できる。(ウェーハ上に20nmをプリントするため）マスク上の80 nmコンタクトホールパターンに使用される12 uC/cm2の吸光線量では、そのようなコンタクトホールが10億を越える線量レベルにおいては、必然的に10 %のショット雑音に遭遇する。
EUVの空間像計測システム(Aerial Image Metrology System:AIMS)メーカーであるカール・ツァイスは、18 nmピクセルあたり15,000光子(68 mJ/cm2に相当する)が十分なCD忠実度のために必要であると近年結論を出している。
想定外の解像度限界 > 近接効果 (二次電子)

PMMAのような絶縁材料においては、低エネルギー電子がはるか遠くへ移動しうる(数ナノメートルでありうる)ことが認識されてきている。例えば、10nm未満の厚さのSiO2において、ごくわずかな電子散乱が予想されている。これは、イオン化ポテンシャル以下に、唯一のエネルギー損メカニズムが主としてフォノンとポーラロンによってあるという事実による。ポーラロン効果が高分子と共有結合物質よりもイオン結晶の中においてより強く現れることに注意しなければならない 実際のところ、
ポーラロン跳躍は20nm以上離れて拡大する。
~20nmのワーストケースの拡散を~10nmの期待されるEUVツールの解像度に加えれば、現実的に有効な解像度がよくても~30 nmであることが予想され、それは現行のダブルパターニングリソグラフィを使用した最先端の液浸リソグラフィに匹敵する。20nmの電子範囲がばらつきに応じた10%のみの限界寸法であることを可能にすることは、そのまま200nmを下回るリソグラフィへの挑戦となる。
| 物質 | 10 eV 電子の非弾性平均自由行程* |
| --- | --- |
水: 10  nm
DNA: 5  nm
PMMA: 5  nm
SiO2: 7  nm

(*) 平均では,10eVのエネルギーを持つ電子はエネルギーを失う前に物質内のこの距離を移動する。
| 物質 | <3 eV 電子の減衰長 |
| --- | --- |
ペンタセン: 7.5 ± 1.0  nm
ペリレン: 80 ± 8.0  nm

IBMのFederほかによる古典的な実験において、PMMAレジスト上のエルビウム層はX線に晒される。エルビウム層はX線を強く吸光し、低エネルギーの二次電子を生成する。吸光されないX線はPMMAを貫通し続け、そこでごく軽く吸光される。溶剤中のエルビウム層および後のPMMA現像の除去に際して、レジスト除去速度は、膜の残りの部分では一層緩やかである一方で、PMMA膜の表面から40nmにおいて促進されることが判明した。促進率は二次電子の照射によるものであり、一方で抑制率はX線の吸光によるものである。この事例においては40nmの最大二次電子照射範囲であるとわかった。
村田はまた、X線照射の間Si基板からPMMAの層に放出された92eVのオージェ電子の影響を計算した。PMMAの照射範囲は50nmであった。
MITとウィスコンシン大学のCarterらがより最近行った実験においては、電子を発生するX線吸収体はPMMAレジストの表面でなくむしろ直下であった。この場合、PMMAの分解促進は基板上からおよそ50nmで開始される。
この二次電子範囲の意味は50nmオーダー以下の距離における「近接効果」の出現である。形状がこの範囲以下に減少するとともに、これは照射許容値を劇的に縮小する。たとえ形状が今までどおりこの範囲以下に印刷することができても、解像度はエネルギー分布の不確定性によって影響を受ける。上記の実験的に決定された範囲の差(40nm対50nm)は、この根本的なばらつきの表れである。二次電子照射を不鮮明効果と見なすことができる。不鮮明は一般的に、光学的のみのイメージ・シミュレーションに含まれていない。
近接効果はまた、レジストの上面から去り、およそ数十ナノメーター離れた距離に戻る光電子と二次電子によって明らかである。これは（真空中で）水平方向には拡散しているが垂直方向において正に帯電した表面に引きつけられる、表面上の空間電荷雲を形成する放射電子の観点から理解される
二次電子近接効果は、40-60eVのエネルギー範囲にある放射電子を持つ走査プローブ端を使うことで、スタンフォード大学によって最近実証された。線量感度は照射中心から25nmより遠いところで実証された。50nm範囲の照射幅以下では、低エネルギーの(EUVにより生じた)電子分布は線幅分布に影響することが示されている。これは従来の光学リソグラフィには見られない新しい効果である。
減衰長が1.18nmの平均の長さであるにもかかわらず、~1.35eVまでの低エネルギー電子がSio2内部で~15nmまで移動することを示すため、光電子放出顕微鏡(Photoelectron emission microscopy:PEEM)のデータが用いられた。
想定外の解像度限界 > 光電子軌道

小寺ほかはEUV光電子軌道シミュレーションを行い、それらの範囲が30nmになることを示した。これらの電子によるエネルギー付与の広がりは観測される線端粗さから説明できる。表面から放射された電子が戻ることはないので、最上層の照射は事実上少ない。
想定外の解像度限界 > 効率的なフォトレジスト加熱

Ritucciほかは、DUV波長に比べてEUV波長にとって効率的な改良した熱剥離を報告している。EUVはすべての物質のバンドギャップを超過するので長い波長のものよりもより吸収され易く、そして同じ線量の入射エネルギーでは結果的により加熱される。~100mJ/cm2でさえ剥離をもたらすのに足りるほど熱いであろう。光増幅フォトレジストの解像度は熱で駆動される酸拡散で決定される。たとえ剥離線量が100 mJ/cm2であっても、1nm画素にわたるショット雑音が依然重大であり(3σ/avg = 36%)、画素が少なくとも5%すなわち20nm以下であるような限界寸法(critical dimension:CD)に深刻な効果となりうる。
想定外の解像度限界 > レジストのポイントスプレッド関数

古澤ほかは基本的な酸発生予測とシミュレーション適合を用いEUV化学増幅型レジストの点拡がり関数(point spread function)を求めた。吸収点から~20nm広がった酸発生の範囲は~40nmの解像限界を伴っている。
フォトレジストが容易に酸分子を拡散するならば、EUVや他の電離放射線によって生成した小さく軽い電子が速やかに広く拡散し、期待された光学解像度を無効にする驚くべきことではない。
2008年末の印刷結果に基づいたレジストの不鮮明さは10-16nmの範囲である。ハーフピッチの解像度は依然30nm以下で苦労しており、先端粗さは依然大きな問題となっている。
22nmと24nmのハーフピッチに焦点を当てた2011年の研究は照射後加熱工程での温度非依存不鮮明が80度において~5nmから110度において~10nmまでの範囲であることを示唆した。二次電子不鮮明はこの範囲では観測されなかったと報告された。空間像は推定フレア（すべての長距離二次電子不鮮明を含む）を補正された。
想定外の解像度限界 > 不確定性原理

二次電子生成が運動量移動で非弾性散乱を伴うとともに、関連する位置不確実性がある。低エネルギー電子がより少ない運動量移動をするのに応じて、二次電子発生プロセスの非局在化はより高い傾向にあり、LERにはより直接的な影響を及ぼす。