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多結晶シリコン
部品として使われる多結晶シリコン

部品レベルで考えると、ポリシリコンはMOSFETやCMOSの製造工程において伝導性のあるゲート物質として長らく使われてきた。
これらの技術のために低圧化学気相成長（LPCVD : low-pressure chemical-vapour deposition）反応器を使ってポリシリコンを成長させる。成長されるポリシリコンは、大抵高濃度にドープされたn型半導体やp型半導体である。
近年、そのままのポリシリコンとドープされたポリシリコンが薄膜におけるアクティブ層やドープされた層として大面積エレクトロニクスで使われている。
ポリシリコンは低圧化学気相成長（LPCVD）によって成長させることができるが、プラズマ化学気相成長法（PECVD : plasma-enhanced chemical vapour deposition）あるいは特定の処理方法においてアモルファスシリコンの固相結晶化を使うこともできる。これらの工程は少なくとも摂氏300度の高温を必要とする。
これらの温度においてガラス基板上でポリシリコンを堆積することが可能であるが、プラスチック基板上で成長させることはできない。
プラスチック基板上の多結晶シリコンの成長は、フレキシブルスクリーン（曲げられる画面）のデジタル表示装置を製造できるということで期待されている。
それゆえにプラスチックを溶かしたり損傷しないようにプラスチック基板上で前駆体アモルファスシリコン（a-Si）を結晶化するためにレーザー結晶化という比較的新しい技術が考案された。
短周期かつ高密度の極端紫外線レーザーパルスは、基板全体を溶かさないように成長させたa-Siを溶かしたい部分だけ加熱するために使われる。
溶かされたシリコンは、冷えるに従って結晶化する。
温度勾配を精密に制御することによって、非常に大きな粒に成長させることができる。極端な場合、数百マイクロメートルまで成長できるが、10ナノメートルから1マイクロメートル程度の大きさが一般的である。
しかしながら、広い面積に渡ってポリシリコン上にデバイスを作るために、デバイスの形状よりも結晶の粒が小さいことがデバイスの均一性のために必要とされる。
低温でポリシリコンを生成するもう一つの方法は、金属誘起結晶化（metal-induced crystallization）である。
その方法において、アルミニウム、金、あるいは銀のような他の金属膜と接触させながら焼き入れるとアモルファスシリコンの薄膜を摂氏150度程度の低温で結晶化させることができる。
ポリシリコンは、VLSIの製造において多くの用途がある。
主な用途の一つは、MOSデバイスのためのゲート電極物質としてである。
ポリシリコンのゲートの電気伝導率は、ゲート上に金属（タングステンのようなもの）あるいは金属シリサイド（タングステンシリサイドのようなもの）を堆積することによって増大する可能性がある。
ポリシリコンは、抵抗器、導電体、あるいはシャロージャンクションとして使用される可能性もある。シャロージャンクションにおいて、ポリシリコン物質にドーピングを行うことによって得られた期待された電気伝導率を利用する。
ポリシリコンとアモルファスシリコン（a-Si）の主な違いは、ポリシリコンの電荷担体の移動度が10のべき乗倍大きく電界と光によるストレスにおいてより高い安定性を示すことである。
このことは、より複雑でより高速な電子回路をアモルファスシリコンと一緒にガラス基板上に作成することを可能にする。
ポリシリコンとアモルファスシリコンが同じ製造過程で使われるとき、ハイブリッドプロセッシングと呼ばれる。
小さな画素の大きさが必要とされるいくつかの事例（例えば、液晶プロジェクタ）で完全なポリシリコン活性層プロセス（complete polysilicon active layer process）も使用される。
部品として使われる多結晶シリコン > 太陽光発電産業のための原材料

詳細は「:en:Crystalline silicon」を参照
多結晶シリコンは、太陽光発電産業おける結晶シリコンの重要な原材料であり、従来型の太陽電池の製造に使われる。
2006年代の初め頃、ポリシリコンの世界供給量の半分以上は、太陽電池製造企業によって消費されていた。
太陽電池はポリシリコン原材料の供給不足によって厳しく制限され、2007年において太陽電池セルとモジュールの製造能力の約1/4を稼働しないように強制された。
2008年において、12の工場だけがソーラーグレードシリコンを製造していた。しかしながら、2013年までに製造企業の数は100以上に増加した。
単結晶シリコンはチョクラルスキー法によって再結晶化されているので、ポリシリコンよりも高価でより効率の良い半導体である。
堆積法（Deposition methods）

ポリシリコン堆積、あるいは半導体ウェハー上に多結晶シリコンの層を堆積する工程は、摂氏580度から650度までの高温におけるシラン (SiH4) の化学分解によって実現されている。
この熱分解処理は、シリコンから水素を放出する。摂氏500度から800度の化学気相成長によって行われる。
ポリシリコンの層は、25–130 Pa (0.19–0.98 Torr)の圧力において100%のシランを使って堆積させることができる。あるいは、同一の圧力下で窒素で薄めた20%から30%のシランを使うこともできる。
これらのプロセスは両方とも一度に10枚から200枚のウェハー上にポリシリコンを堆積することができる。1分間に10nmから20nmの堆積を行うことができ、厚みは±5%の範囲で均一になる。
ポリシリコン堆積におけるこのプロセスの重要な変数は、温度、圧力、シラン濃度、そして不純物濃度である。
ウェハーの間隔と大きさは、堆積プロセスにおいてわずかな影響しか及ぼさない。
ポリシリコンの堆積速度は、温度を上げると大きくなる。それはアレニウスの式に従うので、堆積速度＝ A·exp(–qEa/kT)である。ここでqは電荷であり、kはボルツマン定数である。
ポリシリコン堆積のための活性化エネルギー（Ea）は、約1.7 eVである。
この数式に基づくと、ポリシリコン堆積速度は、堆積温度の上昇とともに増加する。
しかしながら、未反応のシランが表面に到達する速度よりも堆積速度が速くなる最低温度が存在する。
この温度を超えると、ポリシリコンを生成するシランの不足によって堆積速度はもはや温度とともに上昇できない。
そのような反応は、物質転送制限（mass-transport-limited）と言われている。
ポリシリコンの堆積プロセスが物質転送制限になったとき、反応速度（reaction rate）は主に反応物質濃度、反応器形状、そしてガスの流量に主に依存するようになる。
ポリシリコンの堆積が生じる速度が未反応のシランがウェハー表面に到達する速度よりも遅いとき、それは表面反応制限（surface-reaction-limited）と呼ばれる。
表面反応制限になっている堆積プロセスは、主に反応物質濃度と反応温度に依存する。
堆積プロセスは、表面反応制限にしないといけない。なぜなら、良好な厚みの均一性とステップカバレッジ（step coverage）を実現できるからである。
表面反応制限領域における絶対温度の逆数に対して堆積速度を対数で描画すると直線になる。その傾きは–qEa/kに等しい。
VLSI製造のための低い圧力レベルにおいて、摂氏575度未満のポリシリコン堆積速度は、実用にするには遅すぎる。
摂氏650度を超えると、望ましくない気相反応とシランの枯渇が原因で堆積の均一性は悪化し、非常に荒い堆積になる。
低圧力の反応器の内部における圧力を変更することができる。ポンプの速度を変えるか、反応器の入口のガスの流量を変えるかのどちらかよって圧力を変更できる。
もしも入口のガスがシランと窒素から構成されるならば、入口のガス流量、従って反応器の圧力を変更できる可能性がある。一定のシラン流量における窒素流量の変更をするか、あるいはガス比率を一定に保ちつつ合計のガス流量を変更するために窒素とシランの両方の流量を変更するかのどちらかによって変更できる。
最近の調査によると、電子ビーム蒸着と統計的工程管理（SPC）は、ソーラーグレードのポリシリコン薄膜を製造するために費用対効果が高く、迅速な代替手法になることが示されている（SPCは必要な時のみ）。
そのような方法で製造された太陽電池モジュールは、6%以下の変換効率であることが示されている。
ポリシリコンのドーピングが必要であれば、堆積プロセスの間に行う。大抵、ホスフィン、アルシン、あるいはジボランを添加する。
ホスフィンあるいはアルシンを添加すると堆積が遅くなり、ジボランを添加すると堆積速度が速くなる。
ドーパントが堆積中に添加されると、堆積の厚みの均一性は通常悪化する。
堆積法（Deposition methods） > シーメンス法（Siemens process）

シーメンス法は、ポリシリコンの製造で最も一般的に使われる方法である。特に電子産業において、2005年現在世界生産の75%近くがこの方法を使っている。
この方法はMG SiをSiHCl3へ変換し、反応器の中でポリシリコンになる。このように遷移金属とドーパントのような不純物を除去する。
このプロセスは、比較的高価で時間がかかる。
改良型冶金グレードシリコン（Upgraded metallurgical-grade silicon）

改良型冶金グレード（UMG : Upgraded metallurgical-grade）シリコン（UMG-Siとしても知られる）の太陽電池は、シーメンス法によって作られるポリシリコンに対する安価な代替品として製造されている。
UMG-Siは、シーメンス法よりも少ない装置と少ないエネルギーしか必要としない様々な方法で不純物を大幅に削減している。
UMG-Siの純度はソーラーグレードシリコンと同程度である。それはポリシリコンと比べて3桁以上少ない低い純度であり、ポリシリコンよりも10倍以上安い（2005年から2008年までUMG-Siは、1kg当たり$1.70から$3.20である。ポリシリコンは、1kg当たり$40から$400である）。
UMG-Siは、従来の太陽電池と同程度の性能のものを効率的に供給できる潜在力を持つ。ポリシリコンの太陽電池と比べて、UMG-Siのための設備投資は1/5、必要なエネルギーは半分、そして1kg当たり$15未満の価格で供給できる。
2008年において、いくつかの企業がUMG-Siの潜在力を喧伝していた。しかし、2010年に金融危機がポリシリコンの価格を大幅に下げたので、いくつかのUMG-Si製造者はその計画を保留した。
シーメンス法は、より効率的にシーメンス法を実現することによって来たるべき数年間の生産における支配的な手法であり続けるだろう。
GT Solar社は、新しいシーメンス法が1kg当たり$27で製造を可能にし、5年以内に1kg当たり$20に到達すると主張している。
GCL-Poly社は、生産コストが2011年の終わりに1kg当たり$20になると予想している。
Elkem Solar社は、UMG-Siのコストが1kg当たり$25になり、2010年の終わりに6,000トンの製造能力を有すると見積もっている。
Calisolar社は、ホウ素が0.3 ppm、リンが0.6 ppm含まれているUMG-Siの製造技術が5年以内に1kg当たり$12になると予想している。
1kg当たり$50かつ出力1W当たり7.5 gの太陽電池モジュールの製造者は、ポリシリコンのために出力1W当たり$0.37を費やしている。
比較として、テルル化カドミウム（CdTe）製造者は、テルルのためにスポット価格（2010年4月に1kg当たり$420）で支払いを行なっており、厚さ3マイクロメートルのテルル化カドミウムはポリシリコンの10倍以上安い出力1W当たり$0.037に過ぎない。
銀を出力1W当たり0.1 g使用し、銀1オンス当たり$31の場合、ポリシリコン製造者は、銀のために出力1W当たり$0.10を費やしている。
Q-Cells社、Canadian SolarそしてCalisolar社は、Timminco社のUMG技術を使ってきた。
Timmincoは、0.5 ppmのホウ素を含んだUMG-Siを1kg当たり$21で製造することができる。しかし、株主は1kg当たり$10を期待していたので、株主はTimmincoを相手に訴訟を起こした。
RSI (Rainbow Solar Inc.)とDow Corningも、UMG-Si技術に関する件で訴訟中である。
多結晶シリコンの用途の潜在性

現在、ポリシリコンは一般的にMOSFETのような半導体デバイスの導電ゲート金属として使われている。しかしながら、大型の太陽電池デバイスのための潜在力を有している。
シリコンの豊富さ、安定性、そして低い毒性が、ポリシリコンの単結晶シリコンよりも低コストであることと相まって、ポリシリコンが太陽電池生産にとって魅力的なものになる。
粒子の大きさは、ポリシリコン太陽電池の効率に影響することが示されている。
太陽電池セルの効率は、粒子が大きいほど増大する。
粒子が大きいと太陽電池セルの中のキャリアの再結合を減らすことができるからである。
キャリアの再結合（太陽電池の中の電流を制限する要因である）は、粒界でより多く発生する。
単結晶シリコンの抵抗力、移動度、そして自由キャリア密度は、単結晶シリコンのドーピング濃度とともに変化する。
多結晶シリコンのドーピングは、抵抗力、移動度、そして自由キャリア密度において影響を及ぼすが、これらの特性は多結晶シリコンの粒子の大きさに強く依存し、材料科学者は粒子の大きさという物理パラメーターを操ることができる。
多結晶シリコンを形成する結晶化方法を通じて、技術者は多結晶シリコンの粒子の大きさを制御できる。粒子の大きさは、材料の物理特性を変化させる。
多結晶シリコンのための斬新なアイデア

太陽電池の製造に多結晶シリコンを使うと、必要な材料が少なくて済む。そのため、高い利益を得ることができ、製造スループットを向上できる。
太陽電池を形成するために多結晶シリコンをシリコンウェハーの上に堆積する必要はなく、むしろ他の安い物質に堆積させることもできるので、コストを削減できる。
シリコンウェハーを必要としないことでマイクロエレクトロニクス産業がたまに直面するシリコン不足を軽減できる。
シリコンウェハーを使わない例として、ガラス上の結晶化シリコン（CSG : crystalline silicon on glass）が挙げられる。
太陽電池産業における一番の関心事はセルの効率である。
しかしながら、セルの製造において十分なコスト削減をすることは、屋外での効率低下と相殺できる。より大きな太陽電池セルの配列を使うことはより小型で効率の良い設計と同等になる。
CSGのような設計は魅力的である。効率が落ちても低コストで生産できるからである。
より効率の良いデバイスは、占有する設置場所を減らし、より小型のモジュールを生み出す。しかしながら、一般的なCSGデバイスの5%から10%の効率は、発電所のような大規模な中央サービスステーションに設置する場合に未だに魅力的である。
効率とコストの対立の問題は、エネルギー密度の高い太陽電池セルを必要とするか、あるいはより安価な代替物の設置を可能とする十分な場所があるかの価値観の決断である。
例えば、遠隔地の発電に使われる太陽電池セルは、低電力用途で使われるもの（太陽電池アクセント照明、ポケット電卓、あるいは確立された送電網の近くで使う太陽電池）よりもさらに効率の高い太陽電池セルを必要とする。
ポリシリコン製造企業 > 生産能力

2013年の国毎のポリシリコン生産量（企業の本社がある国が基準、工場のある場所ではない）。全世界で227,000トンである。
中国 (36.1%)
アメリカ合衆国 (25.9%)
韓国 (11.4%)
ドイツ (21.6%)
日本 (4.9%)
ポリシリコン製造市場は、急速に成長している。
2011年7月のDigiTimesによると、2010年の総ポリシリコン生産量は、209,000トンであった。
最大の供給企業は、市場の64%を占めており、その一方で中国を拠点とするポリシリコン企業は市場シェアの30%を占めている。
総生産は2011年の終わりまでに37.4%増えて281,000トンになると思われる。
EE Timesアジアは、2012年に196,000トンしか需要がないのに328,000トンが生産され、スポット価格は56%へ下落すると予想している。
再生可能エネルギーの展望として良いことであり、価格の連続する下落は、製造企業にとって厳しいことである。
2012年終盤現在、SolarIndustryMagは、2012年末までに生産量が385,000トンに達すると報告している。
しかし、確立した製造企業（後述）がその生産能力を拡大していると同時に新規参入企業（多くはアジア企業）が、市場に入ってくる。
ポリシリコン市場の老舗企業ですら最近は製造プラントを拡大するのは難しい。
ここ数ヶ月のスポット価格の急激な下落の後でどの企業が利益を十分に出しながら低コストで製造をすることができるのかは未だに不透明である。
ポリシリコン製造企業 > 主な製造企業

ワッカー・ケミー（英語版）は、総合的な超高純度ポリシリコン生産能力を2014年までに67,000トンに増やすことを計画してきた。クリーブランド (テネシー州)に建設された新しいポリシリコン製造工場は、一年間に15,000トンの生産能力を有している。
| 2013年の上位ポリシリコン生産企業（市場シェアにおける%） |
| --- | --- | --- | --- |
| GCL-Poly Energy | 中国 | 65,000 トン | 22% |
| ワッカー・ケミー | ドイツ | 52,000 トン | 17% |
| OCI | 韓国 | 42,000 トン | 14% |
| ヘムロック・セミコンダクター | アメリカ合衆国 | 36,000 トン | 12% |
| REC | ノルウェー | 21,500 トン | 7% |
情報源: Market Realistは、2013年に全世界で30万トンの生産能力があると言及した。 BNEFは2013年に年間227,000トンの生産になると予想した。
LDK Solar (2010年: 15,000トン) 中国
トクヤマ (2009年: 8,000トン、2013年: 1万1000トン、2015年: 3万1000トン) 日本
MEMC/SunEdison (2010年: 8,000トン、2013年: 1万8,000トン) アメリカ合衆国
Hankook Silicon (2011年: 3200トン、 2013年: 1万4500トン) 韓国
Nitol Solar (2011年: 5,000トン)  ロシア
三菱マテリアルポリシリコン (2008年: 4,300トン) 日本
大阪チタニウムテクノロジーズ (2008年: 4,200トン) 日本
大全 (Daqo) (2011年: 4,300トン, さらに年間3,000トンの工場を建設中) 中国
北京利爾高温材料 (Beijing Lier High-temperature Materials Co.) (2012年: 5,000トン) 中国
Qatar Solar Technologies (ラスラフィン（英語版）) 年間8,000トンの工場を2013年に稼働すると発表している。 カタール
ポリシリコン製造企業 > 価格

ポリシリコンの価格は、よく2つのカテゴリーに分けられる。契約価格とスポット価格である。純度が高いほど高価になる。
太陽電池の設置が盛んになると、ポリシリコンの価格競争が起きる。
市場においてスポット価格が契約価格を超えるのはもちろんだが、それでもポリシリコンを十分に獲得するのは困難である。
バイヤーは、十分な量のポリシリコンを獲得するために頭金と長期契約を受け入れることになる。
逆に太陽電池の設置が下火になれば、スポット価格は契約価格を下回る。
2010年の終わり頃に太陽電池の設置が盛んになったので、ポリシリコンのスポット価格は上昇した。
2011年前半において、イタリアのFIT（固定価格買取制度）のおかげでポリシリコンの価格は強く維持された。
太陽電池価格の調査と市場調査の企業であるPVinsightsは、ポリシリコンの価格は2011年の後半に太陽電池の設置不足によって引きずり落とされるだろうと報告していた。
2008年の価格は、1kg当たり$200の水準から1kg当たり$400を超えた。その一方で2013年に1kg当たり$15まで下落した。
ポリシリコン製造企業 > 価格 > 不当廉売（ダンピング）

中国政府は、アメリカ合衆国と韓国の製造企業を略奪的価格設定（英語版）もしくは不当廉売で告訴した。
その結果として、製品が原価以下で売られることを阻止するために2013年にこれらの2つの国から出荷されるポリシリコンに最大57%の関税を課した。
ポリシリコン製造企業 > 価格 > 余った四塩化ケイ素

中国における製造業の急激な成長と行政による監視不足が原因で余った四塩化ケイ素の廃棄が報告されている。
通常、余った四塩化ケイ素は再利用されるが、摂氏980度に加熱する必要があるので、製造企業の負担を増やすことになる。
多結晶シリコン太陽電池（左）と単結晶シリコン太陽電池（右）の比較
多結晶シリコン（チョクラルスキー法によってシリコン単結晶を製造するのに使われる）
従来のシーメンス法（左）と流動層反応器（英語版）による精製プロセス（右）の概念図
ポリシリコンの結晶粒界の図。各粒子は粒子全体に渡って結晶である。結晶粒界は、粒子を区切っている。隣接する粒子は隣の粒子と異なった方向を向いている。結晶粒界は、異なる結晶の領域を区切っているとも言える。このようにキャリアの再結合の中心として機能する。ここで'd'は粒子固有の大きさである。太陽電池の効率を最大にするために粒子の大きさも最大にするべきである。dの典型的な値は、1マイクロメートルである。
P.S.T.(Polycrystalline Silicon Technology Corporation)の化学処理プラント
ポリシリコンのスポット価格の歴史
今久保隆博

今久保 隆博（いまくぼ たかひろ、1972年4月1日 - ）は、日本のサッカー指導者。奈良県出身。2009年Jリーグ・名古屋グランパスでトップチームのコーチを務める。
来歴

小学校1年からサッカーを始め、中京大学卒業後、名古屋グランパスエイトの普及にてキャリアをスタートさせる。
2006年よりトップチームのコーチとなり、現在対戦相手のスカウティングを主としている。
中ザワヒデキ

中ザワヒデキ（なかざわ ひでき、1963年 - ）は、新潟県出身の美術家。本名、中澤英樹。
学生時代から美術作家としてデビューし、1996年までイラストレーターとしての活動を行う。「日本初のへたうまCG」のイラストレーションは「バカCG」と評され、数々の賞を受賞。1997年以降は純粋芸術へ転身し、感情・感覚を否定した「 方法主義」による「方法絵画」作品群を発表。音楽家の足立智美、詩人の松井茂、音楽家の三輪眞弘と共に「方法主義者」を名乗る。2005年からは「本格絵画」と自ら名付けたジャンルの絵画を発表し続けている。音楽作品の発表も行っている。
経歴

1963年に新潟県に生まれ、神奈川県に育つ。父親は日本医科大学教授の中沢省三、母親は細菌学者・守山英雄の長女。中ザワの美術活動における初めての受賞は「平塚市風景画展神奈川県教育長賞（1974年、11歳）」である。1983年、栄光学園高等学校卒業、千葉大学医学部入学。高校時代には油絵を描いている。大学在学時から公募展の入選や個展を開き、美術家としてデビューを果たす。
中ザワのこれまでの活動期は本人の区分で5つに分類されている（2009年現在）。5つの活動期はそれぞれ、
「プレ期」1963年 - 1982年　幼少時から高校卒業の、美術家デビュー前まで
「第一期 アクリル画」1983年 - 1989年　大学入学から、病院の勤務を行いながらの活動
「第二期 バカCG」1990年 - 1996年　イラストレーターとして独立してから7年間
「第三期 方法絵画」1997年 - 2005年　純粋芸術へ転身、「方法主義宣言」を発表し方法主義者を名乗ってから7年間
「第四期 本格絵画」2006年 - 　同人「方法」の解散後から再び実際の色彩を扱い始める
と本人によって名称付きで明確に区切られている。
プレ期

1963年 - 1982年
小学生の時より絵画を描き、受賞経歴の始まりもその時からであった。高校入学から卒業までは油彩画を行っているが、この時期の作品はほぼ現存しておらず、高校卒業以降の公開はしていない。高校卒業までに受賞した賞は、4つであった。
第一期 アクリル画

1983年 - 1989年
千葉大学医学部入学後すぐに松前公高と知り合い、「サウンドクリエイト研究会」と「千葉大学美術研究会」という2つのサークルに入会。大学在学時の途中までは油絵画を行っていた。第4回日本グラフィック展入選（1983年）より、「中ザワヒデキ」名義を使用している。この大学在学時にアクリル絵具を使用したり、アクリルに鉛筆やクレヨンで絵を描く「アクリル画」を描き続ける。1986年には東京にて初の個展を行う。その時の個展のタイトルは「初個展」。この時をもって美術家としてのデビューを果たす。また同年、2度目の個展も行う。
1988年、千葉大学医学部卒業。卒業後は日本医科大学付属病院眼科医局に勤務しながら、個展を開くなど絵画作品の発表を行い続け、美術家としても活動を続けた。
1989年には、著書「近代美術史テキスト」を執筆、トムズボックスより出版。これは全編にわたって文字も手書きという風変わりな美術書である。
第二期 バカCG

1990年 - 1996年
1990年、中ザワはコンピューター・グラフィックスに転じ、個展「大ボケツ」にてCG作品を発表。同年、勤務先であった日本医科大学付属病院を辞職し、イラストレーターとして独立。2Dビットマップ・ペイントソフトを使用した、日本初の「へたうまCG」のスタイルを確立。中ザワのCGイラストは、コンピューターのビットマップが荒々しく強調され、派手な色合いのものが多くあるが、このスタイルは一世を風靡し「バカCG」と評される。
1992年、東京都渋谷区に「有限会社アロアロインターナショナル」設立。著書、CD、コンピューター用ソフトウェア、松井茂の詩集を商品としている。また、後に中ザワが行う活動「芸術特許」の特許取得の名義も、この会社名となっている。
1995年、株式会社アスクより子供向けのWindows用ソフトウェア「キッズボックス」を発売（音楽は松前公高が担当）。このソフトウェアは「マルチメディアグランプリMMAアーティスト賞」と「インターナショナルデジタルメディアアワーズベストCD-ROM賞」を受賞。この時期の中ザワはフロッピーディスクマガジンやフロッピーディスクレーベルを起ち上げる等、CGでの活動のみ行っていた。
中ザワはイラストレーターとしての活動以外にも、上記のようなソフトウェアや、インタラクティブな装置などもこの時期に発表している。愛知県にある蒲郡情報ネットワークセンター生命の海科学館に中ザワの『不可視関数試論（カンタン・アブストラクト）』という遊び心をもった作品が恒久設置されている。この装置を制作するにあたり、コンセプトは勿論、CG、デザイン、音、声の全てが中ザワによって手がけられている。
1996年、株式会社アスクよりMacintosh用とWindows用のアプリケーションソフトウェア「デジタルネンド」を発売。中ザワは発案、ソフトウェアデザイン、監修を手がけている。今まで3DCGを描くソフトウェアは全てベクター方式であったが、「デジタルネンド」はビットマップ方式で3DCGを描くことができる。中ザワは、このソフトウェアを開発したことは単なる子供用玩具の商品開発ではなく、哲学や美術と関連づけて自ら積極的に芸術活動として論じている。
なお、このソフトウェアの原理となっている「三次元グラフィックス編集装置および方法」と「造形装置および方法」は、中ザワ本人の名義によって日本・アメリカ両国で特許を取得している。後にそれを売却し、特許証券化する。中ザワはこの活動を「芸術特許」として、コンセプチュアル・アートであるとしている。
第三期 方法絵画

1997年、中ザワは肩書きを美術家と改め、美術家として初の個展を行う。この時、作風を一気に改めて純粋美術の作品を発表。文字を画素として扱う作品『文字座標型絵画』シリーズや、一次元の『単一曲線』シリーズなどで、美術史を「色彩と形態」という二項対立で捉える中ザワの美術史観を表す個展となった。また、この個展では中ザワが作曲した音楽作品『二声のポリフォニー』が一ノ瀬響、一ノ瀬トニカによって演奏された。中ザワは同曲以外にも音楽作品をいくつか作曲し、それらはある一定の規則に従って音を決めるという方法によって作られ、また文字を使った音楽作品もあった。
2000年1月1日、中ザワは、詩人の松井茂と音楽家の足立智美との3人で「方法絵画、方法詩、方法音楽（方法主義宣言）」（後に「方法主義第一宣言」と呼ばれる）を、1000通以上のEメール、500通以上の年賀状で発表。日本人には日本語に英訳を付けて、一部の外国人には英文のみで送った。
関連人物

辛酸なめ子 - 1993年に中ザワの事務所でアルバイトをしていた。
奇

奇（き）は、漢姓の一つ。
中国の姓

| 奇> 各種表記 |
| --- | --- |
繁体字：:  奇
簡体字：:  奇
拼音：:  Qí
注音符号：:  ㄑㄧˊ
ラテン字：:  Chi
広東語発音：:  Kei4
上海語発音：:  Ji1
台湾語白話字：:  Kî
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朝鮮の姓

| キ> 各種表記 |
| --- | --- |
ハングル：:  기
漢字：:  奇
発音：:  キ
日本語読み：:  き
英語表記：:  Gi	Ki, Kee, Key, Gee, Ky, Khee, Kie
テンプレートを表示
奇（き、キ、朝: 기）は、朝鮮人の姓の一つである。2015年の韓国の国勢調査による人口は28,829人。
朝鮮の姓 > 著名な人物

奇皇后 - 中国元朝の皇帝・恵宗（トゴン・テムル）の皇后。
奇卓誠（朝鮮語版） - 高麗の武臣。
奇洪寿（朝鮮語版） - 高麗の武臣。
奇轍（朝鮮語版） - 高麗の文臣。
奇虔（朝鮮語版） - 朝鮮の文臣。
奇大恒（朝鮮語版） - 朝鮮の文臣。
奇大升 - 朝鮮の文臣。
奇自献（朝鮮語版） - 朝鮮の文臣。
奇正鎮（朝鮮語版） - 朝鮮の性理学者。
奇参衍（朝鮮語版） - 朝鮮の独立運動家。
奇山度（朝鮮語版） - 朝鮮の独立運動家。
奇亨度 - 韓国の詩人。
奇光浩 - 北朝鮮の政治家。
奇世豊 - 韓国の国会議員。
奇東旻（朝鮮語版） - 韓国の国会議員。
キ・グクソ（朝鮮語版） - 韓国の俳優。
キ・ジュボン（朝鮮語版） - 韓国の俳優。
奇誠庸 - 韓国のプロサッカー選手。
キ・スンホ（朝鮮語版） - 韓国のバスケットボール選手。
奇甫倍 - 韓国のアーチェリー選手。
キ・ヒヒョン（朝鮮語版） - 韓国の歌手。
朝鮮の姓 > 氏族

| 氏族（地域） | 創始者 | 人数（2015年） |
| --- | --- | --- |
| 江陵奇氏 |  | 17 |
| 開城奇氏 |  | 37 |
| 高陽奇氏 |  | 103 |
| 古州奇氏 |  | 17 |
| 吉州奇氏 |  | 9 |
| 金海奇氏 |  | 33 |
| 羅州奇氏 |  | 33 |
| 潘州奇氏 |  | 5 |
| 白川奇氏 |  | 12 |
| 善山奇氏 |  | 6 |
| 星州奇氏 |  | 19 |
| 信州奇氏 |  | 351 |
| 楊州奇氏 |  | 20 |
| 長城奇氏 |  | 112 |
| 長水奇氏 |  | 10 |
| 兆陽奇氏 |  | 21 |
| 晋州奇氏 |  | 24 |
| 清州奇氏 |  | 159 |
| 春川奇氏 |  | 30 |
| 忠州奇氏 |  | 40 |
| 平壌奇氏 |  | 18 |
| 河州奇氏 |  | 7 |
| 杭州奇氏 |  | 7 |
| 海州奇氏 |  | 28 |
| 杏壇奇氏 |  | 5 |
| 幸山奇氏 |  | 15 |
| 幸州奇氏 | 中国殷王朝の聖人政治家箕子の建国した箕子朝鮮の最後の王準王の7代孫の箕勲の3人の子のうちの箕友誠 | 27,379 |
| 幸川奇氏 |  | 39 |
| 郷州奇氏 |  | 56 |
| 化州奇氏 |  | 8 |
| 横州奇氏 |  | 11 |
ラスティ

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: この項目では、スコットランドのミュージシャンについて説明しています。その他の用法については「ラスティー」をご覧ください。
| ラスティ Rustie |
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基本情報
生誕:   (1983-01-04) 1983年1月4日（41歳）
出身地:   スコットランド グラスゴー
ジャンル:  エレクトロニック・ダンス・ミュージック ウォンキー グライム インストゥルメンタル・ヒップホップ ダブステップ
活動期間:  2007年 -
レーベル:  ワープ・レコーズ
共同作業者:  ハドソン・モホーク アルーナジョージ
公式サイト:  warp.net/records/rustie
ラスティ（Rustie）は、スコットランド・グラスゴー出身のミュージシャンである。2010年に名門ワープ・レコーズより最初のEP『Sunburst』を、翌2011年には最初のフル・アルバム『Glass Swords』をリリース。
『Glass Swords』のシンセサウンド（スーパーソーと呼ばれるシンセ音をいくつも重ねて厚みを出した、煌びやかなコードサウンド）は、その後、2010年代にFuture Bassシーンの成立に大きな影響を与えたことで知られている。
ディスコグラフィ > アルバム

Glass Swords (2011年)
Green Language (2014年)
EVENIFUDONTBELIEVE (2015年)
ディスコグラフィ > EP

Jagz The Smack (2007年)
Bad Science (2009年)
Sunburst (2010年)
下仁田駅

| 下仁田駅 |
| --- | --- |
 駅舎
  しもにた  SHIMONITA  
 ◄千平 (3.8 km)
 ja
所在地:  群馬県甘楽郡下仁田町下仁田甲374-4北緯36度12分38.004秒 東経138度47分10.275秒﻿ / ﻿北緯36.21055667度 東経138.78618750度﻿ / 36.21055667; 138.78618750座標: 北緯36度12分38.004秒 東経138度47分10.275秒﻿ / ﻿北緯36.21055667度 東経138.78618750度﻿ / 36.21055667; 138.78618750
所属事業者:  上信電鉄
所属路線:  上信線
キロ程:  33.7 km（高崎起点）
駅構造:  地上駅
ホーム:  1面2線
乗降人員 -統計年度-:  167人/日 -2021年-
開業年月日:  1897年（明治30年）9月8日
テンプレートを表示
ホーム（2008年10月）
下仁田駅（しもにたえき）は、群馬県甘楽郡下仁田町下仁田甲にある上信電鉄上信線の駅で、同線の終点である。直営駅で終日駅員が配置されている。関東の駅百選に認定されている。
歴史

かつて当駅からJR小海線の羽黒下駅まで路線を延伸する計画があった。上信電鉄の名も上野と信濃を結ぶことから命名された。延伸に当たっての準備工事や痕跡などは認められない。
歴史 > 年表

1897年（明治30年）9月8日：開業。
1999年（平成11年）：関東の駅百選に選定される。選定理由は「100年の歴史を誇り、妙義山、荒船山の登山客に親しまれる上信電鉄終着駅」
駅構造

頭端式ホーム1面2線の地上駅で、木造駅舎を有する。貨物営業を行っていたころの名残で構内は比較的広く、側線が4本あり、夜間滞泊の場所として機能している。
券売機は1台。PJR地紋の非自動化軟券となっている。
トイレは水洗式。
駅構造 > のりば

| 番号 | 路線 | 方向 | 行先 |
| --- | --- | --- | --- |
| 1・2 | ■上信線 | - | 高崎方面 |
利用状況

1日の平均乗降人員は以下の通りである。
| 年度 | 1日平均人数 |
| --- | --- |
2011年: 332
2012年: 339
2013年: 297
2014年: 299
2015年: 270
2016年: 261
2017年: 238
2018年: 240
2019年: 211
2020年: 162
2021年: 167
駅周辺

下仁田町役場
下仁田町文化ホール
富岡警察署下仁田分庁舎
下仁田郵便局
下仁田町立下仁田小学校
下仁田町立下仁田中学校
群馬県立下仁田高等学校
山際公園 - 桜の名所の1つ
山際稲荷神社
諏訪神社
下仁田倉庫（旧上野鉄道関連施設）
国道254号
群馬県道208号下仁田停車場線
群馬県道93号下仁田臼田線
バス路線

| 停留所 | 系統 | 行先 | 運行会社 | 備考 |
| --- | --- | --- | --- | --- |
| 下仁田駅 | 馬山線 | 上鎌田 | しもにたバス | 上蒔田は一部便通過 |
| 下仁田駅 | 馬山線蒔田経由 | 旧馬山小前 | しもにたバス | 土休日運休 |
| 下仁田駅 | 中之岳線 | 四ツ家上 | しもにたバス |  |
| 下仁田駅 | 初鳥屋線 | 初鳥屋 | しもにたバス |  |
| 下仁田駅 | 市野萱線 | 市野萱 | しもにたバス |  |
| 下仁田駅 | 青倉線 | 坊主渕 | しもにたバス | 宮室は平日夕のみ経由 |
| 下仁田駅 |   | 熊倉 | 南牧バス | 勧能～熊倉間は冬期は水曜日のみ運行 |
| 下仁田駅 |   | 上野村ふれあい館 | 上野村乗合タクシー |  |
| 下仁田駅 |   | 富岡総合病院 | 上野村乗合タクシー |  |
隣の駅

下仁田倉庫
下仁田駅に停車中の路線バス
大井光忠

|  凡例大井 光忠 |
| --- | --- |
時代:  戦国時代
生誕:  不詳
死没:  大永5年（1525年）
別名:  伊賀守
氏族:  小笠原氏流大井氏
父母:  父：大井光照
子:  光安
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大井 光忠（おおい みつただ）は、戦国時代の武将。信濃国鍋蓋城城主。大井光照の嫡子。
生涯

長享元年（1487年）、信濃国小諸の地に鍋蓋城を築城した。後に光忠の子・光安（光為）が鍋蓋城の支城として乙女城（別名：白鶴城）を築いた。これが、現在の小諸城跡・二の丸の地に当たる。
夢虹二

夢 虹二（ゆめ こうじ、1912年（大正元年）8月11日 - 1989年（平成元年）7月12日）は、埼玉県加須市出身の作詞家。主に童謡や歌謡曲の作詞を手がけた。本名「須永孝一郎」。
経歴

日本大学商学科中退。
古本で1円で買った北原白秋全集を読んだことが、作詞家を志すきっかけとなった。1955年にキングレコードの専属となり、代表作には、童謡「すうじのうた」「とんぼの中にぼくがいる」「北風こぞう」、歌謡曲「まつの木小唄」「ハマの女」、新民謡「わらび摘み唄」などがある。また、18年間日本童謡協会事務局長を務めた。1972年には「とんぼの中にぼくがいる」で日本作詩大賞童謡賞、1988年には第18回日本童謡賞特別賞を受賞。
1989年7月12日死去。享年76。
上海アメリカンスクール

上海アメリカンスクール - Puxi Campus
上海アメリカンスクール（Shanghai American School、SAS）は、中華人民共和国の上海市にあるアメリカンスクール（主に米国籍・米国市民の子弟・子女のための米国内の学校と同様な学制・教育課程・メソッドで教育を行う学校・教育機関）である。
概要 > 名称

英語: Shanghai American School
中国語: 上海美国学校
日本語: 上海アメリカンスクール
概要 > 沿革

1912年 - 設立
1949年 - 閉鎖
1980年 - 再開（在上海米国領事館内グラウンド）
1989年 - キャンパス移転（上海第三女子中学校 跡地）
1992年 - 中学校（Middle School）増設
1994年 - 高校（High School）増設
1998年 - 浦東キャンパス増設
2000年 - 浦西キャンパス移転完了
概要 > 課程・学制

全日制・男女共学制
概要 > 学種

プレキンダーガーテン（Pre-Kindergarten）: 4歳児対象
キンダーガーテン（Kindergarten）: 5歳児対象
エレメンタリースクール（Elementary School）・小学: グレード1 - 5
ミドルスクール（Middle School）・中学: グレード6 - 9
ハイスクール（High School）・高校: グレード10 - 12
概要 > コース

高校生になると以下から選択が可能。
概要 > 課外活動・クラブ活動

運動系は各種スポーツ全般が揃っている。文化系はブラスバンド、ジャズバンド、ロックバンド等々がある。
概要 > その他プログラム

日本人の子弟・子女等のように、英語の母語話者でない英語初級者、英語力のレベルが当該学年の期待されるレベルに満たないと判断された生徒向けのプログラムとして、ESOLプログラムが用意されている。
概要 > 学期制

1年は2つの学期（Semester）にわかれている。
始業 - 終業: 8月中旬 - 翌年6月中旬（約10ヶ月弱）
1学期（上半期）: 8月下旬 - 翌年1月上旬（約4ヶ月間）
2学期（下半期）: 1月上旬 - 6月上旬（約4ヶ月間）
夏休み: 6月上旬 - 8月下旬（約2.5ヶ月間）
冬休み: 12月下旬 - 1月初旬（約2週間）
旧正月休み: 1月下旬 - 2月上旬（約1週間）
春休み: 3月下旬（約1週間）
概要 > 成績表・通知表

成績表・通知表（Reports Cards）は、レターヘッド付の用紙に印刷されたものが、各学期末にクーリエ（宅配便）で自宅・親元に届く。
途中経過は、各教科ごとに、おおむね四半期ごとにedline.netを通じて配信され、親や本人はユーザＩＤとパスワードでそれを閲覧できる。
成績評価は、相対評価で、100点満点評価である。相対評価であるため、日本でほぼオール5（あるいはオールA。あるいは全教科100点満点）であった生徒であっても、必ずしも高評価・高成績を修められるとは限らない。世界各国から集まった生徒の中には、算数オリンピックに参加したり、小学生なのに大学生レベルの数学を解くような優秀な生徒もいたりするからである。
概要 > 成績表・通知表 > 優等賞（Honor Roll Status）

成績優良な生徒には、全教科の平均点によって、優等賞（賞状）＝Honor Rollが付与される。
Middle School（中等部）Grade 6 - 8の場合 - 日本の小学6年生 - 中学2年生に相当
High Honor Roll（最優等賞） - 全教科の平均点が100点満点中93点以上の場合
Honor Roll（優等賞） - 全教科の平均点が100点満点中88 - 92.9点の場合
High School（高等部）Grade 9 - 12の場合 - 日本の中学2年生 - 高校3年生に相当
High Honor Roll（最優等賞） - 全教科GPAが3.70 - 4.00(満点)の場合
Honor Roll（優等賞） - 全教科GPAが3.50 - 3.69の場合
概要 > 成績表・通知表 > 教科

Middle School（中等部）Grade 6 - 8の場合 - 日本の小学6年生 - 中学2年生に相当
Mathmatics（算数・数学）
Science（理科）
Humanities（社会）
Music（音楽）
Physical Exercise（体育）
Health（保健）
Art（芸術・図画工作）
Foreign Language（外国語 - 英語以外で、中国語、スペイン語、フランス語、ドイツ語、等から選択。日本語はない）
学校生活 > 生徒数及び出身地・国籍構成

2008 - 2009年度（2008年8月 - 2009年6月）時点で約2,900名（約40ヶ国）。
学校生活 > その他の催し

パジャマデイ（全員パジャマを着て通学・授業。）
ヒッピーデイ（ヒッピーのようなファッションと髪型で通学・授業）
ハリウッドデイ（ハリウッドスターのようなファッションと髪型で通学・授業）、等々。
学校生活 > 制服

制服は存在しない。
交響曲第1番

交響曲第1番
交響曲第1番 (アーノルド)
交響曲第1番 (アイヴズ)
交響曲第1番 (芥川也寸志)
交響曲第1番 (アッペルモント)『ギルガメシュ』
交響曲第1番 (安部幸明)
交響曲第1番 (ヴィラ＝ロボス)
交響曲第1番 (ウェーバー)
交響曲第1番 (ヴォーン＝ウィリアムズ)『海の交響曲』
交響曲第1番 (ウォルトン)
交響曲第1番 (エルガー)
交響曲第1番 (尾高尚忠)
交響曲第1番 (オネゲル)
交響曲第1番 (カバレフスキー)
交響曲第1番 (カリンニコフ)
交響曲第1番 (グラス)（英語版）
交響曲第1番 (グラズノフ)『スラヴ』
交響曲第1番 (ゲーゼ)
交響曲第1番 (コープランド)
交響曲第1番 (ゴットシャルク)
交響曲第1番 (佐村河内守)『HIROSHIMA』
交響曲第1番 (サン＝サーンス)
交響曲第1番 (ジェイガー)
交響曲第1番 (シベリウス)
交響曲第1番 (シマノフスキ)
交響曲第1番 (シューベルト)
交響曲第1番 (シューマン)『春』
交響曲第1番 (リヒャルト・シュトラウス)
交響曲第1番 (シュニトケ)
交響曲第1番 (シュポーア)
交響曲第1番 (ショスタコーヴィチ)
交響曲第1番 (スクリャービン)
交響曲第1番 (スタンフォード)
交響曲第1番 (ストラヴィンスキー)
交響曲第1番 (タネーエフ)
交響曲第1番 (團伊玖磨)
交響曲第1番 (アレクサンドル・チェレプニン)
交響曲第1番 (チャイコフスキー)『冬の日の幻想』
交響曲第1番 (デュティユー)
交響曲第1番 (デ・メイ)『指輪物語』
交響曲第1番 (ドヴォルザーク)『ズロニツェの鐘』
交響曲第1番 (ニールセン)
交響曲第1番 (バーバー)
交響曲第1番 (バーンスタイン)『エレミア』
交響曲第1番 (ハイドン)
交響曲第1番 (橋本國彦)
交響曲第1番 (ハチャトゥリアン)
交響曲第1番 (バックス)
交響曲第1番 (バラキレフ)
交響曲第1番 (ハンソン)『ノルディック』
交響曲第1番 (ブラームス)
交響曲第1番 (ブライアン)『ゴシック』
交響曲第1番 (プライス)
交響曲第1番 (ブルックナー)
交響曲第1番 (ブルッフ)
交響曲第1番 (フルトヴェングラー)
交響曲第1番 (プロコフィエフ)『古典』
交響曲第1番 (ベートーヴェン)
交響曲第1番 (別宮貞雄)
交響曲第1番 (ベルワルド)
交響曲第1番 (ベンジャミン)
交響曲第1番 (ペンデレツキ)
交響曲第1番 (ホヴァネス)『追放者』
交響曲第1番 (ポポーフ)
交響曲第1番 (ボロディン)
交響曲第1番 (マーラー)『巨人』
交響曲第1番 (松村禎三)
交響曲第1番 (マデトヤ)
交響曲第1番 (マニャール)
交響曲第1番 (マルティヌー)
交響曲第1番 (ミャスコフスキー)
交響曲第1番 (ミヨー)
交響曲第1番 (メンデルスゾーン)
交響曲第1番 (モーツァルト)
交響曲第1番 (尹伊桑)
交響曲第1番 (吉松隆)『カムイチカプ交響曲』
交響曲第1番 (ラフ)
交響曲第1番 (ラフマニノフ)
交響曲第1番 (リース)
交響曲第1番 (リムスキー＝コルサコフ)
交響曲第1番 (ルーセル)
交響曲第1番 (ルトスワフスキ)
交響曲第1番 (ロット)
夢虫館

夢虫館（むちゅうかん）は、香川県高松市にあった昆虫博物館である。水槽メーカーとして知られるNIPPURAの子会社であるせとうち夢虫博物館が運営していた。
沿革

最初は丸亀市の旧レオマワールド内にあり、現在のニューレオマワールドに引き継がれなかった大西美術館の建物を使用して2006年4月29日にせとうち夢虫館として開館した。このためニューレオマワールドとは無関係であった（ただし、当館とニューレオマワールドはどちらも加ト吉が関係していた）。
その後入場者が当初の見込みを下回ったことから、2007年8月31日限りで閉鎖された。運営会社が同じである高松市の新屋島水族館の隣接地へ移転することになり、同年9月1日開業予定だったが、駐車場の問題があることが判明したため一般公開を見送られ、
2008年3月29日に夢虫館と改名して開館した。
しかし、所在地が瀬戸内海国立公園内に位置しているため建築物への規制が厳しく、当初見込んでいた建物外観の変更や企画展示方法が困難であったことなどから、2009年3月31日限りで閉館した。移転オープンからわずか1年での閉館となった。
アクセス

旧レオマワールド内に所在した当時については、ニューレオマワールド#アクセスを参照。
高松市に所在した当時については新屋島水族館#利用を参照。
一壺斎牽信

一壺斎 牽信（いっこさい けんしん、生没年不詳）とは、江戸時代の浮世絵師。
来歴

師系・経歴不明。作画期は文化頃とされ、『浮世絵師伝』によれば作に肉筆画「娘と子供の図」があり、画風は喜多川歌麿の晩年風だという。
下町 (横浜市)

| 下町 |
| --- | --- |
 町丁
 根岸なつかし公園
 北緯35度25分06秒 東経139度37分46秒﻿ / ﻿北緯35.41822度 東経139.62936度﻿ / 35.41822; 139.62936
国:   日本
都道府県:   神奈川
市町村:   横浜市
行政区:  磯子区

 人口情報（2023年（令和5年）4月30日現在）
 人口:  1,095 人
 世帯数:  629 世帯

 面積（）
 :  0.094 km²
人口密度:  11648.94 人/km²
設置日:  1965年(昭和40年)7月1日
郵便番号:  235-0004
市外局番:  045（横浜MA）
ナンバープレート:  横浜
 ウィキポータル 日本の町・字  ウィキポータル 神奈川県  ウィキプロジェクト 日本の町・字
テンプレートを表示
| 西根岸下町 |
| --- | --- |
 町丁
国:   日本
都道府県:   神奈川県
市町村:   横浜市
区:  磯子区
町名制定:  1933年(昭和8年)4月1日
町名廃止:  1965年(昭和40年)7月1日
下町（しもちょう）は、神奈川県横浜市磯子区の町名。丁番を持たない単独町名である。住居表示実施済み区域。
地理

磯子区の北部に位置する。堀割川の左岸にあたる。北で坂下町、東で中区寺久保・根岸旭台、西で堀割川を跨いで滝頭、南で西町・原町と接する他、磯子橋上の一点で中浜町と接している。町内は大半が平地であるが、東端に南北に走る崖があり、ここで警察署の管轄が分かれる。東の高台は山手警察署の管内で、近年マンションが建った他、一部は戦後米軍に接収され根岸住宅地区となっている。西側大部分を占める平地は磯子警察署の管内で、住宅地になっている。町内全域が横浜市立根岸小学校・横浜市立根岸中学校の学区である。
地理 > 河川

堀割川 - 西辺を南流する人工河川。町内の西端に磯子橋があり、対岸は国道16号となっている。
地理 > 地価

住宅地の地価は、2023年（令和5年）7月1日の公示地価によれば、下町9-3の地点で23万3000円/m2となっている。
歴史 > 沿革

1874年(明治7年) - 堀割川完成。
1889年(明治22年)4月1日 - 町村制施行により、根岸村が村制施行。
1901年(明治34年)4月1日 - 横浜市に編入。
1923年(大正12年) - 関東大震災で堀割川などが被災。
1927年(昭和2年)4月1日 - 区制施行で磯子区が誕生し、横浜市磯子区西根岸町字下となる。同時に鶴見区・神奈川区・中区・保土ケ谷区が発足し、市内５区となる。
1928年(昭和3年) - 堀割川復興工事完了。現在の石積みの護岸ができあがる。
1933年(昭和8年)4月1日 - 西根岸町廃止。字下から西根岸下町を新設。
1944年(昭和19年)頃 - 空襲による延焼防止のため建物疎開を実施し、町内を南北に貫く根岸疎開道路と、南端を東西に走る磯子橋通疎開道路が完成。
1947年(昭和22年) - 高台の一部が「エリアX」として米軍に接収される。現在の根岸住宅地区。
1963年(昭和38年) - 現在の磯子橋が竣工。
1964年(昭和39年) - 国鉄根岸線開通に伴い、横浜市営バス78系統開設。町内をバスが通るようになる。
1965年(昭和40年)7月1日 - 西根岸下町から下町に町名変更、住居表示実施。
2003年(平成15年) - 旧柳下邸を根岸なつかし公園として整備し公開。
2004年(平成16年) - 日米合同委員会において、根岸住宅地区の返還が合意されたが、2012年8月現在、具体的な返還時期については決まっていない。
世帯数と人口

2023年（令和5年）4月30日現在（横浜市発表）の世帯数と人口は以下の通りである。
| 町丁 | 世帯数 | 人口 |
| --- | --- | --- |
| 下町 | 629世帯 | 1,095人 |
世帯数と人口 > 人口の変遷

国勢調査による人口の推移。
| 年 | 人口 |
| --- | --- |
1995年（平成7年）: 1,247
2000年（平成12年）: 1,265
2005年（平成17年）: 1,200
2010年（平成22年）: 1,124
2015年（平成27年）: 1,138
2020年（令和2年）: 1,140
世帯数と人口 > 世帯数の変遷

国勢調査による世帯数の推移。
| 年 | 世帯数 |
| --- | --- |
1995年（平成7年）: 532
2000年（平成12年）: 569
2005年（平成17年）: 580
2010年（平成22年）: 571
2015年（平成27年）: 599
2020年（令和2年）: 646
学区

市立小・中学校に通う場合、学区は以下の通りとなる（2021年8月時点）。
| 番地 | 小学校 | 中学校 |
| --- | --- | --- |
| 全域 | 横浜市立根岸小学校 | 横浜市立根岸中学校 |
事業所

2021年（令和3年）現在の経済センサス調査による事業所数と従業員数は以下の通りである。
| 町丁 | 事業所数 | 従業員数 |
| --- | --- | --- |
| 下町 | 18事業所 | 104人 |
事業所 > 事業者数の変遷

経済センサスによる事業所数の推移。
| 年 | 事業者数 |
| --- | --- |
2016年（平成28年）: 13
2021年（令和3年）: 18
事業所 > 従業員数の変遷

経済センサスによる従業員数の推移。
| 年 | 従業員数 |
| --- | --- |
2016年（平成28年）: 62
2021年（令和3年）: 104
交通 > 鉄道

町内に駅はない。1912年(明治45年)から1972年(昭和47年)3月までは横浜市電が堀割川対岸の国道16号を走っていたが、磯子橋には停留所はなかった。
最寄り駅はJR根岸線根岸駅であり、町内からは徒歩10～15分程度かかる。