stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
野田市立尾崎小学校
主な行事

4月 - 始業式・入学式
5月 - 引き渡し訓練・運動会
6月 - 陸上部を励ます会・校外学習（2年）
7月 - 林間学校（5年）・金管バンド部を励ます会・夏季休業
9月 - 修学旅行（6年）・校外学習（1年）
10月 - 校外学習（4年）
11月 - 校外学習（5年）・自転車部を励ます会
12月 - 校内持久走大会・感謝の気持ちを伝える会・校外学習（6年）・冬季休業
1月 - 校内席書会・校内書き初め展
2月 - 6年生を送る会
3月 - 卒業式・修了式
アクセス

まめバス⑦新北ルート「尾崎小前」下車。「川間駅南口」から約10分。
火かき棒

火かき棒の一種、真鍮製
火かき棒（ひかきぼう、火掻き棒とも）とは、暖炉や石炭ストーブなどから、灰や燃えがらを掻きだすときに使う道具である。
北海道ではデレッキと呼ばれているが、明治時代の九州・筑豊地方の炭坑でボイラーの火かき棒を「レレッキ」と呼んでいた記録があり、かつては全国的な呼び方だったようである。由来はオランダ語説、英語説（RAKE:レーキ) などあってはっきりしていない。
ギャラリー

火かき棒の先端、鉄製
ベルギーの暖炉と火かき棒、１６-１８世紀頃
ルイ・ド・ナヴァール

| ルイ・ド・ナヴァール Louis de Navarre |
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 ボーモン＝ル＝ロジェ伯 ドゥラッツォ公
 ボーモン伯ルイの紋章
在位:  ボーモン＝ル＝ロジェ伯：1360年 - 1375年 ドゥラッツォ公：1366年 - 1368年

出生:  1341年頃 
死去:  1376年  ナポリ王国、ドゥラッツォ
埋葬:   ナポリ王国、カルトジオ会サン・マルティーノ修道院
配偶者:  マリア・デ・リザラズ
 :  ドゥラッツォ女公ジョヴァンナ
子女:  フアナ カルロス（スペイン語版） トリスタン ルイス
家名:  エヴルー家
父親:  ナバラ王フィリップ3世
母親:  ナバラ女王ジャンヌ2世
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ルイ・ド・ナヴァール（Louis de Navarre, comte de Beaumont-le-Roger, duc de Durazzo, 1341年頃 - 1376年）は、フランス王家傍系エヴルー家の公子、ナバラ王子、ボーモン＝ル＝ロジェ伯（ドイツ語版）。ドゥラッツォ女公ジョヴァンナとの結婚により、さらにドゥラッツォ公の称号を帯びた。ナバラ王兼エヴルー伯フェリペ3世（フィリップ3世）と女王フアナ2世（ジャンヌ2世）の間の第8子、三男、末息子として生まれた。ナバラ王兼エヴルー伯カルロス2世（シャルル2世、悪人王）とロングヴィル伯フィリップの弟。
生涯

母ジャンヌ2世はフランス王ルイ10世の娘ながら、女子相続を禁じたサリカ法典のためにフランス王位継承権者の列から排除され、ナバラ王位のみを受け継いだ。こうした事情から、ナバラ王家の一族はヴァロワ家のフランス王位に挑戦する姿勢を見せていた。
1358年、マリア・デ・リザラズ（Maria de Lizarazu）と最初の結婚をする。しかしこの身分違いの結婚は長兄のナバラ王シャルル2世の認めるところとならず、間に生まれた子供たちは庶子扱いとなった。1360年、ブレティニー条約締結に伴って百年戦争の第1局面が終わりを迎えると、フランス王家とエヴルー家も和解し、ルイもフランス王権に占拠されていたボーモン伯領を取り戻した。
1366年、アンジュー＝シチリア家の王女の1人、ドゥラッツォ女公ジョヴァンナ（ドゥラッツォ公カルロの娘）と結婚した。ドゥラッツォ（ドゥラス）はアルバニアにおけるアンジュー家支配の拠点だったが、1367年にアルバニア人の諸侯カール・トピア（英語版）によって占領された。ルイは妻の所領を奪還すべく、兄シャルル悪人王や、かつては一族の敵であったフランス王シャルル5世の援助を求めた。その際、ボーモン伯領をフランス王の抵当に入れた。
1372年、ルイはナバラ傭兵団（英語版）を組織した。この傭兵団は以前からフランス領内に存在していたが、ナバラで募兵を実施したことで、さらに大きな規模となった。ルイは軍団を引き連れてアルバニアに上陸し、1376年の夏にドゥラッツォを奪回したが、その直後に死去した。ジョヴァンナとの間に子供は無かった。
妻と認められなかったマリア・デ・リザラズとの間に、以下の4人の子供をもうけた。
フアナ（1359年頃 - 1392年以降） - Pedro de Laxageと結婚
カルロス（スペイン語版）（1361年頃 - 1432年） - ナバラ王国大元帥
トリスタン（生没年不詳） - パンプローナ司教座聖堂参事会員
ルイス（生没年不詳）
ルイの長男カルロスを祖とするボーモン家（レリン伯爵家）は、ナバラ王国で最も権勢の強い大貴族家門の1つとなり、15世紀中葉のナバラ内戦ではビアナ公カルロスを支持するボーモンテセス（スペイン語版）派の領袖となった。現在のアルバ女公はボーモン家の血筋を引いている。
ビュー

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: この項目では、視点、眺望について説明しています。その他の用法については「View」をご覧ください。
ビューは、視点、眺望のこと。
三次元空間を二次元平面で表現する際の視点の位置により、以下のビューが存在する。
元々はFZ戦記アクシスのキャッチコピーとして作られた造語であり、英語圏ではアイソメトリックビュー（英: isometric view）と呼ぶ。
（関連）英語でスリークォータービュー（three-quarter view）と言った時は視点を指すのではなく、絵画や写真で対象物・被写体の正面が（厳密ではないが）3/4ほど見えていることを意味する。正面向きと横向きの中間を指し、例えばモナ・リザの体の向きはスリークォータービューである。
その他、カーナビゲーション、レースゲームやファーストパーソン・シューティングゲームなどで、以下のビューが使用されている。
また、ドライバーズビューとバードビュー、また操作対象の真後ろ方向からのビュー等を総称してフロントビューとも呼ぶ。
ビッグウッド

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種類:  株式会社
市場情報:  非上場
本社所在地:   日本 〒791-1114 愛媛県松山市井門町77番地1
設立:  1984年
業種:  小売業
法人番号:  4500001003410 
事業内容:  アウトレット家具・インテリア用品等の販売
資本金:  9,452万5,000円
売上高:  57億9,366万円（2023年2月期）
従業員数:  正社員220名　パート57名　（2023年2月期）
外部リンク:  http://www.big-wood.co.jp/
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ビッグウッド（BIG WOOD）は、愛媛県松山市に本社を置く、家具やインテリア雑貨を販売する企業。西日本地方・北陸地方、関東地方で家具店「ビッグウッド」を直営・フランチャイズで展開している。日本で先駆けとなる、オフプライス業態で販売をしており、全国展開中の企業である。
社長の杉浦眞悟はお客様に喜んでいただくことが仕事の原点だと考えている。
ビッグウッド社長のアウトレットなブログはこちら。
概要

創業当初から、常に地域最安値を目指し、2021年にはアウトレットストアからオフプライスストアへと業態変更を遂げる。よく中古と間違われるが、すべて新品。安く販売することを前提に作られたものではなく、正規の値段で販売することを目的に作られた家具を、何かの理由（キズ物品、廃盤品、セット外れ品、ショールーム展示品、過剰在庫品、時期外れ品、数量限定品等）で安く販売している。
日本有数の家具産地、福岡県大川市に巨大物流センターを構え、常に商品の提供ができる環境を整えている。
詳しくは、アウトレット家具のビッグウッド店舗紹介を参照。
沿革

1984年　-　愛媛県松山市に家具小売業を目的に設立、創業。
1985年　-　店舗を松山市森松町へ移転し松山南店に改称
1990年　-　アウトレット家具店に業態転換
1991年　-　愛媛県松山市に、松山北店を開店
1996年　-　ペルシャ絨毯の催事販売のため、ペルシャ絨毯部を新設
1998年　-　愛媛県西条市に、西条店を開店
2000年　-　大分県中津市に、中津店を開店（大分県第１号店）
2001年　-　松山北店を移転（後にFC店舗に転換）
2002年　-　山口県山口市に、山口店を開店（山口県第１号店）
2002年　-　社名を株式会社ビッグウッドに変更し、松山南店を現住所に移転
2002年　-　福岡県大川市に物流倉庫を開設。
2003年　-　兵庫県神戸市に、西神戸店を開店（兵庫県第１号店、後にFC店舗に転換）
2005年　-　徳島県鳴門市に、FC鳴門店を開店（徳島県第１号店）
2005年　-　新潟県新潟市に、FC新潟店を開店（新潟県第１号店）
2006年　-　佐賀県鳥栖市に、鳥栖店を開店（佐賀県第１号店）
2008年　-　大分県大分市に、大分南店を開店
2009年　-　高知県高知市に、FC高知桂浜店を開店（高知県第１号店）
2012年　-　宮崎県宮崎市に、宮崎北店を開店（宮崎県第１号店）
2013年　-　長崎県大村市に、大村店を開店（長崎県第１号店）
2014年　-　長崎県時津町に、時津店を開店
2015年　-　松山南店をリニューアル。名称も松山本店に変更
2016年　-　山口県下松市に、下松店を開店
2016年　-　宮崎県都城市に、都城店を開店
2016年　-　中国での仕入れ拠点となるビッグウッド深圳駐在事務所を開所。
2017年　-　東京都青梅市に、青梅店を開店（東京都第１号店）
2017年　-　埼玉県春日部市に、春日部店を開店（埼玉県第１号店）
2017年　-　福岡県遠賀郡に、FC水巻店を開店
2018年　-　埼玉県草加市に、草加店を開店
2018年　-　群馬県太田市に、太田店を開店（群馬県第１号店）
2018年　-　岡山県岡山市に、FC岡山本店を開店
2018年　-　大阪府貝塚市に、FC貝塚店を開店
2018年　-　兵庫県姫路市に、FC姫路店を開店
2019年　-　千葉県印西市に、印西店を開店（千葉県第１号店）
2019年　-　ビッグウッド物流倉庫で保有するアウトレット家具をWeb上で公開し、近くの店舗に取寄せる事や直送することができるBWネットモールを公開
2020年　-　埼玉県児玉郡に、【ビッグウッド印西店】を開店
2021年　-　栃木県小山市に、【ビッグウッド小山店】を開店
2021年　-　アウトレットストアから日本初となる家具のオフプライスストアへ展開
2021年　-　兵庫県伊丹市に、【FCビッグウッド伊丹店】を開店
2021年　-　東京都八王子市に、【ビッグウッド多摩ニュータウン店】を開店
2021年　-　広島県広島市に、【ビッグウッドジ・アウトレット広島店】を開店
2022年　-　愛媛県今治市に、【ビッグウッド今治店】を開店
2022年　-　山口県下関市に、【ビッグウッド長府店】を開店
2022年　-　千葉県市原市に、【ビッグウッド市原店】を開店
2023年　-　千葉県富津市に、【ビッグウッド富津店】を開店
2023年　-　熊本県宇土市に、【ビッグウッド宇土店】を開店
2023年　-　千葉県千葉市に、【ビッグウッド稲毛店】を開店
店舗

2024年1月現在、55店舗（直営32店舗、フランチャイズ23店舗）を展開している。フランチャイズ店舗は「フランチャイズ（FC）○○店」という店舗名となっている。
詳しくは、アウトレット家具のビッグウッド店舗紹介を参照のこと。
経営理念

一、お客様及び全従業員の喜びを創造する
一、再生（Reborn）を通じて社会に貢献する
主なフランチャイジー

なるとや家具店
家具センターワタナベ
家具のウエノ
タケウチ
新潟家具
玉井家具
浜田家具
愛媛県松山市にある松山本店
Mk14 EBR

|  Mk 14 EBR  |
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 アメリカ陸軍で採用されているMk 14 EBR "ロックアイランド"
種類:  バトルライフル マークスマン・ライフル
原開発国:   アメリカ合衆国
運用史
配備期間:  2002年 -
関連戦争・紛争:  アフガニスタン紛争 (2001年-2021年) イラク戦争 シリア内戦 イラクでの戦い (2013–2017)
開発史
開発者:  マイク・ロック、ジム・リボーディ スミス・エンタープライズ（英語版）
開発期間:  2001年
製造業者:  クレーン海軍地上戦センター（英語版） スミス・エンタープライズ セージ・インターナショナル
諸元
重量:  11.24 lb (5.1 kg)
全長:  35 in (889 mm)
銃身長:  18 in (457 mm) (Mod 0) 22 in (558.8 mm) (Mod 1) (EBR-RI)
 
弾丸:  7.62x51mm NATO弾
作動方式:  ガス圧利用（ショートストロークピストン式）、ターンロックボルト
発射速度:  700–750 発/分
初速:  853 m/s (2,800 ft/s)
装填方式:  10発/20発着脱式箱型弾倉
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Mk 14 Enhanced Battle Rifle（EBR）は、アメリカ合衆国で開発された自動小銃（マークスマン・ライフル）である。セレクティブ・ファイア機能を備え、使用弾薬は7.62x51mm NATO弾である。原型はかつて歩兵銃として使用されていたM14小銃で、アメリカ特殊作戦軍に所属する特殊部隊、例えばNavy SEALs、デルタフォース、グリーンベレーなどへの配備を想定して開発された。
歴史

2000年、コンパクトなM14小銃を求めるNavy SEALs（海軍特殊部隊）の声に応える形で開発が始まった。2001年、特殊作戦軍（SOCOM）は後にMk 14 Mod 0 EBRとなる小銃の開発に関するSOPMOD（英語版）協議に銃身メーカーとしては唯一マイク・ロック・ライフル・バレルズ社（Mike Rock Rifle Barrels）を招き、折畳式銃床や伸縮式レールを備えたアルミニウム製ボディなど、新型小銃の細部設計の検討を行った。マイク・ロックはエンジニアのジム・リボーディ（Jim Ribordy）と共に新型小銃の開発にあたった。彼らが手掛けたライフルは、試験で良好な成績を示した一方、非常に大きなノイズが問題として指摘された。
2003年、ロン・スミス（英語版）とスミス・エンタープライズ（英語版）は、独自にM14 EBR（MK14 SEI）を開発した。やや重い457 mm (18.0") 銃身を備えるこの小銃は、ロックとリボーディの設計案よりも高く評価された。以後、スミス・エンタープライズ製のMK14を元に開発が進められ、最終的にMk 14 Mod 0として設計が完了し、スプリングフィールド・アーモリー社がクレーン海軍地上戦センター（英語版）との協力のもと、製造に必要な機械類の提供に責任を負うこととなった。
2004年、Navy SEALsが初めてEBRの配備を受け、まもなくして沿岸警備隊が続いた。陸軍では、戦車・自動車・装備コマンド（英語版）（TACOM）ライフサイクル管理コマンド武器製品支援統合総局（Weapons Product Support Integration Directorate）が開発/改良したM14 EBR-RIを運用し、2010年代中頃から5,000丁程度が実戦投入されている。海兵隊でもEBRの採用を検討したものの、最終的には独自にM39 EMR（英語版）を開発することを選んだ。
2017年初頭、陸軍は小隊/分隊用のマークスマン・ライフルについての新たな要件策定を行った。陸軍は2009年以来M14 EBRを運用してきたが、弾薬を装填しない状態で15 lb (6.8 kg)程度という重量が欠点として指摘されていた。新しいマークスマン・ライフルは、戦闘兵科（Combat arms）に属する各小隊に配備され、重量は11 lb (5.0 kg)程度、使用弾薬は標準的なM81A1 7.62mm弾であり、望遠照準器ではなくライフル用照準器を備えるものとされた。2018年3月、陸軍はすでにM110狙撃銃の後継装備に選ばれていたドイツ製H&K G28の派生型を標準的なマークスマン・ライフルとして採用する旨を発表した（M110A1 SDMR）。7.62mmマークスマン・ライフルの役割は、標準的な5.56x45mm NATO弾では貫通できないボディアーマーを着用した敵に対応する能力を分隊に与えることである。新たなマークスマン・ライフルは、2018年後半からの実戦投入が計画されていた。
設計

Mk14 EBRは、標準的なM14小銃の動作機構をアップグレードし、銃身を標準的な22.0-インチ (560 mm)から18.0-インチ (460 mm)のものへ交換し、これを伸縮式のシャーシストックシステムにネジ止めしたものである。また、ピストルグリップ、フロントサイトの形状、ハリスバイポッド、銃身周りに設けられた4本のピカティニーレール、より効果が期待できるフラッシュハイダーなどもM14と比較した際の特徴である。M4カービンとよく似たパドル型ボルトストップも取り入れられている。シャーシストックシステムは全体が航空機用の軽量合金から作られている。
カイデックス（英語版）製ハンドガードとM68 CCO照準器も付属するが、マークスマンとしての任務に適するように垂直フォアグリップや他の望遠照準器に交換されることが多いという[要出典]。DCボルテックス・フラッシュハイダーには、ウィンドトーカー消音器を取り付けることもできるが、アメリカ軍では採用されていない。
セージ・インターナショナル社は、レールアタッチメント設計のための射出成形金型もしくはストック整形用のアルミニウムビレット材加工機械のいずれにおよそ120,000ドルを投資するかの決定にいくらかの関与を行い、最終的には後者が選ばれ、2003年にオーランドで催されたショット・ショーで展示が行われた。
Mk14は、重量についてしばしば批判を受けた。装填済みの20連発弾倉を取り付けた状態で14ポンド (6.4 kg)あったことに加え、重心が前方に寄っていたため、照準に悪影響を与えた。
設計 > 構成

AN/PVS-4（英語版）暗視照準器を取り付けたものなど、Mk14 Mod 0 EBRには何種類かの構成がある。そのほかにも、ピカティニーレールを用いて特性の異なる各種の照準器を取り付けることができる[要出典]。
派生型 > Mk 14 Mod 0

2013年に最初の実戦配備が行われたMK14 Mod 0は、M14の銃床およびハンドガードを交換し、オペレーティングロッドを再設計して銃身から銃床までを接続したものである。アメリカ海軍および海兵隊での運用を想定して設計されたため、各部品には耐食性を高めるリン酸マンガン処理が施されている。
派生型 > M39 EMR

M39 EMRは、M40A5狙撃銃と共に運用しうる多用途半自動小銃を必要としていたアメリカ海兵隊システムコマンド（英語版）からの要望のもと、2006年頃から開発が始まった。2008年から配備が始まり、海兵隊で従来運用されていたM14 DMRを更新した。
契約者 > 軍用

クレーン海軍地上戦センター（英語版）が軍用のMk14 Mod 0 およびMod 1ライフルを製造しており、セージ・インターナショナル社がストックの供給に責任を負っている。
契約者 > 民生用

民生用モデルはスミス・エンタープライズ社が製造しており、MK14 SEIの名でも知られる。M14ALCS/CVとして知られるカービンモデルにはセージ・インターナショナル製のEBRシャーシストックを取り付けられる。カービンモデルはMK14 SEI Mod 1とも呼ばれる。
そのほか、フルトン・アーモリーでは半自動射撃のみ可能なモデルを製造している。
トロイ・インダストリーズ（Troy Industries）では、クレーン海軍地上戦センターで設計されたEBRのモジュラーシステムのレプリカをトロイ・モジュラー・シャーシ・システム（Troy Modular Chassis System）として製造しており、これはM14あるいはM1Aライフルに取り付けて使用することができる。フィリピンのフェルフランス（英語版）社では、セージ・インターナショナル製のM14/M1A EBRタクティカル・ストックシステムやM4バットストック、CRSC M4-62照準器などを組み込んだモデルを、FERFRANS SOPMOD M14/M1A Enhanced Battle Rifleの製品名で製造している。
使用者

オーストラリア: 対タリバン作戦に従事する特殊空挺部隊連隊が使用
イラク: イラク特殊作戦部隊
アメリカ: イラクおよびアフガニスタンでの戦闘で使用
使用者 > 国以外の組織

自由シリア軍
ISIL
アフガニスタンにて撮影されたアメリカ陸軍の兵士（2010年9月）
Mk 14 Mod 0
Mk 14を持つアメリカ兵（2007年）
リュッツェンの戦い

リュッツェンの戦いと呼ばれる、歴史上で著名な戦いは以下の二つである。
リュッツェンの戦い (1632年) - 三十年戦争中の戦い。
グロースゲルシェンの戦いのフランスにおける呼称。ナポレオン戦争中の戦い。
FCユナイテッド・オブ・マンチェスター

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: 「マンチェスター・ユナイテッドFC」とは異なります。
フットボールクラブ・ユナイテッド・オブ・マンチェスター（Football Club United of Manchester）はイングランド、グレーター・マンチェスター内、マンチェスターを本拠地とするサッカークラブチームである。2005年にマンチェスター・ユナイテッドFCから独立。2015-2016シーズンはカンファレンス・ノース（6部相当）に所属。
ホームスタジアムは設立当初からギッグ・レーンだったが元々ベリーFCの所有であり、ベリーFCの試合がないときでの試合開催だったため、自前でスタジアムを建設する構想が持ち上がった。2015年マンチェスター北部にブロードハーストパークが完成し、2015-16シーズンから使用している。
クラブ各種記録

一試合最多得点勝利試合
10-2 vs カッスルトン・ゲーブルズ 2005.12.10
一試合最多失点敗戦試合
1-5 vs ブラッドフォード・パーク・アベニューAFC 2010.03.24
タイトル > 国内タイトル

ノースウェストカウンティーズリーグ・ディヴィジョン2:1回
ノースウェストカウンティーズリーグ・ディヴィジョン1:1回
ノースウェストカウンティーズリーグ・チャレンジカップ:1回
ユニボンドリーグ・プレジデンツカップ:1回
タイトル > 国際タイトル

なし
過去の成績

2005-2006 NW Counties League Div2 1位 昇格
2006-2007 NW Counties League Div1 1位 昇格
2007-2008 Northern League Div1 North 2位 昇格
2008-2009 Northern League Premier 6位
2009-2010 Northern League Premier 13位
2010-2011 Northern League Premier 4位
2011-2012 Northern League Premier 6位
2012-2013 Northern League Premier 3位
2013-2014 Northern League Premier 2位
2014-2015 Northern League Premier 1位 昇格
ブロードハーストパーク
炭水化物応答配列結合タンパク質

炭水化物応答領域結合タンパク質（たんすいかぶつはんのうせいりょういきけつごうタンパクしつ、Carbohydrate-responsive element-binding protein、略称: ChREBP）は、ヒトにおいてMLXIPL遺伝子にコードされているタンパク質である。MLX-interacting protein-like (MLXIPL) としても知られている。名称はこのタンパク質がDNAの炭水化物応答領域配列と相互作用することに由来する。
機能

この遺伝子は、Myc / Max / Madスーパーファミリーの塩基性ヘリックス-ループ-ヘリックスロイシンジッパー転写因子をコードしている。このタンパク質はヘテロ二量体複合体を形成し、グルコース依存的にトリグリセリド合成遺伝子のプロモーターに存在する炭水化物応答配列 (ChoRE) モチーフに結合して活性化させる。
臨床的重要性

この遺伝子は7番染色体7q11.23の遺伝子欠失が原因の多系統発達障害であるウィリアムズ症候群において欠失している。
相互作用

MLXIPLはMLXと相互作用することが明らかとされている
解糖系における役割

ChREBPは、核へ移行しPP2Aによってp-Serおよびp-Thrが脱リン酸化された後にDNAに結合する。PP2A自身はキシルロース-5-リン酸によって活性化される。Xu5Pはグルコース-6-リン酸の濃度が高い（細胞が十分なグルコースを持っている）場合にペントースリン酸経路で作られる。肝臓では、ChREBPはL型ピルビン酸キナーゼ (L-PK) や、アセチルCoAカルボキシラーゼ、脂肪酸合成酵素を含む解糖系や脂質生合成のいくつかの調節遺伝子の活性化を媒介する。
推薦文献

de Luis O, Valero MC, Jurado LA (2000). “WBSCR14, a putative transcription factor gene deleted in Williams-Beuren syndrome: complete characterisation of the human gene and the mouse ortholog.”. Eur. J. Hum. Genet. 8 (3):  215–22. doi:10.1038/sj.ejhg.5200435. PMID 10780788.
Cairo S, Merla G, Urbinati F, et al. (2001). “WBSCR14, a gene mapping to the Williams--Beuren syndrome deleted region, is a new member of the Mlx transcription factor network.”. Hum. Mol. Genet. 10 (6):  617–27. doi:10.1093/hmg/10.6.617. PMID 11230181.
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Li MV, Chang B, Imamura M, et al. (2006). “Glucose-dependent transcriptional regulation by an evolutionarily conserved glucose-sensing module.”. Diabetes 55 (5):  1179–89. doi:10.2337/db05-0822. PMID 16644671.
DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション

DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーションでは、DDR3 SDRAMの内部レジスタ及びコマンドに対するオペレーションについて記述する。
コマンドとオペレーション > 状態遷移図

以下にDDR3 SDRAMの状態遷移図を示す。
コマンドとオペレーション > リセットと初期化

ここではリセットピンとデバイスの電源投入時の初期化手順を説明する。
コマンドとオペレーション > リセットと初期化 > リセットピンについて

リセットピンはDDR3 SDRAMで採用されたリセット用の信号入力ピンである。他の信号はVref（参照電圧）と比較してハイ/ローを決定するため振幅が小さくてもデバイスは信号として受け取るのに対してリセットピンはCMOSレールトゥレール (Rail to Rail) で動作する。レールトゥレールとはハイ/ローの電圧幅いっぱいに振る信号を意味する。DDR3 SDRAMのリセットピンは電源電圧VDDとグランド電圧VSSに対して80%でハイ、20%でローとなる。例えばVDDが1.5Vの場合は1.2Vでハイ、0.3Vでローとなる。これはリセットピンが微小な変化に対して敏感である必要はなく、むしろノイズなどの小さな電圧変化に伴う誤動作を避ける目的がある。
またリセットピンは誤動作を避けるためにローパスフィルタ（電圧変動の高周波成分を除去する装置）の内蔵が推奨されている。リセットはメモリセルアレイの内容を破壊するかもしれない。
コマンドとオペレーション > リセットと初期化 > 電源投入と初期化手順

電源投入後、リセットを投入（リセットピンの電圧を0.2×VDD以下にし最低200us以上維持）する。次にCKEをローに落とし、最低10ns以上経過後リセットを解除（RESET#電圧を0.8×VDD以上に復帰）する。
リセットを解除してから500us以上、CKEをローに保たなければならない。
CKEをハイにする10nsまたは5サイクル以上前にクロックをスタートさせる必要がある。この間 コマンドはノーオペレーション (No Operation:NOP) またはデバイスディセレクト (Device Deselect:DES) でなければならない。CKEをハイにしてから初期化が完了するまでの間、CKEはハイを保持しなければならない。
CKEをハイにしてからtXPR (Reset CKE Exit Time) 経過後にMRSコマンドを投入する。
MRSコマンドはMR2, MR3, MR1, MR0の順で投入する。MRSコマンドとMRSコマンドの間はtMRD以上の間隔を開けなければならない。MR1でDLLを有効にしMR0でDLLリセットを行う。
ZQキャリブレーションロング (ZQ Calibration Long:ZQCL) コマンドでZQ補正を開始する。DLLリセット中でもZQキャリブレーションは可能なので、ZQCL投入はMR1コマンド入力後tDLLKを待つ必要はないがtMODを待つ必要がある。
DLLリセット/ZQキャリブレーションの完了のためtDLLK/tZQin待って初期化は終了する。tDLLK/tZQinはそれぞれ512サイクル。
コマンドとオペレーション > モードレジスタセット (Mode Register Set:MRS) の書き込み手順

DDR3 SDRAMでは各種modeやパラメタ設定のため4つのモードレジスタセットを用意している。各MRSにはデフォルトを設定していないので電源投入直後や、リセット・初期化時は、全てのMRSを設定しなければならない。MRSコマンドやDLLリセットはメモリセルアレイに格納されているデータへ何も影響しない。
MRSコマンドの書き込みにはtMRDサイクルを必要とするため、次のMRSコマンド入力は最低tMRD空けて実行しなければならない。またDLLリセット以外のMRSコマンドは完了までにtMODサイクルを必要とするため、MRSとノーオペレーション (No Operation:NOP) やデバイスディセレクト (Device Deselect:DES) を除くコマンドの入力は最低tMODサイクル待たなければならない。DRAMがアイドル状態のときはいつでもMRSの内容を書き換えることができる。
コマンドとオペレーション > モードレジスタ (Mode Register) MR0と設定できる機能

以下ではモードレジスタMR0で設定できるモードとその説明を行う。MR0は以下のフォーマットで設定する。
| BA2 | BA1 | BA0 | A15 | A14 | A13 | A12 | A11 | A10 | A9 | A8 | A7 | A6 | A5 | A4 | A3 | A2 | A1 | A0 |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | PPD | WR | WR | WR | DLL | TM | CL | CL | CL | BT | CL | BL | BL |
コマンドとオペレーション > モードレジスタ (Mode Register) MR0と設定できる機能 > バースト長 (Burst Length:BL)・バーストタイプ (Burst Type:BT)

| A1 | A0 | BL |
| --- | --- | --- |
| 0 | 0 | 8 (固定) |
| 0 | 1 | 4 or 8 (動的に指定) |
| 1 | 0 | 4 (固定) |
| 1 | 1 | Reserved |
| A3 | バーストタイプ |
| --- | --- |
0: 4ビットシーケンシャル (Nibble Sequential)
1: インタリーブ (Interleave)
バースト長、開始アドレス、およびバーストタイプでバースト中にアクセスするアドレス順は下表の通り。MR0:A1=0 A0=1時リード/ライトコマンド入力時のA12/BC#でBL8またはBC4 (バーストチョップ:Burst Chop) を選択できる。
| バースト長 | リード ライト | 開始アドレス | バーストタイプ> シーケンシャル | バーストタイプ> インタリーブ |
| --- | --- | --- | --- | --- |
| 4バーストチョップ | リード | 0 | 0,1,2,3,T,T,T,T | 0,1,2,3,T,T,T,T |
| 4バーストチョップ | リード | 1 | 1,2,3,0,T,T,T,T | 1,0,3,2,T,T,T,T |
| 4バーストチョップ | リード | 2 | 2,3,0,1,T,T,T,T | 2,3,0,1,T,T,T,T |
| 4バーストチョップ | リード | 3 | 3,0,1,2,T,T,T,T | 3,2,1,0,T,T,T,T |
| 4バーストチョップ | リード | 4 | 4,5,6,7,T,T,T,T | 4,5,6,7,T,T,T,T |
| 4バーストチョップ | リード | 5 | 5,6,7,4,T,T,T,T | 5,4,7,6,T,T,T,T |
| 4バーストチョップ | リード | 6 | 6,7,4,5,T,T,T,T | 6,7,4,5,T,T,T,T |
| 4バーストチョップ | リード | 7 | 7,4,5,6,T,T,T,T | 7,6,5,4,T,T,T,T |
| 4バーストチョップ | ライト | 0～3 | 0,1,2,3,X,X,X,X | 0,1,2,3,X,X,X,X |
| 4バーストチョップ | ライト | 4～7 | 4,5,6,7,X,X,X,X | 4,5,6,7,X,X,X,X |
| 8 | リード | 0 | 0,1,2,3,4,5,6,7 | 0,1,2,3,4,5,6,7 |
| 8 | リード | 1 | 1,2,3,0,5,6,7,4 | 1,0,3,2,5,4,7,6 |
| 8 | リード | 2 | 2,3,0,1,6,7,4,5 | 2,3,0,1,6,7,4,5 |
| 8 | リード | 3 | 3,0,1,2,7,4,5,6 | 3,2,1,0,7,6,5,4 |
| 8 | リード | 4 | 4,5,6,7,0,1,2,3 | 4,5,6,7,0,1,2,3 |
| 8 | リード | 5 | 5,6,7,4,1,2,3,0 | 5,4,7,6,1,0,3,2 |
| 8 | リード | 6 | 6,7,4,5,2,3,0,1 | 6,7,4,5,2,3,0,1 |
| 8 | リード | 7 | 7,4,5,6,3,0,1,2 | 7,6,5,4,3,2,1,0 |
| 8 | ライト | 0～7 | 0,1,2,3,4,5,6,7 | 0,1,2,3,4,5,6,7 |
バースト長にBL4固定を指定した場合、メモリデバイス内部では入出力バッファからメモリセルアレイに対する書き込み動作をBL8を指定した場合よりも2サイクル早く開始する。これはtWRとtWTRの開始位置が2サイクル短くなることを意味している。ただしBL8/BC4を動的に決定するモードを選択した場合、常にBL8と同じサイクルでライト動作を開始しなければならない。T: DQおよびDQSの出力ドライバはHi-Z。X: Don't care。
リード動作やライト動作を繰り返して行う場合、CASを再びローに落とせる様になるまでのサイクル数の下限であるtCCDが4であるため、BC4であっても続くリード/ライトコマンドの入力はBL8と同じサイクル数後になる。つまりBC4を選択しても空いたサイクルに別のデータを詰めてリード/ライト動作を継続できるわけではない。このためリード/ライト動作を継続する場合はバーストチョップを使用するメリットはない。しかしリード→ライト時や、ライト→リード時、ライト→プリチャージ (Precharge) 時にバーストチョップを行うことでBL8を利用する場合に比べてサイクル数を減らせる場合がある。詳細は後述のタイミングチャートを参照。
コマンドとオペレーション > モードレジスタ (Mode Register) MR0と設定できる機能 > CASレイテンシ (CAS Latency:CL)

| A6 | A5 | A4 | A2 | CAS レイテンシ |
| --- | --- | --- | --- | --- |
| 0 | 0 | 0 | 0 | Reserved |
| 0 | 0 | 1 | 0 | 5 |
| 0 | 1 | 0 | 0 | 6 |
| 0 | 1 | 1 | 0 | 7 |
| 1 | 0 | 0 | 0 | 8 |
| 1 | 0 | 1 | 0 | 9 |
| 1 | 1 | 0 | 0 | 10 |
| 1 | 1 | 1 | 0 | 11 (Reserve) |
CASレイテンシはリードコマンドが有効になってから実際にデータが出力されるまでの遅延サイクル数を指す。リードコマンドを入力してからデータが出てくるまでの遅延サイクルであるリードレイテンシ (Read Latency:RL) はアディティブレイテンシ (Additive Latency:AL) とCLの和になる。CASレイテンシはデバイススペックや実動作速度で設定できる値が異なる。詳しくは各デバイスのスペックシートを参照すること。
コマンドとオペレーション > モードレジスタ (Mode Register) MR0と設定できる機能 > テストモード (Test Mode:TM)

| A7 | テストモード |
| --- | --- |
0: 通常動作
1: テストモード使用
テストモードはデバイス生産時にのみ使用されるテスト用のモードである。通常は使用してはならない。テストモードでデバイスがどのように動作するかは未定義。おそらくデバイスメーカによってテストモードの動作は異なる。
コマンドとオペレーション > モードレジスタ (Mode Register) MR0と設定できる機能 > DLLリセット (DLL Reset)

| A8 | DLLリセット |
| --- | --- |
0: DLLをリセットしない
1: DLLをリセットする
DLLリセットはデバイス内部のDLL (Delay Locked Loop) 回路のリセットを指定する。DLL回路とは時間の経過と共に環境の変化（電源電圧や温度など）や内的原因（メモリデバイス内で行う処理や内部クロック自身の持つ誤差）に起因して外部クロックと内部クロックの間に発生する誤差を補正しタイミングを一定に保つための回路。外部クロックと内部クロックの信号を継続的に比較する位相検出器で構成されている。信号間に位相差を検出した場合、調整回路(遅延回路)に制御情報をフィードバックする。DLLをリセットすることでDLL回路は外部クロックをロックすることができる。DLLリセットは外部クロックと内部クロックの同期のためにtDLLKサイクルを必要とする。tDLLKの区間、CKEはハイでなければならない。DLLを使用する場合、DLLを有効にしてからDLLをリセットする必要がある。DLLをリセットしてからtDLLK後にDLLが使用可能になる。DLLリセットはDLL回路のリセット完了後自動的に通常状態に戻るのでDLLリセット完了後に明示的にMR0:A8=0を再設定する必要はない。
コマンドとオペレーション > モードレジスタ (Mode Register) MR0と設定できる機能 > ライトリカバリ (Write Recovery for Auto Precharge)

| A11 | A10 | A9 | ライトリカバリサイクル数(WR) |
| --- | --- | --- | --- |
| 0 | 0 | 0 | Reserved |
| 0 | 0 | 1 | 5 |
| 0 | 1 | 0 | 6 |
| 0 | 1 | 1 | 7 |
| 1 | 0 | 0 | 8 |
| 1 | 0 | 1 | 10 |
| 1 | 1 | 0 | 12 |
| 1 | 1 | 1 | Reserved |
ライトリカバリサイクル数 (WR) はリカバリオートプリチャージ (Recovery Auto Precharge) 時間の計算式 (tDAL=WR+tRP/tCK) に用いられるサイクル数。tRPはプリチャージコマンドサイクル数。最小ライトリカバリサイクル数 (WRmin) はtWR/tCKで求める（小数点以下は切り上げ）。tWRはスペックシートに規定されているライトリカバリタイム、tCKは1サイクルタイム。設定するWRはWRmin以上の値を設定する。
コマンドとオペレーション > モードレジスタ (Mode Register) MR0と設定できる機能 > プリチャージパワーダウン時のDLLコントロール (DLL Control for Precharge Power Down)

| A12 | DLLコントロールモード |
| --- | --- |
0: スローイグジット (DLLオフ)
1: ファストイグジット (DLLオン)
プリチャージパワーダウン時のDLLコントロール (DLL Control for Precharge Power Down) はプリチャージパワーダウン時にDLLを保持するかどうかを指定する。スローイグジットを選択した場合、DLLはプリチャージパワーダウン突入後に電流消費量を抑えるためにDLLを解除する。そのためパワーダウンを解除してからDLLの再ロックが必要となりデバイスに対してコマンド入力が有効になるまでにtXPDLLを要する。ファストイグジットを選択した場合、DLLはプリチャージパワーダウン突入後にも維持される。そのためパワーダウンを解除してからDLLの再ロックは不要であるためtXP後にデバイスに対してコマンド入力が有効になる。
コマンドとオペレーション > モードレジスタ (Mode Register) MR1と設定できる機能

以下ではモードレジスタMR1で設定できるモードとその説明を行う。MR1は以下のフォーマットで設定する。
| BA2 | BA1 | BA0 | A15 | A14 | A13 | A12 | A11 | A10 | A9 | A8 | A7 | A6 | A5 | A4 | A3 | A2 | A1 | A0 |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| 0 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | Qoff | TDQS | 0 | RTT_Nom | 0 | Level | RTT_Nom | DIC | AL | AL | RTT_Nom | DIC | DLL |
コマンドとオペレーション > モードレジスタ (Mode Register) MR1と設定できる機能 > DLLイネーブル (DLL Enable)

| A0 | DLLイネーブル |
| --- | --- |
0: DLLを有効にする (Enable)
1: DLLを無効にする (Disable)
DLLを有効にするか (Enable) 無効にするか (Disable) を指定する。DLLとはDelay Locked Loopの略で外部クロックと内部クロックのタイミング補正に使用される回路である。通常、動作時は常にDLLは有効にしておかなければならない。電源投入後の初期化時や、DLL無効後に通常動作に復帰するときにDLLイネーブルを設定する必要がある。DLLはセルフリフレッシュ開始時に自動的に無効となりセルフリフレッシュ終了時に自動的に有効になる。MR1でDLLを有効にした場合は、続いてMR0でDLLのリセットを行わなければならない。
DLLを無効にした場合、ダイナミックODTは使用できない。DLLが無効の間はODTの入力をローにするか、またはMR1:A9,A6,A2 (RTT_Nom) を0にしなければならない。またMR2:A10,A9 (RTT_WR) =0にしてダイナミックODTも無効にしておかなければならない。
コマンドとオペレーション > モードレジスタ (Mode Register) MR1と設定できる機能 > 出力ドライバインピーダンスコントロール (Output Driver Impedance Control:DIC)

| A5 | A1 | 出力インピーダンス値 |
| --- | --- | --- |
| 0 | 0 | Reserved for RZQ/6 |
| 0 | 1 | RZQ/7 |
| 1 | 0 | RZQ/TBD |
| 1 | 1 | RZQ/TBD |
出力ドライバインピーダンスを指定する。RZQ=240Ω。データピンの出力ドライバは240Ωの抵抗をプルアップ・プルダウン用に7個ずつ持っている。この抵抗の一部あるいは全部を有効・無効にすることで出力インピーダンスを調整する。この出力抵抗回路はRTT_Nom/RTT_WRで指定する終端抵抗と共有している。
コマンドとオペレーション > モードレジスタ (Mode Register) MR1と設定できる機能 > 通常時の終端抵抗指定値 (RTT_Nom)

| A9 | A6 | A2 | RTT_Nom |
| --- | --- | --- | --- |
| 0 | 0 | 0 | ODT disabled |
| 0 | 0 | 1 | RZQ/4 |
| 0 | 1 | 0 | RZQ/2 |
| 0 | 1 | 1 | RZQ/6 |
| 1 | 0 | 0 | RZQ/12 |
| 1 | 0 | 1 | RZQ/8 |
| 1 | 1 | 0 | Reserved |
| 1 | 1 | 1 | Reserved |
RTT_NomとRTT_WRを個別に制御できる。MR1でRTT_Nomを指定する。RZQ=240Ω。
コマンドとオペレーション > モードレジスタ (Mode Register) MR1と設定できる機能 > アディティブレイテンシ (Additive Latency:AL)

| A4 | A3 | アディティブレイテンシ |
| --- | --- | --- |
| 0 | 0 | 0 (AL disabled) |
| 0 | 1 | CL-1 |
| 1 | 0 | CL-2 |
| 1 | 1 | Reserved |
アディティブレイテンシを利用することでデータバスを効率的に活用できるようになる。アクティブコマンドからリード/ライトコマンドの入力が可能になるまでにtRCD時間が必要である。このtRCDのためにリード/ライトコマンドと別のバンクに対するアクティブコマンドの競合が発生することがある。この競合を避けるために別のバンクに対するアクティブコマンドの入力が1サイクル遅らせると、データを連続的にリード/ライトできないサイクルが発生する。このようなサイクルをバブル (bubble) と言う。バブルが発生するとデータバスに無駄な空きが生じ、データ転送効率が低下する。そこでDDR2 SDRAMからポステッドCAS (Posted CAS) が採用された。ポステッドCASとはtRCD期間中の任意のタイミングに次のリード/ライトコマンドを入力できるようにする機能である。入力したリード/ライトコマンドはデバイス内部で保持され一定期間後に有効となる。この一定期間をアディティブレイテンシと言う。ポステッドCASを活用することで効率的なコマンド入力が可能になりデータ転送効率が向上する。
ライトコマンドから実際にデータの書き込まれるまでのサイクル数＝ライトレイテンシ(Write Latency:WL)はアディティブレイテンシ (AL) とCASライトレイテンシ (CAS Write Latency:CWL) の和 (WL=CWL+AL)、リードコマンドから実際にデータが読み出されるまでのサイクル数＝リードレイテンシ (Read Latency:RL) はアディティブレイテンシ (AL) とCASレイテンシ (CAS Latency:CL) の和にな る(RL=CL+AL)。
DDR2 SDRAMではAL=0～4が選択可能であったが、DDR3 SDRAMではAL=0,CL-1,CL-2が選択可能である。