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埼玉県道413号羽生停車場線

| 一般県道 |
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埼玉県道413号羽生停車場線
起点: 羽生市 羽生停車場
終点: 小松台交差点
接続する 主な道路 （記法）: 国道122号
■テンプレート（■ノート ■使い方） ■PJ道路
羽生市中央1丁目（2012年10月）
埼玉県道413号羽生停車場線（さいたまけんどう413ごう はにゅうていしゃじょうせん）は、埼玉県羽生市の羽生停車場（羽生駅東口）から、国道122号及び埼玉県道32号鴻巣羽生線に至る県道である。地図によっては県道表記のされていないものがある。
概要

かつては羽生駅東口から埼玉県道60号羽生外野栗橋線に至る県道であった。全区間片側1車線となっている。
2023年3月29日には埼玉県道129号加須羽生線の旧区域が新たな路線となり、南7丁目交差点から埼玉県道84号羽生栗橋線と重複し、国道122号と交差する小松台交差点が終点に変更された。
南7丁目交差点から南4丁目付近までは、かつては国道122号だった。
路線データ

起点：埼玉県羽生市南 羽生停車場：羽生駅東口
終点：埼玉県羽生市小松台 小松台交差点：国道122号（起点方面重複：埼玉県道60号羽生外野栗橋線、終点方面重複：埼玉県道128号熊谷羽生線）・埼玉県道32号鴻巣羽生線・埼玉県道84号羽生栗橋線重複・埼玉県道129号加須羽生線重複
地理 > 通過する市町村

埼玉県
羽生市
地理 > 交差する道路

| 交差する道路 | 交差点名 | 所在地 | 所在地 |
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| 羽生停車場（羽生駅東口） | 羽生停車場（羽生駅東口） | 羽生市 | 南 |
| 埼玉県道84号羽生栗橋線 埼玉県道129号加須羽生線 | 南7丁目 | 羽生市 | 南 |
| 国道122号 | 小松台 | 羽生市 | 小松台 |
埼玉県道32号鴻巣羽生線
地理 > 重複区間

埼玉県道84号羽生栗橋線・埼玉県道129号加須羽生線：羽生市南7丁目交差点 - 小松台交差点
地理 > 沿道・近隣の主な施設

羽生駅
羽生郵便局
建福寺幼稚園
原子層堆積

原子層堆積、または原子層堆積法（ALD：Atomic layer deposition)は気相の連続的な化学反応を利用した薄膜形成技術である。化学気相成長（CVD: chemical vapor deposition）の1分類とされる。多くの場合、ALDは2種類のプリカーサ（前駆体）と呼ばれる化学物質を用いて行われる。プリカーサは1種ずつ、連続的かつ自己制御的に対象物表面に反応する。それぞれのプリカーサへの暴露を順番に繰り返し行うことで、薄膜は徐々に形成される。ALDは半導体デバイス製造において重要なプロセスであり、装置の一部はナノマテリアル合成にも利用可能である。1974年にフィンランドのトゥオモ・スントラ博士によって実用化された。
概要

ALDは複数の気相原料(プリカーサ)を交互に基板表面に暴露させることで膜を生成する薄膜形成方法である。CVDと異なり、違う種類のプリカーサが同時に反応チャンバに入ることはなく、それぞれ独立のステップとして導入(パルス)され排出(パージ)される。各パルスにおいてプリカーサ分子は基板表面で自己制御的に振る舞い、吸着可能なサイトが表面になくなった時点で反応は終了する。従って、一度のサイクルにおける最大成膜量は、プリカーサ分子と基板表面分子が化学的にどのように結合するのか、その性質により規定される。そのためサイクル数をコントロールすることで任意の構造・サイズの基板に対して高精度かつ均一に成膜することができる。
ALDは 原子層レベルで膜厚と材質のコントロールができ、極めて薄く緻密な成膜が可能と考えられている。近年物理的な限界が意識されているムーアの法則に基づく電子デバイス微細化への要求が大きな原動力となり、昨今ALDに対する研究開発は非常に活発化している。 数百もの異なるプロセスが発表されているものの、その中には標準的と考えられているALDのプロセスとはかけ離れたものも見られる。
歴史

ALDはフィンランドにおいてALE(Atomic Layer Epitaxy:原子層エピタキシ)として、旧ソ連においてML(Molecular Layering:分子積層)としてそれぞれ別々に開発された。
1960年代、Stanislav Ivanovich KoltsovはValentin Borisovich Aleskovskiiらと共にレニングラード工科大学(LTI:Leningrad Technological Institute、現在のサンクトペテルブルク工科大学)において、ALDの原理を開発した。その目的は、1952年に発表された Valentinの博士論文中で「仮説の枠組み」として造られた理論的考察を実験により確立することであった。実験は金属塩化物の反応及び水と多孔質シリカで始められ、すぐに他の基板材料への平面薄膜形成へと発展した。 1965年にAleskovskiiとKoltsovはこの新技術に対しMolecular Layering:分子積層と名付けることを提案した。MLの原理は1971年にKoltsovの博士論文において要約された。MLの研究活動は基礎化学研究から多孔質触媒や吸着材、マイクロエレクトロニクス用途のフィラーの応用研究まで多岐にわたっていた。
1974年、フィンランドのInstrumentarium社において薄膜ELディスプレイ(Thin Film Electroluminescent:TFEL)の開発が始まった時にトゥオモ・スントラが薄膜の先端技術としてALDを考案し、スントラはギリシャ語の「表面に配列する」という意味のepitaxyからAtomic Layer Epitaxy:原子層エピタキシと名付けた(スントラに従えば略称はALEであるが、類似の技術である原子層エッチング:Atomic Layer Etchingの略称と紛らしくなるため、以下ALDで統一する)。最初の実験では亜鉛元素と硫黄元素を用いて硫化亜鉛を成長させた。薄膜形成方法としてのALDは20カ国以上で特許取得された。大きな進歩はスントラと同僚たちが高真空反応装置から不活性ガス反応装置に変更した時に起こった。キャリアとして不活性ガスを用いることで、金属塩化物、硫化水素、水蒸気のような化合物をALDプロセスに使用できるようになった。
この技術は1980年にSID国際会議において初めて発表された。展示されたTFELディスプレイの試作品は、2つの酸化アルミニウムの誘電体層の間に成膜された硫化亜鉛層で構成されており、その全てが塩化亜鉛+硫化水素とTMA+水をプリカーサとして使用したALDプロセスで成膜されていた。初めての大規模なALD-ELディスプレイの概念実証はヘルシンキ・ヴァンター国際空港に1983年に設置されたフライト情報ボードであった。TFELFPDの生産は1980年代中頃にLohja社のOlarinluoma工場で開始された。
ALDの学術的研究は1970年代にタンペレ工科大学(スントラもここで電子物理学を教えたことがある)で、1980年代にヘルシンキ工科大学で始まった。
産業アプリケーションとしては、TFELディスプレイの製造が1990年代まで唯一のものであった。新しいALDのアプリケーション研究開発を目的としてフィンランドの国営石油会社であるネステ社が設立したMicrochemistry社にて、1987年にスントラは光起電力素子や不均一触媒などの研究を始めた。
1990年代、Microchemistry社は半導体向けアプリケーションとシリコンウェハー処理に適したALD装置の開発に舵を切った。1999年、Microchemistry社とALD技術は半導体製造装置大手であるオランダのASMインターナショナルに買収された。Microchemistry社はASMのフィンランド子会社であるASM Microchemistry社となり、同社は1990年代には商用としては唯一のALD装置製造メーカーであった。2000年代初頭にはフィンランドに蓄積されたALDのノウハウから、Beneq社とPicosun社という二つの新しいメーカーが誕生した。尚、後者Picosun社は1975年からスントラの親しい同僚であったスヴェン・リンドフォズが立ち上げた会社である。ALD装置メーカーの数はたちまちのうちに増えていき、半導体向け成膜はALD技術の産業アプリケーションのブレイクスルーとなった。これはALDがムーアの法則を継続するために必要な技術と考えられたからである。
2004年にトゥオモ・スントラは半導体アプリケーションへのALD技術開発に対しEuropean SEMI awardを受賞した。また2018年にはフィンランドのミレニアム技術賞を受賞している。
ML:分子積層とALE:原子層エピタキシの開発者たちは、1990年フィンランドのエスポーで開催された第一回原子層エピタキシ国際会議「ALE-1」の場で顔を合わせている。にもかかわらず、英語話者が圧倒的多数を占めて成長し続けるALDコミュニティ内では分子積層の知識は周辺的なものとして扱われてきた。2005年にあるALDについての科学総説論文で分子積層研究の幅広さを明らかにしたことでようやく脚光を浴びるようになったのである。
ALE:原子層エピタキシに代わってCVDのアナロジーであるALD:原子層堆積(Atomic Layer Deposition)という呼称を提案したのはヘルシンキ大学教授のMarkku Leskeläである。フィンランド・エスポーでのALE-1会議で提案されたものの、その名前がアメリカ真空学会によるALDについての一連の国際会議から始まって、一般に受け入れられるまでにはおよそ10年かかった。
表面反応のメカニズム

典型的なALDプロセスでは、基板はガス反応体（プリカーサ）AとBに順番に、反応体同士が互いに混合しないように暴露される。薄膜成長が安定した状態で進行する化学気相成長(CVD)のような他の成膜技術と異なり、ALDでは各々の反応体が基板表面と自己制御的に反応する。反応体分子は表面の決まった数の反応性部位としか反応しないためである。
表面の反応性部位が全て反応体Aで埋められると、膜成長は止まる。残ったA分子は排出され、今度は反応体Bが導入される。AとBに順番に暴露されることで薄膜が堆積していく。従ってALDプロセスと言った時には、それぞれのプリカーサの供給回数(基板表面に1種類のプリカーサが暴露される回数)とパージ回数(供給と供給の間に余剰プリカーサを排出する回数)の両方を指し、二成分の供給-パージ-供給-パージの連続がALDプロセスを構成する。また、ALDの場合には成長率、いわゆるデポレートの考え方よりもむしろサイクルあたりの成長という観点から説明される。
ALDでは、各反応ステップにおいて十分な時間が確保されれば、全ての表面反応性部位に対しプリカーサ分子が完全に吸着すると考えられ、それが達成されればプロセスは飽和状態となる。このプロセス時間はプリカーサの圧力と固着確率の二つの要因に依存する。
そのため、単位表面積あたりの吸着率は以下のように示される。
しかしALDの重要な特性として、Sは経時により変化する。プリカーサ分子が表面に吸着すればするほど、固着確率は低下し、やがて飽和に達するとゼロになる。
具体的な反応メカニズムは個別のALDプロセスに強く依存する。酸化物、金属、窒化物、硫化物、カルコゲン化物、フッ化物を成膜する数百のプロセスが可能となっており、ALDプロセスの機構的側面の解明は研究が盛んな領域である。代表的な例を以下に示す。
表面反応のメカニズム > Al2O3 熱ALD

様々なプロセスが発表されている中で、トリメチルアルミニウム(TMA)と水によるアルミナ( Al2O3 )の成膜は比較的よく知られている。 Al2O3 の自己制御的成長は、室温から300℃以上まで、幅広い温度領域で実施可能である。
プリカーサの供給中、TMAは基板表面に解離吸着し、余剰のTMAは排出される。TMAの解離吸着により表面はAlCH3で覆われる。次に基板表面は水蒸気に暴露され、 H2O は表面の –CH3 と反応して副生成物のメタン(CH4 )を作り、表面にヒドロキシル化した Al2O3 が残る。
表面反応のメカニズム > 金属ALD

脱離反応による金属ALDは一般的に金属フッ化物などのハロゲン元素で官能基を持った金属がシリコンプリカーサと反応して起こる。フルオロシランを使った金属成膜としては、タングステンやモリブデンが一般的である。これらの金属を使った脱離反応は発熱性が高いためである。タングステンALDでは、最終パージ前には基板表面はSi-HとW-Fで構成されており、プリカーサABの各反応サイクルごとに直線的なデポレートが観察される。タングステンALDの典型的なサイクルあたり成長率は4〜7オングストロームであり、典型的な反応温度は177℃〜325℃である。タングステンALDにおいて、2つの表面反応、及びALDの全プロセスを以下に示す。その他のALD金属成膜も基本的にフルオロシラン脱離反応であれば同様の反応順序である。
表面での主な反応:
WSiF2H* + WF6 → WWF5* + SiF3H (7)
WF5* + Si2H6 → WSiF2H* + SiF3H + 2H2 (8)
全体のALD反応:
WF6 + Si2H6 → W + SiF3H + 2H2 ∆H = -181kcal (9)
| 0 | 1 | 2 | 3 | 4 |
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ALD反応メカニズムの要約
| ALD種類 | 温度領域 | プリカーサ | 反応体 | アプリケーション |
| 触媒  ALD | >32 ℃  ルイス塩基触媒による | 金属酸化物 (例 TiO2、ZrO2、SnO22) | (Metal)Cl4, H2O | High-k誘電層、保護層、反射防止層、等 |
| Al2O3 ALD | 30–300 ℃ | Al2O3、金属酸化物 | (Metal)Cl4, H2O, Ti(OiPr)4,  (Metal)(Et)2 | 誘電層、 絶縁膜、太陽電池表面パッシベーション等 |
| 金属 ALD  熱化学反応 | 175–400 °C | 金属フッ化物、有機金属類、触媒金属類 | M(C5H5)2, (CH3C5H4)M(CH3)3 ,Cu(thd)2, Pd(hfac)2, Ni(acac)2, H2 | 導通路、触媒表面、MOSデバイス |
| ポリマーへのALD | 25–100 °C | 一般的なポリマー(ポリエチレン、PMMA、PP、PS、 PVC、PVA等) | Al(CH3)3, H2O, M(CH3)3 | ポリマー表面機能付与、複合材料合成、 拡散防止膜など |
| 粉体ALD | ポリマー粉末: 25–100℃、 金属・合金粉末：100–400℃ | BN、ZrO2、カーボンナノチューブ、ポリマー粉末 | 個々の粉末粒子にコーティングするため、流動層反応装置が用いられる。 | 保護膜・絶縁膜コーティング、光学的・機械的特性調整、複合材構造形成、導電媒体 |
| 単一元素のプラズマ・ラジカル ALD | 20–800 ℃ | 純金属 （例：Ta、Ti、Si、Ge、Ru、Pt）、金属窒化物（例：TiN、TaN等） | 有機金属類、MH2Cl2、トリス(ジエチルアミド)(tert-ブチルイミド)-タンタル(V) (TBTDET),  ビス(エチルシクロペンタジエニル)ルテニウム(II)、 NH3 | DRAM構造、MOSFET及び半導体デバイス、キャパシタ |
| 金属酸化物及び窒化物のプラズマ ALD | 20–300 °C | Al2O3、SiO2、ZnOx、InOx、HfO2、SiNx、TaNx | サーマルALDと同様 |  |
アプリケーション

ALDのアプリケーションは非常に多岐にわたる。主要な分野はマイクロエレクトロニクスとバイオメディカルであり、その詳細を以下に述べる。
アプリケーション > マイクロエレクトロニクス

様々な材料を使って高品質な成膜ができることに加え、正確な膜厚と均一な表面制御ができるため、ALDはマイクロエレクトロニクス製造において有用なプロセスである。マイクロエレクトロニクス分野では、ALDはhigh-k（高誘電率）ゲート酸化膜、high-kメモリキャパシタ絶縁膜、強誘電体、また電極・配線用途の金属及び窒化物の成膜に有望として検討されている。超薄膜の制御が重要となるhigh-kゲート酸化膜では、ALDはデザインルール45nmの世代から広く使われ始めるとみられる。メタライゼーションではコンフォーマルな成膜が必要とされ、現段階では65nmノードからALDが主流となることが期待される。DRAMではコンフォーマル性への要求は更に高く、100nm以下のサイズになるとALDが唯一の方法である。磁気記録ヘッドやMOSFETゲートスタック、DRAMキャパシタや不揮発強誘電体メモリその他の様々な製品がALD技術を使用している。
アプリケーション > マイクロエレクトロニクス > ゲート酸化膜

high-k酸化物のAl2O3、ZrO2、HfO2の成膜は、ALDで最も広く試されている領域である。high-k酸化物の要求は、MOSFETに広く使われている SiO2 ゲート絶縁膜が1.0nm以下まで微細化した際に発生するトンネル電流が問題になるためである。high-k酸化物であれば、より厚いゲート絶縁膜であっても静電容量の要求を満足できるため、構造上トンネル電流を低減できる。インテルは45nmCMOS技術においてhigh-kゲート絶縁膜成膜にALDを使っていると報告している。
アプリケーション > マイクロエレクトロニクス > 遷移金属窒化物

窒化チタンや窒化タンタルといった遷移金属窒化物はバリアメタルやメタルゲートとして有望である。バリアメタル層は現代の銅ベースの半導体チップに、Cuが絶縁体やシリコン基板などの周囲の素材に拡散すること、また逆にあらゆる銅配線周囲の絶縁体からのCuへの元素拡散汚染を防ぐために使われている。バリアメタルには、高純度、緻密さ、導電性、コンフォーマル性、薄い、金属や絶縁体と密着性が良いなどの厳しい特性が求められるが、プロセス技術の観点からはALDで対応可能である。窒化物ALDにおいて最も研究されているのは、塩化チタンとアンモニアで成膜した窒化チタンである。
アプリケーション > マイクロエレクトロニクス > 金属成膜

金属ALDの用途は以下の通りである。
銅配線及びタングステンプラグ、或いは銅電気めっきのCuシード層やタングステンCVDのWシード層
銅配線バリア用途の遷移金属窒化物(TiN、TaN、WNなど)
FRAMやDRAMキャパシタ電極用途貴金属類
デュアルゲートMOSFET用途高/低仕事関数金属類
アプリケーション > マイクロエレクトロニクス > 磁気記録ヘッド

磁気記録ヘッドでは、微粒子を着磁させハードディスク上に磁化パターンを形成するために電界を利用している。Al2O3 ALDは絶縁体の均一薄膜形成に使われている。ALDを使うことで、高精度で絶縁膜厚をコントロールすることができる。これにより更に高精度なパターン形成ができ、より高品質なレコーディングが可能となる。
アプリケーション > マイクロエレクトロニクス > DRAMキャパシタ

Dynamic random-access memory(DRAM)キャパシタもALDのアプリケーションの一つである。個々の DRAMセルは1ビットのデータを保存でき、それぞれ一つのMOSトランジスタとキャパシタから構成されている。メモリ密度を更に増大させるために効果的なキャパシタのサイズ低減に努力が払われている。静電容量に影響することなくキャパシタのサイズを変えるには、スタック型やトレンチ型キャパシタなどの異なるセル形態が使われている。トレンチ型キャパシタなどの出現と共に、これらのタイプのキャパシタ製造、特に半導体サイズ微細化に関わる問題が明らかになってきた。ALDはトレンチ形状を100nmより先に推し進めた。材料単層を成膜できる特性により、材料の多様なコントロールが可能となった。不完全な膜成長の若干の問題（主に不足もしくは基板が低温であったため）を例外として、ALDは絶縁膜やバリア膜などの薄膜形成に有効な手段である。
アプリケーション > バイオメディカル

バイオメディカル分野において、特に人体に埋め込まれるデバイスについては、デバイスの表面特性を理解しかつ明示することは極めて重要である。素材はその表面において環境と反応するため、表面特性が素材と環境との適合性を大きく左右し、表面化学及び表面構造がタンパク質吸着、細胞相互作用、免疫反応に影響を及ぼす。
バイオメディカルでは現在、フレキシブルセンサ、ナノポーラス膜、高分子ALD、生体適合薄膜コーティング向けに使用がある。ALDは診査器具の光学導波管センサにTiO2を成膜するのに用いられている。また、衣類に組み込みアスリートの動きや心拍数を検知するなどフレキシブルセンサデバイスとしても有用である。ALDは低温成膜が可能なため、フレキシブル有機電界効果トランジスタの製造工程にも適用可能と考えられている。
ドラッグデリバリー、インプラント、組織工学といった分野に近年ナノポーラス材料が採用され始めている。ナノポーラス材料表面を他の方法ではなくALDで改質するメリットとしては、表面への吸着飽和と自己制御的な性質により、深く入り組んだ表面や境界面にも均一にコーティングできることである。ALDプロセスのコンフォーマル性の高いコーティングはナノポア内部を完全に被覆できるため、さらに孔径を小さくすることができ、特定の用途では有用となる可能性がある。
アプリケーション > 品質管理

ALDの工程品質は、スムーズに、均一層を表面に形成しているかを種々のイメージング技術を用いてモニタリングできる。例えばSEM断面図やTEMによりミクロからナノスケールでの観察を行うことができる。観察像の倍率はALD層の評価品質に直結する。XRR（X-ray reflectivity：X線反射率法）は膜厚、密度、表面粗度などの薄膜特性を測定する技術である。SE（spectroscopic ellipsometry ：分光エリプソメトリ）は光学特性評価のツールであり、SEを用いて各ALD膜層間を測定することで、膜の成長率や材料特性を評価できる。
ALDプロセス中にこの器具を使用する（分光エリプソメトリその場観察と呼ばれる）ことで、プロセス中の膜成長率をより的確にコントロールできる。SEはXRRやTEMのようにプロセス終了後に膜評価をするよりプロセス中に行われることが多い。その他にも、RBS（Rutherford backscattering spectroscopy：ラザフォード工法散乱分光法）、XPS（X-Ray photoelectron spectroscopy：X線電子分光法）、AES（Auger electron spectroscopy：オージェ電子分光法）、４探針法などがALD成膜の品質管理に使用される。
長所と限界 > 長所

ALDは原子層レベルで膜厚の厳密なコントロールができる。また、異なる材料の複層構造も比較的容易に成膜できる。反応性の高さと精密さから、マイクロエレクトロニクスやナノテクノロジーのような、微細かつ効率的な半導体分野に極めて有用である。ALDは通常、比較的低温プロセスで運用されるため、生体サンプルのような脆弱な基板を用いるときに有用であり、熱分解しやすいプリカーサを使用する際にもメリットとなる。付き回り性に優れるため、粉末や複雑構造の形状物へも適用しやすい。
長所と限界 > 短所

ALD工程は非常に時間がかかることが主な制約条件として知られている。たとえば酸化アルミの成膜はサイクルあたり0.11nm、時間当たりの標準的な成膜量は100～300nmである。ALDは通常マイクロエレクトロニクスやナノテクノロジー向けの基板製造に使われるため、厚膜形成は必要とされない。一般的にμmオーダーの膜厚が必要とされる場合には、ALD工程は成膜時間の面から難しいとされる。また材料的な制約として、プリカーサは揮発性でなくてはならない。かつ成膜対象物がプリカーサ分子の化学吸着に必要な熱ストレスに耐えられる必要がある。
ALDの派生技術 > PEALD

プラズマALD（Plasma Enhanced ALD)。成膜にプラズマを援用することで、成膜をより低温で行える等のメリットがある。
ALDの派生技術 > MLD

分子層堆積法（Molecular Layer Deposition）。有機物ポリマーを膜材料とした成膜をALDプロセスで行う。超格子の製造などに使われる。
ALDの派生技術 > VPI

気相浸透法（Vapor Phase Infiltration)。有機ポリマーや繊維の奥までプリカーサを浸透させることで有機無機ハイブリッド材料を作る。
流木

カナダガンと流木
流木（りゅうぼく）とは、河川や海に流れ込んだ樹木やその一部、およびそれらが河岸や海岸に漂流物として打ち上げられたもののことである。
多量に発生する原因として、河川の上流部では、山間部で発生した土砂災害による倒木などが河川に流れ込むことが挙げられる。また、中・下流部では、倒木し川底に堆積していた河畔林が洪水により洗い流されて流木が発生する。海浜部では、希に航行中の貨物船から流出した木材が大量に漂着することもある。
生態系における資源

流木は本来水中にあるものではなく、偶発的に流入するものではあるが、その頻度は低くなく、存在することがほぼ恒常的である。そのためこれを資源として消費し、そこで生活する動物はいくつかある。たとえばフナクイムシやキクイムシは海産動物であるが、流木を生活の場としている。
用途

海岸に漂着する流木を使ってアート作品を作成する芸術家がいる。
また、アクアリウムの世界では、水槽レイアウトに利用するほか、生体の隠れ家や水草や苔を活着させるなど、幅広く利用されている。流木から発生するアクはフミン酸(腐植酸)である。
ダムに流れ込む流木を引き上げてチップ化する事業が行われているが、採算は取れないとされる。泥による汚れが酷いため製紙用には用いることはできず、バーク堆肥化などバイオマスとして利用される。
被害

「」を参照
流木がもたらす被害として、以下のようなものが挙げられる。漂着した流木の処分は、地元自治体が行うこととなる。
橋梁を閉塞し河川を氾濫させる。
天然ダムを形成し土石流の原因となる。
ダムの湛水域に大量に押し寄せ取水を困難にする。
海域に流れ込み漁網に被害を与える。
漁港に流れ込み漁船の航行を不能にする。
注釈・出典

流木と馬車の車輪を使った照明器具
Goodell Creek（英語版）を閉塞する流木
坂元 (弘前市)

| 坂元 |
| --- | --- |
 坂元坂元の位置
 北緯40度32分20.45秒 東経140度25分45.97秒﻿ / ﻿北緯40.5390139度 東経140.4294361度﻿ / 40.5390139; 140.4294361
国:   日本
都道府県:   青森県
市町村:   弘前市
人口（2017年（平成29年）6月1日現在）
 • 合計:  138人
等時帯:  UTC+9 (日本標準時)
郵便番号:  036-8244
市外局番:  0172
ナンバープレート:  弘前
坂元（さかもと）は、青森県弘前市の地名。郵便番号は036-8244。
地理

当地を土淵川が流れ、青森県道126号久渡寺新寺町線が縦貫し、その終点でもあり、目的地を指す久渡寺、羽黒神社がある大字。北は悪戸、北から南にかけては小沢に囲まれ、西は湯口に接する。
また、かつては坂本とも表記された。
地理 > 小字

小字として赤沢・前沢・山下・山元がある。
沿革

1889年（明治22年） - 清水村大字坂元となる。
1891年（明治24年） - 当時の記録では人口243、戸数30、厩41であった。
1955年（昭和30年） - 弘前市大字坂元になる。
世帯数と人口

2017年（平成29年）6月1日現在の世帯数と人口は以下の通りである。
| 丁目 | 世帯数 | 人口 |
| --- | --- | --- |
| 坂元（小字全域） | 52世帯 | 138人 |
施設 > 公共

坂元集会所
こどもの森
小沢龍神温泉
久渡寺
小・中学校の学区

市立小・中学校に通う場合、学区は以下の通りとなる。
| 大字 | 番地 | 小学校 | 中学校 |
| --- | --- | --- | --- |
| 坂元 | 全域 | 弘前市立小沢小学校 | 弘前市立第四中学校 |
交通

弘南バス
梨ノ木、上梨ノ木、久渡寺（弘前駅 - 久渡寺線）停留所。
朝鮮民主主義人民共和国の大量破壊兵器

朝鮮民主主義人民共和国の大量破壊兵器（ちょうせんみんしゅしゅぎじんみんきょうわこくのたいりょうはかいへいき）では、朝鮮民主主義人民共和国が所持する（と言われているものを含む）大量破壊兵器について記載する。
概論

朝鮮民主主義人民共和国は、核兵器の所有を主張している。また、 CIAも朝鮮民主主義人民共和国が化学兵器の相当数の保有量を持っていると分析している。朝鮮民主主義人民共和国は核拡散防止条約の加盟国であった。しかし、アメリカ合衆国と1994年に2国間で署名した米国と朝鮮民主主義人民共和国間の合意枠組み（米朝枠組み合意）の履行完了の失敗を理由として、2003年に脱退した。2006年10月9日に、朝鮮民主主義人民共和国の政府は、成功裏に初めて核実験を行ったことを発表した。アメリカ地質調査所および日本の気象庁の両方とも、朝鮮民主主義人民共和国で余震を伴った推定マグニチュード4.2の地震が起こったことを検知し、同国の主張についてある面の確証を得た。
核兵器

詳細は「北朝鮮核問題」を参照
生物・化学兵器

朝鮮民主主義人民共和国は、1987年に生物兵器禁止条約・1989年1月4日にジュネーヴ議定書に同意したが、化学兵器禁止条約には署名しておらず、1960年から増強が続けられてきた化学兵器保有量は、2014年までには米ロに次ぐ世界第3位となったと見られている。保有量はVXガスやサリンを含む16種類の神経ガスなど2500トンから5000トンであり、清津市や新義州市に化学兵器製造工場があるとされる。
ベルギーのシンクタンクである国際危機グループは、北朝鮮はマスタード・ガスやホスゲン、血液ガス、サリン、タブンなどを保有すると指摘している。1950年代にタブンとマスタードガスを生産するのに必要な技術を得たとも報道されている。
2001年には中国人民解放軍瀋陽軍区の極秘調査報告から、コレラ、炭疽菌、発疹チフスなど約15種類の細菌類を年間約1トン以上も生産・保管できる能力があることが確認されている。韓国の政府系シンクタンクである韓国国防研究院が2016年に発刊した資料によると、北朝鮮が保有している生物兵器用の病原体は14種で、そのうち兵器化が進んでいると推定されるのは炭疽菌、ペスト、コレラ、ボツリヌス菌の4種である。
耳部

ウィクショナリーにの項目があります。
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耳
康熙字典 214 部首
| 耒部 | 耒部 | 耒部 | 耒部 | 耒部 | 耳部 | 耳部 | 耳部 | 耳部 | 耳部 | 聿部 | 聿部 | 聿部 | 聿部 | 聿部 |
| 1 | 一 | 丨 | 丶 | 丿 | 乙 | 亅 | 2 | 二 | 亠 | 人 | 儿 | 入 | 八 | 冂 |
| 冖 | 冫 | 几 | 凵 | 刀 | 力 | 勹 | 匕 | 匚 | 匸 | 十 | 卜 | 卩 | 厂 | 厶 |
| 又 | 3 | 口 | 囗 | 土 | 士 | 夂 | 夊 | 夕 | 大 | 女 | 子 | 宀 | 寸 | 小 |
| 尢 | 尸 | 屮 | 山 | 巛 | 工 | 己 | 巾 | 干 | 幺 | 广 | 廴 | 廾 | 弋 | 弓 |
| 彐 | 彡 | 彳 | 4 | 心 | 戈 | 戶 | 手 | 支 | 攴 | 文 | 斗 | 斤 | 方 | 无 |
| 日 | 曰 | 月 | 木 | 欠 | 止 | 歹 | 殳 | 毋 | 比 | 毛 | 氏 | 气 | 水 | 火 |
| 爪 | 父 | 爻 | 爿 | 片 | 牙 | 牛 | 犬 | 5 | 玄 | 玉 | 瓜 | 瓦 | 甘 | 生 |
| 用 | 田 | 疋 | 疒 | 癶 | 白 | 皮 | 皿 | 目 | 矛 | 矢 | 石 | 示 | 禸 | 禾 |
| 穴 | 立 | 6 | 竹 | 米 | 糸 | 缶 | 网 | 羊 | 羽 | 老 | 而 | 耒 | 耳 | 聿 |
| 肉 | 臣 | 自 | 至 | 臼 | 舌 | 舛 | 舟 | 艮 | 色 | 艸 | 虍 | 虫 | 血 | 行 |
| 衣 | 襾 | 7 | 見 | 角 | 言 | 谷 | 豆 | 豕 | 豸 | 貝 | 赤 | 走 | 足 | 身 |
| 車 | 辛 | 辰 | 辵 | 邑 | 酉 | 釆 | 里 | 8 | 金 | 長 | 門 | 阜 | 隶 | 隹 |
| 雨 | 靑 | 非 | 9 | 面 | 革 | 韋 | 韭 | 音 | 頁 | 風 | 飛 | 食 | 首 | 香 |
| 10 | 馬 | 骨 | 高 | 髟 | 鬥 | 鬯 | 鬲 | 鬼 | 11 | 魚 | 鳥 | 鹵 | 鹿 | 麥 |
| 麻 | 12 | 黃 | 黍 | 黑 | 黹 | 13 | 黽 | 鼎 | 鼓 | 鼠 | 14 | 鼻 | 齊 | 15 |
| 齒 | 16 | 龍 | 龜 | 17 | 龠 |  |  |  |  |  |  |  |  |  |
耳部（）は、漢字を部首により分類したグループの一つ。
康熙字典214部首では128番目に置かれる（6画の11番目、未集の11番目）。
概要

「耳」字は聴覚を司る人体の器官である耳を意味し、その形に象る。引伸して聴覚を意味する。
また比喩的に物の両側にある運搬などのための取っ手を意味する。その他、語気を表す文法的機能を表す字としても用いられる。
偏旁の意符としては耳や聴覚、音声に関することを示す。このとき左の偏あるいは下の脚の位置に置かれることが多いが、上の冠の位置に置かれることもある。
部首の通称

日本：みみ・みみへん
韓国：귀이부（gwi i bu、みみの耳部）
英米：Radical ear
部首字

耳
中古音
広韻 - 而止切、止韻、上声
詩韻 - 紙韻、上声
三十六字母 - 日母
現代音
普通話 - ピンイン：ěr 注音：ㄦˇ ウェード式：erh3
広東語 - Jyutping:ji5 イェール式:yi5
日本語 - 音： ジ（漢音）・ニ（呉音） 訓：みみ
朝鮮語 - 音：이(i) 訓：귀（gwi、みみ）
例字

詳細は「wikt:Wiktionary:漢字索引 部首 耳」を参照
耳
3:耶、4:耽、5:聊、7:聖・聘、8:聚・聞、11:聳・聲（声→士部4）・聰（聡8）・聯、12:職、16:聽（聴）・聾、19:𦘐
例字 > 最大画数

20:𦘑
夏のスターパレード

| 夏のスターパレード |
| --- | --- |
 番組の放送が行われていたヤクルトホール
ジャンル:  歌謡番組
司会者:  小林大輔（当時フジアナウンサー）
国・地域:   日本
言語:  日本語
製作
制作:  フジテレビ

放送
放送チャンネル: フジテレビ系列
音声形式: モノラル放送
放送国・地域:  日本
放送期間: 1976年7月5日 - 1976年7月16日
放送時間: 月曜 - 金曜 12:15 - 13:00
放送枠: お昼のスペシャル
放送分: 45分
回数: 10
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『夏のスターパレード』（なつのスターパレード）は、1976年7月5日から同年7月16日までフジテレビ系全国ネットの帯番組枠『お昼のスペシャル』で放送されていたフジテレビ製作の歌謡番組である。全10回。放送時間は毎週月曜 - 金曜 12:15 - 13:00 （日本標準時）。
概要

毎回ヤクルトホールに当時の人気歌手と懐メロ歌手たちを招いて行われていた番組。司会は、当時フジテレビのアナウンサーだった小林大輔が務めていた。番組はゲストによる歌の披露のほか、彼らの隠された秘密や思い出の歌を聞き出すトークやご対面企画も行っていた。
番組はモントリオールオリンピック関連番組の放送開始を受けて10回で終了したが、同年9月からは再び同枠で同じような進行形式の歌謡番組『秋のスターパレード』が放送されていた。
ホセ・セレスティーノ・ムティス

ホセ・セレスティーノ・ムティス （José Celestino Mutis、1732年4月6日 – 1808年9月11日）は、スペインの植物学者、司祭である。新大陸で博物学的探検を行った。
略歴

カディスで生まれた。洗礼名はJosé Celestino Bruno Mutis y Bosioである。カディスの医学校で医学と自然科学を学んだ。1755年にセビリア大学で医学の学位を得た。1757年に医学の博士号を得て、1757年から1760年の間、マドリードで解剖学の教授を務めながら、Migas Calientes植物園（後のマドリード王立植物園）で植物学を研究した。1760年に南米のスペイン植民地、ヌエバ・グラナダ副王領（Nuevo Reino de Granada）の新総督デ・ラ・セルダ（Pedro Messía de la Cerda）の個人医として、南米に渡った。1761年2月にボゴタに到着した時から1791年まで、記録、"Diario de Observaciones"を書き続けた。
スペイン属領に到着した後、薬草の研究や当時万能薬と考えられていたキナの研究を行い、"El Arcano de la Quina"（「キナの秘密」）を執筆した。
1763年からスペイン国王に南米の動植物の探検調査を行うように請願したが、認められるのは20年たった後になった。ムティスは動植物の標本を集め、スペインの学者やリンネらの外国の学者と文通した。1772年に司祭に叙階された。1783年に南米の動植物の探検調査は始められ、25年間に渡って広大な領域を探検し、何百という植物を発見し、詳細を記録し、何万点もの標本、何千点の図や文書や博物学的標本が集められた。集められた標本の多くは整理されないままに終わり、いくつかの文書はスペインに運ぶ間に失われた。
その他の科学的業績には、木製の衛星の食を利用して、ボゴタの経度を測定し、天文台の創設に貢献した。1801年にドイツの有名な博物学者、アレクサンダー・フォン・フンボルトはムティスの元に、2ヶ月間滞在し、ムティスの植物コレクションを賞賛した。1808年にボゴタで脳卒中で没した。
1784年にスウェーデン王立科学アカデミーの会員に選ばれ、1992年にスペインの2000ペセタ紙幣にムティスの肖像が用いられた。1983年から発行されたコロンビアの200ペソ紙幣にも肖像が用いられた。ボゴタ植物園の公式名称は彼の名を冠してる。
キク科の植物の属名 Mutisia などに献名されている。
友への手紙 森田童子自選集

『友への手紙 森田童子自選集』は、森田童子のベスト・アルバム。1981年にワーナー・パイオニア（現ワーナーミュージック・ジャパン）より発売された。
概要

コピーは「或る日、僕のコートの型が、もう古いことを知った　一人で生きてきたことの、淋しさに気づいた―。」このコピー文は「海を見たいと思った」（『マザー・スカイ』収録）の歌詞の一節である。なお、この曲は本アルバムに選曲されていない。
レコードの発売はなく、カセットテープのみで発売されたベスト・アルバム。曲間にオリジナルアルバム未収録のモノローグが挿入されている。
ジャケット写真は1980年に再発売した『A BOY ボーイ』の特典写真譜の1枚が使用されている。
白いプレーンジャケットに曲目表（ジャケット裏面のインデックスのコピー）を貼ったジャケットの非売品プロモーション用LP盤が存在する。
2016年7月に本作を含むオリジナル・アルバム7作、ベスト・アルバム2作（内1作初CD化）の計9タイトルが、小澤賢太郎（音楽出版ジュンアンドケイ）の企画・監修で、ユニバーサルミュージック／USMジャパンより、オリジナル・アナログ・テープからデジタル・リマスタリングされた音源／SHM-CD仕様で復刻。ジャケットは一部を除いて、オリジナル・レコード盤の仕様、歌詞カードのデザインは1993年CD盤の仕様を基盤に構成された（軌跡とディスコグラフィは割愛されている）。また9作全てがオリコンにチャート・インした。この作品では、今回の復刻で発売以降35年を経て初CD化。このアルバムのみオリジナル・ジャケット（カセット盤）を再現しておらず、ジャケット裏面のインデックスを模した再デザイン仕様、裏ジャケットはEP「さよなら ぼくの ともだち」のジャケットに差し替えられている。理由はカセットのジャケットからではCDサイズにすると拡大することになり、画質が荒くなるための処置である。
収録曲 > CT

| 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| 全作詞・作曲: 森田童子。 | 全作詞・作曲: 森田童子。 | 全作詞・作曲: 森田童子。 | 全作詞・作曲: 森田童子。 |  |  |
| # | タイトル | 作詞 | 作曲・編曲 | 編曲 | 時間 |
| 1. | 「菜の花あかり」 | 森田童子 | 森田童子 | 千代正行 | 2:16 |
| 2. | 「逆光線」 | 森田童子 | 森田童子 | 石川鷹彦 | 2:28 |
| 3. | 「まぶしい夏」 | 森田童子 | 森田童子 | 木森敏之 | 3:06 |
| 4. | 「赤いダウンパーカーぼくのともだち」 | 森田童子 | 森田童子 | 千代正行 | 3:33 |
| 5. | 「ニューヨークからの手紙」 | 森田童子 | 森田童子 | 石川鷹彦 | 2:55 |
| 6. | 「蒼き夜は」 | 森田童子 | 森田童子 | 木田高介 | 4:35 |
| 7. | 「ふるえているネ」 | 森田童子 | 森田童子 | 木田高介 | 4:23 |
| 8. | 「終曲のために 第3番「友への手紙」」 | 森田童子 | 森田童子 | 青山勇 | 4:51 |
| 合計時間: | 合計時間: | 合計時間: | 28:07 |  |  |
| 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| 全作詞・作曲: 森田童子。 | 全作詞・作曲: 森田童子。 | 全作詞・作曲: 森田童子。 | 全作詞・作曲: 森田童子。 |  |  |
| # | タイトル | 作詞 | 作曲・編曲 | 編曲 | 時間 |
| 1. | 「ラスト・ワルツ」 | 森田童子 | 森田童子 | 千代正行 | 5:10 |
| 2. | 「早春にて」 | 森田童子 | 森田童子 | 木森敏之 | 3:17 |
| 3. | 「ぼくたちの失敗」 | 森田童子 | 森田童子 | 石川鷹彦 | 3:44 |
| 4. | 「淋しい素猫」 | 森田童子 | 森田童子 | 木田高介 | 3:03 |
| 5. | 「雨のクロール」 | 森田童子 | 森田童子 | 森田童子 | 3:40 |
| 6. | 「ぼくと観光バスに乗ってみませんか」 | 森田童子 | 森田童子 | 森田童子 | 3:30 |
| 7. | 「さよなら ぼくの ともだち」 | 森田童子 | 森田童子 | 森田童子 | 4:41 |
| 8. | 「風さわぐ原地の中に」 | 森田童子 | 森田童子 | 森田童子 | 5:35 |
| 合計時間: | 合計時間: | 合計時間: | 32:40 |  |  |
収録曲 > CD

| 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 |
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| 全作詞・作曲: 森田童子。 | 全作詞・作曲: 森田童子。 | 全作詞・作曲: 森田童子。 | 全作詞・作曲: 森田童子。 |  |  |
| # | タイトル | 作詞 | 作曲・編曲 | 編曲 | 時間 |
| 1. | 「菜の花あかり」 | 森田童子 | 森田童子 | 千代正行 | 2:16 |
| 2. | 「逆光線」 | 森田童子 | 森田童子 | 石川鷹彦 | 2:28 |
| 3. | 「まぶしい夏」 | 森田童子 | 森田童子 | 木森敏之 | 3:06 |
| 4. | 「赤いダウンパーカーぼくのともだち」 | 森田童子 | 森田童子 | 千代正行 | 3:33 |
| 5. | 「ニューヨークからの手紙」 | 森田童子 | 森田童子 | 石川鷹彦 | 2:55 |
| 6. | 「蒼き夜は」 | 森田童子 | 森田童子 | 木田高介 | 4:35 |
| 7. | 「ふるえているネ」 | 森田童子 | 森田童子 | 木田高介 | 4:23 |
| 8. | 「終曲のために 第3番「友への手紙」」 | 森田童子 | 森田童子 | 青山勇 | 4:51 |
| 9. | 「ラスト・ワルツ」 | 森田童子 | 森田童子 | 千代正行 | 5:10 |
| 10. | 「早春にて」 | 森田童子 | 森田童子 | 木森敏之 | 3:17 |
| 11. | 「ぼくたちの失敗」 | 森田童子 | 森田童子 | 石川鷹彦 | 3:44 |
| 12. | 「淋しい素猫」 | 森田童子 | 森田童子 | 木田高介 | 3:03 |
| 13. | 「雨のクロール」 | 森田童子 | 森田童子 | 森田童子 | 3:40 |
| 14. | 「ぼくと観光バスに乗ってみませんか」 | 森田童子 | 森田童子 | 森田童子 | 3:30 |
| 15. | 「さよなら ぼくの ともだち」 | 森田童子 | 森田童子 | 森田童子 | 4:41 |
| 16. | 「風さわぐ原地の中に」 | 森田童子 | 森田童子 | 森田童子 | 5:35 |
| 合計時間: | 合計時間: | 合計時間: | 60:47 |  |  |
収録曲 > 楽曲解説

菜の花あかり
『ラスト・ワルツ』より。
逆光線 －モノローグ－
『マザー・スカイ』より。
まぶしい夏
『GOOD BYEグッドバイ』より。
赤いダウンパーカーぼくのともだち
『ラスト・ワルツ』より。
ニューヨークからの手紙 －モノローグ－
『マザー・スカイ』より。
蒼き夜は
『A BOY ボーイ』より。
ふるえているネ ※オリジナルにある曲終盤SEはカットされている。
『ア・ボーイ』より。
終曲のために 第3番 「友への手紙」
『ア・ボーイ』より。
ラスト・ワルツ
『ラスト・ワルツ』より。
早春にて －モノローグ－
『GOOD BYEグッドバイ』より。
ぼくたちの失敗
『マザー・スカイ』より。
淋しい素描 ※オリジナルに比べ、後奏の尺が短く編集されている。 －モノローグ、男性アナウンスのモノローグ－
『ア・ボーイ』より。
雨のクロール
『東京カテドラル聖マリア大聖堂録音盤』より。
ぼくと観光バスに乗ってみませんか
『東京カテドラル聖マリア大聖堂録音盤』より。
さよなら ぼくの ともだち
『東京カテドラル聖マリア大聖堂録音盤』より。
風さわぐ原地の中に
『東京カテドラル聖マリア大聖堂録音盤』より。
クレジット

撮影：高梨豊
撮影協力：文芸坐ル・ピリエ
発売形態

| 形態 | 発売日 | 品番 | 発売元 | 備考 |
| --- | --- | --- | --- | --- |
| CT | 1981年9～10月頃 | LKG-7002 | ワーナー・パイオニア |  |
| LP | (1981年非売品) | LS-114A | ワーナー・パイオニア | 非売品プロモーション用。 |
| SHM-CD | 2016年07月20日 | UPCY-7159 | ユニバーサルミュージック／USMジャパン | 【初CD化】2016年デジタルリマスタリング。ジャケット再デザイン。 |
埼玉県道409号和戸停車場線

| 一般県道 |
| --- | --- |
    
埼玉県道409号和戸停車場線
路線延長: 123 m
起点: 南埼玉郡宮代町 和戸停車場
終点: 南埼玉郡宮代町 和戸駅入口交差点
■テンプレート（■ノート ■使い方） ■PJ道路
埼玉県道409号和戸停車場線（さいたまけんどう409ごう わどていしゃじょうせん）は、埼玉県南埼玉郡宮代町の和戸停車場（和戸駅前）から、埼玉県道85号春日部久喜線に至る県道である。
起点・終点・実延長

起点：埼玉県南埼玉郡宮代町（和戸停車場）
終点：埼玉県南埼玉郡宮代町（埼玉県道85号春日部久喜線 和戸駅入口交差点）
実延長：123m
概要

東武伊勢崎線和戸駅前から、それと並行に走る埼玉県道85号春日部久喜線までを結ぶ県道である。現時点で、終点の和戸駅入口交差点は歩行者用の押しボタン式信号機である。
通過する市町村

埼玉県
南埼玉郡宮代町
交差する道路

埼玉県道85号春日部久喜線
沿道・近隣の主な施設

和戸駅
壮年ラブロマンス

| 壮年ラブロマンス |
| --- | --- |
出身地:   日本 東京都
ジャンル:  ポップ・ロック
活動期間:  2015年 -

メンバー:  のぐちたいき（ボーカル） あべたけと（ギター） ともやすゆうき（ギター） ななうみたくや（ベース） こせきじゅん（ドラムス）
壮年ラブロマンス（そうねんラブロマンス）は2015年に結成された日本の5人組ロックバンド。ステージ衣装としてスーツを着用し、公演する。
演奏よりも演出に重きを置いたステージパフォーマンスが特徴であり、カルト的人気を博すが、その活動は不定期である。
メンバー

|   | パート |
| --- | --- |
のぐちたいき: 担当パートはヴォーカル。稀にギター。 MCはあまり喋らないが、煽りに定評がある。 歌唱よりも表現や演出を重視する。 風邪を患いがちなのが悩み。チヤホヤされるが決してモテない自称カリスマ。うさぎが好き。
あべたけと: あべたけと（ABTKT）は、日本のうめさん（義雄）である。  度重なる骨折で部屋に大量のアリが侵入するほどの大怪我を負ってしまうが、左肩に金玉を移植する大手術によって一命を取りとめ、現在もバーチャルユーチューバーとして精力的に活動している。  酔うと性欲が高まる。
ともやすゆうき: 担当パートはギター。稀にベース。 主にバッキングを担い、主張の激しいメンバーの中で縁の下の力持ち的なポジションに位置する。 3秒で全裸になれる変態。 局部に凶悪なレッサーパンダを飼っている。
ななうみたくや: 担当パートはベース。 スラップを得意とする魅せるベーシスト。 自身も派手なステージングをするタイプだが、他のメンバーが暴れがちな為退かざるを得ないことが悩み。温厚な人柄であるが、実はサイコパスではないかと噂されている。ときどき完全犯罪を思いつく。
こせきじゅん: 担当パートはドラムス。 力強さと安定感のあるプレイが持ち味。 筋肉とスティック回しが特徴。パンプアップが趣味で森の優しいゴリラに憧れている。 友達が欲しくてバンドを始めた。泥酔すると財布やスマートフォンなどの貴重品を頻繁に紛失するが、本人も持ち物も帰巣本能が強く、必ず帰ってくる。
来歴

2015年の6月にとある大学の軽音楽サークル内において、あべを除いたメンバーにて前身バンドが始動。当時は黒夢のコピーバンドだった。
同年7月にPENICILLINのコピーバンドとして、あべを加えた現在のメンバーで活動を始め、以降壮年ラブロマンスとして不定期にライブを行う。
最初にコピーした曲が少年 (黒夢の曲)であり、続いてロマンス (PENICILLINの曲)をコピーした為、そこからインスピレーションを受けたあべが「壮年ラブロマンス」と命名した。
度々サポートにキーボードを迎えながらジャンルの枠を越えて様々なステージングを披露する。
登場SEや演出に拘りがあり、毎回突拍子もないステージ入りで客席を沸かせることに定評があるが、これはこせきの提案から始まった。
以後引くに引けなくなり、ライブの度に登場演出に悩まされているとのことである。
プブリウス・ルティリウス・ルフス

|  プブリウス・ルティリウス・ルフス P>  Rutilius P. f. — n. Rufus |
| --- | --- |
出生:  紀元前158年
死没:  紀元前78年頃
出身階級:  ノウス・ホモ
氏族:  ルティリウス氏族
官職:  トリブヌス・ミリトゥム（紀元前134年-132年） 法務官（紀元前119年または118年） レガトゥス（紀元前109年-107年） 執政官（紀元前105年）
配偶者:  リウィア・ドルサ
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プブリウス・ルティリウス・ルフス（ラテン語: Publius Rutilius Rufus、紀元前158年 - 紀元前78年頃）は、紀元前2世紀後期から紀元前1世紀初期の共和政ローマの政務官。紀元前105年に執政官（コンスル）を務めた。
出自

ルフスはプレプス（平民）であるルティリウス氏族の出身である。先祖に高位官職者はおらず、エクィテス（騎士階級）に属していた。にもかかわらず、ルフスはローマのノビレス（新貴族）との強いつながりをもっていた。ルフスの妹はアウレリウス・コッタ家に嫁いでおり、ルフス自身も2世紀のローマで最も影響力のあったカエキリウス・メテッルス家のサークルの一員であった。さらには紀元前112年の執政官マルクス・リウィウス・ドルススの妹と結婚した。妻リウィアは96才の長寿を保ったという。
ルフスはまた良い教育を受けていた。ロードスのストア派哲学者パネティウスに師事し、ギリシア文学の専門家であった。またプブリウス・ムキウス・スカエウォラの指導の下で法律学を学んだ。
経歴 > 青年期

紀元前134年から133年にかけて、ルフスはスキピオ・アエミリアヌスの軍に加わり、その指揮下でヌマンティアの包囲戦に参加した。ルフスは、後に著名な人物となる他の多くの若者と共に、司令官の側近の一員であった。そこには、ガイウス・マリウス、ガイウス・センプロニウス・グラックス、クィントゥス・ファビウス・マクシムス（後のアッロブロギクス）、プブリウス・センプロニウス・アセリオ（歴史家）、ガイウス・メンミウス（紀元前111年の護民官）、ガイウス・カエキリウス・メテッルス（後のカプラリウス）、ヌミディアの王子ユグルタなどがいた。
ルフスの初期の政治歴に関しては、殆ど知られていない。彼はアエミリアヌスを中心とした「スキピオ・サークル」の一員であり、このサークルは家族や友人との絆、ギリシア文化への愛、穏健な改革計画を共有していた。紀元前129年にアエミリアヌスが死去すると、このサークルは政治的な意義を失っていく。