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篠宮暁
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ポッピーピポパポの部屋（2016年10月2日 - 12月25日〈全12回〉、YouTube「東映特撮YouTube Official」）  - オジンオズボーン篠宮暁 役
プレバンラボZ〜俺たちプレバン㊙情報発掘隊〜（2022年2月 - 2024年3月、YouTube「BANDAI SPIRITS / バンダイスピリッツ」） - 発掘隊 隊長（MC）
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超英雄祭 KAMEN RIDER × SUPER SENTAI LIVE & SHOW（2020年1月22日・2021年2月9日 ・2023年2月9日） - 番組キャストトークショーMC
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出演 > CM

Ameba ガールフレンド（仮）（2013年）
靜甲（2021年）
WEBコラム

特撮ダイスキマン（2016年2月7日 - 2017年3月19日、WB(ダブルビー））
篠宮暁の“特撮”向上委員会（2017年5月7日 - 、CINEMAS＋）
著書

オジンオズボーン篠宮暁の秒で暗記! 漢字ドリル（2020年2月18日、宝島社、ISBN 978-4299002006）
書けたらカッコイイ 漢字が秒で覚えられる！（2020年5月30日、高橋書店、ISBN 978-4-471-19130-6）
高山市立朝日小学校

| 高山市立朝日小学校 |
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 北緯36度04分29秒 東経137度20分55秒﻿ / ﻿北緯36.07484度 東経137.34854度﻿ / 36.07484; 137.34854座標: 北緯36度04分29秒 東経137度20分55秒﻿ / ﻿北緯36.07484度 東経137.34854度﻿ / 36.07484; 137.34854
過去の名称:  朝日尋常小学校 朝日尋常高等小学校 朝日国民学校 朝日村立朝日小学校
国公私立の別:  公立学校
設置者:  高山市
併合学校:  高山市立高根小学校 高山市立秋神小学校 高山市立日和田小学校
設立年月日:  1873年
共学・別学:  男女共学
学校コード:  B121220300163 
所在地:  〒509-3325
 岐阜県高山市朝日町万石728
外部リンク:  公式サイト
 ウィキポータル 教育  ウィキプロジェクト 学校
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高山市立朝日小学校 （たかやましりつ あさひしょうがっこう）は、岐阜県高山市にある公立小学校。
校区は高山市朝日町全域（旧・朝日村）、高根町全域（旧・高根村）である。
沿革

朝日小学校は元々大野郡朝日村の一部が校区であったが、朝日村が高山市編入後の小学校統廃合により朝日町、高根町全域が校区となった。
1874年（明治7年） - 甲村に甲学校が開校（1月）。黒川村に黒川学校が開校（11月）。
1875年（明治8年） - 久須母村、大西村、柳島村、小屋名村、辻村、小谷村、甲村、見座村、立岩村、小瀬村、万石村、上ヶ見村、寺沢村、大広村、黒川村、浅井村、青屋村、寺附村、小瀬ヶ洞村、黍生谷村、一之宿村、桑之島村、宮之前村、西洞村、胡桃島村が合併し、朝日村が発足。
1886年（明治19年） - 甲学校が甲簡易科小学校、黒川学校が黒川簡易科小学校に、それぞれ改称する。
1888年（明治21年） - 甲簡易科小学校が甲尋常小学校に改称する。
1893年（明治26年） - 黒川簡易科小学校が黒川尋常小学校に改称する。
1901年（明治34年） - 甲尋常小学校と黒川尋常小学校を統合し、朝日尋常小学校となる。名目上の統合であり、旧・甲尋常小学校と旧・黒川尋常小学校を分教室とする。
1903年（明治36年） - 朝日尋常高等小学校に改称する。旧・甲尋常小学校と旧・黒川尋常小学校の校舎を現在地に移築し、統合校舎とする。
1920年（大正9年） - 校舎を新築する。
1924年（大正13年） - 農業補習学校を併設する。
1926年（大正15年） - 青年訓練所を併設する。
1935年（昭和10年） - 青年学校を併設する。
1941年（昭和16年） - 朝日国民学校に改称する。
1947年（昭和22年） - 朝日村立朝日小学校に改称する。
1957年（昭和32年） - 校舎（鉄筋コンクリート造3階建）が完成。
1999年（平成11年） - 現在の校舎（木造2階建）が完成。
2005年（平成17年）2月1日 - 朝日村が高山市に編入される。同時に高山市立朝日小学校に改称する。
2007年（平成19年） - 高山市立高根小学校を統合する。
2008年（平成20年） - 高山市立秋神小学校、高山市立日和田小学校を統合する。
教育目標

「ふるさとを愛し、夢に向かってたくましく生きる子」
主な進学先

公立学校の場合は、高山市立朝日中学校へ進学する。
義務教育学校の計画

高山市立朝日中学校と統合し、義務教育学校とする計画である。2028年度の開校予定である。
パッケージ (電子部品)

電子部品のパッケージ（外周器:がいしゅうき）とは、電気製品を構成する個別部品の外形を構成する部分であり、通常は小さな電子部品を包む合成樹脂や金属、セラミックを指す。
1mm方眼紙上のチップ抵抗（3216サイズ）
アキシャルリード
電解コンデンサ
機能・要求

電子部品を収めるパッケージの機能と要求には次のものがある。
中の素子を外部からの衝撃、湿度、熱、ガス、光線などから守ること
接続端子を保持して外部との間で正しく信号や電源を伝えること
製品の組み立てに適する形状をなすこと
内部で発生した熱を速やかに放熱すること
コストが安いこと
電子部品の機能を検査しやすいこと
製造社名、製品型番や製造番号、ピン番号といった表示を保持すること
可能な限り正規製品であり、類似製品との区別を示すこと
環境問題に対応すること
また、デジタル半導体に代表される高性能電子部品の多くが動作周波数が高く消費電流も大きくなるため、寄生容量や電流抵抗の小さな短く太い接続端子と放熱性の良いパッケージが求められる。携帯機器に使用される部品では小型化が求められる。
個別受動部品

抵抗（レジスタ、抵抗器）やコンデンサ（キャパシタ）、コイル、小型トランス等が個別受動部品（ディスクリート・パーツ またはコンポーネント、discrete component）と呼ばれる。半導体部品である単品のダイオードもパッケージ形態として見れば、抵抗等と同じアキシャル部品の形態が多い。
1990年代からはプリント基板上に表面実装されるチップ部品の使用が増え始め、2009年現在ではアキシャル部品やラジアル部品の形態はかなり減りつつある。アキシャル（axial）と、ラジアル（radial）は、リード（導く、lead）線が取り付けられている方向の違いを表している。
個別受動部品の場合、表面実装用部品では専用の形状にされることが多いが、中にはリード型部品のリードを短くしただけのものもある。
半導体部品 > 歴史

電気的接続については、銅板をエッチングしたリードフレームとともにチップを封止した端子形（挿入形）が一般的であったが、1980年代後半以降、リードをプリント基板の穴に通さず基板表面に片面からはんだ付けする表面実装方式のパッケージが導入され、現在に至るまで広く普及している。
また時代が進むにつれ端子の数も集積度の上昇や素子の多機能化により大きく増加したため、DIPやSIP、SOPといった従来のパッケージでは対応できない製品が増え、端子を微小化したQFPやLCC、底面に丸ピンを格子状に並べた剣山のようなPGA（Pin＝ピンを Grid＝格子状に Array＝配置）などが導入された。
さらに大規模なLSIでは外部との接続が数千にも及ぶため、BGAなどの端子密度の高いパッケージを必要とする。交換する可能性がある部品はソケットによって実装することもある。
過去には、ICパッケージ上に他のICパッケージを載せる「ピギーバック」のものがあり、不揮発性メモリ内蔵のCPUなどで、ソフト開発時にメモリの交換を容易にする目的で使用された。1980年代に普及した、紫外線照射によって記憶内容を消去するUV-EPROMというメモリ半導体のパッケージには、石英ガラスの窓が付いていた。また、ICカードなどの内部情報を読み取られない「耐タンパー性」を要する用途向けの半導体部品では、1つの半導体チップ上にCPU、ROM、RAMなどの必要な論理回路の全てを含むことで、2-8本程度の外部接続端子だけ持つようにしているものがある。また近年ではPoPやPiPといった、ピギーパックの再来とも言える実装方法が普及し始めている。
半導体部品 > 材質

半導体のパッケージは、半導体と外部を電気的に接続する端子と、半導体を搭載・密封保持する封止材に分かれる。
かねてより、より高い信頼性をより長時間維持し、より取り扱いやすく、より低価格に製造できるような材料の開発のために努力が続けられてきたが、2000年代以降は、有害物質を含まない封止材の使用や、鉛などの有害物質を含まないはんだで信頼性の高い接続が可能であることが求められるようになり、残存有害物質だけでなく製造工程においても有害物質が発生しない封止材料や、鉛フリーはんだに適した特殊な表面加工をされた端子が用いられるようになってきた。
半導体部品 > 材質 > 端子

外部と電気的な接続を行う端子やリードフレームには、鉄・ニッケル合金が使われることが多く、銅が用いられることもある。BGAパッケージでは半球状のはんだが使われる。ソケットによる実装を想定した製品や高周波を扱う製品、高い信頼性が求められる製品では、端子に金メッキを施して酸化防止、浮遊容量の低減を図ることが多い。それ以外の製品では主にニッケル合金やはんだでめっきをしており、これには酸化防止や導通不良の低減に加えはんだのぬれ性を良くする効果がある。特殊な場合を除いて、酸化しやすい鉄や銅を露出したままとすることはない。
ダイを載せるリードフレームは端子と同時にプレス加工で作られることが多い。ダイのリードフレームへの固定では樹脂の他に、ダイとリードフレームの導通が必要な場合には銀粒子が含まれる樹脂ペーストや、放熱のために熱抵抗を下げる必要があればはんだも用いられる。端子とダイを接続するボンディングワイヤには金線やアルミ線が使われる。
半導体部品 > 材質 > 封止材

封止材の材質は、かつては金属(鉄、アルミ、真鍮など)がよく用いられたが、コストダウンや多ピン化への対応、小型化などの要求が出てくると、通常の温度・湿度の範囲で使うものはエポキシ樹脂など低価格な耐熱樹脂によるレジン・モールドが、また温度特性を広く必要とする工業用・軍事用や発熱が大きいデバイスではアルミナなどのセラミックが用いられるようになった。
金属やセラミックはあらかじめプレス及び焼結により成型しておき、内部にダイを実装した後に組み立てて、低融点ガラスなどシーリング材で密封する。一方、レジンモールドの場合は金型に入れて樹脂を射出成形する。テープ状パッケージでは、耐熱性と柔軟性の高いポリイミドで作られたテープ上にダイを実装する。近年ではプラスチックの性能が上がり、またプラスチック以外のパッケージでは表面実装部品のリフローはんだ付けが出来ないことなどもあり、セラミックを使用したパッケージは減少傾向にある。またダイオードでは当初よりガラス封止が多く使われ、現在では用途によりレジンモールドなどと使い分けられる。
レジンモールドはわずかながら水分を吸う。リフローはんだ付けをする場合、水分を含んだレジンモールドは急激な加熱によって破壊されることがある。これを防ぐため、メーカーから納入された部品は一定の個数ごとに袋などで密封して湿気から遮断されているが、開封した部品を全て直ちにはんだ付けするとは限らず、開封したまま長時間未使用になる部品が出ることは避けられない。そのような部品がそのままはんだ付けできるかどうか判断出来るよう、表面実装用の部品には開封後そのままリフローはんだ付けができる時間が決められており、データシートに記載されている。それを過ぎた部品は、水分を取り除くため決められた温度で予熱処理（ベーク）をしてからはんだ付けする。
CPUやチップセットといった非常に多くの端子を必要とする物では、パッケージ内部の接続にボンディング・ワイヤを使用しない「フリップチップ（英語版）」接続を使用したパッケージが使われるようになった。これによりパッケージが薄く作ることができる上、プラスチック製であっても必要ならヒートスプレッダが使用でき熱抵抗が低くなったため、近年ではそれほどピン数が多くないが発熱が大きい製品にも使われ始め、旧来の金属製・セラミック製の製品を急速に置き換えている。スペースファクタを最大限に上げるため、大容量DRAM等ではダイに直接半田ボールをつけてレジンモールドした製品もある。
またフリップチップの登場に合わせ、従来のようにダイを丸ごと覆うのではなく、上に搭載するだけの「インターポーザ」が開発された。インターポーザはプリント基板の一種であり、したがって材料はプリント基板と同じガラス繊維入りエポキシが使われる。インターポーザとダイの隙間にはアンダーフィルと呼ばれる硬化剤を注入して固定する。インターポーザに実装したダイは上からさらにレジンモールドする場合もあるが、発熱の多い部品ではダイの上部を露出したままとしたり、ヒートスプレッダを装着することが多い。
規格

半導体パッケージの規格にはJEDECやJEITAなどがあるが、これらの規格で分類されないメーカー独自のパッケージも数多く存在する。また、メーカーのカタログやデータシートでは、必ずしもJEDECやJEITAの規格名称が使われるわけではなく、メーカー間の表記方法も統一されていない。
以下に半導体部品のパッケージについて記述する。
規格 > 挿入形 (Pin insertion type)

箱型・缶状のパッケージから、プリント基板やソケットに差し込むリード線を出した形態を基本とする。初期の集積回路を代表する形態であり、近年においてもピン数が少ないトランジスタ、IC等で使われている。
DO-35パッケージのダイオード1N60
上からTO-3,TO-126,TO-92,SOT-23
TO-5型メタルCANパッケージの例
半導体レーザーダイオード
規格 > 挿入形 (Pin insertion type) > DOパッケージ (Diode Outline)

ダイオードに用いられるパッケージで、抵抗器などのアキシャルリードのものとほとんど同じである。
パッケージ材質はガラスやプラスチックのものが多いが、大電力用のダイオードでは金属缶パッケージに入れられているものもある。ただし、発光ダイオード、ダイオードブリッジなど特殊なダイオードのパッケージには使われない。
規格 > 挿入形 (Pin insertion type) > TOパッケージ (Transistor Outline)

Transistor Outlineの名の通り、トランジスタのパッケージとして開発されたが、各種IC、センサー、受動部品に至るまで幅広いデバイスに使用されている。パッケージ材質としては金属、セラミック、プラスチックがある。
規格 > 挿入形 (Pin insertion type) > DIP (Dual In-line Package)

→詳細は「」を参照
「ディップ」と読み、プラスチック製、またはセラミック製の本体から両側面から多数の金属製の接続端子が出て下方へ伸びた外形をしている。
Ceramic-DIP（セラミック・ディップ）
Cer-DIP（サー・ディップ、C-DIP）
Plastic-DIP（プラスチック・ディップ、P-DIP）
Ceramic-DIPとCer-DIPは共にセラミック製であり、熱抵抗がプラスチックより低いので放熱性が求められる製品で使用されることが多かったが、21世紀現在ではこれらは比較的少なくなっている。
プラスチックのものはP-DIP（ピーディップ）とも表記されることがあり、汎用ロジックICなど多様なICに使われている。
足を出す位置と間隔は、米テキサスインスツルメンツ社が米軍に製品を納入する際に定められたMIL規格に沿っていた。MIL規格が多くの点でデジタルICでの共通の規格となり、後にISO/IEC規格となった。後に登場するデジタルICのパッケージのサイズの多くはMIL規格を基準にしている
セラミック・ディップ
拡大断面図
サー・ディップ
拡大断面図
プラスチック・ディップ
拡大断面図
規格 > 挿入形 (Pin insertion type) > SIP (Single In-line Package)

パッケージの片側一列に足を出したもの。幅は狭くなるが、長さと高さが増える。ピン数をあまり増やせないため、小規模なICのパッケージに使われることが多い。ICだけでなく集合抵抗にもこのパッケージがよく使われる。
DIP形状と比べ放熱器を取り付けるのに都合が良いため、パワーアンプICやモータードライバICなど、ある程度発熱する部品に使われることも多い。
規格 > 挿入形 (Pin insertion type) > ZIP (Zigzag In-line Package)

SIPの足を左右交互に曲げてピン間隔を広げたもの。SIPに比べて横幅が小さくなり、ピン数を増やすことが出来る。ただし構造上、リード間隔が100ミルにならないことが多い。
SIPと同様、発熱の多い部品に使われることが多い。
規格 > 挿入形 (Pin insertion type) > PGA (Pin Grid Array)

→詳細は「Pin grid array」を参照
剣山のように格子状にピンを立てたもの、特にセラミック製をCPGA（Ceramic PGA）、ソケット実装専用のプラスチック製をPPGA（Plastic PGA）と呼ぶ。エポキシモールドではなくフリップチップ接続によりインターポーザ上にダイを載せたFC-PGA(Flip Chip PGA)も通常はPPGAに含める。ソケットにより容易に交換できることから、パーソナルコンピュータのCPUのパッケージとして多く採用されている。
規格 > 表面実装形

多層プリント基板技術の進歩と共に発展したのが表面実装型（Surface mount type）である。ダイをサブストレートに載せてワイヤ・ボンディングしたCSP (Chip size package) から、高密度に非常に多くの端子を接続するmBGA (Micro ball grid array) まで、プリント基板の多様性に伴い様々なパッケージ形態がある。現代の電子回路基板の多くは表面実装型ICを搭載している。表面実装技術 (SMT, Surface mount technology) によって回路基板上に高密度実装できるので製品の小型化とコスト低減が同時に実現出来る。以下に表面実装形パッケージを示す。
規格 > 表面実装形 > SOP (Small Outline Package)

対向する2辺から端子をガルウイング状に伸ばしたもので、小型のプラスチック・モールドのパッケージ。QFPの2辺にのみ端子を持つ形状ともいえる。SOIC (Small Outline Integrated Circuit) やDSO、SOと呼ぶこともある。SOPの薄いパッケージ形状のものを特にTSOP (Thin SOP) と呼び、さらにTSOPの横幅を狭めたものをTSSOP (Thin Shrink SOP)と呼ぶ。また、放熱用に底面に金属パッドを露出させたものもある。
規格 > 表面実装形 > SOJ (Small Outline J-leaded)

リードをSOPとは逆に内側にJ型に曲げたもの。DRAMの単体ICパッケージでは、記憶容量の増大に応じたダイ・サイズの拡大をそれまでと同一のSOJパッケージに収めるため、大きくなったダイの上をポリイミド・フィルムで覆い、その上にリード・フレームを伸ばすLOC（Lead On Chip）という手法が採られるものがある。ワイヤー・ボンディングはリード・フレームの隙間からダイに行い、リード・フレームへ接続する。SOJはSOPと異なりソケットによる実装が可能で、後で交換する可能性のある部品に使われることも多い。
規格 > 表面実装形 > CFP (Ceramic Flat Package)

セラミック製の薄型パッケージで、構造的にはCeramic-DIPやCer-DIPを薄くしただけのものである。表面実装があまり普及していない時代に開発されたためピンが長く、曲げれば挿入型としても使用できる。軍用や高周波用デバイス向けとして開発されたが、薄く小さなセラミック板で素子を挟むという難しい製造方法のためCer-DIP以上にコスト高となった上、軍用用途では近年まであまり小型化の必要がなかったため、一部の高周波用デバイスや、スペースに厳しい制約があり、かつ過酷な環境で使われる用途のデバイスに使われたにとどまる。プラスチックの性能が著しく向上した現在では、プラスチック製のパッケージにほぼ完全に代替されている。
規格 > 表面実装形 > SOT (Small Outline Transistor)

その名の通りトランジスタのために開発された超小型パッケージで、TOパッケージと同様に様々な形状があるが、トランジスタ用のパッケージであるためピン数が3ピンのものからあることが大きな特徴である。
トランジスタだけでなくIC用にも広く使われている。同じ形状でもメーカーによって呼称にかなりばらつきがある。SOTとして規定されている形状は、一部TOパッケージの表面実装用のものと重複している。
規格 > 表面実装形 > QFP (Quad Flat Package)

→詳細は「QFP」を参照
QFP(Quad Flat Package) は、矩形本体の各辺から4方向に金属製の接続端子を延ばしたもの。SOPと同様に端子が細く長いものが多く、人が不用意に手で扱うと簡単に曲がる。このため、4つの角にバンプの付いたものがある。
QFPよりさらに低背型のものに LQFP(Low Profile Quad Flat Package) と呼ばれるものや、さらに薄い TQFP(Thin Quad Flat Package) があり、放熱用にヒートスプレッダを内蔵したHQFP(Quad Flat Package with Heatspreader) がある。
規格 > 表面実装形 > PLCC (Plastic leaded chip carrier)

→詳細は「PLCC」を参照
PLCC(Plastic leaded chip carrier) はQFPの四方の端子をJ型に曲げたPlastic製のものである。QFJ（Quad Flat J-leaded Package）とも呼ばれる。LCCと名称が似ているが全く別のものである。Plasticでないものや素材を限定しないものはLCC（Leaded Chip Carrier）と呼ばれることがある。QFPより実装面積が小さくでき、ソケットによる実装も比較的多い。
SOP 上面図と拡大断面図
SOJ 上面図と拡大断面図
QFP 拡大断面図　図示されていないが、四方に端子が伸びる
PLCC 拡大断面図　四方に端子が出る
規格 > 表面実装形 > BGA (Ball grid array)

パッケージ底面の格子状に並んだ端子へディスペンサで溶けた半田を塗布し、半田の表面張力で半球状に形成された電極（バンプともいう）を持つ。表面実装で、リフロー炉ではんだ付けをする時に使われる。手作業による半田付けは不可能である。
QFPと比較して多数の電極を設けることが出来る上、周囲にリードが張り出さないので実装面積を縮小できる。ただし、外部からはんだ付けの状態を検査するのが困難となる。
また、一度はんだ付けしてしまうと部分的な修正や交換は専用の設備を持つ工場でもかなり困難である。取り外す時に基板を再加熱する必要があるため、多層構造の基板や後工程ですでに実装されている部品の耐熱規格によっては修理できない場合もある。外されたBGAに再びバンプを付けるのも、専用工具が必要な上に難易度が高い。
パッケージの熱膨張率と基板の熱膨張率が異なることから、通電中に発熱する素子の場合、電源投入と電源断を反復することによって熱膨張と収縮が繰り返され基板またはパッケージが歪み、はんだ付けされた接点にクラック（ひび割れ）を生じて断線状態となる故障が発生する可能性が高い。
ソケットによる実装は通常しないが、開発用途としてのソケットは存在するほか、ノートパソコンのCPUでの使用もまれにある。
TBGA（Tape Ball Grid Array）と呼ばれる、TAB技術によるフレキシブル基板をサブストレートに使用したBGAも存在する。
MR-BGA(Metal Coating Rubber Ball grid array)
微小ゴム球体の表面に導電金属膜が形成された非溶融実装方式である。
接続したい電極パッドにふれるだけで実装並みの低抵抗値で通電が得られる。
ゴムが持つ弾力により反発圧力が発生して接触圧力が得られる仕組みで、
ゴム球体が低い荷重で押されると球面がフラットに変形して広い面積で電極パッドと接触し、低い抵抗値が得られる。
溶融を必要としないため完全常温状態での実装が可能で、また、ソケットのように取り外すことも可能で、実装サイズのコネクター接続を可能にしている。
アイデアとして1990年代から提唱されていたが、ゴムは熱膨張が極めて大きく、表面の導電金属膜を破壊することから実現が不可能とされてきたが、サッカーボールのようにゴム球体表面に熱膨張を抑えられる
だけの厚さポリイミド外層を形成してゴムの熱膨張を抑制し、その上に導電金属層を形成することで破損しない構造となっている。
熱に弱いセンサーの実装、良好な高周波特性から金スタッドバンプの代替、取外し可能な構造、マイクロコネクターの小型高性能化への応用が期待されている。
規格 > 表面実装形 > LGA (Land grid array)

BGAのはんだボールの代わりに平面電極パッドを格子状に並べたもの。
BGAと同様にリフローはんだ付けで使われる。
またBGAと異なりソケットによる実装が可能で、剣山型の電極に押し付けるようにして装着する専用ソケットを用いる場合もある。
IntelのLGA775、LGA115x系（LGA1156、LGA1155、LGA1150、LGA1151）、LGA1200、LGA1700、LGA1366、LGA2011、や、AMDのSocket F、Socket AM5、Socket TR4、IBMのPOWERプロセッサ、NECのSX-8といった交換が想定されている多くのマイクロプロセッサに採用されている。
挿抜圧が生じないので多ピン接続に向き、面接触であるので異物が介在しない限り高い電力密度が保たれ、構造が単純なので物理的強度が高いなどが最先端CPUに採用されている理由であるが、接触抵抗を低く抑えて微小な異物程度の影響を避けるために、厚い金メッキ層が必要になりコスト高となる。
規格 > 表面実装形 > LLCC (Lead less chip carrier)

セラミック表面に電極パッドを設け、リード線を出さないパッケージ。インテルの80286などで使われた。QFN (Quad flat no lead package) とも呼ばれる。
規格 > 表面実装形 > TCP (Tape carrier package)

テープ・キャリア・パッケージは、ダイをキャリアテープと呼ばれるテープ状の樹脂フィルムに取り付けたものである。チップはキャリアテープ中央のデバイス・ホールに位置して、周囲からは接続線である細いインナーリードによって保持される。インナーリードは周囲に広がるに従って太くなり接続性の良い太いアウトリードとなってキャリアテープに張り付き固定されている。インナーリードとアウトリードはQFP同様に四方に出るのが一般的である。キャリアテープは写真フィルムのようにスプロケット・ホールが開いていて扱い易くなっている。この実装方法をTAB（Tape Automated Bonding）と呼ぶ。
規格 > 表面実装形 > LLP (Leadless Leadframe Package)

比較的小規模なICに用いられる超小型・薄型のパッケージ。MSOP、TSSOP、TQFPなどより小さいCSP用パッケージとしてナショナル セミコンダクターにより近年[いつ?]開発されたもので、LLPという名称は同社の登録商標である。プラスチック製の板状のパッケージの側面から底面にかけて電極パッドを露出させたもので、SOJやQFJの小型版ともLGAの小型版とも言える。厚みは0.8mm以下で、4辺に端子のあるものと2辺に端子のあるものがあり、底面に放熱パッドを備える。端子がパッケージの外に少しはみ出すタイプのものと、端子がパッケージの下に完全に隠れるタイプの2種がある。集合抵抗など受動部品のパッケージにも使用され始めている。
規格 > 表面実装形 > DFN (Dual Flatpack No-leaded)

LLPと良く似た構造の薄型・板状パッケージで、LLPと同様の特徴を持つCSP用パッケージ。パッケージの2辺または4辺にパッドを備え、底面に放熱パッドを持つ。1辺にのみパッドのあるものもある。4辺に端子のあるものはQFNとも呼ばれるが、これはLLCCの別名でもあり混同を避けるために全てDFNと呼ぶことも多い。
LLPとの構造上大きな相違点は、LLPの端子パッドがあらかじめ整形されてモールドの中に埋め込まれているのに対し、DFN/QFNではSOJのように側面から引き出した板状の端子を内側に折り曲げてパッドとしている点である。
LLPが基本的にナショナルセミコンダクター社の製品のみで使われるのと異なり、DFNは多くの半導体メーカーで広く使われている。厚みは0.75mmが標準だが、より薄型化されたものもある。DFNとLLPのランドパターンは互換性がある場合も多く、一部のものはJEDECの規格で同じとされているが、DFNのピン数の多いものや小型サイズのものはJEDECの規格外のものが多く、互換性がない場合が多い。
DFNは多くのメーカーで使われているため、LLPと比べてサイズ・端子のバリエーションが非常に多い。
規格 > 表面実装形 > COB/COF/COG

COB（チップ・オン・ボード, Chip on board）は、ベア・チップをワイヤ・ボンディングもしくはフリップチップボンディングによってプリント基板上に直接実装する方法である。アンダーフィリングは行われる場合と、そうでない場合がある。主としてセンサー類の一次実装において用いられる。
COF（チップ・オン・フィルムまたはチップ・オン・フレックス, Chip on film, Chip on flex）は、COBの実装対象を硬質のリジット基板から、薄く柔軟なフレキシブル基板に換え、ベア・チップをフレキシブル基板にフリップチップボンディングにて実装したものである。主に液晶ドライバの接続に用いられる。
COG（チップ・オン・グラス, Chip on Glass）は、COFの実装対象をフィルム基板からガラス基板に換え、フリップチップボンディングによって直接実装したものである。かつてはワイヤボンディングも用いられた。携帯電話などの小型の液晶表示用ガラス基板にドライバICを実装するのに使用される。
規格 > 表面実装形 > WLCSP (Wafer Level Chip Scale Package)

→詳細は「ウエハーレベルCSP」を参照
ボンディング・ワイヤーによる内部配線を行なわず、半導体の一部が露出したままの、プリント基板上に単体の高集積度半導体を表面実装する時に最小限の占有面積で済ませられる半導体パッケージだが、面積が小さいので端子の数には限界があり、最近では、FOWLPと区別するためにFIWLP（Fan In Wafer Level Package）とも呼ばれる。
規格 > 表面実装形 > FOWLP (Fan Out Wafer Level Package)

→詳細は「FOWLP」を参照
チップの端子から配線を引き出す再配線層を半導体工程で作り、外部端子につなげる。パッケージの面積が半導体チップ面積より大きく、チップの外側まで端子を広げること（fan out）ができるのでチップ面積と比べて端子数が多い用途でも採用できる。
関連用語 > リードフォーミング

リードフォーミングとは、実装する基板に適した形状にリードを曲げる加工のこと。主に個別部品のリード挿入型部品に対して行う。リードフォーミングが必要な場合、部品のメーカー側で需要者の要求に合わせて加工して納入することも多いが、需要者の側でフォーミングマシンを用意して加工することもある。部品パッケージの製造工程で端子を曲げる作業を指して使うこともある。
関連用語 > フリップ・チップ接続

フリップ・チップ接続（Flip chip bonding）とは、ダイをパッケージに実装する方法の1つで、ワイヤーボンディングとリードフレームを用いず、ダイの底面にあらかじめ形成しておいた接点をインターポーザーに直接はんだ付けするもの。製造方式として、ダイの配線層面の接続パッドにあらかじめはんだボールによるバンプを付けておき、チップを裏返して基板に実装する、IBMが開発したC4（Controlled Collapse Chip Connection）方式と、ワイヤー・ボンディング用の金線でボンディング・ボールのみをダイの接続パッドに残置しておく金バンプ方式がある。C4方式では半田ボールとの間にアルミ再配線層やチタンやプラチナによるバリアメタル層が必要となり高コストであるため、金バンプ方式が一般的である。いずれもアンダー・フィル剤で基板とダイの間を埋めて固定する。
関連用語 > CSP

CSP（Chip size package）は、内蔵する半導体チップと同じか少し大きめ程度の超小型パッケージの総称である。ダイをリードフレームまたはインターポーザー (Interposer) に実装し、ワイヤ・ボンディングかフリップチップによって接続する。端子はインターポーザー型ではBGAかLGAが多く、リードフレーム型ではLLP、DFNが使われる。端子間隔が0.8 mm以下のBGA形状かLGA形状のものはJEITAのパッケージ名称のFPGAかFLGAに分類される。また、BGAのものは、JEDECのパッケージ名称ではDSB (Die size BGA) に分類される。
関連用語 > ウエハーレベルCSP

ウエハーレベルCSP (Wafer level CSP) とは、ダイを切り分ける前のウエハーの状態で保護膜、端子、配線加工を行い、その後切り出す方式で作られるCSP。
関連用語 > COT

チップ・オン・テープ (Chip on tape, COT) は、ベア・チップの供給方法の1つであり、チップがテープに連続して貼り付けられ、リールに巻き取られた形態で需要者へ供給される。テープアンドリールのベア・チップ版である。
関連用語 > KGD

KGD（Known Good Die）とは、パッケージ化されていないダイの状態で検査され良品と判定された中間製品である。通常はパッケージ後に行なわれるバーンインといった出荷検査に合格した良品である事が保証されているダイであり、主にMCM用やSiP用に必要とされる。
関連用語 > MCP

MCP（Multi Chip Package）は、複数のベアチップを1つのパッケージ内に封入し、内部で配線を接続したものの総称である。内部で重ねられている場合と並べられている場合がある。重ねる場合には放熱に留意され、パッケージの薄型化が求められるものではダイを通常より多くバックグラインドしてメーカーによっては重ねられたもののみを指す場合がある。パッケージとしては通常のBGAやQFPなどの形をとるため、外観からはMCPであるかどうかの見分けが困難なものが多い。
関連用語 > MCM

MCM（Multi Chip Module）は、複数のベアチップを1つのパッケージ内に封入し、内部で配線を接続したもの。MCPの一種であるが、主にベアチップを2次元的に配置しボンディングワイヤーでチップ同士を配線したものを指す。パッケージサイズ/コストの面で3次元構造の方が優位とされる。
車載回路やRF回路などの信頼性や耐熱性が求められる分野では、セラミックス基板上にベアチップや受動素子を配置したものもある。アナログ回路が主である従来のハイブリッドICと呼ばれていたものに、ベースバンド処理やMCU等の比較的規模の大きいディジタル回路チップをセラミック基板上に混載したものである。
関連用語 > SiP

SiP（System in Package）は、構造としてMCPとほぼ同義のものである。コンピュータシステムを例にとれば、従来はCPUやRAM/ROMなどをプリント基板上で個別に実装していたのに対し、1つのパッケージ内に複数のベアチップを内蔵しバンプなどにより結線を行うものであり、システム全体を1つのパッケージに収めたものという意味である。MCMと異なり3次元的にベアチップを重ねた構造を指すことが多い。積層配置は、ダイを貫通するビアを造らなくてはならない、ダイ裏面を薄く研磨加工しなければならない、高発熱のチップを混載する事ができないなど、技術的やコスト的な制約が多い。その為、MCMとSiPのそれぞれの特性を活かした、サブストレート基板にベアチップを水平配置する妥協案とも言える実装も多い。
関連用語 > PoP

PoP (パッケージ・オン・パッケージ, Package on Package) とは複数のサブパッケージを積層して基板上に実装すること。普通はインターポーザーを使用したサブパッケージ間をはんだボールによって接続される。実装面積を減らすとともに配線長を短縮でき、KGDも検査できる。
関連用語 > PiP

PiP (パッケージ・イン・パッケージ, Packege in Package) とはPoPが同方向に積層するのに対して、下層のサブパッケージを上下反対に取り付けたもの。例えばマイクロコントローラーとSRAMを1つのICにする場合、SRAMを上下反対（ハンダ面が上を向く）にしてその上にインターポーザーを介してマイクロコントローラーを乗せる。パッケージの中に両面基板が入っているような形態になる。PoPよりパッケージのピンを減らせるメリットがあるが、下層のサブパッケージに基板から直接電源を供給できない。
関連用語 > インターポーザー

→詳細は「インターポーザ」を参照
インターポーザー（Interposer）は上面にベア・チップを搭載し下面に端子を備えるプリント基板。従来のリードフレームとモールドの役割を兼ねる。サブストレートとも呼ばれ、主にマイクロプロセッサやチップセットでこの呼称が使われる。
関連用語 > リード・フレーム

リード・フレーム（Lead frame）とはDIPパッケージなどのインターポーザを使用しないパッケージでリード端子とダイの保持を行なう金属板または金属線の集まりのこと。ダイの保持部分はグランド端子が担当する。
関連用語 > ウインドウ

ウインドウ (Window) とはパッケージに窓が付いているもの。JEITAでは「D」で、JEDECでは「C」で表される。
関連用語 > シュリンク・ピッチ

シュリンク・ピッチ（Shrink pitch）とはJEITAとJEDECの分類の1つで、DIP、ZIP、PGA、SOPのパッケージで端子間隔が基本のものより狭いものをさす。SDIPは1.775 mm、SZIPは1.775 mmまたは1.25 mm、SPGAは1.27 mm、SSOPは1.00、0.80、0.65、0.50、0.40 mmをそれぞれ示す。「S」で表される。
関連用語 > ファインピッチ・パッケージ

ファインピッチ・パッケージとはJEDECとJEITAのパッケージ分類の1つで、BGAとLGAで端子間隔が0.8 mm以下のもの、又はQFPで端子間隔が0.5 mm以下のものを指す。記号「F」で表し、該当品はそれぞれFBGA、FLGA、FQFPと分類される。
関連用語 > ウルトラ・ファインピッチ・パッケージ

ウルトラ・ファインピッチ・パッケージ (Ultra fine pitch package) はJEITAとJEDECの分類の1つで、端子間隔が0.25 mm以下のパッケージのこと。
関連用語 > ベリー・シン・パッケージ

ベリー・シン・パッケージ（Very thin package）はJEITAとJEDECの分類の1つで、パッケージの基板上での取り付け高さが0.80 mm以上1.00 mm以下のパッケージのこと。
関連用語 > ベリー・ベリー・シン・パッケージ

ベリー・ベリー・シン・パッケージ（Very-very thin package）はJEITAとJEDECの分類の1つで、パッケージの基板上での取り付け高さが0.65 mm以上0.80 mm以下のパッケージのこと。
関連用語 > エクストリームリイ・シン・パッケージ

エクストリームリイ・シン・パッケージ（Extremely thin package）はJEITAとJEDECの分類の1つで、パッケージの基板上での取り付け高さが0.50 mm以下のパッケージのこと。「X」で表される。
関連用語 > スタックト・パッケージ

CSPのようなダイに近いサイズで複数のダイを積層（スタック）することで実装面積とパッケージ容積を極限まで減らそうとしたもの。フリップ・チップやCSPで使用されている技術を応用することで、幾層ものダイ同士を積層して上下間はTSVやワイヤ・ボンディングで結線する。ダイサイズよりかなり大きくなるが、TBGAを積層することでも実現できる。
関連用語 > ハンダ・ボール

BGAやフリップ・チップでの接続に微小な半球状のはんだが使われる。欧州でのRoHSによる鉛規制後は、無鉛ハンダの使用が求められるようになっている。
関連用語 > バンパー

QFPパッケージなどの端子の曲がりやすいパッケージの四隅に付けられた端子保護のためのツノ状の部分。普通は本体と同じくモールド樹脂で作られる。バンプとも呼ばれる。
関連用語 > フライング・リード

TAB技術などでチッブと接続するのにインナーリードが弧を描いている部分。
その他 > 部品内蔵プリント基板

多層プリント基板の製造過程で基板内部に電子部品を埋め込む部品内蔵プリント基板の使用が広がっている。埋め込まれる電子部品はプリント基板の配線層の間の樹脂内に埋められ、はんだ付けやめっきで部品の端子と配線パターンが接続される。電子機器の回路基板として使用されるが、電子部品、特にICのパッケージングとして使用し、ある程度の回路をモジュール化したSiP(System In Package)の基板として使われることが多い。
アキシャル部品とラジアル部品 こういった形態の部品はリード部品と呼ばれる。
Cer-DIPの例(D8086)
Intelの型番では最初のPrefixで"C"がCeramic-DIP、"D"がCer-DIP、"P"がPlastic-DIPであった。
9ピンのSIPパッケージの例。
PGAパッケージの例
TSOP
QFPパッケージの例
BGA
LGA
Leadless Chip Carrierパッケージの例
インターポーザーを使用したCSP
リードフレームを使用したCSP
LLPは上の構造、DFNは下の構造である。
PoP
A:SoCチップ B:フラッシュ・メモリー・チップ
1.インターポーザー/サブストレート 2.はんだボール 3.基板
PiP
インターポーザを用いたパッケージ例（FC-PGA）
バンパーを持つQFPパッケージの例
フロクロ

| フロクロ |
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出身地:   日本 千葉県
ジャンル:  J-POP ボカロ 電子音楽
職業:  ボカロP 作曲家 DJ
活動期間:  2013年 -
 YouTube
チャンネル:   フロクロ 
登録者数:  11.8万人
総再生回数:  2674万回
チャンネル登録者数・総再生回数は 000000002024-12-28-00002024年12月28日時点。
フロクロは、日本のボカロP、作曲家、映像作家、プランナー。
千葉県出身。プランナーとしてはCHOCOLATE Inc.に所属している。代表作は「黒塗り世界宛て書簡」「ただ選択があった」など。DJとしてのイベント出演なども行なっている。
概要

元々は「Frog96」という名義であり、2013年頃よりニコニコメドレー作品を投稿制作していた。インタビューでは2011年から2016年頃までメドレーを作るために有名な曲を耳コピして打ち込んでいた経験や、それによる作曲の方法論における影響を答えている。
楽曲のイラスト・映像は自ら制作しており、MVなど映像制作において佐藤雅彦の影響を明らかにしている。
作品制作に携わった映像クリエイターのmelonadeや、ボカロPのァネイロなどに影響を与えるほか、原口沙輔が同世代で刺激を受けるボカロPとしていよわと並んで挙げられた。
概要 > 来歴

2015年頃からツイッターでアンビグラム作品の制作・投稿を始め、2019年には作品集『21世紀』を販売。
2020年12月13日、重音テト歌唱の「ことばのおばけがまどからみている」を投稿し、ボカロPとしての活動を開始。
2022年に行われたThe VOCALOID Collection ～2022 Autumn～のTOP100部門にて「超解像の破壊活動」は15位、「流転光速」は19位という結果を残す。
2023年に開催されたThe VOCALOID Collection ～2023 Spring～のTOP100部門にも「ビビビビ」を投稿し、ランキング7位となった。
2023年に開催されたStudy：⼤阪関⻄国際芸術祭 vol.3の企画展「拡張される音楽」にmelonadeと共同制作したアート作品《流動回廊》を出展。翌年に佐久間洋司らと開催した企画展「共に在る音楽」では《メタピアノ》を出展した。
2024年5月にYouTubeのチャンネル登録者数が10万人を突破した。
2024年10月号の雑誌「ユリイカ」ボカロP・いよわ特集に「大いなるズレ」を寄稿した。
2024年12月に学園アイドルマスターの篠澤広の誕生日記念Singleシリーズとして「メクルメ」を書き下ろした。
2025年2月に月ノ美兎に「アルクユニバース」を書き下ろし、選択次第で曲の内容すら変化するオリジナルゲーム『アルクマルチバース』が公開されることが発表された。
概要 > プランナーとして

2022年1月、Ado 1stAlbum 『狂言』の広告「最初の名盤。」の企画とコピーを担当した。
2023年2月にサントリー『サントリー天然水スパークリングレモン』WebCMの企画や楽曲制作などを担当し、ウェブライターのARuFaを起用して話題を呼んだ。
9月に少年ジャンプ+9周年ラインナップPV「マンガが聴こえる」の企画、構成、楽曲制作を担当。
2024年、キタニタツヤ『私が明日死ぬなら』のミュージックビデオ制作および広告コピーを担当した。
ディスコグラフィ > 配信限定シングル

| 発売日 | タイトル | 備考 |
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| 2020年12月19日 | ことばのおばけがまどからみている |  |
| 2021年3月6日 | ただ選択があった |  |
| 2021年12月16日 | ただ選択があった (prototype) |  |
| 2022年3月21日 | ロスト・デリュージョン |  |
| 2022年4月2日 | 黒塗り世界宛て書簡 |  |
| 2022年6月17日 | 空を満たして (feat. 可不) |  |
| 2022年10月10日 | 流転光速 |  |
| 2022年10月11日 | 超解像の破壊活動 |  |
| 2023年4月11日 | ビビビビ |  |
| 2024年8月15日 | チープなプロパティ |  |
| 2024年12月21日 | メクルメ | 作詞・作曲・編曲：フロクロ、歌：篠澤 広 |
ディスコグラフィ > EP

|  | 発売日 | タイトル | 収録曲 | 備考 |
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| 1st | 2024年4月28日 | 往復書簡00 | [CD] ラストパターン  メタフォリック  ただ選択があった - DJ WILDPARTY choice  黒塗り世界宛て書簡 - DJ WILDPARTY XXL edit | DJ WILDPARTY & フロクロによるEP |
楽曲提供

電音部 りむる
エモーショナルドットネット（作曲・編曲）
詩道（KAMITSUBAKI STUDIO）
クロマトグラフィー（作曲・編曲）
超学生
キラーチューナー（作曲・編曲）
篠澤広（学園アイドルマスター）
メクルメ（作詞・作曲・編曲）
月ノ美兎
アルクユニバース（作詞・作曲・編曲）
楽曲提供 > リミックス

PAS TASTA
『GOOD POP Remixes』turtle thief（リミックス）
長瀬有花
『ユカリウム』砂漠の水（リミックス）
金沢イボンヌ

金沢 イボンヌ （かなざわ イボンヌ、米国での旧姓のフルネーム: Yvonne Kanazawa Scott、婚姻後の氏名: Yvonne Wade、 1974年11月19日 - ）は、日本の元陸上競技選手で、現在は陸上コーチ。
人物

100メートルハードルで13秒00の元日本記録保持者。元400メートルリレー走日本記録保持者。
東京都新宿区出身。母親は日本人、父親はジャマイカ系アメリカ人である。2歳の時にアメリカ移住。高校から陸上を始める。
1992年、コロラド大学に入学。1995年、東京陸協所属に登録し、日本国内の大会に出場。1996年、日本選手権兼五輪選考会で日本記録で優勝し、アトランタ五輪への出場権を獲得。その後、1996年から2000年まで日本記録を5回更新、1995年から日本陸上競技選手権大会を6連覇するなど活躍。
2000年、シドニー五輪に出場。2004年、アテネ五輪の選考会で代表落ち。2005年に現役を引退。
その後、ロングビーチ大学の短距離コーチに就任。2007年、ネバダ州立ラスベガス大学の陸上部の監督に就任、日本人として初めてアメリカの大学で陸上部監督となった。
元ハードル選手で現在陸上コーチのラリー・ウェイドは、夫。
略歴

1996年、アトランタオリンピック出場。1次予選5位
1997年、釜山・東アジア大会出場。金メダル獲得
1997年、世界陸上アテネ大会出場。予選6位
1998年、バンコクアジア競技大会出場。5位入賞
1999年、世界陸上セビリア大会出場。2次予選8位
2000年、シドニーオリンピック出場。準決勝8位
2002年、コロンボアジア選手権出場。金メダル獲得
2003年、世界陸上パリ大会出場
2004年、アテネオリンピック代表選考に落選
八木日和

|  八木日和 女流2級 |
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名前:  八木日和
生年月日:   (2008-09-10) 2008年9月10日（16歳）
プロ入り年月日:  2025年1月1日（16歳）
女流棋士番号:  92
出身地:   日本・大阪府大阪市
所属:  日本将棋連盟（関西）
師匠:  小林健二九段
段位:  女流2級
女流棋士DB:  八木日和
 
2024年12月29日現在
テンプレートを表示
八木 日和（やぎ ひより、2008年9月10日 - ）は、日本将棋連盟（関西本部）所属の女流棋士。女流棋士番号は92。大阪府大阪市出身。小林健二九段門下。
棋歴 > 女流棋士になるまで

2020年2月、第36回関西アマチュア女流将棋名人戦 Bクラスで3位（当時 小学5年）。
2022年6月、関西研修会に入会（D2クラス、当時 中学2年）。
2022年8月、第14回中学生女子将棋名人戦 全国大会で準優勝（当時 中学2年）。
2023年2月、第39回関西アマチュア女流将棋名人戦 Aクラスで準優勝（当時 中学2年）。
2023年8月、第15回中学生女子将棋名人戦 全国大会 優勝（当時 中学3年）。
2024年4月、第14期女流王座戦・アマチュア西日本予選に出場（1勝2敗、当時 高校1年）。
2024年11月、関西奨励会B1クラスに昇級し女流2級資格を獲得。
日本将棋連盟からの2024年12月28日付のリリースで、八木が2025年1月1日付で女流2級に昇級し、日本将棋連盟（関西本部）所属の女流棋士になることが公表された。
棋風・人物

得意戦法は、角換わり早繰り銀および居飛車穴熊。
趣味は散歩。
小学1年生の時、近所の商店街で開催された子ども将棋教室に参加した事をきっかけに将棋を始めた。
昇段・昇級履歴

→昇段規定については「将棋の段級 § 女流棋士」を参照
2022年06月00日：関西研修会 入会（D2クラス）
2024年11月00日：関西奨励会B1クラス 昇級（女流2級資格 獲得）
2025年01月01日：女流2級 = プロ入り
主な成績 > 女流棋士成績

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女流タイトル戦: 
 白玲戦・女流順位戦 : - （第6期から参加予定）
 清麗戦 : - （第8期から参加予定）
 マイナビ女子オープン : - （第19期から参加予定）
 女流王座戦 : - （第15期から参加予定）
 女流名人戦 : - （第53期から参加予定）
 女流王位戦 : - （第37期から参加予定）
 女流王将戦 : - （第48期から参加予定）
 倉敷藤花戦 : - （第33期から参加予定）
主な成績 > 年度別成績

2025年1月、女流2級昇級のため、2025年1月1日時点で参加棋戦なし。
主な成績 > アマチュア時代の戦績

女流棋戦 アマチュア予選
2024年04月13日、第14期女流王座戦（アマチュア西日本予選）予選出場（1勝2敗）
アマチュア棋戦
2020年02月11日 - 第36回関西アマチュア女流将棋名人戦 Bクラス3位
2022年08月21日 - 第14回中学生女子将棋名人戦 全国大会 準優勝
2023年02月19日 - 第39回関西アマチュア女流将棋名人戦 Aクラス準優勝
2023年08月20日 - 第15回中学生女子将棋名人戦 全国大会 優勝
トレンガヌ州

トレンガヌ州（トレンガヌしゅう、ラテン文字: Terengganu, アラビア文字: ترڠڬانو ）は、マレーシアの州。
概要

マレー半島東海岸における北部に位置し、西をクランタン州、南をパハン州に隣接する。東岸は南シナ海に面している。レダン島（Pulau Redang）、プルフンティアン島（英語版）（Pulau Perhentian）、カパス島（英語版）（Pulau Kapas）もこの州の一部である。
中国語では「丁加奴」と記される。15世紀に明の鄭和が寄航した「丁機宜」もここと比定されている。
スルターンが治めている立憲君主制をとる。トレンガヌ州のスルターンに対する尊称は「Darul Iman」。
州都はクアラ・トレンガヌである。
隣接州

パハン州
クランタン州