GeSbTe
リファレンス

↑  Deo V. Shenai, Ronald L. DiCarlo, Michael B. Power, Artashes Amamchyan, Randall J. Goyette, Egbert Woelk; Dicarlo; Power; Amamchyan; Goyette; Woelk (2007). “Safer alternative liquid germanium precursors for MOVPE”. Journal of Crystal Growth 298:  172–175. Bibcode: 2007JCrGr.298..172S. doi:10.1016/j.jcrysgro.2006.10.194.
↑  Bosi, M.; Attolini, G.; Ferrari, C.; Frigeri, C.; Rimada Herrera, J.C.; Gombia, E.; Pelosi, C.; Peng, R.W. (2008). “MOVPE growth of homoepitaxial germanium”. Journal of Crystal Growth 310 (14):  3282. Bibcode: 2008JCrGr.310.3282B. doi:10.1016/j.jcrysgro.2008.04.009.
↑  Attolini, G.; Bosi, M.; Musayeva, N.; Pelosi, C.; Ferrari, C.; Arumainathan, S.; Timò, G. (2008). “Homo and hetero epitaxy of Germanium using isobutylgermane”. Thin Solid Films 517 (1):  404–406. Bibcode: 2008TSF...517..404A. doi:10.1016/j.tsf.2008.08.137.
↑  M. Longo, O. Salicio, C. Wiemer, R. Fallica, A. Molle, M. Fanciulli, C. Giesen, B. Seitzinger,P.K. Baumann, M. Heuken, S. Rushworth; Salicio; Wiemer; Fallica; Molle; Fanciulli; Giesen; Seitzinger et al. (2008). “Growth study of GexSbyTez deposited by MOCVD under nitrogen for non‐volatile memory applications”. Journal of Crystal Growth 310 (23):  5053–5057. Bibcode: 2008JCrGr.310.5053L. doi:10.1016/j.jcrysgro.2008.07.054.
↑  A. Abrutis, V. Plausinaitiene, M. Skapas, C. Wiemer, O. Salicio, A. Pirovano, E. Varesi, S. Rushworth, W. Gawelda, J. Siegel; Plausinaitiene; Skapas; Wiemer; Salicio; Pirovano; Varesi; Rushworth et al. (2008). “Hot‐Wire Chemical Vapor Deposition of Chalcogenide Materials for Phase Change Memory Applications”. Chemistry of Materials 20 (11):  3557. doi:10.1021/cm8004584. hdl:10261/93002.
↑  X. Shi; M. Schaekers; F. Leys; R. Loo; M. Caymax; R. Brus; C. Zhao; B. Lamare et al. (2006). “Germanium Precursors for Ge and SiGe Deposition”. ECS Transactions 3:  849. doi:10.1149/1.2355880.
↑  Morales-Sánchez, E.; Prokhorov, E. F.; Mendoza-Galván, A.; González-Hernández, J. (2002-01-15). “Determination of the glass transition and nucleation temperatures in Ge2Sb2Te5 sputtered films”. Journal of Applied Physics (AIP Publishing) 91 (2):  697–702. Bibcode: 2002JAP....91..697M. doi:10.1063/1.1427146. ISSN 0021-8979.
↑  Krebs, Daniel; Raoux, Simone; Rettner, Charles T.; Burr, Geoffrey W.; Salinga, Martin; Wuttig, Matthias (2009). “Threshold field of phase change memory materials measured using phase change bridge devices”. Applied Physics Letters 95 (8):  082101. Bibcode: 2009ApPhL..95h2101K. doi:10.1063/1.3210792.
↑  Pirovano, A.; Lacaita, A.L.; Benvenuti, A.; Pellizzer, F.; Bez, R. (2004). “Electronic Switching in Phase-Change Memories”. IEEE Transactions on Electron Devices (Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)) 51 (3):  452–459. Bibcode: 2004ITED...51..452P. doi:10.1109/ted.2003.823243. ISSN 0018-9383.
↑  Kolobov, Alexander V.; Fons, Paul; Frenkel, Anatoly I.; Ankudinov, Alexei L.; Tominaga, Junji; Uruga, Tomoya (2004-09-12). “Understanding the phase-change mechanism of rewritable optical media”. Nature Materials (Springer Nature) 3 (10):  703–708. Bibcode: 2004NatMa...3..703K. doi:10.1038/nmat1215. ISSN 1476-1122. PMID 15359344.
↑  Wuttig, Matthias; Lüsebrink, Daniel; Wamwangi, Daniel; Wełnic, Wojciech; Gilleßen, Michael; Dronskowski, Richard (2006-12-17). “The role of vacancies and local distortions in the design of new phase-change materials”. Nature Materials (Springer Nature) 6 (2):  122–128. doi:10.1038/nmat1807. ISSN 1476-1122. PMID 17173032.
↑  Caravati, Sebastiano; Bernasconi, Marco; Kühne, Thomas D.; Krack, Matthias; Parrinello, Michele (2007). “Coexistence of tetrahedral- and octahedral-like sites in amorphous phase change materials”. Applied Physics Letters 91 (17):  171906. arXiv:0708.1302. Bibcode: 2007ApPhL..91q1906C. doi:10.1063/1.2801626.
↑  Coombs, J. H.; Jongenelis, A. P. J. M.; van Es‐Spiekman, W.; Jacobs, B. A. J. (1995-10-15). “Laser‐induced crystallization phenomena in GeTe‐based alloys. I. Characterization of nucleation and growth”. Journal of Applied Physics (AIP Publishing) 78 (8):  4906–4917. Bibcode: 1995JAP....78.4906C. doi:10.1063/1.359779. ISSN 0021-8979.
↑  “DRAMやVRAMと同等の速度でデータを長期保存可能なユニバーサルメモリ実現に向けてゲルマニウム＆アンチモン＆テルルの化合物「GST467」が役立つことが明らかに - GIGAZINE”. gigazine.net (2024年2月14日). 2024年3月4日閲覧。
↑  “メモリとストレージの性質を兼ね備える夢のデバイス「ユニバーサルメモリ」がついに実現か - GIGAZINE”. gigazine.net (2019年7月2日). 2024年3月4日閲覧。
↑  “DVD・Blu-rayサイズの光学ディスクに数百TBのデータを保存可能な技術が誕生、ブランクディスク生産工程はDVDと互換性あり - GIGAZINE”. gigazine.net (2024年2月26日). 2024年3月2日閲覧。
↑  Zhao, Miao; Wen, Jing; Hu, Qiao; Wei, Xunbin; Zhong, Yu-Wu; Ruan, Hao; Gu, Min (2024-02). “A 3D nanoscale optical disk memory with petabit capacity” (英語). Nature 626 (8000):  772–778. doi:10.1038/s41586-023-06980-y. ISSN 1476-4687. https://www.nature.com/articles/s41586-023-06980-y.
↑  “凝集誘起発光とは何か？その本質が明らかに 理論化学で発光現象を映画のように視覚的に再現”. 東京工業大学. 2024年3月2日閲覧。
↑  “上海科技大学 | 中国の主要大学 | SciencePortal China”. spc.jst.go.jp. 2024年3月12日閲覧。
↑  “相変化メモリ - STマイクロエレクトロニクス”.  STマイクロエレクトロニクス. 2024年3月7日閲覧。
GeSbTe三元合金系の状態図
相変化メモリデバイスの典型的な構造を示す写真