stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
菅野結以
来歴

千葉県船橋市に出生。姉が1人いる。学生時代には全員同じ時間に同じ授業を受け、同じルールの下で生活を送ることにストレスを感じ、不登校を経験。
人生のキーワードに「陶酔・恍惚・解放」、人生のコンセプトの1つに「人生、どれだけ正気を失っていられるか」、人生のテーマに「すきをすべて仕事にする」をあげており、サウナ好きが高じ、2020年1月に熱波師の資格を取得した。サウナは自分の本質に会いに行ける精神と時の部屋のような存在だと語っている。
凍らせたもの全般やかき氷など無類の氷好きで、2021年にはかき氷をプロデュース、ルミネ新宿で発売。
音楽への造詣が深く、2012年から『RADIO DRAGON-NEXT-』（TOKYO FM）にて豊富な知識を活かしパーソナリティを務める。
10代限定フェス「未確認フェスティバル」初年度より審査員を務めるほか、2018年より「FUJI ROCK FESTIVAL」フジロックコンシェルジュに出演。
2023年4月には、ウエディングドレスをプロデュースしたことを発表した。
来歴 > モデル

2002年からファッション雑誌『Hana*chu→〔ハナチュー〕』（主婦の友社）に読者モデルとして露出を開始し、その後サロンモデルとして各雑誌に登場。2004年の2月からファッション雑誌『Popteen〔ポップティーン〕』（角川春樹事務所）の専属モデルとなり、これがブレイクのきっかけとなった。
同時期の『Popteen』誌面にあってともに活躍した面々には、小森純、益若つばさ、鈴木奈々などがいた。
2010年5月号をもって『Popteen』誌を卒業。そして益若つばさ、星野加奈、小森純、樋口智子、青木英李、孫暐らとともに、同時期に創刊された同誌の姉妹誌『PopSister〔ポップシスター〕』の専属モデルとなった。8月には自身初の書籍『(C)かんの』を発売。
以後2011年9月の休刊まで『PopSister』誌を中心に活動。その9月には自身初のフォトエッセイにあたる『URAYUI』を発売した。
2012年から『LARME』（徳間書店）看板モデルとして活動。
その後も書籍『美全集』『an at me』『about a girl』『yuitopia』『Halation』を発売。
2020年から『PECHE』（PECHE）レギュラーモデルも務めている。
来歴 > ブランド

2011年後半から『Crayme,（クレイミー）』のプロデュースを開始。。このクレイミーは自身のデザインによるブランドで、当初はオンライン展開のみとなっていたものの、2012年の3月から実店舗での商品展開を開始。中国の上海が始点となった。
出演 > テレビ

ヒルナンデス！(複数回出演、日本テレビ)
日曜はカラフル!!!(2019年4月19日、TOKYO MX)
ラストキス〜最後にキスするデート（2016年1月19日、TBSテレビ）
出演 > ラジオ

RADIO DRAGON 水・木曜レギュラー（TOKYO FM、2012年7月 - 2014年3月）
JA全農 COUNTDOWN JAPAN （TOKYO FM、2014年8月2日）ホラン千秋夏季休暇の代打
RADIO DRAGON -NEXT- 毎週金曜日27時～ （TOKYO FM、2014年10月-）
Hellosmile Lounge 　毎週日曜日23時30分～ （TOKYO FM、2015年7月-）
LiveFans（@FM、2017年 - 2018年）
出演 > 雑誌

『LARME』（専属：2012年9月 -）
『PECHE』(専属モデル：2020年12月　-)
『PopSister』（専属：2010年4月 - 2011年9月）
『Popteen』（専属：2004年 - 2010年）
『Hana*chu→』（読者：2002年）
出演 > ショー

東京ガールズコレクション：2010年 春／夏 （3月6日）、2011年 春／夏 （3月5日）
渋谷ガールズコレクション：2007年 秋／冬 （9月17日）、2009年 春／夏 （3月8日）
Girls Award：2010年 秋／冬 （9月18日）
静岡コレクション：2015年 秋／冬 （9月19日）
神戸コレクション：2014年8月30日
関西コレクション：2016年9月18日
出演 > 音楽PV

『アワイロサクラチル』（Violent is Savanna、2011年2月9日）
『つなぐ』（Violent is Savanna、2012年3月7日発売）
『RESET』(CHIHIRO、2014年9月)
『カゲロウ』(かわいえいじ、2015年6月)※作詞も務める
『カレーライス』(金田康平、2014年2月)
『The Worm』(PLASTICZOOMS、2020年10月28日)
出演 > イベント

『SEA RIZE ROCK 09×nadesicollection09 』（2009年12月13日）
『Docomo Girls Style ファッション＆トークショー』（2010年3月13日 - 14日）
『2010 again FASHION SHOW』（2010年3月28日）
『渋谷スタイルコレクション × JAPANATION @ コ・フェスタIN上海』（2010年6月18日）
『未確認フェスティバル』（2015年8月30日、特別審査員）
出演 > その他

講談社 ミスiD選考委員
Disney「Ultimate Princess Celebration / Maison de FLEUR Collection」エルサ コラボアイテム(2021年11月27日-)
Maison de FLEURコラボコレクション(2016年7月、2021年8月28日-)
Swankissコラボアイテム
LIZLISAコラボアイテム
moca tokyoコラボアイテム
michi nailコラボアイテム
イメージ：『LIZ LISA』
テレビCM：『パルティ』（ヘアカラー）- ギャル道 篇（ダリヤ、2008年／2009年／2010年）
ウェブサイト：『Pocky Chocot Link』（江崎グリコ）
ウェブサイト：『ローリエプレス』（エキサイト）
| No>  | 掲載日 | タイトル |
| --- | --- | --- |
| 1 | 2016年10月6日 | モデル菅野結以が"禁じ手をすべて詰め込んだ"女子必見のスタイルブックが遂に完成♡ |
| 2 | 2016年10月13日 | 菅野結以さんプロデュース”Crayme,”展示会に潜入　こだわりぬいたファーコートに大注目♡ |
| 3 | 2016年12月22日 | 菅野結以流コンプレックスとの向きあい方　人気モデルの努力の裏側とは |
| 4 | 2018年8月14日 | 期間限定開催中　20周年を記念した #アナスイミュージアム に急げ！♡ |
| 5 | 2019年2月7日 | 乾燥からお肌を守って♡　結以ちゃん流かわいい肌の作り方【2019年冬編】 |
発売作品 > 書籍

菅野結以(C)かんの（2010年8月27日、スクウェア・エニックス）ISBN 978-4757529861
URAYUI（2011年9月16日、スクウェア・エニックス）ISBN 978-4757533851
YUI KANNO STYLE BOOK an at me（2012年5月19日、扶桑社）ISBN 978-4594066116
菅野結以 美全集(2013年8月13日、学研)
菅野結以ブランドブック about a girl(2014年6月15日、扶桑社)
yuitopia（2016年10月6日、徳間書店）
Halation(2017年11月6日、ワニブックス)
高石太

| たかいし ふとし 高石 太 |
| --- | --- |
本名:  鈴木 雄偉
生年月日:   (1948-10-04) 1948年10月4日
没年月日:   (2020-01-31) 2020年1月31日（71歳没）
出身地:   日本 愛媛県
死没地:   日本 北海道札幌市
職業:  喜劇俳優
ジャンル:  喜劇
活動期間:  1970年 - 2020年
所属劇団:  あつあつ一座
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高石 太（たかいし ふとし、1948年〈昭和23年〉10月4日 - 2020年〈令和2年〉1月31日）は、元吉本新喜劇、松竹新喜劇の座員、元漫才師。本名は鈴木 雄偉。愛媛県出身。貝塚高校普通科卒業。
来歴・人物

1970年に新劇青猫座、1973年に劇団喜劇の座員を経て1975年1月に吉本新喜劇の座員になる。最初の芸名は「桂木甲介」。大きな体と太鼓腹を生かした。舞台の演出で喧嘩やいざこざが起きた際に仲裁に入った高石がプロレスのハンマースルーの様な形で振り飛ばされ、腹から滑って、起き上がり、服をめくり太鼓腹を晒し腹をさすりながら「熱う～！！熱う～！！」と叫ぶギャグで一世を風靡。
副座長まで上り詰めたが、1987年初旬に退団、同年4月に同時期に退団した木村明と漫才コンビ「明太Co」を結成。2年も持たずして解散、後に高田次郎に師事し松竹新喜劇に移籍した。
その後、松竹新喜劇を辞し、「あつあつ一座」を結成。地方公演を中心に活動する。札幌を拠点に市民喜劇団「教文13丁目笑劇一座」に所属する。その一方で、柏木輝誉をバックアップメンバーに擁し「劇団輝」を結成。喜劇やコントを市民体育館等でボランティア公演したり、自身の芸を一般市民に教授するなどお笑いを通じて地域の活性化のため活動していた。
2020年1月31日、虚血性心疾患のため、北海道札幌市の療養施設で死去。71歳没。
子息（父のギャグから「あつあつ鈴木」と呼ばれている）は毎日放送に勤務しており、出向先のMBSラジオで『森たけしのスカタンラジオ』のプロデューサーを務めていた（番組を離れた後の2024年8月27日には、構成作家「さいとうわに」の代役として番組全編に出演）。
ギャグ

上記のあつあつのギャグ以外
エピソード

あつあつはしゃべり下手だったために生み出されたギャグで、仕事の営業先（祭り会場の砂利道やアスファルトの上など）何処でもやらされるためお腹の生傷が絶えなかった。
出演番組

モーレツ!!しごき教室 毎日放送
必殺仕事人V （1985年、第9話「主水、キン肉オトコに会う」）
傑作時代劇 第22話「忠臣蔵異聞　生きていた吉良上野介」（1987年、テレビ朝日）
続・三匹が斬る! 第8話「消えた夫、無礼講祭りに来た女」（1989年2月9日）
水戸黄門 第18部 第18話「怨みの仮面舞踏会 -長崎-」（1989年、TBS）
CM

アジヨシ - 大阪市鶴橋の焼肉店。木村明と共演。ギャグ「あつ、あつ」も披露している
ヒコロヒーのストロベリーワンピース

| ヒコロヒーのストロベリーワンピース |
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ジャンル:  バラエティ番組
放送方式:  収録
放送期間:  2020年10月15日 - 2024年12月26日
放送時間:  木曜 18:00配信
放送回数:  ＃213
放送局:  GERA放送局
制作:  ファンコミュニケーションズ
パーソナリティ:  ヒコロヒー
公式サイト:  公式サイト
テンプレートを表示
『ヒコロヒーのストロベリーワンピース』は、ヒコロヒーがパーソナリティを務めるラジオ番組。
GERA放送局にて配信されていた。
概要

2020年10月15日、放送開始。
2021年11月11日、Spotifyにて配信されている、GERA放送局のパーソナリティが担当する『お笑い芸人×音楽』に参加。
番組推奨ハッシュタグは『#ストロベリーワンピース』。
2024年12月26日配信回#213をもって終了。
ゲスト

つる（太陽の小町） - ＃7、＃8
向井慧（パンサー） - ＃28
奇妙礼太郎 - ＃51
スタッフ

構成：エレファントかさ増し
音声：山内
コーナー

マッチングアプリ奮闘記
ワシの職場の潟野郎
そういうとこやで？
ヒコロヒー大辞典
わたしの周りの平子さん
わたしの周りの森本サイダーくん
中野恵那

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: 練馬のビヨンセが愛称の「ちゃんみな」とは別人です。
中野 恵那（なかの えな、2000年10月7日 - ）は日本の女性ファッションモデル、タレント、女優である。大阪府河内長野市出身。
略歴

2016年より『Popteen』専属モデル。
2017年放送の『真夏のオオカミくんには騙されない❤︎』（AbemaTV）で人気となり、モデル業の他にもテレビや広告など、数多くのメディアに登場。
2018年3月発売『Popteen』で初めて表紙を飾りその後計7回表紙を飾る。
2019年6月発売の『週刊ヤングジャンプ』（2019年30号、集英社）ではセンターグラビアを飾った。『あざとモテ』キャラで10代の支持を得ているSサイズモデル。
2020年6月1日発売『Popteen』（2020年7月号、角川春樹事務所）をもって専属モデルを卒業することを発表。
2020年9月1日発売の『bis』（2020年10月号、光文社）より、レギュラーモデルとして加入することを発表。
出演 > イベント

3月 超十代 ULTRA TEENS FES 2017
4月 シンデレラフェス2017
8月 デジタル超十代
3月 KANSAI COLLECTION 2018 S/S ＠京セラドーム大阪
6月 WOL fashion festa
7月 東京ガールズコレクション @富山市総合体育館
9月 GirlsAward 2018 A/W
10月 GIRLS MEETING
12月 FASHION LEADERS
3月 KANSAI COLLECTION 2019 S/S
3月 超十代 ULTRA TEENS FES 2019
4月 シンデレラフェス VOL.6
5月 GIRLS MEETING AKASHI-JO 400
8月 KANSAI COLLECTION 2019A/W
出演 > 広告

ジョイフルまるやまプリズム館 振袖 2018年度カタログイメージモデル
プリレンジャー 3期生
KIREIMO100%GIRLS アンバサダー
スピンズ コラボ商品発売
RyuRYu コラボ商品発売
DaTuRa イメージモデル
CECIL McBEE イメージモデル
SPINNSコラボ商品発売
RyuRyuコラボシューズ発売
ファーストキッチン「ウェンディーズ・ファーストキッチン」ジュエルタピオカ アンバサダー
フリュー プリントシール機「THECANDYSTUDIO（ザキャンディスタジオ）」イメージモデル
振袖「ぷりずむ館」2019年イメージモデル
振袖「ふりそでMODE」2019年イメージモデル
振袖「HANAMAI」2019年イメージモデル
シーンズ カラーコンタクト「3♡BERRY(スリーラブベリー)」プロデュース
シーンズ コスメ商品 「&she」イメージモデル
エヌ・ティ・ティ・ソルマーレ 「Lylink（リリンク）」WEB CM
ドン・キホーテ「キャラクターアパレルコレクション」イメージモデル
コープデリ テレビCM
出演 > テレビ

NEWSなふたり（2017年4月、TBSテレビ）
坂上忍と○○の彼女（2018年2月、日本テレビ）
NEWカップルS（2018年4月、日本テレビ）
踊る!さんま御殿!!（2018年8月、日本テレビ）
アオハルTV（2018年9月、フジテレビ）
グータンヌーボ2（2019年4月、関西テレビ）
ヒルナンデス!（2019年7月、日本テレビ）
明日着る服を探そう（2019年8月、ABCテレビ）
しくじり先生 俺みたいになるな!!（2019年9月、テレビ朝日）
キスマイ超BUSAIKU!?（2023年7月、フジテレビ）
出演 > 配信番組

真夏のオオカミくんには騙されない（2017年7月 - 、AbemaTV）
ゴシップジェネレーション（2017年12月 - 、AbemaTV） - 準レギュラー
イマっぽTV（2018年4月、AbemaTV）
野村周平の時効恋愛feat.ラブ×ドック（2018年4月、AbemaTV）
イマっぽTV（2018年11月、AbemaTV）
KANCOS HOLIC（2019年1月、AbemaTV）
REAL 恋愛殺人捜査班 Episode.3 - 4（2024年7月12日・19日 - 、FOD） - 田村花梨 役
出演 > 映画

メイヘムガールズ（2022年11月25日、アルバトロス・フィルム） - 北條夏菜 役
出演 > 舞台

タクフェス 第11弾『晩餐』（2023年10月7日 - 12月17日、飯能市市民会館 大ホール ほか） - 江田島安芸 役
書籍

スタイルBOOK『ちゃんえな。』2019年3月1日（角川春樹事務所）
書籍 > 雑誌

Popteen（2016年4月 - 2020年6月） - 専属モデル
週刊ヤングジャンプ 2019年30号（2019年6月、集英社） - 表紙、グラビア
bis（2020年9月 - ） - レギュラーモデル
川田信茂

川田 信茂（かわだ のぶしげ、1970年12月3日 - ）は、日本の元サッカー選手、サッカー指導者。現役時代のポジションはフォワード、ミッドフィールダー。
来歴

本庄東高校を経て1989年に日本サッカーリーグのフジタ工業クラブ（後のフジタサッカークラブ）に加入。1989-90シーズンのJSL1部第17節、日産自動車戦でデビューし、第22節の東芝戦で初得点をあげるなど、5試合に出場し1得点1アシストを記録。チームは同シーズン限りで降格したため、以降はJSL2部でのプレーとなった。
1992年からはチームが日本プロサッカーリーグ参入が成らなかったため、新設されたジャパンフットボールリーグでのプレーとなった。1993年に第2回ジャパンフットボールリーグで優勝を経験。同年、チームが準会員として参加したJリーグカップでは2試合に出場した。
1994年、Jリーグ昇格を果たし、ベルマーレ平塚と改称後もチームに在籍。第74回天皇杯全日本サッカー選手権大会で優勝を経験したが、リーグ戦出場の機会はなく同年限りで退団。
その後、大塚FCヴォルティス徳島（後の徳島ヴォルティス）、
北海道サッカーリーグの帯広FCや蹴鞠会でプレー。帯広ではコーチ兼任という立場だった。
引退後は本庄東高校附属中学校サッカー部監督や、TRICOLORE F.Cのスクールスタッフなどを務めている。
個人成績

| 国内大会個人成績> 年度.年度.日本 | 国内大会個人成績> クラブ.クラブ.日本 | 国内大会個人成績> 背番号.背番号.日本 | 国内大会個人成績> リーグ.リーグ.日本 | 国内大会個人成績> リーグ戦.出場.リーグ戦 | 国内大会個人成績> リーグ戦.得点.リーグ戦 | 国内大会個人成績> リーグ杯.出場.リーグ杯 | 国内大会個人成績> リーグ杯.得点.リーグ杯 | 国内大会個人成績> オープン杯.出場.天皇杯 | 国内大会個人成績> オープン杯.得点.天皇杯 | 国内大会個人成績> 期間通算.出場.期間通算 | 国内大会個人成績> 期間通算.得点.期間通算 |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| 1989-90 | フジタ | 30 | JSL1部 | 5 | 1 | 0 | 0 | 3 | 2 | 8 | 3 |
| 1990-91 | フジタ | 11 | JSL2部 | 9 | 2 | 1 | 0 | 0註1 | 0 | 10 | 2 |
| 1991-92 | フジタ | 11 | JSL2部 | 22 | 6 | 3 | 2 | 1註2 | 0 | 26 | 8 |
| 1992 | フジタ |  | 旧JFL |  |  | - | - | 0註3 | 0 |  |  |
| 1993 | フジタ |  | 旧JFL |  |  | 2 | 0 |  |  |  |  |
| 1994 | 平塚 | - | J | 0 | 0 | 0 | 0 |  |  |  |  |
| 通算 | 日本 | 日本 | J | 0 | 0 | 0 | 0 |  |  |  |  |
| 通算 | 日本 | 日本 | JSL1部 | 5 | 1 | 0 | 0 | 3 | 2 | 8 | 3 |
| 通算 | 日本 | 日本 | JSL2部 | 31 | 8 | 4 | 2 | 1 | 0 | 36 | 10 |
| 通算 | 日本 | 日本 | 旧JFL |  |  | 2 | 0 |  |  |  |  |
| 総通算 | 総通算 | 総通算 | 総通算 |  |  |  |  |  |  |  |  |
獲得タイトル

1992年 1991年-1992年のJSL（2部）
1993年 第2回ジャパンフットボールリーグ
1994年 第74回天皇杯全日本サッカー選手権大会
森口親司

森口 親司（もりぐち ちかし、1933年10月1日 - ）は、日本の経済学者。専門は数量経済政策。学位は、Ph.D（ミシガン大学）（1963年）。京都大学名誉教授、大阪大学名誉教授。福岡県出身。A Fellow of the Econometric Society。
略歴 > 学歴

1956年：京都大学経済学部卒業
1963年：ミシガン大学大学院経済学研究科博士課程修了
略歴 > 職歴

1962年：京都大学経済研究所助手（産業構造研究部門）
1963年：京都大学経済研究所助教授
1973年：京都大学経済研究所教授
1974年：京都大学経済研究所所長事務取扱（1977年まで）
1986年：大阪大学社会経済研究所教授
1997年：大阪大学定年退官、帝塚山大学経済学部教授
1988年：大阪大学社会経済研究所所長（第12代、1992年3月まで）
1996年：大阪大学社会経済研究所所長（第15代、1997年3月まで）
受賞歴

東京海上各務記念財団優秀図書賞（1988年）受賞著書『日本経済論』
エコノミスト賞（第29回、1989年）受賞著書『日本経済論』
瑞宝中綬章（2012年4月）
著書 > 単著

『計量経済学』（岩波書店、1974年）
『日本経済の構造分析』（創文社、1983年）
『日本経済論』<現代経済学選書1/熊谷尚夫監修>（創文社、1988年）
『1990年代日本経済ウォッチング-人間と社会の見える経済学-』（有斐閣、1990年）
『世界経済ウォッチング-パシフィック・ダイナミズムのゆくえ-』（有斐閣、1997年）
著書 > 編著

『計量経済学』<基礎経済学体系10>（青林書院、1977年）
『新版 有斐閣経済辞典』（金森久雄、荒憲治郎との共編、有斐閣、1986年）
『新版 有斐閣経済辞典（デスク版）』（金森久雄、荒憲治郎との共編、有斐閣、1987年）
『有斐閣経済辞典（第3版）』（金森久雄、荒憲治郎との共編、有斐閣、1998年）
『有斐閣経済辞典（第4版）』（金森久雄、荒憲治郎との共編、有斐閣、2002年）
著書 > 訳書

アーサー.スタンリー.ゴールドバーガー『計量経済学の理論』（福地崇生との共訳、東洋経済新報社、1964年 ）
R.E.ホール、J.B.テーラー『マクロ経済学』（森口の監訳、多賀出版、1995年）
著書 > 分担執筆

日本経済新聞社編 『現代経済学の巨人たち:20世紀の人・時代・思想』（日本経済新聞社、1994年）
SDRAM

SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) は、システムバスに同期して動作するDRAM (Dynamic Random Access Memory)。シンクロナスDRAMとも。初期のDRAMのインタフェースは非同期式であり、制御入力の変化に反応して可能な限り素早く応答するようになっていた。SDRAMのインタフェースは同期式であり、制御入力に応答する前にクロック信号を待つため、コンピュータのシステムバスに同期して動作する。クロックは入ってくる命令をパイプライン化する内部の有限状態機械を駆動するのに使われる。そのためSDRAMのチップは非同期DRAMよりも複雑な操作パターンを持つことができ、より高速に動作できる。
パイプライン化とはこの場合、SDRAMのチップが前の命令の処理を完了する前に新たな命令を受け付けられることを意味する。パイプライン化された書き込みでは、書き込み命令のすぐ後に書き込むべきデータがメモリアレイに到着する前でも次の命令を受け付けられる。パイプライン化された読み出しでは、要求したデータは読み出し命令からある固定数のクロックパルスが経過した後に出力され、その間のサイクルの間に別の命令を送ることができる。読み出し命令からデータが出力されるまでの遅延を「レイテンシ」と呼び、SDRAMを選択する際の重要な観点となっている。
SDRAMはコンピュータで広く使われている。元々のSDRAMだけでなく、そこから発展した世代であるDDR (DDR1)、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5が量産されている。
歴史

SDRAMのコンセプトは1970年代には既に知られており、インテルの初期のプロセッサでも使われていたが、広く使われるようになったのは1993年以降のことである。1993年、サムスン電子がSDRAMチップ KM48SL2000 を導入。性能がよいため、コンピュータの主記憶として使われるDRAMは2000年までにほぼ全てがSDRAMとなった。
SDRAMのレイテンシは元々非同期型のDRAMに比べて無視できるものではなかった。実際初期のSDRAMは内部ロジックが複雑だったため、同時期の burst EDO RAM に比べて性能が低かった。SDRAM内部でのバッファリングはメモリの複数バンクへの操作をインターリーブできることに由来し、それによって実質的な帯域幅を向上させている。
今では事実上全てのSDRAMが、電子部品の相互運用を促進するためにオープン標準の採用を進める電子業界団体JEDECの規格に準拠して生産されている。JEDECは1993年に最初のSDRAMの規格を定め、その後も DDR、DDR2、DDR3 SDRAM といったSDRAMの規格を定めてきた。
SDRAMにはレジスタ付きの派生品もあり、サーバやワークステーションなどよりよいスケーラビリティを要求するシステムで使われる。
2017年現在、パーソナルコンピュータの主記憶に単なるSDRAMが使われることはなく、DDR3 SDRAM や DDR4 SDRAM が主流である。
SDRAMの主なメーカーとしては、サムスン電子、ハイニックス半導体、エルピーダメモリ、マイクロン・テクノロジなどがある。
タイミング

DRAMの性能を制限する要因はいくつかある。中でも重視されるのがリードサイクル時間で、オープン状態（SDRAMの行データをセンスアンプの配列に格納した状態）のロウ（行）への連続な読み出し操作の間の時間である。100MHzのSDRAMでは10nsだったその時間が、DDR-400では5nsに短縮されたものの、DDR2-800 と DDR3-1600 の世代では相対的にほとんど短縮されていない。しかし、インタフェース回路を基本リードレートよりも何倍もの速さで操作することにより、帯域幅は急激に増大した。
もう1つの制限要因はCASレイテンシで、カラムアドレスを供給してから対応するデータが得られるまでの時間である。これも最近の DDR SDRAM の数世代を通して 10-15ns と相対的に一定となっている。
実装においてはCASレイテンシは、SDRAMのモードレジスタを通してクロックサイクル数の形でプログラム可能であり、DRAMコントローラが期待する値を設定する。任意の値をプログラム可能だが、あまりに小さい値を設定するとSDRAMは正しく動作できない。クロックレートが高いと、実用可能なCASレイテンシのクロックサイクル数は増大する。10-15ns という時間は、200MHzの DDR-400 SDRAM では 2-3サイクル (CL2-3)、DDR2-800 では CL4-6、DDR3-1600 では CL8-12 となる。クロックサイクルが遅ければ、当然ながらCASレイテンシのサイクル数も小さくなる。
SDRAMモジュールにはそれぞれのタイミング仕様があり、そのモジュールで使っているチップ自体のそれよりも遅いことがある。100MHz SDRAMチップが登場したころ、100MHz対応と称したモジュールはそのクロックレートでは確実に動作できないことがあった。そのためインテルは PC100 規格を策定し、100MHzで安定動作できるメモリモジュールを生産するためのガイドラインと要求仕様を定めた。この規格は広く影響を及ぼし、PC100 は100MHzのSDRAMモジュールを指す用語となり、"PC" の後に数字をつけた名称が広く使われるようになった（その後、数字の意味は変化している）。
SDR SDRAM

元々は単にSDRAMと呼ばれていた SDR（シングルデータレート）SDRAMは、クロックサイクル当たり1つのコマンドを受けつけるか、1ワードのデータを転送できる。典型的なクロック周波数は100MHzと133MHzである。様々なデータバス幅のチップがあるが（4ビット、8ビット、16ビットなど）、一般に168ピンのDIMMの形でモジュール化され、64ビット（ECCなし）または72ビット（ECC）を一度に読み書きできる。
データバスの使い方は複雑で、そのため複雑なDRAM制御回路を必要とする。例えば、書き込みの際にはライトコマンドと同じサイクルで書き込むべきデータを提示しなければならないが、読み出し操作ではリードコマンドの2または3サイクル後にデータが出力される。そのため、DRAMコントローラはリードとライトが同時にデータバスを必要としないように調整しなければならない。
典型的な SDR SDRAM のクロックレートは 66MHz、100MHz、133MHz である（それぞれ、15ns、10ns、7.5ns）。
SDR SDRAM > 制御信号

すべてのコマンドはクロック信号の立ち上がりのタイミングでとられる。クロックに加えて6つの制御信号があり、たいていは負論理で、クロックの立ち上がりのタイミングでサンプリングされる。
SDRAMデバイスは内部が2または4個の独立したバンクに分けられている。バンクアドレス入力が1つ以上あり（BA0、BA1）、コマンドがどのバンクに対するものかを選択するようになっている。
コマンドの多くはアドレス入力ピンで示されるアドレスを使う。アドレスを使わない一部のコマンドやカラムアドレスを示さない一部のコマンドでもA10を使ってコマンドの種別を示す。
コマンドを次の表に示す。
| /CS | /RAS | /CAS | /WE | BAn | A10 | An | コマンド |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| H | x | x | x | x | x | x | コマンド抑制（何もしない） |
| L | H | H | H | x | x | x | 何もしない（NOP） |
| L | H | H | L | x | x | x | バースト終了: 実行中のバーストリードまたはバーストライトを停止 |
| L | H | L | H | バンク | L | カラム | リード: 現在アクティブなロウからデータをバーストで読み出す。 |
| L | H | L | H | バンク | H | カラム | 自動プリチャージ付きリード: リードと同じことを行い、完了時にプリチャージする（ロウを閉じる）。 |
| L | H | L | L | バンク | L | カラム | ライト: 現在アクティブなロウにデータをバーストで書き込む。 |
| L | H | L | L | バンク | H | カラム | 自動プリチャージ付きライト: ライトと同じことを行い、完了時にプリチャージする（ロウを閉じる）。 |
| L | L | H | H | バンク | ロウ | ロウ | アクティブ（活性化）: リードまたはライトコマンドのためにロウを開く。 |
| L | L | H | L | バンク | L | x | プリチャージ: 選択したバンクの現在のロウを非活性化する。 |
| L | L | H | L | x | H | x | 全プリチャージ: 全バンクの現在のロウを非活性化する。 |
| L | L | L | H | x | x | x | オートリフレッシュ: 内部カウンタを使い、各バンクの1つのロウをリフレッシュする。全バンクをプリチャージしなければならない。 |
| L | L | L | L | 0 0 | モード | モード | モードレジスタのロード: DRAMチップを設定するため、A0からA9までをロードする。最も重要な設定はCASレイテンシ（2または3サイクル）とバースト長（1/2/4/8サイクル）である。 |
DDRx SDRAM でも基本的なコマンドは同じであり、若干追加がある。追加のモードレジスタは、バンクアドレスビットを使って識別され、3番目のバンクアドレスビットが追加されている。
SDR SDRAM > 操作

512MB SDRAM DIMM（正確には 512MiB = 512 × 10242 bytes = 536,870,912 bytes）は8個か9個のSDRAMチップで構成され、それぞれのチップが512Mbitを格納し、DIMMの64ビットまたは72ビットのワード幅のうちの8ビットを各チップが分担している。典型的な512Mbit SDRAMチップの内部には4つの独立した16MBメモリバンクがある。それぞれのバンクは、16,384ビットのロウ（行）が8,192個並んだアレイになっている。バンクはアイドル状態、アクティブ状態、またはそれらの間で遷移中の状態のいずれかである。
アクティブ・コマンドはアイドル状態のバンクを活性化する。2ビットのバンクアドレス (BA0–BA1) でバンクを示し、13ビットのロウアドレス (A0–A12) でロウを示し、バンクの持つ16,384個のカラム（列）のセンスアンプにそのロウの内容を送り込む。この操作を「ロウを開く」と呼ぶ。この操作の副作用として、そのロウ内のメモリセルのリフレッシュが行われる。
ロウが活性化され開かれる（オープン状態になる）と、リード・コマンドとライト・コマンドをそのロウに対して実行可能となる。活性化に必要な時間は数クロックであり、それを「row-to-column 遅延」または tRCD と呼び、アクティブ・コマンド発行後にリードまたはライトを発行可能となるまでの時間を指し、通常クロックサイクル数で丸めた形で示す。それぞれのバンクは完全に独立しているため、このウェイトサイクルの間でも他のバンクに対してコマンドを発行できる。
リード・コマンドとライト・コマンドはカラムアドレスを必要とする。ひとつのチップは一度に8ビットのデータにアクセスするので、カラムアドレスは2048種類あり（16384÷8=2048）、アドレス線は11本だけ必要となる（A0-A9、A11）。
リード・コマンドを発行すると、SDRAMは2または3クロックサイクル後（CASレイテンシの設定による）のクロック立ち上がりの時点でDQ線に対応する出力データを出力する。それに続くワードのバーストが引き続きクロック信号の立ち上がりにあわせて出力される。
ライト・コマンドは書き込むべきデータを伴い、クロック信号の立ち上がりの時点でDQ線をそのデータで駆動する。ライト・コマンドでDQ線にデータを伝送する際にSDRAMがリード・コマンドのデータを同時に出力しないようにしなければならない。これはメモリコントローラの役目である。これは通常リード・バーストの完了を待ち合わせるか、リード・バーストを停止するか、DQM制御線を使うことでなされる。
メモリコントローラが別のロウにアクセスする必要が生じると、まずそのロウの所属するバンクのセンスアンプをアイドル状態に戻す必要があり、その後に次のロウにアクセスする準備をする。これを「プリチャージ」と称し、「ロウを閉じる」と呼ぶ。プリチャージは独立したコマンドとして実行することもあるし、リードまたはライトの際に自動的に行うこともある。プリチャージにも時間がかかり、ロウ・プリチャージ遅延または tRP と呼ぶ。指定したバンクが完全にアイドル状態となるまでにかかる時間であり、その後に次のアクティブ・コマンドを受け付けられるようになる。
ロウを活性化すると副作用としてリフレッシュが行われるが、それにも時間がかかる。これを最小ロウアクセス時間 tRAS と呼び、あるロウをアクティブ・コマンドで開いた後からプリチャージ・コマンドで閉じることができるようになるまでの間に生じる遅延時間として現れる（言い換えると、アクティブ・コマンドとプリチャージ・コマンドの間でカラムアドレスを出すこと以外は何もしなくても遅延時間が発生する）。しかし、通常アクティブ・コマンドの後にはリードまたはライトを行うので、性能にはほとんど影響を及ぼさない。リード・ライトの動作の方が tRAS よりも長いからである。
SDR SDRAM > コマンドによる対話

どのような状態でもNOPコマンドは常に受け付けられる。
全バンクがアイドル状態のとき、以下のコマンドが発行できる。
モードレジスタのロード・コマンド：モードレジスタの変更が効力を持つまである遅延時間がかかる。
オートリフレッシュ・コマンド：チップがアイドル状態に戻るまでにリフレッシュサイクル時間 tRFC がかかる。この時間は一般に tRCD+tRP と同じである。
全バンクではなく、対話したい特定のバンクがアイドル状態のときに発行できるコマンド
アクティブ・コマンド：上述の通り、アクティブ・コマンドはロウが完全に開いてリードまたはライト・コマンドを受けつけ可能になるまで tRCD という時間を要する。
バンクが開いているとき（オープン状態のとき）、4つのコマンドを受け付けられる。
リード・コマンド
ライト・コマンド
バースト終了コマンド
プリチャージ・コマンド
リード・コマンドはリードバースト（連続読出）を開始する。一方、ライト・コマンドはライトバースト（連続書込）を開始する。そして、続くコマンドによってバーストを中断できる。
SDR SDRAM > コマンドによる対話 > リードバースト割り込み

「リード・コマンド」「バースト終了コマンド」「プリチャージ・コマンド」は、リードバースト開始後、任意の時点で発行でき、設定されたCASレイテンシ後にリードバーストに割り込むことができる。
リード・コマンドをサイクル0で発行し、別のリード・コマンドをサイクル2で発行したとする。CASレイテンシが3の場合、最初のリード・コマンドはデータのバースト出力をサイクル3および4で開始し、2つ目のリード・コマンドの処理はサイクル5から開始される。
以上をまとめると以下のようになる。
サイクル2で発行したコマンドがバースト終了またはアクティブなバンクのプリチャージだった場合、サイクル5までの間に出力は生成されない。
リードバースト割り込みは任意のアクティブなバンクで起きうるが、プリチャージ・コマンドがリードバーストに割り込むのは、それが同じバンクに対するものか全バンクに対するものだった場合だけである。異なるバンクへのプリチャージ・コマンドはリードバーストに割り込まない。
ライト・コマンドでリードバーストに割り込むことも可能だが、やや難しい。ライトの際にはDQ線でSDRAMに書き込むデータを示す必要があるため、メモリコントローラはDQM信号を使ってSDRAMの出力を抑制する必要がある。DQMによるリードデータ抑制の効果は2サイクル遅延するが、ライトデータへの効果は即座に現れる。したがってライト・コマンドの少なくとも2サイクル前にDQMをアサートしてリードデータをマスクする必要があるが、ライト・コマンドを発行する時点にはDQMを下げておく必要がある。その間はわずか2サイクルであり、微妙なタイミング調整を必要とする。クロック周波数が高い場合は3サイクルを必要とすることもある。
自動プリチャージ付きのリード・コマンドの場合、プリチャージはコマンドに割り込むのと同じサイクルで開始される。
SDR SDRAM > バースト要求

最近のキャッシュを持つマイクロプロセッサは、一般にキャッシュライン単位でメモリにアクセスする。キャッシュラインが64バイト（512bit）の場合、64ビットのDIMMに8回連続アクセスする必要がある。64ビットのDIMMが8つのSDRAMチップで構成されている場合、1つのSDRAMチップは8bit単位で8回連続アクセスされることになる。それを1回のリードまたはライト・コマンドで開始するよう設定できる。すなわち、モードレジスタで8ワードのバースト転送を設定すればよい（BL=8、BLとは「バースト長」）。
キャッシュラインのフェッチは一般に特定アドレスからのリードで開始され、SDRAMは「クリティカルワード」（キャッシュラインの先頭に位置しないワード）を最初に転送することを可能としている。ここでいう「ワード」の長さは、SDRAMチップまたはDIMMのデータ出力幅であり、典型的なDIMMでは64ビットである。SDRAMチップは、キャッシュライン内の残りのワードの転送順序を2種類サポートする。
バーストは常にバースト長 (BL) でアライン（整列）されたブロック（キャッシュラインに対応）にアクセスし、ブロックの開始アドレスはBLの整数倍の位置となる。例えば4ワード・バーストでカラムアドレス4から7のいずれかにアクセスしようとすると、4-7の4ワードがバースト転送される。ブロックの先頭から転送を要求した場合、順番に転送されるだけである。しかし、ブロックの途中のアドレスから転送を要求すると、その転送順序は要求したアドレスに依存し、「シーケンシャル」または「インターリーブ」という2つのバースト種別のオプションで設定される。一般にメモリコントローラはどちらか一方をサポートしている。
バースト長が1または2の場合、バースト種別は問題とはならない。バースト長が1なら、要求されたワードにアクセスするだけである。バースト長が2なら、まず要求されたアドレスのワードにアクセスし、次にブロックを構成するもう1つのワードにアクセスする。指定したアドレスが偶数なら2番目にアクセスするのはその次のワードであり、奇数なら1つ前のワードということになる。
シーケンシャル型のバーストモードでは、指定されたアドレスを起点としてアドレスが大きくなる順にアクセスしていき、ブロック境界まで来るとブロック先頭に戻って順にアクセスしていく。例えばバースト長が4の場合、要求したカラムアドレスが5だとすると、アクセスするワードの順序は 5-6-7-4 となる。バースト長が8の場合、アクセス順序は 5-6-7-0-1-2-3-4 となる。これはカラムアドレスにカウンタの値を加算することでなされ、バースト長を超えたときにキャリーを無視することでこのような順序となる。
インターリーブ型のバーストモードでは、カウンタと指定されたアドレスの間で排他的論理和操作をおこなってアドレスを計算する。バースト長が4ワードの場合、同じようにアドレス5で開始すると、アクセス順序は 5-4-7-6 となる。同様に8ワードバーストなら 5-4-7-6-1-0-3-2 となる。人間にはこのような順序は判りにくいが、ハードウェアでの実装は容易であり、インテル製マイクロプロセッサがこの方式をよく採用している（どのような順番でもブロック内が全て転送されればよい）。
要求されたカラムアドレスがブロック（キャッシュラインに対応）の先頭だった場合、どちらのモードであっても同じ 0-1-2-3-4-5-6-7 という整列した順序でデータを返す。2つのモードの違いが問題となるのは、クリティカルワードを最初としてキャッシュラインをフェッチする場合である。
SDR SDRAM > モードレジスタ

シングルデータレートのSDRAMには、10ビットのプログラム可能なモードレジスタがある。DDR SDRAM の規格ではモードレジスタがさらに追加されており、バンクアドレスピンを使って指定できる。SDR SDRAM の場合、バンクアドレスピンや A10 以上のアドレス線は無視されるが、モードレジスタに書き込む際はそれらを0にしておくべきである。
モードレジスタのロードを行うサイクルでは、アドレス線 A0 から A9 でモードレジスタの内容を指定し、それぞれ M0 から M9 のビットに対応している。
M9: ライトバーストモード。0の場合、ライト・コマンドでもリードバーストの長さとモードでバースト転送する。1の場合、全てのライトはバースト転送しない（1ワードのみの書き込みとなる）。
M8, M7: 予約されている。常に 00 とする。
M6, M5, M4: CASレイテンシ。一般に 010 (CL2) と 011 (CL3) のみが妥当である。リード・コマンドからデータ出力までのサイクル数を指定する。チップにはナノ秒単位の基本的な限界が存在する。初期化の際にメモリコントローラがその限界を考慮して適切なサイクル数に変換して設定しなければならない。
M3: バースト種別。0の場合はシーケンシャル型のバースト順序、1の場合はインターリーブ型のバースト順序となる。
M2, M1, M0: バースト長。000、001、010、011 がそれぞれ1ワード、2ワード、4ワード、8ワードに対応する。リード・コマンド（M9が0ならライトも）は、指定された長さでアクセスするが、バースト終了または他のコマンドで割り込むこともできる。111と設定した場合、ロウ全体のバースト転送となる。バーストは割り込むまで続く。ロウ全体のバーストはシーケンシャルモードのときのみ可能である。
SDR SDRAM > オートリフレッシュ

それぞれのバンクのそれぞれのロウを開いて閉じる（アクティブとプリチャージ）ことで、メモリセルをリフレッシュできる。しかし、メモリコントローラを単純化するため、SDRAMチップには「オートリフレッシュ」コマンドがあり、それぞれのバンクの1つのロウに対して同時にリフレッシュを行うことができる。SDRAMは内部にカウンタを持っていて、バンク内のロウを順番にオートリフレッシュすることができる。メモリコントローラはリフレッシュインターバル（一般に tREF = 64 ms）ごとにロウの数（これまで説明してきた例では4096）をカバーするのに十分なだけのオートリフレッシュ・コマンドを発行すればよい（この例だと、64ms内に4096回発行するということ）。このコマンドを発行する際には全バンクがアイドル状態でなければならない。
SDR SDRAM > 省電力モード

CKE (clock enable) 信号を使うと、SDRAMのクロックを事実上停止することができる。CKE信号はクロック波形の立ち上がりごとにサンプリングされ、ローレベルであれば次のクロックの立ち上がりが無視され、CKE信号のチェック以外の処理が行われなくなる。CKEをローレベルにしている間はクロック周波数を変更したり、クロックを完全に止めたりすることも可能である。
CKEがローレベルになるとSDRAMは処理をフリーズさせ、CKEがハイレベルになるまでその状態を保つ。
CKEがローレベルとなってSDRAMがアイドル状態なら（全バンクがプリチャージされ、コマンドを処理中でない場合）、SDRAMは自動的に省電力モードとなり、CKEがハイレベルになるまで最小限の電力しか消費しない状態となる。ただし、リフレッシュインターバル tREF 以上にこのモードを続けることはできない（メモリの内容が失われてしまうため）。この状態でクロックを完全に止めれば、さらに電力消費を抑えることができる。
また、CKEをローレベルにしたときにオートリフレッシュ・コマンドをSDRAMに送れば、SDRAMはセルフリフレッシュ・モードとなる。この場合も省電力状態となるが、SDRAMは内部のタイマを使って必要なリフレッシュサイクルを生成する。この場合もクロック供給を止めることができる。上述の省電力モードよりも電力消費は若干多いが、メモリコントローラを完全に停止させることができ、システム全体としてはこちらの方が省電力となる。
バッテリ駆動の機器向けにさらなる省電力オプションが用意されている。
温度対応型リフレッシュ : チップ上の温度センサが温度を測定し、低温になるほどセルフリフレッシュでのリフレッシュレートを低減させる。
選択的リフレッシュ : DRAMアレイの一部だけでセルフリフレッシュを行う。どの部分をリフレッシュするかは追加のモードレジスタで設定する。
DPD (deep power down) モード : モバイルDDR (LPDDR) やLPDDR2が実装している。メモリ内容を無効化して、通常状態に復帰するときに再設定を必要とする。CKEをローレベルにする際にバースト終了コマンドを発行することでDPDモードとなる。
世代 > SDRAM

SDR SDRAM（詳細は前述）は、1クロックサイクルの片エッジでの転送である（シングルデータレート（SDR））。
世代 > その他の提案

SDR SDRAMの後継としてDDR SDRAMが普及するまでの間に、多少の技術的・政治的混沌があった。#成功しなかった後継テクノロジーの節を参照。
世代 > DDR SDRAM

→詳細は「DDR SDRAM」を参照
DRAMのアクセスレイテンシはDRAMアレイによって基本的に制限されているが、内部では数千ビットのロウを一度に読み出すので、帯域幅はさらに高められる可能性を持っている。ユーザーに対してさらなる帯域幅を提供するため、ダブルデータレートというインタフェースが開発された。コマンドを1サイクルに1つ受け付けるのは従来と同じだが、リードとライトは1クロックサイクルに2ワードのデータを扱う。またSDRインタフェースでのタイミングにいくつかマイナーな変更を加え、電源電圧を3.3Vから2.5Vに下げた。結果として DDR SDRAM は SDR SDRAM との互換性を保っていない。
DDR SDRAM（その後の製品と区別するため "DDR1" とされることもある）は最小の読み書き単位を倍にし、1回のアクセスで少なくとも2ワードを参照するようになった。
DDR SDRAM の典型的なクロック周波数は 133MHz、166MHz、200MHz（それぞれサイクル時間は 7.5ns、6ns、5ns）で、それぞれ DDR-266、DDR-333、DDR-400 と呼ばれる。対応する184ピンのDIMMはそれぞれ PC-2100、PC-2700、PC-3200 と呼ばれる。さらに高性能な DDR-550 (PC-4400) までそれなりの価格で入手可能である。
世代 > DDR2 SDRAM

→詳細は「DDR2 SDRAM」を参照
DDR2 SDRAM は DDR SDRAM とよく似ているが、最小読み書き単位をさらに倍にし、4ワード単位としている。また、高速操作を実現するためにバスプロトコルを単純化している。特にバースト終了コマンドを削除した。それによって内部のRAM操作のクロック周波数を上げずにSDRAMのバスレートを倍にしている。その代わり、内部の操作はもともとのSDRAMの4倍の単位で行っている。またチップのメモリ容量増大に対応するため、バンク数を8にできるよう新たなバンクアドレスピン (BA2) を追加している。
DDR2 SDRAM の典型的なクロック周波数は 200MHz、266MHz、333MHz、400MHz（それぞれ 5ns、3.75ns、3ns、2.5ns）で、それぞれ DDR2-400、DDR2-533、DDR2-667、DDR2-800 と呼ばれる。対応する240ピンのDIMMは、PC2-3200からPC2-6400までの名称である。最近では533MHzのものもあり DDR2-1066 と呼ばれ、対応するDIMMは PC2-8500（メーカーによっては PC2-8600 とも）と呼ばれている。さらに高性能な DDR2-1250 (PC2-10000) までそれなりの価格で入手可能である。
内部操作は2分の1のクロックレートで行われるため、DDR2-400（内部クロック周波数は100MHz）はDDR-400（内部クロック周波数は200MHz）よりも各種レイテンシが大きい。
世代 > DDR3 SDRAM

→詳細は「DDR3 SDRAM」を参照
DDR3でも同様の進化の傾向が継続され、読み書きの最小単位は連続する8ワードと倍になった。これによって内部クロックレートを変更せずに外部バスの周波数と帯域幅を倍増させることが可能になった。毎秒800Mから1600M回の転送を実現するため（400-800MHzのクロックの両方のエッジで転送）、内部のメモリアレイでは毎秒100Mから200M回のフェッチを実行する。
この場合も問題はレイテンシの相対的な増大である。DDR SDRAM 全般に言えることだが、コマンドは依然としてクロックサイクルの立ち上がりに1回だけ発行できるだけで、通常言われる転送速度の半分の速度である。同じ100MHzでメモリセルが動いている、DDR3-800のCASレイテンシは 8/(400MHz) = 20ns であり、PC100の SDR SDRAM の CAS2 のレイテンシと全く同一である。メモリセルのクロック周波数はDDR以降、133MHz〜266MHzが商品の中心であり、クロック周波数は伸びていなく、1クロックで取得できるビット数が2倍ずつ増えているだけである。この傾向はDDR4でも続く予定。
DDR3メモリチップは2007年後半に出荷が開始され、2008年以降徐々に生産量が伸びている。当初のクロック周波数は400MHzと533MHzで、それぞれ DDR3-800 と DDR3-1066（DIMMモジュールは PC3-6400 と PC3-8500）と呼ばれていたが、今では DDR3-1333 と DDR3-1600（DIMMモジュールは PC3-10600 と PC3-12800）が一般的となっている。さらに高性能な DDR3-2200 までそれなりの価格で入手可能である。
世代 > DDR4 SDRAM

→詳細は「DDR4 SDRAM」を参照
DDR3 SDRAM の後継とされているのが DDR4 SDRAM である。2008年、サンフランシスコで開催されたインテル・デベロッパー・フォーラムで明らかにされ、当初2012年までのリリースが期待されていた。今は、サーバー向けが2013年、PC向けが2015年のリリースが期待されている。DDR以降、3〜5年で2倍の高速化をしていたメモリの転送速度の伸びが鈍化する形となる。
転送能力は2.133GT/s(DDR4-2133, 133MHz, 17.066GB/s)のものが最初に登場し、最終的に4.266GT/s(DDR4-4266, 266MHz, 34.133GB/s) まで向上すると予測されていて、DDR3の2倍となる。メモリクロックはDDR〜DDR3同様、133MHz〜266MHzあたりが中心となる。また、電源電圧はDDR3の1.5Vに対して1.2V以下が予定されており、1.0Vまで下げられると予測されている。
2009年2月、サムスン電子はDDR4開発の重要なステップとして 40nmルールのDRAMチップの試作検証を行った。2009年時点で一般に製造されているDRAMチップは50nmルールに移行しつつある状態だった。
2011年2月、サムスン電子は2GBの DDR4 SDRAM モジュールの開発を発表した。電源電圧 1.2V での最大帯域幅は 2.133Gbps で、30nmプロセス技術で「擬似オープンドレイン」テクノロジーを採用。同等のDDR3モジュールと比較すると消費電力を40%抑えている 。
2014年6月下旬、販売開始Intelの「Haswell-E」およびX99チップセットが対応する
2015年9月 Intelが第6世代Coreプロセッサを発表。今までハイエンドモデルでのみ対応していたDDR4がメインスリーム向けCPUで対応した。
世代 > DDR5 SDRAM

→詳細は「DDR5 SDRAM」を参照
DDR4 SDRAMと比較して、DDR5は消費電力を削減しつつ帯域幅が2倍になる。2020年7月14日に標準規格が発表された。