Memori (komputer)
Sejarah > Memori MOS

Artikel utama: Memori MOS
Penemuan MOSFET (transistor efek-medan semikonduktor logam-oksida (bahasa Inggris: metal–oxide–semiconductor field-effect transistor), atau transistor MOS) oleh Mohamed M. Atalla dan Dawon Kahng pada Bell Labs pada 1959, memungkinkan penggunaan umum transistor semikonduktor logam-oksida (MOS) sebagai elemen penyimpanan sel memori. Memori MOS dikembangkan oleh John Schmidt pada Fairchild Semiconductor pada 1964. Selain lebih cepat, memori semikonduktor MOS lebih murah dan lebih hemat energi dibandingkan dengan memori inti magnetik. Pada 1965, J. Wood dan R. Ball dari Royal Radar Establishment mengusulkan sistem penyimpanan digital yang menggunakan sel memori CMOS (MOS komplementer), bersama dengan perangkat listrik MOSFET, yang digunakan untuk catu daya, pengalih kopling silang, sakelar, dan penyimpanan garis tunda. Pengembangan teknologi sirkuit terpadu MOS gerbang silikon (MOS IC) oleh Federico Faggin di Fairchild pada 1968 memungkinkan produksi chip memori MOS. Memori NMOS dikomersialkan oleh IBM pada awal 1970-an. Memori MOS menggantikan memori inti magnetik sebagai teknologi memori dominan pada awal 1970-an.
Dua jenis utama memori akses acak (RAM) adalah memori akses acak statik (SRAM) dan memori akses acak dinamis (DRAM). SRAM bipolar dikembangkan oleh Robert Norman dari Fairchild Semiconductor pada 1963, yang dilanjutkan dengan pengembangan MOS SRAM oleh John Schmidt pada Fairchild pada 1964. SRAM menjadi alternatif memori inti magnetik, tetapi memerlukan enam transistor MOS untuk setiap bit data. Penggunaan komersial SRAM dimulai sejak 1965, ketika IBM merilis chip SRAM SP95 untuk System/360 Model 95.
Toshiba merilis sel memori DRAM bipolar untuk kalkulator elektronik Toshiba Toscal BC-1411 pada 1965. Walaupun lebih cepat daripada memori inti magnetik, DRAM bipolar tidak bisa bersaing karena lebih mahal. Teknologi MOS adalah basis untuk DRAM modern. Pada 1966, Dr. Robert H. Dennard di IBM Thomas J. Watson Research Center sedang meneliti memori MOS. Ketika memeriksa karakteristik teknologi MOS, dia menemukan bahwa teknologi MOS bisa digunakan untuk membuat kapasitor, dan bahwa menyimpan muatan atau non-muatan pada kapasitor MOS bisa mewakili bit 1 dan 0, sedangkan transistor MOS bisa mengatur penulisan muatan ke kapasitor. Ini berujung ke pengembangan sel memori DRAM transistor tunggal. Pada 1967, Dennard mengajukan paten atas IBM untuk sel memori DRAM transistor tunggal, yang berdasarkan teknologi MOS. Ini berujung pada chip sirkuit terpadu DRAM komersial pertama, Intel 1103, pada Oktober 1970. Chip memori akses acak dinamis sinkronis (SDRAM) pertama, Samsung KM48SL2000, dirilis pada 1992.
Kata memori juga sering digunakan untuk memori non-volatil, atau memori flash untuk lebih spesifik. Memori flash berasal dari memori hanya baca (ROM). Memori hanya baca bisa diprogram (PROM) dikembangkan oleh Wen Tsing Chow pada 1956, ketika bekerja pada Divisi Arma dari Korporasi Amerika Serikat Bosch Arma. Pada 1967, Dawon Kahng dan Simon Sze dari Bell Labs mengusulkan bahwa gerbang mengambang perangkat semikonduktor MOS bisa digunakan untuk sel memori hanya baca yang bisa diprogram (ROM) yang memicu Dov Frohman dari Intel untuk mengembangkan EPROM (PROM yang bisa dihapus) pada 1971. EEPROM (PROM yang bisa dihapus dengan listrik) dikembangkan oleh Yasuo Tarui, Yutaka Hayashi, dan Kiyoko Naga pada Laboratorium Elektroteknikal pada 1972. Memori flash dikembangkan oleh Fujio Masuoka pada Toshiba pada awal 1980-an. Masuoka dan temannya mempresentasikan penemuan flash NOR pada 1984, dan kemudian flash NAND pada 1987. Toshiba mulai menjual memori flash NAND pada 1987.
Pengembangan teknologi dan skala ekonomi memungkinkan pembuatan komputer very large memory (VLM / memori sangat besar).