Semikonduktor
Elemen dopan > Dopan silikon

Akseptor, tipe-p
Boron adalah dopan tipe-p. Laju difusinya memungkinkan kontrol kedalaman sambungan dengan mudah. Umum dalam teknologi CMOS. Dapat ditambahkan dengan difusi gas diborana. Satu-satunya akseptor dengan kelarutan yang cukup untuk penghasil emisi yang efisien dalam transistor dan aplikasi lain yang memerlukan konsentrasi dopan yang sangat tinggi. Boron berdifusi secepat fosfor.
Aluminium, digunakan untuk difusi p dalam. Tidak populer di VLSI dan ULSI. Juga merupakan pengotor umum yang tidak disengaja.
Gallium adalah dopan yang digunakan untuk detektor silikon fotokonduksi inframerah panjang gelombang panjang di jendela atmosfer 8–14 μm. Silikon yang didoping Gallium juga menjanjikan untuk sel surya, karena masa pakai pembawa minoritasnya yang panjang tanpa degradasi seumur hidup; oleh karena itu, hal ini menjadi penting sebagai pengganti substrat yang didoping boron untuk aplikasi sel surya.
Indium adalah dopan yang digunakan untuk detektor silikon fotokonduksi inframerah panjang gelombang panjang di jendela atmosfer 3–5 μm.
Donor, tipe-n
Fosfor adalah dopan tipe-n. Ini berdifusi dengan cepat, sehingga biasanya digunakan untuk doping massal, atau untuk pembentukan sumur. Digunakan dalam sel surya. Dapat ditambahkan dengan difusi gas fosfin. Doping massal dapat dicapai dengan transmutasi nuklir, dengan iradiasi silikon murni dengan neutron dalam reaktor nuklir. Fosfor juga memerangkap atom emas, yang sebaliknya akan berdifusi dengan cepat melalui silikon dan bertindak sebagai pusat rekombinasi.Doping susunan silikon murni. Semikonduktor intrinsik berbasis silikon menjadi ekstrinsik ketika pengotor seperti Boron dan Antimon dimasukkan.
Arsenik adalah dopan tipe-n. Difusinya yang lebih lambat memungkinkan penggunaannya untuk persimpangan yang tersebar. Digunakan untuk lapisan yang terkubur. Memiliki jari-jari atom yang mirip dengan silikon, konsentrasi tinggi dapat dicapai. Difusivitasnya sekitar sepersepuluh dari fosfor atau boron, sehingga digunakan di mana dopan harus tetap di tempatnya selama pemrosesan termal berikutnya. Berguna untuk difusi dangkal yang menginginkan batas mendadak yang terkontrol dengan baik. Dopan pilihan di sirkuit VLSI. Dopan yang disukai dalam rentang resistivitas rendah.
Antimon adalah dopan tipe-n. Ia memiliki koefisien difusi yang kecil. Digunakan untuk lapisan yang terkubur. Memiliki difusivitas yang mirip dengan arsenik, digunakan sebagai alternatifnya. Difusinya sebenarnya murni substitusi, tanpa interstisial, sehingga bebas dari efek anomali. Untuk sifat unggul ini, kadang-kadang digunakan dalam VLSI sebagai pengganti arsenik. Doping berat dengan antimon penting untuk perangkat listrik. Silikon yang banyak didoping antimon memiliki konsentrasi pengotor oksigen yang lebih rendah; efek autodoping minimal membuatnya cocok untuk substrat epitaksial.
Bismuth adalah dopan yang menjanjikan untuk detektor silikon fotokonduksi inframerah panjang gelombang panjang, alternatif tipe-n yang layak untuk bahan yang didoping galium tipe-p. [20]
Lithium digunakan untuk doping silikon untuk sel surya yang diperkeras radiasi. Kehadiran litium menghilangkan cacat pada kisi yang dihasilkan oleh proton dan neutron. Litium dapat dimasukkan ke silikon p+ yang didoping boron, dalam jumlah yang cukup rendah untuk mempertahankan karakter p material, atau dalam jumlah yang cukup besar untuk melawannya ke tipe n dengan resistivitas rendah.
Lainnya
Germanium dapat digunakan untuk rekayasa celah pita. Lapisan Germanium juga menghambat difusi boron selama langkah anil, memungkinkan sambungan p-MOSFET yang sangat dangkal. Doping curah Germanium menekan cacat rongga yang besar, meningkatkan pengambilan internal, dan meningkatkan kekuatan mekanik wafer.
Silikon, germanium dan xenon dapat digunakan sebagai berkas ion untuk pra- amorfisasi permukaan wafer silikon. Pembentukan lapisan amorf di bawah permukaan memungkinkan pembentukan sambungan ultradangkal untuk p-MOSFET.
Nitrogen penting untuk menumbuhkan kristal silikon bebas cacat. Meningkatkan kekuatan mekanik kisi, meningkatkan pembentukan cacat mikro dalam jumlah besar, menekan aglomerasi kekosongan.
Emas dan platinum digunakan untuk kendali seumur hidup pembawa minoritas. Mereka digunakan dalam beberapa aplikasi deteksi inframerah. Emas memperkenalkan tingkat donor 0,35 eV di atas pita valensi dan tingkat akseptor 0,54 eV di bawah pita konduksi. Platinum juga memperkenalkan tingkat donor pada 0,35 eV di atas pita valensi, tetapi tingkat akseptornya hanya 0,26 eV di bawah pita konduksi; karena tingkat akseptor pada silikon tipe-n lebih dangkal, laju pembangkitan muatan ruang lebih rendah dan oleh karena itu arus bocor juga lebih rendah dibandingkan doping emas. Pada tingkat injeksi yang tinggi, platinum berkinerja lebih baik untuk pengurangan seumur hidup. Pemulihan terbalik perangkat bipolar lebih bergantung pada masa pakai tingkat rendah, dan pengurangannya lebih baik dilakukan dengan emas. Emas memberikan tradeoff yang baik antara penurunan tegangan maju dan waktu pemulihan mundur untuk perangkat bipolar peralihan cepat, di mana muatan yang disimpan di daerah basis dan kolektor harus diminimalkan. Sebaliknya, pada banyak transistor daya, masa pakai pembawa minoritas yang lama diperlukan untuk mencapai penguatan yang baik, dan pengotor emas/platinum harus dijaga tetap rendah.