stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
Semikonduktor
Doping Semikonduktor

Salah satu alasan utama kegunaan semikonduktor dalam elektronik adalah sifat elektroniknya dapat diubah banyak dalam sebuah cara terkontrol dengan menambah sejumlah kecil ketidakmurnian. Ketidakmurnian ini disebut dopan.
Doping sejumlah besar ke semikonduktor dapat meningkatkan konduktivitasnya dengan faktor lebih besar dari satu milyar.[butuh rujukan]
 Dalam sirkuit terpadu modern, misalnya, polycrystalline silicon didop-berat sering kali digunakan sebagai pengganti logam.
Dalam produksi semikonduktor, doping adalah memasukkan pengotor yang disengaja ke dalam semikonduktor intrinsik (tidak didoping) untuk tujuan memodulasi sifat listrik, optik, dan strukturalnya. Bahan yang diolah disebut sebagai semikonduktor ekstrinsik.
Sejumlah kecil atom dopan dapat mengubah kemampuan semikonduktor dalam menghantarkan listrik. Bila urutan satu atom dopan ditambahkan per 100 juta atom, dopingnya dikatakan rendah atau ringan. Ketika lebih banyak atom dopan ditambahkan, dengan urutan satu per sepuluh ribu atom, doping tersebut disebut sebagai doping tinggi atau berat. Hal ini sering ditampilkan sebagai n+ untuk doping tipe-n atau p+ untuk doping tipe-p. (Lihat artikel tentang semikonduktor untuk penjelasan lebih rinci mengenai mekanisme doping). Semikonduktor yang didoping sedemikian rupa sehingga bertindak lebih seperti konduktor daripada semikonduktor disebut sebagai semikonduktor degenerasi. Suatu semikonduktor dapat dianggap sebagai semikonduktor tipe-i jika telah didoping dengan jumlah p dan n yang sama.
Dalam konteks fosfor dan sintilator, doping lebih dikenal dengan istilah aktivasi ; ini berbeda dengan aktivasi dopan di semikonduktor. Doping juga digunakan untuk mengontrol warna pada beberapa pigmen dan dianggap penting dalam spektroskopi, di mana jumlah pembawa muatan intrinsik dapat dikontrol seperti yang diberikan oleh persamaan (nh×ne) =(ni)^2. [{nh-jumlah lubang}; {satu-jumlah elektron}; {ni-jumlah pembawa muatan intrinsik } (Sumber : NCERT FISIKA KELAS 12)
Teknik doping dan sintesis > Doping selama pertumbuhan kristal

Beberapa dopan ditambahkan saat boule (biasanya silikon) ditumbuhkan dengan metode Czochralski, memberikan setiap wafer doping awal yang hampir seragam.
Sebagai alternatif, sintesis perangkat semikonduktor mungkin melibatkan penggunaan epitaksi fase uap. Dalam epitaksi fase uap, gas yang mengandung prekursor dopan dapat dimasukkan ke dalam reaktor. Misalnya, dalam kasus doping gas tipe-n dari galium arsenida, hidrogen sulfida ditambahkan, dan belerang dimasukkan ke dalam struktur. Proses ini ditandai dengan konsentrasi belerang yang konstan di permukaan. Dalam kasus semikonduktor pada umumnya, hanya lapisan wafer yang sangat tipis yang perlu didoping untuk mendapatkan sifat elektronik yang diinginkan.
Teknik doping dan sintesis > Doping pasca-pertumbuhan

Untuk menentukan elemen rangkaian, area yang dipilih - biasanya dikontrol oleh fotolitografi- selanjutnya diolah dengan proses seperti difusi dan implantasi ion, metode terakhir ini lebih populer dalam proses produksi besar karena peningkatan pengendalian.
Teknik doping dan sintesis > Doping pasca-pertumbuhan > Kaca putar

Spin-on glass atau doping dopan spin-on adalah proses dua langkah yaitu pengaplikasian campuran SiO 2 dan dopan (dalam pelarut) ke permukaan wafer dengan cara spin-coating kemudian dilucuti dan dipanggang pada suhu tertentu di tungku pada aliran nitrogen+oksigen konstan.
Elemen dopan > Semikonduktor golongan IV

(Catatan: Saat membahas golongan tabel periodik, fisikawan semikonduktor selalu menggunakan notasi lama, bukan notasi golongan IUPAC saat ini. Misalnya, gugus karbon disebut "Grup IV", bukan "Grup 14").
Untuk semikonduktor Golongan IV seperti intan, silikon, germanium, silikon karbida, dan silikon-germanium, dopan yang paling umum adalah akseptor dari Golongan III atau donor dari unsur-unsur Golongan V. Boron, arsenik, fosfor, dan kadang-kadang galium digunakan untuk membuat silikon. Boron adalah dopan tipe-p pilihan untuk produksi sirkuit terpadu silikon karena ia berdifusi dengan kecepatan yang membuat kedalaman sambungan mudah dikontrol. Fosfor biasanya digunakan untuk doping massal wafer silikon, sedangkan arsenik digunakan untuk menyebarkan sambungan, karena ia berdifusi lebih lambat daripada fosfor sehingga lebih terkendali.
Dengan mendoping silikon murni dengan unsur-unsur Golongan V seperti fosfor, elektron valensi ekstra ditambahkan sehingga menjadi tidak terikat pada atom-atom individual dan memungkinkan senyawa tersebut menjadi semikonduktor tipe-n yang konduktif secara elektrik. Doping dengan unsur Golongan III, yang kehilangan elektron valensi keempat, menciptakan "ikatan putus" (lubang) pada kisi silikon yang bebas bergerak. Hasilnya adalah semikonduktor tipe-p yang konduktif secara elektrik. Dalam konteks ini, unsur Golongan V dikatakan berperilaku sebagai donor elektron, dan unsur Golongan III sebagai akseptor. Ini adalah konsep kunci dalam fisika dioda.
Semikonduktor yang didoping sangat berat berperilaku lebih seperti konduktor yang baik (logam) dan dengan demikian menunjukkan koefisien termal positif yang lebih linier. Efek tersebut digunakan misalnya pada sensor. Doping dosis rendah digunakan pada termistor jenis lain (NTC atau PTC).
Elemen dopan > Semikonduktor lainnya

Dalam daftar berikut, "(pengganti X)" mengacu pada semua materi sebelum tanda kurung tersebut.
Gallium arsenida
tipe-n: telurium, belerang (pengganti As); timah, silikon, germanium (pengganti Ga)
tipe-p: berilium, seng, kromium (pengganti Ga); silikon, germanium, karbon (pengganti As)
Gallium fosfida
tipe-n: telurium, selenium, belerang (pengganti fosfor)
tipe-p: seng, magnesium (pengganti Ga); timah (pengganti P)
isoelektrik: nitrogen (pengganti P) ditambahkan untuk mengaktifkan pendaran pada LED hijau lama (GaP memiliki celah pita tidak langsung)
Gallium nitrida, Indium galium nitrida, Aluminium galium nitrida
tipe-n: silikon (pengganti Ga), germanium (pengganti Ga, kecocokan kisi lebih baik), karbon (pengganti Ga, tertanam secara alami ke dalam lapisan MOVPE yang tumbuh dalam konsentrasi rendah)
tipe-p: magnesium (pengganti Ga) - menantang karena energi ionisasi yang relatif tinggi di atas tepi pita valensi, difusi Mg interstisial yang kuat, kompleks hidrogen yang memasivasi akseptor Mg dan kompensasi mandiri Mg pada konsentrasi yang lebih tinggi)
Kadmium telurida
tipe-n: indium, aluminium (pengganti Cd); klorin (pengganti Te)
tipe-p: fosfor (pengganti Te); litium, natrium (pengganti Cd)
Kadmium sulfida
tipe-n: galium (pengganti Cd); yodium, fluor (pengganti S)
tipe-p: litium, natrium (pengganti Cd)
Pembuatan

Semikonduktor dengan properti elektronik yang dapat diprediksi dan handal diperlukan untuk produksi massa. Tingkat kemurnian kimia yang diperlukan sangat tinggi karena adanya ketidaksempurnaan, bahkan dalam proporsi sangat kecil dapat memiliki efek besar pada properti dari material. Kristal dengan tingkat kesempurnaan yang tinggi juga diperlukan, karena kesalahan dalam struktur kristal (seperti dislokasi, kembaran, dan retak tumpukan) mengganggu properti semikonduktivitas dari material. Retakan kristal merupakan penyebab utama rusaknya perangkat semikonduktor. Semakin besar kristal, semakin sulit mencapai kesempurnaan yang diperlukan. Proses produksi massa saat ini menggunakan ingot (bahan dasar) kristal dengan diameter antara empat hingga dua belas inci (300 mm) yang ditumbuhkan sebagai silinder kemudian diiris menjadi wafer.
Karena diperlukannya tingkat kemurnian kimia dan kesempurnaan struktur kristal untuk membuat perangkat semikonduktor, metode khusus telah dikembangkan untuk memproduksi bahan semikonduktor awal. Sebuah teknik untuk mencapai kemurnian tinggi termasuk pertumbuhan kristal menggunakan proses Czochralski. Langkah tambahan yang dapat digunakan untuk lebih meningkatkan kemurnian dikenal sebagai perbaikan zona. Dalam perbaikan zona, sebagian dari kristal padat dicairkan. Impuritas cenderung berkonsentrasi di daerah yang dicairkan, sedangkan material yang diinginkan mengkristal kembali sehingga menghasilkan bahan lebih murni dan kristal dengan lebih sedikit kesalahan.
Dalam pembuatan perangkat semikonduktor yang melibatkan heterojunction antara bahan-bahan semikonduktor yang berbeda, konstanta kisi, yaitu panjang dari struktur kristal yang berulang, penting untuk menentukan kompatibilitas antar bahan.
Implantasi ion

Implantasi ion adalah proses suhu rendah yang dengannya ion-ion dari satu unsur dipercepat ke dalam target padat, sehingga mengubah sifat fisik, kimia, atau listrik dari target. Implantasi ion digunakan dalam fabrikasi perangkat semikonduktor dan dalam penyelesaian logam, serta dalam penelitian ilmu material. Ion-ion dapat mengubah komposisi unsur target (jika ion-ion tersebut berbeda komposisinya dari target) jika mereka berhenti dan tetap berada di dalam target. Implantasi ion juga menyebabkan perubahan kimia dan fisik ketika ion-ion tersebut mengenai target pada energi tinggi. Struktur kristal target dapat rusak atau bahkan hancur oleh kaskade tumbukan energik, dan ion-ion dengan energi yang cukup tinggi (puluhan MeV) dapat menyebabkan transmutasi nuklir.
Peralatan implantasi ion biasanya terdiri dari sumber ion, tempat ion dari unsur yang diinginkan diproduksi, akselerator, tempat ion dipercepat secara elektrostatik hingga berenergi tinggi atau menggunakan frekuensi radio, dan ruang target, tempat ion mengenai target, yang merupakan material yang akan ditanamkan. Dengan demikian, implantasi ion merupakan kasus khusus radiasi partikel. Setiap ion biasanya berupa atom atau molekul tunggal, dan dengan demikian jumlah material aktual yang ditanamkan dalam target merupakan integral dari arus ion terhadap waktu. Jumlah ini disebut dosis. Arus yang disuplai oleh implan biasanya kecil (mikro-ampere), dan dengan demikian dosis yang dapat ditanamkan dalam jumlah waktu yang wajar juga kecil. Oleh karena itu, implantasi ion dapat diterapkan dalam kasus-kasus di mana jumlah perubahan kimia yang diperlukan kecil.
Cara utama doping silikon untuk pembuatan perangkat semikonduktor adalah implantasi ion, doping sumber gas, dan doping sumber padat. Implantasi ion sejauh ini merupakan cara paling penting untuk memasukkan atom dopan ke dalam substrat silikon dan ini akan menjadi satu-satunya metode yang dibahas di sini. Pembaca yang tertarik dengan metode lama seperti doping gas dan sumber padat dirujuk ke teks standar untuk informasi lebih lanjut. Kami hanya akan memberikan pembahasan singkat mengenai aspek dasar implantasi ion di sini. Mereka yang tertarik untuk mengembangkan pemahaman mendalam tentang isu-isu yang terkait dengan implantasi ion diarahkan ke teks tentang Teknologi VLSI dan Ultra Large Scale Integration (ULSI) dan monografi yang tersedia tentang implantasi ion.
Metode utama doping silikon untuk pembuatan perangkat semikonduktor adalah implantasi ion, doping sumber gas, dan doping sumber padat. Implantasi ion sejauh ini merupakan cara terpenting untuk memasukkan atom dopan ke dalam substrat silikon, yang mengatasi meningkatnya kompleksitas chip semikonduktor dan proses pembuatannya. Implantasi ion biasanya digunakan untuk pembentukan sumur n dan p pada substrat silikon dan pembentukan sumber/saluran.
Keberhasilan proses implantasi ion sangat bergantung pada kualitas vakum di dalam implanter ion. Sebagian besar solusi untuk aplikasi vakum tinggi dalam pembangkitan, kontrol, dan pemantauan vakum sangat penting bagi keberhasilan proses implan ion.
Kegunaan praktis > Detektor kristal

Semikonduktor dalam bentuk kristal digunakan untuk pembuatan detektor kristal. Pembuatan detektor kristal mulai dilakukan sejak awal abad ke-20 Masehi sebagai penghubung kawat penghantar yang menerima sinyal radio. Bentuk kawat menyerupai kumis. Bahan semikonduktor yang digunakan yaitu kristal germanium. Keberadaan sinyal radio diketahui melalui efek simpang dari kontak antara kristal dan kawat. Penguatan dan pelemahan dari kuat arus listrik dibatasi oleh elemen padat dan senyawa yang telah mengalami rekayasa secara khusus. Arus listrik yang mengalir terbagi menjadi dua jenis, yaitu elektron bermuatan negatif dan elektron yang kekurangan muatan positif. Elektron yang bermuatan negatif disebut sebagai arus muatan sedangkan yang kekurangan muatan positif disebut sebagai arus lubang. Teori fisika kuantum digunakan untuk memahami prinsip arus muatan dan arus lubang ini.
Kegunaan praktis > Sel surya

Sel surya memanfaatkan semikonduktor yang terdiri dari komponen dioda dengan sambungan P-N. Kegunaan utama dari sel surya adalah menghasilkan efek fotovoltaik yang mengubah sinar matahari menjadi energi listrik. Sel surya digunakan pada pembangkit listrik tenaga surya dalam skala kecil pada daerah terpencil yang tidak memiliki akses listrik. Selain itu, satelit juga menggunakan sel surya sebagai penghasil energi listrik.
Kegunaan praktis > Pengukuran intensitas cahaya

Elemen fotolistrik pada bahan semikonduktor digunakan untuk menggantikan peran sel foto. Sel foto digunakan untuk mengukur intensitas cahaya. Peran sel foto yang digantikan oleh semikonduktor ialah ionisasi melalui tumbukan elektron-elektron pada cermin logam.
Kegunaan praktis > Sensor suhu penyejuk

Sensor suhu pada penyejuk udara umumnya bekerja menggunakan termistor yang memiliki nilai koefisien suhu negatif. Prinsip kerja dari sensor suhu pendingin berbeda dengan sensor suhu pemanas. Pada sensor suhu penyejuk udara, peningkatan suhu ruangan akan membuat nilai hambatan listrik berkurang.
Kegunaan praktis > Mesin mobil

Beberapa mesin mobil telah menggunakan prinsip kerja dan bahan semikonduktor untuk melakukan kerja secara mekanika. Pada mobil, bahan semikonduktor dimanfaatkan pada sistem kendali, sistem suspensi, kantung udara, dan rangkaian listrik pengaman. Sistem kerja mobil yang sepenuhnya memanfaatkan bahan konduktor ialah sistem manajemen mesin, sistem rem antiterkunci, sistem transmisi, sistem instrumentasi kelistrikan, modul kendali kelistrikan pada bodi mobil dan kantung udara dengan sistem pengaman tambahan.
Elektronika daya

Pada elektronika daya, peralatan semikonduktor utamanya berfungsi sebagai saklar elektronik. Proses pensaklaran menjadi salah satu proses yang utama pada rangkaian elektronika daya. Rangkaian elektronika daya mengadakan pensaklaran dengan kecepatan tinggi. Pengaturan kecepatan didasarkan kepada melalui rangkaian pembangkit pulsa sesuai dengan kebutuhan.   Pada rangkaian elektronika daya, peralatan semikonduktor juga berfungsi untuk mengubah jenis sumber energi. Jenis pengubahan yang paling umum dilakukan adalah pengubahan bentuk dari gelombang listrik. Tujuan pengubahannya adalah untuk penyesuaian antara kebutuhan sumber energi bagi peralatan listrik dengan sumber listrik yang tersedia. Jenis perubahan ini meliputi perubahan dari arus bolak-balik menjadi arus bolak-balik atau menjadi arus searah, maupun arus searah menjadi arus searah atau menjadi arus bolak-balik. Besaran listrik yang diubah bentuk gelombangnya dapat dpilih antara arus listrik ataupun pada tegangan listrik. Fungsi lain dari peralatan semikonduktor pada elektronika daya adalah pengendalian terhadap aplikasi elektronika industri sesuai dengan keinginan. Pengaturan dilakukan terhadap besaran listrik seperti arus listrik, tegangan listrik dan daya listrik. Tujuan pengaturan ini ialah memberikan pengaruh terhadap sistem kerja yang ada pada industri. Pemakaian yang umum di industri antara lain untuk pengaturan kecepatan putaran, pengaturan tekanan, pengaturan suhu, dan pengaturan kecepatan gerakan.
Bacaan lanjutan

Nelson, Jenny (2003). Physics of Solar Cells: Photons in, Electrons Out (Properties of Semiconductor Materials). Imperial College Press. ISBN 1-86094-349-7.
Tipler, Paul; Llewellyn, Ralph (2002). Modern Physics (4th ed). W. H. Freeman. ISBN 0-7167-4345-0. Pemeliharaan CS1: Banyak nama: authors list (link)
Turley, Jim (2002). The Essential Guide to Semiconductors. Prentice Hall PTR. ISBN 0-13-046404-X.
Lihat pula > Bidang terkait

Fisika benda padat
Elektronik
Kimia benda padat
Teknik listrik
Lihat pula > Sub-bidang

Fabrikasi alat semikonduktor
Alat semikonduktor
Transistor
Dioda
Mikroprosesor
Thermistor
Sel surya
Bahan semikonduktor
Aluminium arsenide
Aluminium gallium arsenide
Boron nitride
Cadmium sulfide
Cadmium selenide
Berlian
Gallium arsenide
Gallium nitride
Germanium
Indium phosphide
Silicon
Silicon carbide
Silicon germanium
Silicon on insulator
Zinc sulfide
Zinc selenide
Wide bandgap semiconductors
Spintronics
Organic semiconductors
Melanin
Lihat pula > Konsep

Conduction band
Effective mass
Electron hole
Exciton
Quantum tunneling
Valence band
Pranala luar

Howstuffwork's semiconductor page
Electrical Engineering Training Series Diarsipkan 2004-06-06 di Wayback Machine. A set of articles on Semiconductors and Transistors
Semiconductor Technology Information on the Semiconductor Industry.
NSM-Archive Physical Properties of Semiconductors (such as Si, GaAs and others), including band structure, mechanical, electrical, thermal and optical properies
Semiconductor Concepts at Hyperphysics, includes intrisic semiconductors, doping, junctures, band theorry, etc.
Principles of Semiconductor Devices Diarsipkan 2009-02-13 di Wayback Machine.
Semiconductor resource launch page Diarsipkan 2008-07-23 di Wayback Machine.
Semiconductor glossary
https://www.youtube.com/ Zoom Into a Microchip (Narrated)
Atom silikon diamati pada permukaan kristal silikon karbida (SIC) menggunakan Scanning Tunneling Microscope (STM)
Dioda PN yang menampilkan simbol listrik yang terkait dengannya. Segitiga sesuai dengan sisi p, sedangkan sisi lainnya adalah sisi n.
Pengisian status elektronik dalam berbagai jenis material pada kesetimbangan. Di sini, tinggi adalah energi sedangkan lebar adalah kerapatan status yang tersedia untuk energi tertentu dalam material yang tercantum. Bayangan mengikuti distribusi Fermi–Dirac (hitam: semua status terisi, putih: tidak ada status yang terisi). Dalam logam dan semilogam, level Fermi EF terletak di dalam setidaknya satu pita.
Representasi doping tipe N dan P.
Struktur dioda
Diagram sederhana dari pertemuan P-N.
Representasi skema persimpangan p-n.

Transistor BJT.
Operasi dasar transistor NPN.
Operasi Dasar NPN BJT (Aktif).
Skema transistor efek medan n-junction
Struktur sambungan MOSFET
transistor efek medan persimpangan, JFET
Mengubah penampang saluran aktif pada transistor JFET.
Bahan semikonduktor beberapa elemen kolom III, IV dan V dari tabel periodik, yang dicirikan oleh resistivitas listrik antara konduktor yang sangat rendah dan isolator yang sangat tinggi. Semikonduktor dapat terdiri dari satu atom kolom keempat (semikonduktor unsur: Si, Ge) atau dapat berupa kombinasi unsur-unsur kolom III dan V atau II dan VI (semikonduktor gabungan).
Distribusi Fermi-Dirac sebagai dasar struktur pita dalam semikonduktor


SEM image of a photoresist layer used in semiconductor manufacturing taken on a field electron emission SEM. These SEMs are important in the semiconductor industry for their high-resolution capabilities.
Sistem implantasi ion di fasilitas teknologi LAAS di Toulouse, Prancis.
Pengaturan implantasi ion dengan pemisah massa.
Deragem

| Deragem |
| --- | --- |
 
Pseudocoladenia dan
Common connotations
Rambut cokelat kuda
     Koordinat warna
Triplet hex: #E48400
sRGBB    (r, g, b): (228, 132, 0)
HSV       (h, s, v): (35°, 100%, 89%)
Sumber: Daftar Istilah Warna ColorHexa
B: Dinormalkan ke [0–255] (bita) 
Deragem adalah suatu corak warna jingga atau cokelat yang dapat ditemukan pada warna rambut kuda.
Rujukan

↑  "Daftar Istilah Warna - Repositori Institusi Kementerian Pendidikan dan Kebudayaan". Repositori Institusi Kementerian Pendidikan Kebudayaan, Riset dan Teknologi Republik Indonesia. Perpustakaan Kemendikbud. Diakses tanggal 17 Februari 2025.
↑  "Fulvous / #e48400 hex color". ColorHexa (dalam bahasa Inggris). Diakses tanggal 2021-10-09.
↑  Amilia, Fitri; Anggraeni, Astri Widyaruli (2019-07-18). Semantik: Konsep dan Contoh Analisis. Pustaka Abadi. ISBN 978-602-0899-57-2.
Shandy William

| Shandy William |
| --- | --- |
Lahir: Willem Federick Kaunang 21 Juli 1996 (umur 28) Banjarmasin,  Kalimantan Selatan, Indonesia
Nama lain: Shandy William
Pekerjaan: Pemeran model
Tahun aktif: 2017—sekarang

 
Shandy William (lahir 21 Juli 1996
) adalah pemeran, model, dan mantan atlet taekwondo berkebangsaan Indonesia.
Pendidikan

SMP Negeri 6 Banjarmasin
SMA Negeri 2 Banjarbaru
Universitas Esa Unggul, S-1 Teknik Informatika (lulus)
Filmografi > Film

| Tahun | Judul | Peran | Catatan |
| --- | --- | --- | --- |
| 2018 | Dear Nathan: Hello Salma | Pengurus OSIS SMA Garuda |  |
| 2019 | Kain Kafan Hitam | Roy |  |
| 2019 | Sabyan: Menjemput Mimpi | Dimas |  |
| 2019 | Senior | Kainan |  |
| 2020 | Di Bawah Umur | Bayu |  |
| 2021 | Cinta Tidak Selamanya |  |  |
| 2022 | Ivanna | Agus |  |
| 2025 | Tak Kenal Maka Taaruf  | Salahuddin |  |
| TBA | Ajari Aku Mengenal Duniamu  |  |  |
| TBA | Tumbal Arwarod  | Angga |  |
| --- | --- |
: Menandakan film yang belum dirilis untuk saat ini
TBA : To be announced
Filmografi > Serial televisi

| Tahun | Judul | Peran | Catatan |
| --- | --- | --- | --- |
| 2017 | Siapa Takut Jatuh Cinta | Fahri |  |
| 2018 | Rindu Bilang Sayang | Jo |  |
| 2018 | Dilema Cinta | Gilang |  |
| 2018 | Kisah Misteri |  | Episode: Kakak Penjemput Ajal |
| 2019 | Api & Cinta | Iqbal |  |
| 2021 | Catatan Harianku | Adit | Episode: Belenggu Ketidakmungkinan |
| 2022—2023 | Bintang Samudera | Taufik |  |
| 2024 | TKP: Para Wali | Hamka Ibnu Sina |  |
Filmografi > Serial web

| Tahun | Judul | Peran | Catatan |
| --- | --- | --- | --- |
| 2019 | Cinta Abadi | Egi |  |
| 2019—2020 | Isyarat | Randy |  |
| 2020 | Jadi Ngaji | Lukman Ibrahim |  |
| 2021 | Love is a Story | Sandi |  |
| 2021 | Mendadak Reuni | Raka |  |
| 2022 | Dating Queen | Nathan |  |
| 2022 | Menggapai Ikatan Cinta | Fahmi |  |
| 2023 | TLC: TV, Love, Cinema | Marco | Episode 2 |
| 2023 | TLC: TV, Love, Cinema | Nando | Episode 3 |
| 2023 | TLC: TV, Love, Cinema | Gembira | Episode 7 |
| 2023 | Believe | Kala |  |
| 2024 | Pet Shop Story | Eric |  |
| 2024 | Jalan Pulang | Nendra |  |
Filmografi > Video musik

| Tahun | Judul | Penyanyi | Catatan |
| --- | --- | --- | --- |
| 2018 | "Jangan Pergi" | Salshabilla Adriani |  |
Filmografi > Film televisi

Ratu Montir Sejagad (2017)
Setangkai Rambutan Cinta (2017)
Rockerwati Kepicut Babysitter Ganteng (2018)
Miss Lele Pematil Hati (2018)
Bidan Desa Penuh Cinta (2018)
Cerita Cinta Pacar Palsu (2018)
Babe Angel's 28 Cinta (2018)
Kalau Juleha Mendadak Tajir (2018)
Dari Ayam Jadi I Love You (2019)
Abang Pizza Extra Ganteng (2019)
Miss Duren Lupa Kulitnya (2019)
Milyader Kece Dengan Kearifan Lokal (2019)
Jikalau Kau Cinta, Nikahin Aku Dong (2019)
Bos Kecil Bikin Auto Baper (2019)
Amazing Pembokat Kece (2019)
Tour Guide Cinta Nyasar Dihati (2019)
Jiwa Baper Dangduter Meronta Ronta (2020)
Modus Ketar-Ketir Auto Naksir (2021)
Makin ke Sini, Makin ke Sana Nih Abang Ojol (2022)
Aura Duar Jadian yang Tertukar (2024)
Pranala luar

Shandy William di IMDb (dalam bahasa Inggris)
Shandy William di Instagram
Long Ikis, Long Ikis, Paser

Long Ikis adalah sebuah kelurahan di wilayah kecamatan Long Ikis, Kabupaten Paser, Provinsi Kalimantan Timur, Indonesia.
Geografis

Kelurahan Long Ikis memiliki luas wilayah sekitar 947,031 ha atau 9,47031 km2.[butuh rujukan]
| Batas | Berbatasan dengan |
| --- | --- |
Sebelah Barat: Desa Olung
Sebelah Selatan: Desa Atang Pait
Sebelah Barat: Desa Kayungo
Sebelah Timur: Desa Krayan Bahagia
Jarak Dari Kelurahan Long Ikis ke Ibu Kota Provinsi adalah sekitar 192 km. Sedangkan Jarak ke Ibu Kota Kabupaten sekitar 62 km dan jarak ke Ibu Kota Kecamatan sekitar 10 m.[butuh rujukan]
| Uraian | Luas |
| --- | --- |
Luas Pekarangan: 130 ha/m2
Luas Perkebunan: 805 ha/m2
Luas Persawahan: 10 ha/m2
Luas Kuburan: 0,25 ha/m2
Luas Taman: 0,25 ha/m2
Perkantoran: 0,50 ha/m2
Sarana lainnya: 1,03 ha/m2