stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
Fabrikasi semikonduktor
Sejarah transistor dan semikonduktor

Sejarah kelahiran semikonduktor dapat ditelusuri kembali ke penemuan penyearah (konverter AC-DC) pada tahun 1874. Beberapa dekade kemudian, Bardeen dan Brattain di Bell Laboratories di AS menemukan transistor titik-kontak pada tahun 1947, dan Shockley menemukan persimpangan. transistor pada tahun 1948. Hal ini menandai datangnya era transistor. Pada tahun 1946, Universitas Pennsylvania di AS membuat komputer menggunakan tabung vakum. Komputer itu sangat besar sehingga tabung vakumnya memenuhi seluruh gedung, dan mengkonsumsi listrik dalam jumlah besar serta menghasilkan banyak panas. Belakangan, kalkulator transistor (komputer) yang inovatif dikembangkan, dan sejak itu komputer telah berkembang pesat. Pada tahun 1956, Hadiah Nobel Fisika dianugerahkan bersama kepada Shockley, Bardeen dan Brattain atas kontribusi mereka terhadap penelitian semikonduktor dan pengembangan transistor.
Industri semikonduktor berkembang pesat setelah ditemukannya transistor. Pada tahun 1957, jumlahnya sudah melampaui skala 100 juta dolar. Pada tahun 1959, sirkuit terpadu bipolar (IC) ditemukan oleh Kilby dari Texas Instruments dan Noyce dari Fairchild Semiconductor di AS. Penemuan ini berdampak besar pada sejarah semikonduktor, dan menandai dimulainya era IC. Karena ukurannya yang kecil dan ringan, IC banyak digunakan di berbagai peralatan listrik.
Pada tahun 1967, Texas Instruments mengembangkan kalkulator desktop elektronik (kalkulator) menggunakan IC. Di Jepang, produsen peralatan elektronik merilis kalkulator satu demi satu, dan “perang kalkulator” yang sengit terus berlanjut hingga akhir tahun 1970-an. Integrasi IC semakin maju, dan sirkuit terpadu skala besar (LSI) dikembangkan. Teknologi terus maju. VLSI (dari 100 ribu hingga 10 juta komponen elektronik per chip) dikembangkan pada tahun 1980an, dan ULSI (lebih dari 10 juta komponen elektronik per chip) dikembangkan pada tahun 1990an. Pada tahun 2000-an, sistem LSI (LSI multifungsi dengan banyak fungsi terintegrasi dalam satu chip) dimasukkan ke dalam produksi skala penuh. Seiring kemajuan IC menuju kinerja tinggi dan berbagai fungsi, bidang penerapannya berkembang luas. Semikonduktor kini digunakan di setiap sudut masyarakat kita dan mendukung kehidupan sehari-hari.
Sejarah transistor dan semikonduktor > Sejarah MOSFET

Berdasarkan metode pasivasi permukaan silikon, Mohamed Atalla mengembangkan proses logam-oksida-semikonduktor (MOS) pada akhir 1950-an. Dia mengusulkan proses MOS dapat digunakan untuk membangun transistor efek medan silikon (FET) pertama yang berfungsi, yang mulai dia kerjakan dengan bantuan Dawon Kahng di Bell Labs.
Transistor efek medan logam-oksida-semikonduktor (MOSFET) ditemukan oleh Atalla dan Kahng di Bell Labs. Mereka membuat perangkat tersebut pada bulan November 1959, dan menyajikannya sebagai "perangkat permukaan yang diinduksi medan silikon-silikon dioksida" pada awal tahun 1960. Dengan skalabilitasnya yang tinggi,[59] dan konsumsi daya yang jauh lebih rendah serta kepadatan yang lebih tinggi dibandingkan transistor sambungan bipolar, MOSFET memungkinkan pembuatan sirkuit terpadu (IC) berdensitas tinggi, yang memungkinkan integrasi lebih dari 10.000 transistor dalam satu IC.
Transistor efek medan gerbang Schottky (MESFET) galium-arsenida pertama dibuat oleh Carver Mead dan dilaporkan pada tahun 1966. Laporan pertama MOSFET gerbang mengambang (FGMOS) dibuat oleh Dawon Kahng dan Simon Sze pada tahun 1967.
MOSFET telah menjadi perangkat yang paling banyak diproduksi dalam sejarah. Pada tahun 1959, MOSFET diperkenalkan dan pada tahun 2020 masih menjadi jenis transistor dominan yang digunakan, dengan perkiraan total 13 sextillion (1,3×1022) MOSFET yang diproduksi antara tahun 1960 dan 2018. Keuntungan utama transistor MOSFET dibandingkan BJT adalah bahwa mereka tidak mengonsumsi arus kecuali saat berpindah status dan memiliki kecepatan peralihan yang lebih cepat (ideal untuk sinyal digital).
Sejarah transistor dan semikonduktor > Sejarah MOSFET > PMOS dan NMOS

Awalnya ada dua jenis logika MOSFET, PMOS (MOS tipe-p) dan NMOS (MOS tipe-n). Kedua jenis ini dikembangkan oleh Atalla dan Kahng ketika mereka pertama kali menemukan MOSFET, membuat perangkat PMOS dan NMOS dengan proses 20 μm.
Sejarah transistor dan semikonduktor > Sejarah MOSFET > CMOS

Logika MOSFET jenis baru, CMOS (MOS komplementer), ditemukan oleh Chih-Tang Sah dan Frank Wanlass di Fairchild Semiconductor, dan pada bulan Februari 1963 mereka mempublikasikan penemuan tersebut dalam makalah penelitian.
Sejarah transistor dan semikonduktor > Sejarah MOSFET > Self-aligned gate

Transistor MOSFET gerbang penyelarasan diri (gerbang silikon) ditemukan oleh Robert Kerwin, Donald Klein dan John Sarace di Bell Labs pada tahun 1967. Peneliti Semikonduktor Fairchild Federico Faggin dan Tom Klein kemudian menggunakan MOSFET gerbang penyelarasan diri untuk mengembangkan silikon pertama. sirkuit terpadu gerbang MOS.
Alat semikonduktor

Alat semikonduktor atau semiconductor devices, adalah sejumlah komponen elektronik yang menggunakan sifat-sifat materi semikonduktor, yaitu silikon, germanium, dan gallium arsenida. Alat-alat semikonduktor zaman sekarang telah menggantikan alat thermionik (seperti tabung hampa). Alat-alat semikonduktor ini menggunakan konduksi elektronik dalam bentuk padat (solid state), bukannya bentuk hampa (vacuum state) atau bentuk gas (gaseous state). Alat-alat semikonduktor dapat ditemukan dalam bentuk-bentuk dicrete (potongan) seperti transistor, diode, dll, atau dapat juga ditemukan sebagai bentuk terintegrasi dalam jumlah yang sangat besar (jutaan) dalam satu keping silikon yang dinamakan sirkuit terpadu (IC).
Jenis transistor dan semikonduktor > Jenis Semikonduktor

Semikonduktor secara luas dapat diklasifikasikan menjadi dua kategori utama:
Semikonduktor intrinsik
Semikonduktor ekstrinsik.
Semikonduktor intrinsik adalah bahan murni yang memiliki jumlah pembawa muatan mayoritas dan minoritas yang seimbang, sehingga menghasilkan konduktivitas listrik yang relatif rendah. Di sisi lain, semikonduktor ekstrinsik dibuat dengan memasukkan pengotor, atau dopan, ke dalam bahan intrinsik, yang secara signifikan mengubah sifat listriknya.
Doping adalah proses menambahkan pengotor ke bahan semikonduktor untuk membuat semikonduktor tipe-n atau tipe-p. Semikonduktor tipe-N dibuat dengan memasukkan pengotor donor yang memberikan elektron bebas tambahan, sehingga meningkatkan konduktivitas material. Sebaliknya, semikonduktor tipe-p dibentuk dengan menambahkan pengotor akseptor yang menciptakan lubang tambahan, membuat material lebih konduktif terhadap muatan positif.
Semikonduktor tipe-n dan tipe-p memiliki sifat dan aplikasi yang unik, dan masing-masing memainkan peran penting dalam pembentukan perangkat elektronik. Misalnya, kombinasi material tipe-n dan tipe-p dapat digunakan untuk membuat dioda, transistor, thyristor, amplifier, dan komponen dasar elektronik modern lainnya.
Proses fabrikasi semikonduktor adalah serangkaian langkah kompleks dan rumit yang mengubah bahan mentah menjadi sirkuit terpadu yang sangat canggih. Proses ini melibatkan banyak tahapan penting, termasuk persiapan wafer, fotolitografi, etsa, doping, metalisasi, pasivasi, pengemasan, dan pengujian. Dengan kemajuan berkelanjutan dalam material, teknik, dan peralatan, industri semikonduktor terus mendorong batas-batas inovasi dan skala, memungkinkan pengembangan perangkat elektronik yang lebih kecil, lebih bertenaga, dan lebih efisien.
Bahan Semikonduktor

Meskipun berbagai macam material dapat menunjukkan sifat semikonduktor, beberapa material lebih umum digunakan dalam pembuatan perangkat elektronik karena karakteristik spesifiknya. Dua bahan semikonduktor yang paling umum adalah silikon dan galium arsenida.
Silikon adalah bahan semikonduktor yang paling banyak digunakan, terutama karena kelimpahannya, biayanya rendah, dan sifatnya yang relatif stabil pada suhu tinggi. Konduktivitas listrik Silikon sekitar 1000 S/m. Selain itu, silikon memiliki infrastruktur fabrikasi yang mapan, menjadikannya pilihan yang menarik bagi produsen. Namun silikon memiliki beberapa kelemahan, seperti mobilitas elektron yang lebih rendah dibandingkan bahan lain, sehingga dapat membatasi kinerja perangkat berkecepatan tinggi.
Gallium arsenida adalah bahan semikonduktor populer lainnya, yang dihargai karena mobilitas elektronnya yang lebih tinggi dan celah pita langsung. Sifat-sifat ini membuatnya cocok untuk aplikasi optoelektronik, seperti laser dan sel surya. Namun, galium arsenida lebih mahal dan jumlahnya lebih sedikit dibandingkan silikon, sehingga membatasi penerapannya secara luas. Kelemahan lain galium arsenida adalah secara intrinsik bersifat semi-isolator dan bukan semikonduktor dengan konduktivitas listrik 0,000001 S/m.
Selain silikon dan galium arsenida, para peneliti terus mengeksplorasi material baru dengan sifat semikonduktor yang menjanjikan. Bahan-bahan tersebut termasuk aluminium nitrida, karbon nanotube, dan banyak bahan lainnya yang berpotensi merevolusi industri. Seiring dengan berkembangnya pemahaman kita tentang material baru ini, kemungkinan besar material tersebut akan memainkan peran yang semakin penting di masa depan fabrikasi semikonduktor.
Bahan Semikonduktor > Bahan listrik isolator, konduktor, dan semikonduktor

Bahan berdasarkan konduktivitas listriknya dibedakan menjadi isolator, konduktor, dan semikonduktor. Konduktivitas adalah sifat yang memungkinkan suatu bahan untuk menghantarkan listrik.
Dilansir dari Encyclopaedia Britannica, isolator adalah bahan yang menghalangi arus listrik sehingga tidak bisa menghantarkan listrik. Terlihat pada gambar bahwa bahan isolator memiliki bandgap atau jurang pembatas dimana elektron tidak cukup kuat untuk melompatinya sehingga aliran listrik terhenti. Yang termasuk bahan isolator adalah bahan dengan konduktivitas sangat rendah seperti kertas, plasti, batu-bata, karet, mika, dan udara. Pernahkah kamu tersengat listrik karena kabel yang terkelupas? Bagian yang terkelupas tersebut adalah isolator yang terbuat dari karet. Isolator menjaga agar listrik tidak bocor keluar sehingga tidak membahayakan makhluk hidup. Selain itu isolator juga berfungsi mengisolasi komponen elektronik sehingga tidak ada arus yang bercampur dan alat elektronik dapat bekerja dengan baik.
Konduktor adalah bahan yang dapat menghantarkan arus listrik kaena memiliki konduktivitas tinggi. Konduktor memiliki konduktivitas tinggi karena memiliki pita energi yang tidak terputus atau kontinu. Terlihat pada gambar, pita energi konduktor tidak terpisah sehingga elektron akan terus lewat tanpa hambatan dan arus listrik terus mengalir. Dilansir dari ThoughtCo, bahan yang termasuk konduktor lemah dalah perak, emas, tembaga, alumunium, air raksa, baja, besi, larutan elektrolit seperti air laut, dan air raksa. Adapun yang termasuk konduktor kuat adalah platinum, kuningan, perunggu, grafik, dan larutan elektrolit kuat seperti air lemon. Arus listrik dari pembangkit listrik mengalir melalui kabel dengan konduktor didalamnya sehingga bisa sampai ke rumahmu.
Semikonduktor adalah bahan yang dapat menghantarkan listrik dalam kondisi tertentu. Dilansir dari Lumen Learning, semikonduktor terdiri dari dua jenis yaitu intrinsik dan ekstrinsik. Semikonduktor intrinsik hanya terdiri dari satu bahan seperti silikon, selenium, atau germanium. Pada semikonduktor intrinsik dapat menghantarkan listrik saat diberikan panas. Panas memberikan tambahan energi pada elektron untuk meloncati jurang bandgap semikonduktor yang tidak terlalu jauh. Sedangkan semikonduktor ektrinsik terdiri dari dua bahan, yaitu tipe p atau positif dan tipe n atau negatif yang tergabung. Semikonduktor tipe n memiliki kelebihan satu elektron valesnsi sehingga mampu melepaskan elektron. Adapun semikonduktor tipe p adalah pembawa muatan bebas atau dapat dibilang memiliki lubang. Saat diberikan arus listrik, elektron dari tipe n akan mengisi lubang-lubang pada tipe p membuat arus dapat mengalir melewati band gap atau jurang kecil semikonduktor.
Proses Fabrikasi Semikonduktor

Proses fabrikasi semikonduktor adalah serangkaian langkah kompleks dan sangat terspesialisasi yang mengubah bahan mentah menjadi komponen elektronik fungsional. Proses ini melibatkan banyak teknik dan teknologi, dan setiap tahapan memerlukan kontrol yang tepat dan perhatian terhadap detail. berbagai tahapan yang terlibat dalam fabrikasi semikonduktor, mulai dari pertumbuhan kristal semikonduktor hingga pengemasan akhir perangkat.
Pertumbuhan Kristal dan Persiapan Wafer

Proses fabrikasi diawali dengan pertumbuhan kristal semikonduktor berkualitas tinggi yang berfungsi sebagai bahan dasar produksi perangkat elektronik. Dalam kasus silikon, metode pertumbuhan kristal yang paling umum adalah proses Czochralski. Proses lain yang banyak digunakan termasuk metode Kyropoulos, teknik Zona Terapung, metode Verneuil, teknik Bridgman, dll. Proses Czochralski melibatkan peleburan silikon dengan kemurnian tinggi di bawah atmosfer terkendali dan kemudian mendinginkannya hingga nol derajat Celcius. Kemudian kristal tunggal diekstraksi dari lelehan dan diiris menjadi wafer film tipis. Selain itu, wafer dipoles dan dibersihkan dengan hati-hati untuk menghasilkan permukaan murni untuk langkah pemrosesan selanjutnya. Salah satu keuntungan menggunakan proses Czochralski adalah menghasilkan pertumbuhan kristal yang baik.
Wafer

Lihat pula: Wafer (elektronik), Fabrikasi wafer (elektronik), Boule (kristal silikon), dan Proses Czochralski
Sebuah wafer pada umumnya terbuat dari silikon yang sangat murni yang dikembangkan menjadi ingot silinder mono-crystalline yang memiliki diameter sampai 300 mm menggunakan proses Czochralski. Ingot-ingot ini kemudian dipotong menjadi wafer dengan ketebalan 0,75mm dan disemir untuk mendapatkan permukaan yang rata dan teratur.
Wafer > Proses Produksi Wafer Silikon

Semikonduktor atau silikon kelas surya terbuat dari silika sebagai bahan baku melalui langkah multi-produksi. Silika merupakan material yang paling melimpah di kerak bumi.
Silikon logam unsur dibuat dengan metode reduksi karbotermik dalam tungku listrik. Kemurniannya sekitar 99% yang masih terlalu rendah untuk digunakan sebagai silikon kelas semikonduktor.
(Si02 + 2CSi +2CO)
Unsur silikon kembali dibentuk dengan metode Siemens. Batang ini terbuat dari polikristal, tetapi kemurniannya mencapai 99,999999999% yang disebut “sebelas-sembilan”. Kemurnian “sembilan-sembilan dapat diterima untuk polisilikon tingkat surya.
(HiSCl3+H2Si + 3HCl)
Proses imi menghasilkan Electronic-grade rod dan Solar Grade rod
Ingot kristal tunggal bebas dislokasi dengan orientasi pasti ditumbuhkan dari lelehan polisilikon oleh Czochralski (CZ), CZ yang dimodifikasi, atau proses pengecoran multikristalin. Dalam semua proses, sejumlah kecil zat (B, P, So, As) didoping untuk mengatur jenis resistivitas dan konduktivitas.
Ingot silikon kristal tunggal diiris menjadi wafer menggunakan gergaji berlian.
Wafer dipoles berulang kali untuk mendapatkan hasil akhir seperti cermin menggunakan proses mechano-kimia
Kerataan, partikel, goresan, kontaminasi dan deformasi wafer lainnya menjadi perhatian utama dalam proses wafer. Kemurnian bahan kimia, air dan kebersihan proses merupakan faktor kunci dalam produksi.
Sel surya Perangkat yang mengubah foton dari matahari (cahaya matahari) menjadi listrik. Perangkat Semikonduktor IC, LSI, VLSI, dan perangkat diskrit adalah dasar dari perangkat elektronik canggih saat ini dan masa depan.
Setelah wafer dipersiapkan, banyak proses dibutuhkan untuk memproduksi semikonduktor sirkuit terintegrasi yang diinginkan. Pada umumnya, langkah-langkah tersebut dibagi menjadi empat bidang:
Pemrosesan depan
Pemrosesan belakang
Tes
Pengepakan
Silikon Grade Semikonduktor > Metallurgical-grade silicon (MGS)

Bahan sumber khas untuk produksi komersial unsur silikon adalah kerikil kuarsit; bentuk pasir yang relatif murni (SiO 2). Contohnya, langkah pertama dalam sintesis silikon adalah peleburan dan reduksi silika dalam tungku busur elektroda terendam,submerged-electrode arc furnace. Campuran kerikil kuarsit dan karbon dipanaskan hingga suhu tinggi (sekitar 1800 °C) di dalam tungku. Lapisan karbon terdiri dari campuran batu bara, kokas, dan serpihan kayu. Yang terakhir ini memberikan porositas yang diperlukan sehingga gas yang tercipta selama reaksi (SiO dan CO) dapat mengalir melalui lapisan. Campuran kerikil kuarsit dan karbon dipanaskan hingga suhu tinggi (sekitar 1800 °C) di dalam tungku. Lapisan karbon terdiri dari campuran batu bara, kokas, dan serpihan kayu. Yang terakhir ini memberikan porositas yang diperlukan sehingga gas yang tercipta selama reaksi (SiO dan CO) dapat mengalir melalui lapisan.
Reaksi awal antara lelehan SiO 2 dan C, terjadi pada busur antara elektroda yang berdekatan, dimana suhu lokal dapat melebihi 2000 °C. SiO dan CO kemudian menghasilkan aliran ke zona yang lebih dingin di tungku tempat SiC terbentuk, atau lebih tinggi di lapisan tempat mereka membentuk kembali SiO 2 dan C, SiC bereaksi dengan lelehan SiO 2, menghasilkan silikon yang diinginkan bersama dengan SiO dan CO. Silikon cair yang terbentuk dikeluarkan dari tungku dan dipadatkan.
MGS yang diproduksi sekitar 98-99% murni, dengan pengotor utama adalah aluminium dan besi, namun, memperoleh tingkat pengotor boron yang rendah sangatlah penting, karena merupakan hal yang penting. sulit untuk dihilangkan dan berfungsi sebagai dopan untuk silikon. Kelemahan dari proses di atas adalah memerlukan banyak energi dan bahan mentah. Diperkirakan produksi satu metrik ton (1.000 kg) MGS memerlukan 2500 - 2700 kg kuarsit, 600 kg arang, 600 - 700 kg batu bara atau kokas, 300 - 500 kg serpihan kayu, dan tenaga listrik 500.000 kWh. Saat ini, sekitar 500.000 metrik ton MGS diproduksi per tahun di seluruh dunia. Sebagian besar produksinya (sekitar 70%) digunakan untuk aplikasi metalurgi (misalnya, paduan aluminium-silikon biasanya digunakan untuk blok mesin otomotif) yang merupakan asal mula namanya. Aplikasi dalam berbagai produk kimia seperti resin silikon menyumbang sekitar 30%, dan hanya 1% atau kurang dari total produksi MGS yang digunakan dalam pembuatan EGS dengan kemurnian tinggi untuk industri elektronik. Konsumsi EGS di seluruh dunia saat ini adalah sekitar 5 x 10 6 kg per tahun.
| 0 | 1 | 2 | 3 |
| --- | --- | --- | --- |
| Element | Concentration (ppm) | Element | Concentration (ppm) |
| aluminum | 1000-4350 | manganese | 50-120 |
| boron | 40-60 | molybdenum | < 20 |
| calcium | 245-500 | nickel | 10-105 |
| chromium | 50-200 | phosphorus | 20-50 |
| copper | 15-45 | titanium | 140-300 |
| iron | 1550-6500 | vanadium | 50-250 |
| magnesium | 10-50 | zirconium | 20 |
Silikon Grade Semikonduktor > Spesifikasi Silikon Kelas Elektronik

Electronic Grade Silicon (EGS), juga dikenal sebagai Silicon kelas semikonduktor, adalah bentuk Silikon ultra murni yang digunakan dalam industri elektronik dan semikonduktor untuk membuat sirkuit terpadu, sel surya, dan perangkat teknologi tinggi lainnya. Tingkat kemurnian yang tinggi ini sangat penting karena sedikit saja pengotor dapat mempengaruhi kinerja dan efisiensi perangkat elektronik secara signifikan.
Berikut adalah spesifikasi utama dari Electronic Grade Silicon:
Kemurnian: Spesifikasi EGS yang paling penting adalah kemurniannya. Silikon Kelas Elektronik memerlukan tingkat kemurnian ingot silikon kelas semikonduktor dengan kemurnian tinggi99,9999% (6N) atau lebih tinggi, dengan beberapa aplikasi memerlukan kemurnian hingga 99,9999999% (9N). Semakin tinggi kemurniannya, semakin sedikit kotoran dan cacat, sehingga kinerja perangkat menjadi lebih baik.
Konsentrasi dopan: Konsentrasi dopan yang disengaja seperti boron, fosfor, arsenik, atau antimon dikontrol dengan ketat untuk memastikan sifat listrik yang tepat. Tingkat doping yang diinginkan bervariasi tergantung pada aplikasi spesifik.
Jejak pengotor: Konsentrasi pengotor yang tidak disengaja, seperti logam (misalnya aluminium, tembaga, besi), dan unsur lainnya (misalnya karbon, oksigen) harus dijaga pada tingkat yang sangat rendah. Pengotor ini dapat menimbulkan cacat dan mempengaruhi sifat kelistrikan Silikon, sehingga menyebabkan penurunan kinerja perangkat.
Struktur kristal: Silikon Kelas Elektronik biasanya diproduksi sebagai ingot monokristalin atau polikristalin. Silikon Monokristalin lebih disukai untuk aplikasi berkinerja tinggi, karena memiliki struktur kristal yang lebih seragam dan cacat yang lebih sedikit, sehingga menghasilkan sifat listrik yang lebih baik. Silikon Polikristalin, meskipun kurang seragam, lebih hemat biaya dan cocok untuk aplikasi berkinerja rendah seperti sel surya.
Resistivitas: Resistivitas Silikon merupakan parameter penting dalam perangkat elektronik, karena menentukan konduktivitas listrik suatu material. Resistivitas EGS dikendalikan oleh konsentrasi dopan dan kemurnian Silikon. Aplikasi yang berbeda memerlukan nilai resistivitas tertentu, jadi memastikan bahwa EGS memenuhi persyaratan ini sangatlah penting.
Permukaan akhir dan dimensi : Ingot silikon sering diiris menjadi wafer tipis untuk diproses lebih lanjut. Permukaan akhir wafer ini harus halus dan bebas cacat, karena ketidaksempurnaan apa pun dapat menyebabkan masalah selama pembuatan perangkat elektronik. Selain itu, wafer harus memiliki ketebalan yang seragam dan memiliki dimensi yang jelas untuk memastikan kinerja perangkat yang tepat.
Silikon Kelas Elektronik dicirikan oleh kemurniannya yang tinggi, konsentrasi dopan yang terkontrol, tingkat pengotor jejak yang rendah, struktur kristal yang terdefinisi dengan baik, resistivitas spesifik, serta permukaan dan dimensi permukaan yang presisi. Spesifikasi ini memastikan bahwa Silicon cocok untuk pembuatan perangkat elektronik dan semikonduktor berkinerja tinggi.
Lihat pula

Fabrikasi wafer
Wafer elektronik
Semikonduktor
Industri semikonduktor
Polikristalin
Silikon monokristalin
Proses Czochralski
Boule kristal silikon
Doping semikonduktor
Pengemasan sirkuit terpadu
Pabrik Fabless
Fotolitografi
Litografi ultraviolet ekstrim
Litografi rendam
ASML Holding pemasok sistem fotolitografi terbesar, terutama untuk industri semikonduktor.
SEMI — The semiconductor industry trade association
Electronic design automation
Fab
Foundry
GDS-II
OASIS
Kepolisian Daerah Istimewa Yogyakarta

| Kepolisian Daerah Istimewa Yogyakarta |
| --- | --- |

Singkatan: Polda DIY
Motto: Manggala Naya Wiwarottama
Yurisdiksi hukum: Provinsi Daerah Istimewa Yogyakarta
Markas besar: Jln. Padjadjaran (Ring Road Utara), Condongcatur, Depok, Sleman
 
Pejabat eksekutif:  Irjen Pol. Suwondo Nainggolan, S.IK., M.H., Kepala   Brigjen Pol. Adi Vivid Agustiadi Bachtiar, S.IK., M.Hum., M.SM., Wakil Kepala
Situs web
jogja.polri.go.id
Kepolisian Daerah Istimewa Yogyakarta atau Polda Daerah Istimewa Yogyakarta, disingkat Polda DIY (bahasa Jawa: ꦏꦼꦥꦺꦴꦭꦶꦱꦶꦪꦤ꧀ꦝꦲꦺꦫꦃꦆꦱ꧀ꦠꦶꦩꦺꦮꦔꦪꦺꦴꦒꦾꦏꦂꦠ, translit. Kepolisian Dhaérah Istiméwa Ngayogyakarta) adalah pelaksana tugas Kepolisian RI di wilayah Daerah Istimewa Yogyakarta. Polda DIY karena tergolong polda tipe A, dipimpin oleh seorang kepala kepolisian daerah yang berpangkat bintang dua atau (Inspektur Jenderal Polisi).
Wilayah hukum Polda DIY meliputi satu kota dan empat kabupaten, dengan rincian, dua kepolisian resor kota yaitu Polresta Yogyakarta dan Polresta Sleman beserta tiga Kepolisian resor yakni Polres Bantul, Polres Gunungkidul, dan Polres Kulon Progo.