stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
Transistor sambungan dwikutub
Struktur > Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis

Transistor dwikutub pertemuan-taksejenis (HBT) adalah sebuah penyempurnaan BJT sehingga dapat menangani isyarat frekuensi sangat tinggi hingga beberapa ratus GHz. Sekarang sering digunakan dalam sirkuit ultracepat, terutama sistem RF.
Transistor pertemuan-taksejenis mempunyai semikonduktor yang berbeda untuk tiap unsur dalam transistor. Biasanya emitor dibuat dari bahan yang memiliki celah-jalur lebih besar dari basis. Ilustrasi menunjukkan perbedaan celah-jalur memungkinkan penghalang lubang untuk menginjeksikan lubang kembali ke basis (diperlihatkan sebagai Δφp), dan penghalang elektron untuk menginjeksikan ke basis (Δφn). Susunan penghalang ini membantu mengurangi injeksi pembawa minoritas dari basis ketika pertemuan emitor-basis dipanjar terbalik, dan dengan demikian mengupansi arus basis dan menaikkan efisiensi injeksi emitor.
Injeksi pembawa menuju ke basis yang telah diperbaiki memungkinkan basis untuk dikotori lebih berat, menghasilkan resistansi yang lebih rendah untuk mengakses elektrode basis. Dalam BJT tradisional, atau BJT pertemuan-sejenis, efisiensi injeksi pembawa dari emitor ke basis terutama dipengaruhi oleh perbandingan pengotoran di antaran emitor dan basis, yang berarti basis harus dikotori ringan untuk mendapatkan efisiensi injeksi yang tinggi, membuat resistansioya relatif tinggi. Sebagai tambahan, pengotoran basis yang lebih tinggi juga memperbaiki karakteristik seperti tegangan mula dengan membuat basis lebih sempit.
Pembedaan tingkat komposisi dalam basis, misalnya dengan menaikkan jumlah germanium secara progresif pada transistor SiGe, menyebabkan gradien dalam celah-jalur di basis netral (ditunjukkan sebagai ΔφG), memberikan medan terpatri di dalam yang membantu pengangkutan elektron melewati basis. Komponen alir tersebut membantu pengangkutan sebaran normal, menaikkan respons frekuensi transistor dengan memperpendek waktu pemindahan melewati basis.
Dua HBT yang paling sering digunakan adalah silikon-germanium dan aluminium arsenid, tetapi jenis semikonduktor lain juga bisa digunakan untuk struktur HBT. Struktur HBT biasanya dibuat dengan teknik epitaksi, seperti epitaksi fase uap logam-organik dan epitaksi sinar molekuler.
Daerah operasi

Transistor dwikutub mempunyai lima daerah operasi yang berbeda, terutama dibedakan oleh panjar yang diberikan:
Aktif-maju (atau aktif saja): pertemuan emitor-basis dipanja maju dan pertemuan basis-kolektor dipanjar mundur. Hampir semua transistor didesain untuk mencapai penguatan arus tunggal emitor yang terbesar ( \beta _{F}) dalam moda aktif-maju. in forward-active mode. Dalam keadaan ini arus kolektor-emitor beberapa kali lipat lebih besar dari arus basis.
Aktif-mundur (atau aktif-terbalik atau terbalik): dengan membalik pemanjaran pada moda aktif-maju, transistor dwikutub memasuki moda aktif-mundur. Pada moda ini, daerah emitor dan kolektor bertukar fungsi. Karena hampir semua BJT didesain untuk penguatan arus moda aktif-maju yang maksimal,  \beta _{F} pada moda terbalik beberapa kaki lipat lebih rendah. Moda transistor ini jarang digunakan, dan hanya diperhitungkan untuk kondisi kegagalan dan untuk beberapa jenis logika dwikutub. Tegangan tembus panjar terbalik pada basis mungkin lebih rendah pada moda ini.
Jenuh: dengan semua pertemuan dipanjar maju, BJT memasuki moda jenuh dan memberikan konduksi arus yang besar dari emitor km kolektor. Moda ini berkorespondensi dengan logika hidup, atau sakelar yang tertutup.
Putus: pada keadaan putus, pemanjaran bertolak belakang dengan keadaan jenuh (semua pertemuan dipanjar terbalik). Arus yang mengalir sangat kecil, dengan demikian berkorespondensi dengan logika mati, atau sakelar yang terbuka.
Tembusan bandang
Walaupun daerah-daerah tersebut didefinisikan dengan baik untuk tegangan yang cukup besar, mereka bertumpang tindih jika tegangan panjar yang dikenakan terlalu kecil (kurang dari beberapa ratus milivolt).
Daerah operasi > Transistor NPN dalam moda aktif-maju

Diagram disamping menunjukkan transistor NPN disambungkan ke dua sumber tegangan. Untuk membuat transistor menghantar arus yang kentara dari C ke E,  V_{\text{BE}} harus diatas harga minimum yang sering disebut sebagai tegangan potong. Tegangan potong biasanya kira-kira 600 mV untuk BJT silikon pada suhu ruang, tetapi ini juga bisa berbeda-beda bergantung pada tipe transistor dan teknik pemanjaran.
Tegangan yang dikenakan ini membuat pertemuan P-N bagian bawah berubah menjadi hidup dan memungkinkan aliran elektron dari emitor ke basis. Pada moda aktif, medan listrik yang terdapat di antara basis dan kolektor (disebabkan oleh  V_{\text{CE}}) akan menyebabkan mayoritas elektron untuk melintasi pertemuan P-N bagian atas menuju ke kolektor untuk membentuk arus kolektor  I_{\text{C}}. Elektron yang tertinggal bergabung kembali dengan lubang yang merupakan pembawa mayoritas pada basis sehingga menimbulkan arus melalui sambungan basis untuk membentuk arus basis,  I_{\text{B}}. Seperti yang diperlihatkan pada diagram, arus emitor  I_{\text{E}}, adalah arus transistor total, yang merupakan penjumlahan arus saluran lainnya  (I_{\text{E}}=I_{\text{B}}+I_{\text{C}}).
Pada diagram, tanda panah menunjukkan arah dari arus konvensional, aliran elektron mengalir berlawanan dengan tanda panah. Pada moda aktif, perbandingan dari arus kolektor-ke-basis dengan arus basis disebut dengan penguatan arus DC. Pada perhitungan, harga dari penguatan arus DC disebut dengan  h_{\text{FE}}, dan harga penguatan arus AC disebut dengan  h_{\text{fe}}. Walaupun begitu, ketika cakupan frekuensi tidak diperhitungkan, simbol  \beta  sering digunakan.
Perlu diperhatikan bahwa arus emitor berhubungan dengan  V_{\text{BE}} secara eksponensial. Pada suhu ruang, peningkatan  V_{\text{BE}} sebesar kurang-lebih 60 mV meningkatkan arus emitor dengan faktor 10 kali lipat. Kerena arus basis kurang lebih sebanding dengan arus kolektor dan emitor, ini juga berubah dengan fungsi yang sama.
Untuk transistor PNP, secara umum cara kerjanya adalah sama, kecuali polaritas tegangan panjar yang dibalik dan fakta bahwa pembawa muatan mayoritas adalah lubang elektron.
Daerah operasi > Transistor PNP dalam moda aktif-maju

Diagram menunjukkan representasi skematik dari transistor PNP terhubung ke dua sumber tegangan. Untuk membuat transistor perilaku yang cukup saat ini (di urutan 1 mA) dari E ke C, VEB harus di atas nilai minimal kadang-kadang disebut sebagai cut-in tegangan. Cut-tegangan biasanya sekitar 650 mV untuk BJTs silikon pada suhu kamar tetapi dapat berbeda tergantung pada jenis transistor dan biasing nya. Tegangan yang diberikan ini menyebabkan PN junction atas untuk 'turn-on' yang memungkinkan aliran lubang dari emitor ke basis. Dalam modus aktif, medan listrik yang ada antara emitor dan kolektor (disebabkan oleh VCE menyebabkan sebagian besar lubang ini untuk menyeberangi rendah pn ke kolektor untuk membentuk arus kolektor IC). Sisa dari lubang bergabung kembali dengan elektron, operator mayoritas di dasar, membuat arus melalui sambungan basis untuk membentuk arus basis, IB. Seperti yang ditunjukkan dalam diagram, arus emitor,IE, adalah total transistor saat ini, yang merupakan jumlah arus terminal lainnya (yaitu, IE = IB + IC).
Dalam diagram, panah mewakili titik saat ini dalam arah arus konvensional - aliran lubang adalah dalam arah yang sama dari panah karena lubang membawa muatan listrik positif. Dalam modus aktif, rasio arus kolektor dengan arus basis disebut gain arus DC. Gain ini biasanya 100 atau lebih, tetapi desain sirkuit yang kuat tidak bergantung pada nilai yang tepat. Nilai gain ini untuk sinyal DC disebut sebagai HFE, dan nilai gain ini untuk sinyal AC disebut sebagai HFE. Namun, ketika tidak ada rentang frekuensi tertentu yang menarik, simbol beta digunakan.
Hal ini juga harus dicatat bahwa arus emitor berhubungan dengan VEB secara eksponensial. Pada suhu kamar, peningkatan VEB oleh sekitar 60 mV meningkatkan arus emitor dengan faktor 10. Karena arus basis adalah sekitar sebanding dengan kolektor dan emitor arus, mereka berbeda dalam cara yang sama.
Sejarah

Transistor dwikutub titik-sentuh diciptakan pada Desember 1947 di Bell Telephone Laboratories oleh John Bardeen dan Walter Brattain dibawah arahan William Shockley. Versi pertemuan diciptakan pada tahun 1948. Setelah menjadi peranti pilihan untuk berbagai rangkaian, sekarang penggunaannya telah banyak digantikan oleh FET, baik pada sirkuit digital (oleh CMOS) ataupun sirkuit analog (oleh MOSFET dan JFET).
Sejarah > Transistor germanium

Transistor germanium sering digunakan pada tahun 1950-an dan 1960-an. Karena transistor jenis ini mempunyai tegangan potong yang rendah, membuatnya cocok untuk beberapa penggunaan isyarat tegangan rendah. Transistor ini memiliki kemungkinan lebih besar untuk mengalami thermal runaway.
Sejarah > Teknik produksi

Berbagai motoda untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub telah dikembangkan.
Transistor pertemuan tumbuh, teknik pertama untuk memproduksi transistor pertemuan dwikutub. Diciptakan oleh William Shockley di Bell Labs pada 23 Juni 1948. Hak paten didapatkan pada 26 Juni 1948.
Transistor pertemuan, butiran paduan emitor dan kolektor dilelehkan ke basis. Dikembangkan oleh General Electric dan RCA in 1951.
Transistor paduan mikro, tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Dikembangkan oleh Philco.
Transistor paduan mikro terdifusi, tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Dikembangkan oleh Philco.
Transistor paduan terdifusi tonggak, tipe kecepatan tinggi dari transistor pertemuan paduan. Dikembangkan oleh Philips.
Transistor tetroda, varian kecepatan tinggi dari transistor pertemuan tumbuh atau transistor pertemuan paduan dengan dua sambungan ke basis.
Transistor penghalang permukaan, transistor penghalang logam kecepatan tinggi. Dikembangkan oleh Philco in 1953.
Transistor medan-alir, transistor pertemuan dwikutub kecepatan tinggi. Diciptakan oleh Herbert Kroemer di Central Bureau of Telecommunications Technology of the German Postal Service pada tahun 1953.
Transistor difusi, transistor pertemuan dwikutub tipe modern. Prototip dikembangkan di Bell Labs pada tahun 1954.
Transistor basis terdifusi, implementasi pertama dari transistor difusi.
Transistor Mesa, dikembangkan oleh Texas Instruments pada tahun 1957.
Transistor planar, teknik produksi yang memungkinkan produksi sirkuit terpadu monolitik secara massal. Dikembangkan oleh Dr. Jean Hoerni di Fairchild Semiconductor pada tahun 1959.
Transistor epitaksial, transistor pertemuan dwikutub yang dibuat menggunakan deposisi fase uap epitaksi. Memungkinkan pengendalian tingkat pengotoran dan gradien secara teliti.
Penggunaan

BJT tetap menjadi peranti pilihan untuk beberapa penggunaan, seperti sirkuit diskrit, karena tersedia banyak jenis BJT, transkonduktansinya yang tinggi serta resistansi kekuasannya yang tinggi dibandingkan dengan MOSFET. BJT juga dipilih untuk sirkuit analog khusus, terutama penggunaan frekuensi sangat tinggi (VHF), seperti sirkuit frekuensi radio untuk sistem nirkabel. Transistor dwikutub dapat dikombinasikan dengan MOSFET dalam sebuah sirkuit terpadu dengan menggunakan proses BiCMOS untuk membuat sirkuit inovatif yang menggunakan kelebihan kedua tipe transistor.
Penggunaan > Sensor suhu

Karena ketergantungan suhu dan arus pada tegangan panjar maju pertemuan basis-emitor yang dapat dihitung, sebuah BJT dapat digunakan untuk mengukur suhu dengan menghitung perbedaan dua tegangan pada dua arus panjar yang berbeda dengan perbandingan yang diketahui.
Penggunaan > Pengubah logaritmik

Karena tegangan basis-emitor berubah sebagai fungsi logaritmik dari arus basis-emitor dan kolektor-emitor, sebuah BJT dapat juga digunakan untuk menghitung logaritma dan anti-logaritma. Sebuah diode sebenarnya juga dapat melakukan fungsi ini, tetapi transistor memberikan fleksibilitas yang lebih besar.
Kerawanan

Pemaparan transistor ke radiasi menyebalan kerusakan radiasi. Radiasi menyebabkan penimbunan molekul cacat di daerah basis yang berlaku sebagai pusat penggabungan kembali. Hasil dari pengurangan umur pembawa minoritas menyebabkan transistor kehilangan penguatan.
BJT daya berisiko mengalami moda kegagalan yang dinamakan dobrakan sekunder. Pada moda kegagalan ini, beberapa titik pada kepingan semikonduktor menjadi panas dikarenakan arus yang mengalirinya. Bahang yang ditimbulkan menyebabkan pembawa lebih mudah bergerak. Sebagai hasilnya, bagian terpanas dari kepingan semikonduktor menghantarkan lebih banyak lagi arus. Proses regeneratif ini akan terus berlanjut hingga transistor mengalami kegagalan total atau pencatu daya mengalami kegagalan.
Lihat pula

Portal Elektronika
Pemanjaran transistor dwikutub
Pranala luar

Lessons In Electric Circuits Bipolar Junction Transistors (Note: this site shows current as a flow of electrons, rather than the conventional current, so the arrows may appear the other way around)
EncycloBEAMia – Bipolar Junction Transistor Diarsipkan 2008-03-25 di Wayback Machine.
Characteristic curves
The transistor Diarsipkan 2007-11-02 di Wayback Machine.
How Do Transistors Work?
ENGI 242/ELEC 222: BJT Small Signal Models Diarsipkan 2015-05-01 di Wayback Machine.
Historic Transistor Timeline Diarsipkan 2014-12-29 di Wayback Machine.
ECE 327: Transistor Basics Summarizes simple Ebers–Moll model of a bipolar transistor and gives several common BJT circuits.
ECE 327: Procedures for Output Filtering Lab Section 4 ("Power Amplifier") discusses design of a BJT-Sziklai-pair-based class-AB current driver in detail.
| l b Transistor |
| --- | --- | --- |
| Transistor dwikutub |  BJT ·  UJT ·  HBT ·  IGBT  |  |
| Penggunaan transistor dwikutub |  Tunggal emitor ·  Tunggal kolektor ·  Tunggal basis  |  |
| Transistor ekakutub |  FET: MOSFET (ISFET ·  DNAFET) ·  JFET (FREDFET ·  MESFET) ·  HEMT  |  |
| Penggunaan transistor ekakutub |  Tunggal sumber ·  Tunggal cerat ·  Tunggal gerbang  |  |
| Gabungan transistor |  Pasangan Darlington ·  Pasangan Sziklai ·  Pasangan ekor panjang ·  Pasangan kaskoda  |  |
  Portal Elektronika 
NPN BJT dengan pertemuan E–B dipanjar maju dan pertemuan B–C dipanjar mundur
Irisan transistor NPN yang disederhanakan
Kepingan transistor NPN frekuensi tinggi KSY34, basis dan emitor disambungkan melalui ikatan kawat
Simbol NPN BJT.
Struktur dasar transistor NPN
Simbol PNP BJT.
Struktur dasar transistor PNP
Jalur dalam transistor dwikutub pertemuan-taksejenis. Penghalang menunjukkan elektron untuk bergerak dari emitor ke basis, dan lubang untuk diinjeksikan kembali dari basis ke emitor.
Batas operasi aman transistor, biru: batas IC maksimum, merah: batas VCE maksimum, ungu: batas daya maksimum
Transistor BJT NPN dalam moda aktif-maju
Transistor PNP dalam moda aktif-maju
Transistor pertama
Adi Nugraha Purna Yudha

Adi Nugraha Purna Yudha
Adi Nugraha Purna Yudha (lahir 5 Oktober 1986
) adalah seorang politikus Indonesia yang terpilih menjadi Wakil Bupati Ogan Komering Ulu Timur pada Pemilihan umum Bupati Ogan Komering Ulu Timur 2020 mendampingi Bupati Ogan Komering Ulu Timur Lanosin Hamzah. Ia merupakan putra sulung dari tiga bersaudara anak Kholid Mawardi, Bupati Ogan Komering Ulu Timur periode 2016-2021. Ia menempuh pendidikan di SD Negeri 1 Sukaraja (1992-1998), SMP Negeri 1 Buay Madang (1998-2001), MA Negeri III Yogyakarta, dan S1 di Universitas Sjakhyakirti. Ia pernah menjadi ketua umum Komite Olahraga Nasional Indonesia (KONI) Kabupaten Ogan Komering Ulu Timur. Ia menikah dengan Nur ‘Inayah dan memiliki 3 anak.
Harry Pahlevi Harahap

Harry Pahlevi Harahap
Harry Pahlevi Harahap adalah seorang politikus Indonesia. Ia dilantik menjadi Wakil Wali Kota Padangsidimpuan pada 20 Februari 2025 mendampingi Letnan Dalimunthe selaku Wali Kota Padangsidimpuan setelah memenangkan pemilihan umum Wali Kota Padangsidimpuan 2024.
Kepolisian Daerah Kalimantan Barat

| Kepolisian Daerah Kalimantan Barat |
| --- | --- |

Singkatan: Polda Kalbar
Yurisdiksi hukum: Provinsi Kalimantan Barat
Markas besar: Jalan Ahmad Yani Kota Pontianak
 
Pejabat eksekutif:  Irjen Pol. Pipit Rismanto, S.IK., M.H., Kepala  Brigjen Pol. Roma Hutajulu, S.IK., M.Si., Wakil Kepala
Situs web
pid.kalbar.polri.go.id
Kepolisian Daerah Kalimantan Barat atau Polda Kalbar (dulu bernama Komando Daerah Kepolisian (Komdak atau Kodak) XI/Kalimantan Barat) adalah pelaksana tugas Kepolisian Negara Republik Indonesia di wilayah Provinsi Kalimantan Barat. Polda Kalbar karena tergolong polda tipe A, dipimpin oleh seorang kepala kepolisian daerah yang berpangkat bintang dua atau Inspektur Jenderal Polisi.
Polda Kalimantan Barat sebelum 2015 masih berstatus tipe B, barulah pada tanggal 22 Agustus 2016 Polda Kalbar naik tipe menjadi tipe A dengan Kapolda saat itu adalah Irjen. Pol. Musyafak.
Nomenklatur

Kantor Polisi Karisidenan Kalimantan Barat (KPKar Kalbar) 1950 - 1957
Kantor Polisi Propinsi Kalimantan Barat (KP Pro Kalbar) 1957-
Polisi Wilayah Kalimantan Barat (Polwil Kalbar) - 25 Oktober 1958
Kantor Polisi Komisariat Kalimantan Barat (KPKom Kalbar) 25 Oktober 1958 - 15 Oktober 1964
Komando Daerah Angkatan Kepolisian XI Kalimantan Barat (Komdak XI/Kalbar) 15 Oktober 1964 - 1992
Kepolisian Daerah Kalimantan Barat (Polda Kalbar) 1992 -
Unsur Pimpinan > Kapolda

| No>  | Foto | Kapolda | Mulai Menjabat | Akhir Menjabat | Ref>  |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| 1. |  | Kombes. Pol. Honggo Pranoto | 1958 | 1964 |  |
| 2. |  | Kombes. Pol. Drs. Gatot Soewiryo | 1964 | 1968 |  |
| 3. |  | Kombes. Pol. Drs. Achmad Sugiri Soedibja | 1968 | 1969 |  |
| 4. |  | Kombes. Pol. Oetaryo Soerdjawinata | 1969 | 1973 |  |
| 5. |  | Brigjen. Pol. Dr. Soekartono | 1973 | 1975 |  |
| 6. |  | Brigjen. Pol. Anton Soedjarwo | 1975 | 1978 |  |
| 7. |  | Brigjen. Pol. Drs. Suyono Soentahir | 1978 | 1981 |  |
| 8. |  | Brigjen. Pol. Drs. Hardjono | 1981 | 1982 |  |
| 9. |  | Brigjen. Pol. Drs. Anton Sabar | 1982 | 1983 |  |
| 10. |  | Brigjen. Pol. Drs. Mustafa Adikara | 1983 | 6 September 1986 |  |
| 11. |  | Kolonel Polisi Drs. M. Tahir Ahmad | 6 September 1986 | 1989 |  |
| 12. |  | Kolonel Polisi Drs. H. Haryoso | 1989 | 1991 |  |
| 13. |  | Kolonel Polisi Drs. H. Bagong Setyo Nugroho | 1991 | 1992 |  |
| 14. |  | Kolonel Polisi Drs. I Ketut Astawa | 1992 | 1994 |  |
| 15. |  | Brigjen. Pol. Drs. H. Zakaria Rapudin | 1994 | 1995 |  |
| 16. |  | Brigjen. Pol. Drs. Sjahrel Achmad | 1995 | 1996 |  |
| 17. |  | Kolonel Polisi Drs. H. Erwin Achmad | 1996 | 1997 |  |
| 18. |  | Kolonel Polisi Drs. H. Djuari Sis Ardianto | 1997 | 1998 |  |
| 19. |  | Kolonel Polisi Drs. H. Darsono | 1998 | 1999 |  |
| 20. |  | Kolonel Polisi Drs. H. Chaerul Rasyid, S.H. | 1999 | 1999 |  |
| 21. |  | Brigjen. Pol. Drs. Atok Rismanto, S.H. | 1999 | 2000 |  |
| 22. |  | Brigjen. Pol. Nuruddin Usman | 2000 | 24 Oktober 2002 |  |
| 23. |  | Brigjen. Pol. Drs. Iwan Pandjiwinata | 24 Oktober 2002 | 21 Juli 2004 |  |
| 24. |  | Brigjen. Pol. Drs. Nanan Soekarna | 21 Juli 2004 | 2006 |  |
| 25. |  | Brigjen. Pol. Drs. H. Zainal Abidin Iskhak, S.H. | 2006 | 15 April 2008 |  |
| 26. |  | Brigjen. Pol. Drs. Raden Nata Kesuma | 15 April 2008 | 28 Januari 2009 |  |
| 27. |  | Brigjen. Pol. Drs. Erwin TP Lumbantobing | 28 Januari 2009 | 5 Agustus 2010 |  |
| 28. |  | Brigjen. Pol. Drs. Sukrawardi Dahlan | 5 Agustus 2010 | 19 Oktober 2011 |  |
| 29. |  | Brigjen. Pol. Drs. Unggung Cahyono | 9 Oktober 2011 | 28 November 2012 |  |
| 30. |  | Brigjen. Pol. Drs. Tugas Dwi Apriyanto | 28 November 2012 | 9 September 2013 |  |
| 31. |  | Brigjen. Pol. Drs. Arie Sulistyo | 9 September 2013 | 2 Mei 2014 |  |
| 32. |  | Brigjen. Pol. Drs. Arief Sulistyanto, M.Si. | 2 Mei 2014 | 27 Mei 2016 |  |
| 33. |  | Irjen. Pol. Drs. Musyafak, S.H., M.M. | 27 Mei 2016 | 18 April 2017 |  |
| 34. |  | Irjen. Pol. Drs. Erwin Triwanto, S.H. | 18 April 2017 | 16 November 2017 |  |
| 35. |  | Irjen. Pol. Drs. Didi Haryono, S.H., M.H. | 16 November 2017 | 3 Februari 2020 |  |
| 36. |  | Irjen. Pol. Dr. Drs. Remigius Sigid Tri Hardjanto, S.H., M.Si. | 3 Februari 2020 | 17 Desember 2021 |  |
| 37. |  | Irjen. Pol. Drs. Suryanbodo Asmoro, M.M. | 17 Desember 2021 | 27 Maret 2023 |  |
| 38. |  | Irjen. Pol. Pipit Rismanto, S.I.K. | 27 Maret 2023 | Petahana |  |
Unsur Pimpinan > Wakapolda

| No>  | Wakapolda | Mulai Menjabat | Akhir Menjabat | Ref>  |
| --- | --- | --- | --- | --- |
| 1. | Kombes. Pol. Drs. Sariman Muhammad Djuri, S.H., M.H. |  | 4 Februari 2010 |  |
| 2. | Kombes. Pol. Drs. Arie Sulistyo | 4 Februari 2010 | 8 Juni 2010 |  |
| 3. | Kombes. Pol. Drs. Safaruddin, S.H. | 8 Juni 2010 | 15 Februari 2013 |  |
| 4. | Kombes. Pol. Drs. Hasanuddin, S.H., M.H. | 15 Februari 2013 | 27 Agustus 2014 |  |
| 5. | Kombes. Pol. Drs. Joko Irianto | 27 Agustus 2014 | 20 Februari 2017 |  |
| 6. | Brigjen. Pol. Drs. Amrin Remico, M.M. | 20 Februari 2017 | 8 Maret 2018 |  |
| 7. | Brigjen. Pol. Dra. Sri Handayani, M.H. | 8 Maret 2018 | 2 Agustus 2019 |  |
| 8. | Brigjen. Pol. Drs. Imam Sugianto, M.Si. | 2 Agustus 2019 | 3 Agustus 2020 |  |
| 9. | Brigjen. Pol. Asep Safrudin, S.I.K. | 3 Agustus 2020 | 24 Juni 2023 |  |
| 10. | Brigjen. Pol. Roma Hutajulu, S.I.K., M.Si. | 24 Juni 2023 | Petahana |  |
Wilayah Hukum

Polresta Pontianak
Kapolresta: Kombes. Pol. Adhe Hariadi, S.I.K., M.H.
Polres Bengkayang
Kapolres: AKBP. Teguh Nugroho, S.H., S.I.K., M.I.K.
Polres Kapuas Hulu
Kapolres: AKBP. Hendrawan, S.I.K., M.H.
Polres Kayong Utara
Kapolres: AKBP. Donny Molino Manoppo, S.H., S.I.K., M.Si.
Polres Ketapang
Kapolres: AKBP. Setiadi, S.H., S.I.K., M.H.
Polres Kubu Raya
Kapolres: AKBP. Wahyu Jati Wibowo, S.I.K., S.H., M.H.
Polres Landak
Kapolres: AKBP. Siswo Dwi Nugroho, S.H., S.I.K.
Polres Melawi
Kapolres: AKBP.  Muhammad Syafi'i, S.I.K., S.H., M.H.
Polres Mempawah
Kapolres: AKBP. Sudarsono, S.I.K., M.Si.
Polres Sambas
Kapolres: AKBP. Sugiyatmo, S.I.K.
Polres Sanggau
Kapolres: AKBP. Suparno Agus Candra Kusumah, S.H., S.I.K.
Polres Sekadau
Kapolres: AKBP. Dr. I Nyoman Sudama, S.I.K., M.Si.
Polres Singkawang
Kapolres: AKBP. Fatchur Rochman, S.I.K., M.I.K.
Polres Sintang
Kapolres: AKBP. I Nyoman Budi Artawan, S.H., S.I.K., M.M.
Pranala luar

Situs web resmi
↑  "Daftar Lengkap Nama 8 Kapolda Kena Mutasi Kapolri Terbaru Polri 2020 Beserta 665 Perwira Polri". Tribun Timur. Diakses tanggal 2021-10-16.