stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
אפיטקסיה מהפאזה הנוזלית
פרופילי טמפרטורה והתלות של עובי השכבה בזמן הגידול

תהליך הגידול ב-LPE קרוב מאוד לשיווי משקל, כך שהרכב התמיסה הרצוי להשגת מוצק בהרכב הנדרש נקבע מתוך דיאגרמת הפאזות המתאימה. תנאי הגידול ב-LPE הם כאלו שקצב הגידול מוגבל על ידי דיפוזיה של המומס, מהתמיסה אל הממשק תמיסה-מצע, היכן שהוא מתגבש למוצק האפיטקסיאלי. מגבלה זו, ביחד עם פרופיל הטמפרטורה המיושם במהלך הגידול קובעים איך גָדֵל עובי השכבה (d) עם הזמן (t). מבחינים בין שלושה מהלכים תרמיים כאלו (בכולם מניחים שעובי השכבה קטן יחסית לעובי תמיסת הגידול - "קירוב השכבה הדקה"):
פרופיל קירור מדרגה (step-cooled growth)': לאחר שלב החימום של התמיסה מייצבים את הטמפרטורה (על Th באיור) לצורך הומוגנזיציה, כך שמתקבל ריכוז אחיד של המומס, xh, בתמיסת הגידול. ערך זה הוא ריכוז שיווי המשקל המתאים לטמפרטורת הליקוידוס Ts ב-Leh. להתחלת הגידול מונמכת הטמפרטורה בקפיצה של ΔTsc מעלות ל-Tsc (כמוראה באיור 2), הנמוכה מטמפרטורת הליקווידוס Ts ב-ΔTsc מעלות. ריכוז שיווי המשקל משתנה ל-xesc, הניתן על ידי עקום הליקווידוס בטמפרטורה Tsc (המתאימים לנקודה Lesc על עקום הליקווידוס). ריכוז זה נמוך מהריכוז שעדיין קיים בתמיסה, xh. לכן התמיסה נמצאת בעל-רוויה (סופרסטורציה), כלומר בקירור יתר. בגלל הפרש הטמפרטורה הקטן, ΔTsc, המיושם ב‑LPE עקום הליקווידוס ליניארי עם הטמפרטורה, ושיפועו: m. בתנאים אלו גדל עובי השכבה עם משך הגידול בצורה הבאה:  d_{super-cool.}={\operatorname {2\Delta } \!T_{sc} \over \operatorname {m} \!x_{s}}{\sqrt {D \over \pi }}t^{1/2}. במשוואה זו xs הוא הריכוז במוצק, שנקבע על ידי עקום הסולידוס (אנ'), ו-D הוא מקדם הדיפוזיה (אנ') של המומס בתמיסת הגידול.
פרופיל קירור משופע (ramp-cooling growth): במקרה זה, כבקודם, מתחיל התהליך בשלב הומוגניזציה בטמפרטורה Th הגורם שוב לריכוז שיווי משקל xh בתמיסת הגידול. בתום שלב זה לא מיישמים בפרופיל זה קפיצת טמפרטורה מטה, אלא מורידים את הטמפרטורה בהדרגה בקצב קבוע α, כך שמתקיים: T(t) = Th - αt. אם אינטרוול הקירור הכולל קטן, אז עדיין השיפוע של עקום הליקווידוס, m, כמעט קבוע, והרכב שיווי המשקל על עקום הליקווידוס הוא פונקציה ליניארית של הטמפרטורה. עבור תנאים אלו מקבלים שעובי השכבה משתנה עם הזמן על פי:
d_{ramp-cool.}={4\alpha  \over 3mx_{s}}{\sqrt {D \over \pi }}t^{3/2}.
פרופיל קירור יתר (supercooling growth)': טכניקת גידול זו היא שילוב של השתיים הקודמות. לאחר שלב ההומוגניזציה, מתחיל הקירור ביצירת קירור יתר על ידי קפיצת טמפרטורה של ΔTsc מטה (הגורמת לקירור יתר של ΔTsc מעלות), ובנוסף מיישמים לאחריה קירור בקצב קבוע α. התלות של העובי בזמן הגידול תתקבל, לכן, מחיבור שתי המשוואות הקודמות:
d_{supercool.}={\operatorname {1}  \over \operatorname {} \!mx_{s}}{\sqrt {D \over \pi }}(2\Delta {T_{sc}}t^{3/2}+{\operatorname {4}  \over \operatorname {3} }\alpha t^{3/2}).
הבחירה באחד מבין שלושה פרופילים אלו של הטמפרטורה עבור הגידול ב-LPE של מערכת חומרים מסוימת תלויה, בין היתר, בדרישות ממערכת החומרים הזו, מדיאגרמת הפאזות הרלוונטית, ומהמורפולוגיה ומהסימום הנדרשים מהשכבה. בכל שלושת הפרופילים עובי השכבה אינו גדל ליניארית בזמן. זה מסבך, במידה מסוימת, את חישוב הזמן הדרוש לקבלת שכבה בעובי רצוי. סיבוך נוסף, נובע מכך שלא תמיד ידוע הרכב תמיסת הגידול במדויק, ולכן גם לא את טמפרטורת הליקווידוס המדויקת שלה. כתוצאה מכך קיימת שגיאה מובנית בקביעת משך הגידול; ובפרופילים המתאימים יש גם שגיאה בקביעת ΔTsc.
יישומים

בשיטת ה-LPE משתמשים באפיטקסיה של מוליכים למחצה מרוכבים (compound semiconductors), בעיקר כשהגידול שלהם באחת משיטות האפיטקסיה מהפאזה הגזית קשה בגלל לחצים חלקיים שונים מאוד של הרכיבים הבודדים; וכן כאשר נדרש ייצור המוני במחיר שאינו גבוה. LPE משמשת, למשל, לייצור בקנה מידה גדול של דיודות פולטות אור (LEDs) מבוססות GaAs ו-GaP (אנ'), כמו גם לאפיטקסיה של סגסוגות של HgCdTe (אנ') בהרכבים שונים לצורך מימוש גלאי תת-אדום. משתמשים ב-LPE כדי לגדל שכבות של SiC ושל ניטרידים (אנ') של מתכות מהמשפחה III-V כמצעים "וירטואליים" לגידול מבנים של ניטרידים בשיטות אפיטקסיה אחרות. כמו כן, משתמשים ב-LPE ביצור שכבות מגנטו-אופטיות.
השימוש ב-LPE עבור מוליכים למחצה של יסודות כמו סיליקון, שכיח פחות, שכן הממיסים האפשריים הם בדיל, אלומיניום וגליום, כולם מסממים בחומרים מקבוצה IV בטבלה המחזורית. עם זאת, נעשה שימוש ב-LPE בגידול שכבות לתאים סולריים זולים מבוססי סיליקון.
תחום יישום נוסף הוא ייצור תחמוצות של מתכות, מפני שללא הטמפרטורות הנמוכות יותר הקשורות בגידול מתמיסה ב-LPE, יש קשיים בשמירה על ההרכב הסטויכימטרי של התחמוצות, לדוגמה בגידול של ZnO (אנ').
יתרונות וחסרונות השיטה

היתרון של שיטת ה-LPE ביחס לגידול גבישים כמו בשיטות ברידג'מן (אנ') וצ'וחרלסקי (אנ') נובע מכך שנוזל ההזנה ב-LPE הוא התמיסה של החומר אותו רוצים לגדל ולא הנתך (melt) שלו. לכן, הטמפרטורות המעורבות בתהליך נמוכות יותר. יש לכך יתרונות כלכליים הן בצריכת אנרגיה מופחתת, והן בלחץ עבודה נמוך יותר. יש לכך גם יתרונות טכנולוגיים, כמו איכות גבישית טובה יותר.
ביחס לשיטות האפיטקסיה המתחרות ב-LPE, כמו MBE ו-MOCVD, היא פועלת בקרבת שיווי משקל תרמודינמי, ולכך יש יתרונות וחסרונות. למשל, הַקִּרְבָה לשיווי המשקל התרמודינמי מאפשרת המסה של המצע בתחילת הגידול (תהליך הקרוי המסה לאחור, meltback). זה קורה אפילו כאשר מיושם קירור יתר בפרופיל הטמפרטורה בגידול, אם קיים אי-תאום בפרמטרי הסריג של השכבה והמצע. להמסה לאחור זו יש יתרון בכך שתהליך סילוק התחמוצות מפני המצע בטרם הגידול קריטי פחות מאשר בשיטות האפיטקסיה מפאזה גזית. אבל היא מהווה חסרון שכן אי אפשר לקבל ממשק מצע-שכבה מישורי לגמרי. הקרבה לשיווי משקל תרמודינמי בתהליך ה-LPE מאפשרת תיאור תרמודינמי מהימן, יחסית, של תהליך הגידול האפיטקסיאלי, אבל, היישום של הפרמטרים התאורטיים השולטים בגידול קשה, וגורם לכך שתהליך הגידול רגיש מאוד לסטיות מהפרמטרים האופטימליים של התהליך. זה גורם, למשל, להתפתחות מדרגות גידול גבוהות (הקרויות גם טרסות - תמונה 1), ולפני שטח שאינם חלקים כבשיטות הגידול האפיטקסיאלי מהפאזה הגזית. בנוסף, הקרבה לשיווי משקל תרמודינמי מקשה על גידול איכותי של סגסוגות הנוטות להיפרדות לפאזות.
היתרונות של LPE:
מחיר נמוך יחסית של הציוד הדרוש לגידול
קצב גידול גבוה
איכות חומר טובה מאוד, בעיקר בהקשר של יעילות לומינסנציה
סלקטיביות גבוהה באפיטקסיה אזורית סלקטיבית (אנ') (גידול על מצעים מכוסים במסכה עם תבניות).
החסרונות של LPE:
שליטה נמוכה באחידות בעובי השכבה
קושי בקבלת שכבות דקות מאוד
קושי בגידול הטרו-מבנים רבים עקב אי-התאמה של פרמטרי הסריג, או חוסר שיווי משקל בין המצע והשכבה האפיטקסיאלית
קושי בקבלת שינויי הרכב וסימום חדים בממשקים
ממשק מצע-שכבה מחוספס
מורפולוגית פני שטח ירודה.
ראו גם

אפיטקסיה
גידול גבישים
לקריאה נוספת

P. Capper and M. Mauk (Eds.), Liquid Phase Epitaxy of Electronic, Optical and Optoelectronic Materials, John Wiley & Sons, Chichester, UK, 2007, ISBN 978-0-470-85290-3
M.A. Herman, W. Richter and H. Sitter, Epitaxy - Physical Principles and Technical Implementation, Springer, Berlin, Germany, 2004, pp. 63-72, ISBN 978-3-642-08737-0
H.L. Bhat, Introduction to Crystal Growth Principles and Practice, CRC, Boca Raton, FL, 2015, pp. 269-275, ISBN 978-1-4398-8330-3
הערות שוליים

↑  H. Nelson, Epitaxial growth from the liquid state and its application to the fabrication of tunnel and laser diodes, RCA Review 24, 1963, עמ' 603
↑  M.B. Panish, I. Hayashi, and S. Sumsk, A Technique for the Preparation of Low-Threshold Room Temperature GaAs Laser Diode Structures, IEEE. Journal of Quantum Electronics 5 (4), 1969, עמ' 210-211
↑  molecular beam epitaxy, באתר sciencedirect
1 2 3 4 5  M.G. Mauk, 6 - Liquid-Phase Epitaxy, Handbook of Crystal Growth (Second Edition) Thin Films and Epitaxy, 2015, עמ' 225-316
1 2  HANS J. SCHEEL, Introduction to Liquid Phase Epitaxy, in Liquid Phase Epitaxy of Electronic, Optical and Optoelectronic Materials Edited by P. Capper and M. Mauk John Wiley & Sons,, 2007, Chap. 1
↑  J.J. Hsieh, Thickness and surface morphology of GaAs LPE layers grown by supercooling, step-cooling, equilibrium-cooling, and two-phase solution techniques, Journal of Crystal Growth 27, 1974, עמ' 49-61
1 2 3  Udo W. Pohl, Epitaxy of Semiconductors: Physics and Fabrication of Heterostructures, Berlin, Germany: Springer, 2020, עמ' 428-439
↑  M. F. Vilela et al., [https://link.springer.com/article/10.1007/s11664-023-10543-2 Developments and Process Improvements Leading to High‑Quality
and Large‑Area HgCdTe LPE Detectors], Journal of Electronic materials 52 (11), 2023, עמ' 7046–7053
↑  P. Capper, Liquid Phase Epitaxy of MCT in Mercury Cadmium Telluride - Growth, Properties and Applications, P. Capper and J. Garland Eds. Chap. 5, Chichester, UK: John Wiley and Sons, 2011, עמ' 63-72
↑  S. Kasap, Peter Capper (Eds.), Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, ISBN 978-3-319-48931-5, DOI 10.1007/978-3-319-48933-9, Springer, 2017, עמ' 349-353
↑  Dirk Ehrentraut et al., Fabrication of homoepitaxial ZnO films by low-temperature liquid-phase epitaxy, Journal of Crystal Growth 287 (2), 2006, עמ' 367-371
Q
איור 1: למעלה: תיאור העיקרון של אפיטקסיה בשיטת LPE. למטה: מהלך תרמי סכמטי של תהליך הגידול. (T - טמפרטורה, Tm - נקודת ההיתוך של התמיסה, t - זמן.)
איור 2: דיאגרמות הרכב-טמפרטורה-זמן סכמטיות עבור גידול LPE של GaAs. משמאל למעלה: תיאור סכמטי של דיאגרמת הפאזות נוזל-מוצק של GaAs. משמאל למטה: הגדלה של הריבוע האדום – החלק מדיאגרמת הפאזות הרלוונטי ל‑LPE בקירור יתר מטמפרטורת ההומגניזציה (Th) ל-TSC, היכן שהפאזות בשיווי משקל הן תמיסה נוזלית בהרכב xsce ו-GaAs (הרכב: xs=50% As) מוצק, המתגרען כשכבה אפיטקסיאלית על המצע. אינדקס תחתון (מ) מציין מוצק, ואינדקס תחתון (נ) מציין נוזל. m הוא שיפוע עקום הליקווידוס. מימין: פרופילים שונים של טמפרטורה הנהוגים ב-LPE: למעלה – "קירור מדרגה", באמצע – "קירור משופע", ולמטה – "קירור יתר". קפיצת המדרגה בפרופילים העליון והתחתון היא ΔT'sc מעלות; קצב הקירור במהלך הגידול בפרופילים האמצעי והתחתון הוא α מעלות לדקה.
תמונה 1: טרסות גידול על פני השטח של שכבת HgCdTe (אנ') מגודלת על מצע CdTe (אנ') חתוך בזווית קטנה מהמישור (111). צילום במיקרוסקופ אופטי עם מקטב נומרסקי (אנ'). אורך הצלעות: 1 מ"מ.
אריך פרום

| --- | --- |

אריך פרום בעבודתו, 1974
 לידה:  23 במרץ 1900 הקיסרות הגרמנית פרנקפורט, פרוסיה, גרמניה
 פטירה:  18 במרץ 1980 (בגיל 79) שווייץ לוקרנו, טיצ'ינו, שווייץ
 שם לידה:  Erich Seligmann Fromm 
 מקום לימודים:  אוניברסיטת ניו יורק, אוניברסיטת גתה בפרנקפורט, אוניברסיטת היידלברג
 מוסדות:  האוניברסיטה הלאומית האוטונומית של מקסיקו  אוניברסיטת ניו יורק  אוניברסיטת מישיגן  אוניברסיטת קולומביה 
 זרם:  פילוסופיה קונטיננטלית, אסכולת פרנקפורט 
 תחומי עניין:  אתיקה, פילוסופיה של הנפש, אסתטיקה, פסיכואנליזה, פסיכולוגיה חברתית, סוציולוגיה
 עיסוק:  מרצה באוניברסיטה, פסיכולוג, פילוסוף, סופר, סוציולוג, פסיכואנליטיקאי, כלכלן 
 הושפע מ:  פרויד, מרקס, שפינוזה, מייסטר אקהרט, סרן קירקגור, לאו דזה, אדלר, הרמן כהן
 השפיע על:  פסיכולוגיה הומניסטית, מרטין לותר קינג, מרשל רוזנברג, בל הוקס, אליאס פורטר, צ'וגיאם טרונגפה, צבי טאובר
 מדינה:  גרמניה, ארצות הברית, מקסיקו
 יצירות ידועות:  אמנות האהבה
 פרסים והוקרה:  הומניסט השנה (1966) פרס נלי זק"ש (1979) לוחית גתה של עיריית פרנקפורט (1978) 
 בן או בת זוג:  פרידה פרום-רייכמן (1926–1942) 
 fromm-online.org
 
אריך פְרוֹם (בגרמנית: Erich Fromm;‏ 23 במרץ 1900 – 18 במרץ 1980) היה פסיכולוג חברתי, פסיכואנליטיקאי ופילוסוף יהודי-גרמני בעל שם בינלאומי. מראשי הזרם ההומניסטי של הפסיכולוגיה.
פרום ניסה לעמוד על מקומו של האדם בחברה, ולהבין כיצד החברה משפיעה על האדם. כמו כן, חקר את מקומם של מניעים נפשיים בהנעת תהליכים חברתיים-היסטוריים. הושפע מהשקפותיהם של זיגמונד פרויד, אלפרד אדלר וקרל מרקס וניסה לשלב בין היבטים שונים של תורותיהם.
קורות חייו

פרום נולד בפרנקפורט שבגרמניה, לנפתלי פרום ולרוזה לבית קראוס, וגדל במשפחה יהודית אורתודוקסית. הוא היה נינו של הרב יצחק דב במברגר ונכדו של הרב פנחס זליגמן פרום. בשנת 1918 החל ללמוד תורת המשפט באוניברסיטת פרנקפורט, שם למד שני סמסטרים. במהלך סמסטר הקיץ עבר לאוניברסיטת היידלברג, ועבר מלימודי המשפטים ללמוד סוציולוגיה אצל אלפרד ובר (אחיו של הסוציולוג מקס ובר), אצל הפסיכואנליטיקאי והפילוסוף קרל יאספרס ואצל היינריך ריקרט.
בשנת 1922 סיים דוקטורט בסוציולוגיה באוניברסיטת היידלברג. בשנת 1930 הסתיימה הכשרתו כפסיכואנליטיקאי במכון הפסיכואנליטי של ברלין. בשנה זו הצטרף למכון למחקר סוציולוגי בפרנקפורט, שהיה בסיסה של אסכולת פרנקפורט הסוציאליסטית. בשנת 1926 התחתן עם הרופאה והפסיכואנלטיקאית פרידה פרום-רייכמן, שממנה התגרש מאוחר יותר בארצות הברית.
בעקבות עליית הנאצים לשלטון בגרמניה, היגר פרום תחילה לז'נבה ומשם ב-1934 לארצות הברית והוזמן להרצות במכון הפסיכואנליטי בשיקגו. בשנים 1935–1939 לימד באוניברסיטת קולומביה. הוא המשיך לעסוק בפסיכולוגיה וללמד באוניברסיטאות בארצות הברית.
בשנת 1950 היגר למקסיקו, קיבל משרת פרופסור באוניברסיטה הלאומית של מקסיקו, וייסד בה מחלקה פסיכואנליטית בבית הספר לרפואה של האוניברסיטה. הוא לימד שם עד פרישתו ב-1965. בשנים 1957–1961 לימד פסיכולוגיה גם באוניברסיטת מישיגן, וכן לימד כפרופסור אורח באוניברסיטת ניו יורק. בשנת 1974 היגר למורלטו שבשווייץ, ובאותו זמן פרסם סדרה של ספרים. נפטר בביתו בשנת 1980, חמישה ימים לפני יום הולדתו השמונים.
ספרו הפופולרי ביותר הוא אמנות האהבה, שנמכר בכשישה מיליון עותקים ברחבי העולם (תורגם לעברית פעמיים).
תורתו

בתחילת דרכו כפסיכואנליטיקאי הושפע פרום רבות מהתאוריות של פרויד ואדלר. בשונה מפרויד, לא ראה פרום את ההנעה באדם כנובעת מתסכול ומאי-סיפוק של דחפים ביולוגיים ופיזיים, אלא הדגיש את מקורם של אלה – כנאמן לגישתו המתמקדת באינטראקציה בין-אישית – באי-סיפוק הצרכים הפסיכולוגיים של האדם. ספרו הראשון יצא לאור בתחילת שנות הארבעים וגרם להרחקתו מהאיגוד הפסיכואנליטי הבינלאומי, כמו גם מהאיגוד האמריקני המקביל, בראשות קארן הורני. לתורתו החברתית של קרל מרקס נודעה השפעה רבה על פרום. מכאן ששיטתו בפסיכואנליזה היא שילוב של המבנה הנפשי הפנימי של האדם, תוך התחשבות בהשפעה של המבנה החברתי ובמגבלות הנובעות ממנו, העלולים לצמצם את מידת החופש של האדם, ולכן להאט את התפתחותו הייחודית.
תורתו > אמנות האהבה

לדעת פרום, הקיום האנושי סובל ממה שהוא מכנה חוויית הנפרדוּת. הקריעה של האדם מהטבע הפרימיטיבי, ללא אפשרות לשוב אליו, בנוסף להיותו יצור בעל תודעה עצמית (רפלקציה), הם שיוצרים את חווית הנפרדות שמתבטאת בהכרה בקיומו הנפרד ובר-החלוף, ובחוסר הישע שלו אל מול כוחות הטבע והחברה. הדבר מתבטא ביתר שאת בעידן המודרני והטכנולוגי, המאופיין בניתוק ה"קשרים הראשונים" של החברה. פרום תולה זאת בהשפעת הדת הנוצרית הפרוטסטנטית וההשקפה הקפיטליסטית, ששחררו את האדם מבחינה רוחנית וחומרית, אך גם העצימו בו ביתר שאת את חוויית הנפרדות המתבטאת בתחושת אפסות, חוסר ביטחון, ניכור, ספקנות, בדידות וחרדה.
כדי להימלט מהנפרדות הקיומית לאחדות, האדם יצר דרכים שונות שעונות באופן חלקי על בעייתו הקיומית:
חוויות אורגיאסטיות – אחדות על ידי חוויות אורגיאסטיות, כמו טראנס ושימוש בסמים, אלכוהול וחוויות מיניות, שבהם האדם מתפשט מגשמיותו, ובורח מהכאב של בדידותו. החיסרון של חוויות אלו נעוץ בעובדה שהן זמניות וחולפות.
קונפורמיזם – אחדות על ידי קונפורמיות לקבוצה (כגון המדינה, הכנסייה וכדומה) תוך סיגול מנהגיה, אורחותיה ואמונותיה, תוך העלמת ה"אני" והדברים החוצצים בין הפרט לבין הקבוצה באמצעות סטנדרטיזציה של האדם. זוהי הדרך הראשית להינצל מחוויית הבדידות. חסרונה שהיא למעשה אחדות לכאורה, או פסבדו-אחדות.
יצירה ועבודה – אחדות באמצעות מעשה יצירה ועבודה פרודוקטיבית, שבה היוצר מתאחד עם מעשה היצירה המסמל את העולם שמחוצה לו. חסרונה של דרך זו שהיא איננה בינאישית.
לדעת פרום (בספריו "אמנות האהבה" וב"אדם לעצמו"), הדרך היחידה והעיקרית לפתרון בעיית הנפרדות הקיומית של האדם היא אהבת אמת (ולא אהבה סימביוטית) – בהתאחדות בינאישית והתמזגות של נפש עם נפש שנייה, כך ששתי נפשות הופכות לאחת ועדיין נשארות שתיים. זוהי לדעתו השאיפה העזה ביותר של האדם, התשוקה הבסיסית ביותר, והכוח שמלכד את המין האנושי בכללותו ובקבוצותיו השונות. הוא אף קובע באופן נחרץ: "בלא אהבה לא הייתה האנושות יכולה להתקיים אף יום אחד".
סממניה של אהבת אמת הן: אכפתיות, אחריות, כבוד וידיעת מושא האהבה. מתוך ההתקשרות עם הזולת באהבת אמת שאין בה רכושנות סדיסטית או התמזגות מזוכיסטית, אלא אישור ספונטני של הזולת תוך שמירה על הצביון האישי, המועקה הפנימית של תחושת הניכור והבדידות יכולה להיפתר. על פי תפיסתו של פרום, האהבה איננה מתת אל שנופלת משמיים על האדם או רגש שהאדם מתוודע אליו פתאום, אלא מיומנות לא קלה, שיש ללמוד אותה תאורטית ולהתאמן בה מעשית, ממש כמו כל אומנות אחרת.
תורתו > בעלנות או מימוש עצמי

בספר זה משנת 1976 (To Have or To Be) מתאר פרום את ההתפתחות של דרך חיים המושתתת על בעלות ("בעלנות") במאות השנים האחרונות. פרום מסביר שהשאיפה לבעלות כדרך חיים (בעלות על משאבים חומריים, חברתיים ואחרים), מייצרת על פי רוב זיקה חזקה בין האדם לבין המשאב שבבעלותו. כאשר האגו וסיפור החיים של אדם נקשרים במשאבים שונים שמקורם בסביבת האדם, נוצרת אצל אותו אדם חרדה טבעית לגבי האפשרות של אובדן המשאבים הללו. לעומת זאת, משאבים פנימיים-רוחניים אינם חשופים לאותו איום, ולכן הם משרתים את האדם לאורך כל חייו. פרום מציע גם הבחנה נוספת בין שני מצבים אלו (מצב של בעלות ומצב של היות/קיום): בעוד שהשימוש במשאבים במצב הבעלות גורם בהכרח להתדלדלות המשאבים, השימוש במשאבים קיומיים-עצמיים (כדוגמת יצירה, לימוד, ידידות ואהבה), מתעצמים כתוצאה מהשימוש בהם.
משפחתו

אריך פרום היה נשוי שלוש פעמים, אך לא היו לו ילדים.
אשתו הראשונה – פרידה רייכמן בת אדולף וקלרה (נולדה ב-1889, נפטרה ב-1957; נישאו ב-1926 והתגרשו ב-1931). אמה קלרה הייתה דודה של אסתר מרכס, אשתו של הסופר וחתן פרס נובל לספרות, ש"י עגנון.
אשתו השנייה - הני גורלנד (נולדה ב-1900, נפטרה ב-1952 במקסיקו; נישאו ב-1944).
אשתו השלישית - אניס פרידמן (נולדה ב-1902, נפטרה ב-1985 במונטגומרי; נישאו ב-1953).
ספריו שתורגמו לעברית

מנוס מחופש: ניתוח פסיכו-סוציולוגי על מבנה האישיות של האדם המודרני (1941), תרגם אדן גרץ, הוצאת דביר, 1958. תרגום נוסף: תמר עמית, הוצאת דביר, 1992.
אדם לעצמו: הדרכים למימוש עצמותו של האדם בראי האתיקה (1947), תרגם מ' ד' בן חיים, הוצאת אוצר המורה, 1976.
פסיכואנאליזה ודת (1950), תרגמו שמואל שיחור ורחל רביד, ספרי דנה, 1964.
השפה שנשכחה: מבוא להבנת חלומות, אגדות-ילדים ומיתוסים (1951), תרגם יורם רוזלר, הוצאת א' רובינשטיין, 1973.
החברה השפויה (1955), תרגמו צבי ויסמן, ברכה פרוינדליך ועתליה בן מאיר, הוצאת א' רובינשטיין, 1975.
אמנות האהבה (1956), תרגם א"ד שפיר, הוצאת הדר, 1966. תרגום נוסף: דפנה לוי, הוצאת מחברות לספרות, 2001.
שליחותו של זיגמונד פרויד: ניתוח אישיותו והשפעתו (1959), תרגמה ברכה פרוינדליך, הוצאת א' רובינשטיין, 1987.
זן-בודהיזם ופסיכואנאליזה (1960), תרגמו אליעזר כרמי ויהודה רגבים, הוצאת א' רובינשטיין, 1975.
מעבר לאזיקי האשליה (1962), תרגם אהרן אמיר, הוצאת א' רובינשטיין, 1975.
לב האדם (1964), תרגם יורם רוזלר, הוצאת א' רובינשטיין, 1975.
הומאניזם סוציאליסטי (1965), תרגם נחמן בן-עמי, ספרית פועלים, 1967.
והייתם כאלוהים: פירוש רדיקלי למקרא ולמסורת הבתר-מקראית (1967), תרגם יורם רוזלר, הוצאת א' רובינשטיין, 1975.
מהפכת התקווה: לקראת ההומניזציה של הטכנולוגיה (1968), תרגמו זהר שביט ומרדכי וורמברנד, הוצאת מסדה, 1975.
משבר הפסיכואנאליזה (1970), תרגם אהרן אמיר, הוצאת א' רובינשטיין, 1975.
האנטומיה של הרסנות האדם (כרכים א-ג) (1973), תרגמה רחל אנקורין, הוצאת א' רובינשטיין, 1983.
בעלנות או מימוש עצמי (1976), תרגמה שושנה צינגל, הוצאת א' רובינשטיין, 1983.
אי-ציות: מחשבות על שחרור האדם והחברה (1981), תרגם יותם שטיינבוק, הוצאת רסלינג, 2015.
לקריאה נוספת

ליאור טל שדה, היהדות החילונית חברתית של אריך פרום, בתוך: מה למעלה מה למטה, עמ' 108-119, הוצאת כרמל, 2022
הערות שוליים

↑  Writing Beyond Race: Living Theory and Practice q=Erich+Fromm&redir_esc=y#v=snippet&q=Erich%20Fromm&f=false by bell hooks (pg. 93)
↑  Lawrence J. Friedman, The Lives of Erich Fromm: Love's Prophet, Columbia University Press, 2014. עמ' 4.
↑  אמנות האהבה, פרק ב'.
↑  מנוס מחופש, פרק 5.
↑  אדם לעצמו, עמ' 54–91.
1 2  מנוס מחופש, עמ' 175.
↑  מנוס מחופש, הופעת היחיד והדו-משמעות של החופש.
↑  מנוס מחופש, עמ' 177.
↑  יאיר קורן-מיימון, [https://www.hemdat.ac.il/wp-content/uploads/2019/01/יאיר-קורן-מיימון-מאמר-בחמדעת-י.pdf#page=217 "סבור אתה אם עושים ממך את נשלמה מנת הפורענות?" - בין
האלגורי לפסיכולוגי בסיפור "הסייף" מאת שמואל יוסף עגנון] (עמ' 217), באתר חמדת הדרום, מכללה אקדמית לחינוך, הקשר המשפחתי אומת במחקר גנאלוגי דרך MyHeritage, ‏2018
| פסיכולוגיה |
| --- | --- | --- |
פסיכולוג • פסיכותרפיה • פילוסופיה של הפסיכולוגיה
| ענפי מחקר | פסיכוביולוגיה • קוגניטיבית • התפתחותית • חברתית • אישיותית • השוואתית • פסיכופתולוגיה • פסיכופיזיקה • פסיכובלשנות • פסיכולוגיה אבולוציונית • נוירופסיכולוגיה  • פסיכולוגיה תרבותית • פסיכולוגיה בין תרבותית • ראו גם: פסיכיאטריה |  |
| תחומי עיסוק | קלינית • חינוכית • ארגונית/תעסוקתית • שיקומית • רפואית • משפטית • צבאית • ספורט |  |
| אסכולות | סטרוקטורליזם • פונקציונליזם • פנומנולוגיה • פסיכואנליזה • אינדיבידואלית • הומניסטית • ביהביוריזם • אקזיסטנציאליזם • גשטלט • פסיכולוגיה חיובית • פסיכודינמיקה |  |
| מושגים כלליים | תודעה • תפיסה • לא-מודע • זיכרון • למידה • רווחה נפשית • הפרעה נפשית •  טראומה נפשית • מבחני אישיות • אינטליגנציה • מיינד • רגש |  |
הקטגוריה "פסיכולוגיה" במיזמים אחרים של קרן ויקימדיה: ויקימילון • ויקיספר • ויקיציטוט
| --- | --- |
בקרת זהויות :  NLI: 987007261442505171  PLWABN: 9810567464905606  BIBSYS: 90056694  BNC: 000041470  BNE: XX4840691  BnF: cb119036723 (data)  CANTIC: a10087771  CiNii: DA0058504X  GND: 118536389  ICCU: CFIV008073  ISNI: 0000 0001 2137 1685  LCCN: n80010148  LNB: 000009149  MGP: 249175  NDL: 00440267  NKC: jn19990002463  NLA: 36518183  NLG: 63828  NLK: KAC199609424  NSK: 000001593  NTA: 068286384  RERO: 02-A003266764  SELIBR: 187600  SNAC: w63f4pkn  SUDOC: 026876027  Trove: 363204  VcBA: 495/200284  VIAF: 66467430   WorldCat (עם VIAF): 66467430 
דיוקן של אריך פרום
פגם חדירה

אטומים חודרים (כחול) תופסים חלק מהחללים בתוך סריג של אטומים גדולים יותר (אדום)
פגם חדירה (אנגלית: Interstitial defect) הוא סוג של פגם גבישי נקודתי שבו אטום מאותו סוג או מסוג אחר תופס מקום בחלל שאינו תפוס בדרך כלל במבנה הגבישי. כאשר האטום הוא מאותו הסוג שממנו בנוי הגביש, פגם זה מכונה גם כפגם חדירה עצמית. לחלופין, אטומים קטנים זרים בחלק מהגבישים עשויים לתפוס חללים ריקים, כגון מימן בפלדיום. ניתן לייצר אטומים חודרים על ידי הפצצת גביש בחלקיקים יסודיים בעלי אנרגיה מעל סף העקירה עבור אותו גביש, אך הם עשויים להתקיים גם באופן טבעי בריכוזים קטנים בשיווי משקל תרמודינמי. נוכחותם של אטומים חודרים יכולה לשנות את התכונות הפיזיקליות והכימיות של חומר.
חדירה עצמית

פגם חדירה עצמית הוא פגם חדירה המכיל רק אטומים שהם זהים לאלו שכבר קיימים בסריג.
המבנה של פגמי חדירה עצמית נקבעו באופן ניסיוני בכמה מתכות ומוליכים למחצה.
בניגוד למה שאפשר לצפות באופן אינטואיטיבי, לרוב מקרי החדירה העצמית במתכות בעלות מבנה ידוע יש מבנה 'מפוצל', שבו שני אטומים חולקים את אותו אתר בסריג. בדרך כלל מרכז המסה של שני האטומים החודרים הוא באתר הסריג, והם ממוקמים בו באופן סימטרי לאורך אחד מכיווני הסריג העיקריים. לדוגמה, במספר מתכות נפוצות במבנה קובייתי ממורכז פאה (fcc), כגון נחושת, ניקל ופלטינה, מבנה של החדירה העצמית הוא בכיוון [100], שבו שני אטומים החודרים ממוקמים במיקום החיובי והשלילי ([100], [100-]). בברזל קובייתי ממורכז גוף (bcc) מבנה החדירה העצמית קיים מבנה דומה בכיוון [110] עם חדירה מפוצלת.
חדירות האטומים העצמיים המפוצלות הללו נקראות לעיתים חדירות משקולית, משום שבשרטוט שני האטומים המרכיבים את החדירה מתקבלים שני עיגולים גדולים עם קו עבה המחבר ביניהם, המדמה צורת משקולית.
במתכות ממורכזות גוף (BCC) אחרות מברזל, משערים, בהתבסס על חישובים עדכניים בתורת פונקציונל הצפיפות, כי מצב היסוד הוא חדירה עצמית בשורה בכיוון [111], בשרשרת ארוכה (בדרך כלל כ-10–20) של אטומים, השורה דחוסה מעט יותר מהסריג האידיאלי בכדי שתוכל להכין אטום אחד נוסף.
במוליכים למחצה המצב מורכב יותר, שכן פגמים עשויים להיות טעונים ומצבי טעינה שונים עשויים להיות בעלי מבנים שונים. לדוגמה, בסיליקון, פגם החדירה יכול להיות מורכב ממבנה מפוצל בכיוון [110] או מבנה טטרהדרלי.
לפחמן, בעיקר בגרפיט וביהלום, יש מספר פגמי חדירה עצמית, שהתגלו באמצעות חישובים המבוססים על תורת קירוב הצפיפות המקומית. למשל, "חדירה ספירו-אטומית" (spiro-interestitial) בגרפיט, הקרויה על שם ספיירופנטן (אנ'), שכן אטום הפחמן החודר ממוקם בין מישורים בסיסיים וקשור אליהם בצורה גאומטרית המזכירה את מולקולת הספירופנטן.
חדירה זרה

אטומים זרים קטנים חודרים בדרך כלל באתרים לא תפוסים בין אטומי הסריג. ניתן לאפיין אתרים אלה על ידי הסימטריה של מיקום האטום החודר ביחס לאטומי הסריג הקרובים ביותר אליו. לדוגמה, אטום חודר א' עם 4 אטומי סריג שכנים (במרחקים שווים) בסריג קובייתי ממורכז פאה (FCC), נמצא במיקום המאופיין בסימטריה טטרהדרלית, ולכן ניתן לכנותו חודר טטרהדרלי.
אטומים זרים חודרים גדולים יכולים גם להתקיים בצורה מפוצלת ביחד עם אטום סריג (על ידי יצירת קשר עמו), בדומה לאטום שמבצע חדירה עצמית.
השפעות אטומי החדירה

פגמי חדירה משנים את התכונות הפיזיקליות והכימיות של חומרים.
לאטומי פחמן חודרים יש תפקיד מכריע במאפיינים והעיבוד של פלדות, במיוחד פלדות פחמן.
ניתן להשתמש בחדירה זרה לאחסון מימן במתכות.
הסריג יכול להתרחב על ידי הגדלת ריכוז האטומים הזרים החודרים.
האמורפיזציה של מוליכים למחצה כגון סיליקון במהלך הקרנת יונים מוסברת לעיתים קרובות על ידי הצטברות ריכוז גבוה של אטומים חודרים המובילים בסופו של דבר לקריסה של הסריג כשהוא הופך ללא יציב.
יצירה של כמויות גדולות של חדירות במוצק יכולה להוביל להצטברות אנרגיה משמעותית, שבשחרורה עלולה אף להוביל לתאונות קשות בסוגים ישנים מסוימים של כורים גרעיניים (אפקט וויגנר). ניתן לשחרר את מצבי האנרגיה הגבוהה על ידי חישול.
בסריגי FCC, לאטומים חודרים עצמיים יש אפקט ריכוך אלסטי גדול המתפרס על החומר.
הוצע כי לאטומים חודרים השפעה על תחילת ההמסה וטמפרטורת המעבר הזכוכיתית.