עקיפת אלקטרונים גבוהי-אנרגיה מוחזרים
הערות שוליים

↑  S. Nishikawa and S. Kikuchi, The Diffraction of Cathode Rays by Calcite, Proceedings of the Imperial Academy 4/8, 1928, עמ' 475-477
↑  S. Kikuchi, Diffraction of Cathode Rays by Mica Part III, Proceedings of the Imperial Academy 4/7, 1928, עמ' 354-356
↑  A. Y. Cho, Morphology of Epitaxial Growth of GaAs by a Molecular Beam Method: The Observation of Surface Structures, J. Appl. Phys. 41/7, 1970, עמ' 2780–2786
↑  E. A. Wood, Vocabulary of surface crystallography, J. Appl. Phys. 35/4, 1964, עמ' 1306-1312
↑  J.J. Harris, B A. Joyce, and P.J. Dobson, Oscillations in the surface structure of Sn-doped GaAs during growth by MBE, Surface Science 103/1, 1981, עמ' L90-L96
↑  C. E.C. Wood, RED intensity oscillations during MBE of GaAs, Surface Science 108/2, 1981, עמ' L441-L443
↑  K.D. Gronwald and M. Henzler, Epitaxy of Si(111) as studied with a new high resolving LEED system, Surface Science 117/1-3, 1982, עמ' 180-187
↑  J. M. Van Hove; C. S. Lent; P. R. Pukite; P. I. Cohen, Damped oscillations in reflection high energy electron diffraction during GaAs MBE, J. Vac. Sci. Technol. B 1/3, 1983, עמ' 741–746
1 2  J. H. Neave, B. A. Joyce, P. J. Dobson and N. Norton, Dynamics of film growth of GaAs by MBE from Rheed observations, Applied Physics A 31, 1983, עמ' 1-8
↑  J. H. Neave, P. J. Dobson, B. A. Joyce and J. Zhang, Reflection high‐energy electron diffraction oscillations from vicinal surfaces – a new approach to surface diffusion measurements, Appl. Phys. Lett. 47/2, 1985, עמ' 100-102
| --- | --- |
בקרת זהויות :  GND: 4295703-5  LCCN: sh88005210 
איור 2: הצגה סכמטית של בניית כדור אוואלד (Ewald sphere construction) ותבנית דיפרקצית RHEED במבט מהצד.
תמונה 1: תבנית RHEED המתקבלת מפני שטח נקיים של TiO2 (110). הקיום של נקודות על פני קשת מצביע על פני שטח חלקים. הקווים הבהירים הישרים שבתמונה הם קווי קִיקִוּצִ'י (אנ').
תמונה 2: תבנית RHHED מפני שטח TiO2 עם זווית קטנה ביחס למישור (110), ולכן היו עליהם מדרגות שגרמו לנקודות העקיפה להתארך לפסים (streaks).
איור 3: סוגים שונים של פני השטח ותבניות ה-RHEED המתקבלות מהם. משמאל: פני שטח חלקים, ותבנית RHEED של כתמים מסודרים על קשת. באמצע: פני שטח מחוספסים או מדורגים, ותבנית RHEED של כתמים מוארכים (streaks). מימין: איים תלת-ממדיים על פני השטח, ותבנית של נקודות מפוזרות.
איור 4: תיאור סכמתי של הרקונסטרוקציה של האטומים שעל פני השטח של מוצק. המיקום והסימטריה של שכבות האטומים על פני השטח (כדורים אדומים) שונה יחסית למקומות של האטומים בצובר (bulk) המוצק (כדורים כחולים). בכיוון המתואר המחזוריות של הכדורים האדומים כפולה מזו של הכחולים. ולכן בכיוון זה הרקונסטרוקציה היא x2. אם בכיוון הניצב לאטומי השטח אותו מיקום כמו בצובר (רקונסטרוקציה x1), אז הרקונסטרוקציה המשטחית הכוללת היא (2x1). זו רקונסטרוקציה אופיינית לפני השטח Si (100), למשל.
איור 5: מבנה תא היחידה של צובר הגביש (עיגולים שחורים) ושל פני השטח שהסתדרו מחדש (רקונסטרוקציה, מעגלים כחולים) והווקטורים שלהם המשמשים בסימון ווד (Wood notation), הניתן בביטוי המתמטי.
איור 6: למעלה: תבניות RHEED סכמתיות כשקרן האלקטרונים בכיוון [110] (משמאל), וכשהיא בכיוון [110-] (מימין), שמתקבלות מפני שטח עם רקונסטרוקציה (2x4), כמוראה למטה. תבנית הצובר מצוינת בעיגולים שחורים, ותבנית פני השטח בעיגולים כחולים. תאי היחידה המשטחיים של הצובר ושל שכבת פני השטח מצוינים על ידי הריבוע השחור והמלבן הכחול, בהתאמה.
תמונה 3: תבנית RHEED מפני שטח Si (111) עם רקונסטרוקציה 7x7. הנקודות בעוצמה גבוהה הן מצובר (bulk) הגביש, והחלשות הן מתא היחידה של הרקונסטרוקציה (האטומים המסודרים מחדש) על פני השטח
איור 7: מודל של תנודות העוצמה של קרן RHEED בזמן הגידול ב-MBE.
וידאו 1: צפייה ורישום של אוסצילציות RHEED במערכת kSA400. בצד שמאל למעלה רואים את תמונת המסך הפלואורסצנטי של מערכת ה-RHEED. בשאר המסכים רואים רישום בזמן אמת של התפתחות התנודות, התאמה על פי קצב גידול מחושב, והעוצמות בזמן אמת.