אפיטקסיית קרן מולקולרית
הערות שוליים

1 2  J. H. Neave, B. A. Joyce, P. J. Dobson and N. Norton, Dynamics of film growth of GaAs by MBE from Rheed observations, Applied Physics A 31, 1983, עמ' 1-8
↑  J. H. Neave, P. J. Dobson, B. A. Joyce and J. Zhang, Reflection high‐energy electron diffraction oscillations from vicinal surfaces – a new approach to surface diffusion measurements, Appl. Phys. Lett. 47/2, 1985, עמ' 100-102
↑  A. Cho, M.B. Panish, and I. Hayashi, Molecular beam epitaxy of GaAs, AlxGa1-xAs and GaP, Proceedings of the Third International Symposium on GaAs and Related Compounds, 1970, עמ' 18-29
↑  J. E. Davey and T. Pankey, Structural and Optical Characteristics of Thin GaAs Films, Journal of Applied Physics 35/4, 1964, עמ' 2203–2209
↑  J. E. Davey and T. Pankey, Epitaxial GaAs Films Deposited by Vacuum Evaporation, Journal of Applied Physics 39/4, 1968, עמ' 1941-1948
↑  K. G. Günther, Aufdampfschichten aus halbleitenden Ill-V-Verbindungen, Zeitschrift für Naturforschung A 13/12, 1958, עמ' 1081-1089 (בגרמנית)
↑  B. A. Joyce, Growth and perfection of chemically-deposited epitaxial layers of Si and GaAs, Journal of crystal growth 3-4, 1968, עמ' 43-59
↑  J. R. Arthur and J. J. LePore, GaAs, GaP, and GaAsxP1-x Epitaxial Films Grown by Molecular Beam Deposition, Journal of Applied Physics 6/4, 1969, עמ' 545-548
↑  J. R. Arthur, Interaction of Ga and As2 Molecular Beams with GaAs Surfaces, Journal of Applied Physics 39/8, 1968, עמ' 4032-4034
1 2  A. Y. Cho, Morphology of Epitaxial Growth of GaAs by a Molecular Beam Method: The Observation of Surface Structures, Journal of Applied Physics 41/7, 1970, עמ' 2780-2786
↑  A. Y. Cho, GaAs Epitaxy by a Molecular Beam Method: Observations of Surface Structure on the (001) Face, journal of Applied Physics 42/5, 1971, עמ' 2074–2081
↑  J. H. Neave and B. A. Joyce, Structure and stoichiometry of {100} GaAs surfaces during molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth 44/4, 1978, עמ' 387—397
1 2  A. Y. Cho, Film Deposition by Molecular-Beam Techniques, Journal of Vacuum Science & Technology 8/5, 1971, עמ' S31–S38
↑  J.J. Harris, B A. Joyce, and P.J. Dobson, Oscillations in the surface structure of Sn-doped GaAs during growth by MBE, Surface Science 103/1, 1981, עמ' L90-L96
↑  C. E.C. Wood, RED intensity oscillations during MBE of GaAs, Surface Science 108/2, 1981, עמ' L441-L443
↑  H. Sakaki, M. Tanaka, and J. Yoshino, One Atomic Layer Heterointerface Fluctuations in GaAs-AlAs Quantum Well Structures and Their Suppression by Insertion of Smoothing Period in Molecular Beam Epitaxy, Japanese Journal of Applied Physics 24/6, 1985, עמ' L417-L420
↑  L. Esaki and R. Tsu, Superlattice and Negative Differential Conductivity in Semiconductors, IBM Journal of Research and Development 14/1, 1970, עמ' 61-65
↑  A. Y. Cho, Growth of Periodic Structures by the Molecular‐Beam Method, Applied Physics Letters 19/11, 1971, עמ' 467–468
↑  L. L. Chang, L. Esaki, W. E. Howard, and R. Ludeke, The Growth of a GaAs–GaAlAs Superlattice, Journal of Vacuum Science & Technology 10/1, 1973, עמ' 11-16
↑  L. L. Chang, L. Esaki, W. E. Howard, R. Ludeke, and G. Schul, Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy, Journal of Vacuum Science & Technology 10/5, 1973, עמ' 655–662
↑  A. Y. Cho and I. Hayashi, Epitaxy of silicon doped gallium arsenide by molecular beam method, Metallurgical Transactions 2/3, 1971, עמ' 777–780
↑  A. Y. Cho and I. Hayashi, P‐N Junction Formation during Molecular‐Beam Epitaxy of Ge‐Doped GaAs, Journal of Applied Physics 42/11, 1971, עמ' 4422–4425
↑  M. Ilegems, Beryllium doping and diffusion in molecular‐beam epitaxy of GaAs and AlxGa1−xAs, Journal of Applied Physics 48/3, 1977, עמ' 1278–1287
↑  A. Y. Cho and J. R. Arthur, Molecular beam epitaxy, Progress in Solid State Chemistry 10/3, 1975, עמ' 157-191
↑  A. Y. Cho and H.C. Casey, Jr., GaAs–AlxGa1−xAs double‐heterostructure lasers prepared by molecular‐beam epitaxy, Applied Physics Letters 25/5, 1974, עמ' 288–290
↑  A. Y. Cho, R. W. Dixon, and H. C. Casey, Jr., Continuous room‐temperature operation of GaAs‐AlxGa1−xAs double‐heterostructure lasers prepared by molecular‐beam epitaxy, Applied Physics Letters 28/9, 1976, עמ' 501–503
↑  W. T. Tsang, F. K. Reinhart, and J. A. Ditzenberger, Very low current threshold GaAs‐AlxGa1−xAs double‐heterostructure lasers grown by molecular beam epitaxy, Applied Physics Letters 36/1, 1980, עמ' 11-14
↑  W. T. Tsang, A graded‐index waveguide separate‐confinement laser with very low threshold and a narrow Gaussian beam, Applied Physics Letters 39/2, 1981, עמ' 134-137
↑  J. J. Coleman, The development of the semiconductor laser diode after the first demonstration in 1962, Semiconductor Science and Technology 27/9, 2012, עמ' 090207
↑  Haruo Tanaka and Masato Mushiage, MBE as a production technology for A1GaAs lasers, Journal of Crystal Growth 111, 1991, עמ' 1043-1046
↑  V.Y. Umansky, Weizmann Institute of Science, Department of Condensed Matter Physics - Molecular Beam Epitaxy for high mobility semiconductor, ‏March 9, 2024
↑  V. Umansky, M. Heiblum, Y. Levinson, J. Smet, J. Nuebler, and M. Dolev, MBE growth of ultra-low disorder 2DEG with mobility exceeding 35 x 106 cm2/V s, Journal of Crystal Growth 311, 2009, עמ' 1658–1661
↑  Surface Science and Nanostructures Laboratory, Last retrieved on March 9, 2024
↑  L. Kornblum, Oxide Electronics Lab, Last retrieved on March10, 2024
↑  [Israel Center for Advanced Photonics (ICAP) https://isorad.co.il/photonic/], Last retrieved on March 9, 2024
↑  SCD Core Technologies, Last retrieved on March 9, 2024
↑  SCD expands capacity with Veeco MBE system, Compound Semiconductor, ‏May 12, 2016
↑  Olga Klin et al., A study of MBE growth-related defects in InAs/GaSb type-II supperlattices for long wavelength infrared detectors, Journal of Crystal Growth 425, 2015, עמ' 54–59
| --- | --- |
בקרת זהויות :  GND: 4170399-6  LCCN: sh85086573 
איור 1: תיאור סכמתי של תא הגידול ב-MBE על רכיביו העיקריים.
תמונה 1: מערכת ה-MBE GENxplor לגידול תחמוצות של הטכניון, חיפה. מצד ימין רואים את תא ההטענה למערכת הוואקום, אליו מחובר מוט אופקי המאפשר הנעה מגנטית של מחזיק המצעים אל תא הגידול, שהוא התא הגדול שמימין לארון האלקטרוניקה (השחור). בתחתית תא הגידול אפשר להבחין בתאי אפוזיה. בצידי תא הגידול ישנם חלונות צפייה, ועל המכסה שלו מצויה מערכת הסיבוב של מחזיק המצעים, וכן רכיבים נוספים. למערכת הוואקום מחובר ספקטרומטר מסות (כמערכת לאנליזה של הגזים השיוריים, RGA), שהצינור המקשר אותה מכוסה בסרט החימום הוורוד.
איור 2: תיאור סכמתי של סוגים שונים של פני השטח, ותבניות ה-RHEED המתקבלות מהם. משמאל: פני שטח חלקים, ותבנית RHEED של כתמים מסודרים על קשת. באמצע: פני שטח מחוספסים או מדורגים, ותבנית RHEED של כתמים מוארכים (streaks). מימין: איים תלת-ממדיים על פני השטח, ותבנית של נקודות מפוזרות.
וידאו 1: צפייה ורישום של אוסצילציות RHEED במערכת kSA400. בצד שמאל למעלה רואים את תמונת המסך הפוספורוסצנטי של מערכת ה-RHEED. בשאר חלקי התצוגה רואים רישום בזמן אמת של התפתחות התנודות, התאמה על פי קצב גידול מחושב, והעוצמות בזמן אמת.
איור 3: תמונת דימות במיקרוסקופ כוח אטומי (AFM) תלת-ממדית (משמאל) של הקצה של על-סריג, והפילוג המתאים של פוטנציאל פני השטח (מימין). העל-סריג התקבל מגידול שכבות דקות מתחלפות של Al0.4Ga0.6As ושל GaAs על מצע GaAs.