ספינטרוניקה
הערות שוליים

↑  Sigma Aldrich, Spintronics
↑  Everspin, MRAM TECHNOLOGY ATTRIBUTES (ארכיון)
↑  ,Barry Hoberman
Crocus Technologies, The Emergence of Practical MRAM (ארכיון)
↑  Mark LaPedus, Tower invests in Crocus, tips MRAM foundry deal, ‏יוני 2009
↑  S. Burg, V. Stukalov, and E. Kogan, On the theory of indirect exchange in EuO, Phys. Status Solidi B 249, John Wiley & Sons, 2012, עמ' 847-853
↑  C. Santos and W. Nolting, Ferromagnetism in the Kondo-lattice model, Phys. Rev. B 65, 2002, עמ' 144419
↑  G. Tang and W. Nolting, Carrier-induced ferromagnetism in diluted local-moment systems, Phys. Rev. B 75, 2007, עמ' 024426
↑  M. Barbagallo, T. Stollenwerk, J. Kroha, N.J. Steinke, N. D. M. Hine, J. F. K. Cooper,
C.H.W.Barnes, A. Ionescu, P. M. D. S. Monteiro, J.Y. Kim, K. R. A. Ziebeck, C. J. Kinane, R.
M. Dalgliesh, T. R. Charlton and S. Langridge, Thickness-dependent magnetic properties of oxygen-deficient EuO, Phys. Rev. B 84, 2011, עמ' 075219
↑  Assadi, M.H.N; Hanaor, D.A.H, Theoretical study on copper's energetics and magnetism in TiO2 polymorphs, Journal of Applied Physics 113, 2013, עמ' 233913
↑  Ogale, S.B, Dilute doping, defects, and ferromagnetism in metal oxide systems, Advanced Materials 22, 2010, עמ' 3125–3155
↑  Hanbicki, A. T.; Jonker, B. T.; Itskos, G.; Kioseoglou, G.; Petrou, A., Efficient electrical spin injection from a magnetic metal/tunnel barrier contact into a semiconductor, Applied Physics Letters 80, 2002, עמ' 1240
↑  Jiang, X.; Wang, R.; Van Dijken, S.; Shelby, R.; MacFarlane, R.; Solomon, G.; Harris, J.; Parkin, S., Optical Detection of Hot-Electron Spin Injection into GaAs from a Magnetic Tunnel Transistor Source, Physical Review Letters 90, 2003, עמ' 256603
↑  Kikkawa, J.; Awschalom, D., Resonant Spin Amplification in n-Type GaAs, Physical Review Letters 80, 1998, עמ' 4313
↑  Jonker, Berend T., Polarized optical emission due to decay or recombination of spin-polarized injected carriers, US patent, 1999, עמ' 5874749
↑  Lou, X.; Adelmann, C.; Crooker, S. A.; Garlid, E. S.; Zhang, J.; Reddy, K. S. M.; Flexner, S. D.; Palmstrøm, C. J.; Crowell, P. A., Electrical detection of spin transport in lateral ferromagnet–semiconductor devices, Nature Physics 3, 2007, עמ' 197
↑  Appelbaum, I.; Huang, B.; Monsma, D. J., Electronic measurement and control of spin transport in silicon, Nature 447, 2007, עמ' 295–298
↑  Žutić, I.; Fabian, J., Spintronics: Silicon twists, Nature 447, 2007, עמ' 268–269
↑  Holub, M.; Shin, J.; Saha, D.; Bhattacharya, P., Electrical Spin Injection and Threshold Reduction in a Semiconductor Laser, Physical Review Letters 98, 2007, עמ' 146603
↑  Van Dijken, S.; Jiang, X.; Parkin, S. S. P., Room temperature operation of a high output current magnetic tunnel transistor, Applied Physics Letters 80, 2002, עמ' 3364 - 3366
↑  Prof. Dr. Tomas Jungwirth
Academy of Sciences, Prague
and
University of Nottingham, [http://www.physik.uni-regensburg.de/aktuell/KollSS14/Kolloquium-Jungwirth.pdf Relativistic Approaches to Spintronics with
Antiferromagnets], ‏מרץ 2014
| --- | --- |
בקרת זהויות :  NLI: 987007534823905171  BNE: XX4879825  BnF: cb15522996z (data)  GND: 7755384-6  LCCN: sh2001003086  NDL: 001137006  NKC: ph1086062 
גרף המציג אוכלוסיות אלקטרונים במוצק בעלי ספין חיובי ("למעלה") ובעלי ספין שלילי ("למטה") וכתוצאה מכך גם את קיטוב הספין. בתוך מזרק ספין, הקיטוב הוא קבוע, ואילו מחוץ למזרק, הקיטוב דועך באופן אקספוננציאלי ל - 0 כאשר אוכלוסיות האלקטרונים בעלי ספין חיובי ("למעלה") ובעלי ספין שלילי ("למטה") מגיעות לשיווי משקל (כל אחד מ-2 המצבים מכיל 50% מאוכלוסיית האלקטרונים הכללית).
שסתום המבוסס על אפקט GMR: שתי שכבות פרומגנטיות (FM) (החצים מצביעים על כיוון המגנטיזציה) וביניהן שכבה שאינה מגנטית (NM). האלקטרונים בעלי ספין חיובי ("מעלה") מתפזרים באופן שונה בשסתום מאשר האלקטרונים בעלי ספין שלילי ("מטה").
שסתום בחיישן ראש קריאה בגאומטריות CIP (ימין) ו - CPP (שמאל).
אדום: אלקטרודות המספקות זרם לחיישן, ירוק וצהוב: שכבות פרומגנטיות ולא מגנטיות בהתאמה. V: הפרש פוטנציאלים.
מבנה מופשט של MRAM
טרנזיסטור מנהור מגנטי