אפיטקסיה
הערות שוליים

↑  Robert Czernecki, Materials: Special Issue "Epitaxial Growth of Semiconductor Materials", mdpi, ‏Retrieved on September 5, 2023
1 2  John E. Ayers et al., Heteroepitaxy of Semiconductors: Theory, Growth, and Characterization 2nd Ed., Boca Raton: CRC Press, Taylor & Francis Gr., 2017
1 2 3  Udo W. Pohl, Epitaxy of Semiconductors: Physics and Fabrication of Heterostructures, Berlin, Germany: Springer, 2020
↑  R.L. Royer, Recherches expérimentales sur l'épitaxie ou orientation mutuelle de cristaux d'espéces différentes, Bull. Soc. Fiamc. Mineral., 51, 1928, עמ' 7
↑  John Rakovan, Epitaxy, Rocks & Minerals 81 (4), 2006, עמ' 317-320
↑  JianJang Huang, Hao-Chung Kuo and Shyh-Chiang Shen (eds.), Nitride Semiconductor Light-Emitting Diodes (LEDs) - Materials, Technologies and Applications, Woodhead, 2014, עמ' 66-98
↑  Arto Aho et al., Wide spectral coverage (0.7–2.2 eV) lattice-matched multijunction solar cells based on AlGaInP, AlGaAs and GaInNAsSb materials, Progress in Photovoltaics: Research and Applications 29 (7), 2021, עמ' 655-884
↑  M. Reddy et al., Demonstration of High-Quality MBE HgCdTe on 8-Inch Wafers, Journal of Electronic Materials 48 (10), 2019, עמ' 6040–6044
↑  A. K. Mallik, Microwave Plasma CVD Grown Single Crystal Diamonds - A Review, Journal of Coating Science and Technology 3 (2), 2016, עמ' 75-99
↑  T.S. Low et al., The role of substrate dislocations in causing infant failures in high complexity InGaP/GaAs HBT ICs, CS MANTECH Conference May 14-17, 2007, עמ' 43
1 2 3  Christopher J.K. Richardson and Minjoo Larry Lee, Metamorphic epitaxial materials, MRS Bulletin 14 March, 2016, עמ' 193
1 2  F. C. Frank and J. H. van der Merwe, One-Dimensional Dislocations. II. Misfitting Monolayers and Oriented Overgrowth, Proceedings of the Royal Society of London. Series A, Mathematical and Physical Sciences 1053, 1949, עמ' 216-225
↑  M. Volmer and A. Weber, Keimbildung in übersättigten Gebilden, Zeitschrift für Physikalische Chemie 119, 1926, עמ' 277
↑  I. N. Stranski and L. Krastanow, [file:///C:/Users/eli%20weiss/Downloads/BF01798103.pdf#page=351 Zur Theorie der orientierten Ausscheidung von Ionenkristallen aufeinander], Monatshefte für Chemie und verwandte Teile anderer Wissenschaften 71, 1937, עמ' 351–364
↑  E. Bauer and H. Poppa, Recent advances in epitaxy, Thin Solid Films 12, 1972, עמ' 167-185
↑  István Daruka and Albert-László Barabási, Dislocation-Free Island Formation in Heteroepitaxial Growth: A Study at Equilibrium, PHYSICAL REVIEW LETTERS 79, 1997, עמ' 3708
1 2  W. K. Burton, N. Cabrera, and F. C. Frank, The Growth of Crystals and the Equilibrium Structure of their Surfaces, Philosophical Transactions of the Royal Society of London. Series A, Mathematical and Physical Sciences 243, 1951, עמ' 299-358
↑  M.A. Herman and H. Sitter, Molecular Beam Epitaxy - Fundamentals and Current Status, Berlin: Springer, 1989
↑  R. Eason Ed., Pulsed Laser Deposition of Thin Films: Applications‐Led Growth of Functional Materials, Hoboken: John Wiley & Sons, 2007
↑  Angus Rockett, The Materials Science of Semiconductors, New York: Springer, 2020, עמ' 573
↑  Makoto Kasu, Diamond epitaxy: Basics and applications, Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials 62 (2), 2016, עמ' 317-328
↑  M. Horita, M. Suzuki, and Y. Matsushima, MOVPE growth of InGaAsP using TBA and TBP with extremely low V/III ratio, Journal of crystal growth 124, 1992, עמ' 123-128
↑  T. Suntola, Atomic layer epitaxy, Materials Science Reports 4, 1989, עמ' 261-312
↑  R.W. Johnson, A. Hultqvist, and S.F. Bent, A brief review of atomic layer deposition: from fundamentals to applications, Materials Today 17 (5), 2014, עמ' 236-246
↑  P.R. Hageman et al., Thick GaN layers grown by hydride vapor-phase epitaxy: hetero- versus homo-epitaxy, Journal of Crystal Growth 255, 2003, עמ' 241–249
↑  E. Varadarajan et al., On the chloride vapor-phase epitaxy growth of GaN and its characterization, Journal of Crystal Growth 260, 2004, עמ' 43–49
↑  M.A. Herman, W. Richter and H. Sitter, Epitaxy - Physical Principles and Technical Implementation, Berlin: Springer, 2004, עמ' 46-62
↑  Morten Jagd Christense, Epitaxy, Thin Films and Superlattices, International Nuclear Information System (INIS), ‏May 1997
↑  H. Asahi and Y. Horikoshi Eds., Molecular Beam Epitaxy - Materials and Applications for Electronics and Optoelectronics, Hoboken, NJ: John Wiley & Sons, 2019
↑  K. Wandelt Ed., Surface and Interface Science: Solid-Solid Interfaces and Thin Films, Wiley-VCH, 2014, עמ' 422-424
↑  P. Malinowski, K. Minoglou and P. De Moor, Extreme ultraviolet imaging with hybrid AlGaN arrays, Compound Semiconductors 17 (1), 2011, עמ' 29-32
↑  K.E. Lee and E.A. Fitzgerald, Metamorphic transistors: Building blocks for hetero-integrated circuits, MRS Bulletin 41, 2016, עמ' 2016
↑  V.Y. Umansky, Weizmann Institute of Science, Department of Condensed Matter Physics - Molecular Beam Epitaxy for high mobility semiconductors, ‏September 22, 2023
↑  A. Cohen et al., Tungsten Oxide Mediated Quasi-van der Waals Epitaxy of WS2 on Sapphire, ACS Nano 17, 2023, עמ' 5399–5411
↑  Israel Center for Advanced Photonics, ‏Retrieved on September 22, 2023
↑  L. Kornblum, Oxide Electronics Lab, ‏Retrieved on September 22, 2023
↑  LUSIX – The industry choice for lab-grown diamonds., ‏Retrieved on September 22, 2023
↑  SCD Core Technologies, ‏Retrieved on September 22, 2023
| --- | --- |
בקרת זהויות :  GND: 4152545-0  LCCN: sh85044462  NKC: ph1086055 
אפיטקסיה של רוטיל על המטיט. Novo Horizonte, Bahia, Northeast Region, Brazil
תיאור סכמטי של שכבה אפיטקסיאלית (עיגולים אדומים) על מצע (עיגולים כחולים). למצע פרמטר סריג (a) קטן יותר מאשר לחומר ממנו עשויה השכבה. פרמטר הסריג של השכבה המגודלת במקביל לממשק מצע-שכבה התכווץ, ואילו זה שבניצב לממשק - התארך.
תיאור סכמטי של שלושת אופני הגידול העיקריים באפיטקסיה: (א) גידול שכבה-אחר-שכבה – פרנק-ון דר מרווה (FM), (ב) גידול שכבת הרטבה ועליה איים תלת-ממדיים – סטרנסקי-קרסטנוב (SK), (ג) היווצרות איים תלת-ממדיים פולמר-וובר (VW). החתכים עבור כל אופן מוצגים עבור מספר כמויות שונות של דרגת כיסוי פני השטח, Θ, במונו-שכבות (ML) אטומיות.
תמונת דימות ממיקרוסקופ מנהור סורק

(5μmx5μm) של פני השטח של שכבת GaSb בעובי 4 מיקרון שגודלה ב-MBE על מצע GaAs (001) סינגולרי. הגידול דמוי ספירלה הוא תוצאה של גידול על הרכיב הבורגי של נקע שהתפשט בשכבה בגלל האי-תאום של 7% בין פרמטרי הסריג של השכבה והמצע. כל "סיבוב" בספירלה הוא בגובה של 0.3 ננומטר, גובה החד-שכבה ב-GaSb.
תיאור סכמטי של תא הגידול ב-MBE על רכיביו העיקריים.
תיאור סכמטי של מערכת לשיקוע שכבות באמצעות PLD.
תיאור סכמטי של מערכת לשיקוע אדים כימי (CVD).
תיאור סכמטי של שיקוע כימי באמצעות פלסמה מפאזת האדים (PECVD).
תיאור סכמטי של מערכת גידול MOCVD.
למעלה: תיאור סכמטי של מבנה השכבות בעל-סריג הבנוי משכבות מתחלפות של GaAs (אפור) ושל AlAs (כתום). למטה: מבנה הפסים של החומר בכיוון הגידול (z) - Ev: הקצה העליון של פס הערכיות, Ec: הקצה התחתון של פס ההולכה, Eg1: הפער האסור של שכבות ה-AlAs ו-Eg2: הפער האסור של שכבות ה-GaAs.