stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
קילשווט
הערות שוליים

↑  נתוני הכפר באתר הלמ"ס ההונגרי
↑  מפקדי האוכלוסין של יהודי הונגריה, 1993
| יישובים במחוז וספרם |
| --- | --- | --- |
| ערי המחוז | וספרם  |  |
| ערים |  אייקה •  בדצ'ונטומאי •  בלטונאלמאדי •  בלטונפירד •  בלטונפיזפה •  בלטונקנשה •  ברהידה •  דווצ'ר •  הרנד •  פאפא •  שימג •  טפולצה •  וארפלוטה •  זירץ |  |
| כפרים | סנטגאל • נמשסאלוק • יאשד • אשקי • אשי • פטפירדה • טש • וילוניה • צ'הבאניה • פרקשגייפי • הלימבה • קישלד • מגיארפולאן • ניראד • אץ' • סץ • אורקוט • וארושלד • אדוריאנהאזה • אגראליה • אפאצטורנה • בורסרצ'ק • צ'גלה • דברון • דובה • איסקאז • קמונד • קרקוסרצ'ק • קרטה • קישברז'ן • קישצ'ס • קישפיריט • קישסלש • קולונטאר • נגיאלאשון • נג'פיריט • נוסלופ • אורוסי • פוסטמישקה • שומלוינה • שומלוסלש • שומלובאשארהיי • שומלובצ'ה •  ויד • טישקוואר • אברהאמהג' • בדצ'ונטרדמיץ • בלטונאדריץ' • בלטונהניה • בלטונרנדש • גיולקסי • הגיישד • הג'מגש • קפולץ' • קאפטלנטוטי • קקוט • קישפאטי • קוואגוארש • קוושקאל • לשנצפלו • לשנצאישטוואנד • לשנצטומאי • מונושטורפאטי • נמשוויטה • רפושקה • רוופילפ • שלפלד • שאשקה • סנטבקאלה • סיגליגט • טליאנדרגד • אוז'ה • ויגאנטפטנד • זלהלאפ • בלטונאקרטיה • בלטונקנשה • בלטונפיזפה • צא'יאג • פלשארש • קיראיסנטאישטוואן • טיהאן • קינגש • ליטר • פפקסי • אלשוארש • אסופה • בלטונאקלי • בלטונצ'יצ'ו •  בלטונספזד • בלטונסלש • בלטונאודווארי • צ'ופק • לובאש • מונוסלו • אובודוואר • ארוונייש • פלוזנק • פצ'יי • סנטאנטלפה • סנטיאקבפה • טגיון • ואסוי • זאנקה • באנד • אפלן • היימאשקר • הארשקוט • הרנד • הידגקוט • מארקו • מנצ'היי • נג'וואז'ון • נמשוואמוש • פולה • שוי • סנטקיראיסבדיה • טוטוואז'ון • וספרמפאיס • ורשטו • אדאסטוול • בקוניאקו • בקונקופאן • בקונפלשקה • בקונשאג • בקונסנטאיוואן • בקונסיץ' • בקונטמאשי • בב • בקאש • צ'וט • דאקה • דברנטה • אג'האזשקסה • גנה • גצ'ה • גיץ • הומוקבדגה • קמנשהגייס • קמנשסנטפטר • קופ • קילשווט • לובאספטונה • מגיארגנץ' • מלומשוק • מרצלגרגיי • מרצלטה • מזלק • מיהאיהאזה • נג'אצ'אד • נג'דם • נג'גיימוט • נג'טבל • נמשגרז'ן • נמטבאניה • נוראפ • ניאראד • פאפדרשקה • פאפקובאצ'י • פאפשלמון • פאפטסר • טקאצ'י • אוגוד • ואניולה • וארקסה • וסר • וינאר • בז'י • בודורפה • צ'אברנדק • דברונץ • גוגאנפה • גייפיקאיאן • הטייפה • הוסטוט • קאפטלנפה • מגייר • נמשהן • ריגאץ' • שימגפראגה • סנטאימרפלווה • אוק • וספרמגלשה • זלארדד • זלגיימרה • זלמגייש • זלסגוואר • בקונבל • בקונאנה • בקוניאוסלופ • בקונסנטקיראי • בורזוואר • צ'סנק • צ'טן • דודר • לוקוט • נגייסטרגאר • אולספלו • פנזשגיור • פורווה • סאפאר |  |
| יישובים בנפת פאפה |
| --- | --- | --- |
| יישובים | פאפה • אדאסטוול • בקוניאקו • בקונקופאן • בקונפלשקה • בקונשאג • בקונסנטאיוואן • בקונסיץ' • בקונטמאשי • בב • בקאש • צ'וט • דאקה • דברנטה • אג'האזשקסה • פרקשגייפי • גנה • גצ'ה • גיץ • הומוקבדגה • קמנשהגייס • קמנשסנטפטר • קופ • קילשווט • לובאספטונה • מגיארגנץ' • מלומשוק • מרצלגרגיי • מרצלטה • מזלק • מיהאיהאזה • נג'אצ'אד • נג'דם • נג'גיימוט • נג'טבל • נמשגרז'ן • נמשסאלוק • נמטבאניה • נוראפ • ניאראד • פאפדרשקה • פאפקובאצ'י • פאפשלמון • פאפטסר • טקאצ'י • אוגוד • ואניולה • וארקסה • וסר • וינאר |  |
קטרינה אסנדרה

| --- | --- |
 לידה:  1580? פאביה, דוכסות מילאנו 
 פטירה:  1618? (בגיל 38 בערך) Lomello, איטליה 
 זרם:  מוזיקת רנסאנס 
 סוגה:  מוזיקה כנסייתית, מוזיקה קלאסית 
 כלי נגינה:  עוגב 
 
קטרינה אסנדרה (באיטלקית: Caterina Assandra; ‏ סביבות 1580–1618), הייתה מלחינה ונזירה בנדיקטית איטלקייה, ילידת פאביה. אסנדרה כתבה מספר ניכר של מוטטים, לטקסטים שאולי כתבה בעצמה, וכן מספר יצירות לעוגב בטבלטורה לעוגב. יצירותיה היו בין הראשונות שנכתבו בסגנון הרומאי במילאנו.
קטרינה אסנדרה למדה אצל בנדטו רה (רג'ו), והמו"ל לומאצו הזכיר את שמה בהקדשה ליצירות ג'ובאני פאולו צ'ימה. היא הייתה נזירה במנזר אגאטה הקדושה בלומלו. ייתכן שקיבלה הכשרה מוזיקלית כהכנה לייעודה העתידי בחיי הדת. ספר המוטטים שלה ששרד עד ימינו הוא "מוטטים לשניים ושלושה קולות", אופוס 2, מילאנו, 1609.
לקריאה נוספת

Robert L. Kendrick. "Caterina Assandra", Grove Dictionary of Music and Musicians|Grove Music Online, ed. L. Macy (accessed February 11 2006), grovemusic.com (subscription access).
Bowers, Jane; Judith Tick. Women Making Music. University of Illinois Press (1986). ISBN 0-252-01470-7
רוברט ל. הנדריק. "קטרינה אסנדרה", מילון גרוב המקוון למוזיקה ומוזיקאים בעריכת ל. מייסי.
ג'יין באוארס; ג'ודית טיק. "נשים יוצרות מוזיקה", הוצאת אוניברסיטת אילינוי (1986).
הערות שוליים

↑  Kendrick, Bowers
| --- | --- |
בקרת זהויות :  BnF: cb140545421 (data)  GND: 102834903  ISNI: 0000 0000 7328 8325  LCCN: n91028076  LNB: 000067327  MusicBrainz: f166aa1b-241c-4f6e-abf5-7b27508b1f2b  NTA: 143933477  SUDOC: 158679857  VIAF: 66865793   WorldCat (עם VIAF): 66865793
קוצ'י (מחוז)

מחוז קוצ'י (ביפנית: Kōchi-ken 高知県) הוא מחוז באי שיקוקו, יפן. בירת המחוז היא העיר קוצ'י.
היסטוריה

עד רסטורציית מייג'י ב-1868 נודע מחוז קוצ'י בשם נחלת טוסה. בתקופת סנגוקו שלט באזור שבט צ'וסוקאבה, שאיחד את האי שיקוקו תחת שליטתו. לאחר קרב סקיגהארה נכבשה הנחלה על ידי טויוטומי הידיושי, שהעניק אותה ליאמאוצ'י קזוטויו, שהקים את עיר הבירה המחוזית קוצ'י. בתקופת אדו הפכה נחלת טוסה לטוסה האן, ועם ביטול שיטת ההאן ב-1871 הפך ההאן למחוז קוצ'י.
גאוגרפיה

מחוז קוצ'י שוכן בדרום מערב האי שיקוקו, ופונה לאוקיינוס השקט בכיוון דרום. הוא גובל במחוז אהימה בצפון-מערב, ובטוקושימה בצפון-מזרח. מבחינת שטח, קוצ'י הוא המחוז הגדול ביותר בשיקוקו, אך בכל האוכלוסייה הקטנה ביותר מבין ארבעת מחוזות האי. המחוז הוא ברובו הררי, מלבד אזורים ספורים סביב הבירה קוצ'י והעיר נקמורה, השוכנות במישור. 7% משטח המחוז מוקדש לפארקים לאומיים.
גאוגרפיה > ערים

במחוז קוצ'י 11 ערים:
צ'סטר הרדינג

| --- | --- |

 לידה:  1 בספטמבר 1792 קונוואי, ארצות הברית 
 פטירה:  1 באפריל 1866 (בגיל 73) בוסטון, ארצות הברית 
 מקום קבורה:  בית קברות ספרינגפילד 
 תחום יצירה:  ציור 
 בן או בת זוג:  Caroline Matilda Woodruff 
 צאצאים:  מרגרט אליוט הרדינג, Horace Harding, Chester Harding Jr., Mary Ophelia Harding, James Harding 
 חתימה:   
 
צ'סטר הרדינג (באנגלית: Chester Harding‏:  1 בספטמבר 1792 – 1 באפריל 1866) היה צייר פורטרטים אמריקאי, הידוע בציוריו של דמויות מפורסמות בארצות הברית ובאנגליה.
ביוגרפיה

הרדינג נולד בקונווי, מסצ'וסטס ב-1 בספטמבר 1792. הוא היה הרביעי מבין שנים עשר ילדים שנולדו לאמו, אוליב (לבית סמית') הרדינג, ולאביו, אבל הרדינג. הוא גדל במדינת ניו יורק, והיה נער בעל גוף חזק. משפחתו עברה לקלדוניה, ניו יורק, כשהיה בן ארבע עשרה, והוא היה צריך לעזור בפרנסת המשפחה.
קריירה

במלחמת 1812 הוא צעד כמתופף עם המיליציה לסנט לורנס. לאחר מכן הוא הפך לרוכל, שומר פונדק וצייר בית, וצייר שלטים בפיטסבורג, פנסילבניה. הוא עבד כצייר שלטים כשנה, כאשר הכיר ציירי פורטרטים נודדים, שהוביל אותו לנסות את אותה אמנות. לאחר שהצליח לצייר דיוקן של אשתו, הוא הקדיש את עצמו בהתלהבות למקצוע.
הוא צייר כמה פורטרטים אחרים בפיטסבורג, ואז נסע לפריז, קנטקי, שם סיים 100 דיוקנאות בחצי שנה במחיר של 25 דולר כל אחד. הוא עשה מספיק כסף כדי לממן לימודים באקדמיה לאמנויות יפות בפנסילבניה בפילדלפיה. לאחר מכן התבסס בסנט לואיס, ובסופו של דבר המשיך דרכו כצייר פורטרטים נודד. באוגוסט 1823 נסע לאנגליה והקים סטודיו בלונדון ובילה שלוש שנים בלימוד וציור. הוא זכה להצלחה רבה, צייר אנשי מלוכה ואצולה, ולמרות היעדר חינוך מוקדם ומעמד חברתי, הוא הפך לחביב בכל המקומות.
עם שובו לארצות הברית בשנת 1826, התיישב בבוסטון, בתחילה התגורר בביקון היל, בוסטון, מסצ'וסטס, במה שנודע בשם בית צ'סטר הרדינג, ציון דרך היסטורי לאומי אשר בימינו שוכנת בו לשכת עורכי הדין בבוסטון. הוא שהה שם עד 1830. בשנת 1845, לאחר מות אשתו, הוא נסע שוב לאנגליה לביקור שני של תשעה חודשים. לאחר שובו התגורר בספרינגפילד, מסצ'וסטס, ובילה את חורפיו לעיתים קרובות בסנט לואיס או בחלק מערי הדרום.[5] בשנת 1828 הוא נבחר לאקדמיה הלאומית לעיצוב כאקדמאי של כבוד.
פורטרטים

הוא צייר דיוקנאות של רבים מהגברים והנשים המפורסמים בתקופתו. בין האנשים שישבו אצלו היו ג'יימס מדיסון, ג'יימס מונרו, ג'ון קווינסי אדמס, ג'ון מרשל, ניקולס בראון, ג'וניור, דאדלי לוויט פיקמן, צ'ארלס קרול, ועוד. הרדינג הוא הצייר הידוע היחידי שצייר את דניאל בון בחיים. עבודתו האחרונה הייתה דיוקנו של האלוף ויליאם ט. שרמן. דיוקנו של דניאל ובסטר הגיע ללשכת עורכי הדין בניו יורק, וג'ון רנדולף לגלריית קורקורן בוושינגטון הבירה.
חיים אישיים

ב-14 בפברואר 1815 התחתן הרדינג עם קרוליין מטילדה וודרוף (1795–1845) בקלדוניה שבמחוז ליווינגסטון, ניו יורק. קרוליין הייתה בתו של ג'יימס וודרוף. יחד הם היו הורים לתשעה ילדים, כולל ארבעה בנים, שניים שנלחמו כל אחד בצד אחר במלחמת האזרחים.
אשתו נפטרה ב-27 באוגוסט 1845 בספרינגפילד, מסצ'וסטס.
הרדינג נפטר בבוסטון ב-1 באפריל 1866, ונקבר בבית העלמין ספרינגפילד בספרינגפילד.
צאצאים

דרך בנו הוראס, הוא היה סבו של ויליאם פ.ג הרדינג (1864–1930), יו"ר הפדרל ריזרב ונשיא בנק הפדרל ריזרב של בוסטון, וצ'סטר הרדינג (1866–1936), המושל של אזור תעלת פנמה בין השנים 1917–1921, אשר בסוף חייו הפך גם לצייר פורטרטים ידוע.
גלריה

דניאל בון
דניאל ובסטר
גברת בלאק
ג'יימס מונרו
הערות שוליים

↑  "Death of Chester Harding" (PDF). The New York Times. 4 April 1866.
↑  "Chester Harding American, 1792 - 1866", www.nga.gov
↑  "Harding, Chester" . Encyclopedia Americana. 1920.
↑  Chisholm, Hugh, ed. (1911). "Harding, Chester" . Encyclopædia Britannica (11th ed.). Cambridge University Press
| --- | --- |
בקרת זהויות :  NLI: 987007369208105171  GND: 121457036  ISNI: 0000 0000 6680 9671  LCCN: n85015083  RKD: 35968  SNAC: w6zw25gk  ULAN: 500031083  VIAF: 22997840   WorldCat (עם VIAF): 22997840
קבל MOS

קַבָּל MOS (ראשי תיבות של Metal Oxide Semiconductor) הוא התקן מוליך למחצה המהווה קבל. מידת הקיבול של ההתקן תלויה במתח המופעל עליו. לקבל חשיבות רבה במיקרואלקטרוניקה, בעיקר משום שהוא לב-ליבו של טרנזיסטור MOSFET, המהווה אבן הבניין של מעבדים מודרניים והתקנים חשובים נוספים. חשיבותו של קבל MOS והשימושיות שלו נובעות מהעובדה שבאמצעותו ניתן להשפיע על התכונות האלקטרוניות של המוליך למחצה, מבלי להעביר דרכו זרם. בנוסף לכך, קבלי MOS מהווים את הבסיס גם להתקני CCD ובסוגים מסוימים של זכרונות פלאש (כחלק מטרנזיסטור).
קבל MOS מכונה לפעמים גם קבל MIS (ראשי תיבות של metal insulator semiconductor), המהווה שם מדויק יותר משום שהמבודד לא חייב להיות תחמוצת (אם כי לרוב זה אכן המקרה). עם זאת השם MOS הוא הנפוץ ביותר עבור ההתקן.
מבנה סכמטי של קבל MOS
מבנה > מוליך למחצה

כפי שניתן להבין משמו של הקבל, הוא בנוי ממצע של מוליך למחצה, עליו מגודלת או שקועה שכבה של מבודד או מבודדים, ועליה מגע מתכתי בעל שטח מוגדר.
בדרך כלל המוליך למחצה מהווה גם את המצע להתקן, והוא לרוב יהיה חד-גבישי. ההתקנים הנפוצים ביותר מבוססים על פרוסה של גביש יחיד של סיליקון.
מבנה > מבודד

שכבה דקה של מבודד מגודלת או שקועה על פני השטח של המוליך למחצה והיא מכונה גם תחמוצת השער (gate oxide), מבודד השער ובתעשייה מקצרים לעיתים לאוקסיד. בהתקנים מודרניים עובי השכבה הוא ננומטרים בודדים בלבד. ברוב המכריע של המקרים המבודד הוא תחמוצת. מראשית ימי שבבי הסיליקון נעשה שימוש בתחמוצת סיליקון (SiO2). תחמוצת זו תפקדה היטב מאז ראשית ימי התקני הסיליקון המסחריים אולם התקדמות הטכנולוגיה והמזעור הבלתי-פוסק של ההתקנים הביאו לדרישות שתחמוצת הסיליקון לא יכלה לעמוד בהן. לאחר למעלה מעשור של מחקר בחומרים בעלי מקדם דיאלקטרי גבוה (High-k dielectrics), חברת אינטל הוציאה לשוק בשנת 2007 את המעבד הראשון בעל תחמוצת שער המבוססת על תחמוצת הפניום.
מבנה > מתכת

המגע מתכתי העליון משוקע על גבי המבודד, ונקרא אלקטרודת השער (gate electrode) או שער. גם כאן השם מטעה משום שבמשך שנים רבות, עד להחלפת תחמוצת הסיליקון נעשה שימוש במוליך למחצה מנוון (degenerately doped), אשר החליף את האלומיניום שהיה נהוג לפניו. מל"מ מנוון הוא מל"מ בעל אילוח כבד כך שרמת פרמי שלו נמצאת בתוך פס ההולכה או פס הערכיות, ויש הקבלה בין חלק מתכונותיו לבין תכונות של מתכת. כאשר הוחלפה תחמוצת הסיליקון היה צורך להחליף גם את אלקטרודת השער בחזרה למתכת (או סגסוגת), בעיקר מסיבות של יציבות תרמית של החומרים.
מבנה > קבל MOS אידיאלי

לצרכים דידקטיים, נהוג לתאר קבל MOS אידיאלי שהוא המודל הפשטני ביותר המאפשר לתאר את אופני הפעולה של הקבל
. מודל זה אינו מציאותי עבור קבלי MOS מעשיים, אך עם זאת, ניתן לגשר על הפער באמצעות תיקונים שהם לעיתים קרובות פשוטים למדי.
במודל של קבל MOS אידיאלי מבצעים את ההנחות הבאות:
המטענים חשמליים במבודד ובממשקים שלו עם המוליך למחצה ועם המתכת הם זניחים.
המלכודות והמצבים האלקטרוניים בפני השטח של המוליך למחצה הם זניחים.
פונקציות העבודה של המתכת ושל המוליך למחצה זהות.
אופני פעולה

קבל ה-MOS פועל בצורות שונות עבור תחומי מתחים שונים שמופעלים עליו.
(הערות: אופן הפעולה של הקבל מתואר כאן עבור מוליך למחצה מסוג P, אולם ההסבר נכון גם עבור מוליך למחצה מסוג N, עם שינויים המתאימים במתחים ובמבנה הפסים.
המצבים השונים יתוארו לפי סדר המתחים הפועלים על השער, החל מערכי מתחים שליליים וכלה בערכי מתחים חיוביים, כאשר המתח אליו נתייחס הוא המתח על הקוטב המתכתי של הקבל, שהפוך בערכו למתח שמופעל על המוליך למחצה.)
אופני פעולה > אקומולציה (Accumulation)

כאשר מופעל מתח שלילי ('ממתח אחורי') על השער, השדה החשמלי שנוצר מושך חורים אל פני השטח של המוליך למחצה, ואלקטרונים יצטברו על פני השטח של המתכת בקרבה למבודד. לחלופין ניתן לתאר זאת בתור כיפוף פסים כלפי מעלה של המל"מ בקרבת המבודד (כאשר רמת פרמי נשארת קבועה), אשר משמעותו שפס הערכיות מתקרב עוד יותר לרמת פרמי, מה שמתבטא בעליה בריכוז החורים על פני השטח של המל"מ.
במצב זה, הגדלה של מתח השער השלילי, תביא להגדלה של כיפוף הפסים מעלה, או להצטברות של יותר חורים בפני השטח של המל"מ (מטען פני שטח) - ולכן הוא נקרא מצב אקומולציה. בתחום זה, הקיבול של ההתקן הוא הקיבול של המבודד, והוא אינו תלוי במתח - בדיוק כמו קבל קונבנציונלי.
אופני פעולה > יישור פסים (Flatband)

כאשר המתח השלילי המופעל על השער קטֵן ומתקרב (או מגיע) לערכים חיובים, במתח מסוים כיפוף הפסים במוליך למחצה יהיה שווה לאפס. כלומר, הפסים במוליך למחצה יהיו ישרים. המתח על השער עבורו הפסים במוליך למחצה הם ישרים נקרא מתח יישור הפסים (Flatband voltage) והוא מסומן VFB.
למתח יישור הפסים יש חשיבות דרסטית בביצועים של התקנים המתבססים על קבל MOS, ובפרט בביצועי טרנזיסטור MOSFET. במודל הפשטני של קבל MOS אידיאלי מתח יישור הפסים הוא בדיוק 0 וולט. בקבל MOS מעשי מתח יישור הפסים תלוי בהפרש פונקציות העבודה בין המתכת לבין המוליך למחצה, בסה"כ המטענים במבודד ובפני השטח שלו, ובצפיפות המלכודות והמצבים בפני השטח של המוליך למחצה.
אופני פעולה > דלדול (Depletion)

עבור מוליך למחצה מסוג P, אם מתח השער הוא חיובי יותר ממתח יישור הפסים, אזי הפסים בקרבת פני השטח של המל"מ יתכופפו כלפי מטה. במילים אחרות, רמת פרמי מתרחקת מפס הערכיות ולכן המל"מ הופך להיות "פחות" מסוג P. המשמעות היא שבקרבת פני השטח של המל"מ יש פחות חורים בהשוואה לגוף המל"מ, כלומר: אזור פני השטח של המל"מ מדולדל מחורים, ולכן תחום המתחים הזה נקרא מִחְסוּר. האזור בו אין חורים נקרא אזור הדלדול (depletion region).
ניתן לראות תהליך זה גם באופן הבא: במתחי שער חיוביים (ביחס למתח יישור הפסים), מצטבר מטען חיובי על השער. בקבל קונבנציונלי המצאות של מטען חיובי על לוח אחד תשרה מטען שלילי על הלוח השני. בקבל MOS עם מל"מ מסוג P, בצד של המל"מ יש בעיקר נושאי מטען חיוביים. המטען החיובי על המתכת "דוחה" את המטענים החופשיים החיוביים במל"מ (החורים) במקום "למשוך" מטענים שליליים. באופן פשטני זהו ההבדל העיקרי בין קבל קונבנציונלי לקבל MOS. האזור בו חסרים חורים נקרא אזור הדלדול. הירידה בריכוז החורים בקרבת פני השטח של המל"מ משמעה שבמצב זה אטומי המאלחים המיוננים (אקספטורים בעלי מטען שלילי עבור מל"מ P) מהווים מטען מרחבי שלילי ונייח (וזאת בניגוד לחורים שהם נושאי מטען ניידים).
ככל שמתח השער החיובי גדל, הפסים של המל"מ בקרבת פני השטח מתכופפים יותר, רמת פרמי מתקרבת למצב האינטרינזי (בקירוב באמצע הפער האסור), יש פחות חורים בקרבה לפני השטח של המל"מ, והעומק של אזור הדלדול גדל עם הגדלת המתח על השער. המטען החיובי על המתכת מתאזן עם המטען השלילי באזור הדלדול, ובכך נשמרת נייטרליות חשמלית (סך-כל המטען על הקבל בשיווי משקל נשאר אפס).
במצב זה הקיבול הכללי הוא סכום בטור של שני קבלים: קבל המבודד (אותו קיבול כמו במצב אקומולציה), ואזור הדלדול מהווה קבל נוסף. בחיבור בטור של קבלים הקיבול הכולל תמיד יהיה קטן מהקיבול הקטן ביותר (בדיוק כמו בחיבור נגדים במקביל). ככל שהמתח החיובי על השער גדל כך גדל עומק אזור הדלדול, הקיבול שלו יורד, ולכן הקיבול הכללי של קבל ה-MOS יורד בצורה חדה. בתחום הדלדול השינויים בקיבול כתלות במתח הם החדים ביותר.
אופני פעולה > היפוך (Inversion)

כאשר מתח השער מספיק גדול, כיפוף הפסים בפני השטח של המוליך למחצה מספיק גדול כך שרמת פרמי חוצה את רמת פרמי האינטרינזית (הנמצאת בקירוב באמצע הפס האסור). במצב כזה, בעקבות גנרציה תרמית, קרוב מאוד לפני השטח יש יותר אלקטרונים מחורים, אף על פי שמדובר במל"מ מסוג P. במילים אחרות: קיים היפוך (אינוורסיה) של סוג נושאי מטען הרוב קרוב מאוד לפני השטח. התכונה הזו מהווה את הבסיס לפעולתו של טרנזיסטור MOSFET. במצב כזה הגדלה של מתח השער לא תגדיל יותר את אזור הדלדול, והמטען יאוזן על ידי נושאי מטען ההיפוך בפני השטח של המל"מ.
אופני פעולה > היפוך חזק (Strong inversion)

היפוך חזק מתחיל בנקודה ספציפית בתחום ההיפוך, בה המרחק של רמת פרמי מרמת פרמי האינטרינזית בפני השטח של המל"מ זהה למרחק שלה רחוק מהצומת, אולם בכיוון ההפוך. במילים אחרות, צפיפות מטען המיעוט (האינוורסיה) בפני השטח של המל"מ זהים לצפיפות נושאים מטען הרוב רחוק מפני השטח של המל"מ. מתח השער בה מתרחש מקרה זה נקרא מתח הסף של טרנזיסטור MOSFET, הנקודה בה הוא מוגדר כ"פתוח". למתח זה חשיבות רבה בתכנון של התקנים ומעגלים. כאשר הקבל נמצא במצב היפוך תחת מתח שער הנמוך ממתח הסף המצב נקרא גם היפוך חלש (weak inversion), וכאשר הוא גבוה ממתח הסף התחום נקרא היפוך חזק.
ראו גם

טרנזיסטור MOSFET
מוליך למחצה מאולח
מיקרואלקטרוניקה
הערות שוליים

↑  High-k dielectrics, English Wikipedia
↑  Physics of Semiconductor Devices, S. M. Sze. New York: Wiley, 1969, ISBN 0-471-84290-7; 2nd ed., 1981, ISBN 0-471-05661-8; 3rd ed., with Kwok K. Ng, 2006
קטר במשחקים האולימפיים לנוער

קטר משתתפת במשחקים האולימפיים לנוער מאז היווסדם באולימפיאדת הנוער סינגפור (2010). קטר החלה להשתתף במשחקי החורף החל מאולימפיאדת הנוער לוזאן (2020). לאורך השנים צברו ספורטאי הנוער הקטרים שלושה מדליות, מהן שתי מדליות זהב, בענף האתלטיקה.
השתתפות במשחקים > אולימפיאדת הנוער סינגפור (2010)

המשלחת הראשונה של קטר למשחקים האולימפיים לנוער הייתה לאולימפיאדת הנוער סינגפור. המשלחת כללה שישה ספורטאים שהתחרו בחמישה ענפי ספורט. המשלחה הגיעה להישגים בענף האתלטיקה, וזכתה במדליית כסף (ריצת 1000 מטר בנים). הנציגים גם התחרו בהתעמלות, קליעה, רכיבה ושחייה.
השתתפות במשחקים > אולימפיאדת הנוער נאנג'ינג (2014)

המשלחת לאולימפיאדת הנוער נאנג'ינג מנתה עשרים ואחת ספורטאים שהתחרו בשבעה ענפים. בניגוד לאולימפיאדת הנוער סינגפור, הנבחרת לא זכתה באף מדליה, הנבחרת הצעירה של קטר בכדוריד הצליחה לעבור את המוקדמות ולהעפיל אל המשחקים האולימפיים אך הגיעה למקום הרביעי בטורניר ולא זכתה במדליה.
מדליות

| --- | --- |
 :  ראו גם – מדליות במשחקים האולימפיים לנוער
ראו גם

קטר במשחקים האולימפיים
קטר במשחקים הפאראלימפיים
| מדינות העולם במשחקים האולימפיים לנוער |
| --- | --- | --- |
| המזרח התיכון | איחוד האמירויות הערביות • איראן • אלג'יריה • בחריין   • הרשות הפלסטינית • טורקיה • ירדן • ישראל • כווית • לבנון • לוב • מצרים • מרוקו • סוריה • עומאן • ערב הסעודית • עיראק  • קטר  • תוניסיה • תימן |  |
| אסיה | אוזבקיסטן • אינדונזיה • אפגניסטן • בהוטן • בנגלדש • ברוניי • הודו • הונג קונג • המלדיביים • הפיליפינים • טאיוואן • הרפובליקה העממית של סין • וייטנאם • טג'יקיסטן • טורקמניסטן • יפן • לאוס • מונגוליה • מזרח טימור • מיאנמר • מלזיה  • נפאל • סינגפור • סרי לנקה • פקיסטן • קוריאה הדרומית • קוריאה הצפונית • קזחסטן • קירגיזסטן • קמבודיה • תאילנד |  |
| אירופה | אוסטריה • אוקראינה • אזרבייג'ן • איטליה • איסלנד • אירלנד • אלבניה • אנדורה • אסטוניה • ארמניה • בולגריה • בוסניה והרצגובינה • בלארוס • בלגיה • גאורגיה • גרמניה • דנמרק  • הולנד • הונגריה • הממלכה המאוחדת • יוון • לוקסמבורג • לטביה • ליטא • ליכטנשטיין • מולדובה • מונטנגרו • מונקו • מלטה • מקדוניה הצפונית • נורווגיה • סן מרינו • סלובניה • סלובקיה • ספרד • סרביה • פולין • פורטוגל • פינלנד • צ'כיה • צרפת • קוסובו • קפריסין • קרואטיה • רומניה • רוסיה • שוודיה • שווייץ |  |
| אפריקה | אוגנדה • אנגולה • אסוואטיני • אריתריאה • אתיופיה • בוטסואנה • בורונדי • בורקינה פאסו • בנין • גאנה • גבון • ג'יבוטי • גינאה • גינאה ביסאו • גינאה המשוונית • גמביה • דרום אפריקה • דרום סודאן • זימבבואה • זמביה • חוף השנהב • טוגו • טנזניה • כף ורדה • ליבריה • לסוטו • מאוריטניה • מאוריציוס • מאלי • מדגסקר • מוזמביק • מלאווי • הרפובליקה המרכז-אפריקאית • ניגריה • ניז'ר • נמיביה • סאו טומה ופרינסיפה • סודאן • סומליה  • סיירה לאון • סיישל • סנגל • צ'אד • קומורו • הרפובליקה של קונגו • הרפובליקה הדמוקרטית של קונגו • קמרון • קניה • רואנדה |  |
| אמריקה | אורוגוואי • איי בהאמה • איי הבתולה של ארצות הברית • איי הבתולה הבריטיים • איי קיימן • אל סלוודור • אנטיגואה וברבודה • אקוודור • ארגנטינה • ארובה • ארצות הברית • בוליביה • בליז • ברבדוס • ברזיל  • ברמודה • ג'מייקה • גואטמלה • גיאנה • גרנדה  • דומיניקה • האיטי • האנטילים ההולנדיים • הונדורס • הרפובליקה הדומיניקנית • ונצואלה • טרינידד וטובגו • מקסיקו • ניקרגואה • סורינאם • סנט וינסנט והגרנדינים • סנט לוסיה • סנט קיטס ונוויס • פוארטו ריקו • פנמה • פרגוואי • פרו • צ'ילה • קובה • קולומביה • קוסטה ריקה • קנדה |  |
| אוקיאניה | אוסטרליה • איי מרשל • איי קוק  • איי שלמה • גואם • ונואטו • טובאלו • טונגה • מיקרונזיה • נאורו • ניו זילנד • סמואה • סמואה האמריקנית • פיג'י • פלאו • פפואה גינאה החדשה • קיריבטי |  |
קטרינה ויט

קטרינה "קטי" ויט (בגרמנית: Katarina "Kati" Witt, נולדה ב-3 בדצמבר 1965) היא מחליקה על הקרח בעבר ממזרח גרמניה. היא פעמיים ברציפות אלופה אולימפית (סרייבו 1984 וקלגרי 1988), 4 פעמים אלופת עולם (1984, 1985, 1987 ו-1988), פעמים סגנית אלופת עולם (1982 ו-1986) ו-6 פעמים ברציפות אלופת אירופה (1983–1988) בהחלקה אמנותית על הקרח ביחידות, חמישה עשורים אחרי הישג זהה שקבעה סוניה הני מנורווגיה.
ויט נחשבת לאחת המחליקות הקרח האמנותי המצליחות בכל הזמנים.
ביוגרפיה

ויט נולדה בשטקן פרבר של ברלין. אמה עבדה בבית חולים כפיזיותרפיסטית ואביה עבד כחוואי. היא למדה בבית ספר לספורטאים מחוננים בקרל-מרקס-שטאדט.
ויט החלה להתאמן בהדרכתה של יוטה מילר בשנת 1977. היא התאמנה שבע שעות ביום שישה ימים בשבוע. בהיותה בת 14 היא השתתפה לראשונה באליפות אירופה בהחלקה אמנותית בתחרויות ליחידות וסיימה במקום 14.
בשנת 1982 זכתה ויט במדליות הראשונות שלה בתחרויות הבינלאומיות. היא זכתה במדליות כסף הן באליפות אירופה בהחלקה אמנותית על הקרח שנערכה בליון שבצרפת בתחילת פברואר והן באליפות העולם בהחלקה אמנותית על הקרח שנערכה בקופנהגן שבדנמרק בתחילת מרץ.
תארים והישגים

בשנת 1984 זכתה ויט בתואר ספורטאית השנה במזרח גרמניה.
תוצאות

| תחרויות בינלאומיות> אירוע | תחרויות בינלאומיות> 1978–79 | תחרויות בינלאומיות> 1979–80 | תחרויות בינלאומיות> 1980–81 | תחרויות בינלאומיות> 1981–82 | תחרויות בינלאומיות> 1982–83 | תחרויות בינלאומיות> 1983–84 | תחרויות בינלאומיות> 1984–85 | תחרויות בינלאומיות> 1985–86 | תחרויות בינלאומיות> 1986–87 | תחרויות בינלאומיות> 1987–88 | תחרויות בינלאומיות> 1993–94 |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| אולימפיאדת החורף |  |  |  |  |  | מקום 1 |  |  |  | מקום 1 | מקום 7 |
| אליפות העולם |  | מקום 10 | מקום 5 | מקום 2 | מקום 4 | מקום 1 | מקום 1 | מקום 2 | מקום 1 | מקום 1 |  |
| אליפות אירופה | מקום 14 | מקום 13 | מקום 5 | מקום 2 | מקום 1 | מקום 1 | מקום 1 | מקום 1 | מקום 1 | מקום 1 | מקום 8 |
תחרויות לאומיות
| מזרח גרמניה | מקום 3 | מקום 2 | מקום 1 | מקום 1 | מקום 1 | מקום 1 | מקום 1 | מקום 1 | מקום 1 | מקום 1 |  |
| גרמניה |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  | מקום 2 |
קימסוג'ה

| --- | --- |

"כובסת", הודו 2007
 לידה:  1957 (בת 67 בערך) דאיגו, קוריאה הדרומית 
 שם לידה:  Kim Soo-ja 
 מקום לימודים:  Hongik University 
 תחום יצירה:  אמנות מושגית 
 זרם באמנות:  אמנות מושגית 
 פרסים והוקרה:  Anonymous Was A Woman Award (2002)  מלגת גוגנהיים (2013)  לי בינג-צ'ול 
 www.kimsooja.com
 
קימסוג'ה (בקוריאנית: 김수자; נולדה ב-1957, טגו, קוריאה הדרומית) היא אמנית שייצגה את קוריאה הדרומית בבינאלה בוונציה ב-2013 ובביאנלה של סאו-פאולו ב-1998 והציגה את עבודותיה במומה ניו יורק ומוזיאונים מובילים נוספים. בין עבודותיה: ציור, פיסול, וידאו-ארט, ארכיטקטורה ומייצג.
שמה המקורי הוא קים סו-ג'ה (בהתאם לסדר המקובל בקוריאה, קים, שם המשפחה, מופיע קודם לשם הפרטי). ב-2003 שינתה את שמה למילה אחת מתוך רצון לטשטש מיניות, מצב משפחתי וזהות תרבותית. באותה שנה הקדישה לכך עבודה - "שם במילה אחת הוא שם אנרכיסטי".
למדה ציור מערבי באוניברסיטת הונגיק בסיאול והקדישה את העשור הראשון אחר לימודיה ליצירת עבודות תלת־ממדיות בהשראת לוצ'יו פונטנה (אסמבלאז' שנמנע מהדו-ממדיות המקובלת של הציור). בשנות ה-90 החלה ליצור פסלים המבוססים על מוטיבים תרבותיים קוריאנים דוגמת חבילות בגדים שייצגו מחד את ההגירה והגלות שהן חלק מההיסטוריה הקוריאנית המודרנית וכן מבטאים פעילות נשית.
"אישה מחט", עבודתה המוכרת ביותר של קימסוג'ה היא שתי סדרות של צילומי וידאו-ארט בו נראית האמנית בגבה למצלמה בערים שונות בעולם (לרבות ירושלים בסדרת הצילומים השנייה מ-2005). כל הצילומים נעשים בזווית והעמדה זהות, תוך שימוש בספקטרום האור המסורתי הקוריאני, האובנגסק (오방색) שבו כחול מייצג את המזרח, אדום - דרום, צהוב - מרכז, לבן - מערב ושחור - צפון. קימסוג'ה עושה שימוש נרחב באובנגסק ומשמעויות השונות שלו בהתאם לתרבות הקוריאנית.
סדרות נוספות דוגמת "אישה כביסה" ו"אישה מראה" היו פיתוח על הרעיון המקורי של "אישה מחט", כאשר הרקע העירוני מוחלף ברקע אחר. העיקרון הבסיסי הוא עקרון היעדר הניידות של האישה ושאיפת האמנית לבטא קביעות מול תלישות, אופקיות מול אנכיות ואת תנועות התפירה: קדימה ואחורה.
חלק נרחב מעבודותיה של קימסוג'ה הן מבוססות מקום וכוללות שימוש נרחב באובנגסק ריצוף במראות, מבני זכוכית ונברשות לוטוס. דוגמאות לעבודות ידועות הן המיצג בפלציו דה קריסטל במדריד ב-2006, והביתן הדרום-קוריאני בביאנלה בוונציה.