ננואלקטרוניקה
הערות שוליים

1. "MEMS Overview". Retrieved 2009-06-06.
2. Melosh, N.; Boukai, Abram; Diana, Frederic; Gerardot, Brian; Badolato, Antonio; Petroff, Pierre & Heath, James R. (2003). "Ultrahigh density nanowire lattices and circuits". Science 300 (5616): 112–5. Bibcode:2003Sci...300..112M.doi:10.1126/science.1081940. PMID12637672.
3. Das, S.; Gates, A.J.; Abdu, H.A.; Rose, G.S.; Picconatto, C.A. & Ellenbogen, J.C. (2007). "Designs for Ultra-Tiny, Special-Purpose Nanoelectronic Circuits". IEEE Trans. on Circuits and Systems I 54 (11): 11. doi:10.1109/TCSI.2007.907864.
4. Goicoechea, J.; Zamarreñoa, C.R.; Matiasa, I.R. & Arregui, F.J. (2007). "Minimizing the photobleaching of self-assembled multilayers for sensor applications". Sensors and Actuators B: Chemical 126 (1): 41–47.doi:10.1016/j.snb.2006.10.037.
5. Petty, M.C.; Bryce, M.R. & Bloor, D. (1995). An Introduction to Molecular Electronics. London: Edward Arnold. 0-19-521156-1.
6. Aviram, A. (1988). "Molecules for memory, logic, and amplification". Journal of the American Chemical Society 110 (17): 5687–5692. doi:10.1021/ja00225a017.
7. Postma, Henk W. Ch.; Teepen, Tijs; Yao, Zhen; Grifoni, Milena & Dekker, Cees (2001). "Carbon nanotube single-electron transistors at room temperature".Science 293 (5527): 76–79. Bibcode:2001Sci...293...76P.doi:10.1126/science.1061797. PMID11441175.
8. Xiang, Jie; Lu, Wei; Hu, Yongjie; Wu, Yue; Yan; Hao & Lieber, Charles M. (2006). "Ge/Si nanowire heterostructures as highperformance field-effect transistors". Nature441 (7092): 489–493. Bibcode:2006Natur.441..489X. doi:10.1038/nature04796.PMID16724062.
9. Waldner, Jean-Baptiste (2007). Nanocomputers and Swarm Intelligence. London:ISTE. p. 26. 1-84704-002-0.
10. Jensen, K.; Jensen, K.; Weldon, J.; Garcia, H. & Zettl A. (2007). "Nanotube Radio". Nano Lett. 7 (11): 3508–3511. Bibcode:2007NanoL...7.3508J.doi:10.1021/nl0721113. PMID17973438.
11. Tian, Bozhi; Zheng, Xiaolin; Kempa, Thomas J.; Fang, Ying;Yu, Nanfang; Yu, Guihua; Huang, Jinlin & Lieber, Charles M. (2007). "Coaxial silicon nanowires as solar cells and nanoelectronic power sources". Nature 449 (7164): 885–889.Bibcode:2007Natur.449..885T. doi:10.1038/nature06181. PMID17943126.
12. "Power from blood could lead to 'human batteries'". Sydney Morning Herald. August 4, 2003. Retrieved 2008-10-08.
13. Saito, S. (1997). "Carbon Nanotubes for Next-Generation Electronics Devices".Science 278 (5335): 77–78. doi:10.1126/science.278.5335.77.
14. Cavalcanti, A.; Shirinzadeh, B.; Freitas Jr, Robert A. & Hogg, Tad (2008)."Nanorobot architecture for medical target identification". Nanotechnology 19 (1): 015103(15pp). Bibcode:2008Nanot..19a5103C. doi:10.1088/0957-4484/19/01/015103.
15. Cheng, Mark Ming-Cheng; Cuda, Giovanni; Bunimovich, Yuri L; Gaspari, Marco; Heath, James R; Hill, Haley D; Mirkin,Chad A; Nijdam, A Jasper; Terracciano, Rosa; Thundat, Thomas & Ferrari, Mauro (2006). "Nanotechnologies for biomolecular detection and medical diagnostics". Current Opinion in Chemical Biology 10 (1): 11–19. doi:10.1016/j.cbpa.2006.01.006. PMID16418011.
16. Patolsky, F.; Timko, B.P.; Yu, G.; Fang, Y.; Greytak, A.B.; Zheng, G. & Lieber, C.M. (2006). "Detection, stimulation, and inhibition of neuronal signals with high-density nanowire transistor arrays". Science 313 (5790): 1100–1104.Bibcode:2006Sci...313.1100P. doi:10.1126/science.1128640.PMID16931757.
17. Cavalcanti, A.; Shirinzadeh, B.; Zhang, M. & Kretly, L.C. (2008). "Nanorobot Hardware Architecture for Medical Defense". Sensors 8 (5): 2932–2958.doi:10.3390/s8052932.
18. Couvreur, P. & Vauthier, C. (2006). "Nanotechnology: intelligent design to treat complex disease". Pharm. Res. 23 (7): 1417–1450. doi:10.1007/s11095-006-0284-8. PMID16779701.
19. Gerasimenko N., Parkhomenko Yu. Silicon as material for nanoelectronics (in Russian). — Мoscow: Mir Materialov i Tekhnologijj, Tekhnosfera, 2007. — 352 pp.
↑  MEMS Overview, Retrieved 2009-06-06
↑  Melosh, N.; Boukai, Abram; Diana, Frederic; Gerardot, Brian; Badolato, Antonio; Petroff, Pierre & Heath, James R, Ultrahigh density nanowire lattices and circuits, Science 300, 2003, עמ' 112
| --- | --- |
בקרת זהויות :  BnF: cb160509502 (data)  GND: 4732034-5  LCCN: sh2006009047  NKC: ph138052 
השוואה של יכולות מיזעור גודל המאפיין המינימלי בטרנזיסטורים כתלות בשנים שחלפו.

מתחת לציר ה-X מצוינים גדלים ביולוגיים אקוויוולנטים להמחשת הגדלים השונים.
גרף המתאר את שטח הפנים (A) כתלות בנפח (V) של גופים שונים.
טרנזיסטור מסוג צומת דו-קוטבית של אלקטרונים-חורים-אלקטרונים, או NPN.
הדמיית מיקרוסקופ סורק-אלקטרונים של ננוחוט אפיטקסיאלי במבנה-הטרו.
דוגמה למבנה ממשפחת הפולרנים, Buckminsterfullerene C60 הידוע גם בשם Buckyball.
צורת הארגון של מיקרוסקופ כוח-אטומי.
סכמת טרנזיסטור אלקטרון-יחיד, או SET.
תיאור לאפקט התהודה הפלסמונית על ידי ננוחלקיקי זהב כזהב קולוידי (כזה שחלקיקיו הבלתי ניתנים להמסה ברמה מיקרוסקופית, מושהים בחומר אחר).
מבנה של ננו תא זיכרון, Nano-RAM.
מבנה של תא MRAM מופשט.