Loisteaine
Loisteaineen huononeminen

Monien loisteaineiden säteilyteho pienenee vähitellen monista syistä. Aktivaattoreiden valenssi voi muuttua (yleensä hapettumisen vuoksi), kidehila hajota, atomit (usein aktivaattorit) diffundoitua aineen läpi, pinnalla voi tapahtua kemiallisia reaktioita ympäristön kanssa, minkä seurauksena säteilyteho pienenee tai pinnalle muodostuu joko poistuvaa tai säteillyttä energiaa absorboiva kerros.
Elektroluminesenssilaitteiden huononeminen riippuu käyttövirran taajuudesta, luminanssitasosta ja lämpötilasta; myös kosteus lyhentää loisteaineen käyttöikää merkittävästi.
Kovemmat veteen liukenemattomat aineet, joilla on korkea sulamispiste, eivät yhtä herkästi menetä luminesenssiaan käytön aikana.
Esimerkkejä:
Plasmanäytöissä käytettävä BaMgAl10O17:Eu2+-loisteaine (BAM) altistuu seostusaineen hapettumiselle pakkaamisen aikana. Tähän liittyy kolme mekanismia: happiatomien imeytyminen kiteen pinnan hapen tyhjiin sijoihin, Eu(II):n diffuusio johtavaa kerrosta myöten ja elektroninsiirto Eu(II):sta absorboituneisiin happiatomeihin, mikä johtaa Eu(III):n muodostumiseen, jolloin emissiivisyys vastaavasti vähenee. Ohut pinnoite alumiinifosfaattia tai lantaani(III)fosfaattia on tehokas tapa luoda vallikerros, joka estää hapen pääsyn BAM-loisteaineeseen, mutta se heikentää loisteaineen tehokkuutta. Vedyn additio, joka toimii pelkistimenä, plasmanäytön argoniin pidentää merkittävästi BAM:Eu2+loisteaineen kestoikää pelkistämällä Eu(III)-atomit takaisin Eu(II)-atomeiksi.
Y2O3:Eu-loisteaineet muodostuvat epä-fosforesenssiseksi kerrokseksi pinnalle, kun niitä pommitetaan elektroneilla ja mukana on happea. Tällöin elektroniaukkoparit jälleenyhtyvät säteilemättä pinnan tilojen kautta.
ZnS:Mn, jota käytetään vaihtovirtaohutkalvoelektroluminesenssilaitteissa (ACTFEL), heikkenee pääosin syvän tason loukkujen muodostumisen johdosta, kun vesimolekyylit reagoivat seostusaineen kanssa; loukut toimivat säteilyttömän jälleenyhtymisen keskuksina. Loukut vahingoittavat myös kidehilaa. Loisteaineen vanheneminen johtaa laskevaan kirkkauteen ja kasvaneeseen kynnysjännitteeseen.
Kuvaputki- ja kenttäemissionäytöissä käytettävät sinkkisulfidiin perustuvat loisteaineet heikkenevät pinnan viritystilan, coulombisen vahingon, sisäisen sähkövarauksensa ja lämpökarkaisun vuoksi. Pinnan elektronien kiihdyttämät reaktiot ovat suoraan yhteydessä kirkkauden menetykseen. Elektronit hajottavat ympäristönsä epäpuhtauksia, sitten reaktiivinen happi hyökkää pinnalle ja muodostaa hiilimonoksidia, hiilidioksidia, hiilijäämiä, säteilemätöntä sinkkioksidia ja sinkkisulfaattia. Reaktiivinen vety poistaa rikin pinnalta muodostaen vetysulfidia ja säteilemättömän sinkkikerroksen. Rikki voi poistua myös rikkioksideina.
ZnS ja CdS -loisteaineet heikkenevät metalli-ionien sieppaamien elektronien aiheuttaman pelkistymisen vuoksi. M2+-ionit pelkistyvät M+:ksi, sitten kaksi M+:aa vaihtavat elektronin ja muodostavat M2+:n ja neutraalin atomin. Pelkistyneen metallin voi nähdä loisteaineen kerroksen tummentumana. Tummentuma (ja kirkkauden menetys) on verrannollinen loisteaineen elektroneille altistumiselle, ja sen voi havaita joiltakin kuvaputkilta, jotka ovat näyttäneet samaa kuvaa (esim. päätteen kirjautumisruutua) pitkän aikaa.
Europium(II)-seostetut alkaliset maa-aluminaatit heikkenevät värikeskusten muodostumisen vuoksi.
Y2SiO5:Ce3+ heikkenee Ce3+-ioneiden luminesenssikadon vuoksi.
Zn2SiO4:Mn (P1) heikkenee elektronipommituksen aiheuttaman hapen desoption takia.
Oksidiloisteaineet voivat heiketä nopeasti fluoridi-ionien läsnä ollessa. Niitä on jäänyt jäljelle, kun sulate on poistettu loisteainesynteesistä.
Löyhästi pakatut loisteaineet, esim. kun silikageelin ylijäämä (muodostunut kaliumsilikaatin sideaineesta) on nykytasoa, ovat taipuvaisia ylikuumenemaan paikallisesti, koska niiden lämmönjohtavuus on huono. Esim. InBO3:Tb3+ on altis heikkenemisen kiihtymiselle korkeissa lämpötiloissa.