شیمی طرح‌نگاری نوری
پوشش چرخشی

چهار پارامتر اساسی در پوشش اسپین دخیل هستند: ویسکوزیته محلول، محتوای جامد (دانسیته)، سرعت زاویه ای و زمان چرخش. طیف وسیعی از ضخامت ها را می توان با پوشش اسپین به دست آورد. معمولاً ضخامت ها از 1 تا 200 متغیر است میکرومتر ویژگی های اصلی که بر ضخامت فیلم تأثیر می گذارد ویسکوزیته و سرعت چرخش است. هر چه حلال چسبناک تر باشد، لایه غلیظ تر خواهد بود و هر چه ویفر سریعتر چرخانده شود، لایه نازک تر خواهد بود. با دستکاری این دو عامل، محدوده ضخامت های مختلف امکان پذیر است.
چگالی و ویسکوزیته هر دو به خواص واقعی مقاومت نوری مربوط می شوند. این پارامتر را می توان با رقیق کردن نور مقاوم و افزودن اجزای مختلف به آن برای تغییر خواص آن دستکاری کرد. سرعت و زمان زاویه ای مربوط به پوشش چرخشی و سرعت چرخش و مدت زمان آن است.
یکی از مسائل رایج در پوشش اسپین، "مهره شدن" حلال در لبه ویفر سیلیکونی است. فرآیندی به نام شستشوی پشتی معمولاً برای چرخاندن این مهره از ویفر استفاده می شود. با برنامه‌ریزی چندین سرعت چرخش مختلف در دستگاه پوشش اسپین، ضخامت حلال را می‌توان بدون «مجوبه‌سازی» در لبه‌ها یکنواخت کرد.
پوشش دهی دورانی یا اسپین کوتینگ Spin coating روشی رایج، در علوم و مهندسی، برای نشاندن لایه‌های نازک و یکنواخت مواد بر روی یک زیرساخت مسطح است. در این روش معمولاً از یک ماده محلول مانند لاک نوری‌ برای لایه زنی استفاده می شود. برای انجام پوشش به روش چرخشی، ابتدا مایعی از ماده مورد پوشش بر سطح زیرلایه و در مرکز زیر لایه پاشیده می شود. سپس زیر لایه تا رسیدن به سرعت خاصی که مورد نظر است شتاب دورانی داده می شود. زیر لایه بر روی صفحه دواری که قابل چرخیدن است قرار می گیرد و به وسیله اعمال یک خلاء ناچیز به آن می چسبد. با این کار مایع یا سیال بر سطح زیرلایه دفع می شود و به عبارتی این روش مبتنی بر نیروی گریز از مرکز است. در مرحله بعد زیر لایه با سرعت ثابتی می چرخد و نیروهای چسبنده سیالات موجب یک لایه نازک بر سطح زیرلایه می شوند. در این مرحله اگر سیال دارای حلال فرار باشد این حلال بخار می شود و لایه نازک پوشش بر سطح زیر لایه باقی می ماند. پس از خشک شدن لایه، ماده پوشش بر روی زیر لایه تولید شده است. در این روش عواملی همچون چسبندگی محلول، سرعت زاویه ای چرخش زیرلایه، زمان چرخش و برخی عوامل دیگر نقش اساسی دارند. به عنوان نمونه چنانچه سرعت چرخش بیش از حد زیاد باشد لایه بسیار نازک خواهد شد و از طرفی لایه بسیار نازک می تواند بیانگر زمان زیاد چرخش باشد و باید آن را کاهش داد. درست عکس این مطالب نیز برای لایه های ضخیم صادق است و بنابر این باید زمان و سرعت را با توجه به میزان چسبندگی و سطح زیر لایه و جنس زیرلایه به درستی انتخاب نمود. کاربردها: روش پوشش دورانی معمولاً برای لاک زدن روی قرص‌های زیر ساخت در صنعت میکروالکترونیک و فناوری میکرو استفاده می‌شود. ضخامت لابه ایجاد شده به گرانروی لاک نوری، سرعت دورانی، شتاب و طول زمان چرخش وابسته‌است. در میکروالکترونیک ضخامت‌هایی در حدود چند میکرو متر و کمتر مرسومند زیرا که لاک نوری فقط به عنوان یک پوشش محافظ یا پوشش قربانی استفاده می‌شود و ساختار اصلی روی خود متن کوچکقرص قرار می‌گیرد. ولی در فناوری میکرو بعضاً ساختارهایی از جنس خود لاک تولید می‌شود که در آن نیاز به ایجاد لایه‌های ضخیم تر وجود دارد. از دیگر کاربردهای این روش می‌توان از لایه نشانی انواع مواد آلی و شیمیایی، لایه‌نشانی انواع سل ژل، یا پوشش رنگ نام برد.
اگرچه پوشش اسپین محدودیت های خود را دارد. در حال حاضر مهندسان و دانشمندان در حال کار بر روی کشف راه بهتری برای اعمال نور مقاوم به بستر یک ویفر سیلیکونی هستند. پوشش اسپین می تواند منجر به مشکلات توپوگرافی ویفر مانند بسترهای غیر گرد، زیرلایه های بزرگ، بسترهای شکننده و مصرف مواد شود. یکی از راه‌حل‌های بالقوه برای این مسئله، اسپری کردن فتوریست روی سطح است. با پاشیدن فتوریست بر روی سطح ویفر بر خلاف پوشش چرخشی فتورزیست، مقدار زیادی فوتوریست ذخیره می شود و می توان قطعات کوچکتر و دقیق تری ساخت. پوشش اسپری هنوز در مرحله توسعه است و تحقیقات بیشتری باید انجام شود تا مقرون به صرفه و کاربردی باشد.
تشکیل شمش سیلیکون با استفاده از فرآیند
چهره های کریستالی کریستال سیلیکون
شماتیک یک قطره مایع روی یک سطح جامد، که امکان توضیح بیشتر معادله رابطه یانگ را فراهم می کند.
درمان یک ویفر سیلیکونی با HMDS، برای آبگریز کردن ویفر سیلیکونی.
ترکیب شیمیایی هگزامتیل سیلازان
تصویر سه بعدی HMDS