میکرواسکنر
اصول محرک

نیروهای هدایتی مورد نیاز برای حرکت آینه را می‌توان با اصول فیزیکی مختلف تأمین کرد. در عمل، اصول مربوط به هدایت چنین آینه ای اثرات الکترومغناطیسی، الکترواستاتیک، ترموالکتریک و پیزوالکتریک است. از آنجا که این اصول فیزیکی مزایا و معایب متفاوتی دارند، اصل عملکردی با توجه به کاربرد انتخاب می‌شود. به‌طور خاص، راه حل‌های مکانیکی مورد نیاز برای اسکن رزونانسی با اسکن شبه-استاتیک بسیار تفاوت دارد. محرک‌های ترموالکتریک برای اسکنرهای تشدید فرکانس بالا قابل استفاده نیستند، اما سه اصل دیگر را می‌توان در طیف کاملی از کاربردها به کار برد.
برای اسکنرهای رزونانسی، یکی از تنظیماتی که اغلب استفاده می‌شود، عملکرد غیر مستقیم است. در عملکرد غیر مستقیم، یک حرکت کوچک در یک جرم بزرگتر، با یک حرکت بزرگ در یک جرم کوچکتر (آینه) از طریق تقویت مکانیکی در یک حالت شکلی مطلوب همراه می‌شود. این کار، برخلاف هدایت کننده مستقیم رایج تر است که در آن مکانیزم محرک، آینه را مستقیماً حرکت می‌دهد. عملکردهای غیر مستقیم بر روی محرک‌های الکترومغناطیسی، الکترواستاتیکی، و همچنین پیزوالکتریک اجرا شده‌اند. اسکنرهای پیزوالکتریک موجود با استفاده از عملکرد مستقیم کارآمدتر هستند.
محرک‌های الکترواستاتیکیف توان بالایی مشابه عملکردهای الکترومغناطیسی ارائه می‌دهند. برخلاف عملکردهای الکترومغناطیسی، نیروی محرکه حاصله بین ساختارهای محرک نمی‌تواند در قطبیت معکوس شود. برای تحقق مولفه‌های شبه-استاتیک با جهت مؤثر مثبت و منفی، دو هدایت کننده، با قطب مثبت و منفی مورد نیاز است. به عنوان یک قاعده کلی، هدایت کننده‌ها با دندانه عمودی در اینجا مورد استفاده قرار می‌گیرند. با این وجود، ویژگی‌های غیر خطی بالای محرک در برخی از قسمت‌های ناحیه انحراف می‌تواند مانعی برای کنترل صحیح آینه باشد. به همین دلیل، امروزه تعداد زیادی از میکرواسکنرهایِ بسیار توسعه یافته، از حالت رزونانسی استفاده می‌کنند که در آن، مد ویژه فعال می‌شود. عملکرد رزونانسی، بیشترین بازده انرژی را دارد. برای تعیین موقعیت پرتو و کاربردهایی که قرار است توسط استاتیک فعال شوند یا اسکن-خطی شده شوند، درایوهای شبه-استاتیک مورد نیاز هستند و بنابراین بسیار مورد توجه هستند.
محرک‌های مغناطیسی، خطی سازی بسیار خوبی از زاویه انحراف در حرکت عمودگرد (تیلت) در مقابل دامنه سیگنال اعمال شده، هم در عملکرد استاتیکی و هم در عملکرد دینامیکیایجاد می‌کنند. اصول کار، این است که یک سیم پیچ فلزی روی آینه MEMS متحرک قرار گرفته و زمانی که آینه، در میدان مغناطیسی قرار می‌گیرد، جریان متناوب در سیم پیچ، نیروی لورنتس ایجاد می‌کند. این نیرو، آینه را زاویه‌دار وکرده و حرکت عمود گرد (تیلت) ایجاد می‌کند. از محرک مغناطیسی می‌توان برای فعال کردن آینه‌های MEMS یک بعدی یا دو بعدی استفاده کرد. یکی دیگر از ویژگی‌های آینه MEMS که به صورت مغناطیسی فعال می‌شود، نیاز آن به ولتاژ پایین است (زیر ۵ ولت) که باعث می‌شود این فعال سازی با ولتاژ استاندارد CMOS سازگار باشد. یکی از مزیت‌های این نوع فرایند تحریکی این استکه رفتار MEMS بر خلاف آینه‌های MEMS فعال الکترواستاتیکی، پسماند ایجاد نمی‌کند. این موضوع هدایت آن را بسیار ساده می‌کند. مصرف برق آینه‌های MEMS که به صورت مغناطیسی فعال می‌شوند می‌تواند تا حتی به اندازهٔ ۰٫۰۴ میلی وات، پایین باشد.
عملکردهای ترموالکتریکی، نیروی محرکه بالایی تولید می‌کنند، اما دارای چند ایراد فنی، مربوط به اصول بنیادی خود هستند. محرک باید از نظر حرارتی به خوبی از محیط عایق شده و همچنین برای جلوگیری از رانش حرارتی (تغییرات ناگهانی به دلیل اختلاف دما) ناشی از تأثیرات محیطی، از قبل گرم شود. به همین دلیل است که حرارت خروجی و توان مصرفی لازم برای یک محرک بایمورف حرارتی، نسبتاً زیاد است. یکی دیگر از معایب، جابجایی نسبتاً کم است که برای رسیدن به انحرافات مکانیکی قابل استفاده، باید از آن استفاده کرد. همچنین محرک‌های حرارتی به دلیل رفتار پایین گذر قابل توجه، برای عملیات فرکانس بالا مناسب نیستند.
عملکردهای پیزوالکتریک نیروی زیادی تولید می‌کنند، اما مانند محرک‌های ترموالکتریک، طول پیمایش شده توسط آن‌ها (انتقال پیستونی) کوتاه است. با این حال، این عملکردها به کمتر به تأثیرات دمایی محیطی حساس هستند و می‌توانند سیگنال‌های عملکردی با فرکانس بالا را به خوبی منتقل کنند. برای دستیابی به زاویه مطلوب، مکانیزمی با استفاده از تقویت مکانیکی برای اکثر کاربردها مورد نیاز است. ثابت شده‌است که این کار برای اسکنرهای شبه- استاتیک دشوار است، اگرچه رویکردهای امیدوارکننده‌ای در بدنه تحقیقات وجود دارد که از خمش‌های پرپیچ و خم طولانی برای تقویت انحراف استفاده می‌کنند. از سوی دیگر، برای اسکنرهای چرخشی رزونانسی، اسکنرهایی که از محرک پیزوالکتریک همراه با یک عملکرد غیرمستقیم استفاده می‌کنند، بالاترین بازدهی را از نظر زاویه اسکن و فرکانس دارند. با این حال، این فناوری جدیدتر از عملکردهای الکترواستاتیکی و الکترومغناطیسی است و نیز، همچنان در محصولات تجاری پیاده‌سازی می‌شود.