stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
مغنامقاومت غولپیکر
آمایش قطعه‌ > مواد و داده‌های تجربی

بسیاری از ترکیبات مواد جیی‌ام‌آر را نشان می‌دهند و متداول‌ترین آنها به شرح زیر است:
FeCr
Co10Cu90: δH = ۴۰٪ (در دمای اتاق)
Co95Fe5/Cu: δH = ۱۱۰٪ (در دمای اتاق)
مقاومت‌مغناطیسی به پارامترهای زیادی مانند هندسه قطعه‌ (CIP یا CPP)، دما و ضخامت لایه‌های فرومغناطیسی و غیرمغناطیسی بستگی دارد. در دمای ۴٬۲ کلوین و ضخامت لایه‌های کبالت ۱٫۵ نانومتر، افزایش ضخامت لایه‌های مس dCu از ۱ به ۱۰ نانومتر باعث کاهش δH از ۸۰ به ۱۰ درصد در هندسه CIP شد. در همین حال، در هندسه CPP حداکثر (δH (۱۲۵٪ برای dCu = ۲٫۵ نانومتر مشاهده شد و افزایش dCu به ۱۰ نانومتر باعث کاهش نوسانی δH به ۶۰٪ شد.
هنگامی که یک ابر شبکه (نانومترCo (۱٫۲ / (نانومترCu (۱٫۱ از صفر تا ۳۰۰ کلوین گرم می‌شد، δH آن از ۴۰ به ۲۰ درصد در هندسه CIP و از ۱۰۰ به ۵۵ درصد در هندسه CPP کاهش یافته‌است.
لایه‌های غیرمغناطیسی می‌توانند غیرفلزی باشند. به عنوان مثال، δH تا ۴۰ درصد برای لایه‌های آلی در ۱۱ کلوین نشان داده شد. دریچه‌های اسپینی گرافن از طرح‌های مختلف، δH را در حدود ۱۲ درصد در ۷ کلوین و ۱۰ درصد در ۳۰۰ کلوین، بسیار پایین‌تر از حد نظری ۱۰۹ درصد به نمایش گذاشته‌اند.
اثر جیی‌ام‌آر را می‌توان با فیلترهای چرخشی که الکترون‌هایی با جهت چرخش خاص انتخاب می‌کنند، افزایش داد. آن‌ها از فلزاتی مانند کبالت ساخته شده‌اند. برای یک فیلتر به ضخامت t، تغییر در رسانایی ΔG می‌تواند به صورت  \Delta G=\Delta G_{SV}+\Delta G_{f}(1-e^{\beta t/\lambda }) بیان شود.
که  _{s}{}_{v}ΔG تغییر در رسانایی دریچه چرخشی بدون فیلتر است ،  _{f}ΔG حداکثر افزایش رسانایی با فیلتر است و β یک پارامتر از ماده فیلتر است.
آمایش قطعه‌ > انواع جیی‌ام‌آر > ابرشبکه‌های ضدفرومغناطیسی

جیی‌ام‌آر در غشاها برای اولین بار توسط فر و گرونبرگ در مطالعه ابرشبکه‌های تشکیل شده از لایه‌های فرومغناطیسی و غیرمغناطیسی مشاهده شد. ضخامت لایه‌های غیرمغناطیسی به گونه‌ای انتخاب شد که اثر متقابل بین لایه‌ها ضدمغناطیسی و مغناطش در لایه‌های مغناطیسی مجاور ضدموازی باشد. سپس یک میدان مغناطیسی خارجی می‌تواند بردارهای‌مغناطیسی را به موازات خود تحت تأثیر مقاومت‌الکتریکی ساختار قرار دهد.
لایه‌های مغناطیسی در چنین ساختارهایی از طریق اتصال ضدفرومغناطیسی برهمکنش می‌کنند، که منجر به وابستگی نوسانی جیی‌ام‌آر به ضخامت لایه غیرمغناطیسی می‌شود. در اولین حسگرهای میدان مغناطیسی با استفاده از ابرشبکه‌های ضدفرومغناطیسی، به دلیل اندرکنش ضدمغناطیسی قوی بین لایه‌های آن‌ها (ساخته شده از کروم، آهن یا کبالت) و زمینه‌های ناهمسانگردی قوی در آن‌ها، میدان اشباع بسیار زیاد بود؛ بنابراین حساسیت قطعه‌‌ها بسیار کم بود؛ بنابراین حساسیت قطعه‌‌ها بسیار کم بود. استفاده از پرمالوی برای مغناطیسی و نقره برای لایه‌های غیرمغناطیسی باعث کاهش میدان اشباع به ده‌ها اورستد شد.
آمایش قطعه‌ > انواع جیی‌ام‌آر > دریچه‌های چرخشی با استفاده از تعویض اُریبی

راز موفق‌ترین دریچه‌های چرخشی اثر جیی‌ام‌آر از تحت تأثیر قرار دادن مبادله نشات می‌گیرد. آنها شامل لایه حساس، لایه ثابت و لایه ضدفرومغناطیسی هستند. آخرین لایه جهت مغناطش را در لایه ثابت مسدود می‌کند. لایه‌های حساس و ضدمغناطیسی برای کاهش مقاومت ساختار نازک ساخته می‌شوند. دریچه با تغییر جهت مغناطیس در لایه حساس نسبت به لایه ثابت، به میدان مغناطیسی خارجی واکنش نشان می‌دهد.
تفاوت اصلی این دریچه‌های چرخشی از سایر قطعه‌‌های جیی‌ام‌آر چندلایه وابستگی یکنواخت دامنه اثر بر ضخامت  _{N}d لایه‌های غیرمغناطیسی است:
\delta _{H}(d_{N})=\delta _{H0}{\frac {\exp \left(-d_{N}/\lambda _{N}\right)}{1+d_{N}/d_{0}}}
جایی که  _{H}{}_{0}δ یک ثابت عادی است،  _{N}λ متوسط مسیر آزاد الکترون‌ها در مواد غیرمغناطیسی است و d0 ضخامت مؤثری است که شامل اندرکنش بین لایه‌ها است.وابستگی به ضخامت لایه فرومغناطیسی می‌تواند به شرح زیر باشد:
\delta _{H}(d_{F})=\delta _{H1}{\frac {1-\exp \left(-d_{F}/\lambda _{F}\right)}{1+d_{F}/d_{0}}}
معنی این پارامترها درست مانند معادله قبلی است، اما اکنون آن‌ها به لایه فرومغناطیسی اشاره دارند.
آمایش قطعه‌ > انواع جیی‌ام‌آر > چندلایه‌ای بدون-اندرکنشی

جیی‌ام‌آر همچنین می‌تواند در صورت عدم وجود اتصال لایه‌های ضدفرومغناطیسی مشاهده شود. در این حالت، مغنامقاومت ناشی از اختلاف در نیروهای وادارندگی است (به عنوان مثال، برای آلومینیوم نسبت به کبالت کوچکتر است). در چندها لایه مانند پرمالوی/ Cu / Co / Cu میدان مغناطیسی خارجی جهت مغناطش اشباع را به حالت موازی در میدان‌های قوی و به ضدموازی در زمینه‌های ضعیف تغییر می‌دهد. چنین سیستم‌هایی دارای یک میدان اشباع پایین‌تر و δH بزرگتر از ابرشبکه‌های با اتصال ضدفرومغناطیسی هستند. یک اثر مشابه در ساختارهای Co / Cu مشاهده می‌شود. وجود این ساختارها به این معنی است که جیی‌ام‌آر به اتصال بین لایه‌ای احتیاج ندارد و می‌تواند از توزیع گشتاورهای مغناطیسی قابل کنترل توسط یک میدان‌خارجی نشات بگیرد.
آمایش قطعه‌ > انواع جیی‌ام‌آر > اثر وارون جیی‌ام‌آر

در جیی‌ام‌آر وارون، مقاومت جهت غیرموازی مغناطش در لایه‌ها حداقل است. جیی‌ام‌آر وارون هنگامی مشاهده می‌شود که لایه‌های مغناطیسی از مواد مختلفی مانند NiCr / Cu / Co / Cu تشکیل شده باشد. مقاومت برای الکترون‌هایی که دارای اسپین مخالف هستند را می‌توان به صورت  \rho _{\uparrow ,\downarrow }={\frac {2\rho _{F}}{1\pm \beta }} نوشت؛ زیرا دارای مقادیر مختلف است، به عنوان مثال ضرایب مختلف β، برای الکترون‌های اسپین-بالا و اسپین-پایین است. اگر لایه NiCr خیلی‌نازک نباشد، ممکن است سهم آن از لایه Co بیشتر شود و نتیجه آن جیی‌ام‌آر وارون می‌شود. توجه داشته باشید که وارونگی جیی‌ام‌آر به علامت حاصل از ضرایب β در لایه‌های فرو مغناطیسی مجاور بستگی دارد و به علائم ضرایب تک بستگی ندارد.
اگر آلیاژ NiCr با دوپ شده وانادیوم جایگزین شود،جیی‌ام‌آر وارون مشاهده می‌شود.
آمایش قطعه‌ > انواع جیی‌ام‌آر > جیی‌ام‌آر در ساختارهای دانه‌دانه

جیی‌ام‌آر در آلیاژهای دانه‌ای فلزات فرومغناطیسی و غیرمغناطیسی در سال ۱۹۹۲ کشف شد و متعاقباً توسط پراکندگی حامل‌های بار وابسته به اسپین در سطح و قسمت عمده دانه‌ها توضیح داده شد. دانه‌ها خوشه‌های فرومغناطیسی با قطر حدود ۱۰ نانومتر را در یک فلز غیرمغناطیسی جاسازی شده تشکیل می‌دهند و نوعی ابرشبکه را تشکیل می‌دهند. یک شرط لازم برای اثر جیی‌ام‌آر در چنین ساختارهایی حلالیت متقابل ضعیف در اجزای آن است (به عنوان مثال، کُبالت و مس). خواص آن‌ها به شدت به اندازه‌گیری و دمای گرم کردن بستگی دارد. آن‌ها همچنین می‌توانند جیی‌ام‌آر وارون از خود نشان دهند.
کاربردها > حسگرهای چرخشی > اصل کلی

یکی از کاربردهای اصلی مواد جیی‌ام‌آر در حسگرهای میدان‌مغناطیسی است، به عنوان مثال، در دیسک درایوها، حسگرهای زیستی و همچنین آشکارسازهای نوسانات در MEMS. یک حسگر معمولی مبتنی بر جیی‌ام‌آر از هفت لایه تشکیل شده‌است:
بستر سیلیکون
لایه اتصال دهنده
لایه حسگر (غیر ثابت)
لایه غیرمغناطیسی
لایه ثابت
لایه ضدفرومغناطیسی
لایه محافظ
لایه‌های اتصال دهنده و محافظ اغلب از تانتال ساخته می‌شوند و یک ماده غیرمغناطیسی که به‌طور معمول مس است. لایه حسگر، مغناطش می‌تواند توسط میدان مغناطیسی خارجی تغییر جهت یابد که به‌طور معمول از آلیاژهای NiFe یا کبالت ساخته می‌شود. از FeMn یا NiMn می‌توان برای لایه ضدفرومغناطیسی استفاده کرد. لایه ثابت از ماده مغناطیسی مانند کبالت ساخته شده‌است. چنین حسگری به دلیل وجود لایه ثابت و سخت مغناطیسی دارای یک حلقه هیسترزیس نامتقارن است.
دریچه‌های چرخشی ممکن است مقاومت ناهمسانگرد را نشان دهند، که منجر به عدم تقارن منحنی حساسیت می‌شود.
کاربردها > حسگرهای چرخشی > درایوهای دیسک

در درایوهای دیسک (HDD)، اطلاعات با استفاده از حوزه‌های‌مغناطیسی کدگذاری می‌شوند، و تغییر جهت مغناطش آن‌ها با سطح، یک منطقی است، در حالی که اگر هیچ تغییری نشان ندهند صفر منطقی است.
دو روش ضبط وجود دارد: طولی و عمود.
در روش طولی، مغناطش بر سطح عمود است. بین حوزه‌ها یک منطقه انتقال (دیواره‌های حوزه) تشکیل می‌شود که در آن میدان مغناطیسی از ماده خارج می‌شود. اگر دیواره‌های حوزه در رابط دو حوزه به جهت قطب شمال واقع شده باشد، میدان به سمت بیرون هدایت می‌شود و برای دو حوزه قطب جنوب به سمت داخل هدایت می‌شود. برای خواندن جهت میدان‌مغناطیسی بالای دیواره حوزه، جهت مغناطیسی به صورت عمود به سطح در لایه ضدمغناطیسی و به موازات سطح در لایه حسگر ثابت می‌شود. تغییر جهت میدان مغناطیسی خارجی باعث منحرف شدن مغناطش در لایه حسگر می‌شود. وقتی میدان می‌خواهد مغناطش را در لایه‌های حسگر و ثابت تراز کند، مقاومت الکتریکی حسگر کاهش می‌یابد و بالعکس.
کاربردها > آراِی‌ام مغناطیسی

یک سلول از حافظه دسترسی-تصادفی مغناطومقاومت (MRAM) ساختاری شبیه به حسگر چرخشی دارد. مقدار بیت‌های ذخیره شده را می‌توان از طریق جهت مغناطش در لایه حسگر رمزگذاری کرد که با اندازه‌گیری مقاومت ساختار خوانده می‌شود. از مزایای این فناوری می‌توان به استقلال منبع تغذیه (اطلاعات هنگام قطع شدن برق به دلیل وجود سد احتمالی جهت تغییر جهت مغناطیس حفظ می‌شود)، مصرف کم انرژی و سرعت زیاد اشاره کرد.
در یک واحد ذخیره‌سازی معمولی مبتنی بر جیی‌ام‌آر، یک ساختار CIP بین دو سیم عمود بر یکدیگر قرار دارد. این هادی‌ها را خطوط ردیف و ستون می‌نامند. پالس‌های جریان الکتریکی عبوری از خطوط، یک میدان مغناطیسی گردابی تولید می‌کنند، که بر ساختار جیی‌ام‌آر تأثیر می‌گذارد. خطوط میدان اشکال بیضی دارند و جهت میدان (در جهت عقربه‌های ساعت یا خلاف جهت عقربه‌های ساعت) با توجه به جهت جریان در خط تعیین می‌شود. در ساختار جیی‌ام‌آر، مغناطش در امتداد خط قرار دارد.
جهت میدان تولید شده توسط خط ستون تقریباً موازی با گشتاورهای مغناطیسی است و نمی‌تواند آنها را از نو تغییر جهت دهد. خط ردیف عمود است و صرف نظر از اندازه میدان می‌تواند مغناطش را فقط ۹۰ درجه بچرخاند. با عبور همزمان پالس‌ها از امتداد خطوط ردیف و ستون، از میدان مغناطیسی کل در محل ساختار جیی‌ام‌آر با توجه به یک نقطه و یک مبهم به نقاط دیگر در یک زاویه حاد هدایت می‌شود. اگر مقدار میدان از مقداری حیاتی فراتر رود، دومی جهت خود را تغییر می‌دهد.
چندین روش ذخیره و خواندن برای سلول توصیف شده وجود دارد. در یک روش، اطلاعات در لایه حسگر ذخیره می‌شود. از طریق اندازه‌گیری مقاومت خوانده می‌شود و با خواندن پاک می‌شود. در طرح دیگری، اطلاعات در لایه ثابت نگهداری می‌شود، که در مقایسه با جریان‌های خوانده شده، به جریان‌های ضبط شده بالاتری نیاز دارد.
مقاومت‌مغناطیسی تونل (TMR) گسترش حسگرهای چرخشی جیی‌ام‌آر است، که در آن الکترون‌ها با عبور از یک تونل عایق نازک چرخش خود را به‌طور عمود به دور لایه‌ها (جایگزین فاصله‌دهنده غیرفرومغناطیسی) انجام می‌دهند. این موضوع اجازه می‌دهد تا به یک امپدانس بزرگتر، مقدار مغنامقاومت بزرگتر و به یک وابستگی به درجه حرارت ناچیز برسیم. TMR اکنون جایگزین جیی‌ام‌آر در MRAMها و درایوهای دیسک شده‌است. از ویژگی آن‌ها می‌توان به چگالی سطحی زیاد و ثبت عمود اشاره کرد.
کاربردها > کاربردهای دیگر

عایق‌های مغناطیسی برای انتقال بدون‌تماس سیگنال بین دو قسمت جدا شده الکتریکی از مدارهای‌الکتریکی برای اولین بار در سال ۱۹۹۷ به عنوان جایگزینی برای اپتوکوپلر نمایش داده شدند. یک پل ویتستون که از چهار قطعه‌ جیی‌ام‌آر یکسان تشکیل شده‌است، نسبت به یک میدان‌مغناطیسی یکنواخت حساس نیست و فقط هنگامی واکنش نشان می‌دهد که جهت‌های میدان در بازوهای همسایه پل ضدموازی باشد. چنین قطعه‌‌هایی در سال ۲۰۰۳ گزارش شده و ممکن است به عنوان یکسوکننده با پاسخ فرکانس خطی استفاده شوند.
کاربردها > تقاضاهای آینده

همین‌طور که ابعاد ترانزیستورها کوچک می‌شود، خواص کوانتومی الکترون‌ها مانند ماهیت موجی آن‌ها بیشتر خود را نشان می‌دهد و باید در طراحی‌ها آن‌ها را در نظر گرفت. سرعت بالاتر و کاهش توان‌مصرفی که قطعات جیی‌ام‌آر این خواص را از خود نشان داده‌اند، بسیار مهم است.
طراحی بر مبنای جیی‌ام‌آر برتری‌هایی همچون ترکیب عملکردهای منطقی، ذخیره‌سازی و حسگری بر تکنولوژی حال حاضر دارد، که منجر به جلب‌شدن تحقیقات به سمت آن شده‌است. از مهم‌ترین دستاوردهای قطعات می‌توان به کامپیوترهای‌کوانتومی و مخابرات‌کوانتومی است، که تکنولوژی ارتباطات و فناوری‌اطلاعات قرن ۲۱ را دچار انقلاب وسیعی خواهد کرد.
انبوهی الکترونیکی حالت‌ها (فازهای ماذه) (DOS) در فلزات مغناطیسی و غیرمغناطیسی. ۱: ساختار دو لایه فرومغناطیسی و یک لایه غیرمغناطیسی (فلش‌ها جهت مغناطش را نشان می‌دهد). ۲: تقسیم DOS برای الکترونهایی با جهت چرخش متفاوت برای هر لایه (فلش‌ها جهت چرخش را نشان می‌دهند). F: تراز فرمی. گشتاور مغناطیسی مخالف جهت چرخش کل در تراز فرمی است.
مس (فلز غیر مغناطیسی). F - تراز فرمی. محور عمودی انرژی در eV است. نظریه نوارها (چپ) و تراکم حالت‌ها (راست)
کبالت (اسپین اکثریت) نظریه نوارها (چپ) و تراکم حالت‌ها (راست)
کبالت (اسپین اقلیت) نظریه نوارها (چپ) و تراکم حالت‌ها (راست)
دریچه‌های اسپینی در سر خواندن حسگر در هندسه‌های CIP (چپ) و CPP (راست). قرمز: جریان را به حسگر منتقل می کندسبز و زرد: لایه‌های فرومغناطیسی و غیرمغناطیسی

V: اختلاف پتانسیل
یک نمونه از حسگر جیی‌ام‌آر که توسط گرونبرگ ساخته شده‌است.
بزرگیان

بزرگیان می‌تواند به افراد زیر اشاره کند:
احمد بزرگیان، نمایندهٔ حوزهٔ انتخابیهٔ سبزوار در دورهٔ هفتم مجلس شورای اسلامی
امین بزرگیان، روزنامه‌نگار ایرانی و تحلیل‌گر سیاسی و اجتماعی
سرسردآب سفلی

| سرسردآب سفلی | سرسردآب سفلی |
| --- | --- |
روستا: روستا
مختصات: ۳۲°۳۹′۷″ شمالی ۴۸°۵۴′۳″ شرقی﻿ / ﻿۳۲٫۶۵۱۹۴°شمالی ۴۸٫۹۰۰۸۳°شرقی﻿ / 32.65194; 48.90083: مختصات: ۳۲°۳۹′۷″ شمالی ۴۸°۵۴′۳″ شرقی﻿ / ﻿۳۲٫۶۵۱۹۴°شمالی ۴۸٫۹۰۰۸۳°شرقی﻿ / 32.65194; 48.90083
کشور: ایران
استان: خوزستان
شهرستان: دزفول
بخش: بخش سردشت
دهستان: سید ولی‌الدین
جمعیت: ۴۱ نفر (سرشماری ۹۵)
سرسردآب سفلی، روستایی از توابع بخش سردشت شهرستان دزفول در استان خوزستان ایران است.
جمعیت

این روستا در دهستان سید ولی‌الدین قرار دارد و براساس سرشماری مرکز آمار ایران در سال ۱۳۸۵، جمعیت آن ۳۴ نفر (۵خانوار) بوده‌است.
اربس-بودسهایم

| اربس-بودسهایم   | اربس-بودسهایم   |
| --- | --- |
  نشان:   نشان
کشور: آلمان
ایالت: راینلاند-فالتس
ناحیه: Alzey-Worms
انجمن شهرداری: Alzey-Land
حکومت: حکومت
 • شهردار: Heinz-Hermann Schnabel (CDU)
مساحت: مساحت
 • کل: ۱۰٫۱۶ کیلومتر مربع (۳٫۹۲ مایل مربع)
ارتفاع: ۲۵۰ متر (۸۲۰ فوت)
جمعیت (2012-12-31): جمعیت (2012-12-31)
 • کل: ۱٬۳۶۹
 • تراکم: ۱۳۰/کیلومتر مربع (۳۵۰/مایل مربع)
منطقهٔ زمانی: CET/CEST (UTC+1/+2)
کدهای پستی: 55234
کدهای شماره‌گیری: 06731
پلاک خودرو: AZ
وبگاه: www.erbes-buedesheim.de
اربس-بودسهایم (به آلمانی: Erbes-Büdesheim) یک شهر در آلمان است که در آلزی-ورمز واقع شده‌است. اربس-بودسهایم ۱٬۳۶۶ نفر جمعیت دارد.
پایکوه ملاح

| پایکوه ملاح | پایکوه ملاح |
| --- | --- |
روستا: روستا
مختصات: : مختصات: 
کشور: ایران
استان: خوزستان
شهرستان: دزفول
بخش: بخش سردشت
دهستان: سردشت
جمعیت: ۳۴ نفر
پایکوه ملاح، روستایی از توابع بخش سردشت شهرستان دزفول در استان خوزستان ایران است.
جمعیت

این روستا در دهستان سردشت قرار دارد و براساس سرشماری مرکز آمار ایران در سال ۱۳۸۵، جمعیت آن ۳۴ نفر (۸خانوار) بوده‌است.
پرسیوال بانی

| پرسیوال بانی | پرسیوال بانی |
| --- | --- |
زادهٔ: ۱۴ سپتامبر ۱۸۴۲
درگذشت: ۴ اوت ۱۹۰۶ (۶۳ سال)
محل تحصیل: Colby College
پرسیوال بانی (انگلیسی: Percival Bonney; ۱۴ سپتامبر ۱۸۴۲ – ۴ اوت ۱۹۰۶) یک قاضی اصلی دادگاه قضایی بود.
زندگی شخصی

بانی در شهر مینوت به دنیا آمد. او تنها فرزند خانوادهٔ خود بود. او تحصیلات خود را در آکادمی هبرون و دانشگاه واتلفیلد در سال ۱۸۶۳ به پایان رساند. او یکبار در سال ۱۸۶۴ ازدواج کرد و دارای ۲ فرزند دختر شد.
دوران کاری

او کار خود را کار خود را به عنوان منشی در وزارت خزانه‌داری ایالات متحده آمریکا از سال ۱۸۶۳ تا ۱۸۶۵ آغاز کرد. سپس شروع یه تحصیل در رشته حقوق در دفتر جی. اچ دارموند در شهر پورتلند، مین کرد. او از سال ۱۸۶۶ تا ۱۸۷۸ به وکالت مشغول و با استنلی پالن همکار بود. سرانجام او توسط فرماندار ایالت مین به مقام قاضی اصلی دادگاه قضایی منصوب شد.
او همچنین در کارنامهٔ خود، مدیر شرکت ان ام، عضوی از مجلس اصلی قانون گذاری از سال ۱۸۶۹ تا ۱۸۷۰، عضو دلتا کاپا اپسیلونو انجمن فی بتا کاپا، رئیس هیئت امنای آکادمی هبرون و رئیس هیئت امنای دانشگاه کولبی از سال ۱۹۰۲ تا ۱۹۰۶ را دارد.
ناندای، فوکوشیما

| ناندای، فوکوشیما | ناندای، فوکوشیما |
| --- | --- |
Town: Town
Mount Bandai: Mount Bandai
  پرچممهر:   پرچممهر
موقعیت ناندای، فوکوشیما در نقشه: موقعیت ناندای، فوکوشیما در نقشه
ناندای، فوکوشیما: ناندای، فوکوشیما
مختصات: ۳۷°۳۳′۴۳″ شمالی ۱۳۹°۵۹′۱۸″ شرقی﻿ / ﻿۳۷٫۵۶۱۹۴°شمالی ۱۳۹٫۹۸۸۳۳°شرقی﻿ / 37.56194; 139.98833: مختصات: ۳۷°۳۳′۴۳″ شمالی ۱۳۹°۵۹′۱۸″ شرقی﻿ / ﻿۳۷٫۵۶۱۹۴°شمالی ۱۳۹٫۹۸۸۳۳°شرقی﻿ / 37.56194; 139.98833
کشور: ژاپن
Region: ناحیه توهوکو
استان‌های ژاپن: استان فوکوشیما
District: Yama District
مساحت: مساحت
 • کل: ۵۹٫۵۶ کیلومتر مربع (۲۳٫۰۰ مایل مربع)
جمعیت (سپتامبر ۲۰۱۴): جمعیت (سپتامبر ۲۰۱۴)
 • کل: ۳٬۵۹۹
 • تراکم: ۶۰٫۳/کیلومتر مربع (۱۵۶/مایل مربع)
منطقهٔ زمانی: یوتی‌سی +۹ (زمان استاندارد ژاپن)
Phone number: 0242-74-1221
Address: 1855 Bandai Naka-no-hashi Bandai-machi, Yama-gun, Fukushima-ken 969-3392
وبگاه: Official HP
ناندای، فوکوشیما (به لاتین: Bandai, Fukushima) یک منطقهٔ مسکونی در ژاپن است که در استان فوکوشیما واقع شده‌است. ناندای ۵۹٫۵۶ کیلومترمربع مساحت و ۳٬۵۹۹ نفر جمعیت دارد.
واراوانی (پرو)

| واراوانی (پرو) | واراوانی (پرو) |
| --- | --- |
fa (in English: Expected satiety): fa
واراوانی (پرو)موقعیت واراوانی (پرو) در نقشه : واراوانی (پرو)موقعیت واراوانی (پرو) در نقشه 
مرتفع‌ترین نقطه: مرتفع‌ترین نقطه
ارتفاع: ۵٬۲۰۰ متر (۱۷٬۱۰۰ فوت)
مختصات: ۱۷°۲۵′۱۹″ جنوبی ۶۹°۳۹′۴۴″ غربی﻿ / ﻿۱۷٫۴۲۱۹۴°جنوبی ۶۹٫۶۶۲۲۲°غربی﻿ / -17.42194; -69.66222
جغرافیا: جغرافیا
موقعیت: پرو، منطقه تاکنا، استان تاکنا، استان تاراتا
رشته‌کوه مادر: کوه‌های آند
واراوانی (به اسپانیایی: Warawarani) یک کوه در پرو است که در Peru, Tacna Region, Tacna Province, Tarata Province واقع شده‌است. واراوانی ۵٬۲۰۰ متر بالاتر از سطح دریا واقع شده‌است.
هنری ربوود

| هنری ربوود | هنری ربوود |
| --- | --- |
زادهٔ: ۱۰ نوامبر ۱۸۷۳ منطقه ۸ پاریس
درگذشت: ۱۱ سپتامبر ۱۹۴۹ پاریس
ملیت: فرانسه
هنری ربوود (انگلیسی: Henri Rabaud; ۱۰ نوامبر ۱۸۷۳ – ۱۱ سپتامبر ۱۹۴۹) آهنگساز، و رهبر (موسیقی) اهل فرانسه بود.
وی همچنین برندهٔ جوایزی همچون لژیون دونور (فرمانده) و جایزه بزرگ رم شده‌است.
نزار عبدالزهره

| اطلاعات شخصی | اطلاعات شخصی | اطلاعات شخصی | اطلاعات شخصی |
| --- | --- | --- | --- |
نام کامل:  Nizar Abdul Zahra Khalaf
زادروز:  ۱ ژوئیهٔ ۱۹۶۱
تاریخ مرگ:  ۱۵ مهٔ ۲۰۰۶ (۴۴ سال)
پست:  مهاجم
باشگاه‌های جوانان: باشگاه‌های جوانان
۱۹۷۴–۱۹۷۹:  Al Waleed
باشگاه‌های حرفه‌ای*: باشگاه‌های حرفه‌ای*
| سال‌ها |  باشگاه‌ها |  بازی† |  (گل)† |
| ۱۹۸۰–۱۹۹۳ |  Al-Mina'a |   |  (۴۱) |
دوران مربیگری: دوران مربیگری
۱۹۹۴–۲۰۰۲:  Al-Mina'a U-16
 تعداد بازی‌ها و گل‌ها فقط مربوط به بازی‌های لیگ داخلی است. :  تعداد بازی‌ها و گل‌ها فقط مربوط به بازی‌های لیگ داخلی است. 
نزار عبدالزهره (انگلیسی: Nizar Abdul Zahra; ۱ ژوئیهٔ ۱۹۶۱ – ۱۵ مهٔ ۲۰۰۶) یک ورزشکار بود.
ضداحتقان موضعی

ضداحتقان‌های موضعی، ضداحتقان‌هایی هستند که مستقیماً درون حفره بینی اعمال می شوند. به نظر می رسد اثربخشی آنها به تنهایی در سرماخوردگی مزیت کمی در بزرگسالان دارد.
داروهای ضداحتقان موضعی باید توسط بیماران حداکثر برای 5 تا 7 روز متوالی استفاده شود، زیرا احتقان برگشتی ممکن است به شکل رینیت دارویی رخ دهد. هنگامی که در بزرگسالان برای مدت کوتاه استفاده می شود عوارض جانبی کمی مشاهده می شود.
مکانیسم عمل

ضداحتقان های موضعی منقبض‌کننده عروق هستند و با انقباض عروق خونی داخل حفره بینی عمل می کنند.
مثال‌ها

افدرین
لوومت‌آمفتامین
نفازولین
اوکسی‌متازولین
فنیل‌افرین
سودوافدرین
ترامازولین
زایلومتازولین
هژیر رحمانداد

| هژیر رحمانداد | هژیر رحمانداد |
| --- | --- |
زادهٔ: مهر 1356 (43 سال) تهران، ایران
ملیت: ایرانیان آمریکا
محل تحصیل: دانشگاه صنعتی شریف مؤسسه فناوری ماساچوست
جوایز: Gold Medal المپیاد جهانی شیمی، Moscow (1996)
پیشینه علمی: پیشینه علمی
شاخه(ها): مهندسی سامانه‌ها، مدیریت، رفتار سازمانی
محل کار: دانشگاه ایالتی و مؤسسه پلی‌تکنیک ویرجینیا مدرسه مدیریت اسلون ام‌آی‌تی
استاد راهنما: John Sterman
 :  
هژیر رحمانداد (به انگلیسی: Hazhir Rahmandad) دانشمند و مهندس ایرانی در حوزهٔ پویاشناسی سیستمها یا تحلیل سیستمها است. تحقیقات او از مدلسازی پویا برای بررسی طیف وسیعی از مسائل در تعیین استراتژی، یادگیری سازمانی و سلامت عمومی بهره می‌گیرد.
تحصیلات

رحمانداد مدرک کارشناسی خود را در رشته‌ی مهندسی صنایع از دانشگاه صنعتی شریف بدست آورد. او همچنین درس تحلیل سیستم‌ها را که توسط دکتر علی نقی مشایخی در دانشکدۀ مدیریت و اقتصاد دانشگاه شریف ارائه می‌شد گذراند که بعدها این درس را در دورۀ دکترا ادامه داد. او همچنین برای چند ترم تحصیلی به عنوان تدریسیار در ارائه‌ی این درس با دکتر مشایخی همکاری می‌کرد.
رحمانداد دکترای خود را از مؤسسهٔ فناوری ماساچوست (MIT) در حوزه تحلیل سیستم‌ها زیر نظر جان استرمن دریافت کرد. استرمن در کنار جان فارستر از مطرح‌ترین دانشمندان در زمینۀ پویاشناسی سیستم‌ها هستند. همچنین در این دوره، دورهٔ فرعی رفتار سازمانی را نیز در این دانشگاه گذرانده‌است.
حرفه

رحمانداد از سال ۲۰۱۶ تا کنون دانشیار گروه تحلیل سیستم‌ها در دانشکده مدیریت MIT Sloan است. رحمانداد در دانشگاه ایالتی ماساچوست درسهای مختلفی مثل تحلیل سیستمها، تحلیل پیشرفتۀ سیستمها و مدیریت پروژه با رویکرد سیستمی را ارائه داده است.
همچنین در سالهای ۲۰۰۶ الی ۲۰۱۶ در دانشگاه ایالتی و مؤسسه پلی‌تکنیک ویرجینیا مشغول به تدریس بوده‌است. وی همچنین در سمت مشاور با شرکت‌های مختلف مثل IBM همکاری داشته‌است.
رحمانداد با توسعه دادن تخمین متغیر و اعتبارسنجی مدل‌های پویا، به گسترش علم تحلیل سیستمها کمک می‌کند. مقالات وی در مجلات مختلفی از جمله علوم مدیریت، علم سازمانی، مجلهٔ استراتژیک مدیریت، PlosOne، مجله بین‌المللی چاقی و مجلهٔ تحلیل سیستم‌ها منتشر شده‌اند. وی به عنوان داور در بیش از ۲۰ پنل NIH و NSF و بیش از دوازده مجله مختلف فعالیت داشته‌است. تحقیقات وی توسط بنیاد ملی علوم، سازمان‌های ملی بهداشت، گروه مسکن و شهرسازی و چندین شرکت خصوصی در این زمینه حمایت مالی شده‌است. مقالات وی در نشریات مختلف علمی به چاپ رسیده و تا کنون بیش از 3800 بار به آنها ارجاع داده شده است.
جوایز و افتخارات

وی مدال طلای المپیاد جهانی شیمی را در سال ۱۹۹۶ کسب کرده‌است.
ارتباط با ایران

رحمانداد در قسمت اول مستند میراث آلبرتا، دربارۀ مهاجرت نخبگان ایرانی، حضور داشت. وی در این مستند به این موضوع اشاره کرد که افراد همسطح خودش در ایران از نظر مالی شرایط بهتری دارند و انتخاب مهاجرت صرفا به دلایل اقتصادی منطقی نیست.
وی با همکاری نوید غفارزادگان و چند تن دیگر از متخصصان پویاشناسی سیستم‌ها، مدلی را برای تحلیل روند بیماری کرونا در سال 2021 توسعه دادند. نتایج تحقیق آن‌ها در دوران این بیماری در رسانه‌های ایران بازتاب گسترده‌ای داشت و چند روزنامۀ مطرح در ایران نیز به آن اشاره کردند. توصیۀ اصلی آن‌ها در این مقاله، پیشنهاد سیاست‌هایی برای کاهش میزان تعاملات افراد در جامعه به عنوان یکی از مهم‌ترین پیشرانه‌های شیوع بیماری بود. بعد از انتشار این مقاله سیاست‌هایی مثل ممنوعیت تردد در شب در ایران اجرا شد که با توجه به داده‌ها در کنترل شیوع بیماری در ایران بسیار موثر بود.
ناحیه ویلیوی بالا

| Verkhnevilyuysky District Верхневилюйский улус | Verkhnevilyuysky District Верхневилюйский улус |
| --- | --- |
بخش: بخش
نویسه‌گردانی(های) Other: نویسه‌گردانی(های) Other
 • Yakut: Үөһээ Бүлүү улууhа
Village in Verkhnevilyuysky District: Village in Verkhnevilyuysky District
  پرچمنشان:   پرچمنشان
fa (in English: Expected satiety)موقعیت ناحیه ویلیوی بالا در نقشه: faموقعیت ناحیه ویلیوی بالا در نقشه
مختصات: ۶۳°۲۷′۰۲″ شمالی ۱۲۰°۱۷′۵۴″ شرقی﻿ / ﻿۶۳٫۴۵۰۵۶°شمالی ۱۲۰٫۲۹۸۳۳°شرقی﻿ / 63.45056; 120.29833: مختصات: ۶۳°۲۷′۰۲″ شمالی ۱۲۰°۱۷′۵۴″ شرقی﻿ / ﻿۶۳٫۴۵۰۵۶°شمالی ۱۲۰٫۲۹۸۳۳°شرقی﻿ / 63.45056; 120.29833
کشور: روسیه
واحد فدرال: یاقوتستان
بنیان‌گذاری: February 10, 1935
مرکز: Verkhnevilyuysk
مساحت: مساحت
 • مجموع: ۴۲۰۰۰ کیلومتر مربع (۱۶۰۰۰ مایل مربع)
جمعیت (سرشماری ۲۰۱۰): جمعیت (سرشماری ۲۰۱۰)
 • مجموع: ۲۱۶۶۱
 • تراکم: ۰٫۵۲/کیلومتر مربع (۱٫۳/مایل مربع)
 • شهری: ۰٪
 • روستایی: ۱۰۰٪
ساختار اداری: ساختار اداری
 • تقسیمات اداری: ۲۱ سلساویت
 • Inhabited localities: ۲۹ Rural localities
ساختار شهرداری: ساختار شهرداری
 • عضو شهرداری: Verkhnevilyuysky Municipal District
 • تقسیمات شهرداری: ۰ Urban settlements، ۲۱ Rural settlements
منطقهٔ زمانی: یوتی‌سی +۹ ()
OKTMO ID: 98614000
وبگاه: https://mr-verhneviljujskij.sakha.gov.ru/
ناحیه ویلیوی بالا (به لاتین: Verkhnevilyuysky District) یک منطقهٔ مسکونی در روسیه است که در یاقوتستان واقع شده‌است.
هاکان اوزاوغوز

هاکان اوزاوغوز، خواننده و موسیقی‌دان - ۲۰۱۴
هاکان اوزاوغوز (به ترکی استانبولی: Hakan Özoğuz) (متولد ۱۱ اکتبر ۱۹۷۶) موسیقی‌دان، گیتاریست گروه موسیقی آتنا و خوانندهٔ اهل ترکیه است. وی برادر دوقلو خواننده مشهور ترکیه گوکان اوزاوغوز می‌باشد.
هاکان در ۱۱ اکتبر ۱۹۷۶ در محله فنرباغچه استانبول به دنیا آمد. وی اصالتاً اهل غازی عینتاب می‌باشد. پدرش احمد اوزاوغوز بزرگ‌ترین پشتیبان و مشوق هاکان و برادرش برای رسیدن به آروزیشان بوده در سال ۲۰۰۷ چشم از جهان فروبست.
وی از ۱۵ سالگی شروع به نواختن گیتار نمود و در سال ۲۰۰۶ به همراه برادرش گوکان برای تحصیل در رشته موسیقی به لندن مهاجرت نمودند.
اولین موزیک ویدئو وی بنام «پیاز کاشته شده» از آلبوم هولیگان (ولگرد)، با موضوع دعوا و نزاع‌های طرفداران فوتبال و حواشی خارج از مستطیل سبز را به چالش می‌کشد توانست راه خود را در بازار موسیقی باز کند.
پس از کسب موفقیت و فروش بالا، ترانه‌های این آلبوم توسط طرفداران فوتبال در ورزشگاه‌ها به عنوان سرود خوانده و محبوبیت زیادی بین فوتبال دوستان بدست آورد. سپس ترانه‌ای جدید بنام «۱۲ غول» برای تیم ملی بسکتبال تهیه و تنظیم کرده بود.
گروه آتنا اولین چالش جدی خود را در سال ۲۰۰۰ تجربه نمود. این گروه با انتشار ترانه‌هایی هم چون «مزخرف»، «ماجرا»، «عشق و پشق نیست» توانست بر سر زبان‌ها جاری و محبوبیت زیادی را بدست آورد.
در سال ۲۰۰۴ در مسابقات یوروویژن به عنوان نماینده ترکیه با ترانه «برای واقعیت» همراه گروه آتنا توانست با کسب ۱۹۵ امتیاز مقام چهارم را کسب نماید. در تاریخ یوروویژن ترکیه نیز توانست دومین نماینده‌ای باشد بالاترین امتیاز را کسب کرده باشد.
آلبوم‌ها

یکی از آخرین نفس (۱۹۹۳)
ولگرد (۱۹۹۸)
تمام وقت حالا (سال ۲۰۰۰)
سفر مهتران (۲۰۰۱)
همه چیز وفق مراد است (۲۰۰۲)
ما (۲۰۰۴)
آتنا (۲۰۰۵)
سگ(۲۰۰۶)
۱۰۰ سال با شکوه(۲۰۰۷)
کثیف (۲۰۱۰)
بالا و پایین (۲۰۱۴)