نیمه هادی با شکاف گسترده
مواد > جدول نیمه هادی‌های رایج با فاصله باند گسترده

| گروه | عنصر | ماده | فرمول شیمیایی | باند گپ | نوع گپ | توضیح |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| IV | ۱ | الماس | C | 5.47 | غیر مستقیم | هدایت حرارتی عالی. خواص مکانیکی و نوری عالی |
| IV | ۲ | کاربوراندوم | SiC | 2.3-3.3 | غیر مستقیم | شکاف باند بسته به ساختار کریستالی، 3C-SiC، 4H-SiC، یا 6H-SiC متفاوت است. برای کاربردهای با ولتاژ و دمای بالا و برای LEDهای زرد و آبی اولیه استفاده می‌شود. |
| III-V | ۲ | نیترید بور | BN | 5.96-6.36 | غیر مستقیم | شکاف‌های باند ذکر شده به ترتیب با ساختار کریستالی مکعبی یا شش ضلعی هستند. به‌طور بالقوه برای LEDهای فرابنفش مفید است. |
| III-V | ۲ | آلومینیم فسفید | AlP | 2.45 | غیر مستقیم |  |
| III-V | ۲ | آرسنیدآلومینیم | AlAs | 2.16 | غیر مستقیم |  |
| III-V | ۲ | نیترید گالیم | GaN | 3.44 | مستقیم | p-doping(افزودن ناخالصی) با منیزیم و بازپخت، اولین LEDهای آبی با کارایی بالاو لیزرهای آبی را مجاز کرد. ترانزیستورهای گالی می‌توانند در ولتاژهای بالاتر و دمای بالاتر نسبت به GaAs که در تقویت کننده‌های قدرت مایکروویو استفاده می‌شوند، کار کنند. هنگامی که به عنوان مثال، منگنز دوپ شود، تبدیل به یک نیمه رسانای مغناطیسی می‌شود. |
| III-V | ۲ | گالیم فسفید | GaP | 2.26 | غیر مستقیم | در LEDهای قرمز/نارنجی/سبز با روشنایی کم تا متوسط استفاده می‌شود. به صورت مستقل یا با GaAsP استفاده می‌شود. شفاف برای نور زرد و قرمز، به عنوان بستر برای LEDهای قرمز/زرد، GaAsP استفاده می‌شود. دوپ شده با S یا Te برای نوع n، با Zn برای نوع p GaP خالص سبز، GaP دوپ شده با نیتروژن زرد-سبز و GaP دوپ شده با ZnO قرمز منتشر می‌کند. |
| II-VI | ۲ | کادمیم سولفید | CdS | 2.42 | مستقیم | مورد استفاده در مقاومت نوری و سلول‌های خورشیدی. CdS/Cu2S اولین سلول خورشیدی کارآمد بود. در سلول‌های خورشیدی با CdTe استفاده می‌شود. به عنوان نقاط کوانتومی رایج است. کریستال‌ها می‌توانند به عنوان لیزرهای حالت جامد عمل کنند. الکترولومینسانس. وقتی دوپ شود، می‌تواند به عنوان یک فسفر عمل کند. |
| II-VI, oxide | ۲ | روی اکسید | ZnO | 3.37 | مستقیم | فوتوکاتالیستی. شکاف نواری با آلیاژ کردن با اکسید منیزیم و اکسید کادمیوم از ۳ تا 4 eV قابل تنظیم است. دوپینگ ذاتی نوع n و نوع p دشوار است. آلومینیم، ایندیم یا گالیم سنگین، پوشش‌های رسانا شفاف ایجاد می‌کند. ZnO:Al به عنوان پوشش پنجره شفاف در مرئی و بازتابنده در ناحیه مادون قرمز و به عنوان فیلم رسانا در نمایشگرهای LCD و پنل‌های خورشیدی به عنوان جایگزین اکسید قلع ایندیم استفاده می‌شود. در برابر آسیب تشعشع مقاوم است. امکان استفاده در LEDها و دیودهای لیزری. امکان استفاده در لیزرهای تصادفی. |
| II-VI | ۲ | سلنید روی | ZnSe | 2.7 | مستقیم | برای لیزرهای آبی و LED استفاده می‌شود. دوپینگ آسان از نوع n، دوپینگ نوع p دشوار است، اما می‌توان به عنوان مثال نیتروژن انجام داد. . مواد نوری رایج در اپتیک مادون قرمز. |
| II-VI | ۲ | روی سولفید | ZnS | 3.54/3.91 | مستقیم | فاصله باند 3.54 eV (مکعب)، ۳٫۹۱ (شش ضلعی). قابل دوپینگ هم نوع n و هم نوع p. سوسوزن معمولی/فسفر در صورت دوپ شدن مناسب. |
| II-VI | ۲ | تلورید روی | ZnTe | 2.3 | مستقیم | می‌تواند روی AlSb, GaSb, InAs و PbSe رشد کند. مورد استفاده در سلول‌های خورشیدی، اجزای ژنراتورهای مایکروویو، LEDهای آبی و لیزرها. مورد استفاده در الکترواپتیک. همراه با نیوبات لیتیوم برای تولید تشعشعات تراهرتز استفاده می‌شود. |
| Oxide | ۲ | مس اکسید | Cu2O | 2.17 |  | یکی از نیمه هادی‌های مورد مطالعه است. بسیاری از برنامه‌ها و جلوه‌ها ابتدا با آن نشان داده شدند. قبلاً در دیودهای یکسو کننده، قبل از سیلیکون استفاده می‌شد. |
| Oxide | ۲ | دی‌اکسید تیتانیم | SnO2 | ۳٫۷ |  | نیمه هادی نوع n با کمبود اکسیژن. در سنسورهای گاز و به عنوان هادی شفاف استفاده می‌شود. |
| Layered | ۲ | سلنید گالیم | GaSe | ۲٫۱ | غیر مستقیم | فوتو رسانا. موارد استفاده در اپتیک غیرخطی به عنوان ماده دو بعدی استفاده می‌شود. حساس به هوا |