stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
آلایش
غلظت حامل

غلظت ماده ناخالص مورد استفاده بر بسیاری از خواص الکتریکی تأثیر می گذارد. از همه مهمتر غلظت حامل بار ماده است. در یک نیمه هادی ذاتی تحت تعادل حرارتی، غلظت الکترون ها و حفره ها معادل هستند. یعنی:
n=p=n_{i}
در یک نیمه هادی غیر ذاتی تحت تعادل حرارتی، این رابطه تبدیل می شود (برای دوپینگ کم):
n_{0}.p_{0}=n_{i}^{2}
که در آن n0 غلظت الکترون های رسانا، p0 غلظت حفره رسانا، و ni غلظت حامل ذاتی ماده است. غلظت حامل ذاتی بین مواد متفاوت است و به دما بستگی دارد.به عنوان مثال، نيکل سیلیکون تقریباً 1010×1.08 سانتی متر مکعب در 300 کلوين است، تقریباً دمای اتاق. به طور کلی افزایش دوپینگ به دلیل غلظت بیشتر حامل ها منجر به افزایش رسانایي می شود. نیمه هادی های منحط (بسیار دؤپ شده) دارای سطوح رسانایي قابل مقایسه با فلزات هستند و اغلب در مدارهای مجتمع به عنوان جایگزینی برای فلز استفاده می شوند.
اغلب از نمادهای اضافه و منفی برای نشان دادن غلظت نسبی دوپینگ در نیمه هادی ها استفاده می شود. به عنوان مثال، n+ نشان دهنده یک نیمه هادی نوع n با غلظت دوپینگ بالا، اغلب منحط شده است. به طور مشابه، p- نشان دهنده یک ماده از نوع p بسیار کم دوپ شده است. حتی نمونه های منحط دوپینگ نشان دهنده غلظت کم ناخالصی ها نسبت به نیمه هادی پایه است. در سیلیکون کریستالی ذاتی، تقریباً 1022×5 اتم بر سانتی متر مکعب وجود دارد. غلظت دوپینگ برای نیمه هادی های سیلیکونی ممکن است از 1013 3-cm تا 1018 3-cm باشد. غلظت دوپینگ بالای حدود 1018 3-cm در دمای اتاق منحط در نظر گرفته می شود. سیلیکون منحط دوپ شده دارای نسبتی از ناخالصی به سیلیکون به ترتیب جزء در هزار است. این نسبت ممکن است در سیلیکون بسیار کم دوپ شده به قسمت در میلیارد کاهش یابد. مقادیر غلظت معمولی جایی در این محدوده قرار می گیرند و برای ایجاد خواص مطلوب در دستگاهی که نیمه هادی برای آن در نظر گرفته شده است، تنظیم می شود.
تاثیر بر ساختار نوار ممنوعه(Band gap)

دوپینگ یک نیمه رسانا در یک کریستال خوب، حالات انرژی مجاز را در داخل شکاف نواری ایجاد می کند، اما بسیار نزدیک به نوار انرژی که با نوع ناخالصی مطابقت دارد. به عبارت دیگر، ناخالصی های دهنده الکترون حالت هایی را در نزدیکی نوار رسانایی ایجاد می کنند در حالی که ناخالصی های گیرنده الکترون حالت هایی را در نزدیکی باند ظرفیت ایجاد می کنند. شکاف بین این حالات انرژی و نزدیکترین باند انرژی معمولاً به عنوان انرژی پیوند محل ناخالصی یا EB نامیده می شود و نسبتاً کوچک است. به عنوان مثال، EB برای بور در حجم سیلیکون  0.045eV  است، در مقایسه با فاصله باند سیلیکون حدود 1.12eV. از آنجایی که EB بسیار کوچک است، دمای اتاق به اندازه‌ای گرم است که عملاً تمام اتم‌های ناخالص را از نظر حرارتی یونیزه کند و حامل‌های بار آزاد در نوارهای رسانایی یا ظرفیت ایجاد کند.
تاثیر بر ساختار نوار ممنوعه(Band gap) > ارتباط با غلظت حامل (دوپینگ کم)

برای سطوح پایین دوپینگ، حالات انرژی مربوطه به صورت پراکنده توسط الکترون ها (باند رسانایی) یا حفره ها (باند ظرفیت) پر می شوند. نوشتن عبارات ساده برای غلظت الکترون و حامل حفره، با نادیده گرفتن طرد پائولی امکان پذیر است (از طریق آمار ماکسول-بولتزمن):
n_{e}=N_{c}(T)exp((E_{f}-E_{c})/kT),n_{h}=N_{v}(T)exp((E_{v}-E_{F})/kT)
که در آن EF سطح فرمی، EC حداقل انرژی نوار رسانایی و EV حداکثر انرژی باند ظرفیت است. اینها با مقدار غلظت ذاتی از طریقی مرتبط هستند:
n_{i}^{2}=n_{h}n_{e}=N_{V}(T)N_{C}(T)exp((E_{V}-E_{C})/kT)
عبارتی مستقل از سطح دوپینگ، زیرا EC - EV شکاف باند(بند گپ) با دوپینگ تغییر نمي کند.
فاکتورهای غلظت NC(T) و NV(T) توسط فرمول زیر بدست می آیند:
N_{C}(T)=2(2\pi m_{e}^{*}kT/h^{2})^{3 \over 2},N_{V}(T)=2(2\pi m_{h}^{*}kT/h^{2})^{3 \over 2}
که در آن *meو*mh  به ترتیب چگالی حالت‌های جرم مؤثر الکترون‌ها و حفره‌ها هستند، مقادیری که تقریباً در دما ثابت هستند.
تکنیک های دوپینگ و سنتز > دوپینگ در طول رشد کریستال

برخی از مواد ناخالص اضافه می شوند زیرا کریستال (معمولاً سیلیکون) توسط فرآیند چکرالسکی رشد می کند، که به ویفر دوپینگ اولیه تقریباً یکنواختی می دهد.[8]
متناوبا، سنتز نمونه های نیمه هادی ممکن است شامل استفاده از اپیتاکسی فاز بخار باشد. در اپیتاکسی فاز بخار، یک گاز حاوی پیش ساز ناخالصی می تواند وارد راکتور شود. به عنوان مثال، در مورد گاز دوپینگ نوع n از آرسنید گالیم، سولفید هیدروژن اضافه می شود و گوگرد در ساختار گنجانده می شود.[9] این فرآیند با غلظت ثابت گوگرد در سطح مشخص می شود.[10] در مورد نیمه هادی ها به طور کلی، فقط یک لایه بسیار نازک از ویفر باید دوپ شود تا خواص الکترونیکی مورد نظر به دست آید.
تکنیک های دوپینگ و سنتز > دوپینگ پس از رشد

برای تعریف عناصر مدار، نواحی انتخاب شده - که معمولاً با فوتولیتوگرافی کنترل می شوند - بیشتر توسط فرآیندهایی مانند انتشار و کاشت یون دوپ می شوند، روش دوم به دلیل افزایش قابلیت کنترل در تولیدات بزرگ محبوب تر است.
تکنیک های دوپینگ و سنتز > دوپینگ تبدیل نوترون

همچنین ببینید: فعال سازی نوترونی
دوپینگ تبدیل نوترون (NTD) یک روش دوپینگ غیر معمول برای کاربردهای خاص است. معمولاً برای دوپ کردن سیلیکون نوع n در آشکارسازهای نیمه رسانا و نیمه هادی پرقدرت استفاده می شود. این بر اساس تبدیل ایزوتوپ Si-30 به اتم فسفر توسط جذب نوترون به شرح زیر است:
^{30}Si(n,\gamma )^{31}Si\longrightarrow ^{31}P+\beta ^{-}(T_{1/2}=2.62h)
در عمل، سیلیکون معمولاً در نزدیکی یک راکتور هسته ای قرار می گیرد تا نوترون ها را دریافت کند. همانطور که نوترون ها از طریق سیلیکون عبور می کنند، اتم های فسفر بیشتر و بیشتری در اثر تغییر شکل تولید می شوند و بنابراین دوپینگ بیشتر و قوی تر از نوع n می شود. روش دوپینگ NTD بسیار کمتر از انتشار یا کاشت یون است، اما مزیت ایجاد توزیع ناخالصی بسیار یکنواخت را دارد. معمولاً در هنگام ساخت ويفر عنصرهای ناخالصی به نیم‌رسانا افزوده می‌شوند. اگر نیاز باشد، سپس مقداری ناخالصی دیگر نیز به روش نفوذ یا کاشت یون افزوده می‌گردد. روش کاشت یون در تولید انبوه کاربرد بیشتری دارد زیرا کنترل‌پذیرتر است.
عناصر ناخالصی‌ها > نیمه هادی های گروه چهارم

(توجه: هنگام بحث درباره گروه‌های جدول تناوبی، فیزیکدانان نیمه‌رسانا همیشه از نماد          قدیمی‌تر استفاده می‌کنند، نه نماد گروه IUPAC فعلی. به عنوان مثال، گروه کربن «گروه IV» نامیده می‌شود، نه «گروه 14».)
برای نیمه هادی های گروه IV مانند الماس، سیلیکون، ژرمانیوم، کاربید سیلیکون و سیلیکون ژرمانیوم، رایج ترین مواد ناخالص پذیرنده های گروه III یا اهداکنندگان عناصر گروه V هستند. از بور، آرسنیک، فسفر و گاهی اوقات گالیم برای دوپ کردن سیلیکون استفاده می شود. بور ناخالصی نوع p انتخابی برای تولید مدار مجتمع سیلیکونی است زیرا با سرعتی پخش می شود که عمق اتصالات را به راحتی قابل کنترل می کند. فسفر معمولاً برای دوپینگ فله ای ویفرهای سیلیکونی استفاده می شود، در حالی که آرسنیک برای پخش اتصالات استفاده می شود، زیرا کندتر از فسفر پخش می شود و بنابراین قابل کنترل تر است.
با دوپینگ سیلیکون خالص با عناصر گروه V مانند فسفر، الکترون‌های ظرفیت اضافی اضافه می‌شوند که از اتم‌های منفرد نامحدود می‌شوند و به ترکیب اجازه می‌دهند تا یک نیمه‌رسانای n نوع رسانای الکتریکی باشد. دوپینگ با عناصر گروه III، که الکترون چهارم ظرفیت را ندارند، "پیوندهای شکسته" (حفره) را در شبکه سیلیکونی ایجاد می کند که حرکت آزاد دارند. نتیجه یک نیمه هادی از نوع p رسانای الکتریکی است. در این زمینه، عنصر گروه V به عنوان دهنده الکترون و عنصر گروه III به عنوان پذیرنده گفته می شود. این یک مفهوم کلیدی در فیزیک یک دیود است.
یک نیمه هادی بسیار دوپ شده بیشتر شبیه یک رسانا خوب (فلز) رفتار می کند و بنابراین ضریب حرارتی مثبت خطی بیشتری را نشان می دهد. چنین اثری برای مثال در حسگرها استفاده می شود. دوز کمتری از دوپینگ در انواع دیگر ترمیستورها (NTC یا PTC) استفاده می شود.
عناصر ناخالصی‌ها > سایر نیمه هادی ها

در لیست زیر، "(جایگزین X)" به همه مواد قبل از پرانتز اشاره دارد.
عناصر ناخالصی‌ها > سایر نیمه هادی ها > آرسنید گالیوم

نوع n: تلوریم، گوگرد (جایگزین As)؛ قلع، سیلیکون، ژرمانیوم (جایگزین Ga)
نوع p: بریلیم، روی، کروم (جایگزین Ga)؛ سیلیکون، ژرمانیوم، کربن (جایگزین As)
عناصر ناخالصی‌ها > سایر نیمه هادی ها > فسفید گالیم

نوع n: تلوریم، سلنیوم، گوگرد (جایگزین فسفر)
نوع p: روی، منیزیم (جایگزین Ga)؛ قلع (جایگزین P)
ایزوالکتریک: نیتروژن (جایگزین P) برای فعال کردن لومینسانس در LED های سبز قدیمی اضافه می شود (GaP دارای شکاف باند غیر مستقیم است)
عناصر ناخالصی‌ها > سایر نیمه هادی ها > نیترید گالیم، نیترید گالیم ایندیم، نیترید گالیم آلومینیوم

نوع n: سیلیکون (جایگزین Ga)، ژرمانیوم (جایگزین Ga، تطابق بهتر شبکه)، کربن (جایگزین Ga، به طور طبیعی در لایه های رشد یافته با برآرایی بخار فلز-آلی در غلظت کم جاسازی می شود)
نوع p: منیزیم (جایگزین Ga) -( چالش برانگیز به دلیل انرژی یونیزاسیون نسبتاً بالا در بالای لبه باند ظرفیت، انتشار قوی منیزیم بینابینی، مجموعه های هیدروژنی که گیرنده های منیزیم را غیرفعال می کنند و با خود جبرانی منیزیم در غلظت های بالاتر)
عناصر ناخالصی‌ها > سایر نیمه هادی ها > تلورید کادمیوم

نوع n: ایندیم، آلومینیوم (جایگزین سی دی)؛ کلر (جایگزین T)
نوع p: فسفر (جایگزین Te)؛ لیتیوم، سدیم (جایگزین سی دی)
عناصر ناخالصی‌ها > سایر نیمه هادی ها > سولفید کادمیوم

نوع n: گالیم (جایگزین سی دی). ید، فلوئور (جایگزین S)
نوع p: لیتیوم، سدیم (جایگزین Cd)
جبران خسارت

در بیشتر موارد، انواع مختلفی از ناخالصی ها در نیمه هادی دوپینگ حاصل وجود دارند. اگر تعداد مساوی دهنده و پذیرنده در نیمه هادی وجود داشته باشند، الکترون های هسته اضافی ارائه شده توسط اولی برای ارضای پیوندهای شکسته ناشی از دومی مورد استفاده قرار می گیرند، به طوری که دوپینگ هیچ حامل آزاد از هر دو نوع تولید نمی کند. این پدیده به عنوان جبران شناخته می شود و در اتصال p-n در اکثریت قریب به اتفاق دستگاه های نیمه هادی رخ می دهد.
جبران جزئی، در جایی که تعداد اهداکنندگان از پذیرنده ها بیشتر است یا برعکس، به سازندگان دستگاه اجازه می دهد تا به طور مکرر نوع لایه خاصی را در زیر سطح یک نیمه هادی حجیم با پخش یا کاشت دوزهای بالاتر از مواد ناخالص، که اصطلاحاً ضد دوپینگ نامیده می شود، معکوس کنند (معکوس کنند). اکثر دستگاه های نیمه هادی مدرن با مراحل متوالی ضد دوپینگ انتخابی برای ایجاد نواحی لازم از نوع P و N در زیر سطح سیلیکون حجیم ساخته می شوند. این جایگزینی برای رشد متوالی چنین لایه‌هایی با اپیتاکسی است.
اگرچه می توان از جبران برای افزایش یا کاهش تعداد دهنده ها یا پذیرنده ها استفاده کرد، تحرک الکترون و حفره همیشه با جبران کاهش می یابد زیرا تحرک تحت تأثیر مجموع یون های دهنده و گیرنده قرار می گیرد.
دوپینگ در پلیمرهای رسانا

مقاله اصلی: پلیمر رسانا
پلیمرهای رسانا را می‌توان با افزودن واکنش‌دهنده‌های شیمیایی برای اکسید کردن، یا گاهی کاهش دادن سیستم، دوپ کرد تا الکترون‌ها به اوربیتال‌های رسانا در سیستم رسانای بالقوه از قبل فشار داده شوند. دو روش اصلی برای دوپینگ پلیمر رسانا وجود دارد که هر دو از فرآیند کاهش اکسیداسیون (به عنوان مثال ردوکس) استفاده می کنند.
دوپینگ شیمیایی شامل قرار دادن پلیمری مانند ملانین، معمولاً یک لایه نازک، در معرض اکسیدانی مانند ید یا برم است. روش دیگر، پلیمر می تواند در معرض یک احیا کننده قرار گیرد. این روش بسیار کمتر رایج است و معمولاً شامل فلزات قلیایی است.
دوپینگ الکتروشیمیایی شامل تعلیق یک الکترود فعال با پوشش پلیمری در محلول الکترولیت است که در آن پلیمر به همراه الکترودهای شمارنده و مرجع جداگانه نامحلول است. یک اختلاف پتانسیل الکتریکی بین الکترودها ایجاد می‌شود که باعث می‌شود یک بار و یون شماره‌دار مناسب از الکترولیت به شکل افزودن الکترون (یعنی n-doping) یا حذف (یعنی p-doping) وارد پلیمر شود.
دوپینگ N بسیار کمتر رایج است زیرا جو زمین غنی از اکسیژن است، بنابراین یک محیط اکسید کننده ایجاد می کند. یک پلیمر غنی از الکترون و دوپ شده با n فوراً با اکسیژن عنصری واکنش می دهد تا پلیمر را از بین ببرد (یعنی به حالت خنثی دوباره اکسید شود). بنابراین، n-doping شیمیایی باید در محیطی از گاز بی اثر (به عنوان مثال، آرگون) انجام شود. دوپینگ الکتروشیمیایی n در تحقیقات بسیار رایج تر است، زیرا حذف اکسیژن از یک حلال در یک فلاسک مهر و موم شده آسان تر است. با این حال، بعید است که پلیمرهای رسانا با n دوپ شده به صورت تجاری در دسترس باشند.
دوپینگ در نیمه هادی های مولکولی آلی

آلاینده های مولکولی در نیمه هادی های مولکولی دوپینگ به دلیل سازگاری آنها با میزبان ترجیح داده می شوند، یعنی دمای تبخیر مشابه یا حلالیت قابل کنترل. ) عموماً مفید هستند و محصور فضایی عالی را برای استفاده در ساختارهای چندلایه مانند OLED و سلول‌های خورشیدی ارگانیک ایجاد می‌کنند. ناخالصی های معمولی نوع p شامل F4-TCNQ و Mo(tfd)3 می باشد. با این حال، مشابه مشکلی که در پلیمرهای رسانای دوپینگ با آن مواجه می‌شویم، ناخالصی های n پایدار در هوا مناسب برای مواد با میل الکترون خواهی کم (EA) هنوز گریزان هستند. اخیراً، فعال‌سازی نوری با ترکیبی از ناخالصی‌های دیمری قابل جداسازی، مانند 2[RuCp∗Mes]، مسیر جدیدی را برای تحقق n-دوپینگ مؤثر در مواد با EA پایین پیشنهاد می‌کند.
دوپینگ مغناطیسی

مقاله اصلی: نیمه هادی مغناطیسی(به انگلیسی: Magnetic semiconductor)
تحقیقات روی دوپینگ مغناطیسی نشان داده است که تغییرات قابل توجهی در برخی خواص مانند گرمای ویژه ممکن است تحت تأثیر غلظت های کوچک یک ناخالصی باشد. به عنوان مثال، ناخالصی های ناخالص در آلیاژهای فرومغناطیسی نیمه رسانا می توانند خواص متفاوتی را ایجاد کنند که اولین بار توسط White، Hogan، Suhl و Nakamura پیش بینی شده است. گنجاندن عناصر ناخالص برای ایجاد مغناطیس رقیق در زمینه نیمه هادی های مغناطیسی از اهمیت رو به رشدی برخوردار است. وجود گونه‌های فرومغناطیسی پراکنده، کلید عملکرد اسپینترونیک در حال ظهور است، کلاسی از سیستم‌هایی که علاوه بر بار، از اسپین الکترون نیز استفاده می‌کنند. با استفاده از نظریه تابعی چگالی (DFT) می توان رفتار مغناطیسی وابسته به دما مواد ناخالص در یک شبکه معین را برای شناسایی سیستم های نیمه هادی زیر نظر مدل کرد.
ناخالصی منفرد در نیمه هادی ها

وابستگی حساس خواص نیمه هادی به مواد ناخالص، طیف گسترده ای از پدیده های قابل تنظیم را برای کاوش و اعمال در دستگاه ها فراهم کرده است. شناسایی اثرات یک ناخالصی منفرد بر عملکرد دستگاه تجاری و همچنین بر روی خواص اساسی یک ماده نیمه هادی امکان پذیر است. کاربردهای جدیدی در دسترس قرار گرفته اند که به شخصیت مجزای یک ناخالصی نیاز دارند، مانند دستگاه های تک اسپین در حوزه اطلاعات کوانتومی یا ترانزیستورهای تک ناخالص. پیشرفت‌های چشمگیر در دهه گذشته به سمت مشاهده، ایجاد کنترل‌شده و دستکاری مواد ناخالص منفرد، و همچنین کاربرد آن‌ها در دستگاه‌های جدید، امکان باز کردن زمینه جدید سولوترونیک (اپتوالکترونیک ناخالص انفرادی) را فراهم کرده است.
دوپینگ مدولاسیون

الکترون‌ها یا حفره‌هایی که توسط دوپینگ وارد می‌شوند متحرک هستند و می‌توانند از نظر فضایی از اتم‌های ناخالصی که از آنها جدا شده‌اند جدا شوند. با این حال، اهداکنندگان و گیرنده‌های یونیزه شده الکترون‌ها و حفره‌ها را جذب می‌کنند، بنابراین این جداسازی فضایی به تغییرات ناگهانی سطوح ناخالصی، شکاف نواری (مثلاً یک چاه کوانتومی)، یا میدان‌های الکتریکی داخلی (مثلاً در مورد کریستال‌های غیرمتقارن) نیاز دارد. این روش دوپینگ مدولاسیون نامیده می‌شود و به دلیل سرکوب پراکندگی حامل- اهداکننده سودمند است و امکان تحرک بسیار بالا را می‌دهد.
شهرستان موزکرون

| شهرستان موزکرون Arrondissement de Mouscron | شهرستان موزکرون Arrondissement de Mouscron |
| --- | --- |
شهرستان: شهرستان
موقعیت شهرستان موزکرون در استان انو: موقعیت شهرستان موزکرون در استان انو
کشور:  بلژیک
منطقه:  والونی
استان:  انو
مساحت: مساحت
 • کل: ۱۰۱٫۱۷ کیلومتر مربع (۳۹٫۰۶ مایل مربع)
جمعیت (۲۰۰۶): جمعیت (۲۰۰۶)
 • کل: ۷۰٬۳۸۷
 • تراکم: ۷۰۰/کیلومتر مربع (۱۸۰۰/مایل مربع)
منطقهٔ زمانی: یوتی‌سی ۱+ (CET)
 • تابستانی (DST): یوتی‌سی ۲+ (CEST)
شهرستان موک خن (به فرانسوی: Mouscron) در استان انو  در منطقه فدرال والوون در کشور بلژیک واقع شده‌است.
شهرها

کمین‌وارنتون
موزکرون
تهران من، حراج

| تهران من، حراج | تهران من، حراج |
| --- | --- |
کارگردان: گراناز موسوی
نویسنده: گراناز موسوی
بازیگران: مرضیه وفامهر امیر چگینی آشا محرابی
مدت زمان: ۹۶ دقیقه
کشور: ایران و استرالیا
تهران من، حراج (به انگلیسی: My Tehran for Sale) اولین فیلم بلند گراناز موسوی، شاعر و کارگردان ایرانی، محصول مشترک ایران و استرالیا و برندهٔ جایزهٔ بهترین فیلم مستقل سال ۲۰۰۹ در استرالیا (اینساید فیلم اواردز) و درامی اجتماعی-انتقادی است.
نویسنده و کارگردان آن دانش آموختهٔ رشتهٔ سینما در مقطع دکتری دانشگاه سیدنی است و فیلمبرداری این فیلم را که تحسین شدهٔ منتقدان و تماشاگران جشنواره‌های متعدد از جمله جشنواره بین‌المللی فیلم تورنتو، روتردام، جشنواره بین‌المللی فیلم پوسان و نیز موزه هنر مدرن نیویورک، بوستون، هیوستون و برندهٔ چندین جایزهٔ جهانی است در تابستان سال ۲۰۰۸ میلادی در تهران انجام داده‌است.
تمدن بالدیبیا

نقشه تمدن باستانی بالدیبیا
تمدن بالدیبیا یکی از قدیمی‌ترین تمدن‌ها و فرهنگ‌های ثبت شده در آمریکای باستان است که در مرزهای کنونی کشور اکوادور واقع بوده‌است. زمان ایجاد و پدیداری این فرهنگ به ۳۵۰۰ تا ۱۸۰۰ بازمی‌گردد. این فرهنگ از فرهنگ باستانی لاس وگاس سرچشمه می‌گیرد.
تلور (بندرگز)

| تلور | تلور |
| --- | --- |
روستا: روستا
مختصات: ۳۶°۴۳′۵۲″شمالی ۵۳°۵۳′۳۱″شرقی﻿ / ﻿۳۶٫۷۳۱۱۱۱°شمالی ۵۳٫۸۹۱۹۴۴°شرقی﻿ / 36.731111; 53.891944: مختصات: ۳۶°۴۳′۵۲″شمالی ۵۳°۵۳′۳۱″شرقی﻿ / ﻿۳۶٫۷۳۱۱۱۱°شمالی ۵۳٫۸۹۱۹۴۴°شرقی﻿ / 36.731111; 53.891944
کشور: ایران
استان: گلستان
شهرستان: بندرگز
بخش: نوکنده
دهستان: لیوان
جمعیت: ۱۰۶۷ نفر (سرشماری ۹۵)
تلور روستایی در دهستان لیوان بخش نوکنده شهرستان بندرگز استان گلستان ایران است.
جمعیت

بر پایه سرشماری عمومی نفوس و مسکن در سال ۱۳۹۵ جمعیت این مکان ۱٬۰۶۷ نفر (۳۷۰خانوار) بوده‌است.
| جمعیت تاریخی> سال | جمعیت تاریخی> جمعیت | جمعیت تاریخی> ±% |
| --- | --- | --- |
| ۱۳۸۵ | ۱٬۱۷۳ | —     |
| ۱۳۹۰ | ۱٬۱۷۱ | ۰٫۲٪− |
| ۱۳۹۵ | ۱٬۰۶۷ | ۸٫۹٪− |
تهی‌خار یاغی

| انتر زاغی | انتر زاغی |
| --- | --- |
رده‌بندی علمی: رده‌بندی علمی
فرمانرو:: جانوران
شاخه:: طنابداران
رده:: گوشتی‌بالگان
راسته:: تهی‌خار
تهی‌خار یاغی(نام علمی: Rebellatrix) نام یک سرده از راسته تهی‌خار است.
تهل شریف

| تهل شریف | تهل شریف |
| --- | --- |
روستا: روستا
تهل شریف: تهل شریف
پرونده:Thill sharief view in moonsoon.jpg: پرونده:Thill sharief view in moonsoon.jpg
تهل شریفموقعیت تهل شریف در نقشه: تهل شریفموقعیت تهل شریف در نقشه
مختصات: ۳۲°۲۵′شمالی ۷۳°۱۲′شرقی﻿ / ﻿۳۲٫۴۲°شمالی ۷۳٫۲۰°شرقی﻿ / 32.42; 73.20: مختصات: ۳۲°۲۵′شمالی ۷۳°۱۲′شرقی﻿ / ﻿۳۲٫۴۲°شمالی ۷۳٫۲۰°شرقی﻿ / 32.42; 73.20
کشور:  پاکستان
ایالت: پنجاب
بخش (تقسیم کشوری): جهلم (شهر)
تحصیل: پند دادن‌خان
شورای اتحادیه: دولت‌پور، پنجاب
ارتفاع: ۲۱۹ متر (۷۱۹ فوت)
جمعیت (۱۹۹۸): جمعیت (۱۹۹۸)
 • کل: ۳۰۰۰
منطقهٔ زمانی: یوتی‌سی +۵ (ساعت رسمی پاکستان)
فهرست پیش‌شماره‌های تلفن در پاکستان: ۰۵۴۴
تهل شریف (به انگلیسی: Thill) یک روستا در پاکستان است که در جهلم واقع شده‌است. تهل شریف ۳٬۰۰۰ نفر جمعیت دارد و ۲۱۹ متر بالاتر از سطح دریا واقع شده‌است.
تنبل ۷۲۷۰

| کشف | کشف |
| --- | --- |
تاریخ کشف: ژوئیه ۷, ۱۹۷۸
ویژگی‌های مداری: ویژگی‌های مداری
مبدأ مه ۱۴, ۲۰۰۸: مبدأ مه ۱۴, ۲۰۰۸
اوج: ۳.۷۹۰۲۶۹۰
حضیض: ۲.۶۱۷۳۹۴۸
خروج از مرکز مداری: ۰.۱۸۳۰۴۲۴
تناوب مداری: ۲۰۹۴.۶۰۹۳۱۳۵
آنومالی متوسط: ۶۵.۵۱۲۹۰
انحراف: ۲.۷۳۴۸۹
 :  
سیارک ۷۲۷۰ (به انگلیسی: 7270 Punkin، نامگذاری:1978NY7) هفت هزار و دویست و هفتادمین سیارک کشف شده‌است که در ۷ ژوئیه ۱۹۷۸ کشف شد.
قدر مطلق سیارک برابر ۱۲٫۵۰ است.
شصت و نهمین دوره جوایز بفتا

| شصت و نهمین جوایز فیلم بفتا | شصت و نهمین جوایز فیلم بفتا |
| --- | --- |
تاریخ: ۱۴ فوریه ۲۰۱۶
مکان: خانه اپرای سلطنتی لندن، لندن
مجری: استیون فرای
نکات برجسته: نکات برجسته
بهترین فیلم: بازگشته (فیلم ۲۰۱۵)
بهترین فیلم بریتانیایی: بروکلین (فیلم)
بهترین بازیگر مرد: لئوناردو دی‌کاپریو بازگشته (فیلم ۲۰۱۵)
بهترین بازیگر زن: بری لارسون اتاق (فیلم ۲۰۱۵)
بیشترین جوایز: بازگشته (فیلم ۲۰۱۵) (۵)
بیشترین نامزدی‌ها: پل جاسوس‌ها و کارول (فیلم) (۹)
 ← ۶۸اُم  جوایز فیلم بفتا  ۷۰اُم → :  ← ۶۸اُم  جوایز فیلم بفتا  ۷۰اُم → 
شصت و نهمین دورهٔ مراسمِ آکادمی بریتانیا (بَفتا) در ۱۴ فوریه ۲۰۱۶ در خانهٔ اپرای سلطنتی در لندن برگزار شد. جوایز فیلم بفتا بعنوانِ پیش‌زمینه‌ای برای مراسم اسکار شناخته شده است.
بازگشته

بازگشته که در ۸ رشته نامزدِ دریافتِ جایزه از آکادمی هنرهای سینمایی و تلویزیونی بریتانیا بود، شامگاهِ شنبه در اپراخانه سلطنتی لندن ۵ جایزه ازجمله بهترین فیلم، کارگردان و بازیگرِ مرد را برد و فاتحِ مطلقِ شصت‌ونهمین دورهٔ مراسمِ اهدای جوایز بفتا لقب گرفت. جایزهٔ بهترین بازیگرِ مرد به لئوناردو دیکاپریو رسید.
رقابتِ نامزدها

فیلم سینمایی «ذئب» به کارگردانی ناجی ابونوار که یکی از ۵ نامزد نهایی کسب جایزه اسکار بهترین فیلم خارجی‌زبان است، در مراسم بفتا توانست جایزهٔ بهترین فیلم اول یک نویسنده، کارگردان یا تهیه‌کننده بریتانیایی را از آن خود کند. گرچه رقابت برای کسب جایزهٔ بفتا در بخش بهترین فیلم غیرانگلیسی‌زبان را به «قصه‌های وحشی» دامیان زیفرون از آرژانتین واگذار کرد. «آدمکش» هو سیائوسین، «فورس ماژور» روبن اوستلند و «تیمبوکتو» عبدالرحمان سیساکو دیگر نامزدهای این بخش بودند. نکته جالب اینکه پسر شائول توانست موفق به کسب جایزه اسکار بهترین فیلم بین‌المللی شود؛ در حالی که همین فیلم به دلیل تاریخ اکران در بریتانیا،  توانست برنده بفتا بهترین فیلم غیر انگلیسی‌زبان سال بعد ، یعنی در  هفتادمین دوره جوایز بفتا شود.
نامزدها

در ۸ ژانویه ۲۰۱۶ فهرستِ نامزدها با پیشتازی ۲ فیلم «پلِ جاسوس‌ها» و «کارول» اعلام شده بود.
تل شهر

| تل شهر | تل شهر |
| --- | --- |
نام: تل شهر
کشور: ایران
استان: استان فارس
شهرستان: شهرستان لامرد
بخش: بخش علامرودشت
اطلاعات اثر: اطلاعات اثر
کاربری: شهر تاریخی، تل
اطلاعات ثبتی: اطلاعات ثبتی
شمارهٔ ثبت: ۹۲۲۸
تاریخ ثبت ملی: ۲۴ تیر ۱۳۸۲
  تل شهر  روی نقشه ایران ۲۷°۴۲′۳۱″شمالی ۵۲°۵۲′۳۶″شرقی﻿ / ﻿۲۷٫۷۰۸۵۸۸°شمالی ۵۲٫۸۷۶۷۶۸°شرقی﻿ / 27.708588; 52.876768   :   تل شهر  روی نقشه ایران ۲۷°۴۲′۳۱″شمالی ۵۲°۵۲′۳۶″شرقی﻿ / ﻿۲۷٫۷۰۸۵۸۸°شمالی ۵۲٫۸۷۶۷۶۸°شرقی﻿ / 27.708588; 52.876768   
تل شهر در شهرستان لامرد، بخش علامرودشت روستای حسین‌آباد و گل خرک واقع شده و این اثر در تاریخ ۲۴ تیر ۱۳۸۲ با شمارهٔ ثبت ۹۲۲۸ به‌عنوان یکی از آثار ملی ایران به ثبت رسیده است.
توماس فارنر

توماس فارنر (به انگلیسی: Thomas Fahrner) (زادهٔ ۷ فوریهٔ ۱۹۶۳) شناگر اهل آلمان غربی است.
تور زن خطرناک

| 0 | 1 |
| --- | --- |
تور کنسرت توسط آریانا گرانده: تور کنسرت توسط آریانا گرانده
آلبوم وابسته: زن خطرناک
تاریخ آغاز: ۳ فوریه ۲۰۱۷ (۲۰۱۷-02-۰۳)
تاریخ پایان: ۲۱ سپتامبر ۲۰۱۷ (۲۰۱۷-09-۲۱)
لگ‌ها: ۶
تعداد نمایش‌ها: ۳۷ در آمریکای شمالی ۱۵ در اروپا ۷ در آمریکای لاتین ۱۲ در آسیا ۶ در اقیانوسیه ۷۷ در کل
تماشاگران: ۸۵۳٬۵۵۴ (۷۲ نمایش)
باکس آفیس: $۷۱٫۴($۸۴٫۷۶ میلیون در ۲۰۲۲ dollars)
گاه‌نگاری کنسرت آریانا گرانده: گاه‌نگاری کنسرت آریانا گرانده
 تور ماه عسل (۲۰۱۵)  تور زن خطرناک (۲۰۱۷)  دیدارهای شیرین‌کننده (۲۰۱۸) :  تور ماه عسل (۲۰۱۵)  تور زن خطرناک (۲۰۱۷)  دیدارهای شیرین‌کننده (۲۰۱۸) 
تور زن خطرناک (انگلیسی: Dangerous Woman Tour) (همچنین باعنوان تور جهانی زن خطرناک شناخته می‌شود) سومین تور کنسرت توسط خواننده و هنرپیشه آمریکایی آریانا گرانده برای پشتیبانی از سومین آلبوم استودیویی خود، زن خطرناک (۲۰۱۶) بود. این تور در ۳ فوریه ۲۰۱۷ در فینیکس آغاز شد و در ۲۱ سپتامبر ۲۰۱۷ در هنگ کنگ، چین به‌پایان رسید. این تور به دلیل بمب‌گذاری ۲۰۱۷ منچستر آرنا، که دقایقی پس از پایان نمایش گرانده در منچستر آرنا رخ داد و منجر به کشته شدن ۲۲ تن از تماشاگران کنسرت و مصدومیت فیزیکی ۱۳۹ تن شد، موقتاً در ۲۲ مه ۲۰۱۷ متوقف شد. بعد از سازماندهی و اجرا در کنسرت وان لاو منچستر، گراند تور را از ۷ ژوئن ۲۰۱۷ در پاریس، فرانسه از سر گرفت.
در ۲۹ نوامبر ۲۰۱۸، گراند یک سری مستند چهار قسمتی با عنوان خاطرات زن خطرناک در یوتیوب منتشر کرد که شامل تصاویر پشت صحنه تور، اجراها و همچنین ایجاد چهارمین آلبوم استودیویی خود، شیرین‌کننده (۲۰۱۸) بود.
تورپ سالوین

منطقه مسکونی در انگلستان
| تورپ سالوین | تورپ سالوین |
| --- | --- |
 کلیسای سنت پیتر, یورک‌شر جنوبی:  کلیسای سنت پیتر, یورک‌شر جنوبی
تورپ سالوینتورپ سالوین نمایش داده شده در  the بریتانیا: تورپ سالوینتورپ سالوین نمایش داده شده در  the بریتانیا
جمعیت: ۴۷۶ (۲۰۱۱)
محله مدنی: تورپ سالوین
کلان‌شهر مستقل: کلان‌شهر مستقل راترهام
Metropolitan county: یورک‌شر جنوبی
کشور: انگلستان
کشور مستقل: بریتانیا
پست شهر: وورکساپ
کدپستی منطقه: S80
کد تلفن: ۰۱۹۰۹
مجلس انگلستان: روتر ولی
 فهرست مکان‌‌ها بریتانیا انگلستان  ۵۳°۱۹′۳۰″شمالی ۱°۱۳′۰۰″غربی﻿ / ﻿۵۳٫۳۲۵°شمالی ۱٫۲۱۶۷°غربی﻿ / 53.325; -1.2167:  فهرست مکان‌‌ها بریتانیا انگلستان  ۵۳°۱۹′۳۰″شمالی ۱°۱۳′۰۰″غربی﻿ / ﻿۵۳٫۳۲۵°شمالی ۱٫۲۱۶۷°غربی﻿ / 53.325; -1.2167
تورپ سالوین (به انگلیسی: Thorpe Salvin) یک روستا و محله مدنی در بریتانیا است که در کلان‌شهر مستقل راترهام واقع شده‌است. تورپ سالوین ۴۷۶ نفر جمعیت دارد.
توماس فابیانو

| 0 | 1 |
| --- | --- |
کشور (ورزشی):  ایتالیا
محل زندگی: San Giorgio Ionico, Italy
زادهٔ: ۲۶ مهٔ ۱۹۸۹ ‏(۳۵ سال) جروتالیه, Italy
قد: ۱٫۷۳ m (۵ ft ۸ in)
آغاز حرفه: 2005
شیوه(های) بازی: Right-handed (two handed backhand)
جایزه(های) نقدی: دلار آمریکا183,138
تک‌نفره: تک‌نفره
نتیجه‌ها: 0–2
عنوان‌ها: 0
بالاترین رتبه: No. 176 (26 August 2013)
رتبهٔ کنونی: No. 173 (5 August 2013)
نتایج تک‌نفرهٔ گرند اسلم: نتایج تک‌نفرهٔ گرند اسلم
آزاد استرالیا: Q1 (2014)
آزاد فرانسه: Q1 (2014)
ویمبلدون: Q2 (2012)
آزاد آمریکا: 1R (2013)
آزاد استرالیا نوجوانان: SF (2007)
آزاد فرانسه نوجوانان: 2R (2007)
ویمبلدون نوجوانان: 3R (2007)
آزاد آمریکا نوجوانان: SF (2007)
دونفره: دونفره
نتیجه‌ها: 0–0
عنوان‌ها: 0
بالاترین رتبه: No. 208 (20 July 2009)
رتبهٔ کنونی: No. 549 (26 August 2013)
نتایج دونفرهٔ گرند اسلم: نتایج دونفرهٔ گرند اسلم
آزاد استرالیا نوجوانان: 2R (2007)
آزاد فرانسه نوجوانان: W (2007)
ویمبلدون نوجوانان: QF (2007)
آزاد آمریکا نوجوانان: QF (2007)
آخرین به‌روزرسانی: 22 July 2013.: آخرین به‌روزرسانی: 22 July 2013.
توماس فابیانو (انگلیسی: Thomas Fabbiano؛ زادهٔ ۲۶ مهٔ ۱۹۸۹) یک تنیس‌باز اهل ایتالیا است.
تلمبه قائم

| تلمبه قائم | تلمبه قائم |
| --- | --- |
روستا: روستا
مختصات: : مختصات: 
کشور: ایران
استان: کرمان
شهرستان: بردسیر
بخش: بخش نگار
دهستان: نارپ
جمعیت: ۱۸ نفر (سرشماری ۹۵)
تلمبه قائم، یک منطقه مسکونی از توابع بخش نگار، شهرستان بردسیر در استان کرمان ایران است.
جمعیت

این روستا در دهستان نارپ قرار دارد و براساس سرشماری مرکز آمار ایران در سال ۱۳۹۵، جمعیت آن ۱۸ نفر (۷ خانوار) بوده‌است.
توطئه (فیلم ۱۹۸۸)

| توطئه | توطئه |
| --- | --- |
کارگردان: راجکومار کوهلی
بازیگران: راج کومار میتون چاکرابورتی راج بابار دیمپل کاپادیا آنیتا راج وینود مهرا
تاریخ‌های انتشار:  ۲۲ ژوئیه ۱۹۸۸ (۱۹۸۸-07-۲۲)  
مدت زمان: ۱۴۰ دقیقه
کشور: هند
زبان: هندی 
توطئه یا سازش (به هندی: Saazish) فیلمی هندی محصول سال ۱۹۸۸ و به کارگردانی راجکومار کوهلی است. در این فیلم بازیگرانی همچون راج کومار، میتون چاکرابورتی، راج بابار، دیمپل کاپادیا، آنیتا راج، وینود مهرا، قادرخان، آمریش پوری و باب کریستو ایفای نقش کرده‌اند.