میان‌راه ازمیان-سیلیکون
تاریخ

خاستگاه مفهوم تی‌اس‌وی را می‌توان به حق اختراع ویلیام شاکلی «ویفر نیم‌رسانشی و روش ساخت یکسان» جستجو کرد که در سال ۱۹۵۸ ثبت شد و در سال ۱۹۶۲ اعطا شد، که توسط محققان آی‌بی‌ام مرلین اسمیت و امانوئل استرن با حق اختراع خود «روش‌های ایجاد میان-اتصالات در ویفرهای نیم‌رسانا» در سال ۱۹۶۴ ثبت شد و در سال ۱۹۶۷ اعطا شد، دومی روشی را برای زُدایش یک سوراخ ازمیان سیلیکون توصیف می‌کند، توسعه داده شد. تی‌اس‌وی در ابتدا برای یکپارچه‌سازی سه بعدی طراحی نشده بود، اما اولین تراشه‌های سه بعدی مبتنی بر تی‌اس‌وی بعداً در دهه ۱۹۸۰ اختراع شدند.
اولین تراشه‌های پشته‌شده مدار مجتمع سه بعدی (آی‌سی سه‌بُعدی) برساخته با فرایند تی‌اس‌وی در دهه ۱۹۸۰ ژاپن اختراع شد. هیتاچی در سال ۱۹۸۳ یک حق‌اختراع ژاپنی به ثبت رساند و پس از آن فوجیتسو در سال ۱۹۸۴ ثبت کرد. در سال ۱۹۸۶، فوجیتسو یک حق اختراع ژاپنی را ثبت کرد که در آن ساختار تراشه پشته‌شده با استفاده از تی‌اس‌وی توضیح داده شد. در سال ۱۹۸۹، میتسوماسا کویوناگی از دانشگاه توهوکو، پیشگام فنّ پیوندزنی ویفر-به-ویفر با تی‌اس‌وی بود که از آن برای برساخت یک تراشه ال‌اس‌آی سه بعدی در سال ۱۹۸۹ استفاده کرد. در سال ۱۹۹۹، انجمن فناوری‌های الکترونیک اَبَر-پیشرفته (ASET) در ژاپن شروع به تأمین مالی توسعه تراشه‌های آی سی سه بعدی با استفاده از فناوری تی‌اس‌وی کرد که پروژه «تحقیق و توسعه در فناوری یکپارچه‌سازی سامانه الکترونیکی با چگالی بالا» نامیده می‌شود. گروه کویوناگی در دانشگاه توهوکو از فناوری تی‌اس‌وی برای برساخت یک تراشه حسگر تصویر پشته‌شده سه‌لایه در سال ۱۹۹۹، یک تراشه حافظه سه‌لایه در سال ۲۰۰۰، یک تراشه شبکیه مصنوعی سه‌لایه در سال ۲۰۰۱، یک ریزپردازنده سه‌لایه در سال ۲۰۰۲ و یک تراشه حافظه ده‌لایه در سال ۲۰۰۵، استفاده کرد.
روش میان‌راه میان‌تراشه‌ای (ICV) در سال ۱۹۹۷ توسط یک تیم تحقیقاتی فراونهوفر – زیمنس شامل پیتر رام، دی. بولمان، آر. براون، آر. بوشنر، یو. کائو مین، مانفرد انگلهارت و آرمین کلمپ توسعه یافت. این نوعی از فرایند تی‌اس‌وی بود و بعدها فناوری اس‌ال‌آی‌دی (فناوری میان-پخشی مایع جامد) نامیده شد.
اصطلاح «میان‌راه ازمیان‌سیلیکون» (تی‌اس‌وی) توسط محققان ترو-اس‌آی تکنولوجیس سرگئی ساواستیوک، اُو سینیگوین و ئی کورچینسکی ابداع شد که در سال ۲۰۰۰ یک روش تی‌اس‌وی را برای راه‌حل بسته‌بندی در سطح ویفر (WLP) سه بعدی ارائه کردند.
حسگرهای تصویری سیماس با استفاده از تی‌اس‌وی توسط شرکت‌هایی از جمله توشیبا، آپتینا و اس‌تی‌میکروالکترونیکس طی سال‌های 2007 – ۲۰۰۸ تجاری شدند و توشیبا نام فناوری آنها را «میان‌راه ازمیان‌سیلیکون» (تی‌اس‌وی) گذاشت. حافظه دسترسی-تصادفی (RAM) پشته‌شدهٔ سه‌بعدی توسط الپیدا مموری تجاری‌سازی شد که اولین تراشه دی‌رَم ۸ گیگابایتی (همراه با چهار دای اس‌دی‌رَم دی‌دی‌آر۳ پشته‌شده) را در سپتامبر ۲۰۰۹ توسعه داد، و آن را در ژوئن ۲۰۱۱ منتشر کرد. تی‌اس‌ام‌سی برنامه‌های خود را برای تولید آی‌سی سه‌بعدی با فناوری تی‌اس‌وی در ژانویه ۲۰۱۰ اعلام کرد. در سال ۲۰۱۱، اس‌کی هاینیکس ۱۶ گیگابایتی اس‌دی‌رَم دی‌دی‌آر۳ (کلاس ۴۰ نانومتری) با استفاده از فناوری تی‌اس‌وی را معرفی کرد، سامسونگ الکترونیکس دی‌دی‌آر۳ ۳۲ گیگابایتی پشته‌شده ۳بُعدی (کلاس ۳۰ نانومتر) را بر اساس تی‌اس‌وی در ماه سپتامبر معرفی کرد و سپس سامسونگ و میکرون تکنولوژی فناوری مکعب حافظه ترکیبی (HMC) مبتنی‌بر تی‌اس‌وی را در ماه اکتبر اعلام کردند. اس‌کی هاینیکس اولین تراشه حافظه با پهنای‌باند بالا (HBM) را بر اساس فناوری تی‌اس‌وی در سال ۲۰۱۳ تولید کرد. فناوری میان‌راه میانی توسط ایمک تحت نظر اریک بین توسعه داده شد. میان‌راه میانی بهترین بده‌بستان را از نظر هزینه و تراکم میان‌هابند ارائه کرد. این کار توسط کوالکام پشتیبانی شد، و سپس ان‌ویدیا، زیلینک و آلترا، که به دنبال راه‌هایی برای شکست دادن اینتل در بازی خود - افزایش حافظه روی تراشه بودند، اما درآن زمان با پشته‌سازی، به جای مقیاس‌بندی.
تجسم تی‌اس‌وی‌های میان‌راه-نخست، میان‌راه-میانی و میان‌راه-آخرین