ناکاملی بلوری
عیوب نقطه‌ای

عیوب نقطه ای (Point defects) به دسته‌ای از عیوب بلوری گفته می‌شود که بسته به ماهیتشان منجر به وجود آمدن نقص در تعداد متناهی و کوچک اتم در شبکه بلوری می‌شوند و در هیچ جهت مختصات منتشر نشده‌اند. بنابر دلایل تاریخی عیوب نقطه‌ای در کریستال‌های یونی مرکز (Center) نامیده می‌شوند.
نقص جای‌خالی (Vacancy defect)
اگر یک اتم در محل خود در ساختمان بلوری حضور نداشته باشد نقص جای‌خالی (تهی‌جایی) نامیده می‌شود که ساده‌ترین و مهم‌ترین عیب نقطه‌ای می‌باشد. چنین عیوبی می‌توانند در مواقع انجماد، تغییر شکل دادن، اشعه دادن با انرژی زیاد یا در درجه حرارت‌های بالا به وجود بیایند. وجود نقص جای‌خالی منجر به نزدیک شدن اتم‌های اطراف جای‌خالی می‌شود و نظم اتمی اندکی به هم می‌ریزد و همچنین باعث افزایش انتروپی (Entropy) بلور می‌گردد.
نقص بین‌نشینی (Interstitial defect)
یک خود بین‌نشین اتمی از بلور است که یک مکان بین‌نشین (یک حفره کوچک که تحت شرایط معمولی اشغال نشده‌است) را پر کرده‌است این عیب بیشتر در شبکه‌هایی با ضریب تراکم پایین دیده می‌شود شرط اولیه برای قرار گرفتن یک اتم ثالث به صورت بین‌نشین در بین اتم‌های شبکه اصلی به اندازه کافی کوچکتر بودن شعاع اتمی آن از اتم‌های اصلی شبکه است. در فلزات، یک خود بین‌نشین باعث ایجاد اعوجات شدید در اطراف خود می‌گردد زیرا اندازه این اتم متفاوت از موقعیت بین نشینی است که در آن قرار گرفته‌است اختلاف اندازه اتمی ذکر شده منجر به ایجاد تنش فشاری در مکان نقص می‌شود و انرژی محرکی نفوذ را افزایش می‌دهد در نتیجه این عیب در غلظت‌های بسیار کمی وجود دارد که بسیار کمتر از جای خالی است. کاربرد مهم این عیب در آلیاژ سازی است مانند آلیاژ فولاد.
نقص جانشینی (Substitutional defect)
در این حالت اتم‌های ناخالصی یا حل شونده جایگزین اتم‌های میزبان می‌شوند که اختلاف بین اندازه‌های اتمی که سبب اعوجاج در شبکه بلوری می‌شود و نظم اتمی به هم می‌ریزد اگر اندازه اتمی اتم جانشین بزرگتر از اندازه اتمی اتم حلال باشد تنش فشاری ایجاد می‌شود و اگر اندازه اتمی اتم جانشین کوچکتر از اندازه اتمی اتم حلال باشد، تنش کششی ایجاد می‌شود. کاربرد این عیب در آلیاژ سازی مانند برنج (مس+روی) است. در هر صورت بر انرژی محرکه نفوذ اتم جانشین افزوده می‌شود یعنی حرکت اتم جانشین راحت‌تر می‌شود. (شرایطی در مورد اتم‌های حل شونده و حلال وجود دارد که تعیین‌کننده میزان حل شوندگی اتم‌های حل شونده در اتم‌های حلال است)
عیوب نقطه‌ای در سرامیک‌ها (Imperfections in Ceramics)
عیوب نقطه‌ای می‌توانند در ترکیبات سرامیکی هم وجود داشته باشد همانند فلزات حضور جاهای خالی و بین نشین‌ها در سرامیک‌ها نیز ممکن است.
عبارت ساختمان عیب برای مشخص کردن انواع و غلظت‌های عیوب اتمی در سرامیک‌ها استفاده می‌شود از آنجا که اتم‌ها به صورت یون‌های باردار موجود می‌باشند، به هنگام در نظر گرفتن عیب شرایط الکترو خنثایی(Charge balance) باید رعایت شود یعنی تعداد مساوی از بارهای مثبت و منفی یونی وجود داشته باشد.
عیب نقطه‌ای فرانکل (Frenkel defect): نقص فرنکل هنگامی که یک کاتیون موقعیت عادی خود را ترک کرده و به یک مکان بین نشینی برود ایجاد می‌شود (یک آنیون نمی‌تواند به مکان بین نشینی برود به دلیل بزرگتر بودن حجمش) که شامل یک جفت جای خالی کاتیونی و بین نشینی کاتیونی است که البته در چگالی تأثیری ندارد.
عیب نقطه‌ای شاتکی (Schottky defect):   این عیب در اثر حرکت یک کاتیون و آنیون از داخل بلور و سپس قرار گرفتن هر دوی آن‌ها در یک سطح خارجی ایجاد شود که می‌تواند بدین طریق به وجود بیاید که یک اتم باردار شبکه به وسیله یک اتم با بار (ظرفیت) کمتر یا بیشتر جایگزین شود.
ساختارهای کریستالی با شبکه متراکم عیوب جای‌خالی شاتکی بیشتری نسبت به عیوب بین‌نشینی و فرنکل دارد زیرا برای انتقال اتم‌های جدید به درون محل‌های جدید انرژی زیادتری لازم است و همچنین تعداد تعادلی عیوب فرانکل و شاتکی به دما وابسته بوده و با آن افزایش می‌یابد که این افزایش شبیه به افزایش تعداد جاهای خالی در فلزات است. عیوب فرنکل و شاتکی نقش به سزایی در ایجاد مواد با کاربردهای گسترده الکترونیکی ایفا می‌کنند؛ مثلاً با افزایش این عیوب رسانایی الکتریکی نیز افزایش می‌یابد. بدین صورت که می‌توان با افزودن موادی (به عنوان مثال فسفر یا آلومینیوم) و ورود آن‌ها به ساختار کریستالی این سرامیک‌ها و جای‌گیری مناسب آن‌ها در حفرات و فضاهای خالی ناشی از عیوب فرنکل و شاتکی در ساخت ترانزیستور‌ها و نیمه هادی‌ها و ساختار P-N-P یا N-P-N از آن‌ها بهره برد.