stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
شیمی طرح‌نگاری نوری
ویفر سیلیکونی

ویفرهای سیلیکونی از یک شمش جامد از سیلیکون تقریباً خالص (99.9999999٪) بریده می شوند. این کار از طریق فرآیند رشد انجام می شود که در تصویر مجاور نشان داده شده است و یک کریستال سیلیکون مکعبی الماس دست نخورده تولید می کند. سیلیکون تک کریستالی به دلیل ساختارش ناهمسانگرد است که به آن خواص ساختاری و الکتریکی متفاوتی در جهات مختلف صفحه می دهد. با استفاده از شاخص های آسیاب برای نشان دادن جهت های مختلف صفحه، وجه های (1،0،0) و (1،1،1) معمولاً در ویفرهای سیلیکونی استفاده می شوند (تصویر را ببینید). شمش سیلیکون جهت گیری شده و در امتداد یکی از این صفحات بریده می شود تا آن سطح برای پردازش از طریق فتولیتوگرافی در معرض دید قرار گیرد. دلیل استفاده از هر یک از این صفحات مسطح به کاربرد ویفر سیلیکونی یا نحوه پردازش آن بستگی دارد. به هر حال، این بستگی به استفاده از اچانت ها، مقاومت نوری و اسیدها برای درمان سطح دارد، و برهمکنش شیمیایی این مواد شیمیایی با سطح کریستال به ویژگی های سطح آن صفحه کریستالی بستگی دارد. جدولی در سمت راست انرژی های سطحی، چگالی اتمی و فاصله بین اتمی سه صفحه برای یک کریستال سیلیکون را نشان می دهد.
ویفر به تکه بسیار باریکی از یک ماده نیمه‌رسانا مانند بلور سیلیکون می‌گویند که درصد خلوص آن بسیار بالا و نزدیک به ۱۰ درصد است. ویفر سیلیکونی مولفه اصلی در تولید و ساخت مدارهای الکتریکی و چیپ است.
سیلیکون ماده‌ای است از جنس کربن که بعد از اکسیژن، دومین عنصر از نظر میزان فراوانی در زمین است و به طور طبیعی قابل ترکیب نیست. سیلیکون به صورت ترکیب شده با اکسیژن در شن و اغلب سنگ‌ها وجود دارد که سیلیکا (در‌اکسید سیلیسیوم) نام دارد. اگر سیلیکون با عناصری دیگری مثل آهن، آلومینیوم یا پتاسیم ترکیب شود، سیلیکات ایجاد می‌شود. ترکیبات سیلیکونی در اتمسفر، آب‌های معدنی، بسیاری گیاهان و بدن برخی حیوانات وجود دارد.
سیلیکون ماده اصلی در ساخت چیپ‌های کامپیوتری، ترانزیستورها، دیودهای سیلیکونی، دیگر مدارهای الکترونیکی و دستگاه‌های سوئیچینگ است چرا که ساختار اتمی آن، این عنصر را برای نیمه‌رسانا، ایده‌آل می‌کند. سیلیکون برای اینکه ویژگی‌های رسانا بودن خود را تغییر دهد معمولا با عناصری مثل بورون، فسفر و آرسنیک ترکیب می‌شود.
| 0 | 1 | 2 | 3 |
| --- | --- | --- | --- |
: شاخص میلر (سطح صفحه)
|  | (1,0,0) | (1،1،0) | (1،1،1) |
| چگالی اتمی (10/14 سانتی متر 2) | 6.78 | 9.59 | 15.66 |
| فاصله ( Å ) | 5.43 | 3.84 | 3.13 |
| سطح انرژی ( ارگ / سانتی متر 2)  | 2130 | 1510 | 1230 |
مقاوم در برابر نور

در فتولیتوگرافی، از ترکیبات مقاوم به نور استفاده می شود که ماسکی را روی سطح ویفر سیلیکونی ایجاد می کند. این ماسک امکان کنترل دقیق روی فرآیندهای دوپینگ و اچینگ مورد استفاده برای تشکیل دستگاه‌ها روی ویفرهای سیلیکونی را فراهم می‌کند. مهم است که ماسک در طول فرآیند اچ در برابر حمله شیمیایی مقاوم باشد. فتورزیست ها دارای سه جزء اصلی هستند، یک حلال، رزین و حساس کننده (یا ترکیب فعال نور). این ترکیب به شکل مایع روی ویفر سیلیکونی اعمال می شود و پلیمریزاسیون از طریق قرار گرفتن در معرض نور کنترل می شود. از آنجایی که فوتوریست ها ترکیبات غیر قطبی هستند و دی اکسید سیلیکون دارای ویژگی قطبی است، مشکلات چسبندگی می تواند بین این دو ماده ظاهر شود. هنگامی که فتورزیست به درستی نمی چسبد، ویژگی ها وضوح را از دست می دهند. با کوچکتر شدن اندازه ویژگی، چسبندگی Photoresist بسیار مهم می شود. به منظور ایجاد قابل اعتماد ویژگی های کوچک، سطح ویفر سیلیکونی باید آبگریز شود تا چسبندگی مقاوم به نور ایجاد شود.
ویژگی های چسبندگی را می توان با تست گونیا مشاهده و آزمایش کرد. ویژگی های انرژی سطحی ویفر سیلیکونی را می توان با قرار دادن یک قطره آب دیونیزه یا اتیلن گلیکول و اندازه گیری زاویه تماس قطره اندازه گیری کرد. با استفاده از رابطه یانگ و مقادیر جدول بندی شده برای انرژی سطحی، می توانیم انرژی سطحی جامد را تخمین بزنیم.
فوتولیتوگرافی یا طرح‌نگاری نوری، در ساخت قطعات الکترونیک بکار می‌رود. در این فرایند، میکروساخت استفاده شده و جهت تهیه الگو در بخش‌هایی از انواع لایه های نازک استفاده می‌شود. در این فرایند پس از نشاندن یک لایه پلیمری حساس به نور (مانند فتورزیست، PMMA و SU۸) روی سطح زیرلایه، پرتوی همگن از یک ماسک عبور کرده و طرحی روی پلیمر ایجاد می‌کند. پس از ایجاد طرح روی پلیمر، نواحی نور دیده، با مقاومت در برابر خوردگی، واسطه انتقال طرح به لایه زیرین می‌شوند.
نکته کلیدی در این فرایند، طراحی ماسک است. یکی از ساده ترین رویکردها، رسم طرح با ابعاد مناسب در نرم افزارهایی نظیر AutoCAD و Corel و چاپ لیزری آن بر روی طلق می باشد. در دستگاه فتولیتوگرافی این آزمایشگاه امکان آنتقال طرح دلخواه شما از روی طلق بصورت یک به یک و نیز کاهنده (تا ۱/۷) بر روی زیر لایه مناسب (مانند شیشه حاوی لایه نازک کروم، نیکل و ...) وجود دارد. در صورت نیاز، در این مرکز سفارش تهیه ماسک با ابعاد مورد نظر شما پذیرفته می‌شود. این مرکز، مجهز به تجهیزات طراحی، ساخت و مشخصه یابی ماسک نظیر دستگاه‌های اسپین کوت، آون، لایه نشانی تبخیر حرارتی، میکروسکوپ نوری بازتابی و میکروسکوپ اتمی می باشد.
\gamma _{\mathrm {SG} } - انرژی سطحی بین جامد و بخار  {(J/m^{2})}
    \gamma _{\mathrm {SL} } - انرژی سطحی بین جامد و مایع  {(J/m^{2})}
    \gamma _{\mathrm {LG} } - انرژی سطحی بین مایع و بخار  {(J/m^{2})}
   θ - زاویه تماس
مقاوم در برابر نور > مقاومت مثبت

فترزیست های مثبت از یک رزین نوولاک، حلال اتیل لاکتات و دیازونافتاکینون (DQ) به عنوان ترکیب فعال نور تشکیل شده اند. مقاومت نوری مثبت با نور واکنش می دهد و باعث می شود پلیمر تجزیه شود و در محلول توسعه دهنده حل شود. مقاومت مثبت نسبت به فوتوریست منفی مقاومت بهتری در برابر اچانت دارد. مقاومت های مثبت برای تولید اندازه ویژگی های کوچک بهتر هستند، اما به ویفرهای سیلیکونی و همچنین مقاومت منفی نمی چسبند. هنگام ساخت ویژگی های کوچک، داشتن چسبندگی خوب بسیار مهم است.
مقاوم در برابر نور > مقاومت منفی

مقاومت نوری منفی از ماتریس پلی (سیس ایزوپرن)، حلال زایلن و بیس آریلازید به عنوان ترکیب فعال نور تشکیل شده است. نور مقاوم های منفی با پلیمریزاسیون به نور واکنش نشان می دهند. بخش های در معرض دید را می توان با استفاده از یک راه حل توسعه دهنده حذف کرد. مقاومت منفی چسبندگی بهتری دارد و برای ویژگی های بزرگتر از 2 عالی است. در اندازه میکرومتر
HMDS

یک روش متداول برای افزایش چسبندگی مقاوم به نور بر روی سطح ویفر سیلیکونی، درمان ویفر با هگزامتیل دیسیلازان (HMDS) است. ویفر سیلیکونی جدید دارای سطح قطبی است و مقداری آب جذب شده روی سطح دارد. ویفر می تواند برای حذف آب جذب شده تحت یک پخت کم آبی قرار گیرد و به دنبال آن عملیات HMDS نیز به عنوان مرحله پرایمینگ شناخته می شود. HMDS را می توان به صورت مایع روی ویفر با استفاده از یک سرنگ پخش کرد در حالی که ویفر به یک چاک خلاء در یک پوشش چرخشی متصل است . HMDS همچنین می تواند به شکل گاز در فرآیندی که به عنوان بخار اولیه شناخته می شود، اعمال شود. HMDS چسبندگی خوب مقاوم به نور به ویفر را تقویت می کند زیرا سطح ویفر آبگریز است . پس از عملیات HMDS، اکسید سطح سیلیکون سیله می شود و سطحی غیر قطبی باقی می گذارد.  صفحه سیلیکونی بکر (100) دارای ارزش انرژی سطحی 56.9 است  که به مقدار 44.1 کاهش می یابد بعد از تیمار HMDS  فرمول مولکولی هگزامتیل دیسیلازان C 6 H 19 NSi 2 است .
HMDS به چه معناست ؟ HMDS مخفف Hexamethyldisilazane است. اگر شما از نسخه غیر انگلیسی ما بازدید می کنید و می خواهید نسخه انگلیسی Hexamethyldisilazane را ببینید ، لطفا پایین پایین بروید و معنی Hexamethyldisilazane را در زبان انگلیسی مشاهده خواهید کرد. به خاطر داشته باشید که مخفف HMDS به طور گسترده ای در صنایع مانند بانکداری استفاده می شود, محاسبات, آموزشی, امور مالی, دولتی, و سلامت. علاوه بر HMDS، Hexamethyldisilazane ممکن است برای سایر کلمات اختصاری کوتاه باشد.
علاوه برHexamethyldisilazane ،HMDS دارای معانی دیگری است. آنها در سمت چپ زیر ذکر شده است. لطفا پایین بروید و برای دیدن هر یک از آنها کلیک کنید. برای همه معانیHMDS ، لطفا روی "بیشتر " کلیک کنید. اگر از نسخه انگلیسی ما بازدید می کنید و می خواهید تعاریفHexamethyldisilazane را به زبان های دیگر ببینید ، لطفا روی منوی زبان در پایین سمت راست کلیک کنید. شما معانیHexamethyldisilazane را در بسیاری از زبان های دیگر مانند عربی ، دانمارکی ، هلندی ، هندی ، ژاپن ، کره ای ، یونانی ، ایتالیایی ، ویتنامی و غیره خواهید دید.
زهرا بنی‌یعقوب

| زهرا بنی‌یعقوب | زهرا بنی‌یعقوب |
| --- | --- |
زادهٔ: ۲۴ مهر ۱۳۵۹۱۶ اکتبر ۱۹۸۰ تهران
درگذشت: ۲۲ مهر ۱۳۸۶۱۴ اکتبر ۲۰۰۷ (۲۶ سال) بازداشتگاه ستاد امر به معروف و نهی از منکر شهر همدان
ملیت:  ایرانی
دیگر نام‌ها: زهرا بنی عامری
زهرا بنی یعقوب (۱۳۵۹ در تهران – ۱۳۸۶ در همدان) پزشک ایرانی بود که در بازداشتگاه ستاد امر به معروف و نهی از منکر شهر همدان جان باخت. مقامات جمهوری اسلامی علت درگذشت او را «خودکشی در بازداشتگاه» اعلام کردند.
زندگی

زهرا بنی‌یعقوب دانش‌آموخته دبیرستان فرزانگان تهران (وابسته به سازمان ملی پرورش استعدادهای درخشان) و دانشکده پزشکی دانشگاه علوم پزشکی تهران بود. او توانسته بود نفر ۲۳ کنکور سراسری شود.
مرگ

او در بیست مهر ۱۳۸۶ در حین صحبت با نامزدش در یکی از پارک‌های همدان به اتهام «ارتکاب جرم مشهود» توسط نیروهای بسیج دستگیر و به بازداشتگاه ستاد امر به معروف و نهی از منکر همدان فرستاده شده بود. پس از ۴۸ ساعت، خانواده‌اش که برای آگاهی از وضعیتش به نیروی انتظامی همدان مراجعه کرده بودند با خبر مرگ وی روبرو شدند.
بر طبق گزارش‌های رسمی، زهرا بنی یعقوب در زندان در شب بازداشت «با استفاده از پارچه پلاکارد تبلیغاتی» خودکشی کرده است. در صورتی که خانواده وی و برخی از رسانه‌ها قتل توسط ضرب و شتم در بازداشت را عامل مرگش دانسته‌اند.
پدر زهرا بنی یعقوب عضو سپاه پاسداران انقلاب اسلامی بوده است، به‌طوری‌که تعدادی از فرماندهان سپاه در دیدار با ناطق نوری «کشته شدن دختر یکی از همکاران خود توسط ستاد امر به معروف و نهی از منکر همدان را نوعی برخورد با خود دانسته و از وی خواستند که در این باره وارد عمل شود».
مهرانگیز کار نیروهای انتظامی را در این ماجرا مقصر دانسته است. گروهی از نمایندگان سابق مجلس و نیز شیرین عبادی خواستار تحقیقات وسیعتری شده‌اند. مرگ او که توسط رسانه‌های خارج از ایران و برخی رسانه‌های داخل ایران پوشش خبری یافت جنجال‌برانگیز بوده است.
روند پرونده

من رفتم پزشکی قانونی و خودم جسد دختر نازنینم را دیدم. در بهشت زهرا دیدم فرق راست سرش شکسته بود، صورتش خونین بود، گوش و بینی‌اش خونریزی داشت. اعلام می‌کردند خودکشی کرده، اما ما را بردند پیش معاون استانداری همدان و او به ما گفت شما در خانه و به فامیل و آشنا بگویید ایست قلبی کرده یا ماشین به او زده و فرار کرده و ما جبران خواهیم کرد. اینها یعنی چه؟ اگر خودکشی کرده بود چه چیزی را می‌خواستند جبران کنند؟ چرا از ما چنین می‌خواستند؟
دستگاه قضایی همدان پرونده قتل وی را بست و برای متهمان نیز قرار منع تعقیب صادر کرد. در پی اعتراض شاکیان، پرونده به دادگاه تجدید نظر در استان تهران ارجاع داده شده است. در نهایت کلیه متهمان این پرونده تبرئه شدند.
علیرضا جمشیدی سخنگوی قوه قضاییه در ۳۰ مهر ۱۳۸۷ در خصوص آخرین وضعیت پرونده بنی‌یعقوب گفت «پرونده پزشکی این فرد مورد بررسی و در نهایت رای هیئت پزشکی قانونی خودکشی اعلام شده است.»
واکنش‌ها

علی مطهری نماینده تهران در مجلس ۱۸ مرداد ۱۳۸۸ در پاسخ به سؤالی دربارهٔ بیانیه نیروی انتظامی مبنی بر برخورد با خاطیان بازداشتگاه کهریزک گفت «صدور این بیانیه کفایت نمی‌کند بلکه باید مجازات آنها هر چه سریع تر تعیین و ترتیبی اتخاذ شود که مردم از مجازات آنان مطمئن شوند نه مثل قتل‌های زنجیره ای یا مرگ زهرا کاظمی و زهرا بنی یعقوب که سرانجام معلوم نشد آیا افراد خاطی مجازات شدند یا خیر.»
در جریان مناظره‌های انتخاباتی ریاست جمهوری در انتخابات ۸۸ مهدی کروبی در مناظره با محمود احمدی‌نژاد اسم زهرا بنی‌یعقوب را آورد.
گیاه‌پارچ سپرگرد

| گیاه‌پارچ سپرگرد | گیاه‌پارچ سپرگرد |
| --- | --- |
Nepenthes clipeata. Cultivated plant.: Nepenthes clipeata. Cultivated plant.
وضعیت حفاظت: وضعیت حفاظت
 در بحران انقراض  (IUCN 3.1):  در بحران انقراض  (IUCN 3.1)
رده‌بندی علمی : رده‌بندی علمی 
فرمانرو:: گیاهان
کلاد:: نهان‌دانگان
کلاد:: دولپه‌ای‌های نو
راسته:: میخک‌سانان
تیره:: Nepenthaceae
سرده:: Nepenthes
گونه:: N. clipeata
نام دوبخشی: نام دوبخشی
Nepenthes clipeata Danser (1928): Nepenthes clipeata Danser (1928)
Distribution of N. clipeata.: Distribution of N. clipeata.
گیاه‌پارچ سِپَرگِرد (نام علمی: Nepenthes clipeata)، یک گونه از سرده گیاه‌پارچ‌ها است.
گیاه‌پارچ برهنه‌پارچ

| گیاه‌پارچ برهنه‌پارچ | گیاه‌پارچ برهنه‌پارچ |
| --- | --- |
پارچ‌های میانی گیاه‌پارچ برهنه‌پارچ از سوماترا: پارچ‌های میانی گیاه‌پارچ برهنه‌پارچ از سوماترا
وضعیت حفاظت: وضعیت حفاظت
 کمترین نگرانی  (IUCN 2.3):  کمترین نگرانی  (IUCN 2.3)
رده‌بندی علمی : رده‌بندی علمی 
فرمانرو:: گیاهان
کلاد:: نهان‌دانگان
کلاد:: دولپه‌ای‌های نو
راسته:: میخک‌سانان
تیره:: Nepenthaceae
سرده:: Nepenthes
گونه:: N. gymnamphora
نام دوبخشی: نام دوبخشی
Nepenthes gymnamphora Reinw. ex Nees (1824): Nepenthes gymnamphora Reinw. ex Nees (1824)
مترادف: مترادف
  Synonyms ?Nepenthes glabra Lindl. ex Rafarin (1869)  Nepenthes melamphora Reinw. ex Blume (1852) nom.illeg.  Nepenthes melamphora auct. non Reinw. ex Blume: Hook.f. (1859) [=N. gymnamphora/N. khasiana]  Nepenthes melamphora var. haematamphora (Miq.) Miq. (1858)  Nepenthes melamphora var. lucida Blume (1852)  Nepenthes melamphora var. tomentella Becc. (1886)  Nepenthes pectinata Danser (1928) [=N. gymnamphora/N. singalana]  Nepenthes phyllamphora auct. non Willd.: Reinw. ex Miq. (1858)  Nepenthes rafflesiana auct. non Jack: Haberl. (1893)  Nepenthes rancing Hort. ex B.R.Salmon & Maulder (1995) nom.illeg.  Nepenthes rhombicaulis auct. non Sh.Kurata: K.Kondo & M.Kondo (1983)  Nepenthes rosulata Tamin & M.Hotta in M.Hotta (1986) nom.nud.  Nepenthes singalana auct. non Becc.: Tamin & M.Hotta in M.Hotta (1986) [=N. bongso/N. densiflora?/N. gymnamphora/ N. lavicola/N. singalana/N. spathulata]  Nepenthes spinosa Tamin & M.Hotta in M.Hotta (1986) nom.nud. [=N. gymnamphora/N. sumatrana]  Nepenthes xiphioides B.R.Salmon & Maulder (1995)  :   Synonyms ?Nepenthes glabra Lindl. ex Rafarin (1869)  Nepenthes melamphora Reinw. ex Blume (1852) nom.illeg.  Nepenthes melamphora auct. non Reinw. ex Blume: Hook.f. (1859) [=N. gymnamphora/N. khasiana]  Nepenthes melamphora var. haematamphora (Miq.) Miq. (1858)  Nepenthes melamphora var. lucida Blume (1852)  Nepenthes melamphora var. tomentella Becc. (1886)  Nepenthes pectinata Danser (1928) [=N. gymnamphora/N. singalana]  Nepenthes phyllamphora auct. non Willd.: Reinw. ex Miq. (1858)  Nepenthes rafflesiana auct. non Jack: Haberl. (1893)  Nepenthes rancing Hort. ex B.R.Salmon & Maulder (1995) nom.illeg.  Nepenthes rhombicaulis auct. non Sh.Kurata: K.Kondo & M.Kondo (1983)  Nepenthes rosulata Tamin & M.Hotta in M.Hotta (1986) nom.nud.  Nepenthes singalana auct. non Becc.: Tamin & M.Hotta in M.Hotta (1986) [=N. bongso/N. densiflora?/N. gymnamphora/ N. lavicola/N. singalana/N. spathulata]  Nepenthes spinosa Tamin & M.Hotta in M.Hotta (1986) nom.nud. [=N. gymnamphora/N. sumatrana]  Nepenthes xiphioides B.R.Salmon & Maulder (1995)  
گیاه‌پارچ برهنه‌پارچ (نام علمی: Nepenthes gymnamphora)، یک گونه از سرده گیاه‌‌پارچ‌ها و بومی جزایر اندونزی، جاوه و سوماترا است. در دامنه ارتفاعی وسیعی بین ۶۰۰ تا ۲۸۰۰ متر بالاتر از سطح دریا رشد می‌کند. بحث‌های زیادی پیرامون وضعیت آرایه این گونه و گونه‌های گیاه‌پارچ پکتیانا و گیاه‌پارچ زیفیویدز وجود دارد. لقب خاص برهنه‌پارچ از کلمات یونانی gymnos (برهنه) و amphoreus (پارچ) گرفته شده است.
ریوبین اسکیو
سال‌های نخست زندگی و فعالیت‌های حرفه‌ای

اسکیو در شهر ماسکوگی از توابع ایالت اوکلاهاما به دنیا آمد. در میان شش فرزند لئون جی. اسکیو و آلبرتا (ادانووان) اسکیو، او کوچک‌ترین فرزند بود. هنگامی که تنها دو سال داشت، پدر و مادرش از یکدیگر طلاق گرفتند که علت اصلی این جدایی به گفته خود او «اعتیاد شدید پدرش به الکل» بود. دو برادرش در بزرگسالی گرفتار مشکل مشابهی شدند. این در حالی بود که اسکیو پس از تجربه ناخوشایندی که در دوران نوجوانی از استعمال پیپ داشت تصمیم گرفت هرگز در زندگی لب به مشروب نزند و سیگار نیز مصرف نکند. در پنج سالگی در شرایط ناگواری با پدرش برای آخرین بار دیدار کرد و پس از آن دیگر هیچ‌وقت او را ملاقات نکرد.
در سال ۱۹۳۷، مادرش به همراه روبین به پنساکولا واقع در فلوریدا آمد. «ادانووان» نام میانی او بود که از نام مادرش گرفته شده بود. اسکیو به یاد مادرش در امضای خود از دو حرف ابتدایی نام او یعنی «او و دی» استفاده می‌کرد. رابین برای کمک به مادرش در تأمین هزینه‌ها روزنامه می‌فروخت، کفش واکس می‌زد، در فروشگاه اجناس مشتریان را بسته‌بندی می‌کرد و کیک خانگی دستپخت مادرش را برای فروش می‌برد. مادر روبین در اداره پیشرفت کار به عنوان پیشخدمت و دوزنده مشغول کار بود.
در سال ۱۹۴۴ به عضویت فرقه دی‌مولی شهر اسکامبیا درآمد که سازمان فراماسونری مختص جوانان بود. او در سال ۱۹۴۶ از دبیرستان پنساکولا فارغ‌التحصیل شد و اواخر همان سال به عنوان چترباز وارد ارتش شد و دو سال در آنجا خدمت کرد؛ در سال ۱۹۴۸ او با درجه گروهبانی از خدمت در ارتش مرخص شد.
سپس وارد دانشگاه ایالتی فلوریدا شد و در آنجا عضو انجمن برادری «دلتا تائو دلتا» و «آلفا فی امگا» شد. او در این دانشگاه به ریاست انجمن دانشجویی رسید و بدین‌ترتیب فعالیت سیاسی گسترده خود را آغاز کرد. وی در سال ۱۹۵۱ با مدرک کارشناسی در رشته مدیریت دولتی از دانشگاه ایالتی فلوریدا فارغ‌التحصیل شد. بعدها در کالج حقوق لوین دانشگاه هاروارد تحصیلاتش را در رشته حقوق ادامه داد.
در زمان جنگ کره و در فاصله سال‌های ۱۹۵۱ تا ۱۹۵۳ به عنوان افسر اطلاعات در نیروی هوایی خدمت کرد. وظیفه او نظارت بر عکاسی و تحلیل عکس‌هایی بود که به منظور شناسایی از هواپیماهای متعلق به کشورهای اروپای غربی گرفته می‌شد. وی از انجام این شغل ناراضی بود چرا که به باورش این کار معاهدات موجود را نقض می‌کرد.
فعالیت‌های حقوقی

در سال ۱۹۵۶ اسکیو که از اعضای حزب دموکرات بود به عنوان مشاور حقوقی اسکامبیا کانتی انتخاب شد. در ۱۹۵۸ به نمایندگی از همین منطقه به مجلس نمایندگان فلوریدا راه یافت. در سال ۱۹۶۲ و پس از دو دوره حضور در این مجلس، نمایندگی حوزه انتخابیه دوم و همچنین اسکامبیا کانتی را در مجلس سنای فلوریدا بر عهده گرفت. وی در سال‌های ۱۹۶۶، ۱۹۶۷ و ۱۹۶۸ و براساس تغییراتی که در حوزه‌های انتخابیه صورت گرفته بود به نمایندگی از اسکامبیا و سانتا رزا کانتی کرسی مجلس را در اختیار گرفت.
از سال ۱۹۶۹ تا ۱۹۷۰ او به‌طور موقت ریاست سنا را بر عهده داشت. در سال ۱۹۷۱ مفتخر به دریافت نشان افتخار لژیون دونور از سوی شورای عالی بین‌المللی دی‌مولی شد.
اسکیو در زمینه قانونگذاری از پیشگامان به‌شمار می‌رفت؛ او از حامیان ایجاد تغییر در قانون حوزه‌های انتخاباتی براساس دگرگونی‌های جمعیتی و افزایش تعداد نمایندگان مناطق شهری بود که جمعیت بیشتری نسبت به مناطق روستایی داشتند. مجلس ایالتی براساس تقسیم‌بندی‌های جغرافیایی تشکیل شده بود و همین موضوع بروز نابرابری‌ها و بی‌عدالتی‌هایی را در پی داشت که مناسب وضعیت فعلی ایالت نبودند. قانون آنطور که باید به مناطق شهری توجه نشان نداده بود. همان‌طور که در بسیاری از ایالت‌ها مرسوم بود، قانونگذاران در مناطق روستایی در برابر تغییر حوزه‌های انتخاباتی مقاومت می‌کردند.
او با محرومیت از حقوق قانونی به واسطه نژاد و ممنوعیت حق رأی برای سیاهپوستان مخالفت می‌ورزید. در واقع با آغاز قرن و تصویب قانون اساسی جدید که برخی از دستورالعمل‌های آن ناظر بر نحوه ثبت‌نام رأی‌دهندگان و برگزاری انتخابات بود، عملاً سیاهپوستان از حق رأی محروم شده بودند. با تصویب قانون حق رأی در سال ۱۹۶۵دولت فدرال شروع به نظارت بر عملکرد حوزه‌های قضایی کرد که از زمان‌های بسیار دور در این مناطق گروه‌های خاصی از افراد از حضور در پای صندوق‌های رأی و رأی‌گیری‌ها محروم بودند. بدین‌ترتیب آمریکایی‌های آفریقایی‌تبار بار دیگر امکان یافتند تا در نظام سیاسی نقشی داشته باشند.
زندگی شخصی

اسکیو در سال ۱۹۵۶ با دونا لو هارپر ازدواج کرد. او تنها دو هفته پس از نخستین قرار ملاقاتی که با همسرش داشت از او درخواست ازدواج کرد و پنج ماه بعد آنها با یکدیگر پیوند زناشویی بستند. اینطور که گفته می‌شود این زوج زندگی مشترک بسیار خوبی داشتند واسکیو برخلاف پدرش همواره به همسرش وفادار ماند. آنها دو فرزندخوانده داشتند، یک پسر و یک دختر. وی در تمام دوران زندگیش هرگز سراغ الکل، سیگار و قمار نرفت و هیچ‌وقت بددهنی نکرد.
اسکیو در تاریخ ۱۳ مارس ۲۰۱۴ و در سن ۸۵ سالگی بر اثر عوارض ناشی از سکته مغزی درگذشت.
ری بلانتون

| ری بلانتون | ری بلانتون |
| --- | --- |
۴۴مین فرماندار تنسی: ۴۴مین فرماندار تنسی
دوره مسئولیت ۱۸ ژانویه ۱۹۷۵ – ۱۷ ژانویه ۱۹۷۹: دوره مسئولیت ۱۸ ژانویه ۱۹۷۵ – ۱۷ ژانویه ۱۹۷۹
معاون: جانا اس. وایلدر
پس از: وینفیلد دان
پیش از: لامر الکساندر
عضو  مجلس نمایندگان ایالات متحده از تنسی حوزهٔ 7م: عضو  مجلس نمایندگان ایالات متحده از تنسی حوزهٔ 7م
دوره مسئولیت ۳ ژانویه ۱۹۶۷ – ۳ ژانویه ۱۹۷۳: دوره مسئولیت ۳ ژانویه ۱۹۶۷ – ۳ ژانویه ۱۹۷۳
پس از: تام جی. مورای
پیش از: رابین بیرد (حوزه‌بندی مجدد)
عضو  مجلس نمایندگان تنسی از حوزهٔ ۲۶م فلوتریال: عضو  مجلس نمایندگان تنسی از حوزهٔ ۲۶م فلوتریال
دوره مسئولیت ۱۹۶۵ – ۱۹۶۷: دوره مسئولیت ۱۹۶۵ – ۱۹۶۷
پس از: ویلیام بری
پیش از: بافورد رید
 :  
اطلاعات شخصی: اطلاعات شخصی
زاده: لئونارد ری بلانتون ۱۰ آوریل ۱۹۳۰ شهرستان هاردین، تنسی،  U.S.
درگذشته: ۲۲ نوامبر ۱۹۹۶ (۶۶ سال) جکسن، تنسی،  U.S.
حزب سیاسی: دموکرات
همسر(ان): بتی لیتلفیلد (ا. ۱۹۴۹–۱۹۷۹) کارن فلینت (ا. ۱۹۸۸)
تحصیلات: دانشگاه تنسی (BS)
لئوناردی ری بلانتون (Leonard Ray Blanton)‏‏ (۱۰ آوریل ۱۹۳۰–۲۲ نوامبر ۱۹۹۶)، بازرگان و سیاستمدار آمریکایی که از سال ۱۹۷۵ تا سال ۱۹۷۹، چهل و چارمین فرماندار ایالت تنسی بود. همچنین از سال ۱۹۶۷ تا سال ۱۹۷۳ سه دوره در مجلس نمایندگان ایالات متحده خدمت کرد. با وجودی که یک‌تعداد اصلاحات دولتی را آغاز کرده بود و نقش مهمی درآوردن سرمایه‌گذاری خارجی به تنسی داشت، اما دوره فرمانداری وی با رسوایی فروش فرمان عفو و مجوزهای فروش مشروبات الکلی خدشه‌دار شد.
اوایل زندگی و عضویت در کنگره

بلانتون پسر لئونارد و آوا (دیلانی) بلانتون، در شهر آدامزویل ایالت تنسی متولد شد. بلانتون در یک خانواده مساقات بی بضاعت بزرگ شد و علاقه به خیابان‌سازی داشت. همزمان با این‌که در شرکت جاده‌سازی خانواده‌اش کار می‌کرد، گاهی اوقات در مشروب فروشی‌های میسیسیپی به درگیری می‌پراخت و یک مرتبه یک گلوله سرگردان به گردنش اصابت کرد. بلانتون در سال ۱۹۴۸ از دبیرستان شیلو فارغ شد و در سال ۱۹۵۱ کارشناسی خود را در رشته کشاورزی از دانشگاه تنسی بدست آورد. پس از برگشت به آدامزویل به منظور کار در کسب و کار ساختمانی خانودگی در شرکت ساختمانی B&B، از سال ۱۹۵۱ تا سال ۱۹۵۳ در مورسویل اندیانا در مدرسه تدریس می‌کرد.
بلانتون در سال ۱۹۶۴ به نمایندگی از شهرستان مک‌نایری در مجلس نمایندگان ایالت تنسی انتخاب شد. او غالباً در عقب تالار مجلس می‌نشست و در جریان جلسات مجلس عینک‌های آفتابی می‌پوشید.
بلانتون در سال ۱۹۶۶ کاندید عضویت کنگره شد و در انتخابات مقدماتی دموکرات‌ها برای حوزهٔ انتخابیه هفتم کنگره که در جکسون واقع بود و شامل آدامزویل نیز می‌شد، تام جی. موری، نماینده ۱۲ دوره‌ای آن زمان و متحد سابق سازمان سیاسی کرامپ را به چالش کشید. در یک شکست غیرمنتظره بزرگ، بلانتون صرف با ۳۸۴ رای از حدود ۷۰٬۰۰۰ رای ریخته شده، برندهٔ نامزدی شد و از موری پیشی گرفت. بلانتون در انتخابات عمومی پیروز شد و دو مرتبه مجدداً انتخاب شد.
بلانتون به عنوان عضو کنگره، نسبت به دیگران حضور نسبتاً کمی داشت، از چندین لایحهٔ قانونی مهم حمایت کرد و صرف در دو کمیته خدمت کرد که عبارت اند از: کمیتهٔ بازرگانی بین‌الایالتی و خارجی و کمیتهٔ ناحیهٔ کلمبیا. بلانتون در عوض بر مؤکلین خود تمرکز داشت، به عبارت دیگر تلاش برای بدست آوردن بودجه برای پروژه‌های تنسی از جمله نخستین پروژه که برنامه سرآغاز ایالتی نام داشت. وی زمان زیادی را در دفتر ناحیه‌ای خود در پاسخ‌دهی به نگرانی‌های رای‌دهندگان سپری می‌کرد و مکرراً با گروه‌های دانشجویان صحبت می‌کرد. بلانتون از جنبش ضد جنگ انتقاد کرد، بر قانون حق رای‌دهی رای منفی داد و با کاهش سن رای‌دهی به ۱۸ سال مخالفت کرد.
ایالت تنسی پس از سرشماری سال ۱۹۷۰ یک ناحیهٔ کنگره را از دست داد و مجلس قانون‌گذاری، اکثریت قسمت‌های قلمرو بلانتون را با ناحیهٔ هشتم مجاور که مربوط به اد جانز دموکرات و عضو کنگره بود، ادغام کرد. شماره ناحیهٔ بلانتون بر قلمرو ادغام شده گذاشته شد اما از لحاظ جغرافیایی بیشتر نواحی آن مربوط به جانز بود. بلانتون بجای رقابت علیه جانز در سال ۱۹۷۲، تصمیم گرفت گرفت برای کسب کرسی در مجلس سنای ایالات متحده کاندید شود. بلانتون به راحتی برندهٔ دور مقدماتی انتخابات دموکرات‌ها شد و در انتخابات عمومی در مقابل هاوارد بیکر جمهوری‌خواه، عضو آن زمان مجلس سنا، قرار گرفت. بیکر برخلاف بلانتون از قانون حق رای و کاهش سن رای‌دهی حمایت کرد و این کار سبب شد که در میان دو گروه کلیدی رای‌دهندگان سیاه‌پوست و رای‌دهندگان جوان جای پای باز نماید. بیکر همچنین بلانتون را به جورح مک‌گاون، نامزد لبیرال دموکرات ریاست‌جمهوری نسبت داد. در روز انتخابات، بیکر با پیروزی بزرگ یعنی ۷۱۶٬۵۳۴ رای در برابر ۴۴۰٬۵۹۹، برندهٔ انتخابات شد.