تشدیدگر آکوستیک حجیم با پوسته جدار نازک
مراجع

↑  Lakin, K.M.; Wang, J.S. (1981). "Acoustic Bulk Wave Composite Resonators". Applied Physics Letters. 38 (3): 125–127. Bibcode:1981ApPhL..38..125L. doi:10.1063/1.92298.
↑  Lakin, K. (2003). "A review of thin-film resonator technology". IEEE Microwave Magazine. 4 (4): 61–67. doi:10.1109/MMW.2003.1266067.
↑  "Intensifying Technology Competition in the Acoustic Wave Filter Market".
↑  Joshi, Sanjog Vilas; Sadeghpour, Sina; Kraft, Michael (June 2023). "Low-cost piezo-MEMS speaker technology". Micro and Nano Engineering. 19. doi:10.1016/j.mne.2023.100213.
↑  Matsushima, T.; et, al. (2010). "High performance 4 GHz FBAR prepared by Pb(Mn,Nb)O3-Pb(Zr,Ti)O3 sputtered thin film". IEEE International Frequency Control Symposium: 248–251.
↑   {{cite book}}: Empty citation (help)
↑  Voleisis, A.; et, al. (2011). "Simultaneous generation of longitudinal and shear ultrasonic waves: knowledge summary, PZT piezoelements manufacturing and experiments". Ultragarsas (Ultrasound). 66 (1): 25–31.
↑  Dubois, M.-A.; Muralt, P. (1999). "Properties of aluminum nitride thin films for piezoelectric transducers and microwave filter applications". Applied Physics Letters. 74 (20): 3032–3034. Bibcode:1999ApPhL..74.3032D. doi:10.1063/1.124055.
↑   {{cite book}}: Empty citation (help)
↑  Liu, Y.; Cai, Y.; Zang, Y.; Tovstopyat, A.; Liu, S.; Sun, C. (2020). "Materials, Design, and Characteristics of Bulk Acoustic Wave Resonator: A Review". Micromachines. 11 (7): 630. doi:10.3390/mi11070630. PMC 7407935. PMID 32605313.
↑  Knapp, M.; Hoffmann, R.; Lebedev, V.; Cimalla, V.; Ambacher, O. (2018). "Graphene as an active virtually massless topelectrode for RF solidly mounted bulkacoustic wave(SMR-BAW)resonators". Nanotechnology. 29 (10): 10. Bibcode:2018Nanot..29j5302K. doi:10.1088/1361-6528/aaa6bc. PMID 29320371.
↑  Sliker, T.R.; Roberts, D.A (1967). "A thin-film CdS-quartz composite resonator". Journal of Applied Physics. 38 (5): 2350–2358. Bibcode:1967JAP....38.2350S. doi:10.1063/1.1709882.
↑  See, G. C.; et, al. (2017). "Quantum dot emission modulation using photonic crystal MEMS resonators". Optics Express. 25: 25831–25841. doi:10.1364/OE.25.025831. PMID 29041246.
↑  Ruby, R.; Merchant, P. (1994). "Micromachined thin film bulk acoustic resonators". IEEE International Frequency Control Symposium: 135–138.
↑  Lakin, K.M.; McCarron, K.T. (1995). "Solidly Mounted Resonators and Filters". IEEE Ultrasonics Symposium: 905–908.
↑  Makkonen, T.; Holappa, A.; Salomaa, M.M. (1988). "Improvements in 2D FEM modeling software for crystal resonators". Proceedings of IEEE Ulterasonic Symposium: 935–838.
↑  Makkonen, T.; Holappa, A.; Ellä, J.; Salomaa, M.M. (2001). "Finite element simulations of thin-film composite BAW resonators". IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control. 48 (5): 1241–1258. doi:10.1109/58.949733. PMID 11570749.
↑  Lakin, K.M.; Wang, J.S (1980). "UHF composite bulk wave resonators". Ultrasonics Symposium Proceedings: 834–837.
↑  Satoh, Y.; et, al. (2005). "Development of Piezoelectric Thin Film Resonator and Its Impaction Future Wireless Communication Systems". Japanese Journal of Applied Physics. 44 (5A): 2883–2894. Bibcode:2005JaJAP..44.2883S. doi:10.1143/JJAP.44.2883.
↑  Tukkiniemi, K.; et, al. (2009). "Fully integrated FBAR sensor matrix for mass detection". Procedia Chemistry. 1: 1051–1054. doi:10.1016/j.proche.2009.07.262.
↑  Aissi, M.; et., al (2006). "A 5.4GHz 0.35/spl mu/m BiCMOS FBAR Resonator Oscillator in Above-IC Technology". IEEE Int. Solid State Circuits Conf. -Dig. Tech. Pap. 2 (3): 1228–1235.
↑  Östman, K.B.; et., al (2006). "Novel VCO architecture using series above-IC FBAR and parallel LC resonance". IEEE J. Solid-State Circuits. 41 (10): 2248–2256. Bibcode:2006IJSSC..41.2248O. doi:10.1109/JSSC.2006.881567.
↑   {{cite book}}: Empty citation (help)
↑  Aigner, R.; Ellä, J.; Timme, H.J.; Elbrecht, L.; Nessler, W.; Marksteiner, S. (2002). "Advancement of MEMS into RF-filter Applications". IEEE IEDM Proceedings: 897–900.
↑   {{cite book}}: Empty citation (help)
↑  "Saiwei Electronics-BAW Filter Passed Verification and Started Trial Production". 2 April 2022.
↑  "China reportedly overcomes BAW filter chokepoint, sparking speculations of Huawei 5G phone's return". 11 August 2023.
↑  "Sorex Sensors Ltd. spin-out of University of Cambridge".
↑  "Sorex Sensors Ltd., company web page".
↑  Haider, Syed T.; Shah, Muhammad A.; Lee, Duck-Gyu; Hur, Shin (2023). "A Review of the Recent Applications of Aluminum Nitride-Based Piezoelectric Devices". IEEE Access. 11: 58779–58795. Bibcode:2023IEEEA..1158779H. doi:10.1109/ACCESS.2023.3276716.
↑  Guo, H.; Li, J.; Liu, T.; Feng, M.; Gao, Y. (2022). "Design and Optimization of a BAW Microphone Sensor". Micromachines. 13 (6): 893. doi:10.3390/mi13060893. PMC 9227324. PMID 35744507.
طنین انداز آکوستیک حجیم لایه نازک با طرح مربع
فیلتر باند گذر نوع نردبانی بر اساس تشدید کننده های FBAR. تفاوت فرکانس تشدید تشدید کننده های 1 و 2 محدوده فرکانس فرکانس هایی را که باید عبور داده شود تعیین می کند.
یک مقطع شماتیک از تشدید کننده FBAR ایستاده بر اساس اچ کردن میکروماشین سطح
یک مقطع شماتیک از تشدید کننده FBAR ایستاده بر اساس ریزماشین کاری حجیم (از طریق زیرلایه) اچ
یک مقطع شماتیک از ساختار SMR
دو فیلتر FBAR روی مادربرد تلفن همراه که روی یک حامل LCC متصل شده است. این فیلترهای نردبانی از شش تشدید کننده FBAR تشکیل شده اند و فیلتر باند پایینی در سمت راست از لبه های غیر موازی برای سرکوب کاذب استفاده می کند.