حافظه رایانه
ئی‌ئیپ‌رام و حافظه فلش

استفاده از این نوع حافظه‌ها که از نوع غیر فرار بوده و یعنی از این لحاظ شبیه بقیه انواع رام می‌باشند، زمانی به کار می‌آید که نیاز باشد تراشه بدون برداشته شدن از روی مدار قابل برنامه‌ریزی مجدد باشد.
نکته دیگری که قابل توجه است، این که در این نوع از حافظه احتیاج به ایجاد پنجره شفاف جهت انجام عمل پاک کردن محتویات تراشه شبیه آنچه در EPROM موجود بود، نمی‌باشد و از این لحاظ ساخت تراشه ارزانتر تمام خواهد شد.
حافظه‌های ئی‌ئیپ‌رام و فلش معمولاً ولتاژ تغذیه دیگری علاوه بر تغذیه استاندارد ۵ ولتی نیز دارند که در مورد حافظه‌های یاد شده در بالا این ولتاژ در خیلی از مواقع حدود ۱۲ ولت بوده و برای انجام عمل نوشتن و پاک کردن مورد استفاده قرار می‌گیرد و با قطع آن محتویات داخلی تراشه ثابت خواهند ماند و به عبارتی در مقابل پاک شوندگی یا تغییرات ناخواسته اتفاقی مصونیت پیدا خواهند کرد. جدول ۱- نشان دهنده خواص عمده از خانواده حافظه‌های غیر فرار یعنی EPROM و ئی‌ئیپ‌رام و فلش از دید مقایسه‌ای می‌باشد.
| ئی‌ئیپ‌رام | فلش | UVEPROM | وضعیت |
| --- | --- | --- | --- |
| الکتریکی بایت به بایت | الکتریکی به صورت یک جا | به صورت نور فرابنفش | پاک کردن |
| بربایت | بربایت | بربایت | برنامه‌ریزی |
| ۵ولت | ۵ و۱۲ ولت | ۵/۱۲ و۲۱ ولت | ولتاژ برنامه‌ریزی |
| در داخل سیستم | در داخل سیستم | به توسط دستگاه ویژه | روش برنا مه ریزی |
| ۱۰ثانیه | ۵ ثانیه | ۱۵ تا ۲۰ ثانیه | زبان برنامه‌ریزی برای یک مگا بایت |
حافظه‌های فلش در خیلی از مواردی که به صورت معمول از ئی‌ئیپ‌رام و ئی‌پی‌رام یا مجموعه SRAM و باتری یا DRAM و دیسک مغناطیسی استفاده می‌شود، کاربرد دارند و می‌توانند جایگزین انواع بالا بشوند.
هزینه برنامه‌ریزی دوباره کمتر برای حافظه فلش از مزایای عمده این نوع تراشه‌ها بوده و از این لحاظ کاربرد آن‌ها در طولانی مدت به مراتب از کاربرد ئی‌پی‌رام مقرون به صرفه تر است.
یکی از عیوب این حافظه‌ها تعداد محدود دفعات نوشتن و پاک کردن آن‌ها می‌باشد که مقدار حداکثر آن در مدارک فنی سازندگان در حال حاضر ده هزار یاد می‌شود و این در حالی است که تعداد دفعات پاک کردن و برنامه‌ریزی مجدد برای ئی‌پی‌رام ها در حدود یک هزار بار می‌باشد و از لحاظ نظری این رقم برای حافظه‌های رام بی‌نهایت می‌باشد. نکته دیگری که قابل بیان است این که تعداد ئی‌ئیپ‌رام های ساخته شده از لحاظ تنوع به مراتب از ئی‌پی‌رام ها کمتر می‌باشد.
به عنوان مثال تراشه رام ۲۳۳۲ معادل ئی‌پی‌رام ۲۷۳۲ بوده و تراشه رام 27X۵۱۲ معادل ۲۷C۵۱۲ که یک ئی‌پی‌رام، ۵۱۲ کیلو بایتی است، می‌باشد.
جدول۲- نشان دهنده تعدادی از ئی‌پی‌رام های معمول موجود در بازار و رام مشابه آن‌ها و بعضی از اطلاعات اساسی مربوطه می‌باشد. در دو ستون آخر این جدول نمونه‌هایی از حافظه‌های ئی‌ئیپ‌رام و فلش که از لحاظ ظرفیت و سازماندهی داخلی همانند ئی‌پی‌رام های هم ردیف خود می‌باشند، آمده‌اند.
| مشابه فلش | مشابه ئی‌ئیپ‌رام | رام معادل | تکنولوژِی ساخت | سازماندهی داخلی | حجم اطلاعاتی | نوع تراشه |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
|  | PCB۸۵۸۲ |  |  | ۲۵۶×۸bit | ۲k |  |
|  | ۲۸۱۶ |  |  | ۲۰۴۸×۸bit | ۱۶k | ۲۷۱۶ |
|  |  | ۲۳۳۲ |  | ۴۰۹۶×۸bit | ۳۲k | ۲۷۳۲ |
|  |  | ۲۷×۶۴ | CMOS | ۸۱۹۲×۸bit | ۶۴k | ۲۷c۴۶ |
|  |  | ۲۷×۱۲۸ | CMOS | ۱۶۳۸۴×۸bit | ۱۲۸k | ۲۷c۱۲۸ |
| ۲۸f۲۵۶ |  | ۲۷×۲۵۶ | CMOS | ۳۲۷۶۸×۸bit | ۲۵۶k | ۲۷c۲۵۶ |
| ۲۸f۵۱۲ |  | ۲۷×۵۱۲ | CMOS | ۶۵۵۳۶×۸bit | ۵۱۲k | ۲۷c۵۱۲ |
| ۲۸f۰۱۰ |  | ۲۷×۱۰۲۴ | CMOS | ۱۳۱۰۷۲×۸bit | ۱M | ۲۷c۰۱۰ |
نوعی از ئی‌پی‌رام ها وجود دارند که به نام' OTP 'کوتاه شده عبارت One Time Programmable نامیده می‌شوند. این نوع همان‌طور که از نام آن‌ها پیدا است فقط یک بار می‌توانند برنامه‌ریزی شوند. این‌ها معادل ئی‌پی‌رام هایی با همان شماره قطعه می‌باشند با این تفاوت که فاقد پنجره شفاف بوده و جعبه آن‌ها از پلاستیک یک تکه ساخته شده و طبیعتاً ارزانتر از ئی‌پی‌رام های پنجره دار (قابل پاک شدن) می‌باشند. پنجره شفافی که در ئی‌پی رام های معمولی وجود دارد از جنس کوارتز بوده و در موقع پاک کردن نور فرابنفش از آن عبور کرده و با سطح تراشه برخورد می‌نماید و در صورتی که شدت و زمان تابش پرتو کافی باشد سبب پاک شدن تراشه خواهد شد.
برای پاک نمودن می‌بایست یک سطح زیاد از انرژی را به منظور شکستن الکترون‌های منفی دریچه شناور (Floating Gate)استفاده کرد.
شکل زیر نشان دهنده شمای ساده شده یک سلول از حافظه نوع فلش می‌باشد. ساختمان این سلول بجز در مورد نحوه پاک شوندگی شباهت به سلول ئی‌پی‌رام دارد و طریقه به تله انداختن بار الکتریکی در دریچه شناور نیز شبیه حالت ئی‌پی‌رام می‌باشد. در موقع برنامه‌ریزی ولتاژ دریچه کنترل و Drain بالا برده شده و Source به سمت Drain شده و در آنجا بعضی از این الکترون‌ها پر انرژی شده و شباهت به الکترون آزاد پیدا می‌کنند و در اینجا این الکترون‌ها تحت اثر ولتاژ مثبت اعمال شده از سوی دریچه کنترل به سمت آن جذب شده و در ضمن عبور از منطقه اکسید نازک در دریچه شناور به تله می‌افتند. الکترون‌های به تله افتاده در دریچه شناور یک میدان الکتریکی ایجاد می‌نمایند که این میدان سبب قطع شدن ترانزیستور شده و سلول مربوطه به وضعیت صفر منطقی خواهد رفت.