stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
آلیس ایوانز (بازیکن فوتبال)

| 0 | 1 | 2 | 3 |
| --- | --- | --- | --- |
 :  
اطلاعات شخصی: اطلاعات شخصی
نام کامل:  Alice Victoria Evans
زادروز:  ۲۲ ژوئیهٔ ۱۹۹۴ ‏(۳۰ سال)
زادگاه:  آبریستویث
قد:  5'۸"
پست:  دروازه‌بان
اطلاعات باشگاهی: اطلاعات باشگاهی
باشگاه کنونی:  Santu Predu
شمارهٔ پیراهن:  ۱
باشگاه‌های حرفه‌ای*: باشگاه‌های حرفه‌ای*
| سال‌ها |  باشگاه‌ها |  بازی† |  (گل)† |
| ۲۰۱۲–۲۰۱۳ |  Cardiff City |   |   |
| ۲۰۱۳–۲۰۱۴ |  Yeovil Town |   |   |
| ۲۰۱۴–۲۰۱۵ |  Bristol City |   |   |
| ۲۰۱۵ |  Yeovil Town |   |   |
تیم ملی: تیم ملی
| ۲۰۱۳ |  Wales U19 |  ۱۵ |  (۰) |
| ۲۰۱۵ |  تیم ملی فوتبال زنان ولز |  ۹ |  (۰) |
 تعداد بازی‌ها و گل‌ها فقط مربوط به بازی‌های لیگ داخلی است. :  تعداد بازی‌ها و گل‌ها فقط مربوط به بازی‌های لیگ داخلی است. 
آلیس ایوانز (انگلیسی: Alice Evans؛ زادهٔ ۲۲ ژوئیهٔ ۱۹۹۴) بازیکن فوتبال اهل بریتانیا است.
وی همچنین در تیم‌های ملی فوتبال زنان ولز بازی کرده‌است.
علی‌آباد سرجنگل

| علی‌آباد سرجنگل | علی‌آباد سرجنگل |
| --- | --- |
روستا: روستا
مختصات: : مختصات: 
کشور: ایران
استان: سیستان و بلوچستان
شهرستان: زاهدان
بخش: کورین
دهستان: کورین
جمعیت: ۵۷ نفر (سرشماری ۹۵)
علی‌آباد سرجنگل روستایی در دهستان کورین بخش کورین شهرستان زاهدان استان سیستان و بلوچستان ایران است.
جمعیت

بر پایه سرشماری عمومی نفوس و مسکن در سال ۱۳۹۵ جمعیت این روستا ۵۷ نفر (۱۴خانوار) بوده‌است.
| جمعیت تاریخی> سال | جمعیت تاریخی> جمعیت | جمعیت تاریخی> ±% |
| --- | --- | --- |
| ۱۳۹۵ | ۵۷ | —     |
مسابقات قهرمانی وزنه‌برداری اروپا (۲۰۰۴)

| مسابقات قهرمانی وزنه‌برداری اروپا (۲۰۰۴) | مسابقات قهرمانی وزنه‌برداری اروپا (۲۰۰۴) |
| --- | --- |
مکان: کی‌یف، اوکراین
تاریخ‌ها: ۲۰–۲۵ آوریل ۲۰۰۴
 →۲۰۰۳۲۰۰۵← :  →۲۰۰۳۲۰۰۵← 
مسابقات قهرمانی وزنه‌برداری اروپا (۲۰۰۴) از ۲۰ آوریل تا ۲۵ آوریل ۲۰۰۴ در کی‌یف، اوکراین برگزار شد.
نمای کلی مدال > مردان

| 0 | 1 | 2 | 3 |
| --- | --- | --- | --- |
| وزن | طلا | نقره | برنز |
| – ۵۶ ک‌گ جزئیات |  سدات آرتوچ |  Vitali Dzerbianiou |  László Tancsics |
| – ۶۲ ک‌گ جزئیات |  سودالین مینچف |  Adrian Jigău |  Asif Malikov |
| – ۶۹ ک‌گ جزئیات |  Ekrem Celil |  نیکولای پاشالوف |  سرگئی لاورینو |
| – ۷۷ ک‌گ جزئیات |  تانر ساغیر |  مهمت یلماز (وزنه‌بردار) |  پلامن ژلیازکوف |
| – ۸۵ ک‌گ جزئیات |  İzzet İnce |  Zaur Takhushev |  Erdal Sunar |
| – ۹۴ ک‌گ جزئیات |  میلن دوبرف |  ادوارد تیوکین |  آناتولی موشیک |
| – ۱۰۵ ک‌گ جزئیات |  آلان تساگائف |  دمیتری برستوف |  الکساندرو براتان |
| + ۱۰۵ ک‌گ جزئیات |  ولیچکو چولاکوف |  ویکتورس شرباتیس |  رونی ولر |
نمای کلی مدال > زنان

| 0 | 1 | 2 | 3 |
| --- | --- | --- | --- |
| وزن | طلا | نقره | برنز |
| – ۴۸ ک‌گ جزئیات |  ایزابلا دراگنوا |  اسوتلانا اولیانووا |  Rebeca Sires Rodriguez |
| – ۵۳ ک‌گ جزئیات |  نورجان تایلان |  ماریوارا مونتیانو |  ناستاسیا نوویکاوا |
| – ۵۸ ک‌گ جزئیات |  آلکساندرا کله‌ینوسکا |  آیلین داشدلن |  Zlatina Atanasova |
| – ۶۳ ک‌گ جزئیات |  گرگانا کیریلووا |  دومینیکا میسترسکا |  آناستازیا ساکیری |
| – ۶۹ ک‌گ جزئیات |  سیبل شیمشک |  تاتیانا ماتویوا (وزنه‌بردار) |  وندا ماسلوسکا |
| – ۷۵ ک‌گ جزئیات |  اسوتلانا پودوبدووا |  Sule Sahbaz |  Christina Ioannidi |
| + ۷۵ ک‌گ جزئیات |  آگاتا وروبل |  ویکتوریا شایماردانوا |  Deriya Acikgoz |
فج مولده (یمن)

فج مولده  (در عربی:  فَج المَولدَة )
نام روستایی است در عزلهٔ (مخلاف العود)، در دهستان فَروَة از توابع استان صَعده در کشور یمن در شبه جزیره عربستان.
جمعیت

جمعیت آن (۲۹۰ ) نفر (۲۱ خانوار) می‌باشد.
مسابقات قهرمانی وزنه‌برداری اروپا (۲۰۱۲)

| مسابقات قهرمانی وزنه‌برداری اروپا (۲۰۱۲) | مسابقات قهرمانی وزنه‌برداری اروپا (۲۰۱۲) |
| --- | --- |
محل برگزاری: Kepez Basket Hall
مکان: آنتالیا، ترکیه
تاریخ‌ها: ۹–۱۵ آوریل ۲۰۱۲
 →۲۰۱۱۲۰۱۳← :  →۲۰۱۱۲۰۱۳← 
مسابقات قهرمانی وزنه‌برداری اروپا (۲۰۱۲) از ۹ آوریل تا ۱۵ آوریل ۲۰۱۲ در Kepez Basket Hall، آنتالیا، ترکیه برگزار شد و ۹۱مین دوره این رقابت بود.
دوپینگ

+ آزمایش دوپینگ:
۱۳ وزنه‌بردار (one or multiple prohibited anabolic steroids):
Hysen Pulaku (آلبانی)
هانا باتسیوشگا (بلاروس)
Dimitris Minasidis (قبرس)
ایراکلی تورمانیدزه (گرجستان)
Rauli Tsirekidze (گرجستان)
کریستین ایوو (مولداوی)
فلورین کرویتورو (رومانی)
رضوان مارتین (رومانی)
اوکسانا سلیونکو (روسیه)
گوکهان کیلیچ (ترکیه)
Bunyami Sezer (ترکیه)
Hatice Yilmaz (ترکیه)
Fatih Baydar (ترکیه)
برنامه

روزهای مسابقات به دو گروه A و B تقسیم شدند.
نمای کلی مدال > مردان

| 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| وزن |  | طلا | طلا | نقره | نقره | برنز | برنز |
| – ۵۶ ک‌گ | یک‌ضرب |  والنتین هریستوف (AZE) | ۱۲۵ ک‌گ |  گوکهان کیلیچ (TUR) | ۱۲۱ ک‌گ |  Oleg Sîrghi (MDA) | ۱۱۶ ک‌گ |
| – ۵۶ ک‌گ | دوضرب |  والنتین هریستوف (AZE) | ۱۵۵ ک‌گ |  Oleg Sîrghi (MDA) | ۱۴۶ ک‌گ |  Asen Muradov (BUL) | ۱۳۶ ک‌گ |
| – ۵۶ ک‌گ | مجموع |  والنتین هریستوف (AZE) | ۲۸۰ ک‌گ |  Oleg Sîrghi (MDA) | ۲۶۲ ک‌گ |  گوکهان کیلیچ (TUR) | ۲۵۷ ک‌گ |
| – ۶۲ ک‌گ | یک‌ضرب |  Bünyamin Sezer (TUR) | ۱۴۲ ک‌گ |  فلورین کرویتورو (ROU) | ۱۳۱ ک‌گ |  Dimitris Minasidis (CYP) | ۱۳۰ ک‌گ |
| – ۶۲ ک‌گ | دوضرب |  Stoyan Enev (BUL) | ۱۶۰ ک‌گ |  Bünyamin Sezer (TUR) | ۱۵۹ ک‌گ |  Dimitris Minasidis (CYP) | ۱۵۸ ک‌گ |
| – ۶۲ ک‌گ | مجموع |  Bünyamin Sezer (TUR) | ۳۰۱ ک‌گ |  Dimitris Minasidis (CYP) | ۲۸۸ ک‌گ |  Stoyan Enev (BUL) | ۲۸۲ ک‌گ |
| – ۶۹ ک‌گ | یک‌ضرب |  اولگ چن (RUS) | ۱۵۸ ک‌گ |  برناردن ماتام (FRA) | ۱۴۵ ک‌گ |  دنیل گودلی (ALB) | ۱۴۵ ک‌گ |
| – ۶۹ ک‌گ | دوضرب |  Afgan Bayramov (AZE) | ۱۷۸ ک‌گ |  Sergei Cechir (MDA) | ۱۷۵ ک‌گ |  ونسلاس دابایا (FRA) | ۱۷۵ ک‌گ |
| – ۶۹ ک‌گ | مجموع |  Afgan Bayramov (AZE) | ۳۲۱ ک‌گ |  ونسلاس دابایا (FRA) | ۳۱۸ ک‌گ |  برناردن ماتام (FRA) | ۳۱۸ ک‌گ |
| – ۷۷ ک‌گ | یک‌ضرب |  رضوان مارتین (ROU) | ۱۵۹ ک‌گ |  Alexandru Dudoglo (MDA) | ۱۵۸ ک‌گ |  Dmitry Ivanenko (RUS) | ۱۵۵ ک‌گ |
| – ۷۷ ک‌گ | دوضرب |  رضوان مارتین (ROU) | ۱۸۸ ک‌گ |  Alexandr Spac (MDA) | ۱۸۷ ک‌گ |  سمیح یاغجی (TUR) | ۱۸۶ ک‌گ |
| – ۷۷ ک‌گ | مجموع |  رضوان مارتین (ROU) | ۳۴۷ ک‌گ |  Alexandru Dudoglo (MDA) | ۳۴۵ ک‌گ |  Alexandr Spac (MDA) | ۳۴۰ ک‌گ |
| – ۸۵ ک‌گ | یک‌ضرب |  Fatih Baydar (TUR) | ۱۶۶ ک‌گ |  Rauli Tsirekidze (GEO) | ۱۶۵ ک‌گ |  گابریل سینکرایان (ROM) | ۱۶۴ ک‌گ |
| – ۸۵ ک‌گ | دوضرب |  Tom Schwarzbach (GER) | ۲۰۱ ک‌گ |  Rauli Tsirekidze (GEO) | ۲۰۰ ک‌گ |  گابریل سینکرایان (ROM) | ۱۹۵ ک‌گ |
| – ۸۵ ک‌گ | مجموع |  Rauli Tsirekidze (GEO) | ۳۶۵ ک‌گ |  Fatih Baydar (TUR) | ۳۵۹ ک‌گ |  گابریل سینکرایان (ROM) | ۳۵۹ ک‌گ |
| – ۹۴ ک‌گ | یک‌ضرب |  آناتولی سیریچو (MDA) | ۱۷۸ ک‌گ |  Ibrahim Arat (TUR) | ۱۷۱ ک‌گ |  Aslan Bideev (RUS) | ۱۷۰ ک‌گ |
| – ۹۴ ک‌گ | دوضرب |  آناتولی سیریچو (MDA) | ۲۲۴ ک‌گ |  Intigam Zairov (AZE) | ۲۱۳ ک‌گ |  Aslan Bideev (RUS) | ۲۱۲ ک‌گ |
| – ۹۴ ک‌گ | مجموع |  آناتولی سیریچو (MDA) | ۴۰۲ ک‌گ |  Aslan Bideev (RUS) | ۳۸۲ ک‌گ |  Ibrahim Arat (TUR) | ۳۸۰ ک‌گ |
| – ۱۰۵ ک‌گ | یک‌ضرب |  Maxim Sheyko (RUS) | ۱۸۵ ک‌گ |  داوید بژانیان (RUS) | ۱۸۵ ک‌گ |  سرهی طاهروف (UKR) | ۱۸۰ ک‌گ |
| – ۱۰۵ ک‌گ | دوضرب |  داوید بژانیان (RUS) | ۲۲۰ ک‌گ |  Maxim Sheyko (RUS) | ۲۱۶ ک‌گ |  آرکادیوژ میخالسکی (POL) | ۲۱۲ ک‌گ |
| – ۱۰۵ ک‌گ | مجموع |  داوید بژانیان (RUS) | ۴۰۵ ک‌گ |  Maxim Sheyko (RUS) | ۴۰۱ ک‌گ |  سرهی طاهروف (UKR) | ۳۹۰ ک‌گ |
| + ۱۰۵ ک‌گ | یک‌ضرب |  ایراکلی تورمانیدزه (GEO) | ۱۹۵ ک‌گ |  Hayk Hakobyan (ARM) | ۱۹۵ ک‌گ |  Peter Nagy (HUN) | ۱۹۲ ک‌گ |
| + ۱۰۵ ک‌گ | دوضرب |  روسلان آلبگوف (RUS) | ۲۳۸ ک‌گ |  جیری اورساگ (CZE) | ۲۳۵ ک‌گ |  Andrey Kozlov (RUS) | ۲۳۵ ک‌گ |
| + ۱۰۵ ک‌گ | مجموع |  روسلان آلبگوف (RUS) | ۴۲۹ ک‌گ |  ماتیاس اشتاینر (GER) | ۴۲۴ ک‌گ |  ایراکلی تورمانیدزه (GEO) | ۴۲۳ ک‌گ |
نمای کلی مدال > زنان

| 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| وزن |  | طلا | طلا | نقره | نقره | برنز | برنز |
| – ۴۸ ک‌گ | یک‌ضرب |  مارژینا کارپینسکا (POL) | ۸۵ ک‌گ |  جنی پاگلیارو (ITA) | ۸۱ ک‌گ |  Silviya Angelova (AZE) | ۷۸ ک‌گ |
| – ۴۸ ک‌گ | دوضرب |  مارژینا کارپینسکا (POL) | ۱۰۲ ک‌گ |  Nurdan Karagöz (TUR) | ۱۰۰ ک‌گ |  Silviya Angelova (AZE) | ۹۷ ک‌گ |
| – ۴۸ ک‌گ | مجموع |  مارژینا کارپینسکا (POL) | ۱۸۷ ک‌گ |  Nurdan Karagöz (TUR) | ۱۷۷ ک‌گ |  Silviya Angelova (AZE) | ۱۷۵ ک‌گ |
| – ۵۳ ک‌گ | یک‌ضرب |  کریستین ایوو (MDA) | ۹۱ ک‌گ |  Alena Chychkan (BLR) | ۸۸ ک‌گ |  آیلین داشدلن (TUR) | ۸۸ ک‌گ |
| – ۵۳ ک‌گ | دوضرب |  کریستین ایوو (MDA) | ۱۱۶ ک‌گ |  آیلین داشدلن (TUR) | ۱۱۳ ک‌گ |  Svetlana Cheremshanova (RUS) | ۱۱۳ ک‌گ |
| – ۵۳ ک‌گ | مجموع |  کریستین ایوو (MDA) | ۲۰۷ ک‌گ |  آیلین داشدلن (TUR) | ۲۰۱ ک‌گ |  Svetlana Cheremshanova (RUS) | ۲۰۱ ک‌گ |
| – ۵۸ ک‌گ | یک‌ضرب |  روملا بگای (ALB) | ۱۰۲ ک‌گ |  Boyanka Kostova (AZE) | ۹۸ ک‌گ |  الینا شادرینا (RUS) | ۹۵ ک‌گ |
| – ۵۸ ک‌گ | دوضرب |  Boyanka Kostova (AZE) | ۱۱۷ ک‌گ |  آلکساندرا کله‌ینوسکا (POL) | ۱۱۷ ک‌گ |  الینا شادرینا (RUS) | ۱۱۶ ک‌گ |
| – ۵۸ ک‌گ | مجموع |  Boyanka Kostova (AZE) | ۲۱۵ ک‌گ |  روملا بگای (ALB) | ۲۱۵ ک‌گ |  الینا شادرینا (RUS) | ۲۱۱ ک‌گ |
| – ۶۳ ک‌گ | یک‌ضرب |  سیبل شیمشک (TUR) | ۱۰۰ ک‌گ |  Nikoletta Nagy (HUN) | ۹۴ ک‌گ |  Liudmila Bril (BLR) | ۹۳ ک‌گ |
| – ۶۳ ک‌گ | دوضرب |  سیبل شیمشک (TUR) | ۱۲۵ ک‌گ |  Nikoletta Nagy (HUN) | ۱۱۶ ک‌گ |  Neslihan Okumuş (TUR) | ۱۱۵ ک‌گ |
| – ۶۳ ک‌گ | مجموع |  سیبل شیمشک (TUR) | ۲۲۵ ک‌گ |  Nikoletta Nagy (HUN) | ۲۱۰ ک‌گ |  Neslihan Okumuş (TUR) | ۲۰۸ ک‌گ |
| – ۶۹ ک‌گ | یک‌ضرب |  اوکسانا سلیونکو (RUS) | ۱۱۵ ک‌گ |  Viktoriya Savenko (RUS) | ۱۱۵ ک‌گ |  رکسانا کوکوش (ROU) | ۱۱۰ ک‌گ |
| – ۶۹ ک‌گ | دوضرب |  اوکسانا سلیونکو (RUS) | ۱۴۳ ک‌گ |  رکسانا کوکوش (ROU) | ۱۴۲ ک‌گ |  Viktoriya Savenko (RUS) | ۱۳۷ ک‌گ |
| – ۶۹ ک‌گ | مجموع |  اوکسانا سلیونکو (RUS) | ۲۵۸ ک‌گ |  رکسانا کوکوش (ROU) | ۲۵۲ ک‌گ |  Viktoriya Savenko (RUS) | ۲۵۲ ک‌گ |
| – ۷۵ ک‌گ | یک‌ضرب |  لیدیا والنتین (ESP) | ۱۱۷ ک‌گ |  اولگا زوبووا (RUS) | ۱۱۵ ک‌گ |  Rumyana Petkova (BUL) | ۱۰۰ ک‌گ |
| – ۷۵ ک‌گ | دوضرب |  اولگا زوبووا (RUS) | ۱۵۰ ک‌گ |  لیدیا والنتین (ESP) | ۱۴۳ ک‌گ |  Hatice Yılmaz (TUR) | ۱۲۵ ک‌گ |
| – ۷۵ ک‌گ | مجموع |  اولگا زوبووا (RUS) | ۲۶۵ ک‌گ |  لیدیا والنتین (ESP) | ۲۶۰ ک‌گ |  Hatice Yılmaz (TUR) | ۲۲۳ ک‌گ |
| + ۷۵ ک‌گ | یک‌ضرب |  تاتیانا کاشیرینا (RUS) | ۱۴۵ ک‌گ |  یولیا دوهل (AZE) | ۱۲۳ ک‌گ |  Julia Konovalova (RUS) | ۱۲۱ ک‌گ |
| + ۷۵ ک‌گ | دوضرب |  تاتیانا کاشیرینا (RUS) | ۱۸۳ ک‌گ |  Julia Konovalova (RUS) | ۱۵۳ ک‌گ |  یولیا دوهل (AZE) | ۱۵۰ ک‌گ |
| + ۷۵ ک‌گ | مجموع |  تاتیانا کاشیرینا (RUS) | ۳۲۸ ک‌گ |  Julia Konovalova (RUS) | ۲۷۴ ک‌گ |  یولیا دوهل (AZE) | ۲۷۳ ک‌گ |
جدول‌های مدال‌ها

رده‌بندی بر پایه کل مدال‌ها: «بزرگ» (مجموع نتیجه) و «کوچک» (یک‌ضرب و دوضرب)
پس از دوپینگ:
| رتبه | کشور | طلا | نقره | برنز | مجموع |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| ۱ |  روسیه (RUS) | ۱۱ | ۸ | ۱۲ | ۳۱ |
| ۲ |  آذربایجان (AZE) | ۷ | ۳ | ۵ | ۱۵ |
| ۳ |  مولدووا (MDA) | ۳ | ۶ | ۲ | ۱۱ |
| ۴ |  ترکیه (TUR) | ۳ | ۵ | ۵ | ۱۳ |
| ۵ |  لهستان (POL) | ۳ | ۱ | ۱ | ۵ |
| ۶ |  اسپانیا (ESP) | ۱ | ۲ | ۰ | ۳ |
| ۷ |  آلبانی (ALB) | ۱ | ۱ | ۱ | ۳ |
| ۸ |  آلمان (GER) | ۱ | ۱ | ۰ | ۲ |
| ۹ |  بلغارستان (BUL) | ۱ | ۰ | ۳ | ۴ |
| ۱۰ |  رومانی (ROU) | ۰ | ۳ | ۴ | ۷ |
| ۱۱ |  مجارستان (HUN) | ۰ | ۳ | ۱ | ۴ |
| ۱۲ |  فرانسه (FRA) | ۰ | ۲ | ۲ | ۴ |
| ۱۳ |  بلاروس (BLR) | ۰ | ۱ | ۱ | ۲ |
| ۱۴ |  ارمنستان (ARM) | ۰ | ۱ | ۰ | ۱ |
| ۱۴ |  ایتالیا (ITA) | ۰ | ۱ | ۰ | ۱ |
| ۱۴ |  چک (CZE) | ۰ | ۱ | ۰ | ۱ |
| ۱۷ |  اوکراین (UKR) | ۰ | ۰ | ۲ | ۲ |
| ۱۸ |  قبرس (CYP) | ۰ | ۰ | ۰ | ۰ |
| ۱۸ |  گرجستان (GEO) | ۰ | ۰ | ۰ | ۰ |
| مجموع (۱۹ کشور) | مجموع (۱۹ کشور) | ۳۱ | ۳۹ | ۳۹ | ۱۰۹ |
رده‌بندی بر پایه مدال‌های بزرگ (مجموعه نتیجه)
| رتبه | کشور | طلا | نقره | برنز | مجموع |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| ۱ |  روسیه (RUS) | ۴ | ۳ | ۳ | ۱۰ |
| ۲ |  آذربایجان (AZE) | ۳ | ۰ | ۲ | ۵ |
| ۳ |  ترکیه (TUR) | ۱ | ۲ | ۲ | ۵ |
| ۴ |  مولدووا (MDA) | ۱ | ۲ | ۱ | ۴ |
| ۵ |  لهستان (POL) | ۱ | ۰ | ۰ | ۱ |
| ۶ |  رومانی (ROU) | ۰ | ۱ | ۱ | ۲ |
| ۶ |  فرانسه (FRA) | ۰ | ۱ | ۱ | ۲ |
| ۸ |  آلبانی (ALB) | ۰ | ۱ | ۰ | ۱ |
| ۸ |  آلمان (GER) | ۰ | ۱ | ۰ | ۱ |
| ۸ |  اسپانیا (ESP) | ۰ | ۱ | ۰ | ۱ |
| ۸ |  مجارستان (HUN) | ۰ | ۱ | ۰ | ۱ |
| ۱۲ |  اوکراین (UKR) | ۰ | ۰ | ۱ | ۱ |
| ۱۲ |  بلاروس (BLR) | ۰ | ۰ | ۱ | ۱ |
| ۱۲ |  بلغارستان (BUL) | ۰ | ۰ | ۱ | ۱ |
| ۱۵ |  قبرس (CYP) | ۰ | ۰ | ۰ | ۰ |
| ۱۵ |  گرجستان (GEO) | ۰ | ۰ | ۰ | ۰ |
| مجموع (۱۶ کشور) | مجموع (۱۶ کشور) | ۱۰ | ۱۳ | ۱۳ | ۳۶ |
کشورهای شرکت‌کننده

فهرست کشورهای شرکت‌کننده. در مجموع ۲۷۵ ورزشکار (زن، مرد) از ۳۶ کشور در این دوره مسابقات قهرمانی شرکت کردند.
آلبانی (12)
ارمنستان (3)
جمهوری آذربایجان (8)
بلاروس (8)
بلژیک (1)
بوسنی و هرزگوین (1)
بلغارستان (14)
کرواسی (5)
قبرس (2)
جمهوری چک (12)
دانمارک (2)
استونی (2)
فنلاند (12)
فرانسه (12)
گرجستان (4)
آلمان (11)
یونان (14)
مجارستان (10)
جمهوری ایرلند (6)
اسرائیل (2)
ایتالیا (15)
کوزوو (۱)
لتونی (3)
لیتوانی (8)
مولدووا (10)
هلند (1)
نروژ (1)
لهستان (15)
رومانی (10)
روسیه (15)
اسلواکی (10)
اسپانیا (10)
سوئد (5)
ترکیه (15)
اوکراین (1)
بریتانیا (12)
ماسفت قدرت

دو قطعه ماسفت قدرت (SMD). هر یک از این المان‌ها می‌تواند در حالت مدار باز تا ولتاژ 120 ولت و در حالت اتصال کوتاه تا جریان 30 آمپر را از خود عبور دهد.
سمبل مداری ماسفت قدرت با کانال N
ماسفت قدرت (به انگلیسی: power MOSFET) یا VMOSFET، نوعی خاصی از ترانزیستور ماسفت است که به منظور کارکرد در توان‌های بالا طراحی شده‌است.
در مقایسه با دیگر ادوات الکترونیک قدرت مانند (IGBT) یا تریستور، مهم‌ترین مزایای ماسفت قدرت، سرعت سوئیچینگ بالا و کارایی خوب در ولتاژهای پایین است. همانند IGBT، در ماسفت قدرت هم از گیت عایق شده‌استفاده شده‌است که این امر عمل راه اندازی ترانزیستور را آسان می‌کند. این ماسفت در بهره کم نیز بکار می‌رود تا جایی که بعضاً لازم است ولتاژ گیت ترانزیستور بیشتر از ولتاژ تحت کنترل باشد.
طراحی ماسفت قدرت با توسعه تکنولوژی CMOS که برای ساخت مدارهای مجتمع در اواخر دهه ۱۹۷۰ صورت گرفت، آغاز شد. نحوه عملکرد ماسفت قدرت شبیه ماسفت معمولی است.
ماسفت قدرت، پرکاربردترین کلید مورد استفاده در ولتاژهای پایین (کمتر از 200 V) است که معمولاً در مدارات منابع تغذیه، مبدل‌های DC به ac و  کنترل‌کننده‌های موتور بکار می‌رود.
ساختار پایه

در اوایل دهه ۱۹۸۰ و همزمان با معرفی اولین ماسفت قدرت، ساختارهای متعددی ارائه شدند اما اغلب آن‌ها (حداقل تا همین اواخر) کنار گذاشته شده و فقط ساختار ماسفت با نفوذ عمودی (VDMOS) مورد توجه قرار گرفت.
در شکل ۱، سطح مقطع یک VDMOS نشان داده شده‌است: دیده می‌شود که پایه سورس بالاتر از پایه درین قرار دارد که باعث می‌شود جریان الکتریکی به صورت "عمودی" جاری شود. واژه "نفوذ (دیفوژن)" که در اسم این نوع ترانزیستور وجود دارد، به پروسه ساخت آن مربوط می‌شود. نواحی +P و +N (شکل۱)، با استفاده از تکنیک دیفوژن ایجاد می‌شوند.
ماسفت‌های قدرت ساختاری متفاوت از ماسفت‌های معمولی دارند. بر خلاف اغلب ادوات الکترونیک قدرت که ساختاری مسطح (افقی) دارند، این المان دارای ساختار عمودی است. در یک ساختار مسطح، مقدار جریان و ولتاژ شکست هر دو تابعی از ابعاد کانال (به ترتیب عرض و طول کانال) هستند که در نتیجه سبب استفاده ناکارآمد از «سیلیکون و مستغلات» می‌شود. در ساختار عمودی، ولتاژ نامی ترانزیستور تابعی از دوپینگ و ضخامت لایه N است در حالی که مقدار جریان تابعی از عرض کانال است. این حالت سبب آن می‌شود که ترانزیستور بتواند ولتاژ و جریان بالا را در یک قطعه سیلیکون فشرده تحمل کند.
شایان ذکر است که ماسفت قدرت با ساختار افقی (عرضی) نیز وجود دارد که عمدتاً در تقویت کننده‌های صوتی استفاده می‌شوند. مزیت آن‌ها این است که رفتار بهتری در ناحیه اشباع به نسبت ترانزیستور با ساختار عمودی از خود نشان می‌دهند. ماسفت‌های قدرت عمودی، برای کاربردهای کلیدزنی طراحی شده‌اند و بنابراین فقط در حالت روشن یا خاموش بکار برده می‌شوند.
ساختار پایه > مقاومت در حالت روشن

زمانی که ماسفت قدرت در حالت روشن قرار دارد، مقاومتی را مابین پایه‌های درین و سورس از خود نشان می‌دهد. همانطورکه در شکل ۲ دیده می‌شود، این مقاومت که RDSon نامیده می‌شود، مجموعی از چندید مقاومت اولیه است.
RS مقاومت سورس است که نشان دهنده همه مقاومت بین الکترود سورس و کانال ماسفت است: مقاومت بین پایه سورس ماسفت و قسمت +N
Rch مقاومت کانال است. این مقاومت، نسبت معکوس با عرض کانال و همچنین در یک ویفر سیلیکون، با چگالی کانال دارد. مقاومت کانال، یکی از عوامل مهم در تعیین مقاومت حالت روشن ماسفت‌های ولتاژ پایین است و تلاش‌های فراوانی در جهت کوچکتر کردن ابعاد کانال به منظور افزایش چگالی آن، در حال انجام است.
Ra که به مقاومت دسترسی معروف است، نشان دهنده مقاومت ناحیه لایه نشانی شده در زیر ترمینال گیت است؛ محلی که حرکت جریان الکتریکی از شکل افقی (درون کانال)، به شکل عمودی (به سمت ترمینال درین) تغییر جهت پیدا می‌کند.
Rn مقاومت قسمت لایه نشانی شده‌است. از آنجایی که نقش این لایه تحمل افت ولتاژ در حالت قطع ماسفت است، لذا مقدار این مقاومت به‌طور مستقیم با ولتاژ نامی ماسفت در ارتباط است. یک ماسفت ولتاژ بالا نیازمند یک لایه ضخیم با ناخالصی پایین (مقاومت زیاد) در حالی که ماسفتی با ولتاژ پایین نیازمند یک لایه نازک با ناخالصی بالا (مقاومت کم) است؛ بنابراین در یک ماسفت ولتاژ بالا، Rn عامل اصلی در مقاومت کل ماسفت است.
RD معادل مقاومت RS برای درین است. این مقاومت، نشان دهنده مقاومت بستر ترانزیستور است.
تعادل بین ولتاژ شکست و مقاومت حالت روشن

هنگامی که ماسفت قدرت در حالت خاموش قرار دارد، معادل یک پین‌دیود است. زمانی که این ساختار بسیار نامتقارن تحت بایاس معکوس قرار می‌گیرد، ناحیه تخلیه، بیشتر به درون قسمتی که ناخالصی کمتری دارد، نفوذ می‌کند (ناحیه -N) و این بدان معناست که این لایه باید بتواند ولتاژ درین-سورس ماسفت را در حالت خاموش تحمل کند.
علاوه بر این، به علت اینکه لایه -N دارای ناخالصی کمی است، مقاومت این لایه، بالا بوده و سبب بالا رفتن مقاومت درین-سورس در حالت روشن می‌شود.
دو پارامتر اصلی تعیین‌کننده ولتاژ شکست و RDSon ترانزیستور عبارتند از: میزان ناخالصی و عرض لایه -N. هر چقدر این لایه عریضتر بوده و ناخالصی آن کمتر باشد، ولتاژ شکست ماسفت بیشتر می‌شود. در مقابل هر اندازه که این لایه کم عرض تر و با ناخالصی بالا باشد، مقاومت حالت روشن ماسفت RDSon (و در نتیجه تلفات هدایتی ماسفت)، کمتر می‌شود؛ بنابراین ملاحظه می‌شود که در طراحی ماسفت قدرت باید یک حالت تعادل یا میانه مابین مقاومت حالت روشن و ولتاژ شکست ماسفت برقرار شود.
دیود بدنه

همانطورکه در شکل رو به رو دیده می‌شود، الکترود سورس به هر دو لایه +N و +P متصل است اما می‌دانیم که در ماسفت معمولی، پایه سورس تنها به لایه +N متصل می‌شود. حال اگر در ماسفت قدرت نیز بدین صورت عمل می‌شد، سبب معلق ماندن لایه +P مابین دو منطقه N (درین و سورس) می‌شود که معادل یک ترانزیستور NPN که پایه بیس آن به جایی متصل نیست، می‌شود. این ترانزیستور پارازیتی، سبب بهم خوردن عملکرد ماسفت در شرایط خاص می‌شود. اتصال الکترود سورس به هر دو لایه +P و +N سبب می‌شود که پایه بیس این ترانزیستور به پایه امیتر آن وصل شده و همانند یک دیود عمل کند.
دیود بدنه ممکن است به عنوان دیود هرزگرد در بارهای سلفی که در پل اچ یا نیم پل وجود دارد، استفاده شود. با وجود اینکه این دیود افت ولتاژ بالایی در بایاس مستقیم دارد، می‌تواند جریان‌های بالا را تحمل کند و در اکثر کاربردها کافی بوده و نیاز به استفاده از دیود مستقل دیگری در بیرون بسته‌بندی ماسفت قدرت نیست.
به دلیل تک قطبی بودن ماسفت قدرت، می‌تواند در سرعت‌های بسیار بالا عمل کلیدزنی را انجام دهد و نیازی به تخلیه شدن حامل‌های اقلیت همانند آنچه که در ادوات دو قطبی اتفاق می‌افتد، نیست.
عملیات کلیدزنی

تنها محدودیت ذاتی در کاهش سرعت کلیدزنی، خازن‌هایی داخلی ماسفت است. (شکل ۴ را ببینید). این خازن‌ها باید در هنگام سوئیچ کردن ترانزیستور، شارژ و تخلیه شوند. این فرایند می‌تواند کند باشد زیرا جریانی که از طریق خازن گیت جاری می‌شود، توسط مدار خارجی محدود می‌گردد. در واقع این مدار خارجی سرعت کلیدزنی ترانزیستور را تعیین می‌کند.
عملیات کلیدزنی > خازن‌ها

در دیتاشیت ماسفت، خازن‌های مختلفی با نام‌های Ciss (خازن ورودی در حالتی که پایه‌های درین و سورس به هم متصل هستند), Coss (خازن خروجی در حالتی که گیت و سورس به هم متصل هستند) و Crss (خازن انتقال معکوس در حالتی که پایه سورس به زمین متصل است) به چشم می‌خورد.
عملیات کلیدزنی > خازن‌ها > خازن گیت-سورس

خازن CGS  تشکیل شده‌است از اتصال موازی CoxN+CoxP و Coxm (شکل ۴ را ببینید). به دلیل اینکه نواحی +N و +P دارای ناخالصی بالایی هستند، لذا خازن‌های سری با هم، ثابت هستند. Coxm خازن مابین عایق گیت و الکترود سورس بوده و بنابراین مقدار آن نیز ثابت است. از این رو، ثابت فرض کردن CGS، تقریب صحیحی است بدین معنا که مقدار این خازن وابسته به نقطه کار ماسفت نیست.
عملیات کلیدزنی > خازن‌ها > خازن گیت-درین

خازن CGD را می‌تواند همانند اتصال سری دو خازن اولیه دانست. اولی عبارت است از خازن اکسید (CoxD) که تشکیل شده‌است از الکترود گیت، عایق دی‌اکسید سیلیکون و قسمت بالای لایه +N و مقدار آن ثابت است. دومی خازن (CGDj) است که ناشی از گسترش ناحیه تخلیه در زمانی که ماسفت خاموش می‌باشد، است که در نتیجه مقدار این خازن تابعی از ولتاژ درین-سورس است.
CGDj (و در نتیجه CGD) خازنی است که مقدار آن وابسته به ولتاژ گیت-درین است. اگر این ولتاژ افزایش یابد، مقدار ظرفیت خازن کم می‌شود. زمانی که ماسفت در حالت روشن است، CGDj به حالت موازی درآمده و بنابراین خازن گیت به درین برابر با CoxD که یک مقدار ثابت است، می‌شود.
عملیات کلیدزنی > خازن‌ها > خازن درین-سورس

در وضعیتی که الکترود سورس، لایه +P را نیز می‌پوشاند (نگاه کنید به شکل ۱)، پایه‌های درین و سورس توسط یک پیوند P-N از همدیگر جدا می‌شود؛ بنابراین CDS، خازن پیوند است.
عملیات کلیدزنی > دیگر عوامل دینامیکی > اندوکتانس بسته‌بندی

به منظور کارکرد یک ماسفت، باید به مدار خارجی وصل شود که اغلب اوقات از اتصال سیمی (اگر چه تکنیک‌های جایگزین کشف شده‌است) استفاده می‌شود. اتصالات سیمی (پایه‌های ماسفت)، از خود خاصیت سلفی ناخواسته‌ای نشان می‌دهند که تأثیر منفی بر سرعت کلیدزنی ماسفت می‌گذارد. این اندوکتانس ناخواسته، تمایل دارد که جریان خود را ثابت نگه دارد، همچنین باعث ایجاد اضافه ولتاژ معکوس در زمان خاموش شدن ماسفت شده و تلفات کلیدزنی را افزایش می‌دهد.
برای هر یک از پایه‌های ماسفت می‌توان یک سلف پارازیتی در نظر گرفت که اثرات مختلفی را دارند که عبارتند از:
اندوکتانس ناخواسته پایه گیت تأثیر کمی دارد (با فرض اینکه مقدار آن کمتر از چند صد نانو هانری است). در برخی موارد، اندوکتانس گیت و خازن ورودی ترانزیستور می‌تواند یک نوسانساز تشکیل دهد. باید از این حالت اجتناب شود چراکه سبب افزایش شدید تلفات کلیدزنی می‌شود (منجر به تخریب قطعه). در طراحی‌ها، اندوکتانس ناخواسته پایین نگه داشته می‌شود تا از این پدیده جلوگیری شود.
اندوکتانس درین، در هنگام روشن شدن ماسفت تمایل به کاهش ولتاژ درین را دارد که سبب کاهش تلفات روشن شدن ماسفت می‌شود. با این حال به دلیل اینکه این اندوکتانس سبب تولید اضافه ولتاژ در موقع قطع ماسفت می‌شود، تلفات خاموش شدن را افزایش می‌دهد.
اندوکتانس سورس، اثری مشایه با اندوکتانس درین دارد. علاوه بر آن، به دلیل به وجود آمدن یک اثر فیدبک، سبب طولانی‌تر شدن کموتاسیون و در نتیجه افزایش تلفات می‌گردد.
مقادیر حد > شکست عایق گیت

عایق گیت بسیار نازک است (100 نانومتر یا کمتر)، بنابراین قادر به تحمل ولتاژ محدودی می‌باشد. در دیتاشیت محصول، به مقدار ماکزیمم ولتاژ گیت-سورس اشاره می‌شود (در حدود ۲۰ ولت). هر گونه افزایش ولتاژ از این مقدار سبب آسیب دیدن قطعه می‌شود. علاوه بر این، افزایش ولتاژ گیت-سورس، طول عمر ماسفت را به‌طور چشمگیری کاهش می‌دهد در حالی که تأثیر چندانی بر کاهش RDSon ندارد.
برای مقابله با این مسئله، اغلب از مدار راه انداز گیت استفاده می‌شود.
مقادیر حد > حداکثر ولتاژ درین-سورس

ماسفت قدرت یک مقدار ماکزیمم مشخصی برای ولتاژ درین-سورس دارد (در حالت خاموش) که مقداری فراتر از آن ممکن است سبب شکست شود. افزایش ولتاژ به مقدار بیش از ولتاژ شکست، به صورت بالقوه سبب آسیب رساندن به خود قطعه و دیگر عناصر مدار به دلیل اتلاف بیش از حد انرژی می‌شود.
مقادیر حد > حداکثر جریان درین

جریان درین در حالت کلی باید از یک مقدار مشخصی کمتر باشد (حداکثر جریان پیوسته درین). مقدار این جریان می‌تواند به مقادیر بالاتری برای مدت زمان بسیار کوتاه (حداکثر جریان درین به صورت پالس) برسد. جریان درین توسط تلفات اهمی محدود می‌شود.
مقادیر حد > حداکثر درجه حرارت

درجه حرارت پیوند (TJ) ماسفت باید کمتر از یک مقدار مشخص باشد تا قطعه بتواند به درستی کار کند. معمولاً بسته‌بندی قطعه، حداکثر دمای مجاز پیوند را محدود می‌کند.
حداکثر دمای محیط برای کارکرد صحیح ماسفت، بر اساس تلفات توان و مقاومت حرارتی تعیین می‌شود. این مقاومت حرارتی شامل مقاومت حرارتی بین پیوند و بدنه قطعه و همچنین مقاومت حرارتی بین بدنه قطعه و هوای اطراف است. برای کاهش این مقاومت حرارتی از هیت سینک استفاده می‌شود.
انواع ساختارهای ماسفت قدرت > VMOS

در VMOS از یک ساختار شیاری به شکل V استفاده شده‌است و برای اولین بار در المان‌های تجاری بکار رفت.
انواع ساختارهای ماسفت قدرت > UMOS

در این MOSFET قدرت، الکترود گیت در شیاری که در داخل سیلیسیوم ایجاد شده‌است، دفن می‌شود که موجب پدید آمدن کانالی به صورت عمودی می‌شود. علت اصلی نامگذاری این ماسفت، فرم U شکل شیار گیت است.
شکل. ۲: سهم بخش‌های مختلف ماسفت مقاومت حالت روشن
شکل. 3: RDSon با افزایش ولتاژ شکست ماسفت، بیشتر می‌شود.
دیود موجود در داخل ماسفت قدرت که می‌تواند به عنوان دیود هرزگرد عمل کند
شکل. ۴: محل خازن‌های ذاتی یک MOSFET قدرت.
مدار معادل یک ماسفت قدرت از جمله عناصر دینامیکی (خازن سلف) مقاومت پارازیتی و دیود بدنه.
در ساختار VMOS از شیاری به شکل V در ناحیه گیت استفاده می‌شود
در ساختار UMOS از یک شیار به عنوان گیت استفاده شده‌است.