ممریستور

| 0 | 1 |
| --- | --- |
ممریستور ساخته شده در دانشگاه ایلینوی اربانا-شمپین و آزمایشگاه تکنولوژی انرژی ملی: ممریستور ساخته شده در دانشگاه ایلینوی اربانا-شمپین و آزمایشگاه تکنولوژی انرژی ملی
اختراع شده: لئون چوا (۱۹۷۱)
نماد الکترونیکی: نماد الکترونیکی
: 
تقارن مفهومی مقاومت، خازن، سلف و ممریستور
یکی از اولین نمونه‌های Memristor که در آزمایشگاه‌های شرکت HP ساخته شده‌است.
ممریستور (به انگلیسی: Memristor) یا مقاومت حافظه‌دار از المان‌های دو پایانه‌ای مدارها هستند. ممریستور در ابعاد و مقیاس نانو ساخته شده و مقاومت آن به دامنه ، پلاریته و مدت زمان ولتاژ اعمال شده به آن بستگی دارد . منحنی هیسترتیک جریان – ولتاژ در ممریستور باعث می‌شود تا این عنصر بتواند به عنوان یک حافظه مقاومتی غیر فرار عمل کرده و اطلاعات را تا زمانی که ولتاژی با مقدار و پلاریته متفاوتی به آن اعمال شود حتی تا یک سال بعد به یاد آورد .
حافظه RAM به صورت ذاتی پس از قطعی جریان، به‌طور کامل پاک می‌شود. با این حال در سال ۱۹۷۱ ایده حفظ حافظه به صورت تئوری مطرح شد و این پدیده در سال ۲۰۰۸ به عمل انجامید.
ممریستور یا مموری رزیستور یک عضو الکتریکی دارای ۲ ترمینال است که در آن یک ارتباط کاربردی بین بار الکتریک و شار مغناطیسی برقرار است. وقتی جریان از یک جهت وارد همین وسیله شود مقاومت الکتریکی افزایش می‌یابد و وقتی جریان از جهت مخالف آن وارد شود مقاومت کاهش می‌یابد. اما زمانی‌که جریان متوقف شد این جزء مدار آخرین مقاومتی را که داشته‌است حفظ می‌کند و وقتی دوباره جریان بار شروع می‌شود، مقاومت مدار به میزان آخرین زمان فعالیت خواهد بود.
این وسیله یک عملگر مقاومتی با مقاومت تقریباً خطی است تا زمانی که نمودار جریان بر حسب زمان در یک محدوده خاص باقی بماند.
ممریزستور از لحاظ نظری توسط چوا در یک مقاله که در سال ۱۹۷۱ منتشر شد فرمول بندی و نامگذاری شد. در سال ۲۰۰۸ یک گروه در آزمایشگاه HP تولید یک ممریستور متغیر بر پایه لایه‌های نازک را رسماً اعلام کردند. این یعنی ممریستور برای به‌کارگیری در حافظه‌های نانو الکتریک و ساختارهای نورومورفیک کامپیوتر استفاده شود.
در مقاله ۱۹۷۱ شن چوا یک مفهوم بین مقاومت و القاگر - خازن را دریافت و ایده ساده و اساسی، مشابه ابزاری مانند ممریستور را از آن الهام گرفت. هرچند رابطه بین ولتاژ و جریان در ممریستور مانند واریستور خطی نیست، اما دانشمندان دیگر هم قبل از او روابط غیر خطی برای شار بار الکتریکی بیان کردند ولی نظریه چوا فراگیرتر بود.
مقاومت ممریستور به قسمت صحیح ورودی که به ترمینال آن داده می‌شود، وابسته است (برخلاف واریستور که به مقدار لحظه‌ای ورودی بستگی دارد). این جز مدار میزان جریانی که از آن گذاشته است را به باد می‌آورد، توسط چوا به عنوان ممریستور ناگذاری شد. به عبارت دیگر ممریستور عضوی خنثی از مدار و دارای دو ترمینال است که بتواند رابطه تابعی از جریان بر حسب زمان و ولتاژ بر حسب زمان را حفظ کند. نمودار این تابع ممریستنس نامیده می‌شود؛ و مشابه مقاومت متغیر است. باتری‌ها نیز ممریستنس دارند ولی عضو خنثی نیستند. تعریف ممریستور به‌طور خاص بر پایه متغیرهای اصلی مدار یعنی جریان و ولتاژ و رابطه آن‌ها با زمان است. درست مانند مقاومت، خازن و القاگر.
برخلاف این سه جزء مدار (مقاومت، القاگر و خازن) که می‌توانند مقادیر ثابت نسبت به زمان داشته باشند رابطه ممریستور غیر خطی بوده و می‌تواند به صورت تابعی از متغیر مدار یعنی جریان بار خالص بیان شود. چیزی به عنوان ممریستور استاندارد وجود ندارد. در عوض هر وسیله‌ای که نقش تابعی بازی می‌کند که ولتاژ بر حسب جریان یا بر عکسی را بیان می‌نماید. گونه‌ای از ممریستور مقاومت ساده است. مانند سایر اجزای دوسره مدار (خازن و مقاومت و القاگر) ممریستور ایده‌آل وجود ندارد. بلکه در حد کمی خاصیت مقاومتی، خازنی و القاگری دارد.