stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
سینتاشتا
ویژگی و یافته‌ها

اکثراً زبان شناسان فرهنگ سینتاشتا را خاستگاه اولیه زبان‌های هندوایرانی می‌دانند که با فرهنگ ظروف طناب دار هم مرتبط است و همچنین تحقیقات نشان می‌دهد که زبان‌های فینو اوگری تا حدی تحت تأثیر زبان‌های هندوایرانی بوده است.
اثرهای به جا مانده در سینتاشتا همانندی بسیاری به اقامت‌گاه نزدیک به آن -آرکائیم- دارد، اگرچه آنِ آرکائیم بهتر مانده است. استحکاماتی در این‌جا وجود داشته است، از جمله حصاری از جنس چوب و خشت خام. مساحت این استحکامات میان شش هزار تا سی هزار متر مربع بوده است. خانه‌های سینتاشتا مستطیلی‌شکل بوده‌اند و میان ۲۵ تا ۱۳۰ متر مربع هم مساحت داشته‌اند. این خانه‌های از ژرفای یک متری زمین ساخته شده بودند و در دو ردیف. همچنین کوره‌های ریخته‌گری در این سکونت‌گاه کشف شده‌اند.
در گورهای یافت‌شده در سینتاشتا اسپ‌هایی نیز به خاک سپرده شده‌بودند. شکل به خاک سپردن -منظور شیوهٔ قراردادن پاهای آنان- این اسپان شیوهٔ تاخت این جانوران را تداعی می‌سازد. در گورهای سینتاشتا شش گردونه را نیز به خاک سپرده‌اند که دیرینگی آنان به پیرامون ۱۷۰۰ تا ۱۵۰۰ پیش از میلاد برآورد می‌شود. گورهای سینتاشتا به جای وابستگی به فرهنگ آندرونوو بیشتر می‌نماید که به فرهنگ اسروبنا وابسته‌باشند. در سطح این گورها لایه‌ای چوبی دیده می‌شود و گویا با بهره‌گیری از ستون‌هایی بامی برای آنها فراهم آورده‌بودند. شیوهٔ به گور سپردن مردمان هم شکل یکنواختی نداشته است، گروهی را به پشت و گروهی به پهلو و در یک مورد کسی را به رو به خاک سپرده‌اند. گورها در روزگاران پیشین شکافته شده و چیزهای درونش دزدیده شده‌اند و تنها ابزار کم‌ارزش‌تر برنزی برجای مانده‌اند.
از آثار به دست آمده از سینتاشتا دانسته شده که اینان مردمانی رمه‌دار بوده‌اند و گوسفند، بز، گاو و اسپ نگاه می‌داشته‌اند. سگ نیز برای کاربرد چوپانی داشته‌اند. استخوان‌های برجای ماندهٔ گراز نشان از شکارگر بودن باشندگان این زیست‌گاه می‌باشد.
باشندگان سینتاشتا آیین قربانی را به جای می‌آورده‌اند و برای قربانی هم از دام‌های خود سود می‌جسته‌اند. این قربانی‌ها در آیین خاکسپاری انجام می‌پذیرفته است.
تاثیر پذیری فرهنگ سینتاشتا از فرهنگ ظروف طناب دار
شهر خدا (فیلم ۲۰۰۲)

| شهر خدا Cidade de Deus | شهر خدا Cidade de Deus |
| --- | --- |
کارگردان: فرناندو میرلس کاتیا لوند
تهیه‌کننده: آندریا خیبیرو باراتا
نویسنده: برائولیو مانتووانی
بازیگران: الکساندر رودریگوئز آلیس براگا لئوناردو فرمینو   سئو ژاهژی
راوی: راکت
موسیقی: اد کورتز آنتونیو پینتو
تدوین‌گر: دنیل هزینجه
شرکت تولید: گلوبو فیلمز
توزیع‌کننده: میرامکس استودیوهای فیلم والت دیزنی
تاریخ‌های انتشار: ۱۸ مه ۲۰۰۲
مدت زمان: ۱۳۰ دقیقه
کشور: برزیل
زبان: پرتغالی 
هزینهٔ فیلم: ۸٫۵ میلیون رئال
فروش گیشه: ۳۰٫۶۵ میلیون دلار
شهر خدا (به پرتغالی: Cidade de Deus) فیلمی برزیلی در ژانر جنایی محصول ۲۰۰۲ است. این فیلم توسط فرناندو میرلس و کاتیا لوند کارگردانی شده است. فیلم ابتدا در کشور برزیل، و در سال ۲۰۰۳ در سایر کشورها اکران شد. این فیلم بر اساس داستانی واقعی ساخته شده است.
فیلم روایتی از رشد جرم و جنایت در حاشیه شهر ریو دوژانیرو در خلال سال‌های دهه ۶۰ تا ۸۰ میلادی می‌باشد.
جوایز

این فیلم در چهار رشته جوایز اسکار نامزد شد: بهترین کارگردانی، بهترین فیلمبرداری، بهترین تدوین فیلم و بهترین فیلم‌نامه اقتباسی که در نهایت موفق به بردن هیچ‌یک از آن‌ها نشد.
این فیلم همچنین نامزد بهترین فیلم زبان خارجی جشنواره فیلم بفتا در سال ۲۰۰۲ شد و در همان دوره موفق شد جایزه بهترین فیلم‌نامه‌نویسی را نیز از آن خود کند و همین‌طور موفق شد نامزد بهترین فیلم زبان خارجی جایزه گلدن گلوب سال ۲۰۰۲ شود ولی موفق به کسب این جایزه نشد. فرناندو میرلیس نیز به موجب کارگردانی این فیلم توانست جایزه بهترین الهام دهنده جشنواره بین‌المللی فیلم تورنتو در سال ۲۰۰۲ را کسب کند.
در کل این فیلم موفق به کسب پنجاه و شش جایزهٔ معتبر و نامزدی برای بیست و شش جایزهٔ دیگر شده است.
تو بآو (جشن)

| تو بآو | تو بآو |
| --- | --- |
دختران درحال پایکوبی جشن توبآو: دختران درحال پایکوبی جشن توبآو
نام رسمی: (به عبری: ט"ו באב)زبان عبری: ט"ו באב زبان فارسی: پانزدهم اَو
برپایی توسط: یهودیان
گونه: عبری
مراسم: جشن و پایکوبی و اجرای دعاهای روزانه
تاریخ: پانزدهم ماه اَو
توبآو (به عبری: ט"ו באב)(به معنی پانزدهم ماه اَو) یکی از جشن‌های کوچک یهودی است و در دوران اخیر در اسرائیل به عنوان روز والنتاین ملی استفاده می‌شود.
خاستگاه

برپایه میشنا،  توبآو یک جشن پر از شادمانی در روزگاران پرستش‌گاه اورشلیم و در ارتباط با خوشه‌چینی بوده‌است. دراین روز دختران باکره اورشلیم، با پوشیدن لباس‌های سپید قرض‌گرفته شده در کنار هم جممع شده و به پایکوبی می‌پرداختند. علت لباس قرض گرفته‌شده را برای کمک به کسانی دانسته‌اند که توانایی مالی خرید لباس را نداشته و بدین‌سان همگی باهم برابر می‌شوند.
تلمود نیز از این روز و جشن یوم کیپور، به عنوان بزرگترین جشن‌های یهودی، یاد نموده‌است.
روزگار مدرن

امروزه این جشن در کنار تیشا بآو قرار گرفته ولی پایه مذهبی ندارد.
در روزگار مدرن، از این روز به عنوان روز عشق اسرائیلی یاد شده و در این روز جشن‌های عروسی برپا می‌شود و عاشقان به هم هدیه می‌دهند.
کندوپاش

یک سیستم کندوپاش تجاری AJA Orion در مرکز علوم و فناوری Cornell NanoScale
کندوپاش یا اسپاترینگ (به انگلیسی: Sputtering) یکی از روش‌های لایه نشانی از فاز بخار است که به‌طور عمده برای تولید فیلم فلزات از نانو تا میکرو می‌باشد و تحت شرایط کنترل شده می‌توان نانوذراتی ۳ نانومتری هم به این شیوه بدست آورد.  اصل كندوپاش استفاده از انرژي پلاسما براي كندن اتم‌هاي سطحي عنصر هدف (به انگلیسی: target) و رسوب آن‌ها بر سطح بستر است. مانند سایر روش‌های لایه نشانی فیزیکی تحت شرایط خلأ، روش کندوپاش نیز شامل سه مرحلهٔ تبخیر مادهٔ منبع، انتقال بخار از منبع به جسم و تشکیل لایه نازک روی جسم با انباشت بخار منبع مورد نظر است. در روش کندوپاش، برای این‌که مادهٔ منبع به فاز بخار درآید،ابتدا محفظه متشكل از بستر، كاتد (هدف) و ساير اجزاء در خلاء بالا ( 6-^10 تا 2-^10 میلی‏ تور(mTorr)) از گازهاي آلاينده كه بر بازده كندوپاش موثر هستند تهي شده، در مرحله بعد گاز پراکندگی مثل آرگون تزريق مي‌شود. به‌ وسيله ايجاد اختلاف پتانسيل ميان آند و كاتد يا روش‌هاي ديگر تهييج، ابري از پلاسما شامل يون‌هاي Ar+ شكل مي‌گيرد كه به سمت كاتد شليك مي‌شوند. پس از برخورد، يون‌هاي آرگون تكانه حركت خود را صرف كنده‌شدن اتم‌هاي سطح هدف و پرتاب آن‌ها به سطح بستر مي‌كنند .
تاریخچه

استفاده از کندوپاش برای ساخت یک لایه نازک اولین بار در سال ۱۸۵۲ میلادی گزارش شد و از آن زمان دوره‌های متفاوت جذابت و کم توجهی را به لحاظ اقتصادی و علمی گذارنده است. امروزه دانش کافی نسبت به فرایند پیچیده‌ای که حین بمباران یونی سطح هدف جامد رخ می‌دهد توسعه یافته و تجهیزات امروزی قابلت طراحی فرایندی تکرار پذیر و قابل کنترل را مهیا ساخته‌اند. پیشرفت این شاخه از علم که با اندرکنش یون- سطح مرتبط است با توسعه موازی فناوری خلأ بالا و روش‌های بسیار حساس میکرو آنالیز تسریع شد.
سازوکار فرایند

لایه نشانی کندوپاش به‌طور ذاتی یک روش پوشش دهی خلاء است. در عمل ماده مورد نظر جهت لایه نشانی یا همان هدف در مقابل زیر لایه و در فشار اولیه ۱۰–۶ تا Torr 10-10 قرار می‌گیرید. معمول‌ترین شیوه تأمین یون، عبور مداوم گازی همچون آرگون است که فشار را به ۱ تا ۱۰۰ Torr افزایش داده قوس درخشان یا همان پلاسما را تشکیل می‌دهد. پتانسیل منفی بین ۰٫۵ تا ۵ kV به هدف اعمال می‌شود.
یون‌های شتابدار انرژی جنبشی بسیار بالایی دارند بطوری‌که رسیدن به این سطح انرژی با حرارت دادن به نمونه امکان‌پذیر نیست. به علاوه لایه ایجاد شده مورد اصابت ذرات مختلف اما کم انرژی مثل اتم‌های هدف، یون‌های برگشتی گاز آلاینده و غیره قرار می‌گیرند؛ بنابراین اندرکنش یون-سطح تنها منحصر به هدف نیست بلکه در سینیتیک جوانه زنی و رشد فیلم و نیز تأثیر بسزایی دارد و کنترل بمباران یونی در هدف، خواص و ریزساختار فیلم را تعیین می‌کند.
سازوکار فرایند > حالات محتمل بمباران كاتد توسط يون

1- اتم‌هاي سطحي از كاتد خارج شوند؛ اين همان پديده كندوپاش مورد نظر است كه تاكنون به آن اشاره شد.
2- يون‌هاي پرتاب‌شده در هدف ادغام شده و احتمالاً تركيب شكل دهند؛ به اين پديده كاشت يوني مي‌گويند.
3- يون‌ها روي سطح هدف متراكم شوند و تشكيل يك لايه نازك بدهند؛ اين اثر، رسوب يوني نام گرفته‌است.
بازده كندوپاش

به منظور مشخص‌شدن نتيجه كندوپاش معياري به عنوان بازده كندوپاش در نظر گرفته شده‌است. بازده كندوپاش متاثر از مشخصات يون شليک شده (انرژي جنبشي و جرم) و مشخصات هدف (چگالي، انرژي اتصال اتم‌هاي سطحي و جرم آن‌ها) است. براي يك اتم از هدف، مي‌بايست يون‌ها بر حداقل انرژي اتصال اتم‌هاي سطحي ماده غلبه كنند كه معمولاً در حدود  30 تا 50  الکترون ولت براي تركيبات مرسوم است.
مفهوم بازده كندوپاش به صورت زير قابل تعريف است:
بازده كندوپاش > وابستگي انرژي بازده كندوپاش

بازده تابعي از انرژي يون‌هاي بمباران‌شده‌ است. اين وابستگي مناطق مختلف را شامل مي‌شود كه به ترتيب افزايش انرژي عبارتند از: 
الف. كندوپاش كم انرژي (آستانه فرعي): براي انرژي‌هايي كمتر از انرژي اتصال اتم‌هاي سطحي قراردارد، معمولاً بازده كم‌تر از واحد، در محدوده 6-10-2-10 است چراكه يون‌هاي بمباران‌شده تنها قادر به خارج‌كردن آزادترين اتم‌هاي سطحي يا گونه‌هاي مولكولي هستند.
ب. كندوپاش ضربه‌اي (رژيم آبشاري خطي): در محدوده انرژي eV 1000-10 از يون‌ها، به‌دليل غلبه بر انرژي اتصال اتم‌هاي سطحي ماده هدف، در اثر برخورد يون‌هاي شليك‌شده، تعدادي از اتم‌هاي سطحي و نزديك به سطح مي‌توانند از جايگاه تعادلي خود خارج و پس از برخورد با اتم‌هاي ديگر از سطح هدف خارج شوند. بازده كندوپاش در اين محدوده انرژي يون‌ها در حدود % 3 - 0/1 براي اغلب تركيبات متدوال است. اين محدوده انرژي براي كاربردهاي صنعتي مورد استفاده قرار مي‌گيرد.
پ. رژيم آبشاري غيرخطي: چنانچه انرژي بالاتر از eV 1000 باشد، يون‌ها به توانايي كافي براي جابجايي تعداد بالايي از اتم‌هاي كاتد خواهند رسيد. در اين حالت بازده در محدوده % 50 - 5 است. باتوجه به انرژي بالاي مورد نياز و انرژي بالاي اتم‌هاي جداشده از كاتد، اين رژيم در اغلب كاربردهاي صنعتي مطلوب و مورد استفاده نيست. 
ت. در انرژي‌هاي بالاتر از eV 50، به دليل شركت يون‌هاي شليك‌شده در پديده كاشت يوني، بازده كندوپاش كاهش مي‌يابد.
بازده كندوپاش > وابستگي انرژي بازده كندوپاش > مدل ریاضی وابستگی بازده کندوپاش به انرژی

برای مدل‌کردن وابستگی بازده به انرژی از رابطه زیر که توسط جی‌ای ماهان پیشنهاد شده‌است افتاده می‌کنیم.
که در آن Y بازده کندوپاش،  جرم پس‌زدگی، γ ضریب جرم انتقال انرژی، E انرژی اولیه یون پیش از برخورد،  انرژی آستانه کندوپاش است.
γ و  به ترتیب به صورت زیر محاسبه می‌شوند:
که در آن Y بازده کندوپاش،  جرم پس‌زدگی، γ ضریب جرم انتقال انرژی، E انرژی اولیه یون پیش از برخورد،  انرژی آستانه کندوپاش است.
γ و  به ترتیب به صورت زیر محاسبه می‌شوند:
انواع روش‌های کندوپاش > RF plasma

باتوجه به محدودیت پلاسمای دیود برای دست‌یابی به سطوح بالای یونیزاسیون گاز و کندوپاش کاتد، جایگزینی منبع تغذیه متناوب با فرکانس رادیویی (RF) به همراه سخت‌افزار تطبیق امپدانس با منبع DC انجام گردید. توان متناوب این منبع با حرکت الکترون‌ها در پلاسما جفت شده و باعث افزایش زمان نگه‌داری در پلاسما، یونیزاسیون برخوردی بالاتر و چگالی بیش‌تر پلاسما می‌شود.
دستگاه‌های پلاسما RF علاوه بر فراهم‌کردن چگالی بالاتر برای کندوپاش فلزات، کندوپاش مواد عایق مانند سیلیکا و آلومینا را فراهم می‌آورند چراکه قطبیت متناوب کاتد از تجمع بار در سطح آن جلوگیری می‌کند.
انواع روش‌های کندوپاش > DC diode plasma

ساده‌ترین سیستم کندوپاش، DC diode، از دو صفحه، یک محفظه خلاء و یک منبع تغذیه جریان مستقیم تشکیل شده‌است. پس از اعمال خلاء و خارج نمودن آلودگی‌ها، گازی همچون آرگون با فشاری در محدوده mTorr وارد محفظه و به دو سر صفحات موازی اختلاف پتانسیل اعمال می‌شود. در ولتاژی بالاتر از ولتاژ شکست آستانه (بسته به نوع گاز، فشار محفظه و تریکبات کاتد)، اتم‌های گاز به صورت یونیزه (Ar+) درآمده و پلاسما تشکیل می‌شود. یون‌های آرگون به سمت کاتد با بار منفی کشیده می‌شوند. به‌طور همزمان الکترون به سمت آند حرکت می‌کند اما به دلیل جرم کم‌تر نسبت به یون دارای سرعت حرکت بالاتری است؛ در نتیجه یک غلاف تهی از الکترون در نواحی اطراف کاتد تشکیل و کاتد اصلاحاً دچار سقوط می‌شود. این لایه عاری از الکترون اختلاف پتانسیل میان آند و کاتد را تشدید کرده و سبب افزایش سرعت و شتاب‌گیری شلیک یون‌ها به کاتد می‌شود. در اثر برخورد یون‌ها به کاتد علاوه بر اتم‌های کنده‌شده، الکترون ثانویه نیز به منظور حفظ خنثی الکتریکی از کاتد ساطع می‌شود.
واکنش یونیزاسیون از طریق دو مکانیزم ادامه پیدا می‌کند: 1. با برخورد مستقیم الکترون‌های ثانویه به اتم‌های خنثی در پلاسما، 2. با ازفایش توزیع سرعت ماکسول (دما) الکترون‌هایی که از طریق تفرق الکترون-الکترون از قبل در پلاسما وجود دارد. مکانیزم دوم به یونیزاسیون از طریق برخورد مستقیم الکترون‌های ثانویه غالب است.
باتوجه به اینکه سطح مقطع یونیزاسیون در انرژی‌های الکترونی eV 100 به اوج خود می‌رسد و با افزایش بیش‌تر انرژی افت می‌کند، نمی‌توان فرآیند را با افزایش توان بیش‌تر افزایش داد. در نتیجه این روش دیگر مورد توجه صنعتی نیست.
انواع روش‌های کندوپاش > کندوپاش مغناطیسی

متداول‌ترین روش کندوپاش، کندوپاش مغناطیسی است که در آن میدان مغناطیسی به موازات سطح کاتد اعمال می‌شود. این عمل باعث می‌گردد تا الکترونها به جای طی مسیر به صورت مستقیم، به صورت مارپیچی حرکت کنند. در این صورت، علاوه بر این‌که الکترون‌ها پرانرژی‌تر می‌شوند، مسیر بیشتری را طی کرده و اتم‌های بیشتری از مادهٔ منبع را یونیزه می‌کنند؛ بنابراین میدان مغناطیسی، پلاسما را در اطراف سطح منبع محدود می‌کند که این دام الکترونی، آهنگ برخورد بین الکترون‌ها و مولکول‌های گاز که کندوپاش را به عهده دارند افزایش می‌دهد و سبب می‌شود که لایه نشانی در فشارهای پایین‌تر قابل انجام شود. میدان مغناطیسی با افزایش چگالی پلاسما، چگالی جریان در منبع یا کاتد را افزایش داده و در نتیجه آهنگ کندوپاشی افزایش می‌یابد. به دلیل پایین بودن فشار گاز، ذرات کنده شده فضای محفظه را بدون برخورد طی می‌کنند که منجر به افزایش آهنگ لایه نشانی می‌شود.
این روش در مقایسه با سایر روش‌ها، قابلیت لایه نشانی درمقیاس بزرگ را داراست؛ بنابراین برای کاربردهای صنعتی به‌طورگسترده استفاده می‌شود و به منظورافزایش آهنگ لایه نشانی ازکندوپاش مغناطیسی استفاده می‌گردد.
چنانچه ولتاژ منبع تغذیه از نوع DC باشد، کندوپاش مستقیم نام دارد و معمولاً برای لایه نشانی فلزات به کار گرفته می‌شود. برای لایه نشانی مواد عایق و نیمه رسانا از پتانسیل فرکانس رادیویی استفاده می‌شود.
انواع روش‌های کندوپاش > کندوپاش مغناطیسی > پی‌وی‌دی

پی‌وی‌دی (به انگلیسی: Physical Vapor Deposition (PVD)) یک روش پوشاندن سطوح با یک لایهٔ رسوبی می‌باشد. در این روش پوشش مورد نظر از جسم منبع جدا شده و روی سطح مورد نظر رسوب می‌کند.
انواع روش‌های کندوپاش > کندوپاش مغناطیسی > کاربردها

یکی کاربردهای گستردهٔ این روش، در تولید هارد دیسک کامپیوتر است. پی‌وی‌دی به‌طور گسترده در صنعت نیم‌رساناها برای رسوب دادن لایه‌های نازک از مواد مختلف بر روی تراشه‌های الکترونیکی می‌باشد. از آنجا که در این روش از دمای پایین استفاده می‌شود، کندوپاش یک روش ایده‌آل برای رسوب‌دهی فیلم نازک فلزات برای تولید ترانزیستورها است. همچنین در کاربردهای بصری برای ایجاد پوشش‌های نازک ضد انعکاس بر روی شیشه از این روش استفاده می‌گردد. یکی دیگر از کاربردهای آشنا از پی‌وی‌دی، ایجاد پوشش کم تشعشع بر روی شیشهٔ دوجداره است؛ این پوشش چند لایه حاوی نقره و اکسید فلزات مانند اکسید روی، اکسید قلع، یا دی‌اکسید تیتانیوم است. این روش همچنین برای ایجاد لایهٔ فلزی (به عنوان مثال آلومینیوم) در فرایند ساخت سی دی و دی وی دی مورد استفاده قرار می‌گیرد.
انواع روش‌های کندوپاش > کندوپاش مغناطیسی > کاربردها > پوشش کندوپاش

پوشش کندوپاش در میکروسکوپ الکترونی روبشی (به انگلیسی: Scanning Electron Microscopy(SEM)) یک روش کندوپاش است که در آن پوششی از یک مادهٔ رسانا بر روی یک نمونهٔ آزمایشگاهی یا مدل ایجاد می‌شود. این مادهٔ رسانا معمولاً فلزاتی مانند آلیاژ طلا و پالادیوم می‌باشد. پوشش رسانا برای جلوگیری از باردار شدن نمونه در هنگام برخورد الکترونها می‌باشد.
انواع روش‌های کندوپاش > کندوپاش مغناطیسی > مقایسه با سایر روش‌های رسوب‌دهی

یک مزیت مهم روش کندوپاشی این است که به راحتی می‌توان پوششی از انواع مواد حتی مواد با نقطه ذوب بسیار بالا را ایجاد کرد در حالی که تبخیر یا ذوب این مواد بسیار پرهزینه یا غیرممکن است. پوشش‌های ایجاد شده توسط کندوپاشی ترکیبی نزدیک به مادهٔ منبع دارند و تفاوت آن‌ها به دلیل اختلاف در پاشش ذرات مختلف به‌خاطر تفاوت در وزن آن‌ها است (عناصر سبک‌تر به راحتی توسط گاز منحرف می‌شوند). لایهٔ ایجاد شده توسط روش کندوپاش معمولاً چسبندگی بهتری نسبت به لایه‌های ایجاد شده توسط روش‌های تبخیری دارد. منابع کندوپاش حاوی مقدار زیادی ماده برای پوشش‌دهی هستند و هزینهٔ تعمیر و نگهداری مناسبی دارند. منابع کندوپاش دمای پایینی دارند و برای جلوگیری از گرمایش آن‌ها معمولاً از خنک‌کاری با آب سرد استفاده می‌شود. به دلیل دمای پایین، منابع کندوپاش با گازهایی مانند اکسیژن واکنش نمی‌دهند که این نیز یک مزیت بسیار مهم به‌شمار می‌رود.
انواع روش‌های کندوپاش > کندوپاش مغناطیسی > انواع دستگاه کندوپاش مغناطیسی

دستگاه کندوپاش می‌تواند طراحی‌های مختلفی داشته باشد:
در سیستم کندوپاش مغناطیسی، میدان مغناطیسی در مجاورت کاتد، تله‌ای را برای الکترون‌ها تشکیل می‌دهد. این میدان مغناطیسی چندان قوی نیست که بتواند یون‌ها را تحت تأثیر قرار دهد. الکترون‌ها تحت تأثیر میدان یکنواخت الکتریکی دارای سرعت در جهت مستقیم می‌باشند اما از آن جایی که در این نوع سیستم‌ها میدان مغناطیسی نیز وجود دارد، الکترون‌ها در راستای میدان الکتریکی حرکت مارپیچ خواهند داشت (بنابراین مسیر بیشتری را برای یونیزه کردن تعداد بیشتر اتم‌ها می‌پیماید). الکترون‌ها در صورتی می‌توانند از تله خارج شوند که انرژی آن‌ها چند صد الکترون‌ولت باشد. با برخورد الکترون‌هایی با انرژی چند صد الکترون‌ولت اتم‌های گاز تبدیل به یون می‌شوند. از مزایای این دستگاه گرم نشدن هدف، نرخ بالای لایه نشانی و قابلیت لایه نشانی در سطوح بزرگ است.
سیستم کندوپاش با دیود موازی که ساده‌ترین نوع سیستم است و در آن منبع و جسم مورد نظر به موازات یکدیگر قرار گرفته‌اند.
سیستم کندوپاش با دیود مسطح که در آن جسم و منبع مجاور هم قرار می‌گیرند. در این نوع سیستم در حین بمباران یونی، سطح زیرلایه نیز بمباران شده و آلودگی‌های آن تمیز می‌شود. هر چند بیش‌ترین چسبندگی منبع با سطح جسم در این نوع سیستم حاصل می‌شود که اتفاق مطلوبی است، اما در این نوع سیستم برای ایجاد پلاسما به فشارهای بالاتری نیاز است و در نتیجه حرکت بالستیک اتم‌های کنده شده از هدف به حرکت نفوذی تبدیل می‌شود. در واقع این اتم‌های کنده شده حین رسیدن به زیرلایه، با اتم‌های محیط برخورد کرده و از مسیر خود منحرف می‌شوند و به دنبال آن نرخ لایه نشانی کاهش می‌یابد و همچنین باعث آلودگی زیاد محفظه نیز می‌شود.
در کندوپاش از نوع دیودی، کاتد بایستی رسانای الکتریسیته باشد. برای عناصر و ترکیبات غیررسانا از سایر روش‌های کندوپاش می‌توان استفاده کرد. از طرفی در این روش نرخ کنده شدن ذرات از روی کاتد بیش‌تر از نرخ لایه نشانی بر روی سطح جسم است.
انواع روش‌های کندوپاش > زُدایش

زدایش (به انگلیسی: Etching) در صنعت نیم‌رساناها کاربرد دارد. در این صنعت، برای زدایش سطح از روش کندوپاش استفاده می‌شود. این روش زمانی کاربرد دارد که زدایش‌های نامنظم و در راستای عمود بر جسم مطلوب باشند.
کندوپاشی از آبشار برخورد خطی. خط ضخیم موقعیت سطح را نشان می‌دهد، همه چیز زیر آن اتم‌های داخل ماده است و خطوط نازک‌تر، مسیرهای حرکت بالستیک اتم‌ها از ابتدا تا زمانی که در مواد متوقف شوند. دایره بنفش یون ورودی است. دایره‌های قرمز، آبی، سبز و زرد به ترتیب پس زدگی‌های اولیه، ثانویه، سوم و چهارم را نشان می‌دهد. دو اتم در حال خروج از نمونه هستند، یعنی اسپاتر شده‌اند.

وابستگی انرژی بازده کندوپاش برای فلزات مختلف


طرح‌واره‌ای از روش پی‌وی‌دی
پوشش کندوپاش یک مورچه به عنوان نمونه برای میکروسکوپ الکترونی روبشی
پرایمر (زیست‌شناسی مولکولی)

پرایمر (انگلیسی: Primer) رشتهٔ کوتاهی از آران‌ای یا دی‌ان‌ای است که معمولاً از ۱۸ تا ۲۲ باز تشکیل شده‌است. این رشته کوتاه به عنوان نقطه‌ای برای آغاز سنتز دی‌ان‌ای عمل می‌کند.
پرایمر جزئی ضروری در فرایند همانندسازی دی‌ان‌ای محسوب می‌شود چرا که آنزیم‌های کاتالیز کننده این فرایند (دی‌ان‌ای پلیمرازها) تنها قادر هستند نوکلئوتیدها را به یک رشته موجود از جنس دی‌ان‌ای اضافه کنند. پلیمراز رونویسی را از انتهای '۳ پرایمر آغاز کرده و شروع به کپی کردن رشته مقابل می‌کند.
در رونویسی دی‌ان‌ای در شرایط طبیعی، از رشته‌هایی از جنس آران‌ای که به آن‌ها پرایمر آران‌ای گفته می‌شود، به منظور سنتز دی‌ان‌ای در هر دو رشته پیشرو و پسر استفاده می‌گردد.
از طرف دیگر بسیاری از تکنیک‌های آزمایشگاهی که نیازمند دی‌ان‌ای پلیمراز هستند، از پرایمرهای دی‌ان‌ای استفاده می‌کنند چرا که پرایمرهای دی‌ان‌ای مقاومت دمایی بیشتری دارند. از جمله این تکنیک‌ها می‌توان به توالی‌یابی دی‌ان‌ای (DNA sequencing) و واکنش زنجیره‌ای پلیمراز (polymerase chain reaction) اشاره کرد.
در آزمایشات، استفاده از پرایمری که دمای ذوبش (Tm اش) به دمای اتصال آن به رشته نزدیک باشد، اهمیت دارد. یک پرایمر که دمای ذوبش به‌طور معنی‌داری بالاتر از دمای واکنش اتصال (annealing) است، ممکن است به محل نادرست متصل شده و توالی اشتباه را رونویسی کند. در حالی که اگر دمای ذوب پرایمر به‌طور معنی‌دار کمتر از دمای اتصال رشته باشد، ممکن است نتواند به مکان مورد نظر بچسبد و قطعه تکثیر نشود. این پرایمرها معمولاً الیگونوکلئوتیدهایی کوتاه هستند که به روش شیمیایی سنتز شده‌اند و طولی در حدود ۲۰ بازدارند. آن‌ها به DNAی هدف متصل می‌شوند. پس از آن فرایند نسخه برداری توسط پلیمراز انجام می‌شود.
استفاده از پرایمرهای سنتتیک

توالی یابی DNA به منظور تعیین نوکلئوتیدهای تشکیل دهنده یک رشتهٔ DNA انجام می‌شود. در روش خاتمه زنجیره سنجر (Sanger chain termination method) که از روشهای توالی یابی محسوب می‌شود، از یک پرایمر جهت آغاز رونویسی در رشته استفاده می‌گردد. گاهی پرایمرها جهت استفاده در فرایند های خاص طراحی می شوند و ممکن است دارای طول بیشتر و همچنین نوکلوتید های تغییر یافته باشند.
در واکنش زنجیره ای پلیمراز، از پرایمرها جهت تعیین قطعات DNAای که باید طی فرایند PCR تکثیر شوند، استفاده می‌شود. طول پرایمرها معمولاً بیش از ۳۰ نوکئوتید نیست. به منظور این که رونویسی آغاز شود لازم است تا پرایمرها به ابتدا و انتهای قطعه DNA متصل شوند. زمانی که پلیمراز، پرایمر را از یک سمت طویل می‌کند، رشته طویل شده به عنوان الگو برای دیگری عمل کرده و به این ترتیب تعداد قطعات هدف به‌طور تساعدی افزایش می‌یابد.
استفاده از پرایمرهای سنتتیک > طراحی پرایمر برای PCR

به منظور این که مرحله اتصال پرایمرها (annealing) طی فرایند PCR به درستی اتفاق بیفتد نیاز است تا هر دو پرایمر (forward و reverse) دمای ذوب مشابهی داشته باشند. توالی پرایمرها باید منحصر به فرد بوده و دربردارنده قطعه DNAی مورد نظر باشند. همچنین باید تا حد ممکن امکان اتصال اشتباه به توالی‌های مشابه وجود نداشته باشد. یک روش متداول که به منظور طراحی پرایمر به کار می‌رود بلاست (BLAST) است. در این روش همه نواحی که امکان اتصال پرایمر به آن‌ها وجود دارد، قابل مشاهده است.
گزینه Primer-BLAST که بستر آن NCBI است امکان طراحی همزمان پرایمر و Blast کردن با توالی را فراهم می‌کند. نرم‌افزارهایی مانند ePrime و Beacon Designer نیز از انواع دیگر این ابزارها هستند. شبیه‌سازی‌های کامپیوتری برای PCR نیز می‌تواند در طراحی پرایمر به ما کمک کند.
برنامه‌های بسیاری برای طراحی پرایمر به صورت آنلاین در دسترس هستند که برخی از آن‌ها به‌طور ویژه برای طراحی پرایمر در فرایند PCR کاربرد دارند.
همچنین از ابزارهایی مانند Primer3Plus و PrimerQuest می‌توان جهت یافتن پرایمرهای جفت شونده با اختصایت بالا استفاده کرد.
آبشار کریستال، میشیگان

مکان
| Crystal Falls, Michigan | Crystal Falls, Michigan |
| --- | --- |
شهر: شهر
Looking east at downtown Crystal Falls: Looking east at downtown Crystal Falls
Location of Crystal Falls in Iron County: Location of Crystal Falls in Iron County
ایالت: میشیگان
County: Iron
مساحت: مساحت
 • کل: ۳٫۶۱ مایل مربع (۹٫۳۵ کیلومتر مربع)
 • خشکی: ۳٫۴۷ مایل مربع (۸٫۹۹ کیلومتر مربع)
 • آب: ۰٫۱۴ مایل مربع (۰٫۳۶ کیلومتر مربع)
ارتفاع: ۱۴۷۶ فوت (۴۵۰ متر)
جمعیت (2010): جمعیت (2010)
 • کل: ۱٬۴۶۹
 • برآورد (2012): ۱٬۴۴۰
 • تراکم: ۴۲۳٫۳/مایل مربع (۱۶۳٫۴/کیلومتر مربع)
منطقهٔ زمانی: یوتی‌سی -۶ (CST)
 • تابستانی (DST): یوتی‌سی -۵ (CDT)
زیپ‌کد: 49920
کد منطقه: 906
FIPS code: 26-19140
GNIS feature ID: 0624170
آبشار کریستال، میشیگان (به انگلیسی: Crystal Falls, Michigan) یک شهر در ایالات متحده آمریکا با جمعیت ۱٬۴۶۹ نفر است که در میشیگان واقع شده‌است.
موقعیت جغرافیایی

موقعیت جغرافیایی شهرها و مناطق اطراف به شرح زیر است:
نگارخانه

Localidades na vizinhança
غلامرضا شافعی

| غلامرضا شافعی | غلامرضا شافعی |
| --- | --- |
وزیر صنایع ایران: وزیر صنایع ایران
دوره مسئولیت ۲۹ مرداد ۱۳۶۳ – ۷ شهریور ۱۳۶۸: دوره مسئولیت ۲۹ مرداد ۱۳۶۳ – ۷ شهریور ۱۳۶۸
رئیس‌جمهور: سید علی خامنه‌ای
نخست‌وزیر: میرحسین موسوی
پس از: مصطفی هاشمی‌طبا
پیش از: محمدرضا نعمت‌زاده
دوره مسئولیت ۲۹ مرداد ۱۳۷۶ – ۲۵ دی ۱۳۷۹: دوره مسئولیت ۲۹ مرداد ۱۳۷۶ – ۲۵ دی ۱۳۷۹
رئیس‌جمهور: سید محمد خاتمی
پس از: محمدرضا نعمت‌زاده
پیش از: اسحاق جهانگیری (با وزارت معادن و فلزات ادغام شد)
وزیر تعاون ایران: وزیر تعاون ایران
دوره مسئولیت ۱۰ دی ۱۳۷۰ – ۲۹ مرداد ۱۳۷۶: دوره مسئولیت ۱۰ دی ۱۳۷۰ – ۲۹ مرداد ۱۳۷۶
رئیس‌جمهور: اکبر هاشمی رفسنجانی
پس از: عدم تشکیل وزارتخانه
پیش از: مرتضی حاجی
سفیر ایران در روسیه: سفیر ایران در روسیه
دوره مسئولیت ۱۳۸۰ – ۱۳۸۴: دوره مسئولیت ۱۳۸۰ – ۱۳۸۴
رئیس‌جمهور: سید محمد خاتمی
پس از: مهدی صفری
پیش از: غلامرضا انصاری
 :  
اطلاعات شخصی: اطلاعات شخصی
زاده: ۱۳۳۰ مرند، ایران
ملیت: ایرانی
محل تحصیل: دانشگاه صنعتی شریف
پیشه: سیاستمدار
غلامرضا شافعی (زاده ۱۳۳۰، مرند) سیاستمدار ایرانی است که معاون نظارت راهبردی رئیس سازمان مدیریت و برنامه‌ریزی در دولت حسن روحانی، وزیر صنایع ایران در دولت دوم میرحسین موسوی و دولت نخست سید محمد خاتمی و همچنین وزیر تعاون در دولت اکبر هاشمی رفسنجانی بوده است.
بین سال‌های ۱۳۹۱ تا ۱۳۹۳ وی ریاست ایدرو را بر عهده داشت.
وی در تاریخ ۶ آذر ۱۳۹۵ با حکم حسن روحانی (رئیس‌جمهور وقت)، به همراه محمد فروزنده، هوشنگ نادریان، سید محمد میرمحمدی، محسن محبی، داوود دانش‌جعفری و غلامحسین نوذری به عنوان یکی از اعضای «هیئت تطبیق قراردادهای نفتی» منصوب گردید.