stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
ایزولاسیون توپوگرافی
نمونه‌ها

نزدیکترین قله به بلندترین کوه آلمان، تسوگ‌اشپیتسه با ارتفاع ۲۹۶۲ متر و کانتور ۲۹۶۲ متری، Zwölferkogel (2،۹۸۸ م) در کوه‌های آلپ استوبای اتریش است. فاصله بین Zugspitze و این کانتور ۲۵٫۸ است کیلومتر بنابراین Zugspitze بالاترین قله برای شعاع ۲۵٫۸ است کیلومتر اطراف بنابراین جداسازی آن ۲۵٫۸ است کیلومتر
از آنجا که کوه‌های بالاتر از قله اورست وجود ندارد، هیچ انزوای قطعی ندارد. بسیاری از منابع، جداسازی آن را به عنوان محیط زمین بر روی قطبها یا - تردیدآمیز، زیرا هیچ تعریف توافق شده‌ای وجود ندارد - را نیمی از محیط زمین ذکر می‌کنند.
پس از کوه اورست، آکونگاگوا، بلندترین کوه قاره‌های آمریکا، بیشترین انزوای را در بین کوه‌ها دارد. هنگامی که ارتفاع آن برای اولین بار توسط Tirich Mir در هندوکش بیشتر شود، ۱۶٬۵۳۴ کیلومتر سرزمین بالاتر وجود ندارد.
مونت بلان بلندترین کوه آلپ است. نزدیکترین کوه‌های بالاتر از نظر جغرافیایی همه در قفقاز است. Kukurtlu Dome [ru] (۴٬۹۷۸ متر) قله مرجع برای Mont Blanc است.
موسیلا بلندترین قله کوه ریلا، بلغارستان و سیستم کوهستانی شبه جزیره بالکان است. ایستاده در ۲٬۹۲۵ متر (۹،596) ft) چهارمین قله مهم از نظر توپوگرافی در قاره اروپا است. با برجستگی توپوگرافی ۲۴۷۳ متر، موزالا همچنین ششمین قله بلند برجسته توپوگرافی در سرزمین اصلی اروپا است.
نگارخانه

1. کوه اورست بلندترین قله روی زمین است.
2. آکونکاگوا بلندترین قله در نیم‌کره جنوبی و نیم‌کره غربی است.
3. دنالی بلندترین قله آمریکای شمالی است.
4- کلیمانجارو بلندترین قله آفریقا است.
5. پونچاک جایا در گینه نو بلندترین قله در جزیره‌های اقیانوس است.
6. توده‌کوه وینسون بلندترین قله جنوبگان است.
7. کوه اوروتا در تاهیتی بلندترین قله پلی‌نزی فرانسه است.
8- مائونا کیا در جزیره هاوایی بلندترین کوه روی زمین از نظر بلندا از کف کوه تا قله کوه است.
9. گونبیورن در گرینلند بلندترین قله شمالگان است.
10. کوه کوک در جزیره جنوبی بلندترین قله در نیوزیلند است.
11. مون بلان بلندترین قله غرب اروپا است.
12. Piton des Neiges اوج رئونیون است.
۱۳. کلوچفسکایا اسپوکا بلندترین قله کامچاتکا است.
14. اوریزابا بلندترین قله مکزیک است.
15. کوه ویتنی بلندترین قله سرزمین اصلی ایالات متحده است.
16. کوه کینبالو راس بورنئو است.
17. البروس بلندترین قله اروپا است.
18. پیکو دا باندیرا سومین قله بلند برزیل است.
19. کوه کامرون بلندترین قله کامرون است.
20. کوه پاژه در جورجیای جنوبی بلندترین قله در اقیانوس اطلس است.
ترانزیستور

مقایسه اندازه بسته‌های ترانزیستور اتصال دوقطبی، از جمله (از چپ به راست): اس‌اوتی-۲۳، تی‌او-۹۲، تی‌او-۱۲۶، و تی‌او-۳
چند ترانزیستور
ترانزیستور (به انگلیسی: transistor) یک قطعهٔ الکترونیک ساخته شده از مواد نیم‌رسانا است که دارای سه‌پایه است و برای تقویت یا کلید سیگنال‌های الکتریکی و قدرت استفاده می‌شود. ترانزیستور یکی از افزاره‌های حالت‌جامد است که از مواد نیم‌رسانا مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود. یک ترانزیستور در ساختار خود دارای پیوندهای نوع N و نوع P است.
ترانزیستورها به دو دسته کلی تقسیم می‌شوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJT) و ترانزیستورهای اثر میدانی (فِت). اِعمال جریان در بی‌جی‌تی‌ها، و ولتاژ در فِت‌ها بین ورودی و پایانه مشترک، رسانایی بین خروجی و پایانه مشترک را افزایش می‌دهد، از این‌رو سبب کنترل شدت جریان بین آن‌ها می‌شود. مشخصات ترانزیستورها به نوع آن‌ها بستگی دارد. شکل ظاهری ترانزیستورها با توجه به توان و فرکانس کاری متفاوت است.
در مدارهای آنالوگ، ترانزیستور در تقویت‌کننده‌ها (در تقویت سیگنال‌هایی مانند صوت، تصویر، رادیویی …) و منابع تغذیه تثبیت‌شده خطی و غیرخطی (منبع تغذیه سوییچینگ) به کار می‌رود. در مدارهای دیجیتال از ترانزیستورها به عنوان سوییچ (کلید) الکترونیکی استفاده می‌شود. امروزه ترانزیستورها به ندرت جداگانه، بلکه به‌هم‌پیوسته در مدارهای مجتمع یک‌پارچه به کار می‌روند. مدارهای دیجیتال شامل گیت‌های منطقی (logic gates)، حافظه با دسترسی تصادفی (RAM)، ریزپردازنده‌ها و پردازنده‌های سیگنال دیجیتال (DSP) هستند.
ترانزیستور بی‌جی‌تی دارای سه‌پایه به نام‌های: بِیس (پایه) (به انگلیسی: Base)، کُلِکتور (جمع‌کننده) (به انگلیسی: Collector) و اِمیتر (منتشرکننده) (به انگلیسی: Emitter) است.
ساختمان ترانزیستور اتصال دوقطبی بی‌جی‌تی

ترانزیستور اتصال دوقطبی بی‌جی‌تی از اتصال سه لایه بلور نیم‌رسانا تشکیل می‌شود. لایهٔ وسطی، بیس (به انگلیسی: Base)، و دو لایهٔ کناری، امیتر (به انگلیسی: Emitter) و کلکتور (به انگلیسی: Collector) نام دارد. نوع بلور بیس، با نوع بلور امیتر و کلکتور متفاوت است. معمولاً ناخالصی امیتر بیشتر از دو لایهٔ دیگر و عرض لایه بیس کمتر و عرض لایهٔ کلکتور بیشتر از لایه‌های دیگر است.
در یک ترانزیستور دو قطبی، امیتر یا گسیلنده بیشترین ناخالصی را دارد؛ که الکترون‌ها از امیتر به‌سوی کلکتور که ناخالصی کمتری دارد، گسیل داده می‌شوند.
اهمیت

ترانزیستور یکی از بزرگ‌ترین اختراعات در تاریخ نوین است و در رتبه‌بندی اهمیت، در کنار ماشین چاپ، خودرو و ارتباطات الکترونیک قرار دارد. ترانزیستور عنصر فعال بنیادی در الکترونیک مدرن است. اهمیت ترانزیستور در جامعهٔ امروز متکی به قابلیت تولید انبوه آن است که از یک فرایند ساخت کاملاً اتوماتیک که قیمت تمام‌شده هر ترانزیستور در آن بسیار ناچیز است، استفاده می‌کند. اگرچه ترانزیستور هنوز جداگانه نیز استفاده می‌شود ولی بیشتر در مدارهای مجتمع (IC، میکروچیپ، یا چیپ) همراه با دیود، مقاومت، خازن و دیگر قطعات الکترونیکی برای ساخت یک مدار الکترونیک به کار می‌رود. برای نمونه یک گیت منطقی حدود بیست ترانزیستور دارد یا یک ریزپردازنده پیش‌رفته در ۲۰۰۶ از بیش از ۷٫۱ میلیون ترانزیستور ماسفت ساخته شده است.
قیمت کم، انعطاف‌پذیری و اطمینان، از ترانزیستور یک قطعهٔ همه‌کاره ساخته است. مدارهای ترانزیستوری به خوبی جای‌گزین دستگاه‌های کنترل و ماشین‌ها شده‌اند. استفاده از یک میکروکنترلر استاندارد و یک برنامه رایانه‌ای که کنترل را انجام می‌دهد اغلب ارزان‌تر و مؤثرتر از طراحی مکانیکی معادل آن است.
به سبب قیمت کم ترانزیستورها، گرایش برای دیجیتال کردن اطلاعات بیشتر شده است، زیرا رایانه‌های دیجیتالی توانایی خوبی در جستجوی سریع، دسته‌بندی و پردازش اطلاعات دیجیتال دارند. در نتیجه امروزه داده‌های رسانه‌ای بیشتری به دیجیتال تبدیل می‌شوند و پس از پردازش با رایانه در اختیار کاربر قرار می‌گیرند. تلویزیون، رادیو و روزنامه‌ها از جمله چیزهایی هستند که بیشتر از این انقلاب دیجیتالی اثر گرفته‌اند.
برای بیان اهمیت ترانزیستور در الکترونیک همین بس که یک رایانه کوچک بدون ترانزیستور، یک اتاق متوسط و یک موتور برق و خنک‌کننده نیاز داشت.
مزایای ترانزیستور بر لامپ خلاء

قبل از گسترش ترانزیستور، لامپ خلاء قطعه فعال اصلی تجهیزات الکترونیک بود. از مزایای ترانزیستور که آن را در بیشتر کاربردها جایگزین لامپ خلاء کرده می‌توان این‌ها را نام برد:
اندازه به مراتب کوچک‌تر
تولید کاملاً خودکار
هزینه کمتر (در تولید انبوه)
ولتاژ کاری پایین‌تر (لامپ خلاء در ولتاژهای بیش‌تر کار می‌کند)
بی‌نیازی به گرم‌شدن اولیه (بیشتر لامپ‌های خلاء به ۱۰ تا ۶۰ ثانیه زمان برای گرم‌شدن نیاز دارند)
تلفات توان کمتر (گرمایی، ولتاژ اشباع خیلی پایین)
قابلیت اطمینان و سختی بدنه بیشتر (اگرچه لامپ خلاء از نظر الکتریکی و در برابر پالس‌های الکترومغناطیسی هسته‌ای (NEMP) و تخلیه الکتروستاتیکی (ESD) مقاوم‌ترند)
عمر بسیار بیشتر (کاتد لامپ خلاء و حتی خلاء آن سرانجام از بین می‌رود)
فراهم آوردن دستگاه‌های مکمل (امکان ساختن مدارات مکمل متقارن: لامپ خلاء قطبی معادل نوع مثبت بی‌جی‌تی‌ها و نوع مثبت فِت‌ها در دسترس نیست)
قابلیت کنترل جریان‌های زیاد (ترانزیستورهای قدرت برای کنترل صدها آمپر یا بیشتر در دسترس‌ند، لامپ خلاء برای کنترل حتی یک آمپر، بزرگ و هزینه‌بر است)
نداشتن پرتوهای خطرناک در ولتاژهای بالا.
میکروفونی بسیار کمتر (لرزش می‌تواند بر خصوصیات لامپ خلاء اثر بگذارد).
کاربرد

ترانزیستور در مدارات الکترونیک آنالوگ و دیجیتال کاربردهای بسیار دارد. در مدارات آنالوگ، ترانزیستور در ناحیه فعال کار می‌کند و می‌توان از آن به عنوان تقویت‌کننده یا تثبیت‌کننده ولتاژ (رگولاتور) و … استفاده کرد. در مدارات دیجیتال ترانزیستور در دو ناحیه قطع و اشباع کار می‌کند که می‌توان از آن در پیاده‌سازی مدار منطقی، حافظه و سوئیچ (وسیله قطع و وصل جریان) استفاده کرد.
عملکرد

ترانزیستور، یک قطعه سه‌پایه است که با اعمال ولتاژ به یکی از پایه‌ها، می‌توان جریان از دوپایه دیگر را کنترل کرد. برای کار ترانزیستور در مدار، ولتاژها و جریان‌های لازم را باید با مقاومت‌ها برای آن فراهم کرد یا اصطلاحاً آن را بایاس کرد. ترانزیستور سه ناحیه کاری دارد:
قطع
فعال (کاری یا خطی)
اشباع
در ناحیه قطع ترانزیستور خاموش است. در ترانزیستورهای بی‌جی‌تی، با افزایش ولتاژ بیس، ترانزیستور از حالت قطع بیرون آمده و به ناحیه فعال وارد می‌شود. در حالت فعال ترانزیستور مثل یک عنصر تقریباً خطی عمل می‌کند اگر ولتاژ بیس را همچنان افزایش دهیم به ناحیه‌ای می‌رسیم که با افزایش جریان ورودی بیس دیگر شاهد افزایش جریان بین کلکتور و امیتر نخواهیم بود. به این حالت اشباع می‌گویند و اگر جریان ورودی بیس زیادتر شود ممکن است ترانزیستور بسوزد.
ترانزیستور در ناحیه فعال کاربرد تقویت‌کننده دارد و در ناحیه قطع و اشباع به عنوان یک سوئیچ به کار می‌رود که می‌توان برای تحریک یک رله یا در مدارات کلیدزنی به عنوان یک سوئیچ سریع از آن استفاده کرد.
انواع

دو دسته اصلی ترانزیستورها، ترانزیستور دوقطبی پیوندی و ترانزیستور اثرِ میدان (فِت) هستند. ترانزیستورهای اثر میدان، خود به دو دستهٔ ترانزیستور پیوندی اثر میدان (JFET) و ترانزیستور اثر میدان نیم‌رساناِ اکسید-فلز که به اختصار به آن ماسفت گفته می‌شود، تقسیم می‌شوند.
انواع > ترانزیستور دوقطبی پیوندی

مقالهٔ اصلی: ترانزیستور دوقطبی پیوندی
در ترانزیستور دو قطبی پیوندی با اعمال جریان به پایه بیس جریان عبوری از دوپایه کلکتور و امیتر کنترل می‌شود. ترانزیستورهای دوقطبی پیوندی در دونوع npn و pnp ساخته می‌شوند. بسته به حالت بایاس این ترانزیستورها ممکن است در ناحیه قطع، فعال یا اشباع کار کنند. سرعت بالای این ترانزیستورها و بعضی قابلیت‌های دیگر باعث شده که هنوز هم از آن‌ها در بعضی مدارات خاص استفاده شود. امروزه در مدارات مجتمع به جای استفاده از مقاومت و خازن، از ترانزیستور استفاده می‌کنند.
روش‌های بایاس ترانزیستور
بایاس ثابت
بایاس سرخود
بایاس اتوماتیک
انواع > ترانزیستور پیوندی اثر میدانی (جی‌فِت)

در ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی (جی‌فِت)، با اعمال ولتاژ به پایه گِیت، میزان جریان میان دوپایه سورس و دِرِین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی به دو نوع تقسیم می‌شود: نوع n یا نوع-N و نوع p یا نوع-P. از دیدگاهی دیگر این ترانزیستورها در دو نوع افزایشی و تخلیه‌ای ساخته می‌شوند. نواحی کار این ترانزیستورها شامل «فعال» و «اشباع» و «ترایود» است این ترانزیستورها تقریباً هیچ استفاده‌ای ندارند چون محدودیت جریان دارند و به سختی مجتمع می‌شوند.
انواع > ترانزیستور پیوندی اثر میدانی (جی‌فِت) > انواع ترانزیستور پیوندی

PNP: شامل سه لایه نیم‌رسانا که دو لایه کناری از نوع p و لایه میانی از نوع n است و در آن جهت جاری شدن حفره‌ها با جهت جریان یکی است.
NPN: شامل سه لایه نیم هادی که دو لایه کناری از نوع n و لایه میانی از نوع p است.
پس از درک ایده‌های اساسی برای pnp می‌توان به سادگی آن‌ها را به ترانزیستور پرکاربردتر npn مربوط ساخت.
انواع > ترانزیستور پیوندی اثر میدانی (جی‌فِت) > ساختار ترانزیستور پیوندی

ترانزیستور پیوندی دارای دو پیوند است. یکی بین امیتر و بیس و دیگری بین بیس و کلکتور. به همین دلیل ترانزیستور شبیه دو دیود است. دیود سمت چپ دیود بیس _ امیتر یا دیود امیتر، و دیود سمت راست دیود کلکتور _ بیس یا دیود کلکتور است. میزان ناخالصی ناحیه وسط به مراتب کمتر از دو ناحیه جانبی است. این کاهش ناخالصی باعث کم شدن هدایت و زیاد شدن مقاومت این ناحیه می‌گردد.
امیتر که به شدت آلاییده (به انگلیسی: Doped) شده، نقش گسیل یا تزریق الکترون به بیس را به عهده دارد. بیس بسیار نازک ساخته شده و آلایش آن ضعیف است و لذا بیشتر الکترون‌های تزریق شده از امیتر را به کلکتور عبور می‌دهد. میزان آلایش کلکتور کمتر از میزان آلایش امیتر و بیشتر از آلایش بیس است و کلکتور الکترون‌ها را از بیس جمع می‌کند.
انواع > ترانزیستور پیوندی اثر میدانی (جی‌فِت) > طرز کار ترانزیستور پیوندی

طرز کار ترانزیستور pnp مشابه npn است، به شرط اینکه الکترونها و حفره‌ها با یکدیگر عوض شوند. در نوع npn به علت بایاس مستقیم دیود امیتر ناحیه تهی کم عرض می‌شود، در نتیجه حاملهای اکثریت یعنی الکترونها از ماده n به ماده p هجوم می‌آورند. حال اگر دیود بیس _ کلکتور را به حالت معکوس بایاس کنیم، ناحیه دیود کلکتور به علت بایاس معکوس عریض‌تر می‌شود. الکترونهای جاری شده به ناحیه p در دو جهت جاری می‌شوند. بخشی از آن‌ها از پیوندگاه کلکتور عبور کرده به ناحیه کلکتور می‌رسند و تعدادی از آن‌ها با حفره‌های بیس بازترکیب شده و به عنوان الکترونهای ظرفیت به سوی بیس روانه می‌شوند، این مؤلفه بسیار کوچک است.
شیوهٔ اتصال ترانزیستورهای پیوندی به مدار > اتصال بیس مشترک

در این اتصال پایه بیس بین هر دو بخش ورودی و خروجی مدار مشترک است. جهت‌های انتخابی برای جریان شاخه‌ها جهت قراردادی جریان در همان جهت حفره‌ها می‌شود. در این اتصال امپدانس ورودی کم و امپدانس خروجی زیاد است بهره ولتاژ نیز زیاد است این اتصال بیشتر برای تقویت کردن سیگنال‌ها با دامنه کم یا تطبیق امپدانس بین دو بلوک کارایی دارد.
شیوهٔ اتصال ترانزیستورهای پیوندی به مدار > اتصال امیتر مشترک

مدار امیتر مشترک بیشتر از سایر روش‌ها در مدارهای الکترونیکی کاربرد دارد و مداری است که در آن امیتر بین بیس و کلکتور مشترک است. این مدار دارای امپدانس ورودی کم، و امپدانس خروجی بالاست.
شیوهٔ اتصال ترانزیستورهای پیوندی به مدار > اتصال کلکتور مشترک

اتصال کلکتور مشترک برای تطبیق امپدانس در مدار بکار می‌رود، زیرا برعکس حالت قبلی دارای امپدانس ورودی زیاد و امپدانس خروجی پائین است. اتصال کلکتور مشترک غالباً به همراه مقاومتی بین امیتر و زمین به نام مقاومت بار بسته می‌شود.
شیوهٔ اتصال ترانزیستورهای پیوندی به مدار > ترانزیستور اثر میدان فِت

مقالهٔ اصلی: ماسفت
این ترانزیستورها نیز مانند جی‌فِت‌ها عمل می‌کنند با این تفاوت که جریان ورودی گیت آن‌ها صفر است. همچنین رابطه جریان با ولتاژ نیز متفاوت است. این ترانزیستورها دارای دو نوع پی‌ماس و اِن‌ماس هستند که فناوری استفاده از دو نوع آن در یک مدار فناوری سیماس نام دارد.
این ترانزیستورها امروزه بسیار کاربرد دارند زیرا به راحتی مجتمع می‌شوند و فضای کمتری اشغال می‌کنند. همچنین مصرف توان بسیار ناچیزی دارند. به فناوری‌هایی که از دو نوع ترانزیستورهای دوقطبی و ماسفت در آن واحد استفاده می‌کنند بای‌سیماس می‌گویند.
البته نقطه کار این ترانزیستورها نسبت به دما حساس است و تغییر می‌کند؛ بنابراین بیشتر در کلیدزنی بکار می‌روند.
شیوهٔ اتصال ترانزیستورهای پیوندی به مدار > ترانزیستور اثر میدان فِت > ساختار و طرز کار ترانزیستور اثر میدانی - فت

مقالهٔ اصلی: ترانزیستور اثر میدانی
همانگونه که از نامش بر می‌آید، پایه کنترلی آن جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیم‌رسانا، جریان عبوری از فِت کنترل می‌شود. به همین دلیل ورودی این مدار هیچ گونه اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد.
فت دارای سه‌پایه با نام‌های درین D، سورس S و گیت G است که پایه گیت، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل می‌نماید. فت‌ها دارای دو نوع N کانال و P کانال هستند. در فت نوع N کانال زمانی که گیت نسبت به سورس مثبت باشد جریان از درین به سورس عبور می‌کند. فِت‌ها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک می‌گردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند.
نوع دیگر ترانزیستورهای اثر می‌دانی ماسفتها هستند (ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیم‌رسانا) یکی از اساسی‌ترین مزیت‌های ماسفت‌ها نویز کمتر آن‌ها در مدار است.
فت‌ها در ساخت فرستنده باند اف ام رادیو نیز کاربرد فراوانی دارند. برای تست کردن فت کانال N با مالتی متر، نخست پایه گیت را پیدا می‌کنیم؛ یعنی پایه‌ای که نسبت به دوپایه دیگر در یک جهت مقداری رسانایی دارد و در جهت دیگر مقاومت آن بی‌نهایت است. معمولاً مقاومت بین پایه درین و گیت از مقاومت پایه درین و سورس بیشتر است که از این طریق می‌توان پایه درین را از سورس تشخیص داد.
شیوهٔ اتصال ترانزیستورهای پیوندی به مدار > نحوه سوختن ترانزیستورها

ترانزیستورها فارغ از نحوه اتصال و نحوه ورود شوک به مدار آن به دو صورت کلی می‌سوزند:
الف) حالت سوختن اتصال کوتاه امیتر به کلکتور یا حالت اتصال‌کوتاه پیوند: در این حالت مسیر امیتر به کلکتور به صورت یکسره برقرار می‌گردد که این حالت ترانزیستور با قطع ورودی پایه بیس به امیتر، همچنان وصل است. در واقع در این حالت مثل آن می‌ماند که سوئیچ به صورت یکسره و تا زمان وجود ولتاژ روی پایه کلکتور به امیتر همچنان وصل باشد.
ب) حالت سوختن قطع پیوند مسیر امیتر به کلکتور یا حالت قطع: حالت سوختن مدار قطع: در این حالت پیوند امیتر به کلکتور به صورت دائمی قطع می‌گردد؛ یعنی حتی با تحریک بیس ترانزیستور، دیگر هیچ تغییری روی خروجی ولتاژ روی پایه کلکتور ترانزیستور وجود ندارد. به‌طور کلی در این حالت، ارتباط پایه امیتر به کلکتور تحت هیچ شرایطی برقرار نمی‌گردد.
شیوهٔ اتصال ترانزیستورهای پیوندی به مدار > نحوه سوختن ترانزیستورها > دلایل سوختن ترانزیستورها

سوختن ترانزیستور می‌تواند دلایل زیادی داشته باشد. از جمله این دلایل می‌توان به اعمال ولتاژ بالای خارج از محدوده ولتاژ ترانزیستور به آن اشاره کرد که این ولتاژ می‌تواند از طریق پایه امیتر به ترانزیستور منتقل شده یا در مدارات مکانیکی اعمال بار سلفی سیم پیچ مصرف‌کننده و در زمان Peak Off آن به پایه کلکتور اشاره کرد که جلوگیری از هرکدام از آن‌ها روش‌های مربوط به خود را دارد.
یکی دیگر از دلایل آن می‌تواند قراردادن مصرف‌کننده با جریان بیش از اندازه قدرت سوئیچ ترانزیستور باشد که منجر به گرم شدن، داغ شدن و نهایتاً سوختن ترانزیستور می‌گردد.
همچنین قطعات نیم‌رسانا که در نقش کلیدزنی هستند و اتصال کوتاه می‌شوند به دلیل وجود جریان‌های ضربه‌ها یا ولتاژ بالاست (بهترین وقتی رخ می‌دهد که ولتاژ ضربه‌ای، متغیر با زمان فرکانس بالا و … باشد)
همچنین از دلایل سوختن قطعات نیم‌رسانا که در نقش کلیدزنی هستند و اتصال باز می‌شوند به دلیل وجود جریان‌های dc ضربه‌ای می‌باشد.
این دو دلیل هم بابت عدم ایده‌آل بودن نفوذ قطعات در هنگام ساخت قطعه است؛ یعنی وقتی که قطعه p روی n قرار می‌گیرد به جای اینکه سطوح صاف و مثلاً مثل مستطیل باشند، لبه‌های تند و تیز یا در جاهایی یکنواختی وجود دارد که لبه‌های تیز باعث حالت اول و لبه‌های صاف ایجاد حالت دوم می‌کند.
ترانزیستور دارلینگتون
نماد ترانزیستور در یک پیاده‌رو در دانشگاه آویرو، کشور پرتغال.
از چپ به راست: جان باردین، ویلیام شاکلی و والتر برتن در آزمایشگاه‌های بل، ۱۹۴۸ میلادی. این عکس یکی از عکس‌های تبلیغاتی است که در زمان اعلام عمومی اختراع ترانزیستور، توسط آزمایشگاه‌های بل منتشر شده است. اگرچه ماجرای اختراع ترانزیستور توسط این سه تن بسیار بحث‌برانگیز بود و آن‌ها اختلافاتی بر سر اسناد ثبت اختراع داشتند، اما آزمایشگاه بل در عکس‌های تبلیغاتی هر سه این افراد را در اختراع ترانزیستور سهیم می‌دانست.
بازسازی اولین ترانزیستور جهان
بابل هخامنشی

بابل هخامنشی یا بابیروش (پارسی باستان: 𐎲𐎠𐎲𐎡𐎽 Bābiruš) ساتراپی بابل در شاهنشاهی هخامنشی بود که با فتح امپراتوری بابل نو در سال ۵۳۹ پ. م به‌دست کوروش بزرگ در نبرد اوپیس آغاز می‌شود.
ساتراپ‌ها

گئوبروه یکم، ساتراپ، ساتراپی واحد بابل و عبر-ناری از سال ۵۳۹ تا ۵۳۸ پ.م..
Nabu-ahhe-bullit، ساتراپ، ساتراپی واحد بابل و عبر-ناری از سال ۵۳۸ تا ۵۳۵ پ.م..
گئوبروه دوم، ساتراپ، ساتراپی واحد بابل و عبر-ناری از سال ۵۳۵ تا ۵۲۲/۵۲۱ پ.م..
نبوکدنصر سوم، در ابتدای دوران داریوش بزرگ، شورش در بابل رخ داده و فردی به نام Nidintu-Bel رهبری شورشیان بابل را به عهده گرفت، و خود را با عنوان نبوکدنصر سوم پادشاه بابل معرفی کرد. گفته می‌شود این شورش حدود یکسال و نیم طول کشیده و داریوش توانست بابل را در ۵۲۰ پ.م. بازپس بگیرد؛ بنابراین از ۵۲۲/۵۲۱ تا ۵۲۰ پ.م. بابل از کنترل هخامنشی‌ها خارج شده بود.
زوپیر، بنا به گفته هرودوت زوپیر فرمانده فاتح بابل است و پس از این پیروزی داریوش بزرگ او را به صورت مادام العمر به عنوان ساتراپ، ساتراپی واحد بابل و عبر-ناری انتخاب کرده و از سال ۵۲۰ تا ۴۸۴ پ.م. او ساتراپ این منطقه می‌باشد. با این حال اسناد و کتیبه‌های برجای مانده بابلی روایت هرودوت را تأیید نمی‌کنند و از فردی به نام هیستانس به عنوان ساتراپ منصوب داریوش نام می‌برند.
هیستانس [de]، بنا بر اسناد بابلی، ساتراپ، ساتراپی واحد بابل و عبر-ناری از سال ۵۲۰ تا ۵۱۶ پ.م.
در سال ۵۱۶ پ.م. داریوش ساختار ساتراپی‌ها را اصلاح کرد و ساتراپی بابل، به دو ساتراپی «بابل» و «عبر-ناری» تقسیم شد.
مگاپانوس، فردی است که در حمله به یونان، خشایارشا را همراهی کرده و هرودوت او را با عنوان ساتراپ بابل معرفی می‌کند. اگر روایت هرودوت درباره زوپیر را بپذیریم می‌توان این نتیجه را گرفت که او پس از سرکوب شورش ۴۸۴ پ.م. در بابل،  به عنوان ساتراپ بابل انتخاب شده باشد.
آرتارم، ساتراپ بابل از ۴۶۵ تا ۴۲۴ پ.م.
تاریخ

در جریان فتوحات کوروش بزرگ، نبرد اوپیس در سپتامبر ۵۳۹ پیش از میلاد رخ داد، این نبرد موجب ضمیمه شدن امپراتوری بابل نو به قلمرو هخامنشیان شد.
یک سال قبل از مرگ کوروش بزرگ، در سال ۵۲۹ پ. م، او پسرش کمبوجیه دوم را پادشاه بابل کرد و با این کار رسماً او را نایب‌السلطنه خود قرار داد.
پس از اینکه داریوش بزرگ به شاهنشاهی رسید، بابل برای مدت کوتاهی از اکتبر ۵۲۲ پ. م استقلال خود را زیر فرمان حاکمی بومی که نام نبوکدنصر سوم را به خود اختصاص داده‌بود به‌دست‌آورد، ولی داریوش بابل را در اوت ۵۲۰ پ. م دوباره تصرف کرد. چند سال بعد، احتمالاً در ۵۱۴ پ. م، بابل دوباره در زمان پادشاه ارمنی نبوکدنصر چهارم شورش کرد. به همین دلیل با سرکوب شورش، دیوارهای دفاعی بابل تا حدی ویران شدند.
در پایان با حمله اسکندر مقدونی به ایران، بابل توسط اسکندر فتح شد و پس از مرگ اسکندر به امپراتوری سلوکی پیوست. بااین‌حال بابل در دوران شاهنشاهی اشکانی دوباره به ایران بازگشت.
سرباز بابلی در ارتش هخامنشیان، در حدود ۴۸۰ پ. م در نقش برجسته آرامگاه خشایارشا بزرگ
شهرستان کوه‌چنار

| شهرستان کوه‌چنار | شهرستان کوه‌چنار |
| --- | --- |
موقعیت در استان: موقعیت در استان
اطلاعات کلی: اطلاعات کلی
کشور:  ایران
استان: فارس
مرکز شهرستان: قائمیه
سایر شهرها: نودان
بخش‌ها: مرکزی، کوهمره
سال تأسیس: ۱۳۹۸ خورشیدی
اداره: اداره
فرماندار: محمود هاشمی
حوزهٔ انتخابیه: کازرون و کوه‌چنار
مردم: مردم
جمعیت: ۵۴٬۸۶۹ نفر (۱۳۹۵)
تراکم جمعیت: ۸۲ نفر بر کیلومتر مربع
مذهب: شیعه
جغرافیای طبیعی: جغرافیای طبیعی
مساحت: ۶۶۶ کیلومتر مربع
داده‌های دیگر: داده‌های دیگر
پیش‌شمارهٔ تلفن: ۰۷۱
وبگاه: فرمانداری کوه‌چنار
شهرستان کوه‌چنار یکی از شهرستان‌های استان فارس ایران است. مرکز این شهرستان، شهر قائمیه است.
این شهرستان در تاریخ ۱۰ مهر ۱۳۹۸ از شهرستان کازرون جدا شد و مستقل گردید.
پیشینه نام

نام کوه‌چنار ترکیبی از دو بخش با نام‌های «چنارشاهیجان» و «کوهمره» است.
موقعیت جغرافیایی

این شهرستان از شمال تا شمال غربی با شهرستان ممسنی، از جنوب غربی تا جنوب با شهرستان کازرون و از شرق با شهرستان شیراز همسایه است.
مردم‌شناسی

دین مردم این شهرستان، اسلام و پیرو مذهب شیعه دوازده‌امامی هستند؛ زبان مردم این شهرستان هم کوهمره ای ،لری جنوبی و قشقایی  است.
تقسیمات کشوری

شهرستان کوه‌چنار دارای ۲ بخش، ۴ دهستان و ۲ شهر به شرح زیر است:
تقسیمات کشوری > شهرستان کوه‌چنار

| بخش | مرکز بخش | جمعیت بخش ۱۳۹۵ | نام دهستان | مرکز دهستان | جمعیت دهستان ۱۳۹۵ | شهر | جمعیت شهر ۱۳۹۵ |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| مرکزی | قائمیه | ۳۸٬۰۵۳ نفر | چنارشاهیجان | حکیم‌باشی بالا | ۷٬۱۶۰ نفر | قائمیه | ۲۶٬۹۱۸ نفر |
| مرکزی | قائمیه | ۳۸٬۰۵۳ نفر | سمغان | سمغان | ۳٬۹۷۵ نفر | قائمیه | ۲۶٬۹۱۸ نفر |
| کوهمره | نودان | ۱۶٬۸۱۶ نفر | کوهمره | ملای انبار | ۸٬۲۰۹ نفر | نودان | ۲٬۸۹۲ نفر |
| کوهمره | نودان | ۱۶٬۸۱۶ نفر | ابوالحیات | دیکانک | ۵٬۷۱۵ نفر | نودان | ۲٬۸۹۲ نفر |
جمعیت

بر پایه سرشماری عمومی نفوس و مسکن در سال ۱۳۹۵، جمعیت شهرستان کوه‌چنار برابر با ۵۴٬۸۶۹ نفر بوده است.
کاخ فیلیه

| کاخ فیلیه | کاخ فیلیه |
| --- | --- |
نام: کاخ فیلیه
کشور: ایران
استان: استان خوزستان
شهرستان: شهرستان خرمشهر
اطلاعات اثر: اطلاعات اثر
کاربری: کاخ
اطلاعات ثبتی: اطلاعات ثبتی
شمارهٔ ثبت: ۲۸۴۵
تاریخ ثبت ملی: ۲۰ بهمن ۱۳۵۵
فیلیه قصر شیخ خزعل حاکم خوزستان در سال ۱۹۱۷ در زمینی با زیربنای ۷۸۸ متر مربع در خرمشهر کنار رود کارون ساخته شد. شیخ خزعل حاکم وقت خرمشهر (دوره قاجار) و شیخ عشایر عرب بنی کعب بود. این ساختمان یکی از بناهای زیبای دورهٔ قاجاریه به حساب می‌آمد و در گذشته جزء تفریحگاه‌های مردم خرمشهر بود.
رضاشاه در روز ۱۳ آذرماه (۱۳۰۳ش)، به دلیل اختلافاتی که حکومت تهران با شیخ خزعل پیدا کرده بود، به خرمشهر رفت و در قصر فیلیه سکونت کرد.  بین رضاخان و شیخ خزعل توافقی صورت گرفت که طی آن به شیخ اجازه ماندن در خوزستان داده شد، مشروط بر آن که دستورهای خود را از حاکم ایالت خوزستان بگیرد و پادگانی از قشون ایرانی در این ایالت بماند و در مقابل، مالیکت شیخ بر املاک و دارایی‌هایش محترم شمرده شود و مراقبت شود که شیخ و خانوادهاش مورد آزار و اذیت قرار نگیرد
ساختمان قصر فیلیه

ب‍رای س‍اخ‍ت ای‍ن قصر از م‍ص‍ال‍ح‍ی ه‍م‍چ‍ون آج‍ر و گ‍چ اس‍ت‍ف‍اده ش‍ده اس‍ت. ب‍ن‍ای م‍ذک‍ور در س‍ال ۱۳۵۵ م‍رم‍ت ش‍د و ب‍ع‍ده‍ا م‍ورد اس‍ت‍ف‍اده دانشکده علوم دری‍ای‍ی خرمشهر ق‍رار گ‍رف‍ت.
ق‍س‍م‍ت‌ه‍ای‍ی از ب‍ن‍ای ت‍اری‍خ‍ی قصر شیخ خزعل در اث‍ر ج‍ن‍گ ت‍ح‍م‍ی‍ل‍ی و ع‍وام‍ل ج‍وی ت‍خ‍ری‍ب ش‍د ول‍ی پ‍س از پ‍ای‍ان ج‍ن‍گ ت‍ح‍م‍ی‍ل‍ی ب‍ار دی‍گ‍ر م‍رم‍ت شد و در سال ۱۳۷۹ به شماره ۲۸۴۵ در فهرست آثار ملی ثبت شد. آجر کاری‌های زیبا و درب و پنجره‌های آن از چوب ساج و آبنوس ساخته شده و از آئینه کاری‌های سقف، داخل اتاق‌ها، طارم و ایوان‌هایی با تمثال پادشاهان قاجار برخوردار بود.
تخریب قصر فیلیه

فیلیه در تاریخ ۱۶ آبان ۱۳۸۹ به دلایل نامعلومی تخریب شد. تخریب آن در حالی صورت گرفت که بر خلاف گفته‌های مدیران میراث فرهنگی آبادان مرمت بخشی از این بنا از دو سال قبل آغاز شده بود. میراث فرهنگی بانیان تخریب فیلیه را یک نهاد نظامی دانسته‌اند. تخریب این بنا با بازتاب وسیع خبری در سایت‌های خبری ایران و خارج مواجه شد.
تخریب قصر فیلیه > ماکت قصر فیلیه

در این راستا نمایندهٔ مجلس مردم خرمشهر به معاون رئیس‌جمهور وقت ایران و رئیس سازمان میراث فرهنگی و گردشگری که در عین حال رئیس مرکز امور مناطق آزاد است صحبت و نامه‌نگاری کرده و خواهان رسیدگی به این موضوع و برخورد با متخلفان بر حسب حیطه قانونی آن شد. وی پیشنهاد داد که حتماً بنایی به آن سبک و سیاق ساخته و شرایط معماری و مهندسی سابق را بازسازی کنند.
تخریب قصر فیلیه > نهادهای شاکی برای تخریب قصر فیلیه

جدای از مطالب اعتراضی که در سایت‌های خبری منجمله العربیه فارسی و عصر ایران و دیگر وب‌سایت و وبلاگ‌های داخلی و خارجی و همچنین پی‌گیری‌های نمایندگان وقت خوزستان در مجلس صورت گرفت، بعد از تخریب قصر فیلیه دو نهاد برای رسیدگی به این اتفاق اقدام به شکایت رسمی‌کردند، نهاد اول سازمان میراث فرهنگی، صنایع دستی و گردشگری کشور بود که از نهاد نظامی تخریب‌کننده «کاخ شیخ خزعل» شکایت کرده و موضوع را به ستاد کل نیروهای مسلح جمهوری اسلامی ایران اعلام کرد. نهاد دوم که کانون مبارزه با نژادپرستی و عرب‌ستیزی در ایران است نیز با صدور بیانیه‌ای اعتراض خود را اعلام کرد.