ساختار نواری
فهرست منابع

↑  global.oup.com https://global.oup.com/academic/product/the-electronic-structure-and-chemistry-of-solids-9780198552048?cc=ee&lang=en&#. دریافت‌شده در ۲۰۲۳-۱۲-۰۴. پارامتر |عنوان= یا |title= ناموجود یا خالی (کمک)
↑  "Solid State Devices and Technology - V. Suresh Babu". www.rokomari.com (به انگلیسی). Retrieved 2023-12-04.
↑  Ünlü, Hilmi (1992-09-01). "A thermodynamic model for determining pressure and temperature effects on the bandgap energies and other properties of some semiconductors". Solid-State Electronics. 35 (9): 1343–1352. doi:10.1016/0038-1101(92)90170-H. ISSN 0038-1101.
↑  Varshni, Y.P. (1967-01). "Temperature dependence of the energy gap in semiconductors". Physica. 34 (1): 149–154. doi:10.1016/0031-8914(67)90062-6. ISSN 0031-8914. {{cite journal}}: Check date values in: |date= (help)
↑  "The electronic structure and chemistry of solids | WorldCat.org". search.worldcat.org (به انگلیسی). Retrieved 2023-12-04.
1 2 3  Pankove, Jacques I.; Kiewit, David A. (1972). "Optical Processes in Semiconductors". Journal of The Electrochemical Society. 119 (5): 156C. doi:10.1149/1.2404256. ISSN 0013-4651.
↑  Loan, Fayaz Ahmad; Khan, Aasif Mohammad; Andrabi, Syed Aasif Ahmad; Sozia, Sozia Rashid; Parray, Umer Yousuf (2023-07-05). "Giving life to dead: role of WayBack Machine in recovery of dead URLs". Data Technologies and Applications. doi:10.1108/dta-06-2022-0242. ISSN 2514-9288.
1 2  global.oup.com https://global.oup.com/academic/product/optical-properties-of-solids-9780199573370?cc=ee&lang=en&. دریافت‌شده در ۲۰۲۳-۱۲-۰۴. پارامتر |عنوان= یا |title= ناموجود یا خالی (کمک)
1 2  Yu, Peter Y.; Cardona, Manuel (2010). "Fundamentals of Semiconductors". Graduate Texts in Physics (به انگلیسی). doi:10.1007/978-3-642-00710-1. ISSN 1868-4513.
↑  «Physics of Semiconductor Devices, 4th Edition | Wiley». Wiley.com (به انگلیسی). دریافت‌شده در ۲۰۲۳-۱۲-۰۴.
↑  «ISBN 9780139460531 - Waves and Fields in Optoelectronics». isbnsearch.org. دریافت‌شده در ۲۰۲۳-۱۲-۰۴.
↑  «Crystalline Silicon Solar Cells | Wiley». Wiley.com (به انگلیسی). دریافت‌شده در ۲۰۲۳-۱۲-۰۴.
↑  Zanatta, A. R. (2022-12-01). "The Shockley–Queisser limit and the conversion efficiency of silicon-based solar cells". Results in Optics. 9: 100320. doi:10.1016/j.rio.2022.100320. ISSN 2666-9501.
↑  Feneberg, Martin; Leute, Robert A. R.; Neuschl, Benjamin; Thonke, Klaus; Bickermann, Matthias (2010-08-16). "High-excitation and high-resolution photoluminescence spectra of bulk AlN". Physical Review B. 82 (7): 075208. doi:10.1103/PhysRevB.82.075208.
↑  «Kittel's Introduction to Solid State Physics, 8th Edition, Global Edition | Wiley». Wiley.com (به انگلیسی). دریافت‌شده در ۲۰۲۳-۱۲-۰۴.
1 2 3 4 5 6  "Solid state electronic devices | WorldCat.org". search.worldcat.org (به انگلیسی). Retrieved 2023-12-04.
↑  Bauer, J. (1977-02). "Optical properties, band gap, and surface roughness of Si3N4". Physica Status Solidi (a) (به انگلیسی). 39 (2): 411–418. doi:10.1002/pssa.2210390205. {{cite journal}}: Check date values in: |date= (help)
↑  Vella, Eleonora; Messina, Fabrizio; Cannas, Marco; Boscaino, Roberto (2011-05-09). "Unraveling exciton dynamics in amorphous silicon dioxide: Interpretation of the optical features from 8 to 11 eV". Physical Review B. 83 (17): 174201. doi:10.1103/PhysRevB.83.174201.
↑  Baumeister, Philip W. (1961-01-15). "Optical Absorption of Cuprous Oxide". Physical Review. 121 (2): 359–362. doi:10.1103/PhysRev.121.359.
حد شاکلی- کویسر (Shockley-Queisser limit) حداکثر بازده ممکن یک سلول خورشیدی تک پیوندی را در زیر نور غیرمتمرکز خورشید، به عنوان تابعی از بندگپ نیمه‌هادی می‌دهد. اگر بندگپ خیلی بزرگ باشد، اغلب فوتون‌های روز نمی‌توانند جذب شوند. اگر خیلی کوچک باشد، اغلب فوتون‌های انرژی بیشتری از انرژی لازم برای برانگیخته کردن الکترون‌ها در سرار بندگپ دارند و بسیاری از آن هدر می‌روند. نیمه‌هادی‌هایی که معمولا در سلول‌های خورشیدی تجاری استفاده می‌شوند،‌ دارای بندگپی نزدیک به نقطه اوج این منحنی هستند، همانطور که در سلول‌های مبتنی بر سیلیسیم رخ می‌دهد. حد شاکلی- کویسر به طور تجربی با ترکیب مواد با بندگپ‌های مختلف افزایش یافته است.