خازن
تاریخچه

همچنین ببینید: بطری لیدن
در اکتبر ۱۷۴۵، اوالد جرج فون کلایست پومرانیای آلمان، دریافت که با اتصال یک مولد الکترواستاتیکی با ولتاژ بالا توسط یک سیم به حجم آب موجود در یک شیشهٔ کوچک، می‌توان بار را ذخیره کرد. دست فون کلایست و آب موجود در شیشه به عنوان رضا عمل کردند و شیشه به عنوان یک دی‌الکتریک. (اگرچه، جزئیات مکانیسم، به غلط در آن زمان تعریف شده بود). فون کلایست متوجه شد که تماس با سیم، منجر به ایجاد جرقهٔ قدرتمندی می‌شود که بسیار دردناکتر بود از آنچه که از یک دستگاه الکترواستاتیک به‌دست آمد. سال بعد، فیزیکدانی هلندی به نام پیتر فان موشن‌بروک، خازن مشابهی اختراع کرد که بطری لیدن نامیده شد. نام آن از دانشگاه لیدن گرفته شد که موشن‌بروک در آنجا کار می‌کرد. او همچنین تحت تأثیر قدرت شوکی که دریافت کرد قرار گرفت و نوشت: «من حتی در ازای پادشاهی فرانسه، در معرض شوک دوم قرار نمی‌گیرم».
دانیل گرالاث اولین کسی بود که چندین بطری را به‌طور موازی ردیف کرد تا ظرفیت ذخیره شارژ را افزایش دهد. بنجامین فرانکلین، بطری لیدن را مورد بررسی قرار داد و دریافت که این بار در شیشه ذخیره شده‌است، نه در آب، آنگونه که دیگران فرض کرده بودند. همچنین او بود که اصطلاح «باتری» را به کار برد (اشاره دارد به اینکه با ردیفی از واحدهای مشابه، نیرو افزایش می‌یابد آنگونه که در آتشبار است)، متعاقباً این نام برای سلول‌های الکتروشیمیایی به کار برده شد. بعدها برای ساختن بطری‌های لیدن، سطح داخلی و خارجی بطری‌ها را با فویل فلزی می‌پوشاندند و برای جلوگیری از ایجاد جرقه بین فویل‌ها، دهانه شیشه را خالی می‌گذاشتند. اولین واحد ظرفیت خازن‌ها، جار (بطری) بود که معادل است با حدود ۱٫۱۱ نانوفاراد.
بطری‌های لیدن یا دستگاه‌های قدرتمندتری که از صفحات شیشه‌ای مسطح در تناوب با فویل‌های رسانا ساخته می‌شدند، منحصراً در حدود سال ۱۹۰۰ مورد استفاده قرار گرفتند، آن هم‌زمانی که اختراع بی‌سیم (رادیو) تقاضا برای خازن‌های استاندارد را به وجود آورد و حرکت مداوم به سمت فرکانس‌های بالاتر به خازن‌هایی با ضریب خودالقایی پایین نیاز داشت. سپس، ساختارهای جمع و جورتری استفاده شدند، به‌طور مثال، ورق‌های دی‌الکتریک منعطف (مانند کاغذهای روغنی) را بین ورق‌های فویل فلزی قرار می‌دادند و آن را درون یک بسته کوچک می‌پیچاندند یا تا می‌کردند.
خازن‌های اولیه به عنوان خازن شناخته می‌شدند، اصطلاحی که امروزه هنوز هم به‌خصوص در برنامه‌های پرقدرت مانند سیستم‌های اتومبیل از آن استفاده می‌شود. این اصطلاح برای اولین بار برای Alessandro Volta در سال ۱۷۸۲ توسط این هدف استفاده شد، با اشاره به توانایی دستگاه برای ذخیرهٔ چگالی بیشتر بار الکتریکی نسبت به هادی ایزوله ای امکان‌پذیر است. این اصطلاح به دلیل معنی مبهم کندانسور بخار مستهلک شد و خازن از سال ۱۹۲۶ به عنوان توصیه شده تبدیل شد.
از ابتدای مطالعه مواد غیر رسانا الکتریکی مانند شیشه، چینی، کاغذ و میکا به عنوان عایق استفاده شده‌است. این مواد چند دهه بعد برای استفاده بیشتر به عنوان دی الکتریک برای اولین خازن‌ها نیز مناسب بودند. خازن‌های کاغذ ساخته شده با ساندویچ کردن نوار کاغذ آغشته شده بین نوارهای فلزی و چرخاندن نتیجه به داخل استوانه معمولاً در اواخر قرن نوزدهم مورد استفاده قرار می‌گرفتند. تولید آنها از سال ۱۸۷۶ آغاز شد، و از اوایل قرن ۲۰ به عنوان جدا کننده خازن در ارتباطات از راه دور (تلفن) استفاده شد.
پرسلن در اولین خازن‌های سرامیکی مورد استفاده قرار گرفت. در سال‌های اولیه دستگاه انتقال بی‌سیم مارکونی از خازن‌های پرسلن چینی برای ولتاژ بالا و فرکانس بالا در فرستنده‌ها استفاده می‌شد. از طرف گیرنده از خازن‌های میکا کوچکتر برای مدارهای رزونانس استفاده شد. خازن‌های دی الکتریک میکا در سال ۱۹۰۹ توسط ویلیام دوبیلیر اختراع شد. قبل از جنگ جهانی دوم، میکا رایج‌ترین دی الکتریک برای خازن‌ها در ایالات متحده بود.
چارلز پولاک (متولد کارول پولاک)، مخترع اولین خازن‌های الکترولیتی، فهمید که لایه اکسید روی یک آند آلومینیوم حتی در هنگام خاموش شدن برق در یک الکترولیت خنثی یا قلیایی پایدار می‌ماند. در سال ۱۸۹۶ به ایالات متحده ثبت اختراع شماره ۶۷۲٫۹۱۳ را برای «خازن مایع برقی با الکترودهای آلومینیومی» اعطا کرد. در اوایل دهه ۱۹۵۰ خازنهای تانتالیوم الکترولیتی جامد توسط آزمایشگاه‌های بل به عنوان یک خازن پشتیبانی کم ولتاژ کوچک و مطمئن تر برای تکمیل ترانزیستور تازه اختراع شده خود اختراع شدند.
با توسعه مواد پلاستیکی توسط شیمی دانان ارگانیک در طول جنگ جهانی دوم، صنعت خازن شروع به جایگزینی کاغذ با فیلم‌های پلیمری نازک‌تر کرد. یکی از پیشرفتهای اولیه در خازنهای فیلم در ثبت اختراعات ۵۸۷٬۹۵۳ در انگلیس در سال ۱۹۴۴ توصیف شد.
خازن‌های دو لایه الکتریکی (در حال حاضر ابررساناها) در سال ۱۹۵۷ اختراع شدند که H. Becker یک "خازن الکترولیتی ولتاژ کم با الکترودهای کربن متخلخل" تولید کرد. او معتقد بود که این انرژی به عنوان بار در منافذ کربن مورد استفاده در خازن او و همچنین در منافذ پوسته‌های چوبی خازن‌های الکترولیتی ذخیره می‌شود. از آنجا که مکانیسم لایه دوتایی در آن زمان توسط وی شناخته نشده بود، در این ثبت اختراع نوشت: "دقیقاً مشخص نیست که در صورت استفاده برای ذخیره انرژی، در این جزء چه اتفاقی می‌افتد، اما به ظرفیت بسیار بالایی منجر می‌شود.
خازن فلزی- اکسید و نیمه هادی (خازن MOS) از ساختار ترانزیستور اثر میدان فلزی- اکسید - نیمه هادی (MOSFET) سرچشمه می‌گیرد، جایی که خازن MOS توسط دو اتصالات p-n در کنار هم قرار دارد. ساختار MOSFET توسط محمد م. آتلا و داون کهنگ در آزمایشگاه‌های بل در سال ۱۹۵۹ اختراع شد. خازن MOS بعداً به عنوان خازن ذخیره‌سازی در تراشه‌های حافظه مورد استفاده قرار گرفت، و به عنوان بلوک ساختمان اصلی دستگاه همراه با شارژ (CCD) در فناوری حسگر تصویر استفاده می‌شود. در حافظه دستیابی تصادفی پویا (DRAM)، هر سلول حافظه به‌طور معمول از یک خازن MOSFET و MOS تشکیل می‌شود.