stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
ترمیستورهای ان‌تی‌سی
مقدمه

ترمیستورها موادی نیم‌رسانا هستند که مقاومت آن‌ها با تغییر دما تغییر می‌یابد. ترمیستورهای ان‌تی‌سی موادی هستند که با افزایش دما مقاومت‌شان کاهش می‌یابد (دارای فاکتور TCR منفی هستند). به‌طور معمول نیم‌رساناها رفتار ان‌تی‌سی از خود نشان می‌دهند. بیشترین کاربرد مواد با این رفتار در حسگرهای دمایی است که روزانه کاربردشان در تکنولوژی‌های جدید افزایش می‌یابد و به دلیل حساسیت بالا، قیمت مناسب و دقت بالا همواره مورد توجه بوده‌اند.
انواع ساختار مواد ان‌تی‌سی

با وجود تعداد بسیار زیادی از مواد ان‌تی‌سی ارائه شده توسط تولیدکنندگان الکتروسرامیک، تعداد ساختارهای کریستالوگرافی این ترکیبات محدود است. تا به امروز ترمیستورهایی با ساختار اسپینل (NiMn2O4، MnFe2O4)، پروسکایت (CaTiO3، BaBiO3)، مواد کربنی (rGO, CNT , graphene)، پلیمرها (PVDF-TrFE PEDOT: PSS) و کامپوزیت‌های کربن/ پلیمری طراحی و ساخته شده‌اند.
درمیان ساختارهای مذکور انواع اسپینلی و پروسکایتی بیشترین سهم از تحقیقات را به خود اختصاص می‌دهند. انواع پیروکلری نیز در سال‌های اخیر توجه محققینن را به خود جلب کرده‌است.
انواع ساختار مواد ان‌تی‌سی > ساختار اسپینلی

واژه اسپینل به ماده معدنی MgAl2O4 اشاره می‌کند و به تمام ساختارهایی که فرمول عمومی آن‌ها AB2O4 است، اشاره دارد.
در بسیاری از اسپینل‌ها بی‌نظمی کاتیونی رخ می‌دهد، این کاتیون‌ها از ساختار استاندارد فاصله می‌گیرند و انواع اسپینل مخلوط و اسپینل معکوس را بوجود می‌آورند. این ساختار اصولاً دارای شبکه مکعبی فشرده با ۶۴ موقعیت تتراهدرال (مکانهای A) و ۳۲ موقعیت اکتاهدرال (مکانهای B) است و هر سلول واحد ۳۲ یون O2-، ۸ یون Mg+2 و ۱۶ یون Al+3 دارد، در نتیجه نیمی از موقعیتهای اکتاهدرال بیننشینی توسط یونهای Al3+ و تنها یک چهارم موقیعتهای تتراهدرال بیننشینی پر شده‌اند. در ساختار اسپینل معکوس، نیمی از اتمهای B مکانهای تتراهدرال را اشغال می‌کنند و نیمی دیگر اتمهای B و همه اتمهای A در مکانهای اکتاهدرال جای می‌گیرند.
امروزه، اکثر سرامیکهای ان‌تی‌سی بر پایه سرامیکهای Mn3O4 هستند که در آن، Mn+۳ به صورت جزئی با سایر عناصر فلزی انتقالی مانند نیکل، کبالت، آهن و مس جایگزین شدهاند. این جایگزینی سبب تشکیل جفتهای Mn3+/Mn+4 در مکانهای اکتاهدرال می‌شود که برای رسانایی الکتریکی اهمیت فراوانی دارد. در بین ترکیبات اسپینلی، بدون شک بیشترین مطالعه بر روی ترکیب NiMn2O4 انجام شده‌است. این ترکیب دارای ساختار اسپینل معکوس است، اما در ماهیت دقیق و توزیع کاتیونها در این سیستم بحث وجود دارد. بسته به نوع روش شناسایی یا حتی روشهای آمادهسازی و دمای کلسیناسیون، چینشهای مختلف توسط پژوهشگران ارائه شده‌است. در هر صورت، این حقیقت که میزان معکوس شدن این ترکیب با افزایش دما کاهش می‌یابد، یک امر پذیرفته شده‌است.
با وجود کاربرد زیاد این مواد ان‌تی‌سی با ساختار اسپینلی به دلیل بروز پدیده پیرشدگی در این مواد به خصوص در دماهای بالاتر از ۲۰۰ درجه سانتی گراد و افت خواص در نتیجه آن، امروزه برای کاربردهای دما بالا مورد استفاده قرار نمی‌گیرند و تحقیقات بسیاری در زمینه یافتن جایگزین مناسب این دسته انجام شده‌است تا علاوه بر رفع مشکل پیرشدن بتوانند در دماهای بالا نیز مورد استفاده قرارگیرند.
انواع ساختار مواد ان‌تی‌سی > ساختار پروسکایتی

درحالت کلی واژه پروسکایت برای تمامی ترکیباتی که فرمول ABO3 داشته و ساختاری مانند CaTiO3 دارند استفاده می‌شود. تیتانات کلسیم در بالای °C 900 دارای ساختار مکعبی است و در دماهای پایین‌تر ساختار ارتورومبیک دارد. این ساختار شامل لایه‌های AO3 به صورت CP بوده و یک‌چهارم مکان‌های هشت‌وجهی با کاتیون‌های B اشغال شده‌است. همچنین در ساختار پروسکایت مکان‌های چهاروجهی خالی هستند که باعث کاهش پیچیدگی ساختار در مقایسه با اسپینل‌ها می‌شود. این ویژگی برتری اصلی ساختار پروسکایت نسبت به اسپینل است زیرا باعث کنترل مستقیم برروی بی‌نظمی کاتیون‌ها و در نتیجهٔ آن کنترل بیشتر بر خواص الکتریکی می‌شود. در این ساختار پرشدن مکان‌ها با توجه به شعاع‌های یونی قابل پیش‌بینی است و یون‌های بزرگ مانند Ba, Sr, Ca وY منحصر به مکان A و یون‌های کوچکتر در مکان‌های B قرار می‌گیرند. تعداد اندکی از یون‌ها با شعاع یونی میانی می‌توانند در ساختار رفتار آمفوتری نشان دهند.
درحالی که پروسکایت‌های فلزات انتقالی به دلیل خواص شگفت‌انگیز الکتریکی و مغناطیسی بیش از نیم قرن مورد مطالعه قرار داشته‌اند. پتانسیل آن‌ها برای کاربرد به عنوان ان‌تی‌سی به حدود دو دهه گذشته بر می‌گردد. تحقیقات برروی این مواد به این علت مورد توجه ویژه قرار گرفت که ان‌تی‌سیهای اسپینلی بنا به دلایلی همچون مقاومت و انرژی فعالسازی بسیار پایین و پایداری دمایی پایین برای کاربردهای دما بالا مناسب نیستند همچنین تغییرات مقاومت مواد در ساختار پروسکایت نسبت به ترکیبات اسپینلی بیشتر است که باعث بالا رفتن حساسیت می‌شود.
در سال ۱۹۹۶ مچر و همکارانش مقایسه‌ای بین مواد با دوساختار اسپینل و پروسکایت برای کاربرد ان‌تی‌سی در دمای بالا انجام دادند. نتایج آن‌ها نشان داد که مواد در هردو ساختار با مکانیزم مشابه هدایت الکتریکی دارند. آن‌ها همچنین نتیجه گرفتند رسانایی LaCo1-xMxO3 که M= Al , Ti به صورت سیستمی قابل کنترل است که باعث کاربرد وسیع آن می‌شود. در تحقیق دیگری فلتز ترکیبی با فرمول: SrxLa1-yTix+yCoӀӀӀCoӀӀ1-x-2yO3 که در این ترکیب مقادیر x و y به‌صورت 0<x<1, 0<y<(1-x)/۲ است را سنتز کرده و به بررسی خواص ساختار و خواص الکتریکی این ماده پرداخته‌است. این ترکیبات در کاربردهایی بادمای بالا و تا °C ۵۰۰ مورد استفاده قرارگرفتند و اثر پیرشدگی در آن‌ها مشاهده نشد.
انواع ساختار مواد ان‌تی‌سی > ساختار پروسکایت

در دههٔ اخیر، ترکیبات پیروکلری با فرمول کلی A2B2O7، که در آن A عنصری نادر خاکی سه ظرفیتی و B عنصری فلزی انتقالی چهار ظرفیتی است، توجهات را به خود جلب کرده‌است. ساختار پیروکلری دارای سیستم چندوجهی همسایگی دوکاتیونی است. کاتیونهای A با عدد همسایگی ۸ و کاتیونهای B (کوچکتر از کاتیونهای A) با عدد همسایگی ۶ برای O2- در این ترکیب وجود دارد. این ترکیبات دارای ساختاری با پایداری حرارتی و شیمیایی بالا هستند که قابلیت جایدهی ترکیبات شیمیایی مختلف و عیوب ساختاری را دارد و ویژگیهای مختلفی از جمله ابررسانایی و نیمهرسانایی را ارائه می‌دهد. در نتیجه، این ترکیبات در کاربردهایی چون کاتالیستها، پوششهای سد حرارتی و الکترولیتهای جامد در سلولهای سوختی دما-بالا استفاده می‌شوند. اولین مشاهده رفتار ان‌تی‌سی در سرامیکهای با ساختار پیروکلری توسط نوبره[۱] و لانفردی[۲] [۳۸] برای ترکیب Bi3Zn2Sb3O14 مشاهده شد.
کاربرد مواد ان‌تی‌سی

عمده کاربرد مواد ان‌تی‌سی در حسگرهای دمایی است اما بعنوان محدود کننده جریان در زمان شروع به کار نیز در ممدارهای الکتریکی استفاده می‌شود.
تعدادی از این کاربردها در زیر آورده شده‌است.
کاربرد مواد ان‌تی‌سی > ۱- حسگر دمای خودرو

از سال ۱۹۴۰ تا کنون ترمیستورهای ان‌تی‌سی برای ارسال سیگنال به نشانگر خودرو یا در مدل‌های امروزی واحد کنترل موتور(ECU) خودروها مورد استفاده بوده‌اند. روند رو به رشد توسعه خودروها از لحاظ راحتی و ایمنی موجب پیچیدگی سیستم‌های الکترونیکی شده‌است.
بیشترین کاربرد مواد ان‌تی‌سی در خودروها شامل:
اندازه‌گیری دمای آب سیستم خنک‌کننده و دمای روغن
اندازه‌گیری دمای گازهای خروجی از اگزوز، دمای سیستم ترمز و سر سیلندر
کنترل سیستم تهویه مطبوع
کاربرد مواد ان‌تی‌سی > ۱- حسگر دمای خودرو > سیستم تهویه مطبوع خودرو

طرحواره حسگرهای ان‌تی‌سی مورد استفاده در سیستم تهویه خودروها در شکل (۴–۲) آمده‌است.
در سیستم‌های تهویه خودروهای امروزی تلاش می‌شود راننده کمترین نقش را در کنترل و تنظیم عملکرد دستگاه داشته باشد تا توجه اصلی او به رانندگی بوده و ایمنی لازم تأمین گردد. حسگرهای ان‌تی‌سی در مرکزیت این کاربرد قراردارند. این حسگرها با اندازه‌گیری دما در بخش‌های مختلف داخل و خارج خودرو می‌توانند به ECU خودرو در تنظیم میزان سرمایش یا گرمایش مورد نیاز برای متعادل‌سازی دمای کمک کنند و راننده تنها نیاز است دمای مورد مد نظر خود را تنظیم کند.
کاربرد مواد ان‌تی‌سی > ۱- حسگر دمای خودرو > در لامپ‌های LED جلو و عقب خودرو

در این کاربرد برای جلوگیری از فشار و کاهش عمر LEDها در چند بخش از نقاط داغ حسگرها تعبیه می‌شوند و از دماهای بالاتر از ۸۵ درجه سلسیوس نیروی برق ورودی تنظیم می‌شود تا دمای بالا موجب کاهش عمر قطعه نشود.
کاربرد مواد ان‌تی‌سی > ۲- لوازم خانگی

مواد ان‌تی‌سی در بسیاری از لوازم خانگی که نیاز به کنترل دما دارند استفاده‌می‌شوند. نمونه‌هایی از ابزاری که به صورت روزمره مورد استفاده قرار می‌گیرند و درآن‌ها از این حسگرها استفاده می‌شود شامل:
ماشین لباسشویی
یخچال
قهوه ساز
چای ساز
سشوار
سیستم‌های اتوماتیک منازل مانند: سیستم تشخیص آتش‌سوزی
گرمایش منازل
سیستم تهویه مطبوع منازل
هستند.
کاربرد مواد ان‌تی‌سی > ۳-ابزار سلامت

مواد ان‌تی‌سی امروزه کاربردهای بسیاری را در حوزه پزشکی پیدا کرده و توجه زیادی را به خود جلب کرده‌اند. عمده کاربرد در این حوزه در اندازه‌گیری دما در شرایط مختلف است. به‌طور مثال در دستگاه دیالیز، خون بیمار پس از تصفیه به صورت مصنوعی باید مجدداً تا دمای بدن گرم‌شده و سپس وارد بدن فرد گردد اندازه‌گیری دما در این شرایط باید بادقت بسیار بالایی با سرعت پاسخ بالا اندازه‌گیری شود که بهترین ابزار برای اینن اندازه‌گیری حسگرهای ان‌تی‌سی هستند.
باتری‌های لیتیوم-یونی با قابلیت شارژ مجدد به‌طور گسترده‌ای در ابزارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرند. این باتری‌ها دارای وزن پایین و دانسیته انرژی بالایی هستند. بررسی پیوسته، کنترل و مدیریت دمای سلول و دمای محیط اطراف آن برای افزایش عمر باتری و رعایت ایمنی امری ضروری است. اگر دمای باتری خیلی پایین باشد، سرعت شارژ مجدد کاهش می‌یابد و اگر دمای باتری بیش‌از اندازه افزایش یابد می‌تواند وضعیتی بحرانی به‌وجود آورده و موجب آتش‌سوزی و حتی انفجار باتری شود.
کاربرد مواد ان‌تی‌سی > ۴- محدود کننده جریان‌هجومی

جریان هجومی، جریانی ورودی شدیدی است که توسط یک تأمین کننده نیرو یا یک دستگاه الکتریکی هنگام روشن شدن ایجاد می‌شود. این جریان شدید اولیه برای شارژ شدن خازن‌ها، القاگرها و ترانسفورمرها مورد نیازاست. درهنگام روشن شدن، خازن‌های تخلیه شدهٔ تامین‌کننده‌های نیرو، امپدانس پایین و در نتیجه آن جریان بالایی دارند تا خازن از حالت تخلیه به حالت اشباع برسد. این جریان اولیه می‌تواند تا ۲۰ برابر جریان پایدار افزایش یابد. با وجود این‌که این فرایند در حدود ۱۰ میلی‌ثانیه زمان می‌برد، تا رسیدن به پایداری ۳۰ تا ۴۰ سیکل انجام‌شود. در صورتی که این جریان شدید کنترل‌نشود می‌تواند به اجزای سیستم آسیب رسانده یا حتی در سایر وسایل متصل به این منبع برق مشکل ایجادکند.
یک نوع حسگر ان‌تی‌سی
جان مت

| جان مت | جان مت |
| --- | --- |
Mott circa 1946: Mott circa 1946
زادهٔ: ۲۵ مهٔ ۱۸۶۵ لیوینگستون، شهرستان سولیوان، نیویورک، ایالت نیویورک،  U.S.
درگذشت: ۳۱ ژانویهٔ ۱۹۵۵ (۸۹ سال) اورلندو، فلوریدا،  U.S.
محل تحصیل: دانشگاه کرنل (بی‌ای)
پیشه: Activist
سازمان(ها): انجمن مسیحی مردان جوان، World Student Christian Federation
همسر: Leila Ada White (ازدواج ۱۸۹۱)
والدین: John Mott, Sr. Elmira (Dodge) Mott
جوایز: جایزه صلح نوبل (۱۹۴۶)
جان رالی مت (انگلیسی: John Raleigh Mott؛ ۲۵ مهٔ ۱۸۶۵ – ۳۱ ژانویه ۱۹۵۵) یک میسیونر متدیست اهل ایالات متحده آمریکا بود.
وی همچنین برنده جوایزی همچون جایزه صلح نوبل شده است.
فرودگاه اسنوتی کریک

فرودگاه اسنوتی کریک (به انگلیسی: Stoney Creek Airport) یک فرودگاه خصوصی است که یک باند فرود چمن و آسفالت دارد و طول باند آن ۸۶۹ متر است. این فرودگاه در کشور کانادا قرار دارد و در ارتفاع ۲۰۷ متری از سطح دریا واقع شده است.
فلیسیتی لوت

| فلیسیتی لوت | فلیسیتی لوت |
| --- | --- |
زادهٔ: ۸ مهٔ ۱۹۴۷ ‏(۷۷ سال)
فلیسیتی لوت (انگلیسی: Felicity Lott؛ زادهٔ ۸ مهٔ ۱۹۴۷) یک خواننده اهل بریتانیا است.
فلوید سیمونز

فلوید سیمونز (انگلیسی: Floyd Simmons؛ ۱۰ آوریل ۱۹۲۳ – ۱ آوریل ۲۰۰۸) یک هنرپیشه اهل ایالات متحده آمریکا بود.
از فیلم‌ها یا برنامه‌های تلویزیونی که وی در آن نقش داشته‌است می‌توان به لباس پاره‌پوره اشاره کرد.
فرگس، انتاریو

| فرگس، انتاریو | فرگس، انتاریو |
| --- | --- |
Unincorporated community: Unincorporated community
The Fergus post office.: The Fergus post office.
مختصات: ۴۳°۴۲′۱۱″ شمالی ۸۰°۲۲′۴۷″ غربی﻿ / ﻿۴۳٫۷۰۳۰۶°شمالی ۸۰٫۳۷۹۷۲°غربی﻿ / 43.70306; -80.37972: مختصات: ۴۳°۴۲′۱۱″ شمالی ۸۰°۲۲′۴۷″ غربی﻿ / ﻿۴۳٫۷۰۳۰۶°شمالی ۸۰٫۳۷۹۷۲°غربی﻿ / 43.70306; -80.37972
کشور: کانادا
استان‌ها و قلمروهای کانادا: انتاریو
شهرستان: شهرستان ولینگتون، انتاریو
Township: Centre Wellington
حکومت: حکومت
 • Township mayor: Kelly Linton
مساحت: مساحت
 • خشکی: ۱۵٫۰۸ کیلومتر مربع (۵٫۸۲ مایل مربع)
جمعیت (سرشماری ۲۰۱۶): جمعیت (سرشماری ۲۰۱۶)
 • کل: ۲۰۷۶۷
 • تراکم: ۱۱۷۵٫۶/کیلومتر مربع (۳۰۴۵/مایل مربع)
منطقهٔ زمانی: یوتی‌سی -۵ (منطقه زمانی شرقی)
 • تابستانی (DST): یوتی‌سی -۴ (منطقه زمانی شرقی)
کد پستی در کانادا: N1M
کد(های) منطقه: 519 and 226
NTS Map: 040P09
GNBC Code: FBDWO
فرگس، انتاریو (به انگلیسی: Fergus, Ontario) یک منطقهٔ مسکونی در کانادا است که در مرکز ولینگتون واقع شده‌است. فرگس ۲۰٬۷۶۷ نفر جمعیت دارد.
تقویت‌کننده تقسیم‌شونده حلقه‌ای

تقویت‌کننده تقسیم شونده حلقه‌ای (انگلیسی: Split-ring resonator)
مقدمه

تقویت‌کننده تقسیم شونده حلقه‌ای (SRR) ساختار تولید شده به صورت مصنوعی است که در فرا مواد رایج است. هدف آن ایجاد حساسیت مغناطیسی مطلوب (پاسخ مغناطیسی) در انواع فرامواد تا ۲۰۰ تراهرتز است.
این رسانه‌ها اتصال مغناطیسی قوی لازم را به یک میدان الکترومغناطیسی اعمال شده ایجاد می‌کنند که در مواد معمولی در دسترس نیست. به عنوان مثال، اثری مانند نفوذپذیری منفی با یک آرایه تناوبی از تقویت‌کننده تقسیم شونده حلقه‌ای ایجاد می‌شود.
یک SRR تک سلولی یک جفت حلقه محصور با شکاف در انتهای آن دارد. حلقه‌ها از فلز غیرمغناطیسی مانند مس ساخته شده‌اند و فاصله کمی بین آن‌ها وجود دارد. حلقه‌ها می‌توانند متحدالمرکز یا مربع باشند. شار مغناطیسی در حلقه‌های فلزی نفوذ کرده و جریان‌های چرخشی را در حلقه‌ها القا می‌کند که شار خود را برای تقویت یا مخالفت با میدان نرمال (بسته به ویژگی‌های تشدید SRR) تولید می‌کند. این روند الگوی میدان دو قطبی است. شکاف‌های کوچک بین حلقه‌ها مقادیر خازنی بزرگی را ایجاد می‌کند که فرکانس تشدید را کاهش می‌دهد. از این رو ابعاد ساختار در مقایسه با طول موج تشدید کوچک است. این منجر به تلفات تابشی کم و عوامل کیفی بسیار بالا می‌شود.
پیش زمینه

تقویت‌کننده تقسیم شونده حلقه‌ای((SRRs) از یک جفت حلقه فلزی متحدالمرکز تشکیل شده است که بر روی یک بستر دی الکتریک حک شده و شکاف‌هایی در طرفین آن‌ها حک شده است. SRRها می‌توانند اثر الکتریکی کمتری را در پاسخ به یک میدان الکترومغناطیسی نوسانی ایجاد کنند. این تشدید کننده‌ها برای سنتز رسانه‌های دست-چپ و ضریب شکست منفی استفاده شده است، جایی که مقدار لازم نفوذپذیری مؤثر منفی به دلیل وجود SRRها است. هنگامی که آرایه‌ای از SRRهای الکتریکی کوچک با استفاده از یک میدان مغناطیسی متغیر با زمان برانگیخته می‌شوند، ساختار به عنوان یک محیط مؤثر با نفوذپذیری مؤثر منفی در یک نوار باریک بالاتر از رزونانس SRR رفتار می‌کند. SRRها همچنین برای سنتز خط انتقال فرامواد به خطوط انتقال مسطح جفت شده‌اند.
تقویت‌کننده تقسیم شونده حلقه‌ای یک طرح ریزساختاری است که توسط پندری و همکارانش در سال ۱۹۹۹ در مقاله‌ای به نام «مغناطیس از رساناها و پدیده‌های غیرخطی پیشرفته» ارائه شد. این طرح پیشنهاد کرد که تقویت‌کننده تقسیم شونده حلقه‌ای که از مواد غیر مغناطیسی ساخته شده است، می‌تواند فعالیت مغناطیسی غیرقابل مشاهده در مواد طبیعی را افزایش دهد. در طراحی ریزساختار ساده، مشخص شده است که در آرایه‌ای از سیلندرهای رسانا، با یک خارجی کاربردی  H_{0} میدان موازی با سیلندرها، نفوذپذیری مؤثر را می‌توان به صورت زیر نوشت. (این مدل بسیار محدود است و نفوذپذیری مؤثر نمی‌تواند کمتر از صفر یا بیشتر از یک باشد)
در این فرمول  \sigma  مقاومت سطح سیلندر در واحد سطح، a فاصله سیلندرها،  \omega  فرکانس زاویه ای،  \mu _{0} نفوذپذیری فضای آزاد و r شعاع است. علاوه بر این هنگامی که شکاف‌ها به یک طراحی سیلندر دوگانه مشابه تصویر بالا معرفی می‌شوند، مشخص شده است که شکاف‌ها یک ظرفیت خازنی ایجاد می‌کنند. این طراحی ریزساختار خازن و سلف، باعث رخ دادن پدیده تشدید می‌شود که اثر مغناطیسی را تقویت می‌کند. شکل جدید نفوذپذیری مؤثر شبیه یک پاسخ آشنا است که در مواد پلاسمونیک شناخته شده است.
در این فرمول d فاصله ورق‌های رسانای متحدالمرکز است. طرح نهایی جایگزین استوانه‌های متحدالمرکز دوتایی با یک جفت ورق هم‌مرکز مسطح C شکل است که در هر طرف یک سلول واحد قرار گرفته‌اند. سلول‌های واحد به طول l روی هم قرار می‌گیرند. درنهایت نفوذپذیری مؤثر در فرمول زیر نشان داده شده است:
در فرمول بالا c ضخامت ورق، c شکل و  \sigma  مقاومت واحد طول ورق‌ها هستند که در اطراف محیط اندازه‌گیری می‌شود.
مشخصات

تقویت‌کننده تقسیم شونده حلقه‌ای و متامتریال از دسته مواد مرکب محسوب می‌شوند. هر SRR یک پاسخ متناسب با میدان الکترومغناطیسی دارد. با این حال، ساختار دوره‌ای بسیاری از سلول‌های SRR به گونه‌ای است که موج الکترومغناطیسی به نحوی برهمکنش می‌کند که گویی جزو مواد همگن هستند. این شبیه به نحوه تعامل نور با مواد روزمره است. موادی مانند شیشه یا عدسی‌ها از اتم ساخته شده‌اند و یک اثر متوسط یا ماکروسکوپی تولید می‌کنند.
SRR برای تقلید از پاسخ مغناطیسی اتم‌ها در مقیاس بسیار بزرگ‌تر طراحی شده است. همچنین به‌عنوان بخشی از ساختار کامپوزیت دوره‌ای، SRR طوری طراحی شده است که جفت مغناطیسی قوی‌تری نسبت به آنچه در طبیعت یافت می‌شود، داشته باشد. مقیاس بزرگ‌تر امکان کنترل بیش‌تر بر پاسخ مغناطیسی را فراهم می‌کند، در حالی که هر واحد کوچک‌تر از موج الکترومغناطیسی تابشی است.
SRRها نسبت به مواد فرومغناطیسی موجود در طبیعت بسیار فعال‌ترهستند. پاسخ مغناطیسی برجسته در چنین مواد سبک‌وزن نسبت به مواد سنگین‌تر و طبیعی یک مزیت محسوب می‌شود. هر واحد را می‌توان طوری طراحی کرد که پاسخ مغناطیسی خاص خود را داشته باشد. پاسخ را می‌توان به صورت دلخواه افزایش یا کاهش داد. علاوه بر این در نهایت مصرف برق کاهش می‌یابد.
پیکربندی SRR

انواع تقویت‌کننده تقسیم شونده حلقه‌ای و ساختارهای تناوبی وجود دارد: حلقه‌های میله‌ای، حلقه‌های شکاف تو در تو، حلقه‌های تقسیم تک، حلقه‌های شکاف تغییر شکل یافته، حلقه‌های شکاف مارپیچی و ساختارهای S گسترده. تغییرات تقویت‌کننده تقسیم شونده حلقه‌ای به نتایج متفاوتی از جمله ساختارهای فرکانس کوچک‌تر و بالاتر دست یافته است.
در سال ۲۰۰۵ اشاره شد که از نظر فیزیکی، یک تشدید کننده حلقه تقسیم شونده دایره ای تو در تو باید شعاع داخلی ۳۰ تا ۴۰ نانومتر برای موفقیت در محدوده میانی طیف مرئی داشته باشد. تکنیک‌های میکروساخت و نانوساخت ممکن است بسته به وضوح مورد نظر از پرتو لیزر مستقیم یا لیتوگرافی پرتو الکترونی استفاده کنند.
پیکربندی SRR > شکل ظاهری

یک آرایه دوره‌ای از SRRها برای اولین نمایش یک شاخص منفی انکسار استفاده شد. برای این نمایش، SRRهای شکل داده شده مربع، با پیکربندی‌های سیم خطی، به یک ساختار سلولی دوره‌ای، آرایه شده تبدیل شدند. این ماده متامتریال است. سپس یک متامتریال متشکل از این ماده برش خورد. آزمایش منشور برای اولین بار یک شاخص منفی انکسار را در سال ۲۰۰۰ نشان داد؛ مقاله دربارهٔ این پدیده در تاریخ ۸ ژانویه ۲۰۰۱ به مجله علم ارسال شد، در تاریخ ۲۲ فوریه ۲۰۰۱ پذیرفته شد و در تاریخ ۶ آوریل ۲۰۰۱ منتشر شد.
قبل از این آزمایش منشور، پندری و همکاران نشان دادند که یک آرایه سه بعدی از سیم‌های نازک متقاطع می‌تواند برای ایجاد مقادیر منفی ε استفاده شود. در یک نمایش بعدی، یک آرایه تناوبی از تشدید کننده‌های حلقه‌ای مسی می‌تواند یک μ منفی مؤثر تولید کند. در سال ۲۰۰۰، اسمیت و همکاران برای اولین بار موفق شدند دو آرایه را ترکیب کنند و یک ماده به نام چپ-دست تولید کنند، که مقادیر منفی از ε و μ را برای یک باند از فرکانس‌ها در محدوده گیگاهرتز دارد.
برای اولین بار SRRها برای ساخت متامتریال‌های چپ‌دست برای محدوده مایکروویو و چند سال بعد برای محدوده تراهرتزاستفاده شدند. تا سال ۲۰۰۷، نمایش آزمایشی این ساختار در فرکانس‌های مایکروویو توسط گروه‌های متعددی به دست آمده است. همچنین SRRها برای تحقیق در متامتریال‌های صوتی استفاده شده‌اند. SRRهای آرایه شده و سیم‌های متامتریال چپ‌دست اول به لایه‌های متناوب تبدیل شدند.این مفهوم و روش سپس به مواد (دی‌الکتریک) با رزونانس‌های نوری که پذیرفتاری منفی مؤثر را برای فاصله‌های فرکانس خاص ایجاد می‌کند، اعمال شد و منجر به «فرکانس‌های باندگپ فوتونی» شد. یک تحلیل دیگر نشان داد که مواد چپ‌دست می‌توانند از مؤلفه‌های ناهمگن ساخته شوند، که با این حال منجر به یک ماده ماکروسکوپی همگن می‌شود. SRRها برای متمرکز کردن یک سیگنال از یک منبع نقطه‌ای استفاده شده‌اند، که فاصله انتقال برای موج‌های نزدیک به میدان را افزایش می‌دهد. تجزیه و تحلیل دیگری نشان داد که مواد چپ-دست باید از اجزای ناهمگن ساخته شوند، که در عین حال منجر به یک ماده همگن ماکروسکوپی می‌شود. SRRها برای فوکوس کردن سیگنال از یک منبع نقطه ای، افزایش فاصله انتقال امواج میدان نزدیک استفاده شده بودند. علاوه بر این، تجزیه و تحلیل دیگری نشان داد که SRRها با ضریب شکست منفی قادر به پاسخ مغناطیسی با فرکانس بالا هستند، که یک دستگاه مغناطیسی مصنوعی متشکل از مواد غیر مغناطیسی (برد مدار دی الکتریک) ایجاد کرد.
پدیده رزونانسی که در این سیستم رخ می‌دهد برای دستیابی به اثرات مطلوب نیاز است.
SRRها علاوه بر پاسخ مغناطیسی رزونانسی خود، پاسخ الکتریکی رزونانسی نیز نشان می‌دهند. وقتی پاسخ با آرایه‌ای از سیم‌های یکسان ترکیب می‌شود، بر روی کل ساختار مرکب میانگین گرفته می‌شود که منجر به ارزش‌های مؤثر می‌شود، از جمله شاخص شکست. منطق اصلی پشت SRRها به‌طور خاص، و فرامواد به‌طور کلی، ایجاد ساختاری بود که ساختار اتمی آرایه شده را فقط در مقیاس بسیار بزرگتر تقلید می‌کند.
پیکربندی SRR > انواع SRR

در تحقیقات مبتنی بر متامتریال‌ها، و به خصوص شاخص شکست منفی، انواع مختلفی از رزوناتورهای حلقه‌ای شکاف‌دار وجود دارد. در بیشتر موارد ذکر شده در زیر، هر حلقه یک شکاف دارد. به عبارت دیگر، با ساختار حلقه دوگانه، هر حلقه یک شکاف دارد.
ساختار حلقه‌ای شکاف‌دار ۱-بعدی وجود دارد که دارای دو حلقه مربعی است، یکی در داخل دیگری. یک مجموعه ابعاد «سلول واحد» اشاره شده، مربع بیرونی ۲٫۶۲ میلی‌متر و مربع داخلی ۰٫۲۵ میلی‌متر خواهد بود. ساختارهای ۱-بعدی مانند این نسبت به ساخت یک ساختار سخت ۲-بعدی، آسان‌تر برای ساخت هستند.
ساختار حلقه‌ای متقارن نیز یک مثال کلاسیک دیگر است. با توصیف این نامگذاری، این دو پیکربندی مربع مستطیلی نوع D هستند، دقیقاً همان اندازه، در حالت خمیده، کنار هم، در سلول واحد. همچنین این‌ها متمرکز نیستند. یک مجموعه ابعاد اشاره شده، ۲ میلی‌متر در طرف کوتاه‌تر، و ۳٫۱۲ میلی‌متر در طرف بلندتر است. شکاف‌ها در هر حلقه رو به روی یکدیگر هستند، در سلول واحد.
ساختار اُمگا، همان‌طور که نامگذاری توصیف می‌کند، یک ساختار حلقه‌ای به شکل Ω دارد. دو مورد از اینها، به جای صاف دراز کشیدن، در سلول واحد، به صورت عمودی، کنار هم ایستاده‌اند. در سال ۲۰۰۵ این ماده به عنوان نوع جدیدی از فراماده در نظر گرفته شد. یک مجموعه از ابعاد ذکر شده پارامترهای حلقوی R = ۱٫۴ میلی‌متر و r = ۱ میلی‌متر، و لبه مستقیم ۳٫۳۳ میلی‌متر است.
یک متامتریال دیگر جدید در سال ۲۰۰۵، ساختار S-شکلی متصل بود. دو ساختار S-شکلی عمودی، کنار هم، در یک سلول واحد وجود دارد. هیچ شکافی مانند ساختار حلقه وجود ندارد؛ با این حال، فضایی بین بخش بالا و میانی S و فضایی بین بخش میانی و پایینی S وجود دارد. علاوه بر این، هنوز هم ویژگی‌های داشتن فرکانس پلاسما الکتریکی و فرکانس رزونانسی مغناطیسی را دارد.
پژوهش

در ۱ می ۲۰۰۰، تحقیقی منتشر شد دربارهٔ یک آزمایش که در آن سیم‌های رسانا به‌طور متقارن در هر سلول از آرایه رزوناتور حلقه‌ای شکاف‌دار قرار گرفته بود. این کار به‌طور مؤثری توانست نفوذپذیری منفی و ثابت الکتریکی منفی را برای موج‌های الکترومغناطیسی در مایکروویو به‌دست‌آورد. این مفهوم همچنان برای ساخت عناصر تعاملی کوچکتر از تابش الکترومغناطیسی اعمال شده استفاده می‌شود. علاوه بر این، فاصله بین رزوناتورها بسیار کوچکتر از طول موج تابش اعمال شده است.
علاوه بر این، شکاف‌های موجود در حلقه به واحد SRR اجازه می‌دهد تا در طول موج‌هایی بسیار بزرگتر از قطر حلقه به رزونانس برسد. این واحد برای تولید ظرفیت بزرگ، کاهش فرکانس تشدید و تمرکز میدان الکتریکی طراحی شده است. ترکیب واحدها یک طرح را به عنوان یک رسانه دوره ای ایجاد می‌کند. علاوه بر این، ساختار چند واحدی دارای جفت مغناطیسی قوی با تلفات تابشی کم است. تحقیقات همچنین تغییرات در تشدید مغناطیسی را برای پیکربندی‌های مختلف SRR پوشش داده است. تحقیقات در مورد تشعشعات تراهرتز با SRRها ادامه یافته است سایر کارهای مرتبط با پیکربندی‌های فراماده با ساختارهای فراکتال و غیر SRR را می‌توان با موادی مانند ساختارهای حلقه ای متحدالمرکز ساخت. نفوذپذیری تنها برای طول موج قرمز در ۷۸۰ نانومتر و همراه با سایر کارهای مرتبط مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفته است.
رسانه‌ها

Ates, Damla; Cakmak, Atilla Ozgur; Colak, Evrim; Zhao, Rongkuo; Soukoulis, C. M.; Ozbay, Ekmel (2010). "Transmission enhancement through deep subwavelength apertures using connected split ring resonators" (Free PDF download). Optics Express. 18 (4): 3952–66. Bibcode:2010OExpr..18.3952A. doi:10.1364/OE.18.003952. PMID 20389408.
Shepard, K. W. et al. Split-ring resonator for the Argonne Superconducting Heavy Ion Booster. IEEE Transactions on Nuclear Science, VoL. NS-24, N0.3, JUN 1977.
Transformation optics: https://en.wikipedia.org/wiki/Transformation_optics
Metamaterial absorber: https://en.wikipedia.org/wiki/Metamaterial_absorber
مشارکت‌کنندگان ویکی‌پدیا. «Split-ring resonator». در دانشنامهٔ ویکی‌پدیای انگلیسی، بازبینی‌شده در ۱۴ آوریل ۲۰۲۴.
تشدید کننده حلقه شکاف. توجه کنید جریانی که با حرف کوچک "i" مشخص می‌شود در جهت حرکت عقربه ساعت است.
یک آرایه تقویت‌کننده تقسیم شونده حلقه‌ای به عنوان ماده ای پیکربندی است که ضریب شکست منفی تولید می‌کند. این دستگاه از تشدید کننده‌های حلقه‌ای مسی و سیم‌هایی که بر روی صفحات مداربسته فایبرگلاس نصب شده بودند، ساخته شد. کل آرایه از سلول‌های ۳ در ۲۰×۲۰ واحد با ابعاد کلی ۱۰۰×۱۰۰×۱۰ میلی‌متر تشکیل شده است.
فرودگاه پییشتانی

فرودگاه پییشتانی (به انگلیسی: Piešťany Airport) (به زبان بومی: Letisko Piešťany) یک فرودگاه همگانی با کد یاتا PZY است که یک باند فرود آسفالت دارد و طول باند آن ۲۰۰۰ متر است. این فرودگاه در کشور اسلواکی قرار دارد و در ارتفاع ۱۶۶ متری از سطح دریا واقع شده است.
فرودگاه چارتر تاور

فرودگاه چارتر تاور (به انگلیسی: Charters Towers Airport) یک فرودگاه با کد یاتا CXT است . این فرودگاه در کشور کانادا قرار دارد .
فرودگاه سلطان بنتیلان

فرودگاه سلطان بنتیلان (به انگلیسی: Sultan Bantilan Airport) یک فرودگاه همگانی با کد یاتا TLI است که یک باند فرود آسفالت دارد و طول باند آن ۹۰۰ متر است. این فرودگاه در کشور اندونزی قرار دارد و در ارتفاع ۲ متری از سطح دریا واقع شده‌است.
شرکت‌های هواپیمایی و مقصدهای پروازی

| شرکت‌های هواپیمایی | مقصدهای پروازی |
| --- | --- |
اکسپرس‌ایر :  بوول، موتیارا، سلطان حسن‌الدین 
Kalstar Aviation :  موتیارا 
SMAC :  بوول، موتیارا 
وینگز ایر :  موتیارا