stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
قلعه والی
ویژگی‌های معماری قلعه والی

اکثر اتاق‌های قلعه تبادل داخلی داشته و تودرتو بنا شده‌اند، قلعه دارای ۲۰ اتاق بزرگ، پنج اتاق کوچک، چهار ایوان و دو تراس کوچک در ضلع جنوبی است. ضلع شرقی و غربی قلعه کاملاً با هم قرینه بوده و با کف حیاط اختلاف ارتفاعی حدود ۸۰ سانتیمتر دارند و با چهار پله سنگی با کف اتاق‌ها و ایوان‌ها ارتباط دارند. قلعه با سه راه پله با چرخشی ۹۰درجه به پشت بام متصل می‌شود. قلعه دو برج نگهبانی به صورت نیم دایره در راس ضلع شمال شرقی و شمال غربی دارد و اطراف آن کنگره‌هایی جهت قرار گرفتن نگهبان‌ها برای دیده‌بانی وجود دارد.
در داخل راهروها محلهایی به صورت طاق نما در دیوار احداث گردیده که محل استقرار نگهبانان بوده‌است. در راهرو مدخل ورودی ضلع شرقی، همچنین داخل اتاق شاه‌نشین و قسمت ورودی نگهبانی، سقف‌ها با کاشی‌های رنگی کار بندی و به وسیله گچبری‌های زیبایی تزیین شده‌اند در این قلعه شش زیر زمین در سه ضلع شمال، غرب و شرق وجود داردکه ارتفاع آن‌ها تا زیر سقف دو متر است و روشنایی آن‌ها به وسیله پنجره‌های مشبک آجری و رنگی از داخل حیاط تأمین می‌گردد. عمده مصالح به کار رفته شده در ساختمان قلعه آجر و در مواردی از سنگ بوده‌است همانند کرسی چینی قلعه، دیوارهای حائل در ضلع جنوبی و استفاده از سنگ نما در ازاره داخل حیاط. در بازسازی قلعه در سقف‌ها و قوس ه، از ملات گچ، و در دیواره‌ها و زیر آجر فرش‌ها از گل و آهک و در مواردی از ملات ماسه و سیمان استفاده شده‌است.
قلعه مذکور سه در ورودی در سه ضلع جنوب شرق و غرب دارد. ورودی اصلی قلعه در ضلع جنوبی قرار گرفته که با ۱۱ پله۲۰ سانتیمتری به داخل اتاق نگهبانی و سپس با هشت پله دیگر به کف حیاط مرتبط می‌شود. ورودی قلعه به سبک یونانی بنا شده بود. دیگر درهای قلعه به صورت خصوصی بوده یا برای تردد مهمان‌ها احداث شده‌اند که با راهروهایی سرپوشیده به داخل حیاط قلعه مرتبط می‌شوند، در منتهی‌الیه درب‌ها دو هشتی وجود دارد که نور تعدادی از اتاق‌ها از آنجا تأمین می‌شود این هشتی‌ها که در داخل یکی از آن‌ها حوض کوچکی وجود دارد به هشت ضلع تقسیم می‌شوند. شکستگی در آجرها و اجرای طاق نماهایی در دیوار، اجرای انواع قوس بر سرنعل درگاه‌ها و تزئینات آجری بالای آن‌ها زیبایی خاصی به هشتی‌ها داده‌است.
آینه کاری در سقف اتاق‌ها معمول بوده که بقایایی از آن در یکی از اتاق‌های ضلع غربی که به نحو بسیار زیبای اجرا گردیده بر جای مانده‌است. گچبری بر روی دیوارها و سقف اتاق شاه‌نشین به صورت نقوشی از گل و گیاه اجرا گردیده‌است. سنگ نمای بیرونی دیوار از سنگ‌های تراشیده شده مستطیلی شکل است که حالت برجسته نقش‌های اسلیمی مختلف آن، در نمای دیوار بکار رفته شده‌است. (برگرفته از نگاهی به ایلام- ایرج افشار سیستانی).
نمایی از درب یکی از اتاق‌های قلعه والی ایلام
نمایی از حیاط قلعه
اوبالدو کروش

| اطلاعات شخصی | اطلاعات شخصی | اطلاعات شخصی | اطلاعات شخصی |
| --- | --- | --- | --- |
زادروز:  ۲۵ مهٔ ۱۹۲۰
زادگاه:  مونته‌ویدئو
تاریخ مرگ:  ۱۹۸۸ (۶۸ سال)
محل مرگ:  آتن
اوبالدو کروش (اسپانیایی: Ubaldo Cruche‎; ۲۵ مهٔ ۱۹۲۰ – ۱۹۸۸) بازیکن فوتبال اهل اروگوئه بود.
باشگاهی

از باشگاه‌هایی که در آن بازی کرده‌است می‌توان به باشگاه فوتبال پنیارول و باشگاه فوتبال اونیورسیداد شیلی اشاره کرد.
عزیزجان غنی‌اف

| اطلاعات شخصی | اطلاعات شخصی | اطلاعات شخصی | اطلاعات شخصی |
| --- | --- | --- | --- |
نام کامل:  عزیزجان غنی‌اف
زادروز:  ۲۲ فوریهٔ ۱۹۹۸ ‏(۲۶ سال)
زادگاه:  ازبکستان
پست:  هافبک
اطلاعات باشگاهی: اطلاعات باشگاهی
باشگاه کنونی:  نسف قرشی
شمارهٔ پیراهن:  ۶
باشگاه‌های حرفه‌ای*: باشگاه‌های حرفه‌ای*
| سال‌ها |  باشگاه‌ها |  بازی† |  (گل)† |
| ۲۰۱۴– |  نسف قرشی |  ۵۴ |  (۲) |
تیم ملی‡: تیم ملی‡
| ۲۰۱۶ |  زیر ۱۹ سال ازبکستان |  ۳ |  (۰) |
| ۲۰۱۸– |  زیر ۲۳ سال ازبکستان |  ۰ |  (۰) |
| ۲۰۱۷– |  ازبکستان |  ۳ |  (۰) |
 تعداد بازی‌ها و گل‌ها فقط مربوط به بازی‌های لیگ داخلی است و آمار به روز شده در تاریخ ۵ ژانویه ۲۰۱۸.   ‡ آمار بازی‌ها و گل‌های ملی به‌روز شده در تاریخ ۲۵ ژوئیه ۲۰۱۹:  تعداد بازی‌ها و گل‌ها فقط مربوط به بازی‌های لیگ داخلی است و آمار به روز شده در تاریخ ۵ ژانویه ۲۰۱۸.   ‡ آمار بازی‌ها و گل‌های ملی به‌روز شده در تاریخ ۲۵ ژوئیه ۲۰۱۹
عزیزجان غنی‌اف (انگلیسی: Azizjon Ganiev؛ زادهٔ ۲۲ فوریهٔ ۱۹۹۸) بازیکن فوتبال اهل ازبکستان است.
از باشگاه‌هایی که در آن بازی کرده‌است می‌توان به باشگاه فوتبال نسف قرشی اشاره کرد.
وی همچنین در تیم‌های ملی فوتبال زیر ۲۳ سال ازبکستان و ازبکستان بازی کرده‌است.
بلوف (فیلم ۲۰۲۵)

| بلوف | بلوف |
| --- | --- |
کارگردان: فرانک ای. فلاورز
تهیه‌کننده: برادران روسو پریانکا چوپرا
نویسنده: فرانک ای. فلاورز   جو بالارینی
بازیگران: پریانکا چوپرا کارل اربن
فیلم‌بردار: گرگ بالدی
شرکت‌های تولید: ای‌جی‌بی‌او
توزیع‌کننده: آمازون ام‌جی‌ام استودیوز
تاریخ‌های انتشار: ۲۰۲۵
کشور: آمریکا
زبان: انگلیسی 
بلوف (به انگلیسی: The Bluff) یک فیلم اکشن و درام تاریخی آمریکایی آماده اکران به نویسندگی مشترک فرانک ای. فلاورز و جو بالارینی است که فلاورز نیز کارگردانی را بر عهده دارد. پریانکا چوپرا، کارل اربن، اسماعیل کروز کوردووا، سافیا اوکلی-گرین و ودانتن نایدو در این فیلم به ایفای نقش پرداخته‌اند.
داستان

در قرن نوزدهم در دریای کارائیب، یک زن دزد دریایی سابق (چوپرا) باید از خانواده‌اش محافظت کند که گذشته‌اش به او برسد.
ساخت

تصویربرداری اصلی در ژوئن ۲۰۲۴ در استرالیا آغاز شد و در اوایل اوت ۲۰۲۴ به پایان رسید.
فانتوم (فیلم ۲۰۲۳)

| فانتوم | فانتوم |
| --- | --- |
پوستر فیلم: پوستر فیلم
هانگول: 유령
لاتین‌نویسی اصلاح‌شده: Yuryeong
 :  
کارگردان: لی هه-یونگ
فیلمنامه‌نویس: لی هه-یونگ
بر پایه: صدای باد اثر مای جیا
بازیگران:  سول کیونگ گو  لی هانی  پارک سو دام  پارک هه سو  سو هیون وو 
شرکت تولید: د لمپ
توزیع‌کننده: سی‌جی انترتینمنت
تاریخ‌های انتشار:  ۱۸ ژانویه ۲۰۲۳ (۲۰۲۳-01-۱۸)  
مدت زمان: ۱۳۳ دقیقه
کشور: کره جنوبی
زبان: کره‌ای ژاپنی
فروش گیشه: ۵٫۲ میلیون دلار آمریکا
فانتوم (انگلیسی: Phantom; کره‌ای: 유령) یک فیلم جاسوسی اکشن محصول سال ۲۰۲۳ کره جنوبی بر پایهٔ رمان سال ۲۰۰۷ از مای جیا به نام فنگ شنگ است. این فیلم به کارگردانی لی هه-یونگ و با بازی سول کیونگ گو، لی هانی، پارک سو دام، پارک هه سو و سو هیون وو است. فانتوم در ۱۸ ژانویه ۲۰۲۳ منتشر شد.
بازیگران > اصلی

سول کیونگ گو در نقش جونجی موریاما
لی هانی در نقش پارک چا کیونگ
پارک سو دام در نقش یوریکو
پارک هه سو در نقش کایتو
سو هیون وو در نقش چونگ گه جانگ
قلعه جوق ۱

| قلعه جوق ۱ | قلعه جوق ۱ |
| --- | --- |
نام: قلعه جوق ۱
کشور: ایران
استان: استان زنجان
شهرستان: شهرستان ماهنشان
اطلاعات اثر: اطلاعات اثر
کاربری: قلعه
دیرینگی: دوران‌های تاریخی پس از اسلام
دورهٔ ساخت اثر: دوران‌های تاریخی پس از اسلام
اطلاعات ثبتی: اطلاعات ثبتی
شمارهٔ ثبت: ۲۵۳۳۴
تاریخ ثبت ملی: ۱۸ اسفند ۱۳۸۷
بقایای قلعه جوق ۱ مربوط به سده‌های میانه دوران‌های تاریخی پس از اسلام است و در شهرستان ماهنشان، بخش انگوران، دهستان انگوران، جنوب روستای قلعه جوق، ۵۰ متری قبرستان واقع شده و این اثر در تاریخ ۱۸ اسفند ۱۳۸۷ با شمارهٔ ثبت ۲۵۳۳۴ به‌عنوان یکی از آثار ملی ایران به ثبت رسیده است.
اثرانگشت کلید عمومی

در رمزنگاری کلید عمومی، منظور از اثرانگشت کلید عمومی دنباله‌ای کوتاه از بایت‌ها می‌باشد که برای تصدیق یا جستجوی کلید عمومی طولانی تر استفاده می‌شود. اثرانگشت‌ها با اعمال یک تابع درهم‌ساز رمزنگارانه بر روی یک کلید عمومی ایجاد می‌گردند. از آنجا که اثر انگشت‌ها نسبت به کلیدهای مربوط کوتاه‌تر هستند، می‌توان از آن‌ها به منظور ساده سازی برخی وظایف مدیریت کلید استفاده نمود.
ایجاد اثرانگشتهای کلید عمومی

معمولاً یک اثرانگشت کلید عمومی با استفاده از گام‌های زیر ایجاد می‌شود:
یک کلید عمومی (به همراه داده‌های اضافی) به دنباله ایی از بایت‌ها رمز می‌شوند. برای اطمینان از اینکه چنین اثر انگشتی را می‌توان در آینده دوباره ایجاد نمود، عملیات رمزگذاری باید قطعی بوده و هرگونه داده اضافی باید در کنار کلید عمومی تبادل و ذخیره گردد. داده اضافی معمولاً اطلاعاتی است که هر فرد استفاده‌کننده از کلید عمومی باید از آن آگاه باشد. مثال‌هایی از داده اضافی عبارتند از: کلید عمومی باید به همراه کدام نسخه پروتکل مورد استفاده قرار گیرد (در خصوص اثرانگشتهای PGP)؛ و نام نگهدارنده کلید (در خصوص اثرانگشتهای دارای پیوند اطمینان X.509، در جایی که داده اضافی شامل یک X.509 SSC می‌باشد).
داده تولید شده از مرحله قبل با استفاده از تابع درهم ساز کریپتوگرافیک مانند MD5 یا SHA-1 درهم‌سازی می‌شود.
در صورت تمایل، خروجی تابع درهم ساز می‌تواند اثرانگشت کوتاه‌تر و مناسب تر مهیا نماید.
این فرایند یک اثرانگشت کوتاه ایجاد می‌کند که می‌توان از آن برای تصدیق کلید عمومی طولانی تر استفاده کرد. به عنوان مثال، یک کلید عمومی RSA شامل ۱۰۲۴ بیت یا بیشتر می‌باشد، اما اندازه اثرانگشتهای MD5 یا SHA-1 تنها ۱۲۸ یا ۱۶۰ بیت است. برای خوانایی بیشتر، اثر انگشتها معمولاً به صورت رشته‌های هگزا نمایش داده می‌شوند. به عنوان مثال، یک اثرانگشت ۱۲۸ بیتی MD5 برای پوسته امن به صورت زیر نمایش داده می‌شود:
43:51:43:a1:b5:fc:8b:b7:0a:3a:a9:b1:0f:66:73:a8
این کد می‌تواند توسط دستور زیر تولید گردد:
ssh-keygen -lf /path/to/key.pub
استفاده از اثرانگشت برای تصدیق کلید

هنگامی که یک کلید عمومی از کانالی نامطمئن مانند اینترنت دریافت می‌گردد، معمولاً پذیرنده خواهان احراز اصالت آن کلید می‌باشد. از آنجایی که اثر انگشتها به دلیل اندازه کوچک خود اجازه عبور از کانالهای مطمئن را دارا می‌باشند، می‌توانند به انجام این کار (احراز اصالت) کمک کنند.
به عنوان مثال، اگر آلیس بخواهد کلید عمومی متعلق به باب را تصدیق نماید، می‌تواند به صورت فیزیکی یا تلفنی از او بخواهد اثرانگشت را برایش خوانده یا برگه ایی شامل اثرانگشت نوشته شده را به او بدهد. سپس آلیس می‌تواند اثرانگشت مطمئن بدست آورده از باب را با اثرانگشت کلید عمومی مطابقت دهد.
اثرانگشت در هنگام خودکارسازی تبادل و ذخیره داده احراز اصالت کلید نیز می‌تواند مفید واقع گردد. به عنوان مثال، اگر داده احراز اصالت نیاز به انتقال توسط یک پروتکل یا ذخیره‌سازی در پایگاه داده‌ها را داشته باشد اما اندازه کلید عمومی دردسر ساز واقع گردد، استفاده از اثرانگشت راه حل خوبی خواهد بود.
علاوه بر این، اثرانگشت‌ها می‌توانند جهت اطمینان از اینکه کلید عمومی دانلود شده توسط کاربر قابل رویت برای دیگر موتورهای جستجو باشد، توسط موتورهای جستجو مورد پرس و جو قرار گیرند. اگر موتور جستجو پاسخ‌هایی را برگرداند که به اثرانگشت لینک شده به وب سایتهای مناسب اشاره داشته باشد، کاربر می‌تواند از قرار نگرفتن در مقابل حملاتی مانند حمله مرد میانی بیشتر مطمئن شود.
PGP فهرست واژگان PGP را برای ایجاد سهولت در تبادل اثرانگشتهای کلید عمومی بر روی کانال‌های صوتی را توسعه داد.
اثرانگشت کلید داده در عمل

در سیستم‌هایی مانند SSH، برای احراز اصالت کلید، کاربران می‌توانند به صورتی دستی اثرانگشت را مبادله و بررسی نمایند. اگر کاربری یک بار اثرانگشت کاربر دیگر را قبول کند، آن اثرانگشت ذخیره شده و ارتباطات بعدی با آن کاربر به صورت خودکار تصدیق می‌شود.
در سیستم‌هایی مانند PKI مبتنی بر X.509، اصولاً اثرانگشت به منظور احراز اصالت کلیدهای سطح اصلی استفاده می‌گردند. کلیدهای سطح اصلی (ریشه) گواهینامه‌هایی را صادر می‌کنند که برای احراز اصالت کلیدهای کاربران می‌توانند مورد استفاده قرار گیرد. چنین کاربردی از گواهینامه‌ها، لزوم بررسی دستی اثرانگشت در میان کاربران را از بین می‌برد.
در سیستم‌هایی مانند PGP یا Groove، اثرانگشت می‌تواند به هر دو روش گفته شده در بالا مورد استفاده قرار گیرد.
در سیستم‌هایی مانند CGA، CFS یا اکثر شبکه‌های نظیر به نظیر، اثرانگشت در درون آدرس موجود از قبل جایگذاری می‌شود (مانند آدرسهای IPv6. اگر آدرس‌ها از میان کانالهای مورد اعتماد مبادله شده باشند، اثرانگشت‌ها نیز می‌توانند از آن‌ها استفاده نمایند).
امنیت اثرانگشت کلید عمومی

مهمترین تهدید برای امنیت اثرانگشت حمله پیش‌نقش می‌باشد. در این نوع حمله، مهاجم اقدام به ساختن یک جفت کلید می‌نماید که اثرانگشت به دست آمده از درهم سازی آن با اثرانگشت قربانی مطابقت می‌کند.
تهدید بعدی برای برخی سیستم‌ها حمله تصادم می‌باشد که در آن مهاجم چندین جفت کلید برای ساخت اثرانگشت‌های خود ایجاد می‌کند. این کار به مهاجم اجازه می‌دهد امضاهای ایجاد شده را رد کند.
برای جلوگیری از حمله پیش نقش، تابع درهم ساز استفاده شونده برای تولید اثرانگشت باید قابلیت مقاومت در برابر پیش نقش دوم را داشته باشد. اگر حملات تصادم یک تهدید هستند، این تابع باید قابلیت مقاومت در برابر تصادم را نیز دارا باشد. اگرچه به دلایل ذکر شده در بخش‌های قبلی کوتاه کردن اثرانگشت قابل قبول است، اما این دنباله باید برای مقابله با حملات جستجوی جامع به اندازه کافی طولانی باشد.
در عمل، اکثر اثرانگشت‌هایی که امروزه مورد استفاده قرار می‌گیرد از درهم سازهای MD5 و SHA-1 استفاده می‌کنند. از سال ۲۰۰۶، حملات تصادم توسط MD5 و SHA-1 قابل تشخیص می‌باشند. به دلیل مقاوم نبودن این درهم سازها در برابر حمله پیش نقش، در آینده استفاده از توابع درهم ساز جدیدتری مانند SHA-256 بیشتر خواهد شد.
در مواردی که به دلیل هزینه مجبور به استفاده از کوتاه‌ترین اثرانگشت ممکن هستیم، تکنیک‌هایی مانند توسعه درهم ساز منجر به افزایش امنیت اثرانگشت می‌شود.
نیم‌رسانای دو بعدی

نیمه رساناهای دوبعدی، دسته ای از نیم‌رسانا‌های طبیعی هستند که ضخامت آنها در مقیاس اتمی می‌باشد. اولین عضو این خانواده که در سال ۲۰۰۴ میلادی توسط آندره گایم و کنستانتین نووسلف کشف گردید، گرافین نام دارد. این ماده، ساختاری تک لایه از اتم‌های کربن است که دارای آرایش لانه زنبوری (شش ضلعی منتظم) می‌باشند. علت توجه فراوان به این مواد از اینروست که این نیم‌رساناها از اتصالات پیزوالکتریک(اثر فشاربرقی) قوی تری نسبت به مواد در حالت بالک برخوردارند که آنها را به گزینه ای مناسب جهت استفاده در اجزای نانو الکترونیک برای کاربرد در حسگرهاو اکتیویتورها تبدیل می‌کند. در این حوزه پرکاربرد در فیزیک حالت جامد، در حال حاضر بیشتر تحقیقات بر روی طراحی ادوات نانو الکترونیک با استفاده از گرافن به عنوان ماده ای رسانای الکتریکی، نیترید بور هگزاگونال (hBN) به عنوان عایق الکتریکی و دی کالکوژنیدهای فلزات انتقالی به عنوان نیم‌رسانا متمرکز است.
مواد > گرافن

دو سطح گرافن، ورقه‌های منفرد از اتمهای کربن است که در یک شبکه شش ضلعی لانه زنبوری قرار گرفته‌اند. به علت داشتن تنها دو سطح و نداشتن حجم، گرافن نازکترین ماده ممکن است، اما به دلیل پیوندهای اوربیتالی پی و سیگما، ۵ برابر از فولاد مستحکم تر است. گرافن از تحرک الکترونی و هدایت حرارتی بالایی برخوردار است. اگرچه می‌توان از گرافن در کاربردهای مختلف استفاده کرد، اما یک مشکل در مورد گرافن عدم وجود شکاف انرژی در آن است که به خصوص در مورد ادوات الکترونیکی دیجیتال مشکل ایجاد می‌کند، زیرا قادر به خاموش کردن ترانزیستورهای اثر میدانی(FET) نیست. نانوورقه‌های سایر عناصر گروه چهار اصلی جدول تناوبی (Si,Ge,Sn) خواص ساختاری و الکترونیکی مشابه گرافن را از خود نشان می‌دهند.
مواد > نیترید بور هگزاگونال(hBN)

نیترید بور هگزاگونال (h-BN)، که به عنوان «گرافن سفید» نیز شناخته می‌شود، از نظر ساختاری شبیه گرافیت است و به جای کربن، دارای آرایش لانه زنبوری با اتم‌های بور و نیتروژن به‌صورت متناوب است.h-BN دارای شکاف انرژی بالاتری (۵/۹۷ الکترون ولت) نسبت به گرافن است، بنابراین به جای اینکه رفتاری مشابه یک شبه فلز داشته باشد، به عنوان یک عایق عمل می‌کند. با این وجود، به دلیل داشتن لبه‌های تیز و زیگزاگی و وجود جای خالی‌های اتمی، می‌تواند به عنوان نیم رسانا با قابلیت رسانایی بهبود یافته عمل کند.h-BN به دلیل عایق بودن آن، اغلب به عنوان بستر و سد حفاظتی استفاده می‌شود. علاوه بر این، h-BN دارای هدایت حرارتی و مقاومت مکانیکی بالایی است؛ بنابراین می‌توان به دلیل داشتن پایداری شیمیایی و حرارتی، در برابر اسیدها و بازها و هدایت حرارتی بالا، به عنوان نگه دارنده درکاتالیزورهای فلزی از آن استفاده کرد.
مواد > دی کالکوژنیدهای فلزات انتقالی

دی کالکوژنیدهای فلزات انتقالی (TMDCs) یک گروه از مواد دو بعدی هستند، که دارای فرمول شیمیایی MX2 هستند. در اینجا M نمایانگر فلزات انتقالی از گروه‌های چهار، پنج و شش فرعی جدول تناوبی است و X نمایانگر یک کالکوژن مانند گوگرد، سلنیوم یا تلوریم است.MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2 نمونه‌هایی از دی کالکوژنیدهای فلزات انتقالی هستند.TMDCها دارای ساختار لایه ای از اتم‌های فلزی بین دو صفحه از اتم‌های کلکوژن هستند که در شکل ۱ نشان داده شده‌است. پیوندهای اتمی موجود در هر لایه قوی است، اما در بین لایه‌ها ضعیف است؛ بنابراین، TMDCها را می‌توان به راحتی با استفاده از روشهای مختلف به لایه‌هایی نازک در مقیاس اتمی تبدیل کرد.TMDCها ویژگیهای نوری و الکتریکی وابسته به لایه را از خود نشان می‌دهند. هنگامی که به صورت تک لایه‌ها در می‌آیند، شکافهای انرژی در چند نمونه از TMDC از غیر مستقیم به مستقیم (گاف انرژی مستقیم و غیرمستقیم) تغییر می‌کنند، که منجر به کاربردهای گسترده‌ای در نانوالکترونیک و الکترونیک نوری می‌شود.
روش‌های سنتز

مواد نیم رسانای دو بعدی اغلب با استفاده از روش رسوب شیمیایی از فاز بخار (CVD) سنتز می‌شوند. بدین علت که CVD می‌تواند لایه ای با سطح ویژه بالا، با کیفیت خوب و قابلیت رشد کنترل شده از مواد را فراهم کند. همچنین می‌تواند سنتز اتصالات ناهمگن دو بعدی را انجام دهد. هنگامی که قطعه ای با انباشتن لایه‌های دو بعدی بر روی هم ساخته می‌شود، اغلب از روش لایه برداری مکانیکی و به دنبال آن انتقال استفاده می‌شود. سایر روش‌های سنتز شامل لایه برداری شیمیایی، سنتز هیدروترمال و تجزیه حرارتی است.
کاربردهای عملی

برخی از کاربردهای عملی شامل دستگاه‌های الکترونیکی، ادوات نوری و ذخیره‌سازی انرژی و بسترهای قابل انعطاف و شفاف است.
کاربردهای عملی > ادوات الکترونیکی

نیم رساناهای دوبعدی می‌توانند به عنوان ترانزیستور در ادوات الکترونیکی دیجیتال استفاده شوند. بارهای ناخالص موجود در فصل مشترک‌هایی که عاری از پیوندهای آزاد هستند، به نیم رساناهای دو بعدی امکان استفاده در دستگاه‌های کم مصرف را می‌دهند. اتصال نیم رساناهای دوبعدی به دلیل توانایی آن‌ها در بهینه‌سازی و تنظیم انتقال حرارتی، در آینده دارای پتانسیل زیادی جهت توسعه مدارهای نانو است.
کاربردهای عملی > ادوات ذخیره‌سازی و تبدیل انرژی

نیم رساناهای دوبعدی پتانسیل استفاده در تبدیل انرژی خورشیدی را دارند. ساختار نازک اتمی امکان کاهش سرعت نوترکیبی حامل‌های بار را فراهم می‌کند، که منجر به هدایت بهتر جریان الکتریکی ایجاد شده در اثر تابش نور می‌شود.
کاربردهای عملی > زیرلایه‌های انعطاف‌پذیر و شفاف

از لایه نازک مواد دوبعدی می‌توان در ابزارهای الکترونیکی انعطاف‌پذیر استفاده کرد. به‌طور خاص، MoS2 دوبعدی به دلیل انعطاف‌پذیری صفحات، پیوندهای کووالانسی قوی و خصوصیات الکترونیکی متنوع، می‌تواند برای ایجاد نمایشگرهای نازک و ادوات الکترونیکی پوشیدنی مورد استفاده قرار گیرد.
ساختار لانه زنبوری گرافن و زیر شبکه‌های مثلثی آن
رسانش در گرافن از طریق هیبریداسون اوربیتالهای پی
ساختار لایه ای دی سولفید مولیبدن شبیه‌سازی شده با نرم‌افزار VESTA
ترانزیستورهای اثر میدانی از جنس گرافن که به روش رسوب دهی شیمیایی از فاز بخار بر روی یک تراشه گرافنی نشانده شده‌اند
لارن گوتلیب

| لارن گوتلیب | لارن گوتلیب |
| --- | --- |
 :  
زمینه فعالیت: سینما
تولد: ۸ ژوئن ۱۹۸۸ ‏(۳۶ سال)  اسکاتسدیل، آریزونا، آمریکا
ملیت:  ایالات متحده آمریکا
پیشه: بازیگر، رقصنده
سال‌های فعالیت: ۲۰۰۵-حال
صفحه در وبگاه IMDb: صفحه در وبگاه IMDb
لارن گوتلیب (به انگلیسی: Lauren Gottlieb) (زاده ۸ ژوئن ۱۹۸۸) بازیگر، رقصنده آمریکایی است.
از فیلم‌هایی که وی در آن نقش داشته‌است می‌توان به ای‌بی‌سی‌دی، ای‌بی‌سی‌دی ۲، آمبارساریا و کارآگاه بایومکش باکشی اشاره کرد.
دهستان میرشمس‌الدین

| اطلاعات کلی | اطلاعات کلی |
| --- | --- |
کشور:  ایران
استان: مازندران
شهرستان: تنکابن
بخش: مرکزی
جمعیت: ۸٫۷۳۶ نفر در سال ۱۳۹۵
ارتفاع مرکز از سطح دریا: ۲۰- متر
پیش‌شمارهٔتلفنی مرکز: ۰۱۱
دهستان میر شمس الدین، دهستانی است از توابع بخش مرکزی شهرستان تنکابن در استان مازندران کشور ایران.
جمعیت

بر اساس سرشماری مرکز آمار ایران در سال ۱۳۹۵ جمعیت آن ۸٫۷۳۶ نفر (۲۸۴۹ خانوار) بوده‌است.
آبادی‌ها

ولی آباد
حاجی‌آباد
میر شمس الدین
اسلام‌آباد
باغ نظر
امین آباد
آبکوله سر کوچک
شیرج محله کوچک
لاوا اینترنشنال

| 0 | 1 |
| --- | --- |
نوع: شرکت خصوصی محدود
ISIN: INE745X01014
صنعت:  مخابرات  لوازم برقی  سخت‌افزار رایانه  تلفن هوشمند  تلفن همراه ساده 
بنا نهاده: ۲۰۰۹؛ ۱۵ سال پیش (۲۰۰۹-خطا: زمان نامعتبر}})
بنیانگذاران:  Hari Om Rai  Sunil Bhalla  Shailendra Nath Rai  Vishal Sehgal 
دفتر مرکزی: نویدا، اوتار پرادش، هند
محدودهٔ فعالیت: جهانی
محصولات:  تلفن همراه  لپ‌تاپ  تبلت  تلفن هوشمند  نسل سوم شبکه تلفن همراه 
خدمات:  تلفن همراه  لوازم برقی 
درآمد:  ۵٬۴۰۰ crore ({{INRConvert/خطای عبارت: نویسه نقطه‌گذاری شناخته نشده «۱»|5400|7||USD|year={{{year}}}}}) (2018)
تعداد کارکنان: 10,000+ (2019)
شرکت‌های وابسته: شرکت زولو
وبگاه: www.lavamobiles.com
لاوا اینترنشنال ، یک شرکت الکترونیکی چند ملیتی هندی است که در زمینه تلفن های هوشمند، لپ تاپ ها، لوازم الکترونیکی مصرفی فعالیت و تخصص دارد.این شرکت در سال ۲۰۰۹ میلادی به عنوان شاخه ای از فعالیت های ارتباط از راه دور تاسیس شد؛ و دفتر مرکزی آن در نویدا، اوتار پرادش، هند می باشد. و در خارج از هند در تایلند، نپال، بنگلادش، سریلانکا، اندونزی، مکزیک، خاورمیانه، پاکستان و روسیه نیز فعالیت دارد. همچنین این شرکت با راه اندازی محصولات خود در مصر در سال ۲۰۱۶ میلادی فعالیت خود را در آفریقا آغاز کرد.
تقطیر

نمایش آزمایشگاهی تقطیر: ۱: منبع گرما ۲: فلاسک ته گرد ۳: سرلوله دستگاه تقطیر
۴: دماسنج / دمای نقطه جوش ۵: کندانسور ۶: ورود آب خنک‌کننده ۷: خروجی آب خنک‌کننده ۸: تقطیر / فلاسک دریافت ۹: خلاء / ورودی گاز ۱۰: ورودی دستگاه تقطیر ۱۱: کنترل گرما ۱۲: کنترل سرعت همزن ۱۳: همزن / صفحهٔ گرم‌کنند ۱۴:حوضچه گرمایش (روغن / شن و ماسه) ۱۵: نیاز به هم زدن. (دیده می‌شود)، با تراشهٔ جوش سنگ یا همزن مکانیکی ۱۶: حوضچه خنک‌کننده. of distillation: .
تَقطیر یا واچکانش (به انگلیسی: Distillation) یکی از مهم‌ترین و متداول‌ترین روش‌های جداسازی است و اساس آن بر توزیع اجزا بین دو فاز مایع و گاز بنیان گذاشته شده‌است. تقطیر یکی از متداول‌ترین راه‌های جداسازی مواد از یکدیگر به علت تفاوت نقطه جوش است.
تقطیر یک فرایند فیزیکی برای جداسازی اجسام با دمای جوش متفاوت است. برای پی بردن به این که فرایند تقطیر چگونه انجام می‌گیرد به رفتار محلول‌ها هنگام جوشیدن و متراکم شدن می‌توان توجه کرد. محلول‌هایی با نسبت‌های متفاوت از دو ماده را در دمای جوش با بخار خود به تعادل درمی‌آیند. سپس ترکیب فاز مایع و فاز بخار اندازه‌گیری و نمودار تغییر درصد مولی هر یک از فاز مایع و فاز بخار را در دماهای مختلف می‌توان رسم کرد. مختصات y هر نقطه بر روی منحنی نمایانگر دمای جوش محلولی است که ترکیب درصدآن با مختصات x دراین نقطه داده می‌شود.
در آزمایشگاه برای جداسازی مایعات فرار، اغلب از دستگاه تقطیر جزء به جزء استفاده می‌شود. یک ستون تقطیر یا جداسازی شامل یک استوانه عمودی حاوی دسته‌ای از بشقابک‌ها، یا حلقه‌های فولادی زنگ‌نزن، گلوله‌های شیشه‌ای یا تکه‌های سرامیک می‌باشد؛ که این مواد دارای سطح ویژه گسترده‌ای بوده و تماس خوبی را بین مایع - بخار در طول واحد تقطیر ممکن می‌سازند. در بالای ستون یک مبرد و در پایین آن یک واحد تبخیر کننده به نام بازجوشان (reboiler) قرار دارد. بالای ستون چون از منبع گرمایش دورتر است سردتر از پایین ستون می‌باشد و ترکیب درصد مایع و بخار در حال تعادل در بالای ستون با ترکیب درصد مایع و بخار در حال تعادل در پایین ستون می‌باشد؛ بنابراین در بالای ستون درصد ماده‌ای که دمای جوش کمتری دارد بیشتراست. در صنعت برای تقطیر در مقیاس تجارتی و جداسازی مخلوط چند ماده از برج تقطیر جزء به جزء مانند آنچه که دراینجا ملاحظه می‌نمایید استفاده می‌شود. در هر طبقه از برج از بشقابی حبابی مانند () به کار رفته‌است. با اجرای مراحل گوناگون تقطیر نفت خام به فراورده‌های سودمندی تفکیک می‌شود؛ و بر مبنای دمای جوش خود از ترازهای مختلف برج خارج می‌شود.
تقطیر، روشی جهت استخراج اسانس از گیاهان دارویی و معطر

فرایند تقطیر نوعی روش استخراج اسانس است که قدمت طولانی داشته و در آن، مایع به ترکیباتی که نقطه جوش متفاوت دارند تقسیم می‌شود. تکنولوژی تقطیر نسبتاً ساده بوده و قابل استفاده در مناطق روستایی نیز می‌باشد. تقطیر با آب قدیمی‌ترین و ارزان‌ترین روش تقطیر است که طراحی و ساخت آن ساده و کم هزینه می‌باشد. این روش به‌طور عمومی برای استخراج اسانس از مواد خشک یا پودر شده گیاهی (مانند ادویه‌های پودر شده، مواد چوبی پودر شده مانند پوست درخت دارچین)، گل‌هایی مانند گل محمدی و اندام‌هایی که بسیار سخت و محکم هستند
مانند: ریشه‌ها، چوب‌ها و میوه‌های فندقه استفاده می‌شود.
به عمل تبخیر و میعان متوالی تقطیر گویند؛ یعنی در این فرایند مایعات ابتدا به بخار تبدیل شده و پس از فرایندی بخار سرد و به مایع تبدیل می‌گردد. طی این فرایند بخارات حاصل از گرما تحت تأثیر سرما تبدیل به قطرات مایع می‌گردد و با جمع‌آوری این قطرات که از میعانات پشت سرهم حاصل می‌گردد؛ موادی خالص و مقطر به دست می‌آید. معمولاً با عمل تقطیر می‌توان ترکیب مختلف معطر را بدون تغییر از گیاه خارج کرد. اسانس‌ها معمولاً با عمل تقطیر شامل ترکیبات مختلفی هستند ولی یک یا چند ترکیب عامل اصلی بوی اسانس محسوب می‌شود.
اجزای یک سیستم تقطیر ساده

به‌طور کلی یک سیستم تقطیر ساده دارای چهار بخش است: مشعل (به عنوان منبع گرما)، مخزن تقطیر، مبرّد و قسمت جداکنندهٔ اسانس
انواع روش‌های تقطیر

تقطیر در فشار محیط: در این روش، فرایند تقطیر در فشار محیط صورت می‌گیرد.
تقطیر با بخار آب: وقتی که تقطیر در مجاورت بخار ماده مخلوط نشدنی و باویسکوزیته بالا صورت می‌گیرد. فشار بخار یکی تحت تأثیر دیگری قرار نگرفته و مخلوط در دمایی که مجموع فشارهای جزئی آن‌ها برابر فشار محیط گردد تقطیر می‌شود. دو نوع تقطیر با بخار آب داریم ۱-روش مستقیم ۲-تقطیر با بخار زنده
تقطیر در خلاء: در این روش فرایند تقطیر در خلاء (در فشار ۴۰ میلی‌متر جیوه) صورت می‌گیرد.
تقطیر در خلاء و بخار: این روش با انتقال گرما توسط بخار آب و با استفاده هم‌زمان از پمپ خلأ جهت کاهش فشار کلی صورت می‌گیرد. به‌طور کلی این روش دارای اشکالاتی بوده و از آن زیاد استفاده نمی‌شود.
تقطیر در فشار: این روش برعکس تقطیر در خلأ بوده و باعث می‌شود که فرایند تقطیر در دمای بیشتری نسبت به آن در فشار محیط صورت گیرد و دمای بالاتر باعث گسسته شدن مولکول‌های نفت گردیده و ترکیب آن‌ها را تغییر می‌دهد.
روش‌های جدید تقطیر: این روش‌ها شامل یک یا دو مرحله تقطیر در فشار محیط بوده که توسط تقطیر با بخار همراه می‌شود.
انواع تقطیر از نظر اجزا

تقطیر دو جزئی
تقطیر چند جزئی
انواع تقطیر از نظر اجزا > تقطیر دو جزئی [۳]

تقطیر تعادلی
تقطیر جزئی
تقطیر مداوم
انواع تقطیر از نظر اجزا > تقطیر چند جزئی [۲]

روش‌های میانبر (Short Cut Method)
روش فنسکی
روش آندروود
روش گیلیلان
روش براون و مارتین
روش ادولج
روش ادمیستر
روش تخمینی سینی به سینی
روش اسمیت
روش لویس- ماتسون
روش ترسیمی هنگستیبک
روش تیلی- گدس
روش وینکل و تاد
روش‌های دقیق (Exact Solution)
MESF
روش همگرایی تتا
روش همگرایی تتا برای برج‌های پیچیده
روش همگرایی تتا برای برج‌های تقطیر آزئوتروپی و استخراجی