stanford-oval/wikipedia huggingface dataset:
وزنه‌برداری در بازی‌های آسیایی ۲۰۱۸ – ۱۰۵+ کیلوگرم مردان
رکوردها

پیش از این رقابت، رکوردهای جهانی، آسیایی، بازی‌های آسیایی موجود به شرح زیر بود.
| 0 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| رکورد جهانی | یکضرب |  لاشا تالاخادزه (GEO) | ۲۲۰ کیلوگرم | Anaheim, ایالات متحده آمریکا | ۵ دسامبر ۲۰۱۷ |  |
| رکورد جهانی | دوضرب |  حسین رضازاده (IRI) | ۲۶۳ کیلوگرم | آتن، یونان | ۲۵ اوت ۲۰۰۴ |  |
| رکورد جهانی | مجموع |  لاشا تالاخادزه (GEO) | ۴۷۷ کیلوگرم | Anaheim, ایالات متحده آمریکا | ۵ دسامبر ۲۰۱۷ |  |
| رکورد آسیا | یکضرب |  بهداد سلیمی (IRI) | ۲۱۶ کیلوگرم | ریو دو ژانیرو، برزیل | ۱۶ اوت ۲۰۱۶ |  |
| رکورد آسیا | دوضرب |  حسین رضازاده (IRI) | ۲۶۳ کیلوگرم | آتن، یونان | ۲۵ اوت ۲۰۰۴ |  |
| رکورد آسیا | مجموع |  حسین رضازاده (IRI) | ۴۷۲ کیلوگرم | سیدنی، استرالیا | ۲۶ سپتامبر ۲۰۰۰ |  |
| رکورد بازی‌ها | یکضرب |  بهداد سلیمی (IRI) | ۲۱۰ کیلوگرم | اینچئون، کره جنوبی | ۲۶ سپتامبر ۲۰۱۴ |  |
| رکورد بازی‌ها | دوضرب |  بهداد سلیمی (IRI) | ۲۵۵ کیلوگرم | اینچئون، کره جنوبی | ۲۶ سپتامبر ۲۰۱۴ |  |
| رکورد بازی‌ها | مجموع |  بهداد سلیمی (IRI) | ۴۶۵ کیلوگرم | اینچئون، کره جنوبی | ۲۶ سپتامبر ۲۰۱۴ |  |
نتایج

NM — No mark
| Rank | Athlete | Group | Snatch (kg)> ۱ | Snatch (kg)> ۲ | Snatch (kg)> ۳ | Snatch (kg)> Result | Clean & Jerk (kg)> ۱ | Clean & Jerk (kg)> ۲ | Clean & Jerk (kg)> ۳ | Clean & Jerk (kg)> Result | Total |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
|  |  بهداد سلیمی (IRI) | A | 200 | 206 | ۲۰۸ | ۲۰۸ | ۲۳۷ | ۲۴۶ | ۲۵۳ | ۲۵۳ | ۴۶۱ |
|  |  سعید علی‌حسینی (IRI) | A | 201 | ۲۰۱ | ۲۰۸ | ۲۰۸ | 240 | 248 | 254 | ۲۴۸ | ۴۵۶ |
|  |  Rustam Djangabaev (UZB) | A | ۱۹۵ | ۲۰۰ | ۲۰۳ | ۲۰۳ | 240 | 248 | ۲۵۲ | ۲۵۲ | ۴۵۵ |
| ۴ |  هوجامهمت تویچیف (TKM) | A | 185 | 190 | 195 | ۱۹۰ | 230 | 235 | 240 | ۲۳۵ | ۴۲۵ |
| ۵ |  Muhammad Nooh Dastgir Butt (PAK) | A | 170 | 170 | 175 | ۱۷۰ | ۲۲۰ | ۲۳۰ | ۲۳۵ | ۲۳۵ | ۴۰۵ |
| — |  معن اسعد (SYR) | A | 180 | 185 | ۱۸۷ | ۱۸۷ | 225 | 225 | 225 | — | NM |
| — |  Chen Shih-chieh (TPE) | A | 185 | 193 | 193 | ۱۸۵ | 230 | 230 | 230 | — | NM |
عنصر چشمگیر

پاریس، یک روز بارانی اثر برجسته گوستاو کایبوت که عنصر چشمگیر به خوبی در آن مشهود است
عنصر چشمگیر (انگلیسی: Repoussoir) اصطلاحی است برای آثار دو بعدی در زمینه نقاشی، چاپ، عکاسی یا نقش‌برجسته‌های دیواری و عبارت است از تصویری واقع در امتداد پیش‌زمینه چپ یا راست یک اثر. با توجه به کادربندی از جانب هنرمند و خالق اثر، عنصر چشمگیر می‌تواند چشم و ذهن بیننده را به سمت خودش جلب نماید. عموماً در تابلوهای نقاشی از عنصر چشم‌گیر به عنوان تصویری واقع در پیش‌زمینه نام می‌برند که دید ناظر را گرفته و در دورن خودش غرق کند. نمونه مثال برجسته آثاری از هنرمندانی مثل یاکوب وان روئیزدال، گوستاو کایبوت، پیتر پل روبنس و غیره می‌باشد.
طرح‌نگار تماسی

لیتوگرافی تماسی یا طرح‌نگار تماسی (به انگلیسی: Contact lithography)، یک نوع طرح‌نگار نوری است که به عنوان چاپ تماسی نیز شناخته می‌شود که در آن، تصویر آماده چاپ با تاباندن نور به یک ماسک تصویر در تماس مستقیم با یک زیرلایه پوشش داده شده با یک لایه تصویربرداری مقاوم در برابر نور (لاک نوری) است.
تاریخچه

اولین مدارهای مجتمع دارای ویژگی‌های ۲۰۰ میکرومتر بودند که با استفاده از لیتوگرافی تماسی چاپ شدند. این روش در دهه ۱۹۶۰ میلادی محبوب بود تا اینکه با چاپ مجاورتی جایگزین شد، جایی که یک شکاف بین ماسک نوری و زیرلایه ایجاد می‌شود. چاپ مجاورتی وضوح ضعیف‌تری نسبت به چاپ تماسی داشت (به دلیل وجود شکافی که باعث پراش بیشتر می‌شود) اما نقایص بسیار کمتری ایجاد می‌کرد. وضوح برای تولید تا ۲ میکرومتر کافی بود. در سال ۱۹۷۸، سیستم تصویر مرحله و تکرار ظاهر شد. این سیستم به دلیل کاهش تصویر ماسک مورد استقبال گسترده قرار گرفت و امروزه همچنان مورد استفاده قرار می‌گیرد.
لیتوگرافی تماسی هنوز هم کاربردی است و معمولاً در کاربردهایی که به مقاومت لاک نوری ضخیم و/یا تراز و نوردهی دو طرفه نیاز دارند، استفاده می‌شود. کاربردهای پیشرفته بسته‌بندی سه‌بعدی، دستگاه‌های نوری و سیستم‌های میکرو الکترومکانیکی (MEMS) در این گروه قرار می‌گیرند. علاوه بر این، سیستم تماس مشابه همانی است که در فرایندهای چاپ استفاده می‌شود.
طبق دو تحول اخیر، پتانسیل لازم برای بازگشت طرح‌نگار تماسی به طرح‌نگار نیمه‌هادی فراهم شده‌است. تحول اول، بهبودهای تشدید پلاسمون سطحی است که شامل استفاده از فیلم‌های نقره به عنوان لنز است که به وضوح کمتر از ۵۰ و حتی ۲۲ نانومتر با استفاده از طول موج ۳۶۵ و ۴۳۶ نانومتر می‌رسند. رابطه پراکندگی اگزوتیک (خارجی) پلاسمون سطحی منجر به طول موج بسیار کوتاه شده‌است که به شکستن حد پراش کمک می‌کند. تحول دوم، طرح‌نگار نانو چاپ است که در خارج از بخش نیمه‌هادی محبوبیت پیدا کرده‌است (به عنوان مثال هارد دیسک، بیوتکنولوژی) و کاندیدای طرح‌نگار نیمه‌هادی زیر ۴۵ نانومتر، روش‌های کاهش نقص در محرک و بهبود یکنواختی ماسک‌های در تماس با زیرلایه است. طرح‌نگار چاپی مرحله‌ای و تابش (SFIL)، یک شکل محبوب از طرح‌نگار نانوچاپ است که شامل پختن فیلم چاپی با اشعه فرابنفش است و اساساً از همان چیدمان طرح‌نگار تماسی استفاده می‌کند.
اصول عملکرد

به‌طور کلی، ماسک تصویر خریداری/تولید شده، متشکل از الگوهای کروم مات بر روی یک صفحه شیشه‌ای شفاف است. در این روش، یک نمونه (یا " زیرلایه") با یک فیلم نازک از لاک نوری حساس به اشعه فرابنفش پوشانده می‌شود. سپس نمونه در زیر ماسک تصویر قرار می‌گیرد و در مقابل آن، جهت "تماس" فشار داده می‌شود. نمونه "در معرض تابش نور" قرار می‌گیرد که در طی آن، نور فرابنفش از سمت بالای ماسک تصویر تابانده می‌شود. لاک نوری که در زیر شیشه شفاف قرار دارد، در معرض نور قرار گرفته و توسط یک توسعه دهنده قابل حل می‌شود، در حالی که لاک نوری زیر کروم، هیچگونه اشعه فرابنفشی دریافت نکرده و پس از توسعه سالم باقی خواهد ماند؛ بنابراین الگو ممکن است به صورت ماده مقاوم حساس به نور از ماسک تصویر به یک نمونه منتقل شود. سپس ممکن است الگو از طریق هر تعداد فرایند میکرو ساخت، مانند اچ یا لیفت آف، به‌طور دائمی به زیرلایه منتقل شود. از یک ماسک تصویر ممکن است بارها برای تولید مجدد یک الگو بر روی زیرلایه‌های مختلف استفاده شود. به‌طور کلی برای انجام این عملیات از "تراز کننده تماس " استفاده می‌شود، بنابراین ممکن است الگوهای قبلی روی یک زیرلایه با الگویی که می‌خواهد در معرض تابش قرار داده شود، مطابقت داشته باشد.
با خروج از سطح مشترک ماسک تصویر-لاک نوری، نور تشکیل دهنده تصویر حین عبور از لاک نوری در معرض پراش میدان نزدیک قرار می‌گیرد. پراش باعث می‌شود تا با افزایش عمق لاک نوری، کنتراست تصویر از بین برود. این را می‌توان با محو شدن سریع امواج میرای مرتبه بالاتر با افزایش فاصله از سطح مشترک ماسک تصویر-لاک نوری توضیح داد. با استفاده از لاک نوری نازک‌تر، می‌توان تا حدی این اثر را کاهش داد. بهبودهای کنتراست براساس تشدید پلاسمون و فیلم‌های عدسی اخیراً فاش شده‌است. مزیت اصلی طرح‌نگار تماسی از بین بردن نیاز به طرح اپتیک پیچیده بین شی و تصویر است. محدودیت وضوح در سیستم‌های طرح نوری امروزی از اندازه محدود لنز تصویربرداری نهایی و فاصله آن از صفحه تصویر سرچشمه می‌گیرد. به‌طور دقیق‌تر، طرح نوری فقط می‌تواند طیف بسامد فضایی محدودی را از جسم بگیرند (ماسک تصویر). چاپ تماسی چنین محدودیتی برای وضوح ندارد اما به وجود نقص در ماسک یا روی زیرلایه حساس است.
انواع ماسک‌های تماسی

انواع مختلفی از ماسک‌های لیتوگرافی تماسی وجود دارد که می‌توان به سه مورد زیر اشاره کرد:
ماسک دامنه شدت باینری استاندارد، مناطق تاریک و روشن را ایجاد می‌کند که در آن نور به ترتیب مسدود یا منتقل می‌شود. نواحی تاریک فیلم‌هایی طرح‌دار هستند که از کروم یا فلز دیگر تشکیل شده‌اند.
ماسک کوپلاژ نور دارای سطح دی‌الکتریک موج‌دار است. هر برآمدگی به عنوان یک موجبر موضعی عمل می‌کند. در نتیجه این اثر هدایت موضعی، نور عمدتاً از طریق برآمدگی‌ها منتقل می‌شود. از آنجا که به منطقه تماس کمتری نیاز است، احتمال نقص در آن کمتر است.
یک ماسک ترکیبی تماسی-نانوچاپ از تصویربرداری تماسی و چاپ مکانیکی استفاده می‌کند و برای بهینه‌سازی تصویربرداری از ویژگی‌های بزرگ و کوچک همزمان با حذف مسائل مربوط به لایه باقیمانده پیشنهاد شده‌است.
ماسک‌های تماسی به‌طور سنتی نسبتاً بزرگ (بزرگتر از ۱۰۰ میلی‌متر) بوده‌اند اما ممکن است که تلرانسهای هم‌ترازی به اندازه‌های ماسک کوچکتر نیاز داشته باشند تا گام‌بندی بین تابش‌ها انجام شود.
همانند طرح‌نگار نانوچاپ، ماسک باید تقریباً دارای همان اندازه ویژگی تصویر مورد نظر باشد. ماسک‌های تماسی را می‌توان مستقیماً از ماسک‌های تماسی دیگر یا با نوشتن مستقیم (به عنوان مثال طرح‌نگار پرتو الکترونی) تشکیل داد.
بهبودهای وضوح

همان‌طور که در بالا اشاره شد، لاک نوری نازک‌تر می‌تواند به بهبود کنتراست تصویر کمک کند. هنگام کاهش جذب و محو شدن موج میرا، بازتابش از لایه زیرین لاک نوری نیز باید در نظر گرفته شود.
پیش‌بینی شده‌است که وضوح لیتوگرافی تماسی از دوره تناوب ۱/۲۰ طول موج پیشی بگیرد.
وضوح گام طرح‌نگار تماسی را می‌توان به راحتی با تابش‌های متعدد و ایجاد تصاویر ویژگی بین ویژگی‌های قبل تابش، افزایش داد. این همانند ویژگی‌های آرایه تو در تو همانند طرح حافظه مناسب است.
پلاسمون‌های سطحی نوسانات جمعی الکترون‌های آزاد محدود به سطوح فلزی هستند. آنها شدیداً به نور کوپل می‌شوند و پلاریتونهای پلاسمون سطح را تشکیل می‌دهند. این تحریکات به‌طور مؤثری مانند امواج با طول موج بسیار کوتاه (نزدیک به منطقه اشعه ایکس) رفتار می‌کنند. با تحریک چنین نوساناتی در شرایط مناسب، چندین ویژگی می‌توانند در بین یک جفت شیار در ماسک تماسی ظاهر شوند. وضوح قابل دستیابی با امواج ایستاده پلاریتون پلاسمون سطحی بر روی یک فیلم فلزی نازک‌تر از ۱۰ نانومتر با طول موج در محدوده ۳۹۰–۳۸۰ نانومتر با استفاده از یک فیلم نقره با ضخامت کوچکتر از ۲۰ نانومتر است. همچنین، شکاف‌های باریک عمیق در توریهای انتقال فلزی، امکان تشدیدهایی را دارند که نور عبوری از شکاف‌ها را تقویت می‌کنند.
یک لایه از فیلم فلزی، به عنوان یک «لنز عالی» برای تقویت امواج میرا عمل می‌کند و در نتیجه کنتراست تصویر افزایش می‌یابد. این امر مستلزم تنظیم گذردهی برای داشتن یک عدد واقعی منفی است، به عنوان مثال نقره در طول موج ۴۳۶ نانومتر. استفاده از چنین لنزی اجازه می‌دهد تا تصویربرداری با تلرانس بیشتر فاصله بین ماسک و لاک نوری حاصل شود که با استفاده از تداخل پلاسمون سطحی، به عنوان مثال یک‌نیمه گام ۲۵ نانومتری با طول موج ۴۳۶ نانومتر، افزایش وضوح بیشتر تصویر بدست می‌آید. اثر لنز کامل فقط برای شرایط خاص مؤثر است اما وضوح (با تقریب زیاد) برابر ضخامت لایه را می‌دهد. از این رو، وضوح زیر ۱۰ نانومتر نیز با این رویکرد امکان‌پذیر به نظر می‌رسد.
استفاده از تداخل پلاسمون سطحی نسبت به سایر تکنیک‌های طرح‌نگاری، برتری دارد زیرا تعداد ویژگی‌های ماسک می‌تواند بسیار کمتر از تعداد ویژگی‌های تصویر مورد نظر باشد که ساخت و بازرسی ماسک را آسان می‌کند. در حالی که نقره متداول‌ترین فلز برای نشان دادن پلاسمون‌های سطحی برای طرح‌نگاری است، البته از آلومینیوم نیز در طول موج ۳۶۵ نانومتر استفاده شده‌است.
در حالی که این تکنیک‌های بهبود وضوح اجازه می‌دهند تا ویژگی‌های ۱۰ نانومتری مورد بررسی قرار گیرند، برای اجرای عملی باید عامل‌های دیگری را هم در نظر گرفت. به نظر می‌رسد اساسی‌ترین محدودیت، ناهمواری لاک نوری باشد که برای تناوب‌های زیر-طول موج کوتاه‌تر که انتظار می‌رود فقط مرتبه پراش صِفر انتشار یابد، غالب می‌شود. تمام جزئیات الگو در این حالت توسط امواج میرا منتقل می‌شود که برای وضوح دقیق‌تر با سرعت بیشتری محو می‌شوند. در نتیجه، ناهمواری ذاتی لاک نوری پس از توسعه می‌تواند بهتر از الگو شود.
مشکلات نقص و آلودگی

مانند هر فناوری که به تماس سطح بستگی دارد، نقص‌ها یک نگرانی جدی هستند. نقص‌ها به ویژه از دو نظر برای طرح‌نگار تماسی مضر هستند. اولاً، یک نقص سخت می‌تواند فاصله بین ماسک و زیرلایه را افزایش دهد که می‌تواند به راحتی باعث از بین رفتن تصاویر مبتنی بر امواج میرا یا تداخل پلاسمون سطحی شود. دوماً، نقص‌های نرم و ملایم متصل به سطح فلزی ماسک ممکن است شکاف را برهم نزند اما هنوز هم می‌توانند توزیع موج میرا را تغییر دهند یا شرایط تداخل پلاسمون سطحی را از بین ببرند.
اکسایش سطح فلز همچنین شرایط تشدید پلاسمون را از بین می‌برد (زیرا سطح اکسید، فلز نیست).
ایوان پونومارنکو

| اطلاعات شخصی | اطلاعات شخصی | اطلاعات شخصی | اطلاعات شخصی |
| --- | --- | --- | --- |
نام کامل:  Ivan Volodymyrovych Ponomarenko
زادروز:  ۱۰ مهٔ ۱۹۹۸ ‏(۲۶ سال)
قد:  1.90 m
پست:  دروازه‌بان
اطلاعات باشگاهی: اطلاعات باشگاهی
باشگاه کنونی:  Lviv
شمارهٔ پیراهن:  ۵۵
باشگاه‌های جوانان: باشگاه‌های جوانان
۲۰۱۱–۲۰۱۴:  DVUFK Dnipropetrovsk
۲۰۱۴–۲۰۱۷:  باشگاه فوتبال دنیپرو
باشگاه‌های حرفه‌ای*: باشگاه‌های حرفه‌ای*
| سال‌ها |  باشگاه‌ها |  بازی† |  (گل)† |
| ۲۰۱۵ |  Inter Dnipropetrovsk (amateurs) |  ۵ |  (۰) |
| ۲۰۱۷–۲۰۱۸ |  باشگاه فوتبال دنیپرو |  ۱۵ |  (۰) |
| ۲۰۱۹ |  Krymteplytsia Molodizhne |  ۰ |  (۰) |
| ۲۰۱۹ |  ← Krymteplytsia-2 Molodizhne |  ۱ |  (۰) |
| ۲۰۱۹ |  Uyutne |  ۷ |  (۰) |
| ۲۰۲۰ |  باشگاه فوتبال زسکا پامیر |  ۱۸ |  (۰) |
| ۲۰۲۱ |  Bukovyna Chernivtsi |  ۲۷ |  (۰) |
| ۲۰۲۲– |  Lviv |  ۰ |  (۰) |
 تعداد بازی‌ها و گل‌ها فقط مربوط به بازی‌های لیگ داخلی است و آمار به روز شده در تاریخ ۲۲ دسامبر ۲۰۲۱. :  تعداد بازی‌ها و گل‌ها فقط مربوط به بازی‌های لیگ داخلی است و آمار به روز شده در تاریخ ۲۲ دسامبر ۲۰۲۱. 
ایوان پونومارنکو (اوکراینی: Іван Володимирович Пономаренко؛ زادهٔ ۱۰ مهٔ ۱۹۹۸) بازیکن فوتبال اهل اوکراین است.
کوپتوو (استان لوبلین)

| کوپتوو (استان لوبلین) | کوپتوو (استان لوبلین) |
| --- | --- |
روستا: روستا
Cerkiew: Cerkiew
کوپتوو (استان لوبلین): کوپتوو (استان لوبلین)
مختصات: ۵۱°۵۸′ شمالی ۲۳°۳۴′ شرقی﻿ / ﻿۵۱٫۹۶۷°شمالی ۲۳٫۵۶۷°شرقی﻿ / 51.967; 23.567: مختصات: ۵۱°۵۸′ شمالی ۲۳°۳۴′ شرقی﻿ / ﻿۵۱٫۹۶۷°شمالی ۲۳٫۵۶۷°شرقی﻿ / 51.967; 23.567
کشور:  لهستان
استان: استان لوبلین
شهرستان: شهرستان بیاوا پودلاسکا
گمینا: گمینا کودنگ
کوپتوو (به لهستانی:  Kopytów) یک روستا در لهستان است که در گمینا کودنگ واقع شده‌است.
سرآغازسگ

| سرآغازسگ محدودهٔ زمانی: Early Oligocene تا Late Oligocene  PreЄ Є O S D C P T J K Pg N      | سرآغازسگ محدودهٔ زمانی: Early Oligocene تا Late Oligocene  PreЄ Є O S D C P T J K Pg N      |
| --- | --- |
رده‌بندی علمی: رده‌بندی علمی
فرمانرو:: جانوران
شاخه:: طنابداران
رده:: پستانداران
راسته:: گوشت‌خوارسانان
تیره:: سگ‌سانان
سرده:: †Oxetocyon
گونه:: †O. cuspidatus
نام دوبخشی: نام دوبخشی
†Oxetocyon cuspidatus : †Oxetocyon cuspidatus 
سرآغازسگ (نام علمی: Oxetocyon cuspidatus) نام یک گونه از زیرخانواده سگ‌های استخوان‌شکن است.
فورت بلوار، ویرجینیا

| فورت بلوار | فورت بلوار |
| --- | --- |
شهرستان فرفکس، ویرجینیا : شهرستان فرفکس، ویرجینیا 
                مهر یا نشان‌های واحدهای مستقر در فورت بلوار:                 مهر یا نشان‌های واحدهای مستقر در فورت بلوار
فورت بلوارنمایش نقشه ویرجینیای شمالیفورت بلوارنمایش نقشه ویرجینیافورت بلوارنمایش نقشه ایالات متحده آمریکا: فورت بلوارنمایش نقشه ویرجینیای شمالیفورت بلوارنمایش نقشه ویرجینیافورت بلوارنمایش نقشه ایالات متحده آمریکا
مختصات: ۳۸°۴۳′۱۱″شمالی ۷۷°۰۹′۱۶″غربی﻿ / ﻿۳۸٫۷۱۹۷۳۷°شمالی ۷۷٫۱۵۴۵۸۲°غربی﻿ / 38.719737; -77.154582
اطلاعات پایگاه: اطلاعات پایگاه
کنترل‌کننده: نیروی زمینی ایالات متحده آمریکا
پیشینه مکان: پیشینه مکان
ساخت: ۱۹۱۷ (۱۹۱۷)
اطلاعات پادگان: اطلاعات پادگان
فرمانده کنونی: سرهنگ مایکل اچ. گرینبرگ (فرماندهٔ پادگان)
پادگان: لشکر ۲۹ پیاده‌نظام (سبک) فرماندهی نهم پشتیبانی عملیات فرماندهی اول عملیات اطلاعاتی (زمینی) گردان دوازدهم هوابرد (MDW) گردان ۲۹ام مهندسی واحد ۲۱۲ام پلیس نظامی (MDW) گردان ۵۵ام توپخانه و مهمات (EOD) }واحد ۷۵ام پلیس نظامی (CID) فرماندهی اطلاعات و امنیت نیروهای مسلح ایالات متحده آمریکا  فرماندهی آمادگی اطلاعاتی ارتش  ایالات متحده آمریکا گروه رزمی ۹۰۲ اطلاعات نظامی دایرهٔ لجستیک دفاعی سازمان حسابرسی قراردادهای نظامی دایرهٔ کاهش تهدیدهای دفاعی ادارهٔ دفاع موشکی سازمان ملی اطلاعات ژئوپلیتیک تأسیسات داده‌های هوا-فضا (شرق)
استفاده‌کنندگان: ۵۱٬۰۰۰+ کارمند (فورت بلوار)  ۷٬۱۰۰ مقیم (حوزه سرشماری فورت بلوار)
فورت بلوار (انگلیسی: Fort Belvoir؛ ‏ ‎/ˈbɛlvwɑːr/‎) یک سکونتگاه مسکونی و تأسیسات نظامی نیروی زمینی ایالات متحده آمریکا است که در شهرستان فرفکس، ویرجینیا واقع شده‌است. نام قدیم آن از سال ۱۹۱۷ تا ۱۹۳۵ میلادی، «پایگاه ای.ای. هامفریز» بود. فورت بلوار مقر چندین سازمان مهمِ نیروهای مسلح ایالات متحده آمریکا است و تعداد کارکنان آن تقریباً دوبرابر پنتاگون است. این پایگاه نظامی بزرگترین کارفرما و استخدام‌کننده در شهرستان فرفکس محسوب می‌شود و دارای سه ناحیه جغرافیایی مختلف است: مقر اصلی، فرودگاه صحرایی ارتشی داویسون و فورت بلوار شمالی.
فورت بلوار یک منطقه سرشماری‌شده است و جمعیت آن در سال ۲۰۱۰ میلادی در حدود ۱۷۰۰ نفر و مشتمل بر ۱۷۷۷ خانه و ۱۷۰۰ خانواده بود. تراکم جمعیت در این ناحیه، ۸۰۹٫۹ نفر در هر مایل مربع (۸۸٫۹/km2) است. ۶۴٫۹٪ جمعیت فورت بلوار سفیدپوست، ۲۱٫۷٪ سیاه‌پوست، ۰٫۶٪ بومی، ۲٫۵٪ آسیایی، ۰٫۵٪ اهل اقیانوسیه، ۲٫۵٪ از سایر نژادها و ۷٫۳٪ از یک یا چند نژاد مختلف هستند. لاتینوها و اسپانیایی‌تبارها نیز ۱۳٫۲٪ جمعیت را تشکیل می‌دهند.
ورگویل

| Vergaville | Vergaville |
| --- | --- |
کشور: فرانسه
ناحیه: گرانت است
دپارتمان: موزل
بخش: Arrondissement of Château-Salins
کانتون: Canton of Dieuze
کمون: Communauté de communes du Saulnois
حکومت: حکومت
 • شهردار(2008–2014) : Gérard Beck
مساحت۱: ۱۳٫۱۷ کیلومتر مربع (۵٫۰۸ مایل مربع)
جمعیت (1999)۲: ۵۴۴
 • تراکم: ۴۱/کیلومتر مربع (۱۱۰/مایل مربع)
منطقهٔ زمانی: یوتی‌سی +۱ (زمان اروپای مرکزی)
 • تابستانی (DST): یوتی‌سی +۲ (ساعت تابستانی اروپای مرکزی)
کد آماری/کد پستی: 57706 /57260
ارتفاع: ۲۰۵–۳۳۳ متر (۶۷۳–۱٬۰۹۳ فوت)  (avg. ۲۸۰ متر یا ۹۲۰ فوت)
۱ داده‌های فرانسه رودخانه و دریاچه  و یخچال‌ها را در نظر نگرفته‌است > ۱ km² (۰٫۳۸۶ مایل مربع یا ۲۴۷ هکتار) ۲: ۱ داده‌های فرانسه رودخانه و دریاچه  و یخچال‌ها را در نظر نگرفته‌است > ۱ km² (۰٫۳۸۶ مایل مربع یا ۲۴۷ هکتار) ۲
ورگویل (به فرانسوی: Vergaville) یک کمون در فرانسه است که در Canton of Dieuze واقع شده‌است.
خصوصیات

ورگویل ۱۳٫۱۷ کیلومترمربع مساحت و ۵۴۴ نفر جمعیت دارد و ۲۸۰ متر بالاتر از سطح دریا واقع شده‌است.
آشاغی زید

| آشاغی زید | آشاغی زید |
| --- | --- |
شهرستان: شهرستان
آشاغی زید: آشاغی زید
مختصات: ۴۱°۲۲′۵۵″ شمالی ۴۸°۴۷′۴۰″ شرقی﻿ / ﻿۴۱٫۳۸۱۹۴°شمالی ۴۸٫۷۹۴۴۴°شرقی﻿ / 41.38194; 48.79444: مختصات: ۴۱°۲۲′۵۵″ شمالی ۴۸°۴۷′۴۰″ شرقی﻿ / ﻿۴۱٫۳۸۱۹۴°شمالی ۴۸٫۷۹۴۴۴°شرقی﻿ / 41.38194; 48.79444
کشور:  جمهوری آذربایجان
تقسیمات کشوری جمهوری آذربایجان: شهرستان خاچماز
جمعیت[نیازمند منبع]: جمعیت[نیازمند منبع]
 • کل: ۹۰۸
منطقهٔ زمانی: یوتی‌سی +۴ (AZT)
 • تابستانی (DST): یوتی‌سی +۵ (AZT)
آشاغی زید (به لاتین: Aşağı Zeyid) یک منطقه مسکونی در جمهوری آذربایجان است که در شهرستان خاچماز واقع شده‌است. آشاغی زید ۹۸۰ نفر جمعیت دارد.
فرودگاه بولوه تومبانگ

فرودگاه بولوه تومبانگ (به انگلیسی: Buluh Tumbang Airport) (به زبان بومی: Bandar Udara H.A.S. Hanandjoeddin) یک فرودگاه همگانی با کد یاتا TJQ است که یک باند فرود آسفالت دارد و طول باند آن ۱۸۴۹ متر است. این فرودگاه در شهر جزایر بانگکا-بلیتونگ کشور اندونزی قرار دارد و در ارتفاع ۵۰ متری از سطح دریا واقع شده‌است.
ساختمان انرژی صفر
استفاده از انرژی

ساختمان‌ها انرژی صفر، انرژی در دسترس را برای تأمین نیازهای الکتریسیته، گرمایشی یا سرمایشی مورد استفاده قرار می‌دهد. در مورد هر خانه تکنولوژی‌های ریز تولید مختلف ممکن است برای تأمین گرما و الکتریسیته برای ساختمان به وسیلهٔ سلول‌های خورشیدی یا توربین‌های بادی برای ا لکتریسیته و سوخت‌های فسیلی یا جمع‌کننده‌های گرمای خورشیدی مرتبط با مخزن انرژی گرمایی فصلی (STES) برای گرم کردن فضای آزاد مورد استفاده قرار بگیرد. یک مخزن انرژی گرمایی فصلی را می‌توان برای سرماسازی در تابستان به وسیلهٔ ذخیره کردن سرمای زیرزمین در زمستان مورد استفاده قرار داد. برای سرو کار داشتن با نوسانات مورد نیاز، ساختمان‌های انرژی صفر غالباً به شبکه الکتریسیته متصل می‌شوند و الکتریسیته را به شبکه منتقل می‌کند البته در زمانی‌که مازاد باشد و زمانی‌که الکتریسیته کافی تولید نمی‌شود الکتریسیته را به طرف خود می‌کشد. ساختمان‌های دیگر ممکن است به‌طور کامل خودکار باشند. مصرف انرژی غالباً زمانی مؤثرتر می‌باشد که در یک منطقه ولی در مقیاس ترکیبی به عنوان مثال یک گره خانه‌ها، مسکن‌های گروهی، منطقه، روستا و غیره. به جای خانه به خانه انجام شود. یک بهرهٔ انرژی از چنین مصرف منطقه‌ای از انرژی، حذف مجازی افت انتقال و توزیع الکتریسیته می‌باشد. مقدار این اتلاف‌ها در حدود ۲/۷ تا ۴/۷ درصد از انرژی منتقل شده می‌باشد. مصرف انرژی در کاربردهای تجاری و صنعتی بایستی از نقشه‌برداری هر منطقه بهره‌مند شود. تولید کالا تحت مصرف انرژی فسیلی صفر به موقعیت منابع حرارت مرکزی زمین، نیروی میکرو محرکه آب، خورشیدی و باد برای حفظ این مفهوم نیازمند می‌باشد.
مجاورت‌های انرژی صفر، همچون ایجاد Bed ZED در انگلستان و آن‌هایی که به سرعت در کالیفرنیا و چین در حال گسترش می‌باشند ممکن است از طرح‌های تولید توزیع شده‌استفاده کنند. این ممکن است در بعضی موارد شامل گرمای منطقه، آب سرد برای مردم، توربین‌های باد مشترک و غیره باشد. طرح‌های حاضر برای استفاده از تکنولوژی‌های ZEB برای ساخت کل شهرهایی که از انرژی صفر یا مستقل از شبکه استفاده می‌کنند وجود دارد.
مصرف انرژی در مقابل حفظ انرژی

یکی از موضوعات اصلی از مناظرهٔ طرح ساختمان انرژی صفر در مورد تعادل بین ذخیره انرژی و مصرف توزیع شدهٔ انرژی تجدید شدنی (انرژی خورشیدی و انرژی باد) می‌باشد. اکثر خانه‌های انرژی صفر از ترکیب این دو استراتژی استفاده می‌کنند. در نتیجهٔ کمک‌های مالی قابل توجه دولت برای سیستم‌های الکتریکی خورشیدی فتو ولتائیک (قدرت زای نوری) توربین‌های بادی و غیره کسانی هستند که می‌گویند ساختمان انرژی صفر یک خانهٔ معمولی با تکنولوژی‌های مصرف انرژی تجدید توزیع شده می‌باشد. چنین خانه‌هایی در مکان‌هایی پدیدار شده‌اند که کمک‌های مالی قدرت زایی نوری (pv) قابل توجه می‌باشد ولی بسیاری از خانه‌های به اصطلاح انرژی صفر همچنان صورتحساب خدمات همگانی دارند. این نوع مصرف انرژی بدون ذخیرهٔ مازاد انرژی ممکن است از لحاظ هزینه با قیمت فعلی الکتریسیته تولید شده با تجهیزات قدرت زای نوری (بسته به قیمت محلی شرکت نیروی برق) مؤثر نباشد و همچنین ممکن است به انرژی و منابع بیشتر نیاز داشته باشند بنابراین این روش کمتر بوم‌شناسی می‌باشد.
از دهه‌های ۱۹۸۰ طرح ساختمان غیرفعال خورشیدی و خانه غیرفعال، کاهش مصرف انرژی گرمایی ۷۰ تا ۹۰ درصد در بسیاری از مناطق بدون مصرف انرژی فعال را نشان داده‌اند. برای ساخت و سازهای جدید و با طراحی ماهرانه این کار را می‌توان با هزینه ساز کم برای مصالح یک ساختمان معمولی انجام داد. تعداد بسیار کمی از متخصصان صنعتی مهارت یا تجربه برای بهره بردن کامل از طراحی غیرفعال دارند. چنین طرح‌های خورشیدی غیرفعال نسبت به پانل‌های قدرت زای نوری گران‌قیمت روی سقف یک ساختمان ناکارآمد معمولی بسیار مقرون به صرفه یم باشند. چند کیلووات ساعت از پانل‌های قدرت زای نوری (که ۲ یا ۳ دلار در هر تولید سالیانه کیلووات بر ساعت معادل با دلار آمریکا هزینه دارد) ممکن است تنها الزامات انرژی خارجی را ۱۵ تا ۳۰ درصد کاهش دهد. تنظیم‌کننده معمول هوا با نسبت کارایی بالای انرژی فصلی BTU 000/100 (110 MJ) به بیش از 7KW الکتریسیته فتوولتائیک در حالیکه کار می‌کند نیاز دارد و این برای عملکرد شبانه خارج از شبکه کافی نیست. سرماسازی غیرفعال و تکنیک‌های مهندسی سیستم بهتر می‌توانند نیازهای تنظیم‌کنندگی هوا را ۷۰ تا ۹۰ درصد کاهش دهند. الکتریسیته تولید شده به روش فوتوولتائیک زمانی‌که تقاضای کلی برای الکتریسیته کمتر می‌باشد مقرون به صرف می‌شوند.
عملکرد اشغال کنندگی

انرژی استفاده شده در یک ساختمان می‌تواند به شدت بسته به وضعیت اشغال‌کنندگی آن متغیر باشد. پذیرش اینکه چه چیزی راحت در نظر گرفته می‌شود به‌طور گسترده متنوع می‌باشد. مطالعات انجام شده روی خانه‌های مشابه در ایالت متحده آمریکا، تفاوت‌های فاحشی را در مصرف انرژی نشان داده‌اند، بعضی از خانه‌ها بیش از دو برابر نسبت به خانه‌های دیگر انرژی مصرف می‌کنند. وضعیت اشغال‌کنندگی می‌تو اند از تفاوت‌ها در تنظیم ترموستات‌ها، سطوح متغیر روشن‌سازی و آب داغ و مقدار دستگاه‌های الکتریکی متغیر یا بارهای اتصالی استفاده شده متغیر باشد.
مزیت‌ها و معایب > مزیت‌ها

در امان بودن مالکان ساختمان از افزایش آتی قیمت انرژی
آسایش بیشتر بعلت درجه حرارت‌های داخلی یکنواخت تر (این را می‌توان با نقشه‌های مقایسه‌ای خطوط هم دما نشان داد)
نیاز به انرژی کمتر
هزینه کلی کمتر نگهداری بعلت کارایی افزایش یافته انرژی
کاهش هزینه‌های کلی ماهیانه زندگی
اعتبار افزایش یافته مثلاً سیستم‌های فتوولتائیک ۲۵ سال گارانتی دارد به ندرت در طول مشکلات آب و هوا خراب می‌شوند. سیستم‌های فتوولتائیک سال ۱۹۸۲ در غرفه نمایشگاه جهانی را انرژی EPCOT والت دیزنی همچنان تا به امروز بعد از ۳ تند باد اخیر خوب کار می‌کند.
هزینه اضافی برای ساخت و ساز جدید در مقایسه با اضافه کردن تکنولوژی جدید به طرح بعدی به حداقل می‌رسد.
بهای بیشتر فروش مجدد همان‌طور که مالکان احتمالی ساختمان‌های انرژی صفر بیشتری را نسبت به عرضهٔ مورجود تقاضا می‌کنند.
قیمت ساختمان انرژی صفر نسبت به ساختمان مشابه معمولی بایستی هر زمان که هزینه انرژی افزایش پیدا می‌کند افزایش یابد.
محدودیت‌های قانونی آینده و مالیات ها/ جریمه‌های آلایندگی کربن ممکن است تکنولوژی‌های جدیدسازی را به ساختمان‌های ناکارآمد اعمال کند.
استفاده بهینه از ضایعات چوبی و تولید زیست سوخت
تعادل مصرف انرژی با درخواست انرژی
کاهش مصرف الکتریسیته
حذف سیستم‌های زائد مصرف‌کننده انرژی
کاهش ۵۰٪ مصرف آب آشامیدنی
استفاده از سیستم تهویه بدون وسیله مکانیکی