ترانزستور ثنائي القطب
وصلات خارجية

التاريخ المفقود للترانزستور، كيف نجحت مختبرات بل وتكساس إنسترومنتس في دفع الإلكترونيات نحو عصر السيلكون، مقالة من معهد مهندسي الكهرباء والإلكترونيات.
الجزء الخاص بالترانزستور ثنائي القطب في منهج الهندسة الإلكترونية في جامعة هارفارد.
موقع متحف الترانزستور.
مقالات عن الترانزستور على موقع الباحثون السوريون: (1-2-3) (باللغة العربية).
| ع ن مضخمات ترانزستورية | ع ن مضخمات ترانزستورية | ع ن مضخمات ترانزستورية | ع ن مضخمات ترانزستورية |
| --- | --- | --- | --- |
|  | ترانزستور ثنائي القطبية: |  باعث مشترك  مجمع مشترك ‏  قاعدة مشتركة ‏  |  |
|  | ترانزستور الأثر الحقلي: |  منبع مشترك ‏  مصب مشترك ‏  بوابة مشتركة ‏  |  |
|  | ترانزستورات متعددة: |  ترانزستور دارلينغتون  زوج ترانزستورات سيزيكالي  مضخم كاسكودي ‏  مضخم تفاضلي  |  |
 بوابة إلكترونيات:  بوابة إلكترونيات
| 0 | 1 |
| --- | --- |
ضبط استنادي: وطنية : الملف الاستنادي المتكامِل (GND) مكتبة الكونغرس (LCNAF) قاعدة البيانات الوطنية التشيكية (NLCR AUT) المكتبة القومية الإسرائيلية (J9U)
في كومنز مواد ذات صلة بـ ترانزستور ثنائي القطب.
بوابة إلكترونيات
بوابة الفيزياء
بوابة تقانة النانو
من اليمين:والتر براتين ووليام شوكلي وجون باردين، صورة لمخترع التّرانزستور ثنائي القطبية في مختبرات بل في العام 1948م.
نسخةٌ طبق الأصل من الترانزستور وحيد الوصلة الأول المصنوع، عرضته لوسنت تكنولوجيز عام 1997م بمناسبة مرور 50 سنة على صناعة أول ترانزستور ثنائي القطبية.
حزم الطاقة والإلكترونات في أنواع مختلفة من المواد: العازل وشبه المُوصِل والمُوصِل.
مناطق العمل حسب جهود تحييز الوصلتين في ترانزستور ثنائي بنوعيه، NPN وPNP.
كيفية تحديد نقطة العمل رياضيّاً من خلال تقاطع خط الحمل مع أحد الخطوط البيانية لتيار الدخل في ميزة الخرج.
منطقتا العمل الخطية وغير الخطية في ميزة الخرج لترانزستور ثنائي القطب.
دارة الانحياز الثابت لترانزستور من النوع NPN.
دارة الانحياز الثابت لترانزستور من النوع NPN.
دارة التحييز ذات الباعث المُستقر ترانزستور من النوع NPN.
دارة التحييز بمقسم الجهد لترانزستور إن بي إن من بوصلة الباعث المشترك.
الدارة الأساسية المستعملة في توليد معادلات النموذج الهجين المكافئ.
نموذج باي الكامل من أجل ترانزستور ثنائي القطب من النوع NPN بتوصيلة الباعث المشترك من أجل الترددات المرتفعة.
الدارة المكافئة لنموذج غوميل بون لترانزستور من النوع بي إن بي.
مميزة الخرج لترانزستور ثنائي القطب، نقطة العمل في منتصف خط الحمل، وإشارات الدخل والخرج موضخة على الرسم البياني، يجب الانتباه إلى أن تيار الدخل من رتبة الميكرو أمبير أما تيار الخرج فهو من رتبة الميلي أمبير.
نموذج عام لنظام إلكتروني رباعي الأقطاب مع مجموعة المحددات الرئيسة.
الكفاءة وزاوية التوصيل لأصناف متعددة لمضخم إشارات كبيرة باستعمال ترانزستور ثنائي القطب
الاستجابة الترددية لمضخم ترانزستوري ثنائي القطب، في الأعلى من أجل قيمة نسبية لربح الجهد وفي الأسفل من أجل قيمة لوغاريتمية.
مضخم ترانزستوري ثنائي القطب مع مكثفات التمرير التي تظهر باللون الأزرق. إعداد الوصلة: الباعث المشترك، دارة التحييز: مقسم الجهد.
مضخم ترانزستوري ثنائي القطب مع المكثفات الطفيلية التي تظهر باللون الأزرق، الوصلة: باعث مشترك، دارة التحييز: مقسم الجهد.
نمذجة ترانزستور ثنائي القطب NPN بوصلة الباعث المشترك في حالة الترددات المرتفعة من أجل دارة التحييز بمقسم الجهد بواسطة نموذج آر إي، ويظهر أثر المكثفات الطفيلية في دارتي الدخل والخرج
مثال عن مخطط بود للاستجابة الترددية لترانزستور ثنائي القطب، إعداد الوصلة: الباعث المشترك، دارة التحييز: مقسم الجهد، تظهر ترددات القطع الخاصة بمكثفات التمرير عند الترددات المنخفضة، والخاصة بالسعات الطفيليّة عند الترددات المرتفعة.
جزء من ورقة بيانات  لعائلة الترانزستورات 2N2219XX، ويظهر فيها جزءا تقييم الحدود القصوى و المُحددات الحراريّة.
أمثلة مُتعددة لتحديد دبابيس ترانزستور ثنائي القطب اعتماداً على طريقة التغليف.
الترانزستور السليم يجب أن يُعطي قيمةً مُنخفضةً لمقاومة إحدى الوصلتين فيه وقيمةً مُرتفعة للوصلة الأًخرى. تتحددُ الوصلة ذات المقاومةِ المُرتفعة حسب نوع الترانزستور. في الترانزستور NPN، تكونُ مقاومةُ وصلة القاعدة-الباعث مُنخفضةَ المقاومة إذا حُيّزت أماميّاً، ووصلةُ القاعدة-المُجمّع مُرتفعةَالمقاومة إذا حُيّزت عكسيّاً، أمّا في الترانزستور من النوع PNP فيكونُ العكس صحيحاً.
الهامش 9، (1) مطال القمة (2) مطال من القمة إلى القمة (3) مطال جذر المتوسط التربيعي (4) دور الإشارة