قائمة معالجات إنتل
معالجات 32 بت: بنتيوم برو، بنتيوم II، سيليرون، بنتيوم III، بنتيوم إم > بنتيوم III

تاريخ الإدخال في العمل 26 فبراير 1999
بنية (Katmai) بتقنية تصنيع 0.25 ميكرومتر
بنتيوم II مطور، إضيفة له تعليمات إس إس إي (SSE)، توسعة تدفق تعليمة وحيدة - بيانات متعددة
عدد الترانزستورات 9.5 مليون
32 كيلو بايت (16 بيانات + 16 تعليمات) من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
512 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية الخارجية من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بنصف سرعة المعالج.
غطاء من نوع إس إي سي سي2 (SECC2، Single Edge Contact cartridge 2) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 رجل
تردد ممرات النظام 100 ميجاهيرتز
الأصناف
450 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 فبراير 1999
500 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 26 فبراير 1999
550 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 17 مايو 1999
600 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 2 أغسطس 1999
533 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل (تردد الممر 133 ميجاهيرتز) 27 سبتمبر 1999
600 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل (تردد الممر 133 ميجاهيرتز) 27 سبتمبر 1999
بنية كوبرماين (Coppermine) بتقنية تصنيع 0.18 ميكرومتر
تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
عدد الترانزستورات 28.1 مليون
32 كيلو بايت (16 بيانات + 16 تعليمات) من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
256 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
غطاء من نوع إس إي سي سي2 (SECC2، Single Edge Contact cartridge 2) ذو منفذ سلوت 1 بـ 242 إبرة ومن نوع اف سي-بي جي اي (FC-PGA، Flip-chip pin grid array) ذو 370 إبرة
تردد ممرات النظام 100 ميجاهيرتز، 133 ميجاهيرتز
الأصناف
500 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز)
533 ميجاهيرتز
550 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز)
600 ميجاهيرتز
600 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز)
650 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
667 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
700 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
733 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
750 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 20 ديسمبر 1999
800 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 20 ديسمبر 1999
800 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 20 ديسمبر 1999
850 ميجاهيرتز (تردد الممر 100 ميجاهيرتز) تاريخ الإدخال في العمل 20 مارس 2000
866 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 20 مارس 2000
933 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 24 مايو 2000
1000 ميجاهيرتز تاريخ الإدخال في العمل 8 مارس 2000 (لم يكن متوفرا بشكل واسع عند الإصدار)
400 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
450 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
500 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 أكتوبر 1999
600 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 18 يناير 2000
650 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 18 يناير 2000
700 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 24 أبريل 2000
750 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 يونيو 2000
800 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 سبتمبر 2000
850 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 25 سبتمبر 2000
900 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 مارس 2001
1000 ميجاهيرتز (محمول) تاريخ الإدخال في العمل 19 مارس 2001
بنية (Tualatin) بتقنية تصنيع 0.13 ميكرومتر
تاريخ الإدخال في العمل يوليو 2001
عدد الترانزستورات 28.1 مليون
32 كيلو بايت (16 بيانات + 16 تعليمات) من الذاكرة المخبئية من المستوى الأول (L1 cache)
256 كيلو بايت أو 512 كيلو بايت من الذاكرة المخبئية المدمجة من المستوى الثاني (L2 cache)، تعمل بسرعة المعالج.
غطاء من نوع اف سي-بي جي اي (FC-PGA، Flip-chip pin grid array) ذو 370 إبرة
تردد ممرات النظام 133 ميجاهيرتز
الأصناف
1133 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2)
1200 ميجاهيرتز
1266 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2)
1333 ميجاهيرتز
1400 ميجاهيرتز (512 كيلوبايت L2)