قائمة الرموز الرسومية لأجهزة أشباه الموصلات
رموز عناصر أجهزة أشباه الموصلات

| الرقم التسلسلي | أيقونة الرمز | الاسم باللغة العربية | الاسم باللغة الإنكليزية | ملاحظات |
| --- | --- | --- | --- | --- |
| 8.2.1 |  | منطقة شبه موصل مع تلامس أومي وحيد | Semiconductor region with one ohmic connection |  الخط الأفقي هو منطقة شبه الموصل و الخط الشاقولي هو التلامس الأومي.  لا يُحبَّذ رسم الخط الذي يمثل التلامس الأومي في النهاية الطرفية القصوى للخط الذي يمثل منطقة شبه الموصل. |
| 8.2.1.1 |  | منطقة شبه موصل مع تلامسات أومية متعددة | Semiconductor region with a plurality of ohmic connections | تُظهر الأمثلة تلامسين. |
| 8.2.1.1 |  | منطقة شبه موصل مع تلامسات أومية متعددة | Semiconductor region with a plurality of ohmic connections | تُظهر الأمثلة تلامسين. |
| 8.2.1.1 |  | منطقة شبه موصل مع تلامسات أومية متعددة | Semiconductor region with a plurality of ohmic connections | تُظهر الأمثلة تلامسين. |
8.2.2:  يُحبَّذ أن يكون طول رأس السهم مساوياً لنصف طول المسافة التي تفصل السهم عن منطقة الأساس شبه الموصل.  يُحبَّذ أن يكون المثلث متساوي الأضلاع مملوءاً وأن يمس منطقة الأساس شبه الموصل.
| 8.2.2.1 |  | وصلة تقويم أو وصلة تؤثر على طبقة الافتقار، منطقة P ومنطقة N | Rectifying junction or junction which influences a depletion layer، P region N region | - |
| 8.2.2.1 |  | وصلة تقويم أو وصلة تؤثر على طبقة الافتقار، منطقة P ومنطقة N | Rectifying junction or junction which influences a depletion layer، P region N region | - |
| 8.2.2.2 |  | وصلة تقويم أو وصلة تؤثر على طبقة الافتقار، منطقة N ومنطقة P | Rectifying junction or junction which influences a depletion layer، N region P region | - |
| 8.2.2.2 |  | وصلة تقويم أو وصلة تؤثر على طبقة الافتقار، منطقة N ومنطقة P | Rectifying junction or junction which influences a depletion layer، N region P region | - |
| 8.2.3 |  | منطقة شبه موصل من النوع المحسن مع تلامسات أومية متعددة ووصلة تقويم | Enhancement-type semiconductor region with plurality of ohmic connections and a rectifyingele junction |  يُحبَّذ أن تُرسم أجزاء خط القناة المتقطِّع الذي يضم تلامسات أومية أطول بوضوح مقارنةً مع قسم القناة المركزي.  يُحبَّذ أن تكون فجوات القناة متساوية الطول ومساوية تقريباً لطول القناة المركزي. |
8.2.4:  يُمثِّل الخطُ المائل ذو السهم الباعثَ. يُحبَّذ أن يكون طول رأس السهم في رموز البواعث من النوعين N و  P مساوياً لنصف طول المسافة التي تفصل السهم عن منطقة الأساس شبه الموصل.  يُحبَّذ أن يُرسم رمز عنصر الباعث بزاوية مساوية لقرابة 60 درجة مع رمز منطقة الأساس شبه الموصل.
| 8.2.4.1 |  | باعث على منطقة ذات نوع غير متشابه معه الموصلية، باعث من النوع P على منطقة من النوع N | Emitter on region of dissimilar-conductivity type, P emitter on N region | - |
| 8.2.4.1.1 |  | بواعث P متعددة على منطقة N | Plurality of P emitters on N region | - |
| 8.2.4.2 |  | باعث على منطقة ذات نوع غير متشابه معه في الموصلية، باعث N على منطقة P | Emitter on region of dissimilar-conductivity type, N emitter on P region | - |
| 8.2.4.2.1 |  | بواعث N متعددة على منطقة P | Plurality of N emitters on P region | - |
| 8.2.5 |  | مُجمِّع على منطقة ذات نوع غير متشابه معه الموصلية | Collector on region of dissimilar-conductivity type |  يُمثِّل الخطُ المائل المُجمِّع.  يُحبَّذ أن يُرسم رمز عنصر المُجمِّع بزاوية مساوية لقرابة 60 درجة مع رمز منطقة الأساس شبه الموصل. |
| 8.2.5.1 |  | مُجمِّعات مُتعدِّدة على منطقة ذات نوع غير متشابه معها في الموصلية | Plurality of collectors on region of dissimilar-conductivity type | - |
| 8.2.6 |  | انتقال بين مناطق ذات أنواع غير متشابهة في الموصلية، إما P إلى N أو N إلى P | Transition between regions of dissimilar-conductivity types, either P to N or N to P |  يُحدِّد الخط القصير المائل النقطة التي يحصل فيها التغيير على الخط الأفقي من P إلى N أو من N إلى P.  لا يُحبَّذ عمل أي تلامسات مع الخط القصير المائل.  يُحبَّذ أن تُرسم رموز عناصر الانتقال بزاوية مساوية لقرابة 60 درجة مع رمز منطقة الأساس شبه الموصل.  يُحبَّذ أن تكون الخطوط القصيرة المستعملة في رموز الانتقال أقصر قصراً ملحوظاً من رمزي المُجمِّع أو الباعث. |
8.2.7:  منطقة ذاتية حملة الشحنات بين منطقتين  تقع المنطقة الذاتية بين الخطين المائلين المتصلين.
| 8.2.7.1 |  | بين منطقتين ذات نوعين غير متشابهين معه في الموصلية، أي إما PIN  أو NIP | Between regions of dissimilar-conductivity type, either PIN or NIP | - |
| 8.2.7.2 |  | بين منطقتين ذات نوعين متشابهين معه في الموصلية، أي إما PIP  أو NIN | Between regions of dissimilar-conductivity type, either PIP or NIN | - |
| 8.2.7.3 |  | بين مجمع ومنطقة ذات نوع غير متشابه مع في الموصلية، أي إما PIN أو NIP | Between regions of dissimilar-conductivity type, either PIP or NIN | يُضاف التلامس مع المُجمِّع إلى الخط المائل الأطول. |
| 8.2.7.4 |  | بين مجمع ومنطقة ذات نوع متشابه معه الموصلية، أي إما PIP أو NIN | Between regions of dissimilar-conductivity type, either PIP or NIN | يُضاف التلامس مع المُجمِّع إلى الخط المائل الأطول. |
8.2.8:  بوابة معزولة.  يُرسم عنصر البوابة المعزولة على شكل حرف L اللاتيني، ويُفصل بفراغ عن القناة الواصلة بين التلامسات الأومية ويكون موازياً لها.  تُرسَم زاوية عنصر البوابة في مقابل تلامس المنبع الأومي المُفضَّل.
| 8.2.8.1 |  | بوابة واحدة | One gate | - |
| 8.2.8.2 |  | بوابات مُتعدِّدة | Between regions of dissimilar-conductivity type, either PIP or NIN |  تظهر بوابتان في المثال.  تُرسم عناصر البوابات المعزولة بأي طول مناسب كافٍ لإظهار البوابة.  يُرسم عنصر البوابة المعزولة مقابلاً للمنبع المُفضَّل بصفته بوابةً رئيسة، أما البوابات الإضافية، فهي بوابات ثانوية. |
8.2.9:  بوابة، مسرى تحكُّم كهربائي.  تُستعمل حصراً مع رموز الأسلوب 3.  يُحبَّذ أن يُرسم عنصر البوابة بزاوية قرابة 30 درجة مع محور رمز ثنائي المساري، ويُحبّّذ أن تلمس المِصعد أو المهبط في نقطة تقع تقريباً في منتصف الخط الواصل بين الخط المركزي للرمز ورمز النهاية الطرفية للمصعد أو للمهبط.
8.2.9.1:  بوابة (تلامس خارجي).
| 8.2.9.1.1 |  | عام | General | رمز عام |
| 8.2.9.1.2 |  | ذات ميزة إيقاف | Having a turn-off gate |  يُحبَّذ أن تُحدد الميزة الخاصة بواسطة خط قصير يقطع سلك البوابة. |
| 8.2.9.2 |  | بوابة (من غير تلامس خارجي) | Gate (no external connection) |  لا يُحبَّذ أن يمتد السلك إلى غلاف الرمز، إن وُجد، لغياب التلامس الخارجي مع البوابة. |