Yüksek elektron hareketliliği olan transistör
Yüksek elektron hareketliliği olan transistör (HEMT veya HEM FET), farklı bant aralıklarına sahip iki malzeme arasında bir bağlantı noktasının kanal olarak kullanıldığı, katkılı bir bölge yerine bir alan etkili transistördür. Yaygın olarak kullanılan bir malzeme kombinasyonu, GaAs ve AlGaAs'dir, ancak cihazın uygulamasına bağlı olarak geniş bir çeşitlilik gösterir. Daha fazla indiyum içeren cihazlar genellikle daha iyi yüksek frekans performansı gösterirken, son yıllarda galyum nitrürlü HEMT'ler yüksek güç performansları nedeniyle ilgi çekmiştir.