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KDE 플라스마 6

KDE 플라스마 6(KDE Plasma 6)은 KDE 플라스마 데스크톱 환경의 여섯 번째이자 최신 세대이다. KDE 플라스마 5의 후속작이며 2024년 2월 28일에 처음 출시되었다.

 개요 

KDE 플라스마 6은 KDE 플라스마 5와 크게 다르지 않고 일련의 개선 사항들을 중심으로 설계되었다. KDE 플라스마 6은 Qt 6, KDE 프레임워크 6 및 KDE 기어 24.02를 사용하여 빌드되었다. 또한, 웨이랜드 프로토콜 지원이 기본 그래픽 세션으로 주류화되었으며, X11 지원은 보조적으로 사용된다. 새로운 사운드 테마인 오션이 도입되어 옥시즌의 사운드 테마를 기본으로 대체한다. 웨이랜드의 플라스마 6은 HDR(High Dynamic Range) 및 색맹 보정 필터에 대한 부분적인 지원을 제공한다. 디스커버 앱과 설정도 개선되었으며 3D 큐브 데스크톱 효과가 다시 추가되었다.

 새로운 기능 

최신 플라스마 5 릴리스와 비교하여, 6세대에서는 다음과 같은 새로운 기능이 추가되었다.
 패널이 기본적으로 떠 있다. 패널은 자동 숨기기 모드를 사용하여 구성할 수 있으며 크기를 조절하여 독으로 만들 수 있다.
 플라스마 검색은 검색 결과의 순서를 사용자 지정할 수 있으며, 시간대 변환을 지원하고 현재 시스템 언어와 영어로 텍스트를 모두 일치시킨다.
 캘린더 애플릿에서 천문 및 움 알 쿠라 캘린더 지원.
 비밀번호와 지문 인증을 동시에 사용할 수 있도록 지원.
 사운드 테마 지원.

 역사 
플라스마 6의 첫 번째 안정 버전은 2024년 2월 28일에 출시되었다.

 출시 

 기준으로, 새로운 기능이 포함된 주요 버전은 4개월마다 출시되며, 연간 3번의 업데이트가 제공된다. 그러나 2023년부터 KDE 커뮤니티는 플라스마를 패키지하는 주요 리눅스 배포판(우분투, 오픈수세 립, 페도라)의 릴리스와 시기를 맞출 수 있다면 6개월마다 업데이트되는 반기 일정으로 전환하는 것을 선호한다고 밝혔다.

각 릴리스는 최대 6개의 버그 수정 패치 릴리스를 받는다. 다음 주요 릴리스가 출시되는 즉시 릴리스는 버그 수정을 중단한다. 플라스마 6의 장기 지원 버전을 제공할 계획은 없다.

 각주 

분류:자유 데스크톱 환경
사교좌표

사교좌표(skew coordinates)는 직교좌표계에서처럼 직교 좌표가 아닌 곡선 좌표계를 일컫는다.

사교좌표는 측량 텐서가 비대각 성분(off-diagonal components)을 갖기 때문에 직교 좌표에 비해 다루기 더 복잡한 경향이 있으며, 이는 텐서 대수 및 텐서 미적분학 공식에서 많은 단순화를 방해한다. 측량 텐서의 0이 아닌 비대각 성분은 좌표의 기저 벡터가 직교하지 않는 직접적인 결과이다. 정의에 따르면:

여기서 는 측량 텐서이고 는 (공변) 기저 벡터이다.

이러한 좌표계는 문제의 기하학이 사교좌표계에 잘 맞는 경우 유용할 수 있다. 예를 들어, 평행사변형에서 라플라스 방정식을 푸는 것은 적절하게 사교좌표를 사용할 때 가장 쉽다.

 하나의 빗축을 가진 데카르트 좌표 

섬네일|right|x축이 z축 쪽으로 구부러진 좌표계

사교좌표계의 가장 간단한 3D 사례는 데카르트 좌표계 중 한 축(예: x축)이 나머지 두 축 중 하나에 직교하면서 특정 각도 만큼 구부러진 경우이다. 이 예시에서는 데카르트 좌표계의 x축이 y축에 직교한 채로 z축 방향으로 만큼 구부러져 있다.

 대수와 유용한 양 

, , 를 각각 , , 축을 따른 단위 벡터라고 하자. 이들은 공변 기저를 나타내며, 이들의 스칼라곱을 계산하면 측량 텐서가 얻어진다.

여기서

그리고

이들은 나중에 유용하게 쓰일 양들이다.

반변 기저는 다음으로 주어진다.

반변 기저는 사용하기에 그리 편리한 것은 아니지만, 정의에 나타나므로 고려해야 한다. 우리는 공변 기저에 대한 양을 작성하는 것을 선호할 것이다.

기저 벡터는 모두 상수이므로, 벡터 덧셈과 뺄셈은 단순히 익숙한 성분별 덧셈과 뺄셈이 된다. 이제,

여기서 합은 지수(이 경우 i = 1, 2, 3)의 모든 값에 대한 합을 나타낸다. 이들 벡터의 반변 및 공변 성분은 다음 관계를 갖는다.

따라서 명시적으로,

반변 성분으로 표현된 스칼라곱은 다음과 같다.

그리고 공변 성분으로 표현하면

 미적분 

정의에 따르면, 스칼라 함수 f의 기울기는

여기서 는 x, y, z 좌표를 색인한 것이다. 이를 반변 기저로 표현된 벡터로 인식하여 다음과 같이 다시 쓸 수 있다.

벡터 의 발산은

그리고 텐서 의 발산은

f의 라플라시안은

그리고 공변 기저가 정규직교적이고 상수이므로, 벡터 라플라시안은 공변 기저로 표현된 벡터의 성분별 라플라시안과 동일하다.

스칼라곱과 기울기 모두 (데카르트 좌표계와 비교할 때) 추가 항을 포함하여 다소 복잡하지만, 스칼라곱과 기울기를 결합하는 이류 연산자는 매우 단순하게 나타난다.

이는 스칼라 함수와 벡터 함수 모두에 적용될 수 있으며, 공변 기저로 표현될 때 성분별로 적용된다.

마지막으로, 벡터의 회전은

 같이 보기 
 아핀 좌표계

 각주 

분류:좌표계
아틀라스 (다양체)

수학, 특히 위상수학에서 아틀라스(atlas)는 다양체를 설명하는 데 사용되는 개념이다. 아틀라스는 대략적으로 다양체의 개별 영역을 설명하는 개별 좌표계로 구성된다. 일반적으로 아틀라스의 개념은 다양체와 벡터 다발 및 기타 올다발과 같은 관련 구조의 형식적인 정의의 기초를 이룬다.

좌표계

아틀라스의 정의는 좌표계의 개념에 달려 있다. 위상 공간 M에 대한 좌표계는 M의 열린 부분집합 U에서 유클리드 공간의 열린 부분집합으로 가는 위상동형사상 이다. 좌표계는 전통적으로 순서쌍 로 기록된다.

유클리드 공간에서 좌표계를 선택하면 에 좌표가 정의된다. 의 점 의 좌표는 의 좌표로 정의된다. 좌표계와 이러한 좌표계로 구성된 쌍을 국소 좌표계, 좌표 차트, 좌표 패치, 좌표 맵 또는 국소 프레임이라고 한다.

아틀라스의 형식적 정의
위상 공간 에 대한 아틀라스는 을 덮는 (즉, ) 상의 좌표계들의 족 이다. 만약 고정된 n에 대해 각 좌표계의 상이 n차원 유클리드 공간의 열린 부분집합이면, 은 n차원 다양체라고 한다.

아틀라스의 복수형은 atlases이며, 일부 저자는 atlantes를 사용하기도 한다.

차원 다양체 상의 아틀라스 는 다음 조건을 만족하면 적절한 아틀라스라고 한다.

 각 좌표계의 상은 또는 이며, 여기서 는 닫힌 반공간이다.
 는 의 국소 유한 덮개이다.
 이며, 여기서 는 원점을 중심으로 하는 반지름 1의 열린 공이다.

모든 제2 가산 다양체는 적절한 아틀라스를 허용한다. 또한, 가 제2 가산 다양체 의 열린 덮개이면, 상에는 가 의 덮개의 세분인 적절한 아틀라스 가 존재한다.

전이 사상

전이 사상은 아틀라스의 두 좌표계를 비교하는 방법을 제공한다. 이 비교를 위해 한 좌표계와 다른 좌표계의 역함수의 합성을 고려한다. 이 합성은 두 좌표계를 그들의 정의역의 교집합으로 제한하지 않으면 잘 정의되지 않는다. (예를 들어, 유럽 지도가 있고 러시아 지도가 있다면, 이 두 지도를 그들의 겹치는 부분, 즉 러시아의 유럽 부분에서 비교할 수 있다.)

더 정확하게 말하자면, 와 가 다양체 M에 대한 두 좌표계이고 가 공집합이 아니라고 가정하자.
전이 사상 는 다음으로 정의되는 사상이다.

와 가 모두 위상동형사상이므로 전이 사상 도 위상동형사상이다.

추가 구조
다양체에 단순히 위상적 구조 이상의 구조를 원하는 경우가 많다. 예를 들어, 다양체 위의 함수의 미분에 대한 명확한 개념을 원한다면, 전이 함수가 미분 가능한 아틀라스를 구성할 필요가 있다. 이러한 다양체를 미분 다양체라고 한다. 미분 다양체가 주어지면 접벡터와 방향도함수의 개념을 명확하게 정의할 수 있다.

각 전이 함수가 매끄러운 함수이면 아틀라스를 매끄러운 아틀라스라고 하고, 다양체 자체를 매끄럽다고 한다. 또는 전이 맵이 k개의 연속 미분 계수만 갖도록 요구할 수도 있으며, 이 경우 아틀라스를 라고 한다.

매우 일반적으로, 각 전이 함수가 유클리드 공간의 유사군 에 속하면 아틀라스를 -아틀라스라고 한다. 아틀라스의 좌표계 사이의 전이 맵이 국소 자명화를 보존하면 아틀라스는 올다발의 구조를 정의한다.

 같이 보기 
 매끄러운 아틀라스
 매끄러운 틀

 각주 

 

, Chapter 5 "Local coordinate description of fibre bundles".

 외부 링크 
 아틀라스 by 롤랜드, 토드

분류:다양체
추상 지표 표기법

추상 지표 표기법(abstract index notation)은 텐서와 스피너를 위한 수학적 표기법으로, 특정 기저의 성분이 아닌 유형을 나타내기 위해 지표를 사용한다. 지표는 단지 자리 표시자에 불과하며 어떤 기저와도 관련이 없으며, 특히 숫자가 아니다. 따라서 리치 미적분학과 혼동해서는 안 된다. 이 표기법은 로저 펜로즈에 의해 현대 추상 텐서 표기법에서 축약과 공변 미분을 설명하는 어려움을 보완하기 위해 아인슈타인 합 규약의 형식적인 측면을 사용하면서 관련된 표현의 명시적 공변성을 보존하는 방법으로 도입되었다.

를 벡터 공간이라 하고 를 그 쌍대 공간이라 하자. 예를 들어, 2차 공변 텐서 를 고려해 보자. 그러면 는 에 대한 쌍선형 형식으로 식별될 수 있다. 즉, 의 두 인수에 대한 함수로, 한 쌍의 슬롯으로 표현될 수 있다.
 

추상 지표 표기법은 단지 라틴 문자로 슬롯에 레이블을 붙인 것으로, 슬롯의 레이블 지정 외에는 중요성이 없다(즉, 숫자가 아니다).
 

두 텐서 사이의 텐서 축약 (또는 대각합)은 지표 레이블의 반복으로 표현되며, 한 레이블은 반변적이고 (인자 에 해당하는 위 지표) 다른 레이블은 공변적이다 (인자 에 해당하는 아래 지표). 따라서 예를 들어,
 

는 텐서 의 마지막 두 슬롯에 대한 대각합이다. 반복된 지표로 텐서 축약을 표현하는 이 방식은 아인슈타인 합 규약과 형식적으로 유사하다. 그러나 지표가 숫자가 아니기 때문에 합을 의미하지는 않는다. 오히려 유형의 텐서 인자와 유형의 텐서 인자 사이의 추상적인 기저 독립적인 대각합 연산 (또는 자연 짝짓기)에 해당한다.

 추상 지표와 텐서 공간 

일반적인 동차 텐서는 와 의 사본들의 텐서곱의 원소이다.

이 텐서곱의 각 인자에 대해 각 반변 인자에는 위쪽에 라틴 문자를, 각 공변 위치에는 아래쪽에 라틴 문자를 붙여 레이블을 지정한다. 이런 식으로 곱을 다음과 같이 쓴다.

또는 간단히

마지막 두 표현은 첫 번째와 동일한 객체를 나타낸다. 이 유형의 텐서는 예를 들어 다음과 같은 유사한 표기법을 사용하여 나타낸다.

 축약 

일반적으로 공간의 텐서곱에 하나의 반변 인자와 하나의 공변 인자가 나타날 때마다 관련 축약 (또는 대각합) 사상이 존재한다. 예를 들어,
 
는 텐서곱의 처음 두 공간에 대한 대각합이다.는 처음과 마지막 공간에 대한 대각합이다.

이러한 대각합 연산은 지표의 반복으로 텐서에 표시된다. 따라서 첫 번째 대각합 사상은 다음과 같이 주어진다.
 
두 번째는 다음과 같다.
 

 꼬임 
단일 벡터 공간의 모든 텐서곱에 대해 꼬임 사상이 관련되어 있다. 예를 들어, 꼬임 사상

은 두 텐서 인자를 교환한다 (따라서 간단한 텐서에 대한 동작은 로 주어진다). 일반적으로 꼬임 사상은 텐서 인자를 치환하여 작용하는 대칭군 (군론)의 원소들과 일대일 대응한다. 여기서 는 치환 (서로소 순환 치환의 곱으로 표현됨)에 관련된 꼬임 사상을 나타낸다.

꼬임 사상은 미분기하학에서 예를 들어, 비안키 항등식을 표현하는 데 중요하다. 여기서 을 의 텐서로 간주되는 리만 텐서라 하자. 그러면 첫 번째 비안키 항등식은 다음과 같이 주장한다.

추상 지표 표기법은 다음과 같이 꼬임을 처리한다. 특정 텐서곱에 대해 추상 지표의 순서가 고정된다 (일반적으로 사전식 순서이다). 꼬임은 지표의 레이블을 치환하여 표기법으로 표현된다. 따라서 예를 들어, 리만 텐서의 경우

비안키 항등식은 다음과 같이 된다.

 반대칭화와 대칭화 
일반적인 텐서는 반대칭화되거나 대칭화될 수 있으며, 해당 표기법이 존재한다.

예시를 통해 표기법을 설명한다. 세 개의 원소에 대한 대칭군이 인 유형-(0,3) 텐서 를 반대칭화해 보자.
 

마찬가지로 대칭화할 수 있다.
 

 같이 보기 
 펜로즈 그래프 표기법
 아인슈타인 표기법
 지표 표기법
 텐서
 반대칭 텐서
 지표 올리기 및 내리기
 벡터의 공변성 및 반변성

 각주 

분류:수학 표기법
분류:텐서
펜로즈 그래프 표기법

수학과 물리학에서 펜로즈 그래프 표기법(Penrose graphical notation) 또는 텐서 다이어그램 표기법(tensor diagram notation)은 1971년 로저 펜로즈가 제안한 다중선형 함수 또는 텐서의 (보통 손으로 쓴) 시각적 묘사이다. 이 표기법의 다이어그램은 선으로 연결된 여러 도형으로 구성된다.

이 표기법은 현대 양자 이론, 특히 행렬 곱 상태와 양자 회로에서 널리 나타난다. 특히, 범주형 양자역학 (여기에는 ZX-calculus가 포함됨)은 펜로즈 다이어그램 측면에서 양자 이론을 완전히 재정의한 것이다.

이 표기법은 프레드라그 츠비타노비치에 의해 광범위하게 연구되었으며, 그는 파인만의 다이어그램 및 기타 관련 표기법과 함께 "새 발자국(birdtracks)"을 개발하는 데 이를 사용했다. 새 발자국은 고전 리 군을 분류하기 위한 군론적 다이어그램이다. 펜로즈의 표기법은 또한 표현론을 사용하여 물리학의 스핀 네트워크로 일반화되었으며, 행렬군이 있는 경우 선형대수학의 추적 다이어그램으로 일반화되었다.

 해석 

 다중선형대수학 

다중선형대수학의 언어로 각 도형은 다중선형 함수를 나타낸다. 도형에 부착된 선은 함수의 입력 또는 출력을 나타내며, 도형을 어떤 방식으로든 함께 연결하는 것은 본질적으로 함수의 합성이다.

 텐서 

텐서 대수의 언어로, 특정 텐서는 위아래로 뻗어 나가는 많은 선을 가진 특정 도형과 연관되어 있으며, 각각 텐서의 추상 상위 및 하위 인덱스에 해당한다. 두 도형 사이의 선을 연결하는 것은 인덱스의 축약에 해당한다. 이 수학적 표기법의 한 가지 장점은 새로운 인덱스에 대해 새로운 문자를 발명할 필요가 없다는 것이다. 이 표기법은 또한 명시적으로 기저에 독립적이다.

 행렬 
각 도형은 행렬을 나타내며, 텐서곱은 수평으로, 행렬 곱셈은 수직으로 수행된다.

 특수 텐서의 표현 

 계량 텐서 
계량 텐서는 사용되는 텐서의 유형에 따라 U자형 고리 또는 뒤집힌 U자형 고리로 표현된다.

 레비치비타 텐서 
레비치비타 텐서는 사용되는 텐서의 유형에 따라 아래 또는 위로 향하는 막대기가 있는 두꺼운 수평 막대로 표현된다.

 구조 상수 
 섬네일|x120px|구조 상수 

리 대수의 구조 상수()는 위로 향하는 선 하나와 아래로 향하는 선 두 개가 있는 작은 삼각형으로 표현된다.

 텐서 연산 

 인덱스 축약 

인덱스의 텐서 축약은 인덱스 선을 함께 연결하여 표현된다.

 대칭화 

인덱스의 대칭화는 인덱스 선을 가로지르는 두꺼운 지그재그 또는 물결 모양의 막대로 표현된다.

 반대칭화 

인덱스의 반대칭화는 인덱스 선을 가로지르는 두꺼운 직선으로 표현된다.

 행렬식 

행렬식은 인덱스에 반대칭화를 적용하여 형성된다.

 공변미분 

공변미분()은 미분될 텐서(들) 주위의 원과 원에서 아래쪽으로 향하는 선으로 표현되며, 이는 미분의 하위 인덱스를 나타낸다.

 텐서 조작 

다이어그램 표기법은 텐서 대수를 조작하는 데 유용하다. 일반적으로 텐서 조작의 몇 가지 간단한 "항등식"이 포함된다.

예를 들어, 는 일반적인 "항등식"이며, 여기서 n은 차원의 수이다.

 리만 곡률 텐서 

리만 곡률 텐서의 리치 및 비안키 항등식은 이 표기법의 위력을 보여준다.

 확장 

이 표기법은 스피너와 트위스터를 지원하도록 확장되었다.

 같이 보기 

 추상 지표 표기법
 각운동량 다이어그램 (양자역학)
 브레이드 모노이드 범주
 범주형 양자역학은 텐서 다이어그램 표기법을 사용한다.
 행렬 곱 상태는 펜로즈 그래프 표기법을 사용한다.
 리치 미적분학
 스핀 네트워크
 추적 다이어그램

 각주 

분류:이론물리학
분류:수학 표기법
분류:텐서
MFi 프로그램

섬네일|right|최신 Made for iPod 로고는 MFi 프로그램 배지의 일반적인 모습이다.

애플의 MFi 프로그램(MFi Program) 또는 MFi 인증은 "Made for iPhone/iPod/iPad"를 의미하며, 애플의 아이팟, 아이패드, 아이폰과 함께 작동하는 하드웨어 및 소프트웨어 주변기기 개발자를 위한 라이선싱 프로그램이다. 이 이름은 궁극적으로 MFi가 된 원래 프로그램인 Made for iPod의 약칭이다.

MFi 프로그램은 헤드폰 잭, 원래의 독 커넥터 및 최신 라이트닝 커넥터를 포함한 다양한 장치 커넥터와 에어플레이 지원을 포괄한다. MFi 프로그램에 가입하고 인증 테스트를 통과한 회사는 "Made for iPod" 배지와 같은 특정 MFi 관련 로고를 제품 포장에 표시할 수 있다.

Made for iPod
Made for iPod 프로그램은 2005년 1월 11일 맥월드 엑스포에서 시작되었지만, 발표 직전에 출시된 일부 제품은 대신 "Ready for iPod" 라벨을 달고 있었다. 당시 애플이 로고가 있는 모든 제품에 대해 10%의 수익을 청구할 것이라고 보도되었고, 언론은 이를 "세금"이라고 묘사했다. 아이팟은 음소거 및 볼륨 조절과 같은 추가 제어 입력을 허용하는 확장된 헤드폰 잭을 사용하며, 잭 또는 독 커넥터에 연결하는 제품에 대한 라이선스를 사용할 수 있었다.

독 커넥터를 사용할 때 장치는 애플 액세서리 프로토콜(AAP)로 알려진 간단한 직렬 프로토콜을 사용하여 아이팟을 제어할 수 있다. 이는 (일반적으로) 19,200 비트/초 8N1 통신 신호를 사용하여 "음성 메모 가져오기" 또는 "볼륨 높이기"와 같은 명령을 포함하는 짧은 패킷을 보낸다. 3세대 아이팟이 도입되면서 AAP는 헤드폰 연결에서도 사용할 수 있게 되었다. 이러한 신호는 자동차 통합 시스템을 포함한 많은 Made for iPod 장치에서 원격 제어를 허용하는 데 사용된다.

2022년까지 모든 아이팟 모델은 단종되었지만, MFi 프로그램은 계속 존재한다.

새로운 제품 라인
섬네일|right|아이팟, 아이폰 및 아이패드 로고
아이폰의 도입으로 프로그램 이름은 "Made for iPod and Made for iPhone"으로 확장되었고, 다시 아이패드로 "Made for iPod, iPhone and iPad"가 되었다. 프로그램 이름은 2010년경 공식적으로 MFi로 변경되었지만, 이 용어는 한동안 비공식적으로 사용되어 왔다.

MFi 프로그램은 이제 무선 음악 스트리밍을 위한 AirTunes 시스템도 다룬다. AirTunes는 원래 2004년 아이튠즈 내의 Mac 및 PC 플랫폼에서 도입되었으며, 나중에 Apple TV와 같은 장치를 지원하기 위해 비디오 출력 기능이 추가되면서 AirPlay로 알려지게 되었다. AirPlay는 아이폰과 아이팟 터치가 도입되면서 와이파이 기능을 얻게 되었을 때 장치에 적용되었다. 하드웨어 구성 요소가 없기 때문에 AirPlay는 공식 및 비 MFi 소프트웨어 시스템 모두에서 널리 구현되었다(자세한 내용은 AirPlay 참조).

라이트닝 커넥터
라이트닝 커넥터가 도입되면서 브랜딩이 변경되었고, 한동안 비공식적으로 사용되어 온 용어인 MFi로 공식적으로 바뀌었다. 라이트닝은 또한 MFi 프로그램을 통해서만 공식적으로 지원될 수 있는 추가 프로토콜을 도입했다. TUAW에 따르면 기술적 요구 사항 외에도 애플은 모든 제3자가 애플의 공급업체 책임 코드에 동의하도록 요구하는 라이선스 계약을 업데이트할 기회를 가졌다.

iOS 7 이후
2013년 WWDC에서 개발자 버전의 iOS 7이 출시되면서 게임 컨트롤러에 대한 새로운 MFi 승인이 포함되었다. 이는 iOS 장치에 클립되는 랩어라운드 디자인이거나 완전히 분리된 무선 모델을 모두 포함한다.

자신의 장치와 애플리케이션을 HomeKit과 통합하려는 개발자는 사양에 접근하고 제품을 인증하기 위해 MFi 프로그램의 회원이어야 한다.

 각주 

 외부 링크 
 

분류:애플의 주변기기
애플 팟캐스트

애플 팟캐스트(Apple Podcasts, 애플 운영체제에서는 간단히 팟캐스트로 호칭)는 애플이 팟캐스트 재생을 위해 개발한 오디오 스트리밍 서비스이자 미디어 플레이어 애플리케이션이다. 애플은 2005년 6월에 출시된 아이튠즈 4.9부터 팟캐스트를 지원하기 시작했으며, 2012년 첫 단독 모바일 앱을 출시했다. 이 앱은 2014년 10월부터 iOS에 사전 설치되었다. 애플 팟캐스트 디렉토리에는 2백만 개 이상의 쇼가 있다. 애플 팟캐스트는 iOS, iPadOS, MacOS, WatchOS, TvOS, 카플레이, VisionOS, 마이크로소프트 윈도우 운영 체제, 웹 브라우저, 아마존 알렉사 장치에서 사용할 수 있다.

 역사 
애플은 팟캐스트(이 용어는 애플의 아이팟 음악 플레이어와 "방송"의 혼성어)의 초기 홍보자였으며, 2005년 6월에 출시된 아이튠즈 4.9에 재생 기능을 추가하고 아이튠즈 스토어에 3,000개의 항목으로 시작하는 쇼 디렉토리를 구축했다. 2020년 4월, 애플 팟캐스트는 1백만 개 이상의 쇼를 넘어섰다. 2021년 6월, 애플은 팟캐스트 제작자들이 팟캐스트 채널을 통해 유료 구독을 구현할 수 있는 옵션을 출시했다.

 시장 점유율 
애플 팟캐스트는 2021년 3월에 미국에서 팟캐스트 플랫폼 1위였던 스포티파이 팟캐스트에 뒤처진 첫 달에 약 2천8백만 명의 미국 월별 청취자와 23.8%의 시장 점유율을 기록했다. 이는 2018년 애플의 시장 점유율 34%에서 감소한 수치이다.

2025년에 애플 팟캐스트는 미국 내 상위 250개 팟캐스트의 조회수와 다운로드를 기준으로 37.4%의 시장 점유율을 기록하며 시장 점유율을 회복했다고 보고되었다. 이는 유튜브(23.2%)와 스포티파이(15.2%)를 앞서는 수치이며, 세 플랫폼을 합치면 75.8%의 시장 점유율을 가진다. 그러나 애플 팟캐스트는 기본적으로 자동 다운로드된다는 점도 언급되었다.

 애플리케이션 플랫폼 
 iOS, tvOS, watchOS 및 visionOS 버전 
독립형 애플 팟캐스트 앱은 2012년 세계 개발자 회의에서 IOS 6의 기능으로 발표되었다. 애플은 2012년 6월 26일 앱 스토어 (애플)에 이 앱을 조기에 출시했다. 이 앱은 새로운 팟캐스트를 찾기 위한 "스테이션" 기능을 추가했다. 이 앱은 카플레이의 표준 앱이다.

독립형 애플 팟캐스트 앱은 2012년 9월 24일 소프트웨어 6.0 업데이트와 함께 2세대 및 3세대 Apple TV에 적용되었다. 2015년 10월에 출시된 TvOS 기반 4세대 Apple TV는 팟캐스트를 재생할 수 없었다. 이는 광고, 매장 데모 루프, 개발자 문서에 홈 화면에 팟캐스트 아이콘이 나타났음에도 불구하고 발생했다. 애플 팟캐스트는 2016년 1월 26일에 출시된 tvOS 9.1.1과 함께 추가되었다.

애플 팟캐스트는 2018년 9월 17일 watchOS 5와 함께 애플 워치에 추가되었다.

WWDC 2023 (2023년 6월 5일)에서 애플 비전 프로가 발표되었고, 이와 함께 visionOS 1과 Apple Podcast도 발표되었다.

2024년 3월 5일, 애플은 iOS 17.4 및 iPadOS 17.4와 함께 아이폰과 아이패드의 팟캐스트 앱에 대본 기능을 추가했다. 대본은 영어, 프랑스어, 스페인어, 독일어 팟캐스트에서 사용할 수 있다.

 macOS 및 Windows 버전 
MacOS 및 마이크로소프트 윈도우용 애플 팟캐스트는 처음에는 iTunes 앱의 일부로 제공되었으며, 2005년 6월 버전 4.9에서 팟캐스트 지원이 추가되었다.

애플은 2019년 WWDC에서 MacOS 카탈리나 출시와 함께 macOS용 아이튠즈가 음악, TV 및 팟캐스트 앱으로 분리되어 대체될 것이라고 발표했다. 애플 팟캐스트는 마이크로소프트 윈도우의 iTunes를 통해 계속 사용할 수 있다.

 웹 버전 및 기타 플랫폼 
2024년 8월 19일, 애플의 팟캐스트 디렉토리가 아이튠즈에서 처음 출시된 지 19년 만에 애플은 마침내 애플 팟캐스트용 웹 인터페이스를 출시하여 컴퓨터에 아이튠즈가 설치되어 있지 않거나 애플 macOS 및 마이크로소프트 윈도우 이외의 운영 체제를 실행하는 사용자들도 접근할 수 있도록 했다.

애플 뮤직과는 달리 현재 안드로이드용 애플 팟캐스트 앱은 제공되지 않는다.

 스마트 스피커 
애플의 홈팟 제품군은 음성 사용자 인터페이스를 사용하여 팟캐스트를 지원한다. 애플 팟캐스트 지원은 2019년 12월에 아마존 에코 라인에 추가되었다.

 애플 팟캐스트 어워드 

 평가 
애플 팟캐스트 앱에 대한 비판적 평가는 일반적으로 엇갈렸다. 2012년에 엔가젯은 이 앱이 "아이튠즈의 혼란을 뚫고 나갈 기회를 제공한다"고 평가했다. 2017년에 슬레이트는 이 앱이 결함과 낮은 음질 때문에 비판했다. 2019년에 벌처는 이 앱을 "실망스럽다"고 평가하며 "구독과 같은 기본적인 기능에서도 미흡하고 상당히 투박하다"고 말했다.

 같이 보기 
 팟캐스트 클라이언트 목록
 음악 (소프트웨어)
 애플 뮤직

 각주 

분류:애플의 소프트웨어
분류:IOS 소프트웨어
분류:MacOS 소프트웨어
분류:TvOS 소프트웨어
사진 (애플)

사진(Photos)은 애플이 개발한 사진 관리 및 편집 응용 프로그램이다. 아이폰 OS 1에 번들 앱으로 처음 출시되었으며, 2015년 4월 8일 10.10.3 업데이트를 통해 OS X 요세미티 사용자에게 번들 앱으로 출시되어 아이포토와 애퍼처를 대체했다. TvOS 10용으로는 2016년 9월 13일에 출시되었다. 2023년 6월 5일 WWDC 2023에서 애플 비전 프로가 발표되면서 사진 앱이 VisionOS에 탑재되었다.

역사
2014년 6월, 애플은 아이포토와 애퍼처를 2015년에 새로운 응용 프로그램인 사진으로 대체할 계획을 발표했다. 이 앱은 2015년 4월 8일 사용자에게 무료 업데이트로 배포된 OS X 요세미티 10.10.3에 포함되었다.

2016년 9월 13일, 이 앱은 TvOS 10에 포함되었다.

2023년 6월 5일 WWDC 2023에서 애플 비전 프로가 공개되면서 사진 앱이 VisionOS에 탑재되었다.

iOS 18 및 iPadOS 18과 함께, 사진 앱은 WWDC 2024에서 대대적인 재설계를 거쳤으며, 이는 출시 이후 가장 큰 기능 업데이트였다. 재설계의 목표는 사용성을 개선하고, 라이브러리 구성을 단순화하며, 새로운 AI 기반 기능을 제공하는 것이었다. 이전의 "라이브러리", "앨범", "추천"과 같은 별도의 탭 구조는 통합된 스크롤 가능한 뷰로 대체되었다. 사용자가 앱을 열면 먼저 전체 라이브러리가 압축된 그리드 형태로 표시된다. 더 아래로 스크롤하면 사람, 애완동물, 위치 또는 이벤트별로 주제별로 자동 생성된 컬렉션이 나타난다. 이러한 컬렉션은 개별적으로 맞춤 설정, 정렬 또는 고정할 수 있다. 검색 기능은 크게 개선되어 이제 "아이스크림을 먹는 나" 또는 "상자 안의 고양이"와 같은 자연어 입력을 지원한다. 사진과 비디오를 모두 검색하며, 비디오 내의 특정 장면도 식별할 수 있다. 애플 인텔리전스와의 통합으로 향상된 편집 도구를 사용할 수 있다. 여기에는 이미지에서 주의를 산만하게 하는 개체를 제거하는 새로운 "정리" 도구와 간단한 설명 텍스트를 기반으로 사진과 비디오에서 자동으로 추억을 생성하는 기능이 포함된다.

기능
사진은 전문적인 이전 버전인 애퍼처보다 덜 복잡하게 만들어졌다. 버전 4.0(2018년 macOS 10.14 모하비와 함께 출시됨)까지 사진 앱은 사진에 첨부된 시간 및 위치 메타데이터의 조합을 사용하여 결정된 "모멘트"별로 사진을 정리했다. 버전 5.0(2019년 macOS 10.15 카탈리나와 함께 출시됨)부터는 사진을 연, 월, 일별로 탐색할 수 있다.

사진 형식
기본적으로 아이폰은 .heic 파일 확장자를 가진 공간 절약형 형식인 HEIF (고효율 이미지 파일) 형식으로 사진을 저장한다. HEIF는 더 작은 파일 크기와 높은 품질을 제공하는 반면, JPEG는 구형 장치 및 소프트웨어와의 더 넓은 호환성을 제공한다. HEIF 사진은 JPEG 파일로 내보낼 수 있다.

편집
사진에는 원클릭 자동 향상 버튼과 같은 간단한 컨트롤을 사용하여 활용되는 강력한 편집 기능이 포함되어 있다.

iCloud 사진 보관함
아이클라우드 사진 보관함은 앱에 깊이 통합되어 사진과 비디오를 사용자 지정 Mac, 아이폰, 아이패드와 같은 다양한 애플 기기와 동기화하여 편집 및 앨범 구조를 유지한다. 아이클라우드 통합은 여전히 선택 사항이지만, 아이포토에 비해 사진에서는 훨씬 더 핵심적인 역할을 한다.

전문 인쇄
이전 버전과 마찬가지로, 사진은 초기에는 사진의 전문적인 인쇄를 위한 여러 옵션을 포함했으며, 이를 책이나 달력으로 만들어 주소로 우편 발송할 수도 있었다. 사진과 함께 애플은 정사각형 크기 및 파노라마 인쇄 기능 등 새로운 유형의 인쇄물을 추가했다. 2018년 7월, 애플은 사진 앱의 팝업 메시지를 통해 이 서비스를 중단할 것이며, 사용자들에게 2018년 9월 30일까지 최종 주문을 제출해야 한다고 발표했다.

공유
iCloud 사진 공유를 통해 다른 사람들과 사진을 공유할 수 있다. 다른 사람들은 기존 공유 사진을 보거나, 좋아요를 누르거나, 댓글을 달거나, 공유 앨범에 새 사진을 추가할 수 있다. 다른 공유 방법으로는 이메일, iOS 확장 기능을 통해 통합되는 소셜 플랫폼, 또는 애플의 피어투피어 에어드롭 기술이 있다.

비판
비평가들은 사진 앱이 이전 버전들에 비해 기능이 상실되었다고 지적했다. 예를 들어, 이미지를 더 이상 이벤트로 정렬할 수 없으며, 자동으로 시간 순서대로 모멘트로 정렬되거나 앨범에 넣어 관리해야 했다. 앨범은 자동 정렬을 허용하지 않았고 이를 위해서는 사용자 정의 규칙으로 스마트 앨범을 구성해야 했다. 사진 앱 출시와 함께 애플이 포기한 애퍼처 응용 프로그램을 사용하던 고객들은 특히 전문 표준 기능의 상실에 분노했다. 2015년에 출시된 OS X 10.11 엘 캐피탄으로 업그레이드한 애플 고객들은 업그레이드 전에 최신 버전의 아이포토를 먼저 얻지 못했다면 경고 없이 응용 프로그램에서 잠기는 것을 발견했다. 아이포토는 맥 앱 스토어에서 제거되었기 때문에 사진 앱을 사용하는 것 외에는 다른 대안이 없었다.

 같이 보기 
 구글 포토
 다크테이블
 GThumb

 각주 

 외부 링크 
 

분류:애플의 소프트웨어
분류:래스터 그래픽 소프트웨어
분류:IOS 소프트웨어
분류:2014년 소프트웨어
분류:2015년 소프트웨어
분류:TvOS 소프트웨어
RCA 세정

RCA 세정 또는 RCA 클린(RCA clean)은 반도체 제조에서 실리콘 웨이퍼의 고온 처리 단계(산화, 확산, CVD) 전에 수행해야 하는 표준 웨이퍼 클리닝 단계이다.

베르너 컨은 1965년 RCA에서 근무하면서 기본적인 절차를 개발했다. 다음 화학 공정을 순서대로 포함한다.

 유기 오염물 제거 (유기물 제거 + 입자 제거)
 얇은 산화물층 제거 (산화물 박리, 선택 사항)
 이온 오염 제거 (이온 제거)

표준 레시피
웨이퍼는 탈이온수에 담가 준비한다. 만약 심하게 오염된 경우 (육안으로 보이는 잔류물), 피라냐 용액으로 예비 세척이 필요할 수 있다. 웨이퍼는 각 단계 사이에 탈이온수로 철저히 헹군다.

이상적으로는, 아래 단계들은 웨이퍼를 석영유리 또는 용융 석영 용기에 준비된 용액에 담가 수행한다 (붕규산 유리 제품은 불순물이 침출되어 오염을 유발할 수 있으므로 사용하지 않아야 한다). 마찬가지로, 사용되는 화학물질은 웨이퍼를 재오염시킬 불순물을 피하기 위해 전자 등급 (또는 "CMOS 등급")이어야 한다.

첫 번째 단계 (SC-1): 유기물 제거 + 입자 제거 
첫 번째 단계 (SC-1이라고 하며, SC는 표준 세척을 의미)는 다음 용액으로 수행된다 (비율은 다를 수 있다)
 탈이온수 5부
 암모니아수 1부 (NH3의 무게비 29%)
 수성 H2O2 (과산화 수소, 30%) 1부
75 또는 80 °C에서 일반적으로 10분 동안. 이 염기-과산화물 혼합물은 유기 잔류물을 제거한다. SC-1이 표면 및 입자의 제타 전위를 수정하고 서로 반발하게 하므로, 불용성 입자까지도 매우 효과적으로 제거된다. 이 처리는 실리콘 표면에 얇은 이산화 규소층 (약 1 nm)을 형성하며, 일정량의 금속 오염 (특히 철)이 발생하는데, 이는 다음 단계에서 제거될 것이다.

두 번째 단계 (선택 사항): 산화물 박리
선택 사항인 두 번째 단계 (베어 실리콘 웨이퍼의 경우)는 얇은 산화물 층과 일부 이온 오염 물질을 제거하기 위해 25 °C에서 수성 HF (플루오린화 수소산) 1:100 또는 1:50 용액에 약 15초 동안 짧게 담그는 것이다. 이 단계가 초고순도 물질과 초청정 용기 없이 수행되면, 베어 실리콘 표면이 매우 반응적이므로 재오염으로 이어질 수 있다. 어쨌든 다음 단계 (SC-2)에서 산화물 층이 용해되고 재성장된다.

세 번째 단계 (SC-2): 이온 제거
세 번째이자 마지막 단계 (SC-2라고 함)는 다음 용액으로 수행된다 (비율은 다를 수 있다)
 탈이온수 6부
 수성 HCl (염산, 무게비 37%) 1부
 수성 H2O2 (과산화 수소, 30%) 1부
75 또는 80 °C에서 일반적으로 10분 동안. 이 처리는 SC-1 세척 단계에서 도입된 일부 금속 (이온) 오염 물질의 남아있는 흔적을 효과적으로 제거한다. 또한 웨이퍼 표면에 얇은 부동태 층을 남겨 표면을 이후 오염으로부터 보호한다 (노출된 베어 실리콘은 즉시 오염된다).

네 번째 단계: 헹굼 및 건조
RCA 세정이 고순도 화학 물질과 깨끗한 유리 제품으로 수행되면, 웨이퍼가 물에 잠겨 있는 동안에도 매우 깨끗한 웨이퍼 표면을 얻을 수 있다. 표면이 물 표면에 떠다니는 유기물과 입자에 의해 쉽게 재오염될 수 있으므로, 헹굼 및 건조 단계는 올바르게 수행되어야 한다 (예: 흐르는 물 사용). 웨이퍼를 효과적으로 헹구고 건조하는 데 다양한 절차가 사용될 수 있다.

추가 사항
현장 외 세척 공정의 첫 번째 단계는 트라이클로로에틸렌, 아세톤 및 메탄올에서 웨이퍼를 초음파로 탈지하는 것이다.

 같이 보기 
 화학기계적 연마
 피라냐 용액
 플라즈마 식각
 실리콘 온 인슐레이터
 웨이퍼

 각주 

 외부 링크 
 RCA Clean, School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Institute of Technology

분류:반도체 제조
하드마스크

하드마스크(hardmask)는 반도체 공정에서 폴리머 또는 기타 유기 "소프트" 레지스트 재료 대신 에칭 마스크로 사용되는 재료이다.

하드마스크는 에칭되는 재료 자체가 유기 고분자일 때 필요하다. 이 재료를 에칭하는 데 사용되는 모든 것은 패터닝을 정의하는 데 사용되는 포토레지스트도 유기 고분자이기 때문에 함께 에칭할 것이다. 이는 예를 들어, VLSI 제작에 사용되는 저유전율 유전체 절연층의 패터닝에서 발생한다. 폴리머는 산소, 플루오린, 염소 (원소) 및 플라즈마 에칭에 사용되는 다른 반응성 가스에 의해 쉽게 에칭되는 경향이 있다.

하드마스크 사용에는 추가 증착 공정이 수반되므로 추가 비용이 발생한다. 먼저, 하드마스크 재료가 증착되고 표준 포토레지스트 공정을 사용하여 필요한 패턴으로 에칭된다. 이어서 하드마스크를 통해 아래 재료를 에칭할 수 있다. 마지막으로 하드마스크는 추가 에칭 공정으로 제거된다.

하드마스크 재료는 금속 또는 유전체일 수 있다. 이산화 규소 또는 탄화 규소와 같은 규소 기반 마스크는 일반적으로 저유전율 유전체를 에칭하는 데 사용된다. 그러나 구리 인터커넥트를 절연하는 데 사용되는 재료인 SiOCH(탄소 도핑된 수소화 이산화 규소)는 규소 화합물을 공격하는 에천트를 필요로 한다. 이 재료의 경우 금속 또는 비정질 탄소 하드마스크가 사용된다. 하드마스크에 가장 일반적인 금속은 질화 티타늄이지만 질화 탄탈륨도 사용되었다.

 각주 

 참고 문헌 
 Shi, Hualing; Shamiryan, Denis; de Marneffe, Jean-François; Huang, Huai; Ho, Paul S.; Baklanov, Mikhail R., "Plasma processing of low-κ dielectrics", ch. 3 in, Baklanov, Mikhail; Ho, Paul S.; Zschech, Ehrenfried (eds), Advanced Interconnects for ULSI Technology, John Wiley & Sons, 2012 .
 Wong, T.; Ligatchev, V.; Rusli, R., "Structural properties and defect characterisation of plasma deposited carbon doped silicon oxide low-k dielectric films", pp. 133–141 in, Mathad, G.S. (ed); Baker, B.C.; Reidesma-Simpson, C.; Rathore, H.S.; Ritzdorf, T.L. (asst. eds), Copper Interconnects, New Contact Metallurgies, Structures, and Low-k Interlevel Dielectrics: Proceedings of the International Symposium, The Electrochemical Society, 2003 

분류:반도체 제조
반응성 이온 에칭

섬네일|실험실 청정실의 반응성 이온 에칭 장비.
반응성 이온 에칭(reactive-ion etching, RIE)은 미세가공에 사용되는 에칭 기술이다. RIE는 습식 식각과는 다른 특성을 가진 건식 식각의 일종이다. RIE는 화학적으로 반응하는 플라스마를 사용하여 웨이퍼에 증착된 재료를 제거한다. 플라스마는 낮은 압력(진공)에서 전자기장에 의해 생성된다. 플라스마에서 나오는 고에너지 이온은 웨이퍼 표면을 공격하고 반응한다.

 장비 
일반적인 (평행판) RIE 시스템은 원통형 진공 챔버로 구성되며, 챔버 하단에 웨이퍼 플래터가 위치한다. 웨이퍼 플래터는 챔버의 나머지 부분과 전기적으로 절연되어 있다. 가스는 챔버 상단의 작은 흡입구를 통해 유입되고 하단을 통해 진공펌프 시스템으로 배출된다. 사용되는 가스의 종류와 양은 에칭 공정에 따라 다르다. 예를 들어, 육플루오린화 황은 일반적으로 규소 에칭에 사용된다. 가스 압력은 일반적으로 가스 유량을 조절하거나 배기 오리피스를 조절하여 몇 밀리토르에서 몇 백 밀리토르 사이로 유지된다.

유도 결합 플라스마(ICP) RIE를 포함한 다른 유형의 RIE 시스템도 존재한다. 이 유형의 시스템에서는 무선주파수(RF) 전력 자기장으로 플라스마가 생성된다. 매우 높은 플라스마 밀도를 달성할 수 있지만, 에칭 프로파일은 더 등방성적인 경향이 있다.

평행판과 유도 결합 플라스마 RIE를 조합하는 것도 가능하다. 이 시스템에서 ICP는 에칭 속도를 높이는 고밀도 이온원으로 사용되는 반면, 기판(실리콘 웨이퍼)에는 별도의 RF 바이어스가 인가되어 기판 근처에 방향성 전기장을 생성하여 보다 비등방성 에칭 프로파일을 얻는다. 기판에 가해지는 RF 전력은 종종 '플래튼 전력'이라고 불리는 조절 가능한 매개변수이며, 표면을 폭격하는 이온의 에너지를 제어한다.

 작동 방식 
섬네일|광화학 에칭 (중앙)과 비교한 반응성 이온 에칭 (하단)
섬네일|일반적인 RIE 장치 다이어그램. RIE는 이온(2)을 시료 표면(5)으로 가속하는 전기장(3)을 생성하는 두 개의 전극(1 및 4)으로 구성된다.
플라스마는 웨이퍼 플래터에 강한 RF(무선주파수) 전자기장을 가하여 시스템에서 시작된다. 필드는 일반적으로 13.56 메가헤르츠 주파수로 설정되며, 수백 와트로 인가된다. 진동하는 전기장은 가스 분자의 전자를 벗겨내어 이온화하여 플라스마를 생성한다.

필드의 각 주기에서 전자들은 챔버 내에서 위아래로 전기적으로 가속되며, 때로는 챔버의 위쪽 벽과 웨이퍼 플래터 모두에 부딪힌다. 동시에 훨씬 더 무거운 이온들은 RF 전기장에 상대적으로 거의 움직이지 않는다. 전자들이 챔버 벽에 흡수되면 단순히 접지로 배출되며 시스템의 전자 상태를 변경하지 않는다. 그러나 웨이퍼 플래터에 증착된 전자들은 DC 절연으로 인해 플래터에 전하를 축적하게 한다. 이 전하 축적은 플래터에 일반적으로 수백 볼트 정도의 큰 음전압을 발생시킨다. 플라스마 자체는 자유 전자에 비해 양이온 농도가 높기 때문에 약간의 양전하를 띠게 된다.

큰 전압 차이로 인해 양이온은 웨이퍼 플래터 쪽으로 이동하는 경향이 있으며, 그곳에서 에칭될 시료와 충돌한다. 이온은 시료 표면의 재료와 화학적으로 반응하지만, 운동 에너지의 일부를 전달하여 일부 재료를 떼어낼 수도 있다(스퍼터링). 반응성 이온의 대부분 수직적인 전달로 인해 반응성 이온 에칭은 매우 비등방성적인 에칭 프로파일을 생성할 수 있으며, 이는 일반적으로 습식 화학 에칭의 등방성 프로파일과 대조된다.

RIE 시스템의 에칭 조건은 압력, 가스 흐름, RF 전력과 같은 여러 공정 매개변수에 크게 의존한다. RIE의 변형된 버전인 딥 반응성 이온 에칭은 깊은 특징을 파내는 데 사용된다.

 같이 보기 
 딥 반응성 이온 에칭 (보쉬 공정)
 플라스마 식각기

 각주 

 외부 링크 
 BYU 클린룸 – RIE 에칭
 보쉬 공정
 반응성 이온 에칭 시스템
 플라스마 RIE 기본 및 응용

분류:반도체 제조
분류:플라스마 공정
완충 산화물 에칭

완충 산화물 에칭(Buffered oxide etch, BOE), 일명 완충 HF 또는 BHF는 미세가공에 사용되는 습식 식각액이다. 이것은 플루오린화 암모늄과 같은 완충제와 플루오린화 수소산(HF)의 혼합물이다. 주요 용도는 다음 반응에 의해 질화 규소(Si3N4) 또는 이산화 규소(SiO2)의 박막을 식각하는 데 있다.

농축 HF(일반적으로 물에 49% HF)는 공정 제어에 좋지 않을 정도로 이산화 규소를 너무 빨리 식각하며, 사진 식각 패터닝에 사용되는 포토레지스트를 벗겨낸다. 완충 산화물 에칭은 일반적으로 더 제어 가능한 식각을 위해 사용된다. HF를 로 완충하면 pH가 더 안정적인 용액이 생성된다. 따라서 HF와 의 농도가 더 안정적이고 식각률도 더 안정적이다.

일부 산화물은 HF 용액에서 불용성 생성물을 생성한다. 따라서 이러한 불용성 생성물을 용해시키고 더 높은 품질의 에칭을 생성하기 위해 HCl을 BHF 용액에 첨가할 수 있다.

 생산 
완충 산화물 에칭은 NH4F 분말을 물에 녹이고 HF 용액을 첨가하여 실험실 규모로 생산할 수 있다.

 용도 
40% NH4F와 49% HF의 부피비가 6:1인 완충 산화물 에칭 용액은 25°C에서 열적으로 성장된 산화물을 초당 약 2나노미터의 속도로 식각한다. 온도를 높여 식각률을 높일 수 있다. 식각 과정 중 용액을 지속적으로 교반하면 더 균일한 용액을 얻을 수 있으며, 이는 표면에서 식각된 물질을 제거하여 더 균일하게 식각될 수 있다.

완충 산화물 에칭은 타이타늄 합금의 금속 조직 식각에 사용될 수 있다. 새로운 Ti 합금(예: Ti-Cu 및 Ti-Mo)은 일반적인 Ti 식각 시약으로 안정적으로 식각되지 않지만, BOE 및 플루오린화 수소 암모늄으로 식각될 수 있다.

로 완충된 HF 용액은 더 큰 기공을 만들기 위해 제올라이트를 더 잘 식각하는 데 사용될 수 있으며, 이러한 미세 다공성 구조에서 특징적으로 낮은 확산 속도를 개선할 수 있다. 단순 HF 용액(및 기타 산성 식각 방법)은 제올라이트에서 알루미늄을 제거하는 데 높은 선택성을 보여 잠재적인 브뢴스테드 산 자리 수를 줄이고 결과적으로 특정 촉매 성능을 저하시킨다. 그러나 완충액을 추가하면 HF와 가 더 많이 존재하는 용액이 생성되어 Al과 Si를 더 균등한 비율로 제거한다.

 각주 

분류:반도체 제조
분류:식각
웨이퍼 백그라인딩

웨이퍼 백그라인딩(wafer backgrinding)은 반도체 제조 단계 중 하나로, 집적 회로(IC)의 스태킹 및 고밀도 패키징을 위해 웨이퍼 두께를 줄이는 공정이다.

IC는 수많은 공정 단계를 거치는 반도체 웨이퍼 위에서 생산된다. 오늘날 주로 사용되는 규소 웨이퍼는 직경이 200mm 또는 300mm이다. 이 웨이퍼는 최소한의 기계적 안정성을 보장하고 고온 공정 중 휘어짐을 방지하기 위해 약 750 μm 두께를 가진다.

스마트카드, USB 메모리 스틱, 스마트폰, 휴대용 음악 플레이어 및 기타 초소형 전자 제품은 모든 차원에서 다양한 구성 요소의 크기를 최소화하지 않으면 현재 형태로 구현할 수 없다. 따라서 웨이퍼 뒷면은 웨이퍼 다이싱(개별 마이크로칩 분리) 전에 그라인딩된다. 오늘날 75~50μm까지 얇아진 웨이퍼가 일반적이다.

그라인딩 전에 웨이퍼는 일반적으로 UV 경화형 백그라인딩 테이프로 라미네이팅되는데, 이는 백그라인딩 중 웨이퍼 표면 손상을 방지하고 그라인딩 유체 및 잔해물의 침투로 인한 웨이퍼 표면 오염을 방지한다. 또한 웨이퍼는 공정 전반에 걸쳐 정제수로 세척되어 오염을 방지한다.

이 공정은 "백랩"(backlap), "백피니시"(backfinish), "백사이드 그라인딩"(back side grinding) 또는 "웨이퍼 시닝"(wafer thinning)으로도 알려져 있다.

백그라인딩 후, 완성된 웨이퍼는 다이 분리라고 불리는 공정에서 개별 칩으로 절단된다.

 같이 보기 
 이면조사 센서

 각주 

분류:반도체 제조
프론트엔드 오브 라인

섬네일|FEOL(BEOL은 장치를 연결하기 위한 금속화 층을 증착하는 중간 부분)의 그림(실리콘의 장치 생성, 하단).
섬네일|CMOS 제조 공정

프론트엔드 오브 라인(front end of line, FEOL) 또는 전공정은 개별 부품(트랜지스터, 축전기, 저항기 등)이 반도체 기판에 패턴화되는 IC 제작의 첫 번째 부분이다. FEOL은 일반적으로 금속 인터커넥트 층의 증착을 제외한 모든 것을 포함한다.

단계
CMOS 공정의 경우, FEOL은 절연된 CMOS 소자를 형성하는 데 필요한 모든 제조 단계를 포함한다.
 사용할 웨이퍼 유형 선택. 화학기계적 평탄화(CMP) 및 웨이퍼 세정.
 얕은 트렌치 격리(STI) (특징 크기 > 0.25 μm인 초기 공정에서는 LOCOS)
 웰 형성
 게이트 모듈 형성
 소스 및 드레인 모듈 형성

마지막으로, 후속 금속화를 위한 접점을 준비하기 위해 표면을 처리한다. 이것으로 FEOL 공정, 즉 모든 장치 구축이 완료된다.

이러한 단계를 거친 후, 전기 회로를 구축하기 위해 장치들은 회로망에 따라 전기적으로 연결되어야 한다. 이것은 백엔드 오브 라인 (BEOL)에서 이루어진다. 따라서 BEOL은 개별 장치들이 연결되는 IC 제작의 두 번째 부분이다.

 같이 보기 
 백엔드 오브 라인 (BEOL)
 집적 회로

 각주 

추가 자료
"CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation" Wiley-IEEE, 2010. . 페이지 177-178 (7.2장 CMOS 공정 통합); 페이지 180-199 (7.2.1 프론트엔드 통합)
 "전자 회로 레이아웃 설계의 기본" J. 리니히, J. 샤이벨, 스프링거, , 2020. 2장: 기술 노하우: 실리콘에서 장치까지, 페이지 78-82 (2.9.3 FEOL: 장치 생성)

분류:전자공학 제조
분류:반도체 제조