shopkeeper/kowiki-cleaned-020126 huggingface dataset:
백엔드 오브 라인

섬네일|BEOL 공정은 FEOL (하단) 동안 생성된 개별 장치를 상호 연결하기 위해 실리콘 위에 금속화 층을 증착한다.
섬네일|CMOS 제조 공정

백엔드 오브 라인(back end of line, BEOL) 또는 후공정은 장치가 이미 패턴화된 웨이퍼에 금속 인터커넥트 층을 증착하는 반도체 제조 공정이다. 이것은 프런트 엔드 오브 라인(FEOL) 이후 IC 제조의 두 번째 부분이다. BEOL에서는 개별 장치(트랜지스터, 커패시터, 저항 등)가 금속 배선이 증착되는 방식에 따라 서로 연결된다.

 금속화 
개별 장치는 산화물 층(절연 목적)과 금속 층(인터커넥트 트랙용)을 번갈아 쌓아서 연결된다. 따라서 층 사이의 비아와 개별 층의 인터커넥트는 구조화 공정을 사용하여 형성된다.

일반적인 금속은 구리와 알루미늄이다. BEOL은 일반적으로 첫 번째 금속 층이 웨이퍼에 증착될 때 시작된다. BEOL에는 접점, 절연 층(유전체), 금속 레벨, 칩-패키지 연결을 위한 본딩 사이트가 포함된다. 현대 IC 공정의 경우 BEOL에 10개 이상의 금속 층을 추가할 수 있다.

1998년 이전에는 사실상 모든 칩이 금속 상호 연결 층에 알루미늄을 사용했지만, 오늘날에는 구리가 주로 사용된다.

 단계 
BEOL의 단계는 다음과 같다:
 소스 및 드레인 영역과 폴리실리콘 영역의 실리콘화.
 유전체 추가 (첫 번째, 하위 층은 프리메탈 유전체 (PMD) – 금속을 실리콘 및 폴리실리콘으로부터 절연하기 위해), CMP 처리
 PMD에 구멍을 만들고 그 안에 접점을 만든다.
 금속 층 1 추가
 인터메탈 유전체 (IMD)라고 불리는 두 번째 유전체 추가
 유전체를 통해 비아를 만들어 하위 금속을 상위 금속과 연결한다. 비아는 금속 CVD 공정으로 채워진다.
모든 금속 층을 얻기 위해 4-6단계를 반복한다.
 마이크로칩을 보호하기 위한 최종 부동태화 층 추가

BEOL 이후에는 "백엔드 공정"(후가공이라고도 함)이 있으며, 이는 클린룸에서 수행되지 않고 종종 다른 회사에서 수행된다.
여기에는 웨이퍼 테스트, 웨이퍼 백그라인딩, 다이 분리, 다이 테스트, IC 패키징 및 최종 테스트가 포함된다.

 같이 보기 
 전공정 (FEOL)
 집적 회로
 인산 규산염 유리

 각주 

 추가 자료 
 
 
 "Chapter 2: Technology Know-How: From Silicon to Devices". Fundamentals of Layout Design for Electronic Circuits, by Lienig, Scheible, Springer, , 2020. p. 82 (2.9.4 BEOL: Connecting Devices)

분류:전자공학 제조
분류:반도체 제조
실리콘-저마늄

실리콘-저마늄(silicon–germanium) 또는 SiGe은 규소와 저마늄의 어떤 몰 비율을 가진 합금으로, 즉 Si1−xGex 형태의 분자식을 가진다. 이는 일반적으로 이종접합 양극성 트랜지스터를 위한 집적 회로(IC)의 반도체 재료로 사용되거나 CMOS 트랜지스터에 변형을 유도하는 층으로 사용된다. IBM은 1989년에 이 기술을 주류 제조에 도입했다. 이 비교적 새로운 기술은 혼합 신호 회로 및 아날로그 회로 IC 설계 및 제조 분야에서 기회를 제공한다. SiGe는 또한 고온 응용 분야(>700K)를 위한 열전 재료로 사용된다.

 역사 
SiGe에 대한 첫 번째 논문은 1955년에 실리콘-저마늄 합금의 자기저항효과에 대해 발표되었다. SiGe 장치에 대한 첫 언급은 실제로는 이종접합 양극성 트랜지스터(HBT)의 SiGe 베이스 개념이 1957년 물리학 설명과 함께 논의되었던 양극성 트랜지스터의 원래 특허에 있었다. 트랜지스터에 필요한 SiGe 이종구조의 첫 번째 에피택시 성장은 1975년에 독일 울름의 AEG 연구 센터(현재 다임러 벤츠)에서 에리히 카스퍼와 그의 동료들에 의해 분자선 에피택시(MBE)를 사용하여 시연되었다.

 생산 
실리콘-저마늄의 반도체로의 사용은 버나드 S. 마이어슨에 의해 옹호되었다.
수십 년 동안 그 실현을 지연시켰던 난제는 저마늄 원자가 규소 원자보다 약 4% 더 크다는 것이었다. 규소 트랜지스터가 제조되던 통상적인 고온에서는 이러한 더 큰 원자를 결정질 규소에 추가함으로써 유도되는 변형이 엄청난 수의 결함을 생성하여 결과적인 재료가 전혀 쓸모없게 만들었다. 마이어슨과 동료들은 당시 고온 처리가 필수적이라고 여겨지던 가정이 잘못되었음을 발견했으며, 이로 인해 충분히 낮은 온도에서 SiGe 성장이 가능해져 실질적으로 결함이 형성되지 않았다. 이 기본적인 장애물을 해결하자, 결과적인 SiGe 재료가 기존의 저비용 규소 처리 도구 세트를 사용하여 고성능 전자로 제조될 수 있음이 입증되었다. 더 중요하게는, 결과적인 트랜지스터의 성능이 당시 전통적으로 제조된 규소 장치의 한계라고 생각되었던 것을 훨씬 초과하여, WiFi와 같은 새로운 세대의 저비용 상업용 무선 기술을 가능하게 했다. SiGe 공정은 규소 CMOS 제조와 유사한 비용을 달성하며, 비소화 갈륨과 같은 다른 이종접합 기술보다 저렴하다. 최근에는 고순도 Ge, SiGe 및 변형 규소와 같은 Ge 함유 박막의 MOVPE 증착을 위한 저메인의 덜 위험한 액체 대안으로 유기저마늄 전구체(예: 아이소부틸저메인, 알킬저마늄 삼염화물, 디메틸아미노저마늄 삼염화물)가 검토되었다.

SiGe 파운드리 서비스는 여러 반도체 기술 회사에서 제공된다. 어드밴스트 마이크로 디바이시스는 IBM과 SiGe 스트레스드 실리콘 기술 공동 개발을 발표했으며, 65 nm 공정을 목표로 하고 있다. TSMC 또한 SiGe 제조 능력을 판매한다.

2015년 7월, IBM은 7 nm 실리콘-저마늄 공정을 사용하여 작동하는 트랜지스터 샘플을 제작했다고 발표했으며, 이는 당시 공정보다 트랜지스터 수를 4배 늘릴 수 있음을 약속했다.

 SiGe 트랜지스터 
SiGe는 이종접합 양극성 트랜지스터와 CMOS 논리를 통합할 수 있게 하여, 혼합 신호 집적 회로에 적합하게 만든다. 이종접합 양극성 트랜지스터는 기존의 동종접합 양극성 트랜지스터보다 더 높은 순방향 이득과 낮은 역방향 이득을 가진다. 이는 더 나은 저전류 및 고주파 성능으로 이어진다. 조정 가능한 띠틈을 가진 이종접합 기술로서, SiGe는 규소 단독 기술보다 더 유연한 띠틈 튜닝 기회를 제공한다.

절연체 상 실리콘-저마늄(SGOI)은 현재 컴퓨터 칩에 사용되는 실리콘 온 인슐레이터(SOI) 기술과 유사한 기술이다. SGOI는 MOS 트랜지스터 게이트 아래의 결정격자에 변형을 가하여 마이크로칩 내부의 트랜지스터 속도를 증가시키며, 이는 향상된 전자 이동도와 더 높은 구동 전류를 유도한다. SiGe MOSFET은 또한 SiGe의 낮은 띠틈 값으로 인해 더 낮은 접합 누설을 제공할 수 있다. 그러나 SGOI MOSFET의 주요 문제는 표준 규소 산화 공정을 사용하여 실리콘-저마늄과 안정적인 산화물을 형성할 수 없다는 것이다.

 열전 응용 
SiGe의 열전 특성은 1964년에 처음 측정되었으며, p-SiGe는 1000°C에서 최대 약 0.7의 ZT를, n-SiGe는 1000°C에서 최대 약 1.0의 ZT를 가졌다. 이는 고온에서 가장 높은 성능을 가진 열전 재료 중 일부이다. 실리콘-저마늄 열전 장치 MHW-RTG3은 보이저 1호 및 보이저 2호 우주선에 사용되었다.
실리콘-저마늄 열전 장치는 카시니, 갈릴레오, 율리시스에 탑재된 다른 MHW-RTG 및 GPHS-RTG에도 사용되었다.

 빛 방출 
육각형 SiGe 합금의 조성을 제어함으로써 아인트호벤 공과대학교 연구원들은 빛을 방출할 수 있는 재료를 개발했다. 이는 전자적 특성과 결합하여 전기 전류 대신 빛을 사용하여 데이터 전송을 가능하게 하는 단일 칩에 통합된 레이저를 생산할 가능성을 열어주며, 데이터 전송 속도를 높이고 에너지 소비 및 냉각 시스템 필요성을 줄인다. 네덜란드 아인트호벤 공과대학교의 엘함 파달리(Elham Fadaly), 알랭 데이크스트라(Alain Dijkstra), 에릭 바커스(Erik Bakkers)와 독일 프리드리히 실러 대학교 예나의 젠스 르네 수커트(Jens Renè Suckert)가 주 저자인 국제 연구팀은 잡지 피직스 월드로부터 2020년 올해의 돌파구 상을 수상했다.

 같이 보기 
 저유전율 유전체
 실리콘 온 인슐레이터
 실리콘-주석
 우주 탐사에서의 실리콘-저마늄 열전 응용

 각주 

 더 읽어보기 

 외부 링크 
; Semiconductor International, 2006년 4월 1일.

분류:집적 회로
분류:저마늄
트라이클로로실레인

트라이클로로실레인(Trichlorosilane, TCS)은 화학식 HCl3Si를 가지는 무기 화합물이다. 이것은 무색의 휘발성 액체이다. 정제된 트라이클로로실레인은 반도체 산업에서 초고순도 실리콘의 주요 전구체이다. 물에서는 급속히 분해되어 염산을 방출하면서 실록세인 중합체를 생성한다. 반응성과 넓은 가용성 때문에 실리콘을 함유한 유기 화합물 합성에 자주 사용된다.

 생산 
트라이클로로실레인은 수소화염소화 공정에서 300°C에서 분말화된 야금 등급 실리콘에 염화 수소를 불어넣어 생산된다. 화학반응식에 설명된 대로 수소도 생성된다.
Si + 3 HCl → HCl3Si + H2

80-90%의 수율을 달성할 수 있다. 주요 부산물은 사염화 규소 (화학식 SiCl4), 헥사클로로다이실레인 (Si2Cl6) 및 다이클로로실레인 (H2SiCl2)이며, 이들로부터 트라이클로로실레인은 증류를 통해 분리될 수 있다.

260px|섬네일|left|트라이클로로실레인 탱크차. 유엔 번호: 2988 (클로로실레인). 국가 간 위험물질의 수송에 관한 유럽 협약 위험 식별 번호: X338 (고도로 인화성 액체, 부식성, 물과 위험하게 반응함)

또한 직접 염소화 공정에서 사염화 규소로부터도 생산된다.
Si + 3 SiCl4 + 2 H2 → 4 HCl3Si

두 가지 방법 모두 널리 사용된다. 첫 번째 방법은 더 저렴하지만 수율을 제어하기 어렵다. 두 번째 방법은 그만큼의 제어가 필요하지 않지만, 첫 번째 방법에 비해 두 배의 자본 투자가 필요하고 65-90 kWh/kg 대신 120-200 kWh/kg을 소비한다. TCS의 증류는 TCS를 상당히 정제하며, 실리콘의 대부분의 불순물이 제거된다.

 용도 
트라이클로로실레인은 정제된 폴리실리콘 생산에 사용되는 기본 성분이다.
HCl3Si → Si + HCl + Cl2

이는 지멘스 공정이라는 화학기상증착 공정에서 사용될 수 있다.

 하이드로실릴화의 성분 
하이드로실릴화를 통해 트라이클로로실레인은 다른 유용한 유기실리콘 화합물의 전구체이다.
RCH=CH2 + HSiCl3 → RCH2CH2SiCl3
이 반응 또는 유사한 반응의 유용한 제품으로는 옥타데실트라이클로로실레인 (OTS), 퍼플루오로옥틸트라이클로로실레인 (PFOTCS), 퍼플루오로데실트라이클로로실레인 (FDTS)이 있다. 이들 시약은 표면 과학 및 나노기술에서 자기 조립 단분자막을 형성하는 데 사용된다. 불소를 포함하는 이러한 층은 표면 에너지를 감소시키고 점착성을 줄인다. 이 효과는 일반적으로 MEMS 및 나노임프린트 리소그래피 (NIL)용 미세가공 스탬프 및 사출 성형 도구의 코팅으로 활용된다.

 유기 합성 
트라이클로로실레인은 벤조산에서 톨루엔 유도체로의 전환에서 시약이다. 2단계 반응의 첫 번째 단계에서 카르복실산은 먼저 트라이클로로실릴벤질 화합물로 전환된다. 두 번째 단계에서 벤질 실릴 유도체는 염기 존재 하에 톨루엔 유도체로 전환된다.

 안전 
트라이클로로실레인은 반응성이 매우 높으며, 많은 화합물에 격렬하게 (심지어 폭발적으로) 반응할 수 있다. 여기에는 물도 포함되며, 잠재적으로 이산화 규소, 염소 (원소), 수소, 염화 수소 (및 그 수용성 형태인 염산) 및 열을 생성할 수 있다. 트라이클로로실레인은 수분 (물) 및 습도만으로도 위험한 화학 반응을 일으킬 수 있으므로 비반응성 기체 하에서 취급 및 보관해야 한다. 트라이클로로실레인 유출은 수산화 나트륨 1:1 비율 또는 탄산수소 나트륨과 트라이클로로실레인 2:1 비율을 사용하여 중화할 수 있다. 화재는 알코올 내성 수성막 형성 폼 (AR-AFFF)을 사용하여 진압할 수 있다.

 각주 

 외부 링크 
 반도체: 실리콘: 기판 제조: 다결정 실리콘 생산

분류:클로로실란
국제 반도체 기술 로드맵

국제 반도체 기술 로드맵(International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS)은 반도체 연구 조합이 조정하고 조직하며 반도체 산업의 전문가 집단이 만든 문서 모음이다. 이 전문가들은 중화민국, 대한민국, 미국, 유럽, 일본, 중국의 반도체 산업 협회를 포함한 후원 조직의 대표자들이었다.

2017년부터 ITRS는 더 이상 업데이트되지 않고 있다. 후속자는 International Roadmap for Devices and Systems이다.

이 문서들은 "ITRS는 기술 평가만을 위해 고안되었으며 개별 제품이나 장비에 관련된 상업적 고려 사항은 없다"는 면책 조항을 포함하고 있다.

이 문서들은 다음 기술 분야에 대해 약 15년 후까지의 연구 방향과 시간표에 대한 최상의 의견을 나타낸다:

역사

집적 회로 또는 모든 반도체 소자를 구축하려면 포토리소그래피, 식각, 금속 증착 등 일련의 작업이 필요하다. 산업이 발전함에 따라 이러한 각 작업은 일반적으로 다양한 상업 회사에서 제작한 특수 기계로 수행되었다. 이러한 전문화는 업계 발전을 어렵게 만들 수 있는데, 이는 다른 필수 단계가 동시에 제공되지 않으면 한 회사가 신제품을 출시해도 소용이 없는 경우가 많기 때문이다. 기술 로드맵은 특정 기능이 언제 필요할지 알려줌으로써 이를 도울 수 있다. 그러면 각 공급업체는 퍼즐의 각 부분에 대해 이 날짜를 목표로 삼을 수 있다.

생산 도구가 전문 장비 공급업체로 점진적으로 외부화됨에 따라, 참여자들은 시장의 진화를 예측하고 IC 생산의 기술적 요구사항을 계획 및 통제하기 위한 명확한 로드맵의 필요성을 인식했다. 몇 년 동안 반도체 산업 협회(SIA)는 이 조정 책임을 미국에 부여했고, 이는 미국식 로드맵인 국가 반도체 기술 로드맵(NTRS)의 탄생으로 이어졌다.

섬네일|center|600px|1993년 SIA가 발표한 첫 번째 반도체 로드맵.
1998년, SIA는 유럽, 일본, 한국, 대만 협회와 협력하여 최초의 글로벌 로드맵인 국제 반도체 기술 로드맵(ITRS)을 만들었다. 이 국제 그룹은 (2003년 판 기준) ITRS 내 워킹 그룹과 제휴한 936개 회사를 보유하고 있다.
조직은 기술 워킹 그룹(TWG)으로 나뉘었으며, 결국 그 수는 17개로 늘어났고, 각 그룹은 기술의 핵심 요소와 관련 공급망에 집중했다. 전통적으로 ITRS 로드맵은 짝수 해에 업데이트되고, 홀수 해에 완전히 개정되었다.

. 2013년 표의 스케일링 결과 뒤에 숨겨진 방법론과 물리학은 15년간 2028년까지의 더블 게이트 MOSFET을 다루는 트랜지스터 로드맵 예측을 위한 예측 전체 대역 원자 모델링에 설명되어 있다.

무어의 법칙의 일반적으로 인정되는 일몰과 함께 2016년 ITRS가 최종 로드맵을 발표함에 따라, IEEE의 리부팅 컴퓨팅 이니셔티브를 통해 International Roadmap for Devices and Systems(IRDS)라는 이름으로 보다 일반화된 로드매핑을 위한 새로운 이니셔티브가 시작되었다.

ITRS 2.0
2014년 4월, ITRS 위원회는 산업의 요구에 더 잘 부응하기 위해 ITRS 로드맵을 재편성할 것이라고 발표했다. 이 계획은 17개 기술 워킹 그룹에 포함된 모든 요소를 7가지 핵심 주제로 매핑하는 것이었다.

시스템 통합 아키텍처와 이기종 블록을 통합하는 방법을 검토하는 설계 중심의 주제이다.
외부 시스템 연결성 무선 기술과 작동 방식, 최적의 솔루션 선택 방법에 중점을 둔다.
이기종 통합 개별적으로 제조된 기술을 새로운 장치로 통합하여 개별 부품보다 더 잘 기능하도록 하는 데 중점을 둔다 – 카메라 및 마이크와 같은 구성 요소를 허용하면서.
이기종 부품 MEMS, 발전, 감지 장치와 같이 이기종 시스템을 구성하는 다양한 장치에 중점을 둔다.
CMOS 이후 스핀트로닉스, 멤리스터 등 CMOS 기반이 아닌 전자 기기를 제공하는 장치에 중점을 둔다.
무어의 법칙 지속 아직 해야 할 일이 많기 때문에 이 그룹은 CMOS의 지속적인 축소를 다룰 것이다.
공장 통합 이 모든 것들의 이기종 통합을 생산하기 위한 새로운 도구와 공정에 중점을 둘 것이다.

각 주제에 대한 장은 2015년에 발표되었다.

 각주 

더 읽어보기

 외부 링크 

 Archive.org의 원본 웹사이트 미러
 연간 ITRS 보고서

분류:반도체 기술
분류:반도체 산업
육불화 텅스텐

육불화 텅스텐(VI)(Tungsten(VI) hexafluoride) 또는 육플루오린화 텅스텐(tungsten hexafluoride)은 화학식 을 갖는 무기 화합물이다. 약 (공기보다 약 11배 무거움)의 밀도를 가지는 유독성, 부식성 무색 기체이다. 이는 표준 주위 온도 및 압력(298 K, 1 atm)에서 알려진 가장 밀도가 높은 기체이며, 이 조건에서 전이 금속을 포함하는 유일하게 잘 특성화된 기체이다. 은 화학기상증착 공정을 통해 텅스텐 필름을 형성하기 위해 반도체 산업에서 일반적으로 사용된다. 이 층은 낮은 저항률을 갖는 금속성 "상호 연결"에 사용된다. 이는 알려진 17가지 이진 육플루오린화물 중 하나이다.

 속성 
 분자는 Oh의 대칭점군을 갖는 팔면체이다. W–F 결합 거리는 이다. 사이에서 육플루오린화 텅스텐은 에서 의 밀도를 갖는 무색 액체로 응축된다. 에서 이는 입방 결정 구조, 의 격자 상수, 계산된 밀도 를 갖는 흰색 고체로 동결된다. 에서 이 구조는 a = , b = , c = 의 격자 상수와 의 밀도를 갖는 사방정계 고체로 변형된다. 이 상에서 W–F 거리는 이고 평균 가장 가까운 분자 접촉 거리는 이다. 기체는 가장 밀도가 높은 기체 중 하나로 가장 무거운 원소 기체인 라돈()보다 밀도가 높지만, 액체 및 고체 상태의 밀도는 상당히 보통이다. 사이의 의 증기압은 앙투안 방정식에 의해 다음과 같이 기술될 수 있다.
,
여기서 P = 증기압(bar), T = 온도(°C)이다.

 역사 및 합성 
육플루오린화 텅스텐은 오토 루프와 프리츠 아이스너가 1905년에 염화 텅스텐(VI)을 플루오린화 수소와 반응시켜 처음으로 얻었다.

이 화합물은 현재 플루오린 기체와 텅스텐 분말을 사이의 온도에서 발열 반응시켜 일반적으로 생산된다.

기체 생성물은 일반적인 불순물인 로부터 증류하여 분리한다. 직접 플루오린화의 한 변형에서, 금속은 가열된 반응기에 배치되고, 소량의 플루오린 기체를 주입한 의 일정한 흐름으로 로 약간 가압된다.

위 방법에서 플루오린 기체는 ClF, 또는 으로 대체될 수 있다. 텅스텐 플루오린화물을 생산하는 대체 절차는 삼산화 텅스텐()을 HF, 또는 로 처리하는 것이다. 그리고 HF 외에도 다른 플루오린화제를 사용하여 Ruff와 Eisner의 원래 방법과 유사한 방식으로 염화 텅스텐(VI)을 전환할 수 있다.
 또는

 반응 
물과 접촉하면 육플루오린화 텅스텐은 플루오린화 수소(HF)와 산플루오린화 텅스텐을 생성하며, 결국 삼산화 텅스텐을 형성한다.

다른 금속 플루오린화물과 달리, 은 유용한 플루오린화제도 강력한 산화제도 아니다. 이는 노란색 로 환원될 수 있다.

은 루이스 염기와 다양한 1:1 및 1:2 부가생성물을 형성하며, 예를 들어 등이 있다.

 반도체 산업 응용 
육플루오린화 텅스텐의 주요 응용 분야는 반도체 산업으로, 화학기상증착(CVD) 공정에서 텅스텐 금속을 증착하는 데 널리 사용된다. 1980년대와 1990년대 산업 확장은 소비 증가로 이어졌고, 이는 전 세계적으로 연간 약 200톤 수준을 유지하고 있다. 텅스텐 금속은 비교적 높은 열 및 화학적 안정성, 낮은 저항률() 및 매우 낮은 일렉트로마이그레이션으로 인해 매력적이다. 은 또는 과 같은 관련 화합물보다 더 높은 증기압으로 인해 더 높은 증착 속도를 제공하여 선호된다. 1967년 이후 두 가지 증착 경로가 개발되고 사용되었다: 열분해 및 수소 환원. 필요한 가스 순도는 상당히 높으며, 응용 분야에 따라 99.98%에서 99.9995%까지 다양하다.

CVD 공정에서 분자는 분해되어야 한다. 분해는 일반적으로 을 수소, 실레인, 저메인, 다이보레인, 포스핀 및 관련 수소 함유 가스와 혼합하여 촉진된다.

 규소 
는 규소 기판과 접촉하면 반응한다. 규소 상의 분해는 온도에 따라 다르다.
400 °C 이하에서 
400 °C 이상에서 .

이 의존성은 매우 중요하다. 왜냐하면 고온에서는 두 배 더 많은 규소가 소모되기 때문이다. 증착은 순수 규소에만 선택적으로 일어나며, 이산화 규소 또는 질화 규소에는 일어나지 않는다. 따라서 이 반응은 오염이나 기판 전처리에 매우 민감하다. 분해 반응은 빠르지만, 텅스텐 층 두께가 10–15 마이크로미터에 도달하면 포화된다. 포화는 텅스텐 층이 분자의 Si 기판으로의 확산을 막기 때문에 발생하며, 이는 이 과정에서 분자 분해의 유일한 촉매이다.

증착이 불활성 분위기가 아닌 산소 함유 분위기(공기)에서 발생하면 텅스텐 대신 산화 텅스텐 층이 생성된다.

 수소 
증착 공정은 300에서 800 °C 사이의 온도에서 발생하며 플루오린화 수소 증기 형성을 초래한다.

생성된 텅스텐 층의 결정성은 / 비율과 기판 온도를 변경하여 제어할 수 있다. 낮은 비율과 온도는 (100) 방향성 텅스텐 미결정립을 초래하는 반면, 높은 값은 (111) 방향성을 선호한다. HF의 형성은 HF 증기가 매우 공격적이며 대부분의 재료를 식각하기 때문에 단점이다. 또한, 증착된 텅스텐은 반도체 전자 장치의 주요 패시베이션 재료인 이산화 규소에 대한 접착력이 좋지 않다. 따라서 는 텅스텐 증착 전에 추가적인 완충층으로 덮여야 한다. 반면에 HF에 의한 식각은 원치 않는 불순물 층을 제거하는 데 유용할 수 있다.

 실레인 및 저메인 
/으로부터의 텅스텐 증착의 특징은 빠른 속도, 우수한 접착력 및 층 평활성이다. 단점은 폭발 위험과 혼합 비율, 기판 온도 등 공정 매개변수에 대한 증착 속도 및 형태의 높은 민감도이다. 따라서 실레인은 일반적으로 얇은 텅스텐 핵 생성 층을 생성하는 데 사용된다. 그런 다음 수소로 전환하여 증착 속도를 늦추고 층을 청소한다.

/ 혼합물로부터의 증착은 /와 유사하지만, 텅스텐 층은 상대적으로 (Si에 비해) 무거운 저마늄으로 10~15% 농도까지 오염된다. 이는 텅스텐의 저항률을 약 5에서 까지 증가시킨다.

 기타 응용 
는 탄화 텅스텐 생산에 사용될 수 있다.

무거운 기체로서 는 기체 반응을 제어하는 완충제로 사용될 수 있다. 예를 들어, Ar// 불꽃의 화학 반응을 늦추고 불꽃 온도를 낮춘다.

 안전성 
육플루오린화 텅스텐은 어떤 조직에도 침식하는 극도로 부식성이 강한 화합물이다. 가 습기와 반응하여 플루오린화 수소산을 형성하기 때문에 저장 용기에는 테플론 개스킷이 있다.

 각주 

분류:최루제
분류:산업 가스
XQuartz

XQuartz는 macOS에서 실행되는 X 윈도 시스템(가끔 X11 또는 X로 줄여짐)의 디스플레이 서버인 X.Org X 서버의 오픈 소스 버전이다. 2012년, OS X 마운틴 라이언(버전 10.8)용 애플의 내부 X11 앱을 공식적으로 대체했다. "XQuartz"라는 이름은 macOS 코어 그래픽스 프레임워크의 일부인 쿼츠에서 유래했으며, XQuartz는 이러한 애플리케이션을 쿼츠에 연결한다. XQuartz는 GUI에 X11을 사용하는 크로스 플랫폼 애플리케이션이 macOS에서 실행될 수 있도록 허용하는데, 이들 중 다수는 macOS용으로 특별히 설계되지 않았다. 여기에는 수많은 과학 및 학술 소프트웨어 프로젝트가 포함된다.

 역사 

X11.app은 처음에는 Mac OS X 10.2 재규어용으로 다운로드 가능한 공개 베타로 제공되었으며, 나중에는 Mac OS X 10.3 팬더의 표준 패키지로 포함되었다. Mac OS X 10.4 타이거에서 X11.app은 설치 DVD에 포함된 선택적 설치 항목이었다. Mac OS X 10.5 레퍼드, Mac OS X 10.6 스노 레퍼드, 그리고 Mac OS X 10.7 라이언은 X11.app을 기본으로 설치했지만, OS X 10.8 마운틴 라이언부터 애플은 X11.app에 대한 전용 지원을 중단했으며, 사용자들은 대신 오픈 소스 XQuartz 프로젝트(애플이 기여)로 안내되었다.

Mac OS X 10.4 타이거에서 애플의 X11은 X11 프로토콜 릴리스 6.6 (X11R6.6)을 구현했다. 이 구현에는 XFree86 4.4 기반의 X11 윈도 서버, 쿼츠 루틀리스 윈도 매니저, 라이브러리, 그리고 Xterm과 같은 기본 유틸리티가 포함된다. "루틀리스"는 X 윈도 애플리케이션이 쿼츠 데스크톱에 다른 윈도우 쿼츠 애플리케이션처럼 (즉, 다른 윈도우 안에 포함된 가상 데스크톱이 아닌) 나타난다는 것을 의미한다. Mac OS X 레퍼드에서 X11은 XFree86 대신 X.Org 서버(X11R7.2)를 사용하도록 업데이트되었다. X11의 소스 코드는 애플에서 구할 수 있다. 일부 소스 코드는 애플 공공 소스 라이선스에 따라 제공되며, 대부분은 MIT 허가서에 따라 라이선스가 부여된다.

 현재 버전 
XQuartz의 현재 버전은 X.Org 서버에 포함된 DDX(Device Dependent X)이며, 하드웨어 가속 2D 그래픽스(버전 2.1 이전), 하드웨어 OpenGL 가속 및 macOS 그래픽 사용자 인터페이스(GUI)인 아쿠아와의 통합을 지원한다. 버전 2.8.0 현재, XQuartz는 고해상도 레티나 디스플레이에서 X11 앱에 고해상도 디스플레이에서 픽셀 배가 모드로 실행되는 지원을 제공하지 않는다.

 버전 목록 (2010년 이후) 

 같이 보기 

 MacX, 클래식 맥 OS의 X11 지원
 XWayland, 웨이랜드에서 X 애플리케이션 지원
 XDarwin, XQuartz에 선행하는 macOS용 X 구현이며, XQuartz와 달리 10.3 이전 버전의 macOS를 지원한다

 각주 

 외부 링크 
 

분류:X 서버
양 디페르투안 네가라

양 디페르투안 네가라()는 말레이어에서 국가원수를 의미하는 단어이다. 브루나이에서 술탄을 가리키는 공식 용어로 사용했고, 사바주나 사라왁주의 주지사도 공식적으로는 앙 디페투안 네가라에서 유래한 '양 디페투아 네게리'(Yang di-Pertua Negeri)라는 호칭을 사용한다. '양 디페투안 네가라'는 일반적으로 1959년 6월 3일부터 1965년 8월 9일까지 싱가포르의 군주를 대신해 실질적인 임무를 보는 사람을 의미했다. 해당 기간 동안 싱가포르의 디 페투안 네가라는 유솝 빈 이스학이었다.

 의미 
말레이어에서 'Yang di-Pertuan Negara'의 의미를 분석하면 다음과 같다. 'Yang di-Pertuan'은 '신이 만들어준'이라는 의미를 가지고 있고, 'Negara'는 '국가' 또는 '나라'를 의미한다. 이를 종합했을 때, 양 디페르투안 네가라는 '신이 만들어준 나라' 또는 '신이 주신 나라의 통치자'를 의미한다.

 싱가포르주 
 역사 

싱가포르는 1959년 6월 영국과 합의를 통해 완전한 자치를 이룩하면서 영국의 자치주가 되었다. 1955년 부분적으로 자치를 인정받았을 때, 싱가포르의 지배 체계는 영국 군주인 엘리자베스 2세가 명목상 국가원수였지만 엘리자베스 2세를 대신해 싱가포르 총독이 업무를 수행했고 실질적인 권한은 싱가포르 수석대신이 맡고 있었다. 1959년 싱가포르가 영국의 자치주로 승격되면서, 싱가포르 수석대신은 싱가포르 총리로 명칭이 바뀌고, 싱가포르 총독직은 폐지되었다. 1959년 5월 선거를 통해 싱가포르 총독직을 대신하는 자리를 선출했는데, 이 자리를 '양 디페르투안 네가라'로 부르게 되었다.

1963년 9월 16일 싱가포르주가 말레이시아에 통합되면서, 싱가포르의 군주는 엘리자베스 2세에서 당시 말레이시아의 국왕이었던 푸트라 이브니 알마르훔으로 대체되었다. 그러나 1963년 말레이시아 합의 당시 싱가포르 정부는 말레이시아와의 통합 조건으로 자치 행정의 유지를 내세웠고 당시 말라야 연방의 총리였던 툰쿠 압둘 라만이 이를 수용했기 때문에 싱가포르의 지배 체계는 그대로 유지되었다. 양 디페르투안 네가라는 1965년 8월 싱가포르가 완전히 독립했을 때 싱가포르 헌법을 개정해 폐지했다.

 성격 
싱가포르 총독의 업무와 직책, 그리고 권한이 그대로 이양되었기 때문에, 양 디페르투안 네가라는 기타 영국의 다른 식민지의 총독들과 유사했다. 집권 초기 양 디페르투안 네가라는 국가원수로 불리기도 했다. 전반적으로 양 디페르투안 네가라는 영국의 식민지에서 벗어나 싱가포르의 자치를 기념하는 상징적인 직책으로서 그 의미가 컸다.

 목록 

 다른 국가 
1963년 말레이시아 합의 이후, 북보르네오 (사바)와 사라왁이 말레이시아의 주로 편입되면서, 해당 주의 주지사들의 공식 명칭을 '양 디페르투아 네게리'라고 부르며, 1963년 말레이시아 헌법에 이것이 명시되어 있었다. 말레이시아 헌법 제38조에 따르면, 양 디페르투안 네가라는 말레이시아의 다른 연방 주지사들과 함께 말레이시아의 국왕을 5년마다 한 번씩 선출할 권리를 가질 수 있지만, 사바, 사라왁, 페낭, 말라카의 양 디페르투안 네가라는 말레이시아 국왕을 선출하거나 그 자리에 오를 수는 없다.

브루나이의 경우 일반적으로 브루나이 군주를 '술탄'으로 칭하지만, 브루나이 군주의 정식 작위명은 'Sultan dan Yang Di-Pertuan Negara Brunei Darussalam'(브루나이 다루살람의 술탄과 양 디페르투안 네가라')이다. 브루나이 군주의 경우 술탄과 총리를 겸하고 있기 때문에 해당 호칭이 붙었다.

 같이 보기 
 싱가포르주
 양 디페르투안 아공

 각주 

분류:국가원수
분류:싱가포르의 정치
분류:말레이시아의 정치
말굽형 궤도

천체역학에서 말굽형 궤도(horseshoe orbit), 편자 모양 궤도, 말발굽 궤도, 말굽 궤도는 더 큰 궤도 천체에 대한 작은 궤도 천체의 공동 궤도 운동 유형이다. 작은 천체의 접촉(순간) 공전 주기는 더 큰 천체의 공전 주기와 매우 비슷하게 유지되며, 그 궤도가 더 큰 천체보다 약간 더 이심률이 높으면 매 주기마다 더 큰 천체의 궤도 상의 한 지점을 중심으로 타원을 그리는 것처럼 보인다.
그러나 루프는 닫히지 않고 앞이나 뒤로 표류하여, 이 루프가 도는 지점은 긴 시간 동안 더 큰 천체의 궤도를 따라 부드럽게 움직이는 것처럼 보인다. 물체가 궤적의 양쪽 끝에서 더 큰 천체에 가까이 접근하면 겉보기 방향이 바뀐다. 전체 주기 동안 중심은 '뿔' 사이에 더 큰 천체가 있는 말굽 모양의 윤곽을 그린다.

지구에 대한 말굽형 궤도의 소행성에는 54509 YORP, , , 및 가능성이 있는 가 포함된다. 더 넓은 정의에는 복합 및 전이 궤도에 있다고 할 수 있는 3753 크뤼트네 또는 및 이 포함된다. 2016년까지 지구의 말굽형 칭동체 12개가 발견되었다.

토성의 위성 에피메테우스와 야누스는 서로에 대해 말굽형 궤도를 차지한다 (이 경우 반복되는 루프는 없다: 각각은 서로에 대해 완전한 말굽형을 그린다).

말굽형 궤도 주기의 설명

배경
다음 설명은 태양 주위를 그러한 궤도로 돌고 있으며 지구의 영향을 받는 소행성에 관한 것이다.

소행성은 지구와 거의 같은 태양 궤도에 있다. 둘 다 태양 주위를 도는 데 약 1년이 걸린다.

또한 궤도역학의 두 가지 규칙을 이해해야 한다.

 태양에 가까운 천체는 멀리 있는 천체보다 더 빨리 궤도를 공전한다.
 천체가 궤도를 따라 가속되면 궤도는 태양으로부터 바깥쪽으로 이동한다. 감속되면 궤도 반지름이 감소한다.

말굽형 궤도는 지구의 중력 인력이 소행성의 타원형 궤도 모양을 변화시키기 때문에 발생한다. 모양 변화는 매우 작지만 지구에 비해 상당한 변화를 가져온다.

말굽형은 소행성의 움직임을 태양과 지구 모두에 대해 매핑할 때만 명확해진다. 소행성은 항상 같은 방향으로 태양 주위를 공전한다. 그러나 지구를 따라잡고 뒤처지는 주기를 거치므로 태양과 지구 모두에 대한 움직임은 말굽형 윤곽과 같은 모양을 그린다.

궤도의 단계
섬네일|그림 1. 중력 등고선을 따라 가능한 궤도를 보여주는 평면도. 이 그림에서 지구(그리고 전체 이미지)는 태양 주위를 반시계 방향으로 회전한다.
섬네일|그림 2. 얇은 말굽형 궤도

와 지구 사이의 내부 고리 지점 A에서 시작하여, 위성은 지구보다 빠르게 공전하며 지구와 태양 사이를 지나가는 중이다. 그러나 지구의 중력은 바깥쪽으로 가속하는 힘을 가하여 위성을 더 높은 궤도로 끌어당기며, 이는 (케플러의 행성운동법칙에 따라) 각속도를 감소시킨다.

위성이 지점 B에 도달하면 지구와 같은 속도로 이동한다. 지구의 중력은 여전히 궤도 경로를 따라 위성을 가속하고 있으며, 위성을 더 높은 궤도로 계속 끌어당긴다. 결국, 지점 C에서 위성은 충분히 높고 느린 궤도에 도달하여 지구 뒤로 처지기 시작한다. 그런 다음 다음 세기 이상 동안 지구에 대해 볼 때 궤도를 '뒤로' 표류하는 것처럼 보인다. 태양 주위의 궤도는 여전히 지구년보다 약간 더 많은 시간이 걸릴 뿐이다. 충분한 시간이 주어지면 지구와 위성은 태양의 반대편에 있을 것이다.

결국 위성은 지점 D로 돌아오는데, 이때 지구의 중력은 위성의 궤도 속도를 감소시킨다. 이로 인해 위성은 더 낮은 궤도로 떨어지게 되며, 이는 실제로 태양 주위에서 위성의 각속도를 증가시킨다. 이는 위성의 궤도가 이제 지구의 궤도보다 낮고 빨라지는 지점 E까지 계속되며, 지구보다 앞서기 시작한다. 다음 몇 세기 동안 위성은 지점 A로 돌아가는 여정을 완료한다.

장기적으로, 소행성은 말굽형 궤도와 준위성 궤도 사이를 이동할 수 있다. 준위성은 행성에 중력적으로 묶여 있지 않지만, 행성과 같은 공전 주기로 태양 주위를 돌면서 행성 주위를 역행 방향으로 도는 것처럼 보인다. 2016년까지 궤도 계산에 따르면 지구의 말굽형 칭동체 4개와 당시 알려진 5개의 준위성 모두 말굽형 및 준위성 궤도 사이를 반복적으로 이동하는 것으로 나타났다.

에너지 관점
상황에 대한 다소 다르지만 동등한 관점은 에너지 보존 법칙을 고려하여 주목할 수 있다. 고전 역학의 정리 중 하나는 시간 독립적인 퍼텐셜 장에서 움직이는 물체는 총 에너지 E = T + V가 보존된다는 것이다. 여기서 E는 총 에너지, T는 운동 에너지(항상 비음수), V는 퍼텐셜 에너지(음수)이다. 질량 M과 궤도 반지름 R을 가진 중력체 근처에서 V = -GM/R이므로, 정지 좌표계에서 볼 때 M 뒤쪽 영역에서는 V가 증가하고 앞쪽 영역에서는 감소한다. 그러나 총 에너지가 낮은 궤도는 주기가 짧으므로, 행성 앞쪽에서 느리게 움직이는 물체는 에너지를 잃고 더 짧은 주기 궤도로 떨어져서 천천히 멀어지거나 "밀려난다". 행성 뒤쪽에서 느리게 움직이는 물체는 에너지를 얻고 더 높고 느린 궤도로 올라가서 뒤처지면서 유사하게 밀려난다. 따라서 작은 물체는 선두 위치와 후미 위치 사이를 오갈 수 있으며, 해당 영역을 지배하는 행성에 너무 가까이 접근하지 않는다.

올챙이형 궤도
섬네일|올챙이형 궤도의 한 예
같이 보기 트로이군.
위의 그림 1은 라그랑주 점 및 주변의 더 짧은 궤도(즉, 파란색 삼각형에 가까운 선)를 보여준다. 이들은 올챙이형 궤도라고 불리며, 소행성의 지구로부터의 거리가 태양 반대편의 지점까지 멀리 진동하지 않는다는 점을 제외하면 유사한 방식으로 설명될 수 있다. 지구에 가까워지거나 멀어짐에 따라 지구 중력장의 변화하는 인력은 소행성을 가속하거나 감속시켜 칭동으로 알려진 궤도 변화를 일으킨다.

올챙이형 궤도의 한 예는 폴리데우케스인데, 이것은 더 큰 위성인 디오네에 비해 뒤쪽 지점 주위를 칭동하는 토성의 작은 위성이다. 지구 궤도와 관련하여 소행성 은 선두 지점 주위의 올챙이형 궤도에 있다.
2020 VT1은 화성에 대해 일시적인 말굽형 궤도를 따른다.

 같이 보기 

 
 
 
 

 각주 

 외부 링크 
 말굽형 궤도를 설명하는 연구 논문. 105페이지부터 시작.
 2002 AA29에 대한 좋은 설명

분류:공궤도 천체
분류:삼체 궤도
분류:말굽 궤도
서리선

천문학 또는 행성과학에서 서리선(frost line) 또는 눈선(snow line) 혹은 얼음선(ice line)은 태양 성운의 중심 원시별로부터의 최소 거리로, 물, 암모니아, 메테인, 이산화 탄소 및 일산화 탄소와 같은 휘발성 화합물이 고체 알갱이로 응축되어 미행성으로 강착할 수 있을 만큼 온도가 낮은 지점을 말한다. 서리선 바깥에서는 (훨씬 더 풍부한) 기체 상태의 화합물이 비교적 쉽게 응축되어 거대 기체 행성과 거대 얼음 행성을 형성할 수 있는 반면, 서리선 안쪽에서는 더 무거운 화합물만이 강착되어 일반적으로 훨씬 작은 암석형 행성을 형성할 수 있다.

이 용어 자체는 지하수가 얼 수 있는 표면으로부터의 최대 깊이를 설명하는 토양학의 "동결선" 개념에서 차용한 것이다.

각 휘발성 물질은 자체적인 서리선을 가지고 있으므로(예: 일산화 탄소, 질소, 아르곤) 어떤 물질의 서리선을 지칭하는지 명시하는 것이 중요하지만, 특히 물 서리선에 대해서는 생략하는 경우가 흔하다. 달리 감지하기 어려운 물질의 경우 트레이서 기체를 사용할 수 있다. 예를 들어 일산화 탄소에는 다이아제닐륨이 사용된다.

 위치 
서로 다른 휘발성 화합물은 원시별 성운에서 서로 다른 부분압(따라서 서로 다른 밀도)에서 다른 응축 온도를 가지므로 각 서리선은 달라진다. 물 얼음의 서리선에 대한 실제 온도와 거리는 이를 계산하는 데 사용되는 물리 모델과 이론적인 태양 성운 모델에 따라 달라진다.
 2.7 천문단위 (AU; 하야시, 1981)에서 170K
 3.2 AU에서 143 K, 3 AU에서 150 K (포돌락과 주커, 2010)
 3.1 AU (마틴과 리비오, 2012)
 마이크로미터 크기 알갱이에 대해 ≈150 K, 킬로미터 크기 천체에 대해 ≈200 K (당젤로와 포돌락, 2015)

서리선의 위치는 시간에 따라 변하며, 태양 질량 별의 경우 이후 감소하기 전에 최대 의 반경에 도달할 수 있다.

 현재 서리선과 형성 당시 서리선 
응축/증발 전선의 반지름 위치는 성운이 진화함에 따라 시간이 지남에 따라 변한다. 가끔 서리선이라는 용어는 물 얼음이 안정할 수 있는 현재 거리(직사광선 아래에서도)를 나타내는 데도 사용된다. 이 현재 서리선 거리는 태양계 형성 당시 유효했던 형성 서리선 거리와 다르며, 약 5 AU와 같다.
차이가 발생하는 이유는 태양계 형성 당시 태양 성운은 불투명한 구름이었고 태양에 가까울수록 온도가 낮았으며 태양 자체도 덜 에너지가 넘쳤기 때문이다. 형성 후 얼음은 떨어지는 먼지에 묻혔고 표면 아래 몇 미터에서 안정적으로 유지되었다. 만약 이내의 얼음이 예를 들어 분화구에 의해 노출되면 상대적으로 빠르게 승화된다. 그러나 직사광선이 없는 곳에서는 얼음이 영구적으로 그림자가 진 극지방 분화구에 위치한다면 소행성(및 달과 수성) 표면에서 안정적으로 유지될 수 있으며, 그곳의 온도는 태양계의 나이 내내 매우 낮게(예: 달에서 ) 유지될 수 있다.

화성과 목성 사이에 위치한 소행성대 관측 결과에 따르면 태양계 형성 당시 물 서리선은 이 지역 내에 위치했다. 바깥쪽 소행성들은 얼음 C-형 천체(예: Abe 등 2000; Morbidelli 등 2000)인 반면, 안쪽 소행성대는 대부분 물이 없다. 이는 미행성 형성 시 서리선이 태양으로부터 약 2.7 AU에 위치했음을 의미한다.

예를 들어, 왜행성 세레스는 긴반지름 2.77 AU를 가지며 태양계 형성 당시 물 서리선의 하한 추정치와 거의 정확히 일치한다. 세레스는 얼음 맨틀을 가지고 있으며 심지어 표면 아래에 물의 바다가 있을 수도 있다. 평균 거리 3.1 AU에서 태양을 공전하는 24 테미스 표면에서 물 얼음이 감지되었다.

 행성 형성 
서리선 너머의 성운에서 온도가 낮아지면 미행성과 궁극적으로 행성으로 강착할 수 있는 고체 알갱이가 훨씬 더 많아진다. 따라서 서리선은 태양계에서 지구형 행성과 목성형 행성을 분리한다.
그러나 다른 여러 별 주위의 서리선 안쪽에서 뜨거운 목성이라 불리는 거대 행성들이 발견되었다. 이들은 서리선 바깥에서 형성된 후 현재 위치로 행성 이동했을 것으로 생각된다. 서리선까지의 거리의 4분의 1도 안 되는 곳에 위치하면서도 거대 행성이 아닌 지구는 메테인, 암모니아, 수증기가 빠져나가는 것을 막을 수 있는 적절한 중력을 가지고 있다. 메테인과 암모니아가 지구 대기에 희귀한 것은 광합성으로 인해 산소가 풍부한 대기에서 불안정하기 때문이며, 광합성 생화학은 한때 풍부한 메테인과 암모니아가 있었음을 시사하지만, 물론 그러한 대기에서 화학적으로 안정적인 액체 물과 얼음이 지구 표면의 대부분을 이룬다.

연구자 레베카 마틴과 마리오 리비오는 거대 행성이 자신의 궤도 안쪽에서 행성 형성을 방해하기 때문에 소행성대가 서리선 근처에 형성되는 경향이 있을 수 있다고 제안했다. 약 90개 별 주위에서 발견된 따뜻한 먼지의 온도를 분석한 결과, 그들은 먼지(따라서 가능한 소행성대)가 일반적으로 서리선 근처에서 발견된다는 결론을 내렸다. 근본적인 메커니즘은 1,000~10,000년의 시간 척도에서 서리선의 열적 불안정성으로 인해 비교적 좁은 별주위 고리에 먼지 물질이 주기적으로 침착되는 것일 수 있다.

 같이 보기 
 생명체 거주가능 영역
 성운설
 태양 성운

 각주 

 외부 링크 

 The thermal structure and the location of the snow line in the protosolar nebula: axisymmetric models with full 3-D radiative transfer by M. Min, C.P. Dullemond, M. Kama, C. Dominik 
 On the Snow Line in Dusty Protoplanetary Disks by D. D. Sasselov and M. Lecar

분류:행성과학
분류:추위
국부 시트

국부 시트(Local Sheet) 또는 국부 은하면은 천문학에서 우리 은하, 국부 은하군의 구성원 및 기타 은하들이 유사한 특이운동을 공유하는 인근의 은하계 외부 공간 영역이다. 이 영역은 반경 약 이내에 위치하며, 두께는 이고, 이 거리 너머의 은하들은 확연히 다른 속도를 보인다. 국부 은하군은 국부 시트에 대해 상대적으로 작은 의 특이운동 속도를 갖는다. 은하의 전형적인 속도 분산은 반경 방향으로 오직 이다. 거의 모든 근처의 밝은 은하들은 국부 시트에 속한다. 국부 시트는 국부 은하량의 일부이며 처녀자리 초은하단(국부 초은하단) 내에 있다. 국부 시트는 국부 거시공동의 한 경계를 이루는 은하들의 벽을 형성한다.

국부 시트에 있는 은하들의 평균 속도의 상당 부분은 처녀자리 은하단의 중력 인력의 결과로 나타나며, 그 결과 은하단 쪽으로 ~의 특이운동이 발생한다. 두 번째 구성 요소는 국부 거시공동의 중심으로부터 멀리 향한다. 국부 거시공동은 추정되는 에 걸쳐 펼쳐져 있으며 은하들이 드문드문 분포하는 확장 영역이다. 이 구성 요소는 의 속도를 갖는다. 국부 시트는 처녀자리 초은하단(처녀자리 초은하단)에서 8° 기울어져 있다. 

소위 거인의 회의는 국부 시트 내에서 국부 은하군을 둘러싸는 12개의 큰 은하들로 이루어진 고리로, 반경은 이다. 이들 중 10개는 나선 은하이고, 나머지 두 개는 타원 은하이다. 두 타원 은하(마페이 1과 센타우루스자리 A)는 국부 은하군의 반대편에 위치한다.섬네일|305px|국부 시트 (위에서 본 모습)

* 질량은 태양질량의 로그(밑이 지정되지 않음)로 주어진다.

위치
국부 시트는 코마-조각가 구름의 공통 운동 부분으로, 이는 1987년 천문학자 브렌트 툴리와 동료 리처드 피셔가 그의 저서 "근처 은하 지도"에서 클라우드 14로 식별하고 기술했다. 이것은 거대한 의 장축 구형이며, 필라멘트이며 처녀자리 은하단과는 대조적으로 주로 후기형 은하를 포함하며, 처녀자리 은하단에서는 거대 은하의 절반 이상이 초기형 은하이다.

툴리는 코마-조각가 구름과 국부 시트가 완전히 겹치지 않는다고 주장한다. 국부 시트는 코마-조각가 구름의 공통 운동 부분만을 포함하기 때문이다. 맥콜은 이 두 용어를 동의어로 간주하며, 동일한 영역을 지칭한다고 본다.

 같이 보기 
 국부 거시공동: 거시공동 한쪽 끝에 있는 은하들의 벽을 정의하는 국부 시트
 초은하좌표계: 국부 시트, 즉 초은하면을 X-Y 기저로 사용하는 좌표계

 각주 

분류:우주 거대구조
분류:초은하단
섹터 안테나

right|thumb|30px|일반적인 GSM 섹터 안테나 실외 장치
섹터 안테나()는 부채꼴 모양의 복사 패턴을 가진 지향성 마이크로파 안테나의 한 종류이다. "섹터"라는 단어는 기하학적 의미로 사용된다. 원주의 일부를 호의 각도로 측정한 것이다. 60°, 90°, 120° 디자인이 일반적이며, 종종 겹침을 보장하기 위해 몇 도의 '추가'가 있고, 더 넓거나 완전한 원형 범위가 필요할 때 여러 개를 장착한다(아래 사진 참조). 이 안테나의 가장 큰 용도는 휴대폰 기지국 안테나로 사용되는 것이다. 또한 와이파이 네트워크와 같은 다른 유형의 이동통신에도 사용된다. 약 4~5km의 제한된 거리에서 사용된다.

 설계 

일반적인 섹터 안테나는 오른쪽 그림에 나와 있다. 하단에는 동축 케이블(급전선)용 RF 단자와 조정 장치가 있다. 실외 설치를 위해 주 반사판은 알루미늄으로 제작되며, 모든 내부 부품은 유리섬유 레돔 인클로저에 수용되어 날씨 조건에 관계없이 안정적인 작동을 유지한다.

실외 안테나의 경우 접지가 매우 중요하므로 모든 금속 부품은 직류 접지된다.

안테나의 길고 좁은 형태는 수평 방향으로 넓고 수직 방향으로 비교적 좁은 부채꼴 모양의 복사 패턴을 제공한다. 그림에 묘사된 복사 패턴에 따르면, 3개 섹터 기지국에 사용되는 일반적인 안테나는 66°의 수평 빔폭을 가진다. 이는 ±33° 방향에서의 신호 강도가 중심에서의 최대값의 절반(3dB 감소)이라는 것을 의미한다. ±60° 방향에서는 섹터의 경계로 간주되며 안테나 이득은 무시할 수 있다.

수직 빔폭은 15°를 넘지 않으며, 이는 각 방향으로 7.5°를 의미한다. 예를 들어 수 마일 또는 수 킬로미터에 걸쳐 가시선 전파를 달성해야 하는 민영 방송(AM, FM, 텔레비전)용 안테나와 달리, 일반적으로 기지국이 즉각적인 영역을 더 효과적으로 커버하고 먼 셀에 무선주파수 간섭을 일으키지 않도록 아래쪽으로 빔 기울기 또는 다운틸트가 있다.

지상에 복사 패턴을 투영하여 결정되는 커버리지 영역은 패턴의 다운틸트를 변경하여 조정할 수 있다. 일부 모델에서는 조절 가능한 장착 브래킷으로 안테나의 기울기를 수동으로 조절하여 기계적으로 수행한다. 최신 섹터 안테나에서는 개별 다이폴 요소의 급전에 있는 조절 가능한 위상변위기를 통해 패턴을 전자적으로 기울일 수 있다. 이들은 지상에서 리모컨 회로에 의해 조정되므로 기술자가 안테나 타워를 오를 필요가 없다.

 사용 
thumb|left|100px|짧은 마스트에 설치된 섹터 안테나
thumb|섹터 안테나가 있는 셀룰러 기지국 타워 상단
thumb|right|100px|섹터 안테나는 종종 기존 구조물에 설치된다.

커버리지 영역을 늘리거나 확장하여 서비스하는 클라이언트 수를 늘리기 위해 여러 섹터 안테나가 동일한 지지 구조물(예: 방송탑)에 설치된다.

이러한 구조는 종종 섹터화된 안테나라고 불리지만, 때로는 간단히 "섹터 안테나"라고도 사용된다. 오른쪽 그림과 같이 여러 개의 각도로 분리된 섹터 안테나를 가지고 있다.

안테나 장치가 지지 구조물에 부착되면, 위치를 지정해야 한다. 위치 지정은 올바른 방향 또는 방위각을 설정하는 것뿐만 아니라 올바른 다운틸트를 설정하는 것을 의미한다. 방출되는 에너지를 원형의 일부 호와 좁은 수직 커버리지로 제한함으로써 이 디자인은 비교적 낮은 전력의 송신기 장비를 효율적으로 사용한다. 절대 범위는 제한되지만, 이 구성은 우수한 처리량(비트/초 단위로 측정되는 디지털 정보 전송, 때로는 오류 보정 오버헤드를 제외한 총량으로 표시됨)과 커버리지 영역 내에서 우수한 신호 일관성을 허용한다.

위치 지정 전에 접지 및 피뢰침 보호가 필요하다. 그림에서 볼 수 있듯이 모든 지지 구조물에는 피뢰침이 있다.

thumb|right|100px|아래 안테나는 더 큰 기계적 다운틸트를 가지고 있다.

잘 선택된 다운틸트 설정 전략은 네트워크의 전체 간섭을 줄일 수 있다. 그러나 너무 공격적인 다운틸트 전략은 셀이 겹치지 않아 전체 커버리지 손실로 이어질 것이다. 다운틸트는 특정 문제, 예를 들어 지역 간섭 문제 또는 너무 큰 셀을 해결하는 데 사용될 수 있다. 전기적 기울기는 빔 폭을 약간 줄인다.

오른쪽 그림에는 서로 다른 기계적 다운틸트를 가진 두 개의 섹터 안테나가 있다. 더 수직인 안테나가 기계적으로 기울어진 안테나보다 덜 눈에 띈다는 점에 유의하라. 따라서 기계적 기울기 없이 순전히 전기적 기울기를 사용하는 것은 미관상의 이유로 매력적인 선택이며, 이는 가시적인 위치에 통합 안테나의 수용을 원하는 운영자에게 매우 중요하다.

 같이 보기 
 안테나
 무선주파수
 패널 안테나: 방송공학에 사용되는 유사한 유형

 외부 링크 
 Deploying License-Free Wireless Wide-Area Networks by Cisco Press
 Antenna Tilt Control in CDMA Networks
 P-CPICH Power and Antenna Tilt Optimization in UMTS networks

분류:무선 기술