shopkeeper/kowiki-cleaned-020126 huggingface dataset:
옴미터

섬네일|아날로그 옴미터

옴미터(Ohmmeter)는 전기저항 (회로 또는 부품이 전류의 흐름에 제공하는 저항)을 측정하는 전기 계측기이다. 멀티미터 또한 저항 측정 모드에서 옴미터로 작동한다. 옴미터는 저항을 측정할 회로 또는 부품에 전류를 인가한다. 그런 다음 결과 전압을 측정하고 옴의 법칙을 사용하여 저항을 계산한다.

옴미터는 전류를 흐르게 하거나 전원에 연결된 회로나 부품에 연결해서는 안 된다. 옴미터를 연결하기 전에 전원을 차단해야 한다. 옴미터는 요구 사항(측정되는 저항이 회로의 일부인지 또는 션트 저항인지)에 따라 직렬 또는 병렬로 연결할 수 있다.

설계의 진화
최초의 옴미터는 '비율계(ratiometer)'로 알려진 일종의 미터 운동을 기반으로 했다. 이들은 후기 계측기에서 발견되는 검류계 유형의 운동과 유사했지만, 복원력을 제공하는 헤어스프링 대신 전도성 '인대'를 사용했다. 이들은 운동에 순회전력을 제공하지 않았다. 또한 운동은 두 개의 코일로 감겨 있었다. 하나는 직렬 저항을 통해 배터리 공급 장치에 연결되었다. 두 번째는 두 번째 저항과 테스트 중인 저항을 통해 동일한 배터리 공급 장치에 연결되었다. 미터의 표시는 두 코일을 통해 흐르는 전류의 비율에 비례했다(따라서 '비율계'). 이 비율은 테스트 중인 저항의 크기에 따라 결정되었다. 이 배열의 장점은 두 가지였다. 첫째, 저항 표시는 배터리 전압과 완전히 독립적이었고(실제로 전압을 생성하는 한) 영점 조정이 필요하지 않았다. 둘째, 저항 스케일은 비선형이었지만, 전체 편향 범위에서 스케일은 정확하게 유지되었다. 두 코일을 교환하여 두 번째 범위를 제공할 수 있었다. 이 스케일은 첫 번째 스케일과 비교하여 반대였다. 이 유형의 계측기의 특징은 테스트 리드가 분리되면(배터리가 운동에서 분리되는 동작) 임의의 저항 값을 계속 표시한다는 점이었다. 이 유형의 옴미터는 멀티미터 설계에 쉽게 통합될 수 없었기 때문에 항상 저항만 측정했다. 수동 크랭크 발전기에 의존하는 절연 테스터도 동일한 원리로 작동했다. 이는 표시가 실제로 생성된 전압과 전적으로 독립적임을 보장했다.

후속 옴미터 설계는 전압을 저항에 인가하기 위해 작은 배터리를 제공하고, 저항을 통해 흐르는 전류를 측정하기 위해 검류계를 사용했다(배터리, 검류계 및 저항 모두 직렬로 연결됨). 검류계의 눈금은 옴 단위로 표시되었는데, 이는 배터리에서 나오는 고정 전압이 저항이 증가함에 따라 미터를 통해 흐르는 전류(및 편향)가 감소하도록 보장했기 때문이다. 옴미터는 자체적으로 회로를 형성하므로 조립된 회로 내에서 사용할 수 없다. 이 설계는 이전 설계보다 훨씬 간단하고 저렴했으며 멀티미터 설계에 통합하기 쉬웠으므로 아날로그 옴미터의 가장 일반적인 형태였다. 이 유형의 옴미터는 두 가지 내재된 단점이 있다. 첫째, 각 측정 전에 측정 지점을 함께 단락하고 영점 옴 표시를 위해 조정을 수행하여 미터를 영점 조정해야 한다. 이는 배터리 전압이 시간이 지남에 따라 감소함에 따라 전체 편향에서 영점 표시를 유지하기 위해 미터의 직렬 저항을 줄여야 하기 때문이다. 둘째, 첫 번째와 결과적으로, 테스트 중인 특정 저항에 대한 실제 편향은 내부 저항이 변경됨에 따라 달라진다. 이는 영점 및 최대 편향(각각 무한대 및 영 저항)에서만 정확하며, 다른 모든 표시는 배터리 전압에 따라 달라지므로 조정 가능한 직렬 저항 값도 달라진다. 배터리가 노후화될수록 테스트 중인 특정 저항에 대한 판독값은 점점 낮아진다.

더 정확한 유형의 옴미터는 저항을 통해 일정한 전류(I)를 흘려보내는 전자 회로와 저항 양단의 전압(V)을 측정하는 다른 회로를 가지고 있다. 이 측정값은 아날로그 디지털 변환기(ADC)를 통해 디지털화된 후, 마이크로컨트롤러 또는 마이크로프로세서가 옴의 법칙에 따라 전류와 전압을 나누고 이를 디스플레이에 디코딩하여 사용자에게 측정하는 저항 값의 판독값을 즉시 제공한다. 이러한 유형의 미터는 전류, 전압 및 저항을 모두 한 번에 측정하므로, 이러한 유형의 회로는 디지털 멀티미터에서 자주 사용된다.

정밀 옴미터
매우 작은 저항의 고정밀 측정에는 위의 유형의 미터가 부적절하다. 이는 부분적으로는 측정된 저항이 옴미터의 본질적인 저항에 비해 너무 작을 때 편향 변화 자체가 작기 때문이기도 하지만(전류 분배를 통해 해결할 수 있음), 주로 미터의 판독값이 측정 리드의 저항, 접촉 저항 및 측정되는 저항의 합이기 때문이다. 이러한 효과를 줄이기 위해 정밀 옴미터에는 켈빈 접점이라고 불리는 4개의 단자가 있다. 두 단자는 미터로 전류를 전달하고 미터에서 전류를 가져오는 반면, 다른 두 단자는 미터가 저항 양단의 전압을 측정하도록 허용한다. 이 배열에서 전원은 외부 단자 쌍을 통해 측정할 저항과 직렬로 연결되고, 두 번째 쌍은 전압 강하를 측정하는 검류계와 병렬로 연결된다. 이 유형의 미터에서는 첫 번째 리드 쌍의 저항과 접촉 저항으로 인한 전압 강하는 미터에 의해 무시된다. 이 4단자 측정 기술은 1861년 매우 낮은 저항을 측정하기 위해 켈빈 브리지를 발명한 윌리엄 톰슨, 켈빈 경의 이름을 따서 켈빈 감지라고 불린다. 4단자 측정 방식은 낮은 저항을 정확하게 측정하는 데에도 활용할 수 있다.

 각주 

 외부 링크 

 DC 계량 회로 장, 전기 회로 강의 1권 DC 무료 전자책 및 전기 회로 강의 시리즈.

분류:전자 테스트 장비
분류:전기저항
AAAA 전지

섬네일|왼쪽부터 D, C, AA, AAA, AAAA, 9볼트 전지
AAAA 전지 (일반적으로 쿼드러플 A로 읽음)는 길이가 42.5 mm이고 직경이 8.3 mm이다. 알칼리 전지는 무게가 약 6.5g이며 1.5 V를 생산한다. 이 크기의 전지는 R8D425 (IEC) 및 25 (ANSI/NEDA)로 분류된다. 이 크기의 알칼리 전지는 듀라셀 유형 번호 MN2500 또는 MX2500 및 에너자이저 유형 번호 E96으로도 알려져 있다.

 종류 

 용도 
섬네일|LR61 전지 6개가 드러나도록 9볼트 전지를 개봉한 모습. 이 전지들은 AAAA 전지와 유사하다.|263x263px
이 전지 크기는 주로 레이저 포인터, LED 펜라이트, 전원 공급 컴퓨터 스타일러스, 혈당 측정기, 소형 헤드폰 앰프와 같은 소형 기기에 사용되며, 마이크로소프트의 서피스 펜이 AAAA 전지를 사용하는 가장 대표적인 제품이다. 이 전지들은 AAA 또는 AA형 전지만큼 인기가 없으며, 그 결과 흔히 구할 수 없다.

일부 알칼리 9볼트 전지 모델에는 용접 탭으로 연결된 6개의 LR61 전지가 들어 있다. 이 전지들은 AAAA 전지와 유사하며, 더 짧음에도 불구하고 일부 장치에서 AAAA 전지 대신 사용할 수 있다.

 같이 보기 
 전지
 배터리 명칭
 배터리 재활용
 배터리 종류 목록

 각주 

 외부 링크 
 ANSI 사양에 따른 AAAA 알칼리 전지의 기술 도면

분류:전지
C 전지

섬네일|C형 전지 두 개

C 전지(C battery, C 사이즈 전지 또는 R14 전지)는 일반적으로 장난감, 손전등, 악기 등 중간 정도의 전력 소모가 있는 기기에 사용되는 표준 크기의 건전지이다.

2007년 기준으로 C 전지는 미국에서 알칼라인 1차 전지 판매량의 4%를 차지했다. 2008년 스위스에서는 C 전지가 1차 전지 판매량의 5.4%를, 2차 전지(충전식) 판매량의 3.4%를 차지했다.

 속성 
섬네일|right|D, C, AA, AAA, AAAA 및 9볼트 전지

C 전지는 길이 , 직경 이다.

C형 전지의 전압과 용량은 전지 화학 및 방전 조건에 따라 달라진다. 공칭 전압은 1.5V이다. 알칼라인 C 전지는 최대 8000 mAh의 저장 용량을 가지며, 충전식 NiMH C 전지는 최대 6000 mAh를 저장할 수 있다. 아연-탄소 C 전지는 일반적으로 최대 3800 mAh를 저장한다. AAA 및 AA 전지에 비해 C 전지의 저장 용량은 상당히 높다.

 표준화 
D 전지와 마찬가지로 C 전지 크기는 1920년대부터 표준화되었다. AA, AAA, N 크기는 1950년대부터 일반적으로 사용되어 왔다. 이는 손전등용으로 유사한 크기였던 구형 No. 1 건전지에서 유래되었으며, 원래 아연 케이스는 빗자루 손잡이 주위에 형성되었다.

C 전지는 현재 ANSI 전지 명명법 표준에서 "14"로 불리며, IEC 표준에서는 "R14"로 지정된다.

 다른 일반적인 이름 

 U11 (영국에서 1980년대까지)
 MN1400
 MX1400
 Baby
 Bébielem (헝가리)
 Type 343 (소련/러시아)
 BA-42 (미군 사양 제2차 세계 대전–1980년대)
 UM 2 (JIS)
 No. 2 (중국)
 6135-99-199-4779 (NSN) (탄소-아연)
 6135-99-117-3212 (NSN) (알칼라인)
 HP-11
 Mezza torcia (이탈리아)
 Pila Mediana (아르헨티나)
 Pilha média (브라질)
 Orta Pil / Orta boy pil (터키)
 Pin Trung (베트남)

 같이 보기 
 전지 홀더
 전지 크기 목록

 각주 

 외부 링크 

 ANSI 사양에 기반한 알칼라인 C 전지의 브랜드 중립 도면
 ANSI 사양에 기반한 NiCd C 전지의 브랜드 중립 도면 
 ANSI 사양에 기반한 NiMH C 전지의 브랜드 중립 도면 
 에너자이저 C 사이즈 알칼라인 전지 사양
 C 사이즈 전지 데이터시트: 

분류:전지
D 전지

섬네일|D 전지, 크기 비교를 위한 나무 성냥개비.

D 전지(D battery, D 셀 또는 IEC R20)는 표준화된 크기의 건전지이다. D 셀은 양쪽 끝에 전기 접점이 있는 원통형이며, 양극 끝에는 융기된 부분이 있다. D 전지는 일반적으로 대형 손전등, 수신기 및 송신기와 같이 높은 전류 소모가 필요한 장치나 연장된 작동 시간이 필요한 기타 장치에 사용된다. D 셀은 충전식 또는 비충전식일 수 있다. 단자 전압과 용량은 셀의 화학적 구성에 따라 달라진다.

내셔널 카본 컴퍼니는 1898년에 최초의 D 셀을 출시했다. 더 작은 셀이 보편화되기 전에는 D 셀이 손전등 전지로 널리 알려졌다. 이 전지에 대한 미군 지정은 제2차 세계 대전 이전부터 BA-30이었다. 제2차 세계 대전 중에는 미 해군에 의해 Type C 전지로 지정되었는데, 이는 더 작은 C 셀 전지(BA-42)와의 혼동을 야기했다.

2007년에 D 전지는 미국에서 알칼리 일차 전지 판매(수량 기준)의 8%를 차지했다. 2008년에 스위스의 D 전지 구매량은 일차 전지 판매의 3.4%, 이차(충전식) 전지 판매의 1.4%에 달했다.

섬네일|right|D, C, AA, AAA, AAAA 및 9볼트 전지
 크기와 용량 

D 전지는 공칭 직경이 33.2 ± 1 mm (1.3인치)이다.
총 길이는 61.5mm (2.42인치)이다.

 명칭 
 일반 명칭 

 기타 명칭 

 U2 / HP2 / SP2 영국
 Type 373 러시아
 MN/MX1300
 모노
 골리앗
 BA-30 미국 제2차 세계대전
 #1 중화인민공화국
 UM 1 JIS
 6135-99-464-1938 / 6135-99-109-9428 (NSN)
 손전등 전지 / 토치 전지
 B006 (NiMH)
 Torcia 이탈리아
 Góliátelem 헝가리
 Pila Grande 아르헨티나
 Kalın Pil 튀르키예
 Monočlánek / "Buřt" 체코어

 전지 용량 
전지의 용량은 셀의 화학적 구성과 전류 소모량에 따라 달라진다. 듀라셀 브랜드는 알칼리 D 셀의 성능을 25mA 소모 시 약 20,000 mAh, 그러나 500mA 소모 시 약 10,000 mAh로 평가한다. 이러한 효과는 NiMH 화학을 사용하는 셀에서는 덜 두드러지며, NiCd 셀에서는 거의 나타나지 않는다. 시중에서 흔히 볼 수 있는 D형 충전식 셀 중 다수는 실제로는 D 크기 홀더에 들어있는 서브 C 셀이다.

 같이 보기 
 전지 크기 목록
 전지 명명법

 각주 

 외부 링크 

 듀라셀 D 전지 사양 
 에너자이저 D형 알칼리 전지 사양 
 ANSI 사양 기반 NiCd D 전지 브랜드 중립 도면 
 ANSI 사양 기반 NiMH D 전지 브랜드 중립 도면 
 ANSI 사양 기반 알칼리 D 전지 브랜드 중립 도면

분류:전지
N 전지

150px|thumb|N(E90) 전지와 A23 전지의 나란한 비교, 크기 유사성을 보여준다.

N 전지(N battery) 또는 N 셀은 표준 크기의 건전지이다. N 전지는 각 끝에 전기 접점이 있는 원통형이며, 양극 끝에는 위쪽에 돌기가 있다. 이 전지는 길이가 이고 지름이 이며, AA 전지 길이의 약 5분의 3이다.

개요
N-셀 전지는 버제스 배터리 컴퍼니가 설계했으며 Z 전지(AA 전지) 및 7번 전지(AAA 전지)를 포함한 더 작은 전지 시리즈의 일부였다.

이 유형의 망간 건전지는 IEC 표준에 따라 R1으로 지정된다. 마찬가지로 이 유형의 알칼리 전지는 LR1으로 지정된다. ANSI는 이 전지를 알칼리 및 망간 건전지 화학에 대해 각각 910A 및 910D로 지정한다. 에너자이저는 이 유형을 E90이라고 부른다.

같은 크기의 수은 전지는 독성 때문에 더 이상 생산되지 않는다. 말로리 RM401, 듀라셀 RM-401, IEC-MR1 등 이전 수은 전지는 알칼리 코닥 KN으로 대체되었다.

충전식 N-크기 전지도 니켈-카드뮴 전지(KR1) 및 니켈-금속 수소화물 전지(HR1) 화학으로 제공된다. 그러나 이들은 다른 충전식 크기보다 훨씬 덜 흔하다. 충전식 N-시리즈 전지는 임시 어댑터(예: 작은 금속 슬러그 또는 스프링)를 사용하여 AA 충전기에서 충전할 수 있다. 일부 범용 배터리 충전기(스프링 장착 접점 포함)도 N 크기 배터리를 충전할 수 있다.

이 크기 전지의 일반적인 용도는 일부 소형 손전등, 무선 포켓 무선호출기 수신기, 원격 제어 도어 차임, 혈당 측정기, 작은 탁상 시계, 무선 마이크로폰, 레이저 포인터, 일부 빈티지 계산기, 일부 슬롯카, 필름 카메라 및 작은 바이브레이터 (성 도구)를 포함한다. 그러나 기술이 발전함에 따라 이러한 장치 중 다수는 이제 단추형 전지로 작동한다.

N-셀 전지는 12V 출력을 가진 A23 전지와 비슷한 크기이다.

 같이 보기 
 전지 재활용

 각주 

 외부 링크 

 ANSI 사양 기반 알칼리 N 전지의 브랜드 중립 도면

분류:전지
플리커 노이즈

플리커 노이즈(flicker noise)는 1/f 전력 스펙트럼 밀도를 갖는 전자 노이즈의 한 종류이다. 따라서 이 용어들은 더 넓은 정의를 가지고 있지만, 종종 1/f 노이즈 또는 분홍색 잡음이라고 불린다. 이는 거의 모든 전자 장치에서 발생하며, 전도체 채널의 불순물, 베이스 전류로 인한 트랜지스터의 캐리어 생성 및 재결합 노이즈 등 다양한 다른 효과와 함께 나타날 수 있다.

 속성 
전류 또는 전압의 1/f 노이즈는 일반적으로 직류와 관련이 있는데, 이는 저항 변동이 옴의 법칙에 의해 전압 또는 전류 변동으로 변환되기 때문이다. 직류가 흐르지 않는 저항에서도 1/f 성분이 있는데, 이는 저항을 변조하는 온도 변동 때문일 가능성이 높다. 이 효과는 망가닌에서는 나타나지 않는데, 이는 망가닌이 무시할 수 있는 저항의 온도 계수를 가지고 있기 때문이다.

전자 장치에서는 저주파 현상으로 나타나는데, 이는 고주파가 다른 소스의 백색 잡음에 의해 가려지기 때문이다. 그러나 발진기에서는 저주파 노이즈가 혼합되어 반송파 주파수에 가까운 주파수까지 올라갈 수 있으며, 이는 발진기 위상 잡음을 초래한다.

총 노이즈에 대한 플리커 노이즈의 기여는 플리커 노이즈가 지배적인 저주파 영역과 평탄한 백색 노이즈 스펙트럼이 지배적인 고주파 영역 사이의 코너 주파수 fc로 특징지어진다. MOSFET은 높은 fc를 가지며 (GHz 범위에 있을 수 있음), JFET와 BJT는 약 1 kHz 정도의 낮은 fc를 가진다. 그러나 JFET는 일반적으로 BJT보다 저주파에서 더 많은 플리커 노이즈를 나타내며, 플리커 노이즈에 대해 선택되지 않은 JFET에서는 fc가 수 kHz에 달할 수 있다.

이것은 일반적으로 가우시안 분포를 가지며 시간 가역적이다. 저항기와 FET에서는 선형 메커니즘에 의해 생성되지만, BJT와 다이오드에서는 비선형 메커니즘에 의해 생성된다.

MOSFET의 플리커 노이즈 전압의 스펙트럼 밀도는 주파수 f의 함수로 로 모델링되는 경우가 많으며, 여기서 K는 공정 의존 상수이고, 는 산화물 전기 용량이며, W와 L은 각각 채널 폭과 길이다. 이는 경험적 모델이며 일반적으로 지나친 단순화로 생각된다.

플리커 노이즈는 탄소 피막 저항기와 후막 저항기에서 발견되며, 모든 저항에 존재하는 열잡음 수준보다 전체 노이즈 수준을 증가시키므로 초과 노이즈라고 불린다. 이와 대조적으로, 권선형 저항기는 플리커 노이즈가 가장 적다. 플리커 노이즈는 직류의 수준과 관련이 있으므로, 전류가 낮게 유지되면 열 노이즈가 저항의 주요 효과가 되며, 주파수 창에 따라 사용되는 저항기의 유형이 노이즈 수준에 영향을 미치지 않을 수 있다.

 측정 

전압 또는 전류에서 1/f 노이즈 스펙트럼의 측정은 다른 유형의 노이즈 측정과 동일한 방식으로 수행된다. 샘플링 스펙트럼 애널라이저는 노이즈에서 유한 시간 샘플을 취하고 FFT 알고리즘으로 푸리에 변환을 계산한다. 그런 다음 푸리에 스펙트럼의 제곱 절대값을 계산한 후, 이 샘플링 과정을 충분히 많은 횟수만큼 반복하여 평균값을 계산한다. 결과 패턴은 측정된 노이즈의 전력 밀도 스펙트럼에 비례한다. 그런 다음 유한 시간 샘플의 지속 시간과 1 정도의 수치 상수로 정규화하여 정확한 값을 얻는다. 이 절차는 유한 시간 샘플의 지속 시간의 역수(저주파 끝)와 노이즈의 디지털 샘플링 속도(고주파 끝)에 의해 결정되는 주파수 창 내에서만 올바른 스펙트럼 데이터를 제공한다. 따라서 얻은 전력 밀도 스펙트럼의 상위 및 하위 반 데카드는 일반적으로 스펙트럼에서 제거된다. 좁게 필터링된 대역을 신호에 걸쳐 스윕하는 기존 스펙트럼 애널라이저는 협대역 기기이므로 신호 대 잡음비(SNR)가 우수하다. 이러한 기기는 플리커 노이즈를 완전히 측정하기에 충분히 낮은 주파수에서 작동하지 않는다. 샘플링 기기는 광대역이므로 노이즈가 높다. 여러 샘플 트레이스를 가져와 평균화함으로써 노이즈를 줄인다. 기존 스펙트럼 애널라이저는 협대역 획득으로 인해 여전히 더 나은 SNR을 가진다.

 계측 및 측정에서 제거 

DC 측정의 경우 1/f 노이즈는 특히 문제가 될 수 있는데, 이는 저주파에서 매우 중요하며, DC에서 적분/평균화 시 무한대에 가까워지는 경향이 있기 때문이다. 매우 낮은 주파수에서는 노이즈가 드리프트로 변하는 것으로 생각할 수 있지만, 드리프트를 유발하는 메커니즘은 일반적으로 플리커 노이즈와는 다르다.

강력한 한 가지 기술은 관심 신호를 더 높은 주파수로 이동시키고 위상 감지 검출기를 사용하여 측정하는 것이다. 예를 들어, 관심 신호는 주파수로 초핑될 수 있다. 이제 신호 체인은 DC 신호가 아닌 AC 신호를 전달한다. AC 결합 단계는 DC 성분을 필터링하여 플리커 노이즈도 감쇠시킨다. AC 신호의 피크를 샘플링하는 동기 검출기는 원래 DC 값과 동일하다. 즉, 먼저 저주파 신호는 고주파 캐리어로 곱하여 고주파로 이동하고, 플리커 노이즈의 영향을 받는 장치에 전달된다. 장치의 출력은 동일한 캐리어로 다시 곱해져서 이전 정보 신호가 기저대역으로 돌아오고, 플리커 노이즈는 더 높은 주파수로 이동되어 쉽게 필터링될 수 있다.

 같이 보기 
 알더트 판 데르 질
 소음의 색상
 접촉 저항
 잡음 (물리학)
 노이즈 (전기공학)
 트위디 분포
 초퍼 제어

 각주 

 내용주 
 
 
 

 외부 링크 
 AES Pro Audio Reference "플리커 노이즈" 정의
 노이즈 튜토리얼 

분류:노이즈 (전기공학)
클랩 발진기

클랩 발진기(Clapp oscillator) 또는 구리에 발진기(Gouriet oscillator)는 발진기 주파수를 설정하기 위해 특정 조합의 유도자와 3개의 축전기를 사용하는 LC 발진 (전기공학)이다. LC 발진기는 트랜지스터 (또는 진공관 또는 다른 이득 요소)와 양성 되먹임 네트워크를 사용한다. 이 발진기는 주파수 안정성이 좋다.

 역사 
클랩 발진기 설계는 1948년 제임스 킬턴 클랩이 제너럴 라디오에서 근무하는 동안 발표했다. 체코의 엔지니어 이르지 바카르(Jiří Vackář)에 따르면, 이러한 종류의 발진기는 여러 발명가에 의해 독립적으로 개발되었으며, 구리에가 개발한 발진기는 1938년부터 영국방송공사에서 작동하고 있었다.

 회로 
frame|클랩 발진기 (직류 바이어스 네트워크는 표시되지 않음)

클랩 발진기는 단일 유도자와 3개의 축전기를 사용하여 주파수를 설정한다. 클랩 발진기는 종종 유도자와 직렬로 추가 축전기 ()가 배치된 콜피츠 발진기로 그려진다.

FET를 사용하는 그림의 회로에 대한 헤르츠(초당 주기) 단위의 발진 주파수는 다음과 같다.

축전기 과 는 일반적으로 보다 훨씬 크므로, 항이 다른 축전기들을 지배하며, 주파수는 과 의 직렬 공진에 가깝다. 클랩의 논문은 과 가 보다 40배 큰 예를 제시한다. 이 변화는 클랩 회로를 의 축전기 변화에 대해 콜피츠 발진기보다 약 400배 더 안정적으로 만든다.

축전기 , , 는 트랜지스터 입력에 적용되는 피드백 전압의 양을 결정하는 전압 분배기를 형성한다.

클랩 회로는 를 가변 축전기로 만들어 가변 주파수 발진기(VFO)로 사용되지만, 바카르(Vackář)는 클랩 발진기가 "고정 주파수 또는 최대 좁은 대역(최대 약 1:1.2)에서만 작동할 수 있다"고 말한다. 문제는 일반적인 조건에서 클랩 발진기의 루프 이득이 로 변하여 넓은 범위에서 증폭기를 과도하게 구동한다는 것이다. VFO의 경우 바카르(Vackář)는 다른 회로를 권장한다. 바카르 발진기를 참조하라.

실용적인 예시
frame|클랩 발진기 실용적인 예시. 출력 주파수는 10 MHz

회로도는 구성 요소 값을 포함한 예시를 보여준다. 전계효과 트랜지스터 대신, 원하는 주파수에서 이득을 생성할 수 있는 접합형 트랜지스터 또는 진공관과 같은 다른 능동 구성 요소를 사용할 수 있다.

공통 드레인 증폭기는 높은 입력 임피던스와 낮은 출력 임피던스를 갖는다. 따라서 증폭기 입력인 게이트는 LC 회로 C0, C1, C2, L1의 높은 임피던스 상단에 연결되고 증폭기 출력인 소스는 LC 회로의 낮은 임피던스 탭에 연결된다. 그리드 리크 C3 및 R1은 그리드 리크 바이어스를 통해 작동점을 자동으로 설정한다. C3 값이 작을수록 고조파 왜곡이 적지만, 더 큰 부하 저항이 필요하다. J1의 공급 전류는 고주파 초크 L2를 통해 접지로 흐른다. 발진기 고주파 전류는 C2를 사용하는데, 발진기 주파수에서 이 구성 요소는 반응저항이 적기 때문이다. 부하 저항 RL은 회로의 일부가 아니라 시뮬레이션의 일부이다.

 각주 

 더 읽어보기 

 Ulrich L. Rohde, Ajay K. Poddar, Georg Böck "The Design of Modern Microwave Oscillators for Wireless Applications ", John Wiley & Sons, New York, NY, May, 2005, .
 George Vendelin, Anthony M. Pavio, Ulrich L. Rohde " Microwave Circuit Design Using Linear and Nonlinear Techniques ", John Wiley & Sons, New York, NY, May, 2005, .
 A. Grebennikov, RF and Microwave Transistor Oscillator Design. Wiley 2007. .

 외부 링크 
 
 EE 322/322L 무선 통신 전자공학 —강의 #24: 발진기. 클랩 발진기. VFO 시작

분류:아날로그 회로
3GPP2

3GPP2(3rd Generation Partnership Project 2)는 ITU의 IMT-2000 프로젝트 범위 내에서 전 세계적으로 적용 가능한 3세대 이동 통신 (3G) 휴대폰 시스템 사양을 만들기 위한 통신 협회 간의 협력이었다. 실제로 3GPP2는 이전 IS-95 2세대 이동 통신 코드분할다중접속 기술을 기반으로 하는 3G 표준인 CDMA2000을 위한 표준화 그룹이었다.

참여 협회는 ARIB/TTC (일본), 중국 통신 표준 협회, 미국 전기통신공업회 (북미) 및 한국정보통신기술협회 (대한민국)였다.

이 협정은 1998년 12월에 체결되었다.

울트라 모바일 브로드밴드(Ultra Mobile Broadband, UMB)는 CDMA2000의 4세대 이동 통신 후속 기술을 개발하기 위한 3GPP2 프로젝트였다. 2008년 11월, UMB의 주요 후원자인 퀄컴은 LTE를 선호하여 기술 개발을 중단한다고 발표했다.

3GPP2는 3GPP와 혼동해서는 안 된다. 3GPP는 GSM 네트워크의 3G 업그레이드인 UMTS를 지원하는 표준화 기구인 반면, 3GPP2는 주로 미국 (그리고 어느 정도는 일본, 중국, 캐나다, 대한민국, 인도에서도)에서 사용되었던 IS-95 네트워크의 3G 업그레이드인 경쟁 3G 표준 CDMA2000을 지원하는 표준화 기구였다.

GSM/UMTS는 전 세계적으로 가장 널리 퍼진 2G/3G 무선 표준이었다. 대부분의 국가에서는 GSM 계열만 사용했다. 중국, 미국, 캐나다, 우크라이나, 트리니다드 토바고, 인도, 대한민국, 일본을 포함한 일부 국가에서는 두 표준을 모두 사용했다.

3GPP2는 2013년에 마지막 활동을 했으며 그 이후로 활동이 중단되었다. 3GPP2 웹사이트는 2023년에 오프라인 상태가 되었는데, 이는 주로 CDMA 사업자들이 10년 전에 UMB 대신 3GPP의 LTE를 배포하고 나중에 CDMA 네트워크를 폐쇄하여 3GPP2가 불필요하고 필요 없게 되었기 때문이다. 그러나 2024년 현재 3GPP2 웹사이트는 다시 온라인 상태가 되었다.

 각주 

 외부 링크 
 3GPP2 공식 웹사이트
 3GPP2 소개
 TIA – 미국 3GPP2 표준 개발자

분류:전기 통신 단체
분류:1998년 설립된 기업
텔레다인 르크로이

섬네일|르크로이 9304A 오실로스코프
섬네일|르크로이 웨이브젯 터치 354 오실로스코프
텔레다인 르크로이(Teledyne LeCroy)는 오실로스코프, 프로토콜 분석기 및 기타 테스트 장비를 제조하는 미국의 기업이다. 르크로이는 2012년 텔레다인 테크놀로지스의 자회사가 되었다.

 역사 
섬네일|이전 르크로이 코퍼레이션 로고
르크로이 코퍼레이션은 1964년 월터 르크로이가 (르크로이 리서치 시스템즈로) 설립했다.

이 회사는 1995년 기업공개 전까지 비상장 회사였다.

2004년 9월, 르크로이는 CATC(Computer Access Technology Corporation)를 인수했다.

2012년 5월 29일, 텔레다인 테크놀로지스 인코퍼레이티드와 르크로이 코퍼레이션은 텔레다인에 의한 르크로이 코퍼레이션 인수 및 텔레다인 르크로이의 완전 소유 자회사 설립에 대한 최종 계약을 체결을 공동으로 발표했다.

2016년 4월 7일, 텔레다인 르크로이는 무선 프로토콜 분석 테스트 도구 제공업체인 프런트라인 테스트 장비를 인수했다고 발표했다.

2016년 4월 13일, 텔레다인 르크로이는 비디오 테스트 도구, 신호 발생기 및 프로토콜 분석기 제조업체인 퀀텀 데이터(Quantum Data, Inc.)를 인수하기 위한 계약을 체결했다고 발표했다.

 각주 

 외부 링크 
 

분류:미국의 전자 기업
분류:1964년 설립된 기술 기업
분류:1995년 상장된 기업
공통 소스

frame|그림 1: 기본 N채널 JFET 공통 소스 회로 (바이어스 세부 사항 제외).
frame|그림 2: 퇴화가 있는 기본 N채널 JFET 공통 소스 회로.
일렉트로닉스에서 공통 소스(common source) 증폭기는 세 가지 기본적인 단일 스테이지 장효과 트랜지스터 (FET) 증폭기 토폴로지 중 하나이며, 일반적으로 전압 또는 전달 컨덕턴스 앰프로 사용된다. FET가 공통 소스, 공통 드레인 또는 공통 게이트인지 가장 쉽게 알 수 있는 방법은 신호가 들어오고 나가는 곳을 확인하는 것이다. 나머지 단자는 "공통"으로 알려져 있다. 이 예에서는 신호가 게이트로 들어오고 드레인으로 나간다. 남은 유일한 단자는 소스이다. 이것은 공통 소스 FET 회로이다. 유사한 접합형 트랜지스터 회로는 전달 컨덕턴스 증폭기 또는 전압 증폭기로 볼 수 있다. (증폭기 분류 참조). 전달 컨덕턴스 증폭기로서 입력 전압은 부하로 가는 전류를 변조하는 것으로 보인다. 전압 증폭기로서 입력 전압은 FET를 통해 흐르는 전류를 변조하여 옴의 법칙에 따라 출력 저항 전체의 전압을 변경한다. 그러나 FET 소자의 출력 저항은 합리적인 전달 컨덕턴스 증폭기(이상적으로 무한대)에 비해 충분히 높지 않으며, 괜찮은 전압 증폭기(이상적으로 0)에 비해 충분히 낮지 않다. 아래 공식에서 볼 수 있듯이 전압 이득은 부하 저항에 따라 달라지므로 스피커(저항 8옴)와 같은 저저항 장치를 구동하는 데 적용할 수 없다. 또 다른 주요 단점은 증폭기의 제한된 고주파 응답이다. 따라서 실제로는 더 유리한 출력 및 주파수 특성을 얻기 위해 출력이 종종 전압 팔로워(공통 드레인 또는 CD 스테이지) 또는 전류 팔로워(공통 게이트 또는 CG 스테이지)를 통해 라우팅된다. CS-CG 조합을 캐스코드 증폭기라고 한다.

 특성 

낮은 주파수에서 단순화된 하이브리드-파이 모델 (채널 길이 변조로 인한 출력 저항은 고려하지 않음)을 사용하면 다음 폐루프 소신호 특성을 유도할 수 있다.

대역폭

thumbnail|200px|그림 3: 활성 부하 ID가 있는 기본 N채널 MOSFET 공통 소스 증폭기.
thumbnail|250px|그림 4: N채널 MOSFET 공통 소스 증폭기를 위한 소신호 회로.
thumbnail|300px|그림 5: 밀러 효과를 사용하여 밀러 커패시턴스 CM을 도입한 N채널 MOSFET 공통 소스 증폭기를 위한 소신호 회로.
공통 소스 증폭기의 대역폭은 밀러 효과로 인한 높은 커패시턴스로 인해 낮은 경향이 있다. 게이트-드레인 커패시턴스는 효과적으로 배로 곱해져 전체 입력 커패시턴스를 증가시키고 전체 대역폭을 낮춘다.

그림 3은 활성 부하가 있는 MOSFET 공통 소스 증폭기를 보여준다. 그림 4는 출력 노드에 부하 저항 RL이 추가되고 입력 노드에 인가 전압 VA와 직렬 저항 RA의 테브난 구동기가 추가되었을 때의 해당 소신호 회로를 보여준다. 이 회로의 대역폭 제한은 게이트와 드레인 사이의 기생 트랜지스터 커패시턴스 Cgd와 소스 RA의 직렬 저항의 결합에서 비롯된다. (다른 기생 커패시턴스가 있지만 대역폭에 이차적인 영향만 미치므로 여기서는 무시한다.)

밀러 효과를 사용하면 그림 4의 회로가 그림 5의 회로로 변환되며, 이 그림은 회로 입력 측의 밀러 커패시턴스 CM을 보여준다. CM의 크기는 그림 5의 입력 회로에서 밀러 커패시턴스를 통해 흐르는 전류, 즉 iM을 다음과 같이 같게 하여 결정된다.

 ,

그림 4의 커패시터 Cgd에 의해 입력에서 끌어오는 전류, 즉 jωCgd vGD와 같게 한다. 이 두 전류는 같으며, 밀러 커패시턴스가 다음과 같이 주어지면 두 회로가 동일한 입력 동작을 갖는다.

 .

일반적으로 이득 vD / vG의 주파수 의존성은 증폭기의 코너 주파수보다 다소 높은 주파수에서도 중요하지 않으며, 이는 밀러 커패시턴스를 결정하는 데 저주파 하이브리드-파이 모델이 정확하다는 것을 의미한다. 이 평가는 밀러 근사치이며 다음과 같은 추정치를 제공한다(그림 5에서 커패시턴스를 0으로 설정하기만 하면 된다).

 ,

따라서 밀러 커패시턴스는 다음과 같다.

 .

이득 gm (rO || RL)은 RL이 크면 크므로, 작은 기생 커패시턴스 Cgd도 증폭기의 주파수 응답에 큰 영향을 미칠 수 있으며, 이 효과를 상쇄하기 위해 많은 회로 트릭이 사용된다. 한 가지 트릭은 캐스코드 회로를 만들기 위해 공통 게이트 (전류 팔로워) 스테이지를 추가하는 것이다. 전류 팔로워 스테이지는 공통 소스 스테이지에 매우 작은 부하, 즉 전류 팔로워의 입력 저항(RL ≈ 1 / gm ≈ Vov / (2ID); 공통 게이트 참조)을 제공한다. 작은 RL은 CM을 감소시킨다. 공통 이미터 증폭기에 대한 문서에서는 이 문제에 대한 다른 해결책을 다룬다.

그림 5로 돌아가서, 게이트 전압은 전압 분배에 의해 입력 신호와 다음과 같이 관련된다.

 .

대역폭 (3 dB 주파수라고도 함)은 신호가 저주파 값의 1/ 로 떨어지는 주파수이다. (데시벨에서 dB() = 3.01 dB). 1/ 로 감소하는 것은 ωCM RA = 1일 때 발생하며, 이 ω 값 (이 값을 ω3 dB라고 하자)에서 입력 신호 vG = VA / (1+j)가 된다. (1+j)의 크기는 이다. 결과적으로 3 dB 주파수 f3 dB = ω3 dB / (2π)는 다음과 같다.

 .

기생 게이트-소스 커패시턴스 Cgs를 분석에 포함하면 단순히 CM과 병렬로 연결되므로
 .

소스 저항 RA가 작으면 f3 dB가 커지므로, 커패시턴스의 밀러 증폭은 작은 RA에 대해 대역폭에 거의 영향을 미치지 않는다는 점에 유의한다. 이 관찰은 대역폭을 늘리기 위한 또 다른 회로 트릭을 제안한다. 드라이버와 공통 소스 스테이지 사이에 공통 드레인 (전압 팔로워) 스테이지를 추가하여 결합된 드라이버와 전압 팔로워의 테브난 저항이 원래 드라이버의 RA보다 작게 만드는 것이다.

그림 2의 회로 출력 측을 조사하면 이득 vD / vG의 주파수 의존성을 찾을 수 있으며, 밀러 커패시턴스의 저주파 평가가 f3 dB보다 큰 주파수 f에도 적절한지 확인할 수 있다. (극점 분할에 대한 문서를 참조하여 회로의 출력 측이 어떻게 처리되는지 확인한다.)

 같이 보기 

 밀러 효과
 극점 분할
 공통 게이트
 공통 드레인
 공통 베이스
 공통 이미터
 공통 컬렉터

 각주 

 외부 링크 
 공통 소스 증폭기 스테이지

분류:증폭 회로
영양재개증후군

영양재개증후군(Refeeding syndrome, RFS)은 장기간의 기아 상태 이후 영양 공급을 재개하면서 발생할 수 있는 상태이다. 또한 완전비경구영양법의 요법으로 영양을 공급하며 발생할 수 있다. 이는 인산염, 마그네슘, 칼륨, 티아민의 부족으로 이어질 수 있다. 이에 따라 쇠약, 호흡 저하, 부조화, 혼란, 발작 및 심장 부정맥이 발생할 수 있다.

위험 요인은 섭식 장애, 알코올 중독, 수술 후, 만성 영양실조, 비만 수술, 염증성 장 질환이 있다. 혈당 상승에 의한 인슐린 수치의 증가로 인해 세포가 칼륨과 인산염을 흡수하게 되는 과정이 기본 메커니즘에 나타난다. 인산염, 칼륨, 마그네슘의 혈중 수치 감소 정도를 기반으로 진단한다. 경증 질환은 10~20% 감소, 중등도 질환은 20~30% 감소, 중증 질환은 30% 이상 감소한다.

치료는 칼로리를 점진적으로 공급 재개하여 이루어진다. 첫 24시간 동안은 10~20kcal/kg 또는 개인의 에너지 필요량 절반 이하가 권장된다. 티아민 보충제는 조기 투여해야 한다. 칼륨, 인산염, 칼슘, 마그네슘 보충제도 종종 권장된다. 처음 12시간마다 전해질 측정이 필요하다.

영양재개증후군의 발생 빈도는 불분명하다. 한 연구에서는 입원한 사람들 중 0.5%~18%의 비율을 확인했다. 이 상태에 대한 현대적 설명은 2차 세계 대전에서 시작되었다. 그럼에도 그 이전인 기근 이후 음식 섭취 후 사망한 사람들에 대한 다수의 설명이 역사 전반에 걸쳐 나타난다.

 참고문헌 

분류:대사 장애
분류:영양
분류:증후군
공통 게이트

thumbnail|200px|그림 1: 기본 N-채널 공통 게이트 회로 (바이어스 상세 내용은 생략); 전류원 ID는 액티브 부하를 나타냄; 신호는 노드 Vin에 인가되고 출력은 노드 Vout에서 취함; 출력은 전류 또는 전압일 수 있음

일렉트로닉스에서 공통 게이트(common gate) 증폭기는 세 가지 기본 단일 스테이지 장효과 트랜지스터(FET) 증폭기 토폴로지 중 하나로, 일반적으로 전류 버퍼 또는 전압 증폭기로 사용된다. 이 회로에서 트랜지스터의 소스 단자는 입력 역할을 하고, 드레인은 출력이며, 게이트는 일부 DC 바이어스 전압(즉, AC 접지) 또는 "공통"에 연결된다.

유사한 접합형 트랜지스터 회로는 공통 베이스 증폭기이다.

응용

이 구성은 공통 소스 또는 소스 팔로워보다 덜 자주 사용된다. 그러나 공통 소스 증폭기와 결합하여 캐스코드 구성을 만들 수 있다. 예를 들어 CMOS RF 수신기에서 특히 FET의 주파수 한계 근처에서 작동할 때 유용하다. 임피던스 매칭의 용이성과 잠재적으로 더 낮은 노이즈 때문에 바람직하다. 그레이와 마이어는 이 회로에 대한 일반적인 참고 자료를 제공한다.

저주파 특성

thumbnail|200px|그림 2: 노턴 신호원에 의해 구동되는 증폭기의 소신호 저주파 하이브리드-파이 모델

저주파 및 소신호 조건에서 그림 1의 회로는 그림 2의 회로로 나타낼 수 있으며, 여기서 MOSFET에 대한 하이브리드-파이 모델이 사용되었다.

thumbnail|200px|그림 3: 출력 저항을 찾기 위해 출력에 테스트 소스 ix가 있는 하이브리드 파이 모델
증폭기 특성은 아래 표 1에 요약되어 있다. 근사식은 (일반적으로 정확한) rO >> RL 및 gmrO >> 1의 가정을 사용한다.

일반적으로, 전체 전압/전류 이득은 부하 효과로 인해 위에 나열된 개방/단락 회로 이득보다 실질적으로 작을 수 있다(소스 및 부하 저항에 따라 다름).

폐쇄 회로 전압 이득

입력 및 출력 부하를 고려하면, 공통 게이트의 폐쇄 회로 전압 이득(즉, 부하 RL과 저항 RS를 가진 소스가 모두 연결된 이득)은 다음과 같이 쓸 수 있다.
 ,
이는 다음과 같은 간단한 제한 형태를 가진다.
 ,
gmRS가 1보다 훨씬 크거나 훨씬 작은지에 따라 달라진다.

첫 번째 경우 회로는 전류 팔로워 역할을 하는데, 이는 다음과 같이 이해할 수 있다. RS >> 1/gm일 때 전압원은 노턴 전류 vThév / RS와 병렬 노턴 저항 RS를 가진 노턴 등가로 대체될 수 있다. 증폭기 입력 저항이 작기 때문에 드라이버는 전류 분배에 의해 vThév / RS 전류를 증폭기에 공급한다. 전류 이득은 1이므로 동일한 전류가 출력 부하 RL에 전달되고, 옴의 법칙에 따라 vout = vThévRL / RS의 출력 전압이 생성되며, 이는 위 전압 이득의 첫 번째 형태이다.

두 번째 경우 RS << 1/gm이며 소스의 테브난 표현이 유용하며, 전압 증폭기의 전형적인 이득의 두 번째 형태를 생성한다.

공통 게이트 증폭기의 입력 임피던스가 매우 낮기 때문에 종종 캐스코드 증폭기가 대신 사용된다. 캐스코드는 전압 드라이버와 공통 게이트 회로 사이에 공통 소스 증폭기를 배치하여 RS >> 1/gm인 드라이버를 사용하여 전압 증폭을 가능하게 한다.

 같이 보기 
 전자 증폭기 변수
 사단자 회로망
 공통 드레인
 공통 소스
 공통 베이스
 공통 이미터
 공통 컬렉터

 각주 

 외부 링크 
 24GHz CMOS 프론트엔드

분류:증폭 회로
외교 전문

섬네일|1917년 1월 16일 독일 제국 외무장관 아르투어 치머만이 멕시코 주재 독일 대사 하인리히 폰 에카르트에게 보낸 암호화된 외교 전문인 치머만 전보

외교 전문(diplomatic cable) 또는 외교 전보, 딥텔(DipTel) 또는 대사관 전문은 대사관이나 영사관과 같은 외교 공관과 본국의 외무장관 사이에 교환되는 기밀 텍스트 기반 메시지이다. 외교 전문은 전문의 일종이다. 다른 전문은 외교행랑을 통해 실제 문서로 발송될 수 있다.

영단어 '케이블'이라는 용어는 이러한 통신 매체가 국제 해저 통신 케이블을 따라 전송되는 전신이었던 시기에서 유래했지만, 시간이 지남에 따라 다른 형식과 경로로 발전했다. 케이블그램이라는 용어도 때때로 사용된다. 외교 전문의 중요하고 민감한 특성 때문에, 외교 전문은 대중의 무제한적인 접근이나 외국 정부에 의한 무단 가로채기를 방지하기 위해 가장 정교한 보안 예방 조치로 보호된다. 일반적으로 디지털 형식이며, 항상 암호화되어 있으며, 외교행랑을 통해 배포된 키 자료를 사용하여 해독 불가능한 일회용 패드 암호로 암호화되는 경우가 많다.

 같이 보기 
 전보
 케이블게이트 – 위키리크스의 케이블게이트

 각주 

분류:전보
분류:외교 공관
분류:외교 문서
외교 문서 운반자

섬네일|외교행랑의 하역을 검사하는 외교 문서 운반자
외교 문서 운반자 또는 외교 문서 전령(diplomatic courier)은 외교행랑을 확보하고 운송하는 공식 관리이다. 국가들은 12세기부터 여러 국가 간에 중요한 문서, 유물 및 보급품을 처리하기 위해 외교 문서 운반자를 활용해 왔다. 1961년 외교 관계에 관한 빈 협약에 따라, 운반자는 업무 수행 중 외교특권을 부여받는다. 운반자는 일반적으로 특정 국가에 고용되며, 행랑이 개봉되지 않도록 보호하고 관리하는 임무를 맡는다. 일부 운반자는 특별한 목적을 위해 배정되지만, 이 경우 행랑이 전달되면 면책 특권이 해제된다. 외교 문서 운반자의 원래 정의는 행랑 처리에 중점을 두지만, 오늘날 운반자들은 물류 업무와 디지털 통신도 다룬다.

 역사 
외교 문서 운반자가 처음 등장한 것은 12세기로, 영국 왕들이 비밀 정보나 배달을 전달하기 위해 왕의 사자를 만들었을 때이다. 왕의 사자는 리처드 3세 재위 기간에도 사용되었는데, 그는 1485년에 개인 문서를 전달하기 위해 왕의 사자 네 명을 이용했다. 1500년대에 우편 시스템에 대한 지속적인 불만 이후, 일부 이탈리아 국가들은 국가 간 문서를 전달하기 위해 독립적인 프리랜서 전달자를 고용하고, 이들을 정규직 운반자로 고용했다. 스페인과 프랑스 같은 국가들은 곧 이 관행을 채택했다. 1500년대의 운반자들은 일반적으로 특정 경로에 배정되었는데, 예를 들어 영국 해협을 가로질러 통신하기 위해 파리에서 런던으로 메시지를 전달하는 식이었다.

외교 관계에 관한 빈 협약 제27조는 외교 문서 운반자를 공식화하며 "외교행랑은 남용이 의심되더라도 결코 개봉되어서는 안 되며, 외교 문서 운반자는 결코 체포되거나 구금되어서는 안 된다"고 선언했다. 외교특권에도 불구하고, 이 직위는 남용되었으며 운반자들은 행랑 관련 문제로 종종 제지당했다. 1981년 중국에서는 네덜란드, 스위스, 미국 운반자들이 해당 행랑을 둘러싼 분쟁으로 구금되었다. 다른 국가들은 비외교적인 이유로 운반자들의 법적 지위를 남용하기도 했는데, 예를 들어 러시아에서는 망명한 관리의 아내를 체포하는 데 사용되었다.

 영국 

19세기 전환기에 왕의 사자들은 외무부 아래로 편입되어, 현대적인 역할인 소포 동반 및 외부 간섭 방지 임무를 맡게 되었다. 오늘날에도 왕의 사자들이 여전히 존재하지만, 대부분의 소포는 현재 외무영연방부 소속으로, FCDOS 보안 물류 서비스를 통해 동반 없이 운송된다.

미국
1916년, 미국은 왕실 특사에게서 영감을 받아 외교 보안국을 설립했다. 윌슨 대통령은 제1차 세계 대전 중 외교 문서를 전달하고 보안을 담당하는 이 조직을 만들었다. 첫 번째 운반자는 아모스 J. 피슬리로, 파리에서 워싱턴 D.C.로 기밀 문서를 보내는 임무를 맡았다. 전쟁 후, 운반 업무는 국무부로 이관되어 외교문서 운반자를 창설했고, 이는 제2차 세계 대전까지 중요한 문서와 자료를 계속 전달했다.

1950년대에 이르러, 냉전 동안 철의 장막 너머로 정보를 전달하는 외교 특사가 흔해졌다. 연합국들은 때때로 같은 목적지로 가는 다른 연합국 특사들과 여행을 조율하기도 했는데, 예를 들어 오리엔트 급행에서 일부는 여행 시간을 절약하고 화물을 온전하게 유지하기 위한 보안상의 이유로 같은 침대칸을 사용하기도 했다.

2022년 기준, 미국 외교 특사들은 항공 계획부터 자원 관리에 이르기까지 물류 업무에도 관여하고 있다. 특사들은 전 세계에 주둔하며 다양한 작전을 위한 외교 연락관 및 보안 요원 역할을 수행하며, 예를 들어 아프가니스탄에서 미군 철수 중 물자 이동을 돕기도 했다. 외교 문서 운반 서비스는 2017년에 약 5,353,000파운드에 달하는 116,351개의 품목을 운송했다. 이 서비스가 목적지에 도달하지 못한 품목과 관련된 유일한 사건은 1919년 오리엔트 급행으로 운송 중 작은 그랜드 피아노가 분실되었을 때 발생했다. 특사들은 워싱턴 D.C.에서 약 12주에서 14주 동안 훈련을 받으며, 경력 동안 전 세계 여러 사무실 중 한 곳에 배정될 수 있다.

 각주 

분류:미국 국무부
안보학

섬네일|250px| 노르웨이 룸으로도 알려진 뉴욕의 유엔 안전 보장 이사회 회의장
안보학(security studies) 또는 국제 안보학(international security studies)은 광범위한 국제 관계 학문 내에서 조직된 폭력, 군사 분쟁, 국가안전보장, 국제안보를 연구하는 학문적 세부 분야이다.

이 분야는 (모분야인 국제 관계와 마찬가지로) 종종 싱크탱크, 컨설팅, 방위 산업체, 인권 비정부 기구 또는 외교, 외교 정책, 갈등 해결 및 예방, 비상 및 재난 관리, 정보, 그리고 국방에 중점을 둔 정부 서비스 직책에서 전문적인 경력을 쌓고자 하는 학생들을 교육하기 위한 것이지만, 학계 내에서 전문적으로 학술 연구를 수행하거나 공공 지식인, 전문가 또는 보안 정책에 대해 글을 쓰는 언론인으로 활동하고자 하는 학생들에게 맞춤형으로 제공될 수도 있다.

 역사 
현대 안보학 분야의 기원은 제1차 세계 대전과 제2차 세계 대전 사이의 기간으로 거슬러 올라간다. 퀸시 라이트의 1942년 저서 『전쟁 연구』는 1926년으로 거슬러 올라가는 주요 공동 연구 프로젝트의 정점이었다. 윌리엄 T. R. 폭스, 버나드 브로디, 해럴드 래스웰, 유진 스텔리, 제이콥 바이너, 버논 반 다이크와 같은 학자들이 이 프로젝트에 참여했다. 1940년대에 컬럼비아 대학교, 프린스턴, 노스캐롤라이나 대학교, 노스웨스턴, 예일, 펜실베이니아 대학교에 안보학 과정이 개설되었다. 랜드 연구소와 같은 싱크탱크는 제2차 세계 대전 이후 미국의 안보학 연구에 영향력 있는 역할을 했다. 이 분야는 냉전 기간 동안 국제 관계 내에서 급속히 발전했으며, 이 시기의 예로는 핵 억지력에 주로 초점을 맞춘 20세기 중반 현실주의 정치 과학자들인 토머스 셸링과 헨리 키신저의 학술 저작들이 있다.

일부 학자들은 안보학을 경제 안보, 환경 안보, 공중 보건과 같은 주제를 포함하도록 확장할 것을 요구했다. 스티븐 월트는 이러한 확장이 분야의 지적 일관성을 훼손할 것이라고 주장하며 반대했다. 이 분야는 주로 정치학 및 공공 정책 프로그램에 포함되어 있지만, 역사, 지리학 (고전 지정학 강조), 군사학 및 범죄학 분야의 지식을 통합하는 학제 간 접근 방식이 점점 더 보편화되고 있다.

안보학 분야는 전략 연구 및 군사학과 관련이 있으며, 이 두 분야는 안보학 저널에 자주 게재된다.

 서적 시리즈 
코넬 안보 연구 시리즈는 안보학 문제에 중점을 둔 최고의 서적 시리즈로 손꼽힌다. 스탠퍼드 대학교 출판부의 '아시아 안보 연구'는 아시아 안보 연구에 관한 가장 저명한 서적 시리즈 중 하나이다.

 저널 
인터내셔널 시큐리티와 시큐리티 스터디즈는 안보학에 특별히 헌정된 가장 저명한 저널이다. 다른 안보학 저널은 다음과 같다.
 아프리칸 시큐리티
 아미드 포시스 앤 소사이어티
 아시안 시큐리티
 시빌 워즈
 컴패러티브 스트래터지
 컨플릭트 매니지먼트 앤 피스 사이언스
 컨템포러리 시큐리티 폴리시
 디펜스 앤 피스 이코노믹스
 디펜스 스터디즈
 유러피안 시큐리티
 유러피안 저널 오브 인터내셔널 시큐리티
 인텔리전스 앤 내셔널 시큐리티
 인터내셔널 피스키핑
 저널 오브 컨플릭트 레졸루션
 저널 오브 글로벌 시큐리티 스터디즈
 저널 오브 피스 리서치
 저널 오브 스트래터직 스터디즈
 네이벌 워 칼리지 리뷰
 파라미터즈
 퍼스펙티브스 온 테러리즘
 시큐리티 다이얼로그
 스몰 워즈 & 인서전시즈
 스트래터직 스터디즈 쿼털리 (2022년부터 "애서: 전략 항공력 및 우주력 저널"로 이름 변경)
 스터디즈 인 컨플릭트 앤 테러리즘
 서바이벌
 테러리즘 앤 폴리티컬 바이올런스
 텍사스 내셔널 시큐리티 리뷰
 더 루시 저널
 더 워싱턴 쿼털리

 같이 보기 

 인간 안전
 국제관계론
 국제안보
 평화 및 분쟁 연구
 비판적 안보 연구
 페미니스트 안보 연구
 전략 연구
 군사학

 각주 

 출처 
 Williams, Paul (2008). Security Studies: An Introduction. Abingdon: Routledge. .
 Rossi, Norma; Riemann, Malte, eds. (2024). Security Studies: An Applied Introduction. London: SAGE. .

분류:국제 관계
분류:국제안보