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미란다의 과거 지질 활동은 움브리엘과의 궤도 공명으로 생겨난 조석 가열로 인하여 일어났다고 여겨지고 있다. 이 궤도 공명은 궤도 이심률을 증가시켰을 것으로, 천왕성으로부터의 기조력이 시간에 따라 달라지며 미란다 내부를 덥혔을 것이다.
관측 및 탐사.
미란다의 겉보기 등급은 +16.6으로, 대부분의 아마추어 천문학자들은 관측하기 힘들다. 사실상 미란다의 지질에 대해 아는 것은 전부 1986년 보이저 2호의 천왕성 근접 통과 때 얻어진 것이다.
《Serious Day》는 대한민국의 싱어송라이터 이승환이 발매한 편집 앨범이다. 전작 Egg의 Over Easy에 이어서 완전한 록 앨범을 내겠다며 발매했으나 여전히 이승환의 발라드를 선호하는 대중들에게서는 뜨거운 반응을 얻지는 못했다. 신곡도 4곡으로 적은 편이었고 기존에 발표했던 곡들도 원곡과 거의 차이가 없어 아쉬움을 주었다.
이승환의 정규 앨범에서 볼 수 없었던 '어둠 그 별빛'은 김현식 헌정 앨범, '사랑일 뿐이야'는 들국화 헌정 앨범에 수록되었던 곡이다. 또한 《The War in Life》의 히든트랙이었던 ‘새대가리’가 정식으로 수록되었다.
앨범 발매 직후 Play 전국 순회 콘서트를 열었다. 앨범 판매량은 65,724장이다.
상변화 메모리(Phase-change memory, PCM, PCME, PRAM, PCRAM, OUM, ovonic unified memory, C-RAM 또는 CRAM, chalcogenide RAM, 피램)는 비휘발성 랜덤 액세스 메모리의 일종이다. PRAM은 칼코제나이드 유리의 독특한 동작을 이용한다. PCM에서, 일반적으로 질화 타이타늄으로 만들어진 발열체를 통과하는 전류에 의해 생성된 열은 유리를 빠르게 가열하고 담금질하여 비정질로 만들거나, 또는 특정 시간 동안 결정화 온도 범위 내로 유지하여 결정 상태로 전환하는 데 사용된다. PCM은 또한 여러 개의 고유한 중간 상태를 달성할 수 있어, 단일 셀에 여러 비트를 저장할 수 있는 능력을 가지고 있다. 그러나 이러한 방식으로 셀을 프로그래밍하는 데 어려움이 있어 이러한 기능이 다른 기술(특히 플래시 메모리)에서 동일한 역량으로 구현되는 것을 방해했다.
PCM에 대한 최근 연구는 상변화 물질인 Ge2Sb2Te5 (GST)의 실현 가능한 대체 물질을 찾는 데 중점을 두었으며, 부분적인 성공을 거두었다. 다른 연구는 레이저 펄스로 저마늄 원자의 배위 상태를 변경하여 비열적인 상변화를 달성하기 위해 GeTe–Sb2Te3 초격자의 개발에 초점을 맞췄다. 이 새로운 계면 상변화 메모리(IPCM)는 많은 성공을 거두었으며 활발한 연구의 현장으로 남아 있다.
레온 추아는 PCM을 포함한 모든 2단자 비휘발성 메모리 장치를 멤리스터로 간주해야 한다고 주장했다. HP 랩스의 스탠 윌리엄스 또한 PCM을 멤리스터로 간주해야 한다고 주장했다. 그러나 이러한 용어는 논란이 되어 왔으며, 멤리스터 이론이 물리적으로 구현 가능한 어떤 장치에 적용될 수 있는지에 대한 잠재력은 의문시되고 있다.
1960년대, 에너지 변환 장치의 스탠퍼드 R. 오빈스키는 칼코제나이드 유리의 특성을 잠재적인 메모리 기술로 처음 탐구했다. 1969년, 찰스 시는 아이오와 주립 대학교에서 칼코제나이드 필름을 다이오드 어레이와 통합하여 상변화 메모리 장치의 가능성을 설명하고 시연한 논문을 발표했다. 1970년의 영화 촬영 연구는 칼코제나이드 유리에서 상변화 메모리 메커니즘이 전기장 유도 결정 필라멘트 성장을 포함한다는 것을 입증했다. 1970년 9월호 《일렉트로닉스 (잡지)》에서 인텔의 공동 창업자인 고든 무어는 이 기술에 대한 기사를 발표했다. 그러나 재료 품질 및 전력 소비 문제로 인해 이 기술의 상업화가 지연되었다. 최근에는 칩 리소그래피가 축소됨에 따라 플래시 메모리 및 DRAM 메모리 기술이 스케일링 어려움을 겪을 것으로 예상되면서 관심과 연구가 다시 시작되었다.
칼코제나이드 유리의 결정 상태와 비정질 상태는 전기 저항 값이 극적으로 다르다. 비정질의 고저항 상태는 이진 0을 나타내고, 결정의 저저항 상태는 1을 나타낸다. 칼코제나이드는 재기록 가능한 광학 미디어(예: CD-RW 및 DVD-RW)에 사용되는 동일한 재료이다. 이러한 경우, 칼코제나이드의 굴절률 또한 재료의 상태에 따라 변하기 때문에 전기 저항보다는 재료의 광학적 특성이 조작된다.
PRAM은 아직 소비자 전자 기기용으로 상업화 단계에 도달하지 못했지만, 거의 모든 프로토타입 장치는 저마늄(Ge), 안티모니(Sb), 텔루륨(Te)의 칼코제나이드 합금인 GST를 사용한다. GST에서 화학량론, 즉 Ge:Sb:Te 원소 비율은 2:2:5이다. GST를 고온(600°C 이상)으로 가열하면 칼코제나이드 결정성이 손실된다. 냉각되면 비정질 유리와 같은 상태로 굳어지고 전기저항이 높아진다. 칼코제나이드를 결정화 지점 이상이지만 녹는점 이하의 온도로 가열하면 훨씬 낮은 저항을 가진 결정 상태로 변환된다. 이 상전이를 완료하는 데 걸리는 시간은 온도에 따라 달라진다. 칼코제나이드의 차가운 부분은 결정화하는 데 더 오랜 시간이 걸리고, 과열된 부분은 다시 녹을 수 있다. 일반적으로 100 ns 정도의 결정화 시간 척도가 사용된다. 이는 스위칭 시간이 약 2나노초인 최신 DRAM과 같은 기존 휘발성 메모리 장치보다 길다. 그러나 2006년 1월 삼성전자 특허 출원은 PRAM이 5나노초만큼 빠른 스위칭 시간을 달성할 수 있음을 나타낸다.
2008년 인텔과 ST마이크로일렉트로닉스가 개척한 기술 발전으로 재료 상태를 더욱 정밀하게 제어할 수 있게 되었고, 이전의 비정질 또는 결정 상태와 함께 두 가지 새로운 부분적으로 결정화된 중간 상태를 포함하여 네 가지 고유한 상태로 변환할 수 있게 되었다. 이들 각 상태는 판독 시 측정할 수 있는 다른 전기적 특성을 가지므로 단일 셀이 두 비트를 나타내어 메모리 밀도를 두 배로 늘릴 수 있다.
알루미늄/안티모니.
저마늄, 안티모니, 텔루륨을 기반으로 하는 상변화 메모리 장치는 재료에 칼코겐을 에칭하고 연마하는 과정에서 재료의 조성이 변할 수 있기 때문에 제조상 어려움을 겪는다. 알루미늄과 안티모니를 기반으로 하는 재료는 GST보다 열적으로 안정적이다. Al50Sb50는 세 가지 고유한 저항 수준을 가지므로 두 셀에 세 비트의 데이터를 저장할 잠재력을 제공한다(두 셀 쌍에 대해 9가지 상태가 가능하며, 이 중 8가지 상태를 사용하면 log2 8 = 3 비트가 산출됨).
PRAM 대 플래시.
PRAM의 스위칭 시간과 본질적인 확장성은 플래시 메모리보다 더 매력적이다. PRAM의 온도 감도는 아마도 가장 큰 단점일 것이며, 이 기술을 통합하는 제조업체의 생산 과정에 변화를 요구할 수 있다.
플래시 메모리는 MOS 트랜지스터 게이트 내에 저장된 전하(전자)를 변조하여 작동한다. 게이트는 전하(부동 게이트 또는 절연체 "트랩"에)를 가두도록 설계된 특수 "스택"으로 구성된다. 게이트 내의 전하 존재는 트랜지스터의 문턱 전압 formula_1을 높이거나 낮추어 셀의 비트 상태가 1에서 0 또는 0에서 1로 변하는 것에 해당한다. 비트 상태를 변경하려면 축적된 전하를 제거해야 하는데, 이는 부동 게이트에서 전자를 "빨아내기" 위해 비교적 큰 전압을 필요로 한다. 이 전압의 급증은 차지 펌프에 의해 제공되며, 이는 전력을 축적하는 데 시간이 걸린다. 일반적인 플래시 장치의 쓰기 시간은 (데이터 블록의 경우) 약 100마이크로초 정도이며, 예를 들어 SRAM의 일반적인 10나노초 판독 시간(바이트의 경우)보다 약 10,000배 느리다.
PRAM은 쓰기 속도가 중요한 애플리케이션에서 훨씬 더 높은 성능을 제공할 수 있다. 이는 메모리 소자를 더 빠르게 스위칭할 수 있고, 전체 셀 블록을 먼저 지울 필요 없이 단일 비트를 1 또는 0으로 변경할 수 있기 때문이다. PRAM의 고성능은 기존 하드 디스크 드라이브보다 수천 배 빨라서 현재 메모리 액세스 타이밍에 의해 성능이 제한되는 비휘발성 메모리 역할에서 특히 흥미롭다.
또한 플래시의 경우, 셀을 가로지르는 각 전압 급증은 성능 저하를 유발한다. 셀 크기가 감소할수록 프로그래밍으로 인한 손상은 악화되는데, 장치를 프로그래밍하는 데 필요한 전압이 리소그래피에 따라 스케일링되지 않기 때문이다. 대부분의 플래시 장치는 현재 섹터당 5,000회 쓰기만 허용되며, 많은 플래시 컨트롤러는 많은 물리적 섹터에 쓰기를 분산시키기 위해 웨어 레벨링을 수행한다.
PRAM 장치 또한 플래시와는 다른 이유로 사용에 따라 성능이 저하되지만, 훨씬 더 느리게 저하된다. PRAM 장치는 약 1억 번의 쓰기 주기를 견딜 수 있다. PRAM 수명은 프로그래밍 중 GST의 열팽창으로 인한 성능 저하, 금속(및 기타 재료) 이동, 그리고 아직 알려지지 않은 다른 메커니즘과 같은 요인에 의해 제한된다.
플래시 부품은 보드에 납땜하기 전에 프로그래밍하거나, 미리 프로그래밍된 상태로 구매할 수도 있다. 그러나 PRAM의 내용은 장치를 보드에 납땜하는 데 필요한 고온(참조: 리플로우 솔더링 또는 웨이브 솔더링) 때문에 손실된다. 이는 더 높은 납땜 온도를 요구하는 납 프리 제조 요구 사항으로 인해 더욱 악화되었다. PRAM 부품을 사용하는 제조업체는 장치를 납땜한 후 "인 시스템"으로 PRAM을 프로그래밍하는 메커니즘을 제공해야 한다.
플래시 메모리에 사용되는 특수 게이트는 시간이 지남에 따라 전하(전자)를 "누설"하여 데이터 손상 및 손실을 유발한다. PRAM 메모리 요소의 저항은 더 안정적이다. 정상 작동 온도 85°C에서 300년 동안 데이터를 유지할 것으로 예상된다.
게이트에 저장되는 전하량을 신중하게 조절함으로써 플래시 장치는 각 물리적 셀에 여러(일반적으로 두 개) 비트를 저장할 수 있다. 실제로 이는 메모리 밀도를 두 배로 늘려 비용을 절감한다. PRAM 장치는 원래 각 셀에 단일 비트만 저장했지만, 인텔의 최근 발전으로 이 문제는 해결되었다.
플래시 장치는 정보를 저장하기 위해 전자를 가두기 때문에 방사선으로 인한 데이터 손상에 취약하여 많은 우주 및 군사 응용 분야에는 부적합하다. PRAM은 방사선에 대한 저항력이 더 높다.
PRAM 셀 선택기는 다양한 장치를 사용할 수 있다: 다이오드, BJT 및 MOSFET. 다이오드 또는 BJT를 사용하면 주어진 셀 크기에 대해 가장 많은 전류를 제공한다. 그러나 다이오드를 사용하는 것에 대한 우려는 인접 셀로의 기생 전류뿐만 아니라 더 높은 전압 요구 사항으로 인해 더 높은 전력 소비를 초래한다는 점이다. 칼코제나이드 저항은 다이오드 저항보다 필연적으로 크므로, 다이오드에서 충분한 순방향 바이어스 전류를 보장하기 위해 작동 전압이 1V를 훨씬 초과해야 한다. 특히 대규모 어레이의 경우 다이오드 선택 어레이를 사용하는 가장 심각한 결과는 선택되지 않은 비트 라인에서 발생하는 전체 역방향 바이어스 누설 전류이다. 트랜지스터 선택 어레이에서는 선택된 비트 라인만 역방향 바이어스 누설 전류에 기여한다. 누설 전류의 차이는 여러 자릿수이다. 40nm 이하로 스케일링할 때의 또 다른 우려는 p-n 접합 폭이 축소됨에 따라 개별 도펀트의 효과이다. 박막 기반 선택기는 메모리 층을 수평 또는 수직으로 쌓아 4 F2 미만의 셀 면적을 사용하여 더 높은 밀도를 허용한다. 종종 선택기의 온/오프 비율이 충분하지 않으면 격리 기능이 트랜지스터 사용보다 열등하여 이 아키텍처에서 매우 큰 어레이를 작동할 수 있는 능력을 제한한다. 칼코제나이드 기반 임계 스위치는 고밀도 PCM 어레이를 위한 실현 가능한 선택기로 입증되었다.
2004년 8월, 나노칩(Nanochip)은 MEMS(미세전기기계시스템) 프로브 저장 장치에 사용하기 위해 PRAM 기술을 라이선스했다. 이 장치들은 솔리드 스테이트가 아니다. 대신, 칼코제나이드로 코팅된 매우 작은 플래터가 수천 또는 수백만 개의 전기 프로브 아래에서 끌려다니며 칼코제나이드를 읽고 쓸 수 있다. 휴렛 팩커드의 마이크로 무버 기술은 플래터를 3 nm로 정확하게 위치시킬 수 있으므로, 기술이 완성되면 제곱인치당 1 Tbit(125 GB) 이상의 밀도가 가능할 것이다. 기본적인 아이디어는 온칩에 필요한 배선량을 줄이는 것이다. 모든 셀을 배선하는 대신, 셀을 더 가깝게 배치하고 와이어처럼 작동하는 MEMS 프로브를 통해 전류를 통과시켜 읽는다. 이 접근 방식은 IBM의 밀리피드 기술과 유사하다.
삼성 46.7 nm 셀.
2006년 9월, 삼성은 다이오드 스위치를 사용하는 프로토타입 512 Mb(64 MB) 장치를 발표했다. 이 발표는 다소 놀라운 일이었고, 특히 상당히 높은 메모리 밀도로 주목할 만했다. 이 프로토타입은 당시 상용 플래시 메모리 장치보다 작은 46.7 nm에 불과한 셀 크기를 특징으로 했다. 더 높은 용량의 플래시 장치(64 Gb 또는 8 GB가 막 시장에 출시되고 있었음)를 사용할 수 있었지만, 플래시를 대체하기 위해 경쟁하는 다른 기술들은 일반적으로 더 낮은 밀도(더 큰 셀 크기)를 제공했다. 예를 들어, 유일한 생산 MRAM 및 FeRAM 장치는 4 Mb에 불과하다. 삼성의 프로토타입 PRAM 장치의 고밀도는 다른 장치들이 그랬던 것처럼 틈새 역할에만 국한되지 않고 유효한 플래시 경쟁자가 될 수 있음을 시사했다. PRAM은 일반적으로 NAND 플래시 장치보다 장치 용량이 뒤처지는 NOR 플래시의 잠재적 대체재로서 특히 매력적으로 보였다. NAND의 최신 용량은 이미 512 Mb를 한참 전에 넘어섰다. NOR 플래시는 삼성 PRAM 프로토타입과 유사한 밀도를 제공하며 이미 비트 주소 지정 가능성(많은 바이트의 뱅크 단위로 메모리에 액세스하는 NAND와는 달리)을 제공한다.
인텔의 PRAM 장치.
삼성의 발표에 이어 인텔과 ST마이크로일렉트로닉스는 10월 인텔 개발자 포럼에서 자체 PRAM 장치를 시연했다. 그들은 이탈리아 아그라테에 있는 ST마이크로일렉트로닉스의 연구소에서 제조를 시작한 128 Mb 부품을 선보였다. 인텔은 이 장치들이 엄격히 개념 증명용이라고 밝혔다.
BAE 장치.
PRAM은 또한 방사선 효과로 인해 플래시와 같은 표준 비휘발성 메모리의 사용이 비현실적인 군사 및 항공우주 산업에서 유망한 기술이다. PRAM 장치는 BAE 시스템스에 의해 C-RAM으로 소개되었으며, 우수한 방사선 내성(방사선 경화) 및 래치업 면역을 주장한다. 또한 BAE는 108의 쓰기 주기 내구성을 주장하며, 이는 우주 시스템에서 PROM 및 EEPROM을 대체할 경쟁자가 될 수 있음을 의미한다.
멀티레벨 셀.
2008년 2월, 인텔과 ST마이크로일렉트로닉스는 최초의 멀티레벨(MLC) PRAM 어레이 프로토타입을 공개했다. 이 프로토타입은 각 물리적 셀에 두 개의 논리적 비트를 저장하여, 실제로는 128 Mb 물리적 어레이에 256 Mb의 메모리가 저장되었다. 이는 일반적인 두 가지 상태—완전히 비정질 및 완전히 결정—대신, 추가적인 두 가지 고유한 중간 상태가 다른 정도의 부분 결정화를 나타내어 동일한 물리적 영역에 두 배의 비트를 저장할 수 있음을 의미한다. 2011년 6월, IBM은 고성능 및 안정성을 갖춘 안정적이고 신뢰할 수 있는 멀티비트 상변화 메모리를 개발했다고 발표했다. SK하이닉스는 멀티레벨 PRAM 기술 개발을 위해 IBM과 공동 개발 계약 및 기술 라이선스 계약을 체결했다.
인텔의 90 nm 장치.
또한 2008년 2월, 인텔과 ST마이크로일렉트로닉스는 첫 PRAM 제품의 프로토타입 샘플을 고객에게 출하했다. 90 nm, 128 Mb(16 MB) 제품은 알버스톤(Alverstone)이라고 불렸다.
2009년 6월, 삼성과 Numonyx B.V.는 PRAM 시장 맞춤형 하드웨어 제품 개발에 대한 공동 노력을 발표했다.
2010년 4월, 뉴모닉스는 128M비트 NOR 호환 상변화 메모리인 옴네오(Omneo) 라인을 발표했다. 삼성은 2010년 가을까지 모바일 핸드셋에 사용하기 위한 512M비트 PRAM(상변화 RAM)을 다중 칩 패키지(MCP)로 출하한다고 발표했다.
ST 28 nm, 16 MB 어레이.
2018년 12월, ST마이크로일렉트로닉스는 28 nm 완전 공핍 실리콘 온 인슐레이터 자동차 제어 장치를 위한 16 MB ePCM 어레이의 설계 및 성능 데이터를 발표했다.
인메모리 컴퓨팅.
최근에는 PCM의 인메모리 컴퓨팅 적용에 대한 관심이 커지고 있다. 핵심 아이디어는 PCM의 아날로그 저장 능력과 키르히호프의 전기회로 법칙을 활용하여 메모리 어레이 자체에서 행렬-벡터 곱셈 연산과 같은 계산 작업을 수행하는 것이다. PCM 기반 인메모리 컴퓨팅은 매우 높은 컴퓨팅 정밀도를 요구하지 않는 딥 러닝 추론과 같은 응용 분야에 흥미로울 수 있다. 2021년, IBM은 14 nm CMOS 기술 노드에 통합된 멀티레벨 PCM 기반의 완전한 인메모리 컴퓨팅 코어를 발표했다.
도전 과제.
상변화 메모리의 가장 큰 과제는 높은 프로그래밍 전류 밀도(&gt;107 A/cm2, 일반적인 트랜지스터 또는 다이오드의 경우 105~106 A/cm2)가 요구된다는 점이다.
고온 상변화 영역과 인접한 유전체 사이의 접촉 또한 근본적인 문제이다. 유전체는 고온에서 전류가 누설되기 시작하거나, 상변화 물질과 다른 속도로 팽창할 때 접착력을 잃을 수 있다.
상변화 메모리는 의도치 않은 상변화와 의도된 상변화 간의 근본적인 절충점에 취약하다. 이는 주로 상변화가 전자 과정이 아닌 열 구동 과정이라는 사실에서 비롯된다. 빠른 결정화를 허용하는 열 조건은 대기 조건, 즉 실온과 너무 유사해서는 안 되며, 그렇지 않으면 데이터 유지가 불가능하다. 적절한 활성화 에너지를 통해 프로그래밍 조건에서 빠른 결정화를 유지하면서도 정상 조건에서는 매우 느린 결정화를 가질 수 있다.
아마도 상변화 메모리의 가장 큰 과제는 장기적인 저항 및 문턱 전압 드리프트일 것이다. 비정질 상태의 저항은 멱함수(~t0.1)에 따라 천천히 증가한다. 이는 하위 중간 상태가 나중에 상위 중간 상태와 혼동될 수 있고, 문턱 전압이 설계 값을 초과하여 증가할 경우 표준 2상 작동도 위협할 수 있기 때문에 다중 레벨 작동 능력을 심각하게 제한한다.
2010년 4월, 뉴모닉스는 병렬 및 직렬 인터페이스 128 Mb NOR 플래시 교체 PRAM 칩인 옴네오(Omneo) 라인을 출시했다. 이들이 대체하려던 NOR 플래시 칩은 −40~85°C 범위에서 작동했지만, PRAM 칩은 0~70°C 범위에서 작동하여 NOR 플래시보다 작동 범위가 작다는 것을 나타냈다. 이는 프로그래밍에 필요한 높은 전류를 제공하기 위해 온도에 매우 민감한 p-n 접합을 사용하기 때문일 가능성이 크다.
저항 변환 램(Resistive random-access memory, ReRAM 또는 RRAM)은 유전체 고체 재료의 저항을 변경하여 작동하는 비휘발성 메모리 (NV) 랜덤 액세스 (RAM) 주기억장치의 한 종류이며, 흔히 멤리스터라고도 불린다. 다른 NVRAM 기술에 비해 ReRAM의 주요 장점 중 하나는 10nm 이하로 크기를 축소할 수 있다는 점이다.
ReRAM은 전도성 브릿지 램 (CBRAM) 및 PRAM과 유사한 점이 있는데, 이들 모두 유전체 재료의 특성을 변화시킨다는 점에서 그렇다. CBRAM은 전극 중 하나가 전해질 재료에 쉽게 용해되는 이온을 제공하는 반면, PCM은 비정질에서 결정질로 또는 결정질에서 비정질로의 상 변화를 유도하기 위해 충분한 줄 열을 생성하는 것을 포함한다. 이와 대조적으로 ReRAM은 얇은 산화물 층에 산소 공극(산소가 제거된 산화물 결합 위치)으로 알려진 결함을 생성하는 것을 포함하며, 이 결함은 이후에 전하를 띠고 전기장 하에서 이동할 수 있다. 산화물 내에서 산소 이온과 공극의 움직임은 반도체 내에서 전자와 정공의 움직임과 유사하다.
비록 ReRAM이 처음에는 플래시 메모리를 대체하는 기술로 간주되었지만, ReRAM의 비용 및 성능 이점은 기업들이 대체 작업을 진행하기에 충분하지 않았다. 분명히, ReRAM에는 광범위한 재료를 사용할 수 있다. 그러나 인기 있는 높은 유전율 게이트 유전체인 HfO2를 저전압 ReRAM으로 사용할 수 있다는 발견은 연구원들이 더 많은 가능성을 조사하도록 장려했다.
RRAM은 일본 전자 부품 제조업체인 샤프 (기업)의 일부 국가(유럽 연합 회원국 포함)에서 등록된 상표명이다.
NeuRRAM이라는 에너지 효율적인 칩은 오래된 설계 결함을 해결하여 더 작은 장치에서 대규모 AI 알고리즘을 실행할 수 있도록 하며, 적어도 수백만 비트의 신경 상태만 필요한 응용 프로그램의 경우 디지털 컴퓨터와 동일한 정확도를 달성한다. NeuRRAM은 아날로그 기술이므로 다른 아날로그 반도체를 괴롭히는 동일한 아날로그 노이즈 문제에 시달린다. 이는 단점이지만, 많은 신경 프로세서는 유용한 작업을 수행하기 위해 비트 완벽한 상태 저장이 필요하지는 않다.
2000년대 초반, ReRAM은 여러 회사에서 개발 중이었으며, 일부는 이 기술의 다양한 구현을 주장하는 특허를 출원했다. ReRAM은 초기에는 제한된 KB 용량으로 상용화되었다.
2012년 2월, 램버스 (기업)는 Unity Semiconductor라는 ReRAM 회사를 3천 5백만 달러에 인수했다. 파나소닉 홀딩스는 2012년 5월 탄탈룸 산화물 1T1R (1 트랜지스터 – 1 저항) 메모리 셀 아키텍처를 기반으로 하는 ReRAM 평가 키트를 출시했다.
2013년에 크로스바는 우표 크기의 칩으로 1TB의 데이터를 저장할 수 있는 ReRAM 프로토타입을 선보였다. 2013년 8월, 회사는 자사의 ReRAM 칩 대량 생산이 2015년으로 예정되어 있다고 주장했다. 메모리 구조(Ag/a-Si/Si)는 은 기반 CBRAM과 매우 유사하다.
또한 2013년 휴렛 팩커드(Hewlett-Packard)는 멤리스터 기반 ReRAM 웨이퍼를 시연했으며, 이 기술을 기반으로 한 100TB SSD가 2018년에 출시될 수 있고, 2020년에는 1.5PB 용량이 가능해 NAND 플래시 용량 증가 정체 시기에 맞춰질 것이라고 예측했다.
페로브스카이트, 전이 금속 산화물, 칼코제나이드에 이르는 다양한 유전체 재료를 기반으로 다양한 형태의 ReRAM이 공개되었다. 이산화 규소는 1966년 5월에 이미 저항 스위칭을 나타내는 것으로 밝혀졌으며, 최근에 다시 주목받고 있다.
1963년과 1964년에 네브래스카 대학교 링컨의 구성원들이 박막 저항 메모리 어레이를 처음 제안했다. 이 새로운 박막 저항 메모리에 대한 추가 연구는 J.G. 시먼스(Simmons)에 의해 1967년에 보고되었다. 1970년에는 원자력 연구기관과 리즈 대학교의 구성원들이 메커니즘을 이론적으로 설명하려고 시도했다. 1997년 5월, 플로리다 대학교와 허니웰의 연구팀은 전자 사이클로트론 공명 플라즈마 식각을 활용한 "자기 저항 랜덤 액세스 메모리" 제조 방법을 보고했다.
레온 추아는 ReRAM을 포함한 모든 2단자 비휘발성 메모리 장치를 멤리스터로 간주해야 한다고 주장했다. HP 연구소의 스탠 윌리엄스(Stan Williams)도 ReRAM이 멤리스터라고 주장했다. 그러나 다른 이들은 이러한 용어와 멤리스터 이론이 물리적으로 실현 가능한 장치에 적용될 수 있는지에 대해 의문을 제기했다. 산화환원 기반 저항 스위칭 소자(ReRAM)가 현재 멤리스터 이론에 포함되는지에 대해서는 논쟁의 여지가 있다.
산화 규소는 저항 스위칭의 흥미로운 사례를 보여준다. 두 가지 뚜렷한 내부 스위칭 모드가 보고되었다. 하나는 표면 기반 스위칭으로, 노출된 가장자리(내부 - 기공 내, 또는 외부 - 메사 구조 표면)에서 전도성 실리콘 필라멘트가 생성되는 것이고, 다른 하나는 부피 스위칭으로, 산화물 내부에서 산소 공극 필라멘트가 생성되는 것이다. 전자는 공기 중 필라멘트의 산화로 인해 스위칭을 가능하게 하려면 밀봉이 필요하다. 후자는 밀봉이 필요 없다. 2014년 라이스 대학교 연구원들은 외부 가장자리 구조가 없는 다공성 이산화 규소 유전체를 사용하는 실리콘 필라멘트 기반 장치를 발표했는데, 오히려 필라멘트가 기공 내의 내부 가장자리에서 형성되었다. 이 장치는 상온에서 제조할 수 있으며, 2V 미만의 형성 전압, 높은 온/오프 비율, 낮은 전력 소비, 셀당 9비트 용량, 빠른 스위칭 속도 및 우수한 내구성을 특징으로 한다. 공기 중 비작동 문제는 장치 밀봉으로 극복할 수 있다. UCL 연구원들이 2012년부터 개척한 산화 규소의 벌크 스위칭은 낮은 전성 전압(2.5V), 1V 정도의 스위칭 전압, 나노초 범위의 스위칭 시간, 그리고 장치 고장 없이 1천만 회 이상의 사이클을 모두 상온 조건에서 제공한다.
기본 아이디어는 일반적으로 절연체인 유전체 (물리학)가 충분히 높은 전압이 인가된 후 전도 경로를 형성할 수 있다는 것이다. 전도 경로는 공극 또는 금속 결함 이동을 포함한 다양한 메커니즘에서 발생할 수 있다. 일단 전도 경로가 형성되면, 다른 낮은 전압에 의해 재설정(파괴되어 높은 저항을 가짐)되거나 설정(재형성되어 낮은 저항을 가짐)될 수 있다. 단일 필라멘트보다는 여러 전류 경로가 관련될 수 있다. 유전체 내 이러한 전류 경로의 존재는 전도성 원자력 현미경을 통해 현장 시연될 수 있다.
낮은 저항 경로는 국소적(필라멘트형)이거나 균일할 수 있다. 두 가지 효과 모두 전극 사이의 전체 거리에 걸쳐 발생하거나 전극 중 하나에 가까운 곳에서만 발생할 수 있다. 필라멘트형 및 균일 전도 경로 스위칭 효과는 낮은 저항 상태의 면적 의존성을 측정하여 구별할 수 있다.
특정 조건에서는 형성 작업이 생략될 수 있다. 이러한 조건에서는 초기 전류가 절연 산화물 층에 비해 이미 상당히 높을 것으로 예상된다. ReRAM 셀은 설계된 광확산 또는 어닐링 공정에 의해 Cu 이온이 이미 유전체에 존재하여 유입된 경우 일반적으로 고전압 성형이 필요 없으며, 이러한 셀은 또한 초기 상태로 쉽게 돌아갈 수 있다. 유전체에 Cu가 초기에 존재하지 않는 경우, 전해질에 직접 인가되는 전압은 성형 가능성이 높다.
랜덤 액세스형 메모리의 경우, 트랜지스터가 선택된 셀과 선택되지 않은 셀로의 전류를 격리시키므로 1T1R (1 트랜지스터, 1 저항) 아키텍처가 선호된다. 반면, 크로스포인트 아키텍처는 더 작고 수직으로 메모리 층을 쌓을 수 있어 대용량 저장 장치에 이상적이다. 그러나 트랜지스터가 없는 경우, 메모리 소자와 직렬로 연결된 다이오드와 같은 "선택기" 장치 또는 메모리 소자 자체에 의해 격리 기능이 제공되어야 한다. 선택기의 온/오프 비율이 충분하지 않으면 이러한 격리 기능은 트랜지스터 사용보다 열등하여 이 아키텍처에서 매우 큰 어레이를 작동하는 능력을 제한한다. 박막 기반의 임계 스위치는 양극성 및 단극성 ReRAM의 선택기로 작동할 수 있다. 임계 스위치 기반 선택기는 64Mb 어레이에서 시연되었다. 크로스포인트 아키텍처는 양극성 ReRAM을 위한 펀치쓰루 다이오드 또는 단극성 ReRAM을 위한 PIN 다이오드와 같은 BEOL 호환 2단자 선택기를 필요로 한다.
극성은 이진 또는 단항일 수 있다. 양극성 효과는 저저항에서 고저항으로 전환(리셋 동작)할 때 극성이 반전되는 반면, 고저항에서 저저항으로 전환(설정 동작)할 때 극성이 반전된다. 단극성 스위칭은 극성에 영향을 미치지 않지만, 다른 전압을 사용한다.
저항 메모리 셀 재료 시스템.
여러 무기 및 유기 재료 시스템은 열 또는 이온 저항 스위칭 효과를 나타낸다. 이들은 다음 범주로 그룹화할 수 있다.
페로브스카이트 기반 RRAM.
BaTiO3, SrRuO3, SrZrO3, SrTiO3와 같은 ABO3형 무기 페로브스카이트 물질은 주목할 만한 저항 스위칭 효과와 강유전성, 유전성, 반도체 물리적 특성과 같은 다양한 기능성으로 인해 멤리스터의 저장 매체로서 광범위한 연구 관심을 끌었다. 그러나 깨지기 쉬운 특성과 높은 제조 비용은 이들 ABO3형 무기 페로브스카이트 물질이 멤리스터에 광범위하게 적용되는 것을 제한한다. 최근 ABX3형 납 할로겐화물 페로브스카이트는 광전지, 광검출기, 발광 다이오드(LED)와 같은 광전자 장치에 사용되는 것에 광범위한 연구 관심을 받고 있다. 이 구조에서 A는 일가 유기 또는 무기 (MA:CH3NH3+, FA: CH(NH2)2+, Cs+, Rb+), B는 이가 금속 양이온 (Pb2+, Sn2+), X는 할로겐화물 음이온 (Cl, Br, I)이다. A 양이온은 입방 단위의 여덟 모서리에 존재하고 B 양이온은 팔면체 클러스터 [BX6]4의 중심에 위치하여 3D 페로브스카이트 구조를 형성한다. A-사이트 양이온에 따라 이들 구조는 유기-무기 하이브리드 페로브스카이트와 전무기 페로브스카이트로 분류될 수 있다. 또한, 이러한 유형의 페로브스카이트는 저렴한 비용으로 용액 처리 방법을 통해 쉽게 얻을 수 있다.[16] 그럼에도 불구하고, 유기 양이온의 포함으로 인해 메틸암모늄(MA) 및 포르미딘이움(FA) 납 할로겐화물 페로브스카이트의 본질적인 열적 불안정성이 하이브리드 페로브스카이트 기반 전자 장치 개발의 병목 현상으로 흔히 발견되었다. 따라서 이 문제를 해결하기 위해 유기 양이온은 세슘(Cs) 양이온과 같은 다른 이온으로 대체되어야 한다. 흥미롭게도, 세슘/세슘 하이브리드화 태양 전지에 대한 몇몇 보고서는 전무기 페로브스카이트 기반 전자 장치의 향상된 안정성에 대한 많은 새로운 단서를 제공한다. 점점 더 많은 출판물은 무기 Cs 양이온 기반 전무기 페로브스카이트가 100°C 이상에서 구조적으로나 열적으로 안정적일 수 있는 반면, 하이브리드 페로브스카이트는 85°C 이상에서 열적으로 요오드화 납으로 분해된다는 것을 보여준다. 따라서 전무기 페로브스카이트가 저렴한 공정을 사용하여 안정적이고 고효율의 저항 스위칭 메모리 장치 제조에 탁월한 후보가 될 수 있음을 시사한다. CsPbX3 페로브스카이트가 일반적으로 용액 방법으로 제조된다는 점을 고려할 때, 결정 내에는 공극, 침입형, 반대 사이트와 같은 점 결함이 가능하다. 이러한 결함은 결함 드리프트 지배 저항 스위칭 메모리에 필수적이다. 따라서 이러한 CsPbX3 페로브스카이트는 메모리 장치 적용에 큰 잠재력을 가지고 있다. 할로겐화물 페로브스카이트 기반 RRAM의 저항 스위칭이 공극을 통한 할로겐 원자의 이동으로 인해 발생한다는 사실을 고려할 때, RRAM 내 공극의 이동 특성은 RRAM의 핵심 기능을 결정하는 가장 중요한 재료 특성 중 하나이다. 그러나 그 중요성에도 불구하고, RRAM 내 할로겐 공극의 활성화 에너지는 심각한 연구 주제가 아니었다. 분명히, 할로겐화물 페로브스카이트 기반 RRAM에서 예상되는 할로겐 공극의 작은 활성화 장벽은 이 RRAM이 저전압 및 저전력 소비 모드에서 작동할 수 있도록 하는 데 핵심적인 역할을 한다.
시연.
2007년 IEDM 콘퍼런스에서 발표된 논문들은 처음으로 ReRAM이 프로그래밍 성능, 데이터 유지 또는 내구성을 희생하지 않고도 PRAM 또는 MRAM보다 낮은 프로그래밍 전류를 보인다고 제안했다. 일반적으로 인용되는 ReRAM 시스템은 아래에 더 자세히 설명되어 있다.
Gb 규모 ReRAM.
32Gb 24nm ReRAM은 2013년 SanDisk에 의해 비트랜지스터 액세스 장치와 금속 산화물 RRAM 구성 외에는 많은 세부 사항 없이 발표되었다.
16Gb 27nm ReRAM (실제로는 CBRAM)은 2014년 Micron과 Sony에 의해 발표되었다. 1비트당 1T1R 구조 대신, 두 비트가 두 개의 트랜지스터와 하부 전극 사이에 분할되었으며, 상부 부분(전해질, 구리 저장소, 상부 전극)은 공유했다.
HfO2 기반 ReRAM.
IEDM 2008에서 ITRI는 Ti 버퍼 층이 있는 HfO2를 사용하여 처음으로 고성능 ReRAM 기술을 시연했으며, 10ns 미만의 스위칭 시간과 30μA 미만의 전류를 보였다. IEDM 2010에서 ITRI는 0.3ns 미만의 스위칭 시간을 보여 다시 속도 기록을 깼고, 100%까지의 수율과 100억 사이클까지의 내구성을 허용하는 공정 및 작동 개선을 보였다. IMEC은 2012년 VLSI 기술 및 회로 심포지엄에서 ReRAM 프로그램에 대한 업데이트를 발표했으며, 500nA 작동 전류 솔루션도 포함했다.
ITRI는 2008년 첫 출판 이후 Ti/HfO2 시스템에 집중했다. ITRI의 특허 8362454는 이후 TSMC에 판매되었다. 이전 라이선스 수는 알려져 있지 않다. 반면 IMEC은 주로 Hf/HfO2에 집중했다. Winbond는 HfO2 기반 ReRAM을 발전시키고 상용화하는 데 더 최근에 노력했다.
중국의 한 연구팀은 130nm 공정에서 제작된 64Mb 칩으로, 현재까지 가장 큰 1T1R RRAM을 선보였다. 천만 사이클의 수명을 달성했으며, 75°C에서 10년의 예상 데이터 유지 기간을 보였다.
파나소닉.
파나소닉은 2008년 IEDM에서 TaOx 기반 ReRAM을 공개했다. 핵심 요구 사항은 TaOx 층과 인터페이스할 Pt 또는 Ir과 같은 높은 일 함수 금속의 필요성이었다. O 함량의 변화는 저항 변화뿐만 아니라 쇼트키 장벽 변화를 초래한다. 최근에는 Ta2O5/TaOx 층이 구현되었으며, 이는 여전히 Ta2O5와 인터페이스할 높은 일 함수 금속을 필요로 한다. 이 시스템은 높은 내구성 시연(조 사이클)과 관련이 있었지만, 제품은 10만 사이클로 지정되어 있다. 필라멘트 직경은 최대 ~100nm에 이르는 것이 관찰되었다. 파나소닉은 Fujitsu와 함께 4Mb 부품을 출시했으며, UMC와 함께 40nm 임베디드 메모리를 개발 중이다.
HP 멤리스터.
2008년 4월 30일, HP는 추아(Chua)가 1971년에 누락된 4번째 기본 회로 요소로 처음 상상했던 멤리스터를 발견했다고 발표했다. 7월 8일, 그들은 멤리스터를 사용하여 ReRAM 시제품 제작을 시작할 것이라고 발표했다. HP는 처음에는 TiOx를 사용하여 멤리스터를 시연했지만, 나중에는 TaOx로 마이그레이션했다. 이는 안정성이 향상되었을 가능성이 있다. TaOx 기반 장치는 파나소닉의 ReRAM과 일부 재료 유사성을 가지고 있지만, 작동 특성은 다르다. Hf/HfOx 시스템도 유사하게 연구되었다.
Adesto Technologies.
Adesto Technologies CBRAM은 산소 공극 대신 전극 금속에서 생성된 필라멘트를 기반으로 한다. 원래 재료 시스템은 Ag/GeS2였지만, 결국 ZrTe/Al2O3로 바뀌었다. 텔루륨 필라멘트는 은에 비해 더 나은 안정성을 달성했다. Adesto는 사물인터넷(IoT) 응용 분야의 초저전력 메모리를 목표로 하고 있다. Adesto는 Altis 파운드리에서 제조된 제품을 출시했으며, 타워재즈/파나소닉 홀딩스와 45nm 파운드리 계약을 체결했다.
Weebit Nano.
Weebit Nano는 유럽 최대 나노기술 연구소 중 하나인 와 협력하여 ReRAM 기술을 더욱 발전시키고 있다. 2017년 11월부터 이 회사는 40nm SiOx ReRAM 셀의 제조 가능성을 시연했으며, 이어서 2018년에는 작동 어레이, 2020년에는 개별 부품 시연이 뒤따랐다. 2021년 7월, 이 회사는 첫 번째 임베디드 ReRAM 모듈을 테이프아웃했다. 2021년 9월, Weebit은 Leti와 함께 28nm FDSOI 공정을 사용하여 300mm 웨이퍼에 1Mb ReRAM 어레이를 생산, 테스트 및 특성화했다.
크로스바.
크로스바는 비정질 Si에 Ag 필라멘트를 구현하고 임계 스위칭 시스템과 함께 다이오드+ReRAM을 달성한다. 이 시스템에는 1T1R 또는 1TNR 아키텍처에 트랜지스터를 사용하는 것이 포함된다. 크로스바는 2017년에 40nm 공정으로 SMIC에서 샘플 생산을 시작했다. Ag 필라멘트 직경은 수십 나노미터 규모로 시각화되었다.
IntrinSic.
영국에 기반을 둔 이 회사는 일반적인 산화규소를 사용하여 셀을 만들 계획이다.
프로그래머블 금속화 셀.
인피니온 테크놀로지스는 이를 전도성 브릿지 램(CBRAM)이라고 부르고, NEC는 "나노브릿지"라는 변형을 가지고 있으며, Sony는 자사의 버전을 "전해 메모리"라고 부른다. 새로운 연구는 CBRAM이 3D 프린팅될 수 있음을 시사한다.
퀀텀닷 저항 메모리 장치
퀀텀닷 기반 비휘발성 저항 메모리 장치는 10ns의 스위칭 속도와 10,000의 ON/OFF 비율을 가진다. 이 장치는 100,000 스위칭 사이클에 대해 우수한 내구성 특성을 보였다. 유지 테스트는 양호한 안정성을 보였으며 장치는 재현 가능하다. 메모리 작동 메커니즘은 AlOx가 장벽으로 작용하는 퀀텀닷의 전하 포획을 기반으로 제안된다. 이 메커니즘은 ON 및 OFF 상태에서 정전 용량 값의 현저한 변화로 뒷받침된다.
미래 응용 분야.
PRAM과 비교할 때, ReRAM은 더 빠른 시간 척도(스위칭 시간은 10ns 미만일 수 있음)에서 작동하며, MRAM과 비교할 때, 더 간단하고 작은 셀 구조(8F² MIM 스택 미만)를 가진다. 수직 1D1R (하나의 다이오드, 하나의 저항 스위칭 장치) 통합은 크로스바 메모리 구조에 사용되어 단위 셀 크기를 4F² (F는 기능 차원)로 줄일 수 있다. 플래시 메모리 및 레이스트랙 메모리와 비교할 때 더 낮은 전압으로 충분하므로 저전력 애플리케이션에 사용될 수 있다.
ITRI는 ReRAM이 30nm 이하로 확장 가능하다는 것을 보여주었다. 산소 원자의 움직임은 산화물 기반 ReRAM의 핵심 현상이다. 한 연구에 따르면 산소 움직임은 2nm만큼 작은 영역에서도 일어날 수 있다고 한다. 필라멘트가 원인이라면 셀 크기와 직접적인 확장은 없을 것으로 여겨진다. 대신 전류 제한(예: 외부 저항으로 설정)이 필라멘트의 전류 전달 능력을 정의할 수 있다.
ReRAM의 잠재력을 실현하는 데 상당한 난관은 더 큰 수동 어레이에서 발생하는 누설 경로 문제이다. 2010년에 상보적 저항 스위칭 (CRS)이 누설 경로 전류 간섭에 대한 가능한 해결책으로 제시되었다. CRS 방식에서는 정보 저장 상태가 고저항 상태와 저저항 상태의 쌍(HRS/LRS 및 LRS/HRS)이므로 전체 저항은 항상 높게 유지되어 더 큰 수동 크로스바 어레이를 허용한다.
초기 CRS 솔루션의 단점은 전류 측정을 기반으로 한 기존의 파괴적인 읽기 방식으로 인해 스위칭 내구성이 요구된다는 점이다. 용량 측정을 기반으로 한 비파괴 읽기를 위한 새로운 접근 방식은 재료 내구성 및 전력 소비에 대한 요구 사항을 모두 낮출 수 있다. HRS에서 비선형성을 생성하여 누설 경로 문제를 피하기 위해 이중층 구조가 사용된다. LRS에서 강력한 비선형 전도를 나타내는 단일층 장치가 보고되었다. 양극성 ReRAM의 HRS 및 안정성 개선을 위해 다른 이중층 구조가 도입되었다.
누설 전류 문제에 대한 또 다른 해결책은 선택된 셀에 설정(set)을 사용하는 동시에 전체 셀 행에 걸쳐 읽기 및 재설정 작업을 병렬로 수행하는 것이다. 이 경우, 선택 트랜지스터 위에 위치한 N개의 ReRAM 셀 컬럼을 갖는 3D-ReRAM 1TNR 어레이의 경우, 수직 레벨 N이 제한적이기 때문에(예: N=8–32) HRS의 본질적인 비선형성만 충분히 커야 하며, 이는 저전류 ReRAM 시스템에서 가능하다고 입증되었다.
ReRAM 및 기타 비휘발성 랜덤 액세스 메모리(예: MRAM 및 PRAM)로 설계된 2D 및 3D 캐시 모델링은 DESTINY 도구를 사용하여 수행할 수 있다.
인공지능 응용 분야에서의 제안된 역할.
인공지능 분야의 많은 발전에 필요한 컴퓨팅 요구사항이 증가함에 따라, 많은 사람들은 ReRAM 구현이 인공지능 및 머신러닝 응용 프로그램을 실행하는 데 매우 유용한 하드웨어가 될 수 있다고 추측한다.
스탠포드 대학교 공과대학 연구원들은 "메모리 자체 내에서 AI 처리를 수행하여 컴퓨팅 및 메모리 장치 간의 분리를 제거"하는 RRAM을 개발했다. 이는 최첨단 기술보다 두 배나 에너지 효율적이다.
NS, Ns 또는 ns는 다음을 가리키는 말이다.
MI, Mi, mi는 다음을 가리키는 말이다.
한국에서는 1987년 《메칸더 V》라는 제목으로 MBC에서 방영되었다. 주제가는 김국환이 불렀다.
제1화 지미 오리온의 비밀
제2화 로봇의 우정
제3화 하늘의 요새
제4화 대수송작전
제5화 이동비밀기지
제6화 인질 구출작전
제7화 오메가 미사일을 파괴하라
제8화 평화를 사랑하는 사람들
제9화 지중해의 함정
제10화 수수깨끼의 팔찌
제11화 태풍을 무찔러라
제12화 대서함대 구출작전
제13화 화산폭발을 막아라
제14화 출동!트로이카
제15화 위기일발
제16화 정지위성 파괴작전
제17화 탄로난 비밀기지
제18화 원유수송작전
제19화 싱기포르 탈환작전
제20화 지미의 큰 실수
제21화 비밀기지의 최후
제22화 불쌍한 어머니
제23화 새로운 탄생
제24화 가슴아픈 슬픈승리
제25화 가공의 우주무기
제26화 요새도시를 공격하라
제27화 지미!정신차려
제28화 고통스런 지난날
제29화 대륙통과작전
제30화 정지위성이 파괴된 날
제31화 메두사의 최후
제32화 반격작전
제33화 오즈멜의 최후
제34화 메칸더V여 영원하라(최종회)
대한민국에서는 ㈜중앙일보 동양방송에서 수입하여 엄마 찾아 삼만리에 이어 1977년 8월 12일부터 1978년 7월 28일까지 (뒤이어 태풍 소년) 매주 금요일 저녁 6시 《이상한 나라의 삐삐》라는 제목으로 동양방송에서 방영됨으로써 처음 소개되었다. 이후 1984년 5월 24일부터 1985년 5월 2일까지 ㈜KBS 영상사업단에서 수입하여 KBS에서 이상한 나라 폴이라는 제목으로 재더빙하여 방영하였고, 1996년과 1997년에 ㈜SBS프로덕션에서 수입하여 SBS를 통해 이상한 나라의 폴이라는 방영명으로 또다시 재더빙되어 방영되어 총 세번의 더빙판이 존재한다(참고로 SBS판에서는 성우진과 주제가가 전면 교체되었다). SBS 방영 이후, 한동안 지상파에서 방영되지 않다가 EBS에서 방영권을 확보하여 2009년 4월 21일부터 8월 11일까지 EBS를 통해 1984년에 우리말 녹음된 KBS 방영판을 재방영된 바 있다. 2005년 DVD로 해당작품이 출시된 바 있다.(하지만 전편이 아닌 1,2,5,11,17,31,32,38,50화, 총9화를 3 DVD에 담았다.) 2021년에 애니원에서 재방영되었다.
공상을 좋아하는 소년 폴은 10살 생일을 맞아 부모님으로부터 인형을 생일선물로 받는다. 그날 밤 그 인형 속에 봉인되어 있던 요정 팟쿤(찌찌)은 폴과 폴의 여자친구 니나, 그리고 니나의 애완견 돗페(삐삐)를 4차원의 세계인 이상한 나라로 안내한다. 그곳에서 돗페는 의인화되어 말을 할 수 있고 사람같이 두 다리로 서는 등 이상한 나라는 사람이 하늘을 날 수도 있고 장난감 차가 수퍼카로 변신하는 신기한 세상이었다. 그러나 오랫동안 잠들어 있던 악마 벨트 사탄(Belt Satan; 대마왕)이 깨어나 니나를 납치한다. 결국 니나를 이상한 나라에 남겨둔 채 폴 일행은 원래 세상으로 돌아왔지만 딸이 실종된 것을 알게 된 니나 부모님의 질책과 충격, 추궁 등에 시달리게 된다. 니나를 구해내기 위해 폴은 팟쿤, 돗페와 함께 이상한 나라를 오고가며 벨트 사탄과 피할 수 없는 싸움에 돌입한다. 결국 폴은 니나를 구출하고 벨트 사탄을 물리친다.
35화 도기인의 변신 편의 경우 대한민국에서는 유일하게 지나친 왜색 장면 등으로 인해서 TBC판은 물론 KBS판과 SBS판에서도 모두 방영되지 않았다. 이로 인해서 대한민국 더빙판에서는 총 49화로 단축되어 방영하였다.
FR 또는 Fr은 다음을 가리키는 말이다.
국도 제25호선 (창원 ~ 청주선, 國道第二十五號 昌原淸州線)은 경상남도 창원시 진해구 3호광장 교차로에서 대구광역시, 상주시를 지나서 충청북도 청주시 청원구 내수읍 국동교차로를 연결하는 대한민국의 일반 국도이다.
양수역(兩水驛, Yangsu station)은 경기도 양평군 양서면 용담리에 있는 수도권 전철 경의·중앙선의 전철역이다. 현재 광역전철만이 정차하며, 무궁화호 등의 일반 열차는 무정차 통과한다. 이 역부터 용문역을 지나서 지평역까지 양평군 구간이다.
2면 4선식 쌍섬식 승강장을 갖춘 지상역이다. 스크린도어가 설치되어 있다.
2008년 자료는 개통일인 2008년 12월 29일부터 12월 31일까지인 3일 기준으로 환산한 것이다.
국도 제26호선 (國道第二十六號線)은 전북특별자치도 군산시 옥서면 군산공항에서 전주시, 거창군을 지나 대구광역시 서구 두류네거리를 연결하는 대한민국의 일반 국도이다.
신원역(新院驛, Sinwon station)은 경기도 양평군 양서면 신원리에 있는 수도권 전철 경의·중앙선의 전철역이다(교외지역에 위치).
원래는 비둘기호만 정차하던 간이역으로 운영되다가, 수도권 전철 중앙선이 2008년 12월 29일에 역사 신축이 완료되지 않은 이 역을 정차하지 않고, 무정차 통과하여 국수역까지 운행되었다.
그러던 중 2009년 12월 23일 국수 ~ 용문 연장 구간 개통에 맞추어 신 역사가 완공되어 수도권 전철 경의·중앙선 전동차가 정차한다.
무궁화호를 비롯한 다른 열차들은 정차하지 않고, 무정차 통과한다.
2009년 자료는 개통일인 2009년 12월 23일부터 12월 31일까지인 9일 기준으로 환산한 것이다.
국수역(菊秀驛, Guksu station)은 경기도 양평군 양서면 국수리에 있는 수도권 전철 경의·중앙선의 전철역이다.
2면 4선식 쌍섬식 승강장을 갖춘 지상역이다. 현재 스크린도어가 설치되어 있다.
아신역(我新驛, Asin station)은 경기도 양평군 옥천면 아신리에 있는 수도권 전철 경의·중앙선의 전철역이다.
6번 국도와 인접해 있으며, 남한강을 바라보고 있는 형태로 있다. 2009년 12월 23일 수도권 전철 중앙선이 용문역까지 연장 개통되면서 수도권 전철 경의·중앙선 전동열차가 이 역에 정차한다. 무궁화호 열차는 정차하지 않고, 무정차 통과한다.
국도 제30호선 (부안 ~ 대구선, 國道第三十號 扶安大邱線)은 전북특별자치도 부안군 보안면 영전사거리에서 정읍시, 경상북도 김천시를 지나서 대구광역시 서구, 달서구 두류네거리를 연결하는 대한민국의 일반 국도이다.
히라노역()은 일본에 있는 철도역 가운데 하나이다.
양평역(楊平驛, Yangpyeong station)은 경기도 양평군 양평읍 양근리에 있는 중앙선의 철도역이자 수도권 전철 경의·중앙선의 전철역이다.
승강장은 4면 6선의 쌍상대식 승강장으로 운용되지만, 광역전철 승강장의 경우 반대편으로 건너갈 수 없는 횡단불가 구조로 되어 있는 역이므로 이용에 주의가 필요한 역이다. 현재 2, 4, 5, 7번 승강장에 스크린도어가 설치되어 있다.
수도권 전철 경의·중앙선 양평역은 서울특별시 영등포구 양평동에 있는 수도권 전철 5호선(서울 지하철 5호선) 양평역(楊坪驛)과 한자 한 글자만 다르고 한글·로마자 표기와 발음이 모두 같다. 두 역 모두 수도권 전철에 속하는 역이기 때문에 1회용 교통카드 구매 시 혼란의 여지가 있으며, 양 역을 이동할 때 왕십리역, 공덕역에서 환승하여야 한다.
가브리엘 오마르 바티스투타(, 1969년 2월 1일, 아르헨티나 산타페주 레콩키스타 ~ )는 "바티골"(Batigoal)이라는 별명을 갖고 있는 아르헨티나의 전 축구 선수로, 스트라이커로 활약하였다. 바티스투타는 22살에 처음 축구를 시작했으며 선수 생활의 대부분을 피오렌티나에서 보냈으며, 세리에 A에서 318경기에 나와 184골을 넣어 세리에 A 역대 9번째로 가장 많은 골을 넣은 선수이다. 아르헨티나 대표팀에서는 77경기에 출장해 54골을 넣어 아르헨티나 대표팀 역대 2번째로 득점을 많이 한 선수이며, 2004년 펠레가 선정한 FIFA 100에 지명되었다.
오직 자신의 개인기에만 의존하는 플레이만 고집하며 패스를 안 하기로 유명하다. 이 때문에 그 자신도 골결정력이 뛰어난 클라우디오 로페스는 이러한 바티의 취향 때문에 어시스트만 할 수밖에 없었으며 이것이 아르헨티나 축구 국가대표팀에게는 취약점으로 작용했다. 특히 2002년 FIFA 월드컵에서는 스웨덴 축구 국가대표팀이 이러한 바티스투타의 문제점을 최대한 활용하여 우세한 경기를 펼치며 막판에 에르난 크레스포가 넣은 골로 무승부를 낼 때까지 시종일관 아르헨티나보다 우세한 경기를 했다. 이것이 문제가 되어 호세 페케르만 감독은 바티스투타를 2006년 FIFA 월드컵의 엔트리에서 제외시켰다.
리조트 게이트웨이 스테이션 역(Resort Gateway Station, )은 일본 지바현 우라야스시에 있는 철도역이다.
승강장 번호가 없다. 열차는 먼저 하차 전용 승강장 쪽 문을 연다.
달구벌대로(達句伐大路, Dalgubeol-daero)는 대구광역시 달성군 하빈면 성주대교와 수성구 사월동 중산삼거리를 잇는 대구광역시의 간선도로이다. 반월당네거리를 중심으로 동편은 대동로로, 서편은 대서로로 불렸으나 2009년 도로명 주소 사업 때 통합하여 달구벌대로로 불리게 되었다. 대구 도시철도 2호선은 달구벌대로 대부분을 관통하는 지하철 노선이다.
2020 대구도시기본계획에 따르면 대구동서고속화도로로 개편하는 방안이 있다. 1991년 성서네거리에서 남부시외버스터미널(현 만촌네거리 일대)까지 11.5km의 고가도로를 계획했으나, 후에 연호네거리까지 연장해 17.5km를 고가도로 건설을 계획했다. 이 때문에 대구 도시철도 2호선은 고가도로의 하중을 견디기 위해 기초공사 시 설계변경이 필요했고, 예산이 추가됐다. 결국 논의 끝에 고가도로 건설은 무산됐다.
제1대 스톡턴 백작 모리스 해럴드 맥밀런(Maurice Harold Macmillan, 1st Earl of Stockton, , 1894년 2월 10일 ~ 1986년 12월 29일)은 영국의 정치인이다. 제2차 세계 대전 이후 보수당 내각의 국방장관·외무장관·재무장관을 역임하였고, 1957년부터 1963년까지 총리를 지냈다.