To overcome the increase in power consumption due to gate current leakage, a high-κ dielectric is used instead of silicon dioxide for the gate insulator, while polysilicon is replaced by metal gates (see Intel announcement).
За да се спречи зголемената потрошувачка на електрична енергија поради истекувањето на струјата кај портата, наместо силициум диоксид се користи диелектрик со висок К како изолатор за портата, додека пак полисилициумот се заменува со метални порти (видете во соопштенијата објавени од страна на Intel).