Other metal gates have made a comeback with the advent of high-κ dielectric materials in the CMOS process, as announced by IBM and Intel for the 45 nanometer node and smaller sizes.
Gerbang logam lain dibuat seiring kedatangan material dielektrik permitivitas tinggi di dalam proses pembuatan CMOS, seperti yang diumumkan oleh IBM dan Intel untuk node 45 nanometer dan lebih kecil.