လီစာစူး

ဒေါက်တာလီစာစူး (၁၉၆၉-ခုနှစ် နိုဝင်ဘာ ၇ ရက်တွင် မွေးဖွားသည့်)
ထိုင်ဝမ်မွေး အမေရိကန် လုပ်ငန်းအမှုဆောင်အရာရှိချုပ်နှင့် လျှပ်စစ်အင်ဂျင်နီယာဖြစ်သည်။
သူမသည် အေအဲမ်ဒီ (AMD) လုပ်ငန်းအမှုဆောင်အရာရှိချုပ်လည်းဖြစ်၊ ဥက္ကဋ္ဌလည်း ဖြစ်သည်။ သူမသည် အသက်မွေးဝမ်းကျောင်းမှုအစပိုင်းတွင် Texas Instruments၊ IBM နှင့် Freescale Semiconductor
တို့တွင် အင်ဂျင်နီယာဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းများတွင် လည်းကောင်း၊ စီမံခန့်ခွဲမှုဆိုင်ရာ လုပ်ငန်းများတွင် လည်းကောင်း လုပ်ကိုင်ခဲ့သည်။ သူမသည် အိုင်ဘီအဲမ် (IBM) ၏ တပိုင်းလျှပ်ကူး(semiconductor) သုတေသနနှင့် ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်ရေးဌာန၏ ဒုဥက္ကဋ္ဌအဖြစ် တာဝန်ထမ်းဆောင်စဉ် လျှပ်ကာခွဆီလီကွန် (silicon-on-insulator သို့မဟုတ် SOI)ဟုခေါ်သည့် တပိုင်းလျှပ်ကူးထုတ်လုပ်မှုဆိုင်ရာ နည်းပညာများနှင့် ပိုမိုထိရောက်သော တပိုင်းလျှပ်ကူးချစ်ပ်များ (semiconductor chips) တိုးတက် ချဲ့ထွင်ဖြစ်ပေါ်လာစေခြင်းများကြောင့် လူသိများသည်။

ငယ်စဉ်ဘဝနှင့် ပညာရေး

စူးကျီးဖုန်း () ကို ထိုင်ဝမ်ရှိ ကမ်းရိုးတန်းမြို့တစ်ခုဖြစ်သော ထိုင်နန်မြို့ (Tainan)တွင် ၁၉၆၉-ခုနှစ်၊ နိုဝင်ဘာလတွင် ထိုင်ဝမ်တရုတ် စူးချွန်းဟွိုင် ()နှင့် လော်ရှူးယာ ()တို့မှ မွေးဖွားခဲ့သည်။ သူမ အသက် ၃-နှစ်ခန့်အရွယ်တွင် အမေရိကန်ပြည်ထောင်စုသို့ ပြောင်းရွေ့နေထိုင်ခဲ့သည်။ သူမနှင့် သူမ၏အစ်ကိုတို့အား ငယ်ရွယ်စဉ်အခါကတည်းက သင်္ချာနှင့် သိပ္ပံဘာသာရပ်များကို လေ့လာကြိုးစားရန် မိဘများကတိုက်တွန်းခဲ့သည်။ သူမအသက် ၇-နှစ်အရွယ်ကတည်းက အငြိမ်းစား စာရင်းအင်းသင်္ချာပညာရှင်ဖြစ်သော အဖေမှ သူမအား အလီပေါင်းဇယားများကို မေးမြန်းစစ်ဆေးလေ့ရှိခဲ့သည်။ စာရင်းကိုင်တစ်ယောက်လည်း ဖြစ်ခဲ့ဖူးသော စွန့်ဦးတီထွင် လုပ်ငန်း​ရှင်တစ်ဦးဖြစ်သည့် အမေထံမှ စီးပွားရေးဆိုင်ရာ အသိအမြင်များကို သူ့အား မိတ်ဆက်သင်ကြားပေးခဲ့သည်။ သူမသည် ငယ်ရွယ်စဉ်အခါကတည်းကပင် အင်ဂျင်နီယာတစ်ယောက် ဖြစ်ချင်သော စိတ်ဆန္ဒရှိခဲ့ပြီး၊ "ငါစက်ပစ္စည်းတွေဘယ်လို အလုပ်လုပ်သလဲဆိုတာကို သိချင်စိတ် တအားကြီးခဲ့တယ်"ဟု ရှင်းပြခဲ့ဖူးသည်။ အသက် ၁၀-နှစ်အရွယ်တွင် သူမအစ်ကို၏ အဝေးထိန်းကားများကို တစ်စစီဖြုတ်ကာ ပြင်ဆင်ပြီး ပြန်လည်တပ်ဆင်နိုင်ခဲ့သည်။ သူမ၏ ပထမဆုံး ကွန်ပျူတာဖြစ်သော Apple II ကို သူမ အလယ်တန်းအဆင့် (junior high school)တွင် စတင်ရရှိ အသုံးပြုခဲ့သည်။ သူမသည်
နယူးယောက်မြို့ရှိ ဘရွန်းခ်စ်သိပ္ပံအထက်တန်းကျောင်း (Bronx High School of Science)မှ ၁၉၈၆-ခုနှစ်တွင် အထက်တန်း အောင်မြင်ခဲ့သည်။

လီစာစူးသည် မက်ဆာချူးဆက် စက်မှုတက္ကသိုလ် (MIT)ကို ၁၉၈၆-ခုနှစ် ဆောင်းဦးရာသီတွင် စတင်တက်ရောက်ခဲ့ပြီး၊ လျှပ်စစ်အင်ဂျင်နီယာဘာသာ သို့မဟုတ် ကွန်ပျူတာသိပ္ပံဘာသာ အဓိကယူရန် ရည်သန်ခဲ့သည်။ သူမသည် လျှပ်စစ်အင်ဂျင်နီယာဘာသာကို အခက်အခဲဆုံးဘာသာအနေဖြင့် တွေးထင်ခဲ့ပြီး ၎င်းပညာရပ်ကိုပင် အဓိကအဖြစ် ရွေးချယ်ခဲ့သည်။ သူမ တက္ကသိုလ် ပထမနှစ်ကျောင်းသူဘဝတွင်ပင် ဘွဲ့ကြိုသုတေသနအခွင့်အလမ်းပရိုဂရမ် (Undergraduate Research Opportunities Program သို့မဟုတ် UROP)မှတစ်ဆင့် ဘွဲ့ကြိုသုတေသနလက်ထောက်တစ်ယောက်အနေဖြစ် ဘွဲ့လွန်ကျောင်းသားများ အသုံးပြုသော စမ်းသပ်မှုသုံး ဆီလီကွန်ဝေဖာများ (silicon wafers)ကို ထုတ်လုပ်သည့်လုပ်ငန်းကို လုပ်ကိုင်ခဲ့သည်။ ဤယူရွတ်ပ် ပရိုဂရမ် (UROP)အပြင် သူ၏ အဲနလော့ဂ် ဒီဗိုက်စ် (Analog Devices) ကုမ္ပဏီတွင် လုပ်ကိုင်ခဲ့သော နွေရာသီအချိန်ပိုင်းအလုပ်တို့ကလည်း သူမ၏ တပိုင်းလျှပ်ကူး(semiconductor)ဆိုင်ရာ သုတေသနလုပ်ငန်းများအပေါ် စိတ်ဝင်စားမှုကို မီးထိုးပေးခဲ့သည်။ သူမ၏ တက္ကသိုလ်ကျောင်းတက်စဉ်ကာလတစ်လျှောက်လုံး ဤလုပ်ငန်းအပေါ် အာရုံစိုက်လုပ်ကိုင်ခဲ့ပြီး၊ သူမ၏ အချိန်ပေါင်းများစွာကို စမ်းသပ်ခန်းအတွင်း၌ တပိုင်းလျှပ်ကူး(semiconductor)ဆိုင်ရာ ပစ္စည်းမျိုးစုံကို ဒီဇိုင်းလုပ်ရာတွင်လည်းကောင်း၊ ပစ္စည်းသဘာဝ တိုးတက်ပြောင်းလဲအောင် ပြုလုပ်ရာတွင်လည်းကောင်း အသုံးပြုခဲ့သည်။ သူမသည် မက်ဆာချူးဆက် စက်မှုတက္ကသိုလ် (MIT)မှ ပထမဘွဲ့ (bachelor's degree)ကို လျှပ်စစ်အင်ဂျင်နီယာပညာရပ် အဓိကဖြင့်ရရှိခဲ့ပြီးနောက်၊ မဟာဘွဲ့ (master's degree)ကို ၁၉၉၁-ခုနှစ်တွင် ၎င်းတက္ကသိုလ်မှပင် ရရှိခဲ့သည်။ ၁၉၉၀ မှ ၁၉၉၄ ခုနှစ်အတွင်း သူမသည် ပါရဂူဘွဲ့ (PhD)အတွက် စာတမ်းအကြံပေး ဒီမီတျီ အန်တိုနီယဒစ်စ် (Dimitri Antoniadis)၏ လက်အောက်တွင် လေ့လာလုပ်ဆောင်ခဲ့သည်။ အဲမ်အိုင်တီ နည်းပညာ သုံးသပ်အစီရင်ခံမဂ္ဂဇင်း (MIT Technology Review) မှ စူးသည် ပါရဂူဘွဲ့ ကျောင်းသူဘဝကတည်းကပင် (ထရန်စစ်စတာများ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို တိုးပွားစေနိုင်သည်ဟု သိရှိကြသော်လည်း ထိုစဉ်က ဤအချက်အတွက် အထောက်အထား မရှိသေးသည့်) လျှပ်ကာခွဆီလီကွန် (silicon-on-insulator သို့မဟုတ် SOI) နည်းပညာ ကို အာရုံစိုက်စူးစမ်းသုတေသနပြုခဲ့သော ပထမဆုံးသော သုတေသနပညာရှင်များထဲမှ တစ်ယောက်ဖြစ်သည်ဟု ရေးသားဖော်ပြခဲ့သည်။ သူမသည် လျှပ်စစ်အင်ဂျင်နီယာပညာ ပါရဂူဘွဲ့ကို ၁၉၉၄-ခုနှစ်တွင် အဲမ်အိုင်တီ (MIT)မှပင် ရရှိခဲ့သည်။ သူမ၏ ပါရဂူဘွဲ့စာတမ်းမှာ "Extreme-submicrometer silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs" ဟူ၍ ခေါင်းစဉ်တပ်ထားသည်။

ကိုးကား