စီလီကွန် ကွန်ထရိုး ရက်တီဖိုင်ယာ

စီလီကွန် ကွန်ထရိုး ရက်တီဖိုင်ယာ (silicon controlled rectifier- အက်စ်စီအာ) သို့မဟုတ် ဆီမီးကွန်ဒက်တာ ကွန်ထရိုး ရက်တီဖိုင်ယာ (semiconductor controlled rectifier) ဆိုသည်မှာ အလွှာ ၄ ခု ပါဝင်သော အီလက်ထရွန်းနစ် ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး လျှပ်စီးလမ်း(လျှပ်စီးကြောင်း) (Current) ကို ထိန်းချုပ်ရန် အတွက် ဖြစ်သည်။ 'p–n–p–n switching' ဆိုသည့် အလွှာလေးလွှာ နည်းစနစ်ကို ၁၉၅၆တွင် ဘဲလ်ဓာတ်ခွဲခန်းမှ မောလ်၊ ဂိုးလ်ဒီ၊ တန်းနန်းဘောင်နှင့် ဟော်လွန်ယက် စသည့်သူများက တီထွင်ခဲ့သည်။ စီလီကွန် ထိန်းချုပ် လျှပ်စီးပြောင်းစနစ်နှင့် (လျှပ်စစ်)ပစ္စည်းတစ်ခု၏ အသေးစိတ် သဘောတရားပိုင်းဆိုင်ရာတို့၏ လက်တွေ့ သရုပ်ဖော်တင်ဆက်မှုသည် ၁၉၅၈ ဇန်နဝါရီတွင် ဘဲလ်ဓာတ်ခွဲခန်းမှ ဒေါက်တာ လန် အမ် မက်ကင်တော့ရှ် တင်ပြခဲ့သော လက်တွေ့စမ်းသပ်မှုနှင့်လည်း ကိုက်ညီသည်။ စီလီကွန် ကွန်ထရိုး ရက်တီဖိုင်ယာ သို့ SCR ဆိုသော အမည်မှာ သိုင်ရစ်စတာ (Thyristor) အမျိုးအစား အီလက်ထရွန်းနစ် ပစ္စည်းအတွက်ဂျင်နရယ် အီလက်ထရစ်၏မူပိုင် မှတ်ပုံတင် ထားသော အမည် ဖြစ်သည်။ ဤ SCR ကို ဂေါ်ဒန် ဟောလ် ဦးဆောင်သော လျှပ်စစ်အင်ဂျင်နီယာများအဖွဲ့(စွမ်းအားပိုင်း)က ဖွံ့ဖြိုးအောင် လုပ်ဆောင်ခဲ့၍ ဖရန့် ဒဗလျူ ဘီလ် ဂါ့ဇ်ဝီလာက ၁၉၅၇တွင် စီးပွားဖြစ် လုပ်ဆောင်ခဲ့သည်။

သိုင်ရစ်စတာကို စီလီကွန်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ၎င်းစီလီကွန်ကို possitive အမျိုးအစား၊Negative အမျိုးအစားအဖြစ်သက်မှတ်၍ ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ထားခြင်းဖြစ်သည်။ သိုင်ရစ်စတာသည် ထရန်စစ္စတာကို အခြေခံ၍ ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ထားခြင်းဖြစ်သည်။ ၎င်းထရန်စစ္စတာ၏ pnp အမျိုးအစားနှင့် npn အမျိုးအစားတို့ကိုပေါင်းစပ်၍ သိုင်ရစ်စတာ (ခေါ်) SCR တစ်ခုဖြစ်ပေါ်လာသည်။

ကိုးကား

 လျှပ်စစ်ပစ္စည်း အစိတ်အပိုင်းများ