Transistor sambungan-paduan

Dalam metode pertemuan-paduan, transistor-transistor dibuat secara individual. Dua butir indium yang merupakan suatu kotoran akseptor, diletakan pada sisi-sisi berlawanan suatu kepingan tipis germanium tipe-N (setebal 50 formula_1m). Rakitan kecil ini dipanaskan sampai 500C, yaitu diatas titik lebur indium tetapi dibawah titik lebur germanium, untuk menciptakan dua daerah-P. Daerah-P ini akan menjadi emitor dan kolektor dengan ruang-N tipis yang membentuk daerah basis. Kemudian kabel-kabel disambungkan dengan disolder atau dilas, dan transistor disimpan rapat dalam kaleng.