Samaun Samadikun

Prof. Samaun Samadikun menjadi mahasiswa Jurusan Teknik Elektro di ITB pada awal tahun 1950an dan lulus sebagai insinyur. Ia kemudian memperoleh gelar M.Sc. (1957) dan Ph.D. (1971) di bidang teknik elektro dari Universitas Stanford di Amerika Serikat. Ia juga memperoleh Postgraduate Diploma bidang Nuclear Engineering dari Queen Mary, Universitas London (1960). Di Universitas Stanford pada tahun 1975, bersama K.D Wise, Prof. Samaun menciptakan paten, US Patent No 3,888,708 yang bertajuk, ""Method for forming regions of predetermined thickness in silicon"".