Leo Esaki

Esaki dilahirkan di Osaka, Jepang, dan belajar ilmu Fisika di Universitas Tokyo,
serta berhasil mendapatkan gelar Sarjana pada tahun 1947, kemudian gelar PhD pada tahun 1959.
Hasil penemuan diode yang merupakan elemen dasar dari transistor dan sirkuit terintegrasi (IC chip) ini merupakan hasil riset yang dia lakukan pada tahun
1958 mengenai terobosan elektron di dalam benda padat. Pada tahun 1960, Esaki
pindah ke Amerika Serikat dan bergabung dengan perusahaan IBM T.J. Watson Research
Center, sampai akhirnya dia mendapatkan predikat dan status sebagai IBM Fellow pada tahun 1967.