Transistor efek medan sambungan

JFET telah diramalkan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun 1925 dan pertengahan tahun 1930-an, teori operasinya telah cukup untuk mendapatkan paten. Tetapi, pada waktu itu tidak mungkin untuk membuat kristal terkotori dengan ketelitian yang cukup untuk menunjukkan efek JFET. Pada tahun 1947, peneliti John Bardeen, Walter Houser Brattain, dan William Shockley mencoba untuk membuat JFET ketika mereka menemukan transistor titik kontak. JFET praktis pertama dibuat beberapa tahun kemudian.
JFET adalah sebuah bahan semikonduktor yang cukup panjang, dikotori untuk mendapatkan muatan listrik positif (tipe-p) atau negatif (tipe-n) yang melimpah. Koneksi pada setiap ujung semikonduktor membentuk sumber dan cerat. Saluran gerbang mempunyai pengotoran yang berlawanan dengan kanal yang mengelilinginya, jadi terbentuk pertemuan p-n pada antarmuka. Saluran yang menghubungkan keluar biasanya dibuat ohmik.