Transistor memori

"Memory Transistor" bekerja dengan cara menerapkan arus listrik untuk memindahkan posisi atom pada sebuah lapisan film titanium dioksida super tipis. Perpindahan atom tersebut, meski hanya pada skala nanometer, akan mengubah tahanan atau resistansi dari media tersebut. Perubahan resistensi itulah yang dapat menghasilkan pola digital 0 atau 1 ("on" atau "off") maupun pola analog untuk membentuk komponen penyimpanan maupun pengolahan data.