Transistor efek medan peka-ion

Sumber dan cerat pada ISFET dikonstruksi seperti pada MOSFET. Biasanya bahan gerbang adalah Silikon nitrit (SiN), Aluminium oksida (AlO) dan Tantalum oksida (TaO). Elektroda gerbang dipisahkan dari kanal oleh sebuah penghalang yang sensitif terhadap ion hidrogen dan sebuah celah untuk memungkinkan larutan yang diukur untuk berhubungan dengan penghalang peka-ion.