Teori VSEPR

Contoh lainnya adalah O(SiH) dengan sudut Si-O-Si 144,1°. Hal ini berbeda dengan sudut pada ClO yang sebesar 110,9°, (CH)O 111.7°, dan N(CH) 110,9°. Gillespies mengajukan bahwa terdapat lokalisasi pasangan menyendiri, sehingga kemampuan pasangan menyendiri tersebut untuk menolak pasangan elektron lainnya akan menjadi sangat kuat ketika ligannya memiliki elektronegativitas yang sama ataupun lebih kuat daripada atom pusat. Ketika atom pusat lebih elektronegatif, seperti pada O(SiH), pasangan menyendirinya akan kurang terlokalisasi, sehingga memiliki gaya tolakan yang lebih lemah. Kombinasi efek ini dengan gaya tolak antar ligan akan menyebabkan sudut ikat Si-O-Si lebih besar daripada yang diprediksi.