Transistor efek medan semikonduktor-logam

MESFET berbeda dari FET gerbang terisolasi konvensional karena tidak ada isolator di bawah gerbang pada daerah pensakelaran aktif. Ini menunjukan bahwa gerbang MESFET harus dipanjar sedemikian hingga tidak ada diode semikonduktor logam yang menghantar maju melainkan zona pemiskinan terpanjar mundur yang mengendalikan kanal yang ada. Walaupun pembatasan ini menghalangi beberapa kemungkinan penggunaan, peranti MESFET analog dan digital bekerja dengan baik jika ditahan pada batas desain. Aspek paling kritis dari desain adalah logam gerbang yang merentang selama daerah pensakelaran. Pada dasarnya, semakin sempit kanal pembawa termodulasi gerbang, semakin baik kemampuan penanganan frekuensi. Memisahkan sumber dengan cerat sesuai dengan gerbang dan rentangan kesamping gerbang adalah penting walaupun bukan merupakan parameter desain yang kritis. Kemampuan penanganan arus MESFET membaik saat gerbang memanjang ke samping, menjaga daerah aktif tetap konstan, tetapi dibatasi oleh geseran fase di sepanjang gerbang dikarenakan efek jalur transmisi. Sebagai hasilnya, hampir semua MESFET menggunakan lapisan atas berupa logam resistansi rendah pada gerbang, seringkali menghasilkan bentuk seperti jamur pada irisan vertikal.
Beberapa kemungkinan penggunaan MESFET telah dijajaki untuk berbagai jenis sistem semikonduktor. Beberapa penggunaan utama adalah: