Mobile DDR: Samsung K4X2G323PD-8GD8
**移动DDR**（英文：**Mobile DDR**）（也称**MDDR**、**Low Power DDR**或**LPDDR**）是DDR SDRAM的一種，專門用於移動式電子產品，例如智能電話等。

DDR内存从DDR、DDR2、DDR3发展到DDR4，频率不断升高、电压不断降低，但反應時間不断变大。如今的DDR4内存最重要的使命是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚可提供2Gbps（256MB/s）的带宽，拥有4266MT/s的频率，内存容量最大可达128GB，运行电压正常可降至1.1V~1.2V。

相对于DDR内存，MDDR具有低功耗、高可靠性的特点，目前韩国三星电子与美光科技（Micron Technology）等公司已掌握该项技术。

MDDR的运行电压（工作电压）低于DDR的标准电压，从第一代LPDDR到如今的LPDDR4，每一代LPDDR都使内部读取速度和外部传输速度加倍。如今的LPDDR4可提供32Gbps的带宽，输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps，电压降到了1.1V。

LPDDR2
------

一个新的JEDEC标准JESD209-2F （页面存档备份，存于）定义了low-power DDR介面标准。它与DDR1或DDR2 SDRAM并不兼容，但类似：

* LPDDR2-S2: 2n prefetch memory (像 DDR1)，
* LPDDR2-S4: 4n prefetch memory (像 DDR2)，或是
* LPDDR2-N: 非易失性（NAND）内存。

低功耗狀態基本相似，LPDDR，一些額外的部分陣列更新選項。

LPDDR2 命令编码| CK | CA0(RAS) | CA1(CAS) | CA2(WE) | CA3 | CA4 | CA5 | CA6 | CA7 | CA8 | CA9 | 操作 |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| ↑ | **H** | **H** | **H** | — | NOP |
| ↓ | — |
| ↑ | **H** | **H** | **L** | **H** | **H** | — | 預先充電所有的 banks |
| ↓ | — |
| ↑ | **H** | **H** | **L** | **H** | **L** | — | BA2 | BA1 | BA0 | 預先充電一個 bank |
| ↓ | — |
| ↑ | **H** | **H** | **L** | **H** | A30 | A31 | A32 | BA2 | BA1 | BA0 | Preactive(LPDDR2-N only) |
| ↓ | A20 | A21 | A22 | A23 | A24 | A25 | A26 | A27 | A28 | A29 |
| ↑ | **H** | **H** | **L** | **L** | — | 突發中止 |
| ↓ | — |
| ↑ | **H** | **L** | **H** | *reserved* | C1 | C2 | BA2 | BA1 | BA0 | 讀(AP=auto-precharge) |
| ↓ | AP | C3 | C4 | C5 | C6 | C7 | C8 | C9 | C10 | C11 |
| ↑ | **H** | **L** | **L** | *reserved* | C1 | C2 | BA2 | BA1 | BA0 | 寫(AP=auto-precharge) |
| ↓ | AP | C3 | C4 | C5 | C6 | C7 | C8 | C9 | C10 | C11 |
| ↑ | **L** | **H** | R8 | R9 | R10 | R11 | R12 | BA2 | BA1 | BA0 | 激活(R0–14=Row address) |
| ↓ | R0 | R1 | R2 | R3 | R4 | R5 | R6 | R7 | R13 | R14 |
| ↑ | **L** | **H** | A15 | A16 | A17 | A18 | A19 | BA2 | BA1 | BA0 | 激活(LPDDR2-N only) |
| ↓ | A5 | A6 | A7 | A8 | A9 | A10 | A11 | A12 | A13 | A14 |
| ↑ | **L** | **L** | **H** | **H** | — | 更新所有的 banks(LPDDR2-Sx only) |
| ↓ | — |
| ↑ | **L** | **L** | **H** | **L** | — | 更新一個 bank(Round-robin addressing) |
| ↓ | — |
| ↑ | **L** | **L** | **L** | **H** | MA0 | MA1 | MA2 | MA3 | MA4 | MA5 | Mode register read(MA0–7=Address) |
| ↓ | MA6 | MA7 | — |
| ↑ | **L** | **L** | **L** | **L** | MA0 | MA1 | MA2 | MA3 | MA4 | MA5 | Mode register write(OP0–7=Data) |
| ↓ | MA6 | MA7 | OP0 | OP1 | OP2 | OP3 | OP4 | OP5 | OP6 | OP7 |

列位址（Column address）C0 bit從未轉讓，並假定為零。 突發傳輸（Burst transfers）從而始終在偶數地址開始。

LPDDR2也有一個低電平有效的chip select（高時，一切都是NOP）和時鐘（clock）開啟CKE信號，操作像SDRAM。

* 如果晶片被激活（active），它凍結（freeze）到位。
* 如果該命令是一個NOP（CS低或CA0 - 2 = HHH），晶片空閒。
* 如果該命令是一個更新命令（CA0 - 2 = LLH），晶片進入自更新狀態。
* 如果該命令是一個突發終止（CA0 - 2 = HHL），晶片進入深斷電狀態。 （完全復位序列時，需要離開。）

LPDDR3
------

2012年5月，JEDEC固態技術協會公佈JESD209-3低功耗記憶裝置標準。比起LPDDR2，LPDDR3提供更高的數據傳輸速率、更高的頻寬與功率效率。LPDDR3可達到1600 MT/s的數據傳輸速率，並利用關鍵的新技術write-leveling、command/address training、選擇性ODT（On Die Termination）與低I/O電容。LPDDR3支援PoP封裝（package-on-package）與離散封裝兩種形式。

LPDDR4
------

2013年3月14日，JEDEC固態技術協會舉辦會議，探討未來移動裝置的新標準，如LPDDR4。

### LPDDR4X

三星電子提出最新的LPDDR4標準，与LPDDR4相同，只是透過将I / O电压降低到0.6 V而不是1.1 V来节省额外的功耗，也就是更省电。

LPDDR5
------

2017年，JEDEC固態技術協會正在研究LP-DDR5記憶裝置標準。儘管負責制定記憶體標準的JEDEC固態技術協會尚未發表LPDDR5的正式規格，但三星已經完成8Gbit LPDDR5模組原型的功能測試與驗證。

JEDEC於2019年2月19日發布了JESD209-5，低功耗雙倍數據速率5（LPDDR5）標準。

### LPDDR5X

2021年7月28日，JEDEC發布了JESD209-5B，低功耗雙倍數據速率5 (LPDDR5)。JESD209-5B包括對LPDDR5標準的更新，專注於提高性能、功耗和靈活性，以及新的LPDDR5X標準，這是對LPDDR5的可選擴展。

2021年11月9日，三星宣佈公司已開發出業界首款LPDDR5x DRAM。基於14納米的16GB LPDDR5X DRAM解決方案，不僅具有1.3倍以上的數據傳輸速率、功耗還降低了將近20%。

2021年11月22日， 美光科技宣佈，聯發科技已率先驗證美光LPDDR5X DRAM，並將用於其為智能手機打造的全新天璣9000 5G旗艦晶片組。

注釋
--

1. ↑   (PDF), JEDEC Solid State Technology Association, February 2010  [2010-12-30], （原始内容存档 (PDF)于2012-03-04）
2. ↑  Frumusanu, Andrei.. Anandtech.com. 2021-11-09  [2021-11-09]. （原始内容存档于2022-11-29）.
3. ↑ .  [2022-11-29]. （原始内容存档于2022-11-15）.

外部連結
----

* Samsung （页面存档备份，存于）
* Micron
* Elpida

|  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |  |
| --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- | --- |
| 

| * 
* 论
* 编
動態隨機存取記憶體（DRAM） |
| --- |
|  |
| 異步 | FPM RAM · EDO RAM |
|  |
| 同步 | 
* SDRAM
* 快速周期DRAM（FCRAM）
* RLDRAM（英语：）
* DDR SDRAM
* Mobile DDR（LPDDR）
* DDR2 SDRAM
* DDR3 SDRAM
* DDR4 SDRAM
* DDR5 SDRAM
* 高带宽内存

 |
|  |
|  | LPDDR · LPDDR2 · LPDDR3 · LPDDR4 · LPDDR5 |
|  |
| 繪圖處理 | 
* VRAM
* WRAM
* MDRAM
* SGRAM
* DDR2 SDRAM
* GDDR
* GDDR2
* GDDR3
* GDDR4
* GDDR5
* GDDR6

 |
|  |
| Rambus | 
* RDRAM
* XDR DRAM
* XDR2 DRAM（英语：）

 |
|  |
| 技術 | 
* 記憶體管理
* 記憶體控制器
* 雙通道
* 多通道記憶體技術
* 双倍数据速率

 |
|  |
| 内存模块 | 
* SIMM
* DIMM
* SO-DIMM
* UniDIMM（英语：）

 |

 |