**六氟化钨**为氟与钨形成的无机化合物，化学式WF6。它是无色、有毒、具腐蚀性的气体，密度约为13 g/L，是空气密度的约11倍，也是密度最大的气体之一。半导体器件制造行业通常用WF6的化学气相沉积来形成钨膜。这一层膜用于低电阻率的金属互联。它是十七种已知的二元六氟化物之一。

结构
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WF6分子是八面体形的，空间对称群 Oh。它的W–F键长为6990183199999999999♠183.2 pm。 在2.3到17 °C之间，六氟化钨会凝聚成浅黄色液体，密度7003344000000000000♠3.44 g/cm3（7002288150000000000♠15 °C）。在7002275450000000000♠2.3 °C以下时，它会凝固成立方晶系的白色固体，晶格参数628 pm，计算的密度为7003399000000000000♠3.99 g/cm3。在7002264149999999999♠−9 °C以下，六氟化钨晶体会变成正交晶系，晶格参数*a* = 6990960299999999999♠960.3 pm、*b* = 6990871300000000000♠871.3 pm和*c* = 6990504399999999999♠504.4 pm，密度为7003456000000000000♠4.56 g/cm3。在这个相态下，W–F键长为181 pm，平均最接近的分子间距离是6990312000000000000♠312 pm。WF6气体是已知密度最高的气体之一，甚至比氡（9.73 g/L）还高。液态和固态WF6的密度中等。 WF6在-70到17 °C下的蒸汽压可以通过以下方程描述：

log10 *P* = 4.55569 − 1021.208/ *T* + 208.45,
其中*P* = 蒸汽压（巴），*T* = 温度（°C）。

制备
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六氟化钨通常是由氟气和钨粉在350至400 °C下直接反应而成的：

W + 3 F2 → WF6
反应产生的气态产物通过蒸馏与常见的杂质WOF4分离。在直接氟化的一种变体中，将金属置于加热的反应器中，略微加压至1.2至2.0 psi（8.3至13.8 kPa），把恒定流量的WF6注入到少量氟气中。

反应中的氟气可以被替换成ClF、ClF  
3或BrF  
3。另一种制备六氟化钨的方法是三氧化钨（WO3）和HF、 BrF3或SF4的反应。六氟化钨也可以从六氯化钨开始合成：

WCl6 + 6 HF → WF6 + 6 HCl
WCl6 + 2 AsF3 → WF6 + 2 AsCl3
WCl6 + 3 SbF5 → WF6 + 3 SbF3Cl2

反应
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六氟化钨会和水反应，形成氢氟酸（HF）和钨的氟氧化物，最终形成三氧化钨：

WF6 + 3 H2O → WO3 + 6 HF
WF6并不是一种有用的氟化剂，也不是强氧化剂。它可以被还原成黄色的WF4。

应用
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六氟化钨主要应用于半导体工业的化学气相沉积工艺中，以沉积钨金属。1980年代和1990年代该行业的扩张导致WF6的消费量增加，全球每年的消费量仍保持在200吨左右。钨金属因其相对较高的热稳定性和化学稳定性，以及低电阻（5.6 µΩ·cm）和电迁移而具有吸引力。由于WF6有较高的蒸气压，导致较高的沉积速率，因此优于如WCl6或WBr6的相关化合物。自1967年以来已经开发并采用了两条WF6的沉积路线，即热分解和用氢气还原。这个工艺需要的WF6气体纯度很高。根据应用的不同，六氟化钨需要的纯度在99.98%和99.9995%之间变化。

在化学气相沉积中，WF6分子需要分解，通常通过与氢气、甲硅烷、甲锗烷、乙硼烷、磷化氢和相关的含氢气体混合促进分解。

### 硅

WF6会和硅基质反应。WF6在硅上的分解反应依赖于温度：

2 WF6 + 3 Si → 2 W + 3 SiF4 （低于400 °C）
WF6 + 3 Si → W + 3 SiF2 （高于400 °C）
这种依赖性至关重要，因为在较高温度下消耗的硅是低温下的两倍。钨的沉积仅选择性地发生在纯硅上，在氧化硅或氮化硅上则不能，因此该反应对污染或基板预处理高度敏感。这条分解反应较快，但当钨层厚度达到10–15微米就饱和了。这是因为钨层阻止了WF6分子扩散到硅基质，而硅是该过程中分子分解的唯一催化剂。

如果分解反应不是在惰性环境，而是在含氧环境中发生，产生的层就会是氧化钨，而不是金属钨。

### 氢气

六氟化钨和氢气的沉积过程在300到800 °C下发生，并产生氟化氢气体：

WF6 + 3 H2 → W + 6 HF
产生的钨层的结晶度可以通过改变WF6/H2混合物的比例和基质温度来控制。低WF6/H2比率和温度可以形成(100)定向的钨微晶，而较高的比例和温度有利于形成(111)定向。这个沉积过程的缺点是会形成具有强腐蚀性的HF蒸气，会腐蚀掉大多数材料。此外，沉积的钨与二氧化硅的粘附性较差，而二氧化硅是半导体电子产品中的主要钝化材料。因此，SiO2在钨沉积之前必须用额外的缓冲层覆盖。另一方面，HF的蚀刻可能有利于去除不需要的杂质层。

### 甲硅烷和甲锗烷

用WF6/SiH4混合物沉积钨的特征是高速、良好的附着力和平整度。它的缺点是可能会爆炸，而且沉积速率和形态对工艺参数（例如混合物比例、基质温度等）高度敏感。因此，甲硅烷通常用于创建薄的钨层。然后将还原剂切换为氢气，这会减慢沉积速度并清理该层。

WF6/GeH4混合物的沉积类似WF6/SiH4，但其中的钨层会有10–15%的锗。这会使钨的电阻从5 µΩ·cm增加到200 µΩ·cm。

危险性
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六氟化钨是腐蚀性极强的化合物，会攻击任何组织。WF6和湿气反应会产生氢氟酸，所以WF6的储存容器有聚四氟乙烯垫圈。

参考文献
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* 论
* 编
**钨化合物** |
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| H2WO4 |  |  |  | He |
| LiWF6Li2WO4 | Be | W2B5 | WC | WN2WO2(NO3)2(NH4)10(H2W12O42)(NH4)2WS4(NH4)2WSe4 | W2O3WO2W2O5WO3 | WF5WF6WOF4 | Ne |
| Na2WO4 | MgWO4 | Al | WSi2H4W12SiO40 | H3PW12O40 | WS2 | WCl2WCl3WCl4W2Cl10WCl6WOCl4WO2Cl2 | Ar |
| K2WO4 | CaWO4 | Sc | Ti | V | Cr | MnWO4 | FeWO4 | CoWO4 | NiWO4 | CuWO4 | ZnWO4 | Ga | Ge | WAs2 | WSe2 | WBr5WBr6WOBr4WO2Br2 | Kr |
| Rb | SrWO4 | Y | Zr(WO4)2 | Nb | Mo | Tc | Ru | Rh | Pd | Ag2WO4 | CdWO4 | In | Sn | Sb | WTe2 | WI2WI3WI4WO2I2 | Xe |
| Cs2WO4 | BaWO4 | 镧系 | Hf | Ta | W | Re | Os | Ir | Pt | Au | Hg | Tl | PbWO4 | Bi2(WO4)3 | Po | At | Rn |
| Fr | Ra | 锕系 | Rf | Db | Sg | Bh | Hs | Mt | Ds | Rg | Cn | Nh | Fl | Mc | Lv | Ts | Og |
|  |  | ↓ |  |  |
| 镧系 | La2(WO4)3 | Ce | Pr | Nd | Pm | Sm | Eu | Gd | Tb | Dy | Ho | Er | Tm | Yb | Lu |
| 锕系 | Ac | Th | Pa | U | Np | Pu | Am | Cm | Bk | Cf | Es | Fm | Md | No | Lr |

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| 有机钨化合物 | W(CO)6 · W(CH3)6 · (C5H5)2W2(CO)6 · W2(hpp)4（英语：） · (CO)3CpWHgWCp(CO)3 · C19H24NO5PSi2W · C24H54O6W2 |

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| * 
* 论
* 编
六氟化物 |
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| 已知的六氟化物 | 

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| 氧族元素六氟化物 | 
* SF6
* SeF6
* TeF6
* PoF6

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|  |
| 稀有气体六氟化物 | 
* XeF6

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|  |
| 过渡金属六氟化物 | 
* MoF6
* TcF6
* RuF6
* RhF6
* WF6
* ReF6
* OsF6
* IrF6
* PtF6

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|  |
| 锕系元素六氟化物 | 
* UF6
* NpF6
* PuF6

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|  |
| 理论上存在的六氟化物 | 
* KrF6
* RnF6
* CrF6
* PdF6
* AmF6
* CmF6

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