**舒勃尼科夫-德哈斯效应**（Shubnikov–de Haas effect、SdH）是指在低温和强磁场条件下，材料的电导率随磁场变化出现振荡的现象，最初由万德尔·德哈斯和列夫·舒勃尼科夫于1930年发表。舒勃尼科夫-德哈斯效应是物质内在的量子力学性质在宏观上的一种表现。舒勃尼科夫-德哈斯效应也常常被用于确定载流子的有效质量。

概述
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在低温和强磁场条件下，位于导带的自由电子的运动模式类似于简谐振子。若磁场强度发生变化，简谐振子的振荡周期也会随之变化，产生的能谱由朗道能级构成。这些朗道能级会进一步分裂成塞曼能级。每一朗道能级内的共振能量、塞曼能量和电子态的数量（eB/h）都会随磁场的增大而增大。当某一能级高于费米能，位于此能级的电子开始自由流动，造成材料的电输运性质和热力学性质产生周期性的振荡，其中电导率的振荡即为舒勃尼科夫-德哈斯效应。

理论
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二维电子气中的边缘通道（edge channels）
对于盒中的二维电子气体（英语：），在有磁场的条件下，系统的能量特征值可用朗道能级来描述。如右图所示，每一能级在中央区域都较为平坦，而在边缘区域都向上弯曲。

若费米能 EF 位于图一所示的两个朗道能级之间（红色虚线），电子在材料内部的散射只发生在边缘部分。对应的电子态常被称作"边缘通道（edge channels）"。

Landauer-Büttiker 理论（弹道输运）可用于描述此类电子输运。运用 Landauer-Büttiker 理论可计算多个接触点 1 ≤ m ≤ n 之间的净电流 Im。若化学势为 µm，则


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| {\displaystyle I\_{m}=2{\frac {e\cdot i}{h}}\left(\mu \_{m}-\sum \_{l\neq m}T\_{ml}\mu \_{l}\right)} | 

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 | **(**1**)** |

其中 *e* 为基本电荷，h 为普朗克常数，i 表示边缘通道的数量。矩阵 Tml 表示从一个不为 m 的接触点 l 传输一个电子到接触点 m 的概率。净电流 Im 在 (**1**) 式中由进入接触点 m 的电流和从接触点 m 传导至所有其他接触点 l ≠ m 的电流构成。

应用
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舒勃尼科夫-德哈斯效应可以用于确定样品的二维电子密度。对于给定的磁通量 \Phi ，每一朗道能级上自旋 S = 1/2 的电子的极大值 D 为：


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| {\displaystyle D=\left(2S+1\right){\frac {\Phi }{\Phi \_{0}}}=2{\frac {\Phi }{\Phi \_{0}}}} | 

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 | **(**2**)** |

代入磁通量量子表达式 Φ0 = h ⁄ *2e*，以及磁通量 Φ = B ∙ A，式 (**2**) 化为：

{\displaystyle D=2{\frac {e\cdot B\cdot A}{h}}}
令 N 为单位面积上状态数量的最大值，则 D = N ∙ A 且

{\displaystyle N=2{\frac {e\cdot B}{h}}}
对于给定的 i 个边缘通道，且每一个边缘通道都在单位面积内被 N 个电子填满，单位面积内的总电子数 n 为

{\displaystyle n=i\cdot N=2\cdot i\cdot {\frac {e\cdot B}{h}}}
单位面积内的总电子数 n 常被当作样品的电子密度。另外，

{\displaystyle B\_{i}={\frac {n\cdot h}{2\cdot e\cdot i}}}
高掺杂Bi2Se3中测量到的舒勃尼科夫-德哈斯最小值点关于其对应的磁通量密度的倒数 1/Bi 呈线性相关。

  

{\displaystyle {\frac {1}{B\_{i}}}={\frac {2\cdot e\cdot i}{n\cdot h}}}

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| {\displaystyle \Delta \left({\frac {1}{B}}\right)={\frac {1}{B\_{i+1}}}-{\frac {1}{B\_{i}}}={\frac {2\cdot e}{n\cdot h}}} | 

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 | **(**3**)** |

对于给定的样品，式 (**3**) 右侧的物理量均为常数。若绘制边缘通道 i 关于其对应的磁通量密度的倒数 1/Bi，可得一条斜率为 {\displaystyle {\frac {2\cdot e}{n\cdot h}}} 的直线，由斜率可计算样品的电子密度 n。例如，右图中测量了高掺杂的Bi2Se3的舒勃尼科夫-德哈斯效应，并对得到的数据点进行线性拟合。根据所得的斜率 0.00618/T，可计算此样品的电子密度

{\displaystyle n={\frac {2\cdot e}{0.00618/\mathrm {T} \cdot h}}\approx 7.82\cdot 10^{14}/\mathrm {m} ^{2}}
另外，通过施加不同方向的磁场并测量振荡周期，舒勃尼科夫-德哈斯效应还能用于构建样品电子费米面的图像。

相关物理效应
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* 德哈斯-范阿尔芬效应
* 磁阻效应

参考资料
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1. ↑  SCHUBNIKOW, L.; DE HAAS, W. J.. Nature. 1930-10-04, **126** (3179): 500–500. doi:10.1038/126500a0.
2. ↑  Cao, Helin; Tian, Jifa; Miotkowski, Ireneusz; Shen, Tian; Hu, Jiuning; Qiao, Shan; Chen, Yong P.. Physical Review Letters. 2012, **108**: 216803. Bibcode:2012PhRvL.108u6803C. PMID 23003290. doi:10.1103/PhysRevLett.108.216803.

延伸阅读
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* Schubnikow, L.; de Haas, W.J.  [Magnetic resistance increase in single crystals of bismuth at low temperatures] (PDF). Proceedings of the Royal Netherlands Academy of Arts and Science. 1930, **33**: 130–133  [2018-04-12]. （原始内容 (PDF)存档于2018-04-13） （德语）.
* Schubnikow, L.; de Haas, W.J.  [New phenomena in the change in resistance of bismuth crystals in a magnetic field at the temperature of liquid hydrogen (I)] (PDF). Proceedings of the Royal Netherlands Academy of Arts and Science. 1930, **33**: 363–378  [2018-04-12]. （原始内容 (PDF)存档于2019-06-05）.
* Schubnikow, L.; de Haas, W.J.  (PDF). Proceedings of the Royal Netherlands Academy of Arts and Science. 1930, **33**: 418–432  [2018-04-12]. （原始内容 (PDF)存档于2016-12-26）.
* Schubnikow, L.; de Haas, W.J.  [The change in resistance of bismuth crystals in a magnetic field at the temperature of liquid nitrogen] (PDF). Proceedings of the Royal Netherlands Academy of Arts and Science. 1930, **33**: 433–439  [2018-04-12]. （原始内容 (PDF)存档于2016-12-26）.

外部链接
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* 本条目部分内容来自美国政府机构网站：Shubnikov effect on Lang.gov （页面存档备份，存于）.
* Material behavior in strong magnetic fields