| 類型 |
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| RAM |
| * DRAM（例如DDR SDRAM）
* SRAM
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发展中 |
| * 可控硅随机存储器（英语：）
* Z-RAM
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历史上 |
| * 威廉姆斯管（1946－47年）
* 延迟线存储器（1947年）
* 选数管（1953年）
* 冷阴极计数管
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|  |
| ROM |
| * Mask ROM（英语：）
* PROM
* EPROM
* EEPROM
* 闪存
* 固态存储
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| 非揮發性隨機存取記憶體（英语：） |
| * RRAM
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早期 |
| * nvSRAM（英语：）
* FeRAM
* MRAM
* PRAM
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磁式 |
| * 磁带
* 硬盘
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光學式 |
| * 光盘驱动器
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| 
发展中 |
| * 3D XPoint
* CBRAM
* SONOS
* 賽道記憶體
* NRAM
* Millipede
* FJG RAM（英语：）
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| 
历史上 |
| * 纸张数据存储（英语：）（1725年）
* 磁鼓存储器（1932年）
* 磁芯記憶體（1949年）
* 磁镀线存储器（1957年）
* Core rope memory（英语：）（1960年代）
* 薄膜存储器（英语：）（1962年）
* 磁扭线存储器（~1968年）
* 磁泡存储器（~1970年）
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| * 
* 论
* 编
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**第五版圖形用雙倍資料傳輸率**記憶體（**G**raphics **D**ouble **D**ata **R**ate, version **5**，簡稱**GDDR5**），是一種高性能顯示卡使用的同步動態隨機存取記憶體，专为高带宽需求电脑应用所设计。由AMD、SK Hynix、三星電子、NVIDIA、JEDEC等聯合制定，取代GDDR3以及GDDR4顯示記憶體。

技術細節
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GDDR5和GDDR4一樣基於DDR3 SDRAM改造而來，基本記憶體架構和DDR3相若，記憶體預取也是相同的8n設定。所謂的「預取」，即記憶體晶片內部的記憶體陣列傳輸率與輸出/輸入（I/O）存取傳輸率的比值，「8n」代表I/O緩衝區一次讀取記憶體陣列中8位元的資料，提升記憶體外部的傳輸速度。

GDDR5為了增大頻寬並降低延時，避免出現GDDR4那樣高頻寬但高延時的情況，與DDR3相比，GDDR5顯示記憶體使用了DQ并行双数据总线，相当于提供了在GDDR3的基础上多加了一条通道，而GDDR3顯示記憶體、DDR3記憶體却只有一条通道；另外，GDDR5採用時脈分離的設計，位址與命令匯流排採用其中一組時脈信號，而資料匯流排則採用另外獨立的一組，且為位址與命令匯流排時脈的兩倍。所以GDDR5的理論速度可达DDR3的四倍、GDDR3/GDDR4的兩倍，5GT/s以上的高傳輸率（亦即坊間所謂的5GHz高頻）變成可能，透過高頻率有可能使一款128bit的顯卡性能超過DDR3的256bit顯卡。。

相比GDDR3或GDDR4顯示記憶體而言工作电压從1.8V降為电压仅有1.5V，还具有新电源管理技术，功耗更低。且GDDR3使用的为80nm制程，而GDDR5为55nm，制程的提高使相同容量芯片的体积缩小，發熱量也可以低许多。

一般GDDR5需搭配PCI-E以上規格的顯卡才有支援。但Sony新一代家庭游戏机PlayStation 4也使用了GDDR5，其搭載由AMD定制的APU，配合HSA，可直接使用GDDR5作為資料存取使用。

### 頻率

廠商標示的是數據頻率，數據頻率相等於運作頻率的4倍。6000MHz GDDR5的實際運作頻率是1500MHz。DDR記億體會於一個時鐘周期內的上升期和下降期各傳輸一次數據，DQ并行双总线也令數據傳輸量倍增。

下一代接替品
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2011年早期有消息指出，DDR4 SDRAM記憶體問世後，將會有基於DDR4標準的GDDR6顯示記憶體標準，亦即「**第六版圖形用雙倍資料傳輸率**」（Graphics Double Data Rate, version 6，簡稱GDDR6），將由AMD與JEDEC於2012年合作制定，除此以外還有NVIDIA、Intel、高通、德州仪器、Cisco等資訊企業參與該標準的制定。該標準或基於DDR4 SDRAM，與基於DDR3 SDRAM的GDDR5將有不少技術差異。

儘管有不少消息稱該標準將於2014年完成，實際產品將會到2020年會大規模使用。然而，至2015年4月為止JEDEC以及其相關合作夥伴仍未公佈任何關於GDDR6的相關資訊。直到2015年4月為止，NVIDIA所發售的GeForce 900系列顯示核心仍然使用GDDR5顯示記憶體，但等效時脈提升至7,010MHz上下；而AMD則是公佈了HBM堆疊式顯示記憶體技術，2015年6月，AMD發表Radeon Rx 300系列有搭載HBM技術的顯示卡。

HBM比起GDDR5擁有更高的頻寬和位元，每一顆HBM記憶體就高達1024位元，時脈只有500MHz左右，電壓也比GDDR5低，還能縮小記憶體顆粒佈置空間，不過製造困難成本也高，所以供應量非常少。因HBM產量低而且成本高昂，此時再有GDDR6顯示記憶體將接替GDDR5的消息流出。

在HBM發佈之後，HBM 2也成功開發出來，記憶體位元提升至兩倍。

美光科技於2015年10月宣布成功開發出GDDR5X，比GDDR5更高、逼近現時HBM的頻寬速度（於記憶體匯流排維持256位元、等效時脈14GHz的條件下，至少可擁有448GB/s的頻寬）。目前已知GDDR5X相較於GDDR5的改變，在於記憶體預取從8n提升到16n、更低的運行電壓（和DDR3L相同的1.35V）、其餘部分與GDDR5的基本相同。NVIDIA Pascal架構的顯示核心，旗艦型號使用GDDR5X記憶體。

另见
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* 電腦裝置頻寬列表

外部連結
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* Introduction To GDDR5 SGRAM(by ELPIDA)
* Making Accurate Measurements on GDDR5 Memory Systems

参考文献
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1. 1 2 . techbang.com. techbang.com.  [2015-10-17]. （原始内容存档于2015-10-20）.
2. ↑  Register report （页面存档备份，存于）. Retrieved November 2, 2007.
3. ↑ . micron.com.  [2015-12-14]. （原始内容存档于2015-12-22）.
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5. ↑ .  [2015-04-08]. （原始内容存档于2015-04-02）.
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9. ↑  When should we expect GDDR6? （页面存档备份，存于） - Reddit（英文）
10. ↑ .  [2015年3月3日]. （原始内容存档于2015年4月2日）.
11. ↑ . techbang.com.  [2015-12-12]. （原始内容存档于2015-12-15）.
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13. ↑  bolvar.. expreview.com. ithome.com.  [2015-10-24]. （原始内容存档于2015-10-24）.

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* 论
* 编
動態隨機存取記憶體（DRAM） |
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|  |
| 異步 | FPM RAM · EDO RAM |
|  |
| 同步 | 
* SDRAM
* 快速周期DRAM（FCRAM）
* RLDRAM（英语：）
* DDR SDRAM
* Mobile DDR（LPDDR）
* DDR2 SDRAM
* DDR3 SDRAM
* DDR4 SDRAM
* DDR5 SDRAM
* 高带宽内存

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|  |
|  | LPDDR · LPDDR2 · LPDDR3 · LPDDR4 · LPDDR5 |
|  |
| 繪圖處理 | 
* VRAM
* WRAM
* MDRAM
* SGRAM
* DDR2 SDRAM
* GDDR
* GDDR2
* GDDR3
* GDDR4
* GDDR5
* GDDR6

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|  |
| Rambus | 
* RDRAM
* XDR DRAM
* XDR2 DRAM（英语：）

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|  |
| 技術 | 
* 記憶體管理
* 記憶體控制器
* 雙通道
* 多通道記憶體技術
* 双倍数据速率

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|  |
| 内存模块 | 
* SIMM
* DIMM
* SO-DIMM
* UniDIMM（英语：）

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