Միկրոշերտավոր գիծ
**Միկրոշերտավոր գիծ**, հաղորդչի շերտ, որը ամուր և կոշտ հարթակի վրա է գտնվում։ Հարթակը պատրաստված է համասեռ դիէլեկտրիկից, նրա արտաքին կողմը մետաղացված է և հողակցված։ Դաշտի կառուցվածքը գծում բավական բարդ է։ Դաշտը տեղակայված է ոչ միայն շերտի և մետաղացման միջև, այլ նաև շերտի վրա և շրջակա օդում։ Այդ պատճառով գծում ոչ թե ալիքի TEM-ն է, այլ քվազի-*TEM* մոդը։ Ցածր հաճախության դեպքում քվազի-*TEM* ալիքի տարածման վերլուծությունը բավարար ճշտություններ է տալիս, բայց հաճախության աճի հետ նկատելիորեն մեծանում են դաշտի երկայնական բաղադրիչները, արտահայտիչ է դառնում դիսպերսիան, այսինքն' գծի ալիքային դիմադրությունը և դիէլեկտրիկ թափանցելիությունը կախման մեջ են ընկնում հաճախականությունից։

Հիմնական բնութագրեր
-------------------

{\displaystyle Z\_{\textrm {Bf}}}-ն ալիքային դիմադրությունն է՝ հաշվի առնելով հաճախականային դիսպերսիան.
{\displaystyle Z\_{\textrm {Bf}}=Z\_{\textrm {Bs}}-{\frac {Z\_{\textrm {Bs}}-Z\_{\textrm {B}}}{1+G(f/f\_{\textrm {p}})^{2}}}}
որտեղ
{\displaystyle Z\_{\textrm {Bs}}} — {\displaystyle w} լայնությամբ և {\displaystyle 2h} բարձրությամբ ժապավենի ալիքային դիմադրությունն է
{\displaystyle f\_{\textrm {p}}=0,3976Z\_{\textrm {B}}/h} ԳՀց-ով,
h — տակդիրի բարձրությունն է, f-ը ԳՀց-ով է, իսկ h-ը՝ մմ-ով,
{\displaystyle G=\left({\frac {Z\_{\textrm {B}}-5}{60}}\right)^{1/2}+0,004Z\_{\textrm {B}}}
{\displaystyle Z\_{\textrm {B}}}-ն ալիքային դիմադրությունն է՝ անտեսելով դիսպերսիան,
{\displaystyle Z\_{\textrm {B}}}-ն մոտավոտապես, 2% ճշգրտությամբ, կարելի է որոշել հետևյալ բանաձևով՝
{\displaystyle Z\_{\textrm {B}}=\,\!{\begin{cases}{\frac {B\_{\textrm {k}}}{2\pi }}\mathrm {ln} \left({\frac {8h}{w\_{\textrm {eff}}}}+0,25{\frac {w\_{\textrm {eff}}}{h}}\right),{\frac {w\_{\textrm {eff}}}{h}}\leq 1\\B\_{\textrm {k}}\left({\frac {w\_{\textrm {eff}}}{h}}+1,393+0,667\mathrm {ln} \left({\frac {w\_{\textrm {eff}}}{h}}+1,444\right)\right)^{-1},{\frac {w\_{\textrm {eff}}}{h}}\geq 1\end{cases}},B\_{\textrm {k}}={\frac {z\_{0}}{\sqrt {\varepsilon \_{ref(t,f)}}}}}
որտեղ
{\displaystyle \varepsilon \_{reff}=\varepsilon \_{r}-{\frac {\varepsilon \_{r}-\varepsilon \_{reft}}{1+G(f/f\_{\textrm {p}})^{2}}}}-ը էֆեկտիվ դիէլեկտրիկական թափանցելիությունն է` հաշվի առնելով հաճախականային դիսպերսիան,
որտեղ
{\displaystyle \varepsilon \_{reft}}-ը էֆեկտիվ դիէլեկտրիկական թափանցելիությունն է՝ հաշվի առնելով հաղորդչի հաստությունը
{\displaystyle \varepsilon \_{reft}=\,\!{\begin{cases}\varepsilon \_{ref},{\frac {t}{h}}\leq 0,005\\\varepsilon \_{ref}-{\frac {(\varepsilon \_{r}-1)t/h}{4,6{\sqrt {w/h}}}},{\frac {t}{h}}>0,005\end{cases}}}
{\displaystyle \varepsilon \_{ref}}-ը էֆեկտիվ դիէլեկտրիկական թափանցելիությունն է։
{\displaystyle \varepsilon \_{ref}=\,\!{\begin{cases}{\frac {\varepsilon \_{r}+1}{2}}+{\frac {\varepsilon \_{r}-1}{2}}\left(1+{\frac {12h}{w}}\right)^{-1/2},{\frac {w}{h}}\geq 1\\{\frac {\varepsilon \_{r}+1}{2}}+{\frac {\varepsilon \_{r}-1}{2}}\left(\left(1+{\frac {12h}{w}}\right)^{-1/2}+0,041\left(1-{\frac {w}{h}}\right)^{2}\right),{\frac {w}{h}}<1\end{cases}}}
{\displaystyle \varepsilon \_{r}}-ը տակդիրի դիէլեկտրիկական թափանցելիությունն է,
{\displaystyle z\_{0}} — վակուումի բնութագրային դիմադրությունն է
{\displaystyle w\_{\textrm {eff}}}-ը՝ հաղորդչի էֆեկտիվ լայնությունը։
{\displaystyle w\_{\textrm {eff}}=\,\!{\begin{cases}w,(\Delta w=0),{\frac {t}{h}}\leq 0,005\\w+\Delta w,{\frac {t}{h}}>0,005\end{cases}},{\frac {w\_{\textrm {eff}}}{h}}={\frac {w}{h}}+{\frac {\Delta w}{h}}}
{\displaystyle {\frac {\Delta w}{h}}=\,\!{\begin{cases}A\_{\textrm {k}}\left(1+\mathrm {ln} {\frac {4\pi w}{t}}\right),{\frac {w}{h}}<{\frac {1}{2\pi }}\\A\_{\textrm {k}}\left(1+\mathrm {ln} {\frac {2h}{t}}\right),{\frac {w}{h}}\geq {\frac {1}{2\pi }}\end{cases}},A\_{\textrm {k}}={\frac {1,25t}{\pi h}}}
որտեղ {\displaystyle w}-ն հաղորդչի լայնությունն է,
t-ն՝ ժապավենի հաստությունը։

Մարման գործակիցը միավոր երկարության վրա (գծային մարում)
-------------------------------------------------------

Մարման գործակիցը միավոր երկարության վրա չափվում է դԲ/մ-ով՝

{\displaystyle \alpha =\alpha \_{\partial }+\alpha \_{\pi {\textrm {p}}}}
որտեղ

* {\displaystyle \alpha \_{\partial }}-ն կորուստներն են դիէլեկտրիկում՝

{\displaystyle \alpha \_{\partial }={\frac {27,3\varepsilon \_{r}}{(\varepsilon \_{r}-1)}}{\frac {(\varepsilon \_{reff}-1)}{\sqrt {\varepsilon \_{reff}}}}{\frac {\operatorname {tg} \delta }{\lambda \_{0}}}},
որտեղ

{\displaystyle \operatorname {tg} \delta }-ը դիէլեկտրիկի կորուստների անկյան տանգենսն է,
{\displaystyle \lambda \_{0}}-ն՝ ալիքի երկարությունը վակուումում,
{\displaystyle \alpha \_{\pi {\textrm {p}}}}-ն՝ կորուստները հաղորդչում։

Նշումներ
--------

1. ↑  Ալիքի բնութագրային դիմադրություն վակուումում կամ ազատ տարածության դիմադրությունը՝
{\displaystyle z\_{0}={\sqrt {\frac {\mu \_{0}}{\varepsilon \_{0}}}}=\mu \_{0}c={\frac {1}{\varepsilon \_{0}c}}}

որտեղ
{\displaystyle \mu \_{0}}-ն մագնիսական հաստատունն է (մագնիսական թափանցելիությունը վակումում),
{\displaystyle \varepsilon \_{0}}-ն էլեկտրական հաստատունն է (վակումում դիէլեկտրիկական թափանցելիությունը),
c-ն՝ լույսի արագությունը վակուուում

Ծանոթագրություններ
------------------

1. ↑  H. A. Wheeler, «Transmission-line properties of parallel wide strips by a conformal-mapping approximation», *IEEE Trans. Microwave Theory Tech.*, vol. MTT-12, pp. 280—289, May 1964.
2. ↑  H. A. Wheeler, «Transmission-line properties of parallel strips separated by a dielectric sheet», *IEEE Tran. Microwave Theory Tech.*, vol. MTT-13, pp. 172—185, Mar. 1965.
3. ↑  Bahl, I.J. and Ramesh Garg, «Simple and Accurate Formulas for Microstrip with Finite Strip Thickness», *Proc. IEEE* ,vol. 65, Nov.1977. pp. 1611—1612
4. ↑  Pucel, R.A. «Losses in Microsrtip», *IEEE Trans. Microwave Theory Tech.*, vol. MTT-16, 1968, pp. 342—350, correction p.1064

Գրականություն
-------------

* Ա. Սարգսյան, Էլեկտրադինամիկա և ռադիոալիքների տարածում, Ուսումնական ձեռնարկ, Երևան, Հայաստանի Պետական Ճարտարագիտական Համալսարան։

Արտաքին հղումներ
----------------

Microstrip Analysis/Synthesis Calculator