یک ترانزیستور NPN که به صورت آرایش کلکتور مشترک بسته‌شده است.
در الکترونیک برای ساخت تقویت‌کننده از ترانزیستورهای مختلفی استفاده می‌شود که از جملهٔ آن‌ها استفاده از ترانزیستور BJT است، که خود شامل آرایش‌های مختلفی برای اتصال ورودی و خروجی به سه سَر ترانزیستور است. یکی از این آرایش‌ها، آرایش **کلکتور مشترک** یا **امیتر پیرو** (به انگلیسی: emitter follower) است. در این روش ورودی به بیس داده می‌شود و خروجی از امیتر دریافت می‌شود و پایه کلکتور بین ورودی و خروجی مشترک است، ازاین‌رو به آن کلکتور مشترک می‌گویند.

یک ترانزیستور PNP که به صورت آرایش کلکتور مشترک بسته شده است.

بهره
----

بهرهٔ این نوع ترانزیستور معمولاً کمی کمتر از یک است. به همین دلیل معمولاً به عنوان یک بافر در نظر گرفته می‌شود. بنابراین امیتر (خروجی) هم‌فاز و تقریبا برابر بیس (ورودی) است و آن را دنبال می‌کند، ازاین رو به آن امیتر پیرو می‌گویند

{\displaystyle {A\_{\mathrm {v} }}={v\_{\mathrm {out} } \over v\_{\mathrm {in} }}\approx 1}

مقاومت ورودی و خروجی
--------------------

مقاومت دیده شده از ورودی به شکل زیر خواهد بود:

{\displaystyle r\_{\mathrm {in} }\approx \beta \_{0}R\_{\mathrm {E} }}
مقاومت دیده شده از خروجی به شکل زیر خواهد بود:

{\displaystyle r\_{\mathrm {out} }\approx {R\_{\mathrm {E} }}\|{R\_{\mathrm {source} } \over \beta \_{0}}}
که به صورت ساده‌تر می‌توان آن را به صورت زیر نوشت:

{\displaystyle r\_{\mathrm {out} }\approx {R\_{\mathrm {source} } \over \beta \_{0}}}
چراکه بتا معمولاً عدد بزرگی است.

یک کاربرد عملی از آرایش کلکتور مشترک

مشخصات
------

|  | تعریف | مقدار | مقدار تقریبی | شرایط تقریب |
| --- | --- | --- | --- | --- |
| **بهره جریان** | {\displaystyle {A\_{\mathrm {i} }}={i\_{\mathrm {out} } \over i\_{\mathrm {in} }}} | {\displaystyle \beta \_{0}+1\ } | {\displaystyle \approx \beta \_{0}} | {\displaystyle \beta \_{0}\gg 1} |
| **بهره ولتاژ** | {\displaystyle {A\_{\mathrm {v} }}={v\_{\mathrm {out} } \over v\_{\mathrm {in} }}} | {\displaystyle {g\_{m}R\_{\mathrm {E} } \over g\_{m}R\_{\mathrm {E} }+1}} | {\displaystyle \approx 1} | {\displaystyle g\_{m}R\_{\mathrm {E} }\gg 1} |
| **مقاومت ورودی** | {\displaystyle r\_{\mathrm {in} }={\frac {v\_{\mathrm {in} }}{i\_{\mathrm {in} }}}} | {\displaystyle r\_{\pi }+(\beta \_{0}+1)R\_{\mathrm {E} }\ } | {\displaystyle \approx \beta \_{0}R\_{\mathrm {E} }} | {\displaystyle (g\_{m}R\_{\mathrm {E} }\gg 1)\wedge (\beta \_{0}\gg 1)} |
| **مقاومت خروجی** | {\displaystyle r\_{\mathrm {out} }={\frac {v\_{\mathrm {out} }}{i\_{\mathrm {out} }}}} | {\displaystyle R\_{\mathrm {E} }\parallel \left({r\_{\pi }+R\_{\mathrm {source} } \over \beta \_{0}+1}\right)} | {\displaystyle \approx {1 \over g\_{m}}+{R\_{\mathrm {source} } \over \beta \_{0}}} | {\displaystyle (\beta \_{0}\gg 1)\wedge (r\_{\mathrm {in} }\gg R\_{\mathrm {source} })} |

که در آن {\displaystyle R\_{\mathrm {source} }\ }، مقاومت معادل تونن است.

مدل سیگنال کوچک
---------------

در الکترونیک معمولاً این نوع مدارها را به دو شیوه تحلیل و بررسی می‌کنند: 

مدل هایبرید پای مدار شکل بالا
همان مدار شکل قبل که یک منبع آزمون برای پیداکردن مقدار مقاومت خروجی به آن اضافه شده است.
1. سیگنال بزرگ (سیگنال ورودی بزرگ است و مدل خطی‌شده قابل استفاده نیست)
2. سیگنال کوچک (سیگنال ورودی کوچک است و مدل خطی‌شده قابل استفاده است)

با فرض سیگنال کوچک مدل خطی‌شده تقویت‌کننده در شکل روبرو نشان داده شده با نوشتن کی‌سی‌ال در گره خروجی (vout) داریم:

{\displaystyle (\beta +1){\frac {v\_{\mathrm {in} }-v\_{\mathrm {out} }}{R\_{\mathrm {S} }+r\_{\pi }}}=v\_{\mathrm {out} }\left({\frac {1}{R\_{\mathrm {L} }}}+{\frac {1}{r\_{\mathrm {O} }}}\right)\ .}
با بازنویسی ولتاژ خروجی نسبت به ورودی در عبارت بالا می توان بهره را به صورت زیر نوشت:

{\displaystyle A\_{\mathrm {v} }={\frac {v\_{\mathrm {out} }}{v\_{\mathrm {in} }}}={\frac {1}{1+{\frac {R}{R\_{\mathrm {E} }}}}}\ .}
که در اینجا:
{\textstyle {\frac {1}{R\_{\mathrm {E} }}}={\frac {1}{R\_{\mathrm {L} }}}+{\frac {1}{r\_{\mathrm {O} }}}}
{\textstyle R={\frac {R\_{\mathrm {S} }+r\_{\pi }}{\beta +1}}\ .}
همچنین مقاومت ورودی را می‌توان به شکل زیر نوشت:

{\displaystyle R\_{\mathrm {in} }={\frac {v\_{\mathrm {in} }}{i\_{\mathrm {b} }}}={\frac {R\_{\mathrm {S} }+r\_{\pi }}{1-A\_{\mathrm {v} }}}\ }
{\displaystyle =\left(R\_{\mathrm {S} }+r\_{\pi }\right)\left(1+{\frac {R\_{\mathrm {E} }}{R}}\right)\ }
{\displaystyle =R\_{\mathrm {S} }+r\_{\pi }+(\beta +1)R\_{\mathrm {E} }\ .}
با قرار دادن یک منبع جریان آزمون (همان‌طور که در شکل روبرو نشان داده شده‌است) می‌توان مقاومت خروجی را به شکل زیر پیدا کرد:

{\displaystyle R\_{\mathrm {out} }={\frac {v\_{\mathrm {x} }}{i\_{\mathrm {x} }}}\ .}
با استفاده از قانون اهم خواهیم داشت:

{\displaystyle (\beta +1)i\_{\mathrm {b} }=i\_{\mathrm {x} }-{\frac {v\_{\mathrm {x} }}{R\_{\mathrm {E} }}}\ ,}
{\displaystyle v\_{\mathrm {x} }=i\_{\mathrm {b} }\left(R\_{\mathrm {S} }+r\_{\pi }\right)\ .}
با استفاده از مقادیر بدست آمده می‌توان مقاومت خروجی را به شکل زیر بازنویسی کرد:

{\displaystyle R\_{\mathrm {out} }={\frac {v\_{\mathrm {x} }}{i\_{\mathrm {x} }}}=R\parallel R\_{\mathrm {E} }\ ,}

جستارهای وابسته
---------------

* اتصال امیتر مشترک
* اتصال بیس مشترک
* اتصال درین مشترک
* اتصال سورس مشترک
* اتصال گیت مشترک
* ترانزیستور اثرمیدانی
* ترانزیستور BJT

منابع
-----


* Razavi، Behzad. *Fundamentals of Microelectronics*.
* Sedra-Smith. *Microelectronic Circuits*.

پیوند به بیرون
--------------

* R Victor Jones: *Basic BJT Amplifier Configurations*
* NPN Common Collector Amplifier
* Theodore Pavlic: ECE 327: Transistor Basics; part 6: *npn Emitter Follower*
* Doug Gingrich: *The common collector amplifier* U of Alberta
* Raymond Frey: *Lab exercises* U of Oregon


| * ن
* ب
* و
تقویت‌کننده‌های ترانزیستوری |
| --- |
|  | ترانزیستور پیوندی دوقطبی: | 
* اتصال امیتر مشترک
* اتصال کلکتور مشترک
* اتصال بیس مشترک

 |  |
| ترانزیستور اثر میدان: | 
* اتصال سورس مشترک
* اتصال درین مشترک
* اتصال گیت مشترک

 |
| ترانزیستورهای چند قطبی | 
* زوج دارلینگتون
* زوج زیکلای
* Cascode
* تقویت‌کننده تفاضلی

 |