**هدایت‌انتقالی** (برای **هدایت انتقالی**)، که به ندرت نیز **هدایت متقابل** خوانده می‌شود، ویژگی الکتریکی مربوط به جریان عبوری خروجی یک قطعه به ولتاژ در ورودی قطعه است. هدایت عکس مقاومت است.

**ادمیتانس‌انتقالی** (یا **ادمیتانس انتقالی**) معادل AC هدایت‌انتقالی است

تعریف
-----

هدایت‌انتقالی اغلب به عنوان هدایت، *g* m، با یک زیرنویس، m برای *متقابل مشخص می‌شود*. به شرح زیر تعریف شده‌است:

{\displaystyle g\_{m}={\frac {\Delta I\_{\text{out}}}{\Delta V\_{\text{in}}}}}
برای جریان متناوب سیگنال کوچک، تعریف ساده‌تر است:

{\displaystyle g\_{m}={\frac {i\_{\text{out}}}{v\_{\text{in}}}}}
واحد SI، **زیمنس**، با نماد **S** تعریف می‌شود و ۱ زیمنس = یک آمپر بر ولت است و واحد قدیمی هدایت *mho* (املا وارونه اهم)، نماد، **℧** با همان تعریف را می‌توان جایگزین کرد.

مقاومت‌انتقالی
--------------

**مقاومت‌انتقالی** (برای **مقاومت انتقالی**)، که به ندرت از آن به عنوان **مقاومت متقابل** نیز یاد می‌شود، دوگان هدایت‌انتقالی است. به نسبت تغییر ولتاژ در دو نقطه خروجی و تغییر جریان از طریق دو نقطه ورودی اشاره دارد و به عنوان rm بیان می‌شود:

{\displaystyle r\_{m}={\frac {\Delta V\_{\text{out}}}{\Delta I\_{\text{in}}}}}
واحد SI برای مقاومت‌انتقالی به سادگی اهم است.

**امپدانس‌انتقالی** (یا، **امپدانس انتقالی**) معادل AC مقاومت‌انتقالی دوگان انتقال است.

تعریف در قطعات الکترونیکی
-------------------------

### لامپ‌های خلأ

برای لامپهای خلأ، هدایت‌انتقالی به عنوان تغییر جریان *صفحه* (آند) تقسیم شده بر تغییر متناظر در ولتاژ *شبکه* (کاتد)، با یک ولتاژ ثابت صفحه (آند) به کاتد تعریف می‌شود. معادله واندر بل رابطه آن‌ها را به شرح زیر تعریف می‌کند:

{\displaystyle g\_{m}={\frac {\mu }{r\_{p}}}}
### ترانزیستورهای اثر میدانی

به‌طور مشابه، در ترانزیستورهای اثر میدانی، و به ویژه ماسفتها، هدایت‌انتقالی هست تغییر در جریان درین تقسیم بر تغییر کوچک در ولتاژ گیت-سورس با ولتاژ درین-سورس ثابت.

با استفاده از مدل شیچمن-هاجز، هدایت‌انتقالی برای ماسفت می‌تواند به صورت زیر بیان شود (مقاله ماسفت را ببینید):

{\displaystyle g\_{m}={\frac {2I\_{D}}{V\_{\text{OV}}}}}
در اینجا *ID* جریان DC درین در نقطه بایاس است، و *V**OV* ولتاژ اوردرایو است، که اختلاف ولتاژ بین نقطه بایاسِ گیت-سورس و ولتاژ آستانه (یعنی *V* *OV* ≡ *V* *GS* -*Vth*) است.

علاوه بر این، هدایت‌انتقالی برای فت پیوندی توسط معادله{\displaystyle g\_{m}={\frac {2I{DSS}}{\left|{V\_{P}}\right|}}\left({1-{\frac {V{GS}}{VP}}}\right)} داده شده‌است؛ که VP *ولتاژ گرفتگی* و IDSS حداکثر جریان درین است.

به‌طور سنتی، انتقال قدرت برای فت و ماسفت همان‌طور که در معادلات فوق آورده شده‌است از معادله انتقال هر قطعه و با استفاده از حساب بدست می‌آید. با این حال، کارترایت نشان داده‌است که این کار بدون محاسبه قابل انجام است.

### ترانزیستورهای دوقطبی

gm سیگنال کوچک ترانزیستورهای دوقطبی بسیار متفاوت، متناسب با جریان کلکتور است. تغییر ولتاژ ورودی اعمال‌شده بین بیس-امیتر است و خروجی تغییر در جریان کلکتور بین کلکتور-امیتر با ولتاژ کلکتور-امیتر ثابت است. دامنه معمول آن از ۱ تا ۴۰۰ میلی زیمنس است.

هدایت‌انتقالی برای ترانزیستور دوقطبی را می‌توان به صورت بیان کرد

{\displaystyle g\_{m}={\frac {I\_{C}}{V\_{T}}}}
در اینجا *IC* جریان کلکتور در نقطه Q و *V T* ولتاژ حرارتی است، به‌طور معمول در دمای اتاق ۲۶ میلی ولت است. برای یک جریان معمولی ۱۰ میلی‌آمپر، *gm* ≈ 385 mS. امپدانس ورودی بهره جریان (β) تقسیم بر هدایت‌انتقالی است.

جستارهای وابسته
---------------

* ترانزیستور
* لامپ خلأ
* تقویت‌کننده الکترونیکی
* تقویت‌کننده هدایت‌انتقالی
* پل فونتانا
* تقویت‌کننده هدایت‌انتقالی عملیاتی
* ماسفت

منابع
-----

1. ↑  Blencowe, Merlin (2009). "Designing Tube Amplifiers for Guitar and Bass".
2. ↑  Sedra, A.S.; Smith, K.C. (1998), *Microelectronic Circuits* (Fourth ed.), New York: Oxford University Press, ISBN 0-19-511663-1
3. ↑  Cartwright, Kenneth V (Fall 2009), "Derivation of the Exact Transconductance of a FET without Calculus" (PDF), *The Technology Interface Journal*, **10** (1): 7 pages

* Horowitz, Paul & Hill, Winfield (1989), *The Art of Electronics*, Cambridge University Press, ISBN 0-521-37095-7`{{citation}}`: نگهداری یادکرد:نام‌های متعدد:فهرست نویسندگان (link)

پیوند به بیرون
--------------

* هدایت‌انتقالی - تعاریف SearchSMB.com
* انتقال قدرت در تقویت کننده‌های صوتی: مقاله توسط دیوید رایت از موسیقی خالص